CN111066127A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置包含：基板保持单元，包含具有上表面的旋转基座以及立设于所述上表面的多个销，用以通过所述多个销保持基板；阻隔构件，具有：基板对向面，与被所述基板保持单元保持的基板的上表面对向；以及内周面，与被所述基板保持单元保持的基板的外周端以及所述旋转基座的外周端双方对向；旋转单元，使所述旋转基座以及所述阻隔构件绕着预定的旋转轴线旋转；以及正压生成构件，在被所述旋转基座的所述上表面、所述基板对向面以及所述内周面划分的空间中，以能伴随所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转而旋转的方式设置于比所述销还远离所述旋转轴线的位置，且随着所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转将所述正压生成构件的旋转方向后方设定成正压区域。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备用基板、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等FPD(Flat PanelDisplay；平面显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，为了对半导体晶圆等基板的表面施予药液等处理液的处理，会有使用用以逐片地处理基板的单张式的基板处理装置的情形。该单张式的基板处理装置在腔室(chamber)内包含：旋转卡盘(spin chuck)，例如大致水平地保持基板并使基板旋转；喷嘴，用以对通过该旋转卡盘而旋转的基板供给处理液；以及阻隔构件，对向地配置于接近被旋转卡盘保持的基板的表面(上表面)的位置。在基板处理装置中，在冲洗(rinse)处理后使阻隔构件接近至基板的表面，并在已使非活性气体充满了阻隔构件与基板的表面之间的状态下使旋转卡盘与阻隔构件朝相同方向旋转。由此，甩离并去除(干燥)附着于基板的表面的冲洗液。
下述专利文献1所揭示的阻隔构件为了更有效地阻隔属于基板的上方的空间的上方空间与属于上方空间的侧方的空间的侧方空间，具备有：圆板部，配置于被旋转卡盘保持的基板的上方；以及圆筒部，从圆板部之间的周缘垂下。亦即，该阻隔构件具有：基板对向面，与被旋转卡盘保持的基板的上表面对向；以及内周面，与被旋转卡盘保持的基板的外周端对向。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/234296A1号公报。
发明内容
(发明所要解决的课题)
然而，当基板以及阻隔构件高速旋转时，会有气流在基板的外周部与阻隔构件之间的空间(具体而言为基板与阻隔构件之间的空间的外周部)紊乱，且因为该气流的紊乱而将周围的环境气体吸入至基板与阻隔构件之间的空间的情形。在药液处理以及冲洗处理后，由于腔室内充满了包含药液的雾气(mist)的环境气体，因此当包含药液的雾气的环境气体进入至基板与阻隔构件之间的空间时，药液的雾气会变成微粒(particle)而成为基板污染的原因。此外，在半导体装置以及液晶显示设备等制造工序中，会有期望在环境气体中的氧浓度极低的状态下处理基板的情形。当包含充分的氧的环境气体(空气环境气体)从外部进入至基板与阻隔构件之间的空间时，会有基板与阻隔构件之间的空间的环境气体中的氧浓度变高的担心。再者，在半导体装置以及液晶显示设备等制造工序中，会有期望在环境气体中的湿度充分低的状态下处理基板的情形。当湿度高的环境气体从外部进入至基板与阻隔构件之间的空间时，会有基板与阻隔构件之间的空间的环境气体中的湿度变高的担心。
以往，从中心轴喷嘴对基板与阻隔构件之间的空间供给大流量的非活性气体，由此将基板与阻隔构件之间的空间保持在正压，从而抑制外气(外部的环境气体)进入至基板与阻隔构件之间的空间。
因此，本发明的目的在于提供一种无须供给大流量的非活性气体即能抑制或防止外气进入至基板与阻隔构件之间的空间的基板处理装置。
用以解决课题的手段
本发明提供一种基板处理装置，包含：基板保持单元，包含具有上表面的旋转基座(spin base)以及立设于所述上表面的多个销，用以通过所述多个销保持基板；阻隔构件，具有：基板对向面，与被所述基板保持单元保持的基板的上表面对向；以及内周面，与被所述基板保持单元保持的基板的外周端以及所述旋转基座的外周端双方对向；旋转单元，使所述旋转基座以及所述阻隔构件绕着预定的旋转轴线旋转；以及正压生成构件，在被所述旋转基座的所述上表面、所述基板对向面以及所述内周面划分的空间中，以能够伴随所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转而旋转的方式设置于比所述销还远离所述旋转轴线的位置，且随着所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转将所述正压生成构件的旋转方向后方设定成正压区域。
依据此构成，随着阻隔构件以及旋转基座绕着旋转轴线旋转，正压生成构件亦绕着旋转轴线旋转。随着正压生成构件的旋转，在旋转中的正压生成构件的旋转方向的后方形成有正压区域。由此，空间的内部中的相对于正压生成构件位于径向外侧的环状区域(以下称为空间外侧区域)变成正压。将该空间外侧区域保持在正压，由此能抑制或防止外气进入至空间。
在本发明的实施方式之一中，所述正压生成构件以所述旋转基座的外周端与所述内周面之间的径向的距离变成比所述正压生成构件的外侧缘与所述内周面之间的径向的最长距离还窄的方式设置。
依据此构成，由于旋转基座的外周端与阻隔构件的内周面之间的径向的距离以变成比正压生成构件的外侧缘与阻隔构件的内周面之间的径向的最长距离还窄的方式设置，因此能有效地抑制环境气体从空间外侧区域朝空间的外部流出。因此，能随着正压生成构件的旋转而容易地将正压生成构件的后方的区域保持在正压。
亦可认为假设当旋转基座的外周端与阻隔构件的内周面之间的径向的距离比正压生成构件的外侧缘与阻隔构件的内周面之间的径向的最长距离还宽时，随着正压生成构件的旋转所产生的正压的环境气体通过旋转基座的外周端与阻隔构件的内周面之间的间隙流出至空间的外部。结果，亦可认为正压生成构件的后方甚至是空间外侧区域不会变成正压。
然而，由于旋转基座的外周端与阻隔构件的内周面之间的径向的距离以变成比正压生成构件的外侧缘与阻隔构件的内周面之间的径向的最长距离还窄的方式设置，因此能将空间外侧区域设定成正压。
在本发明的实施方式之一中，所述正压生成构件包含：连接正压生成构件，以连接至所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面的方式设置。
依据此构成，在连接正压生成构件旋转时，与空间的内部的环境气体接触的面积大。因此，能通过连接正压生成构件的旋转而产生更大的气流，由此更能将空间外侧区域设定成正压。
在本发明的实施方式的一中，所述连接正压生成构件包含：第一卡合构件以及第二卡合构件，分别设置于所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面，用以彼此卡合。所述阻隔构件经由彼此卡合的第一卡合构件以及第二卡合构件而被所述旋转基座支撑。
依据此构成，由于连接正压生成构件兼用第一卡合构件以及第二卡合构件，因此与个别地设置连接正压生成构件与第一卡合构件以及第二卡合构件的情形相比，能谋求降低构件数量。
在本发明的其他实施方式中，所述正压生成构件设置于所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的一者；所述正压生成构件的顶端与所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的所述一者之间的距离，以比被所述基板保持单元保持的基板与所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的所述一者之间的距离还大的方式设置。
依据此构成，在正压生成构件旋转时，与空间的内部的环境气体接触的面积大。因此，能通过正压生成构件的旋转而产生更大的气流，由此更能将空间外侧区域设定成正压。
本发明的所述目的、特征以及效果与其他的目的、特征以及效果参照随附的附图且通过下述实施方式的说明而明了。
附图说明
图1是从上方观察本发明第一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是用以说明所述基板处理装置所具备的处理单元的构成例的图解性的剖视图。
图3是所述处理单元所具备的旋转卡盘的示意性的俯视图。
图4是所述处理单元所具备的阻隔构件的仰视图。
图5是设置于所述旋转卡盘的旋转基座的第一卡合构件以及设置于所述阻隔构件的第二卡合构件的周边的剖视图。
图6是所述旋转基座与所述阻隔构件之间的空间的外周部的周边的剖视图。
图7是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电气构成的框图。
图8是用以说明在所述处理单元中所执行的基板处理例的内容的流程图。
图9是用以说明随着旋转基座以及阻隔构件的旋转而在空间产生的正压区域的分布的图解性的俯视图。
图10A至图10B是用以说明所述基板处理例的图解性的图。
图10C至图10D是用以说明接续于图10B的工序的图解性的图。
图11是用以说明本发明第二实施方式的处理单元的构成例的图解性的剖视图。
图12是旋转基座与阻隔构件之间的空间的外周部的周边的剖视图。
图13是本发明第三实施方式的旋转基座与阻隔构件之间的空间的外周部的周边的剖视图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
图1是从上方观察本发明第一实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1系用以逐片地处理硅晶圆等基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包含：多个处理单元2，以处理液以及冲洗液处理基板W；装载埠(load port)LP，载置有基板收容器C，该基板收容器C收容在处理单元2进行处理的多片基板W；分度器机械手IR以及基板搬运机械手CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，控制基板处理装置1。分度器机械手IR在基板收容器C与基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR在分度器机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的构成。
图2是用以说明处理单元2的构成例的图解性的剖视图。图3是处理单元2所具备的旋转卡盘5的示意性的俯视图。图4是处理单元2所具备的阻隔构件6的仰视图。图5是设置于旋转卡盘5的旋转基座18的第一卡合构件55以及设置于阻隔构件6的第二卡合构件51的周边的剖视图。图6是被旋转基座18与阻隔构件6之间划分的空间SP的外周部的周边的剖视图。图6是从图4的剖线Ⅵ－Ⅵ观察。
如图2所示，处理单元2包含：箱形的腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内以水平的姿势保持一片基板W，并使基板W绕着通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；阻隔构件6，与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面对向；中心轴喷嘴7，上下地插通阻隔构件6的内部，并朝被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液；药液供给单元8，用以将药液供给至中心轴喷嘴7；冲洗液供给单元9，用以将冲洗液供给至中心轴喷嘴7；有机溶剂供给单元10，用以将作为低表面张力液体的有机溶剂供给至中心轴喷嘴7，该低表面张力液体具有比重比空气还大且比水还低的表面张力；疏水化剂供给单元11，用以将液体的疏水化剂供给至中心轴喷嘴7；非活性气体供给单元12，用以将非活性气体供给至中心轴喷嘴7；以及筒状的处理罩(processing cup)13，围绕旋转卡盘5。
如图2所示，腔室4包含：箱状的隔壁14，收容旋转卡盘5；作为送风单元的FFU(fanfilter unit；风扇过滤器单元)15，从隔壁14的上部将清净空气(经过过滤器过滤的空气)输送至隔壁14内；以及排气导管16，从隔壁14的下部将腔室4内的气体排出。FFU15配置于隔壁14的上方，并安装于隔壁14的顶部。FFU15从隔壁14的顶部将清净空气朝下地输送至腔室4内。排气导管16连接至处理罩13的底部，并朝设置有基板处理装置1的工厂所设置的排气处理设备导出腔室4内的气体。因此，通过FFU15以及排气导管16形成有于腔室4内朝下方流动的下降流(down flow)。基板W的处理在腔室4内形成有下降流的状态下进行。
如图2所示，采用夹持式的卡盘作为旋转卡盘5，该夹持式的卡盘在水平方向夹着基板W并水平地保持基板W。具体而言，旋转卡盘5包含：旋转马达(spin motor)(旋转单元)M；旋转轴(spin axis)17，与旋转马达M的驱动轴一体化；以及圆板状的旋转基座18，大致水平地安装于旋转轴17的上端。
如图2以及图3所示，在旋转基座18的上表面18a的周缘部配置有多个(三个以上，例如为四个)夹持销(销)19。多个夹持销19在旋转基座18的上表面18a的外周部中隔着适当的间隔(例如等间隔)配置在与基板W的外周形状对应的圆周上。在旋转基座18的上表面18a中的以旋转轴线A1作为中心的圆周上配置有多个(三个以上，例如为三个)第一卡合构件55，该多个第一卡合构件55用以接触至阻隔构件6并从下方支撑阻隔构件6。多个第一卡合构件55在旋转基座18的上表面18a的外周部中隔着适当的间隔(例如等间隔)配置于直径比基板W的外周形状还大一圈的圆周上。第一卡合构件55与旋转轴线A1之间的距离设定成比夹持销19与旋转轴线A1之间的距离还大。亦即，如后述那样，用以与第二卡合构件51形成正压生成构件63的第一卡合构件55设置于比夹持销19还远离旋转轴线A1的位置。
如图2所示，阻隔构件6用以随着旋转卡盘5而旋转的从动型的阻隔构件。亦即，阻隔构件6在基板处理中以阻隔构件6可与旋转卡盘5一体旋转的方式被支撑。阻隔构件6包含：阻隔板21；卡合构件22，以可伴随升降的方式设置于阻隔板21；以及支撑部23，用以与卡合构件22卡合并从上方支撑阻隔板21。
阻隔板21是比基板W的直径还大的圆板状。阻隔板21包含：圆板部61，以水平的姿势被保持；以及圆筒部62，从圆板部61的外周部朝下方延伸。圆板部61与圆筒部62同轴。圆板部61配置于比圆筒部62的下端还上方。
阻隔板21包含朝下方凹陷而成的罩(cup)状的内面。阻隔板21的内面包含：基板对向面21a，在上方与基板W的上表面对向；以及内周面21b，在阻隔构件6位于阻隔位置的状态下与基板W的外周端以及旋转基座18的外周面(外周端)18b对向。圆板部61的下表面相当于基板对向面21a。基板对向面21a是与基板W的上表面平行的平坦面。
圆筒部62的内周面相当于内周面21b。内周面21b包含从基板对向面21a斜下方地朝外侧延伸的环状的内倾斜部。该内倾斜部具有相对于旋转轴线A1的倾斜角连续性地变化的圆弧状的剖面。该内倾斜部的剖面朝下方开放。内周面21b的内径越接近内周面21b的下端则越增加。内周面21b的下端具有比旋转基座18的外径还大的内径。
阻隔板21进一步具有：多个第二卡合构件51，设置于基板对向面21a，用以与第一卡合构件55卡合。在基板对向面21a的中央部形成有上下地贯通阻隔构件6的贯通孔24。贯通孔24被圆筒状的内周面划分。第二卡合构件51与第一卡合构件55相同数量，且与第一卡合构件55(一并参照图3)一对一对应地设置。
参照图5说明第一卡合构件55以及第二卡合构件51。在图5中显示已解除阻隔构件6与旋转卡盘5之间的卡合的状态。
第二卡合构件51包含：本体部52，由PEEK(polyetheretherketone；聚醚醚酮)树脂等树脂所形成；以及永久磁铁53。本体部52的一部分埋入并固定至圆板部61，其余的部分则是从圆板部61的基板对向面21a朝下方突出。在本体部52的下端部形成有凹部51a。
第一卡合构件55例如为金属制。第一卡合构件55的本体部56的一部分埋入并固定至旋转基座18，其余的部分则是从旋转基座18的上表面朝上方突出。在第一卡合构件55的上端部形成有凸部55a。凹部51a与凸部55a彼此嵌合且各个第二卡合构件51的永久磁铁53与对应的第一卡合构件55彼此吸附，由此第一卡合构件55与第二卡合构件51被卡合。而且，卡合后亦通过第二卡合构件51的永久磁铁53与第二卡合构件51彼此吸附来保持第一卡合构件55与第二卡合构件51之间的卡合。阻隔构件6经由彼此卡合的第一卡合构件55以及第二卡合构件51被支撑于旋转基座18。
第一卡合构件55作为正压生成构件(连接正压生成构件)63而发挥作用，该正压生成构件63随着阻隔构件6以及旋转基座18的旋转将该第一卡合构件55的旋转方向后方设定成正压区域。此外，第二卡合构件51作为正压生成构件(连接正压生成构件)63而发挥作用，该正压生成构件63随着阻隔构件6以及旋转基座18的旋转将该第二卡合构件51的旋转方向后方设定成正压区域。在本实施方式中，正压生成构件63包含第一卡合构件55以及第二卡合构件51。因此，正压生成构件63以连接至旋转基座18的上表面18a以及阻隔板21的基板对向面21a的方式设置。
如图2所示，卡合构件22包含：圆筒部25，在阻隔板21的上表面中包围贯通孔24的周围；以及凸缘(flange)部26，从圆筒部25的上端朝径向外侧扩展。凸缘部26位于比支撑部23所含有的下述的凸缘支撑部28还上方，且凸缘部26的外周比凸缘支撑部28的内周还大径。
支撑部23包含例如大致圆板状的支撑部本体27、水平的凸缘支撑部28以连接部29，连接部29连接支撑部本体27与凸缘支撑部28。
中心轴喷嘴7沿着通过阻隔板21以及基板W的中心的铅垂的轴线朝上下方向延伸，亦即沿着旋转轴线A1朝上下方向延伸。中心轴喷嘴7配置于旋转卡盘5的上方并插通阻隔板21以及支撑部23的内部空间。中心轴喷嘴7与阻隔板21以及支撑部23一起升降。
中心轴喷嘴7包含：圆柱状的壳体(casing)30，在贯通孔24的内部上下地延伸；以及第一喷嘴配管31、第二喷嘴配管32、第三喷嘴配管33、第四喷嘴配管34，分别上下地插通壳体30的内部。壳体30具有：圆筒状的外周面30a；以及基板对向面30b，设置于壳体30的下端部并与基板W的上表面的中央部对向。第一喷嘴配管31、第二喷嘴配管32、第三喷嘴配管33、第四喷嘴配管34分别为内管(inner tube)。
在支撑部23结合有阻隔构件升降单元35，该阻隔构件升降单元35用以使支撑部23升降并使阻隔构件6升降。阻隔构件升降单元35包含伺服马达(servo motor)以及/或者滚珠螺杆(ball screw)机构等的构成。阻隔构件升降单元35将阻隔构件6以及第一喷嘴配管31至第四喷嘴配管34与支撑部23一起在铅垂方向升降。阻隔构件升降单元35使阻隔板21以及第一喷嘴配管31至第四喷嘴配管34在阻隔位置(图2中以虚线所示的位置)与退避位置(图2中以实线所示的位置)之间升降，该阻隔位置是阻隔板21的基板对向面21a接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面且圆筒部62的下端的高度位于比基板W的高度还下方的位置，该退避位置是大幅地退避至比阻隔位置还上方的位置。阻隔位置是在基板对向面221a与基板W的上表面之间形成有属于阻隔空间的空间SP(参照图6)的位置。空间SP未完全与空间SP的周围的空间隔离。然而，空间SP实质性地与空间SP的周围的空间阻隔。阻隔构件升降单元35能使支撑部23在阻隔位置与退避位置之间升降。由此，能使阻隔构件6的阻隔板21在阻隔位置与退避位置之间升降，该阻隔位置是接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的位置。阻隔构件升降单元35是能使阻隔构件6位于阻隔位置与退避位置之间的任意的高度位置。
具体而言，在支撑部23位于退避位置的状态下，支撑部23的凸缘支撑部28与凸缘部26卡合，由此卡合构件22、阻隔板21以及中心轴喷嘴7被支撑于支撑部23。亦即，阻隔板21被支撑部23垂吊。在支撑部23位于退避位置的状态下，突设于凸缘支撑部28的上表面的突起28a卡合于隔着间隔形成于凸缘部26的周方向的卡合孔26a，由此将阻隔板21相对于支撑部23定位于周方向。
当阻隔构件升降单元35使支撑部23从退避位置下降时，阻隔板21亦从退避位置下降。之后，当阻隔板21的第二卡合构件51抵接至第一卡合构件55时，阻隔板21以及中心轴喷嘴7被第一卡合构件55接住。而且，当阻隔构件升降单元35使支撑部23下降时，支撑部23的凸缘支撑部28与凸缘部26之间的卡合被解除，卡合构件22、阻隔板21以及中心轴喷嘴7从支撑部23脱离并被旋转基座18支撑。在此状态下，当旋转基座18旋转时，伴随该旋转基座18的旋转，阻隔板21绕着旋转轴线A1旋转。
图6是显示阻隔构件6配置于阻隔位置的状态。在阻隔构件6配置于阻隔位置的状态下，在旋转基座18与阻隔板21之间形成有属于阻隔空间的空间SP。具体而言，空间SP指被旋转基座18的上表面18a、基板对向面21a以及内周面21b划分的空间。
“距离D1”指阻隔构件6配置于阻隔构件时旋转基座18的外周面(外周端)18b与阻隔板21的圆筒部62的内周面21b之间的径向Ds的距离。“距离D2”指阻隔构件6配置于阻隔位置时正压生成构件63的外侧缘与阻隔板21的圆筒部62的内周面21b之间的径向Ds的最长距离。正压生成构件63的外缘部指正压生成构件63的外周面中的径向Ds的外端部分。在本实施方式中，正压生成构件63的外侧缘指具有更大径的第二卡合构件51的径向Ds的外端部分。亦即，在本实施方式中，“正压生成构件63的外侧缘与阻隔板21的圆筒部62的内周面21b之间的径向Ds的最长距离”指第二卡合构件51的顶端部(下端部)中的与内周面21b之间的径向Ds的距离。
“径向Ds”指圆盘状的阻隔板21的径向。阻隔板21的径向亦为圆板状的旋转基座18的径向。“径向Ds”亦与伴随着旋转基座18的旋转的基板W以及阻隔板21的旋转半径向一致。在本说明书中皆相同。
距离D1比距离D2还短(还狭窄)。阻隔构件6配置于阻隔位置时，距离D1例如为约2.5mm，距离D2例如为约6mm。
如图2所示，第一喷嘴配管31包含沿着铅垂方向延伸的铅垂部分。如图4所示，第一喷嘴配管31的下端于壳体30的基板对向面30b呈开口并形成第一喷出口31a。从药液供给单元8对第一喷嘴配管31供给有药液。药液供给单元8包含：药液配管36，连接至第一喷嘴配管31的上游端侧；以及药液阀37，安装于药液配管36的中途部。第一流量调整阀38包含：阀本体，在内部设置有阀座；阀体，用以将阀座予以开闭；以及致动器(actuator)，使阀体在开位置与闭位置之间移动。其他的流量调整阀亦同样。
当在下述的冲洗液阀40关闭的状态下开启药液阀37时，从第一喷出口31a朝下方喷出药液。当药液阀37关闭时，停止从第一喷出口31a喷出药液。通过第一流量调整阀38调整第一喷出口31a的药液的喷出流量。药液亦可为包含例如硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH(TMAH；Tetra MethylAmmonium Hydroxide；氢氧化四甲铵)等)、界面活性剂以及防腐蚀剂中的至少一种的液体。
如图2所示，亦对第一喷嘴配管31供给有来自冲洗液供给单元9的冲洗液。冲洗液供给单元9包含：冲洗液配管39，连接至第一喷嘴配管31的上游端侧；冲洗液阀40，安装于冲洗液配管39的中途部；以及第二流量调整阀41，调整冲洗液配管39的开度。当在关闭药液阀37的状态下开启冲洗液阀40时，从第二喷出口32a朝下方喷出冲洗液。当关闭冲洗液阀40时，停止从第二喷出口32a喷出冲洗液。通过第二流量调整阀41调整第二喷出口32a的冲洗液的喷出流量。冲洗液为水。在本实施方式中，水是纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如10ppm至100ppm左右)的氨水的任一者。
如图2所示，第二喷嘴配管32包含沿着铅垂方向延伸的铅垂部分。如图4所示，第二喷嘴配管32的下端于壳体30的基板对向面30b呈开口并形成第二喷出口32a。从有机溶剂供给单元10对第二喷嘴配管32供给有液体的有机溶剂。有机溶剂供给单元10包含：有机溶剂配管42，连接至第二喷嘴配管32的上游端侧；有机溶剂阀43，安装于有机溶剂配管42的中途部；以及第三流量调整阀44，调整有机溶剂配管42的开度。当有机溶剂阀43开启时，从第二喷出口32a朝下方喷出液体的有机溶剂。当关闭有机溶剂阀43时，停止从第二喷出口32a喷出液体的有机溶剂。通过第三流量调整阀44调整第二喷出口32a的液体的有机溶剂的喷出流量。
在本实施方式中，有机溶剂例如为IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)，但作为此种有机溶剂，除了IPA以外亦能例示例如甲醇、乙醇、丙酮、EG(ethylene glycol；乙二醇)以及HFE(hydrofluoroether；氢氟醚)。此外，作为有机溶剂，不仅是仅由单体成分所构成的情形，亦可为与其他的成分混合的液体。例如，亦可为IPA与丙酮的混合液，或亦可为IPA与甲醇的混合液。
如图2所示，第三喷嘴配管33包含沿着铅垂方向延伸的铅垂部分。如图4所示，第三喷嘴配管33的下端于壳体30的基板对向面30b呈开口并形成第三喷出口33a。从疏水化剂供给单元11对第三喷嘴配管33供给有液体的疏水化剂。疏水化剂供给单元11包含：疏水化剂配管45，连接至第三喷嘴配管32的上游端侧；疏水化剂阀46，安装于疏水化剂配管45的中途部；以及第四流量调整阀47，调整疏水化剂配管45的开度。当疏水化剂阀46开启时，从第三喷出口33a朝下方喷出液体的疏水化剂。当关闭疏水化剂阀46时，停止从第三喷出口33a喷出液体的疏水化剂。通过第四流量调整阀47调整第三喷出口33a的液体的疏水化剂的喷出流量。疏水化剂可为硅系的疏水化剂，亦可为金属系的疏水化剂。
硅系的疏水化剂是用以使硅(Si)本体以及包含硅的化合物予以疏水化的疏水化剂。硅系疏水化剂例如为硅烷耦合剂。硅烷耦合剂例如为HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二硅氮烷)、TMS(tetramethylsilane；四甲基硅烷)、氟化烷氯硅烷(fluorinatedalkylchlorosilane)、烷基二硅氮烷(alkyl disilazane)以及非氯(non-chloro)系疏水化剂中的至少一者。非氯系疏水化剂例如包含二甲基甲硅烷基二甲胺(DMSDMA；dimethylsilyldimethylamine)、二甲基甲硅烷基二乙胺(DMSDEA；dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二硅氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、四甲基二硅氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、双(二甲基氨)二甲基硅烷(Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、N,N-二甲基三甲基硅胺(DMATMS；N,N-dimethylaminotrimethylsilane)、N-(三甲基硅基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有机硅烷(organosilane)化合物中的至少一者。
如图2所示，硅系的疏水化剂是例如具有高配位性且主要通过配位链结将金属予以疏水化的溶剂。该疏水化剂例如包含有机硅化合物以及具有疏水基的胺中的至少一者。
如图4所示，第四喷嘴配管34包含沿着铅垂方向延伸的铅垂部分。第四喷嘴配管34的下端于壳体30的基板对向面30b呈开口并形成第四喷出口34a。从非活性气体供给单元12对第四喷嘴配管34供给有非活性气体。非活性气体供给单元12包含：非活性气体配管48，连接至第四喷嘴配管34的上游端侧；非活性气体阀49，安装于非活性气体配管48的中途部；以及第五流量调整阀50，调整非活性气体配管48的开度。当非活性气体阀49开启时，从第四喷出口34a朝下方喷出非活性气体。当关闭非活性气体阀49时，停止从第四喷出口34a喷出非活性气体。通过第五流量调整阀50调整第四喷出口34a的非活性气体的喷出流量。非活性气体并未限定于氮气，亦可为氦气或氩气等其他非活性气体。此外，非活性气体可为氮气，亦可为氮气与氮气以外的气体的混合气体。
此外，通过中心轴喷嘴7的筒状的外周壁7a与贯通孔24的筒状的内周壁24a形成有筒状的筒状间隙65。筒状间隙65作为让非活性气体流通的流路而发挥作用。筒状间隙65的下端开口成用以围绕中心轴喷嘴7的环状并形成周围中央气体喷出口66。
如图2所示，处理罩13配置于比被旋转卡盘5保持的基板W还外侧(远离旋转轴线A1的方向)。处理罩13围绕旋转基座18。当在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下对基板W供给处理液时，被供给至基板W的处理液被甩离至基板W的周围。在处理液被供给至基板W时，朝上方开放的处理罩13的上端部13a配置于比旋转基座18还上方。因此，被排出至基板W的周围的药液或者水等处理液被处理罩13接住。接着，被处理罩13接住的处理液被输送至未图示的回收处理设备或者废液处理设备。
图7是用以说明基板处理装置1的主要部分的电气构成的框图。
控制装置3例如使用微电脑(microcomputer)来构成。控制装置3具有CPU(CentralProcessing Unit；中央处理器)等运算单元、固态存储装置(solid-state memorydevice)、硬盘驱动器(hard disk drive)等存储单元以及输入输出单元。在存储单元存储有让运算单元执行的程序。
此外，在控制装置3连接有作为控制对象的旋转马达M以及阻隔构件升降单元35等。控制装置3依循预先设定的程序来控制旋转马达M以及阻隔构件升降单元35等的动作。
此外，控制装置3依循预先设定的程序来开闭药液阀37、冲洗液阀40、有机溶剂阀43、疏水化剂阀46以及非活性气体阀49等。此外，控制装置3依循预先设定的程序来调整第一流量调整阀38、第二流量调整阀41、第三流量调整阀44、第四流量调整阀47以及第五流量调整阀50等的开度。
以下说明处理在属于器件(device)形成面的表面(上表面)形成有图案(pattern)的基板W的情形。处理对象的基板W例如为硅晶圆，并在硅晶圆中的属于图案形成面的表面形成有图案。该图案例如为细微图案。
图8是用以说明在处理单元2中所执行的基板处理例的内容的流程图。图9是用以说明随着旋转基座18以及阻隔构件6的旋转而在空间SP产生的正压区域Pa的分布的图解性的俯视图。图10A至图10D是用以说明基板处理例的图解性的图。参照图1至图8说明基板处理例。适当地参照图9至图10D。
从周围中央气体喷出口66喷出小流量(例如10公升(liter)/分)的非活性气体。从周围中央气体喷出口66喷出非活性气体从基板处理开始直至基板处理结束为止连续性地进行。
未处理的基板W(例如直径300mm的圆形基板)通过分度器机械手IR以及基板搬运机械手CR从基板收容器C被搬入至处理单元2并被搬入至腔室4内，在基板W的表面(处理对象面，在本实施方式中为图案形成面)朝向上方的状态下基板W被交至旋转卡盘5且基板W被旋转卡盘5保持(图8的步骤S1：搬入基板W)。
基板搬运机械手CR退避至处理单元2外之后，控制装置3控制阻隔构件升降单元35将阻隔板21配置于阻隔位置。由此，阻隔板21以及中心轴喷嘴7被第一卡合构件55接住，且阻隔板21以及中心轴喷嘴7被旋转基座18支撑。
阻隔板21配置于阻隔位置后(阻隔板21被旋转基座18支撑后)，接着，控制装置3控制旋转马达M使旋转基座18的旋转速度上升至预定的液体处理速度(约10rpm至1200rpm的范围内，例如约800rpm)并维持在该液体处理速度(图8的步骤S2：基板W开始旋转)。伴随着旋转基座18的旋转，基板W绕着旋转轴线A1旋转。此外，伴随着旋转基座18的旋转，阻隔板21绕着旋转轴线A1旋转。伴随着阻隔板21以及旋转基座18绕着旋转轴线A1旋转，正压生成构件63(亦即第一卡合构件55以及第二卡合构件51)亦绕着旋转轴线A1旋转。由此，如图9所示，在旋转中的正压生成构件63的旋转方向Dr的后方形成有正压区域Pa。认为此种现象是因为正压生成构件63(55、51)高速通过正压生成构件63与阻隔板21的内周面21b之间的狭窄的空间，导致提高的压力在正压生成构件63的旋转方向Dr的后方开放，从而产生。由此，空间SP的内部中的相对于正压生成构件63(55、51)位于径向Ds外侧的环状的区域SP1(以下称为“空间外侧区域SP1”)变成正压。另一方面，空间SP的内部中的相对于正压生成构件63(55、51)位于径向Ds内侧的环状的区域SP2(以下称为“空间内侧区域SP2”)是因为通过伴随着阻隔板21以及旋转基座18的旋转而产生的离心力的作用被导引至径向Ds外侧从而变成负压。此时，如图6所示，空间外侧区域SP1的压力P1、空间内侧区域SP2的压力P2、空间SP的外部OS中的压力P之间的关系为P1＞P＞P2。然而，在阻隔板21以及旋转基座18的旋转的旋转速度较慢的情形中，认为外部OS中的压力P亦接近空间内侧区域SP2的压力P2。
此外，如上所述，由于由第一卡合构件55以及第二卡合构件51所构成的正压生成构件63以连接旋转基座18的上表面18a与基板对向面21a的方式设置，因此在正压生成构件63的旋转时与空间SP的内部的环境气体接触的面积大。因此，更能通过正压生成构件63的旋转将正压生成构件63的旋转方向的后方设定成正压。
再者，如上所述，由于距离D1比距离D2还短，因此能有效地抑制环境气体从空间外侧区域SP1朝空间SP的外部OS流出。亦考虑下述情形：假设当距离D1比距离D2还大(还广)时，即使随着正压生成构件63的旋转产生正压区域Pa，在正压区域Pa所含有的环境气体亦通过旋转基座18的外周面(外周端)18b与阻隔构件6的内周面21b之间的间隙流出至空间SP的外部OS。结果，认为会阻碍空间外侧区域SP1中的正压区域Pa的形成。然而，由于距离D1比距离D2还短，因此能有效地抑制环境气体朝外部流出，由此能将空间外侧区域SP1保持在正压。
基板W开始旋转后，控制装置3执行用以将药液供给至基板W的上表面的药液工序(步骤S3)(参照图8)。具体而言，控制装置3一边将基板W的旋转维持在液体处理速度一边开启药液阀37。由此，如图10A所示，从中心轴喷嘴7的第一喷出口31a朝旋转状态的基板W的上表面喷出药液。被供给至基板W的上表面的药液接受基板W的旋转所为的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，使用药液处理基板W的整个上表面。
在药液工序(步骤S3)中，根据药液的种类(使用TMAH等作为药液的情形)，为了使用药液良好地处理基板W，需要将空间SP内的环境气体保持在低氧浓度。由于能在药液工序(步骤S3)中将空间外侧区域SP1保持在正压，因此能抑制或防止外气(包含氧的气体)进入至空间SP，由此能将空间SP内的环境气体维持在低氧浓度。
当从开始喷出药液经过预先设定的期间时，控制装置3关闭药液阀37，停止从中心轴喷嘴7(第一喷嘴配管31)喷出药液。由此，结束药液工序(步骤S3)。
接着，控制装置3执行：冲洗工序(步骤S4)(参照图8)，用以将基板W上的药液置换成冲洗液并将药液从基板W上排除。具体而言，控制装置3一边将基板W的旋转维持在液体处理速度一边开启冲洗液阀40。由此，从中心轴喷嘴7(第一喷嘴配管31)的第一喷出口31a朝基板W的上表面中央部喷出冲洗液。被供给至基板W的上表面中央部的冲洗液受基板W的旋转的离心力的作用而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的药液被置换成冲洗液。
冲洗液从基板W的周缘部朝侧方排出。从基板W的周缘部排出的冲洗液被阻隔构件6的内周面21b接住后，从阻隔板21的圆筒部62的下端部朝侧方飞散。
当开启冲洗液阀40后经过预先设定的期间时，控制装置3关闭冲洗液阀40。由此，结束冲洗工序(步骤S4)。
接着，控制装置3执行置换工序(步骤S5)(参照图8)。置换工序(步骤S5)是用以将存在于基板W上的冲洗液置换成表面张力比冲洗液(水)还低的有机溶剂(在本例子中为IPA)的工序。具体而言，控制装置3一边将基板W的旋转维持在液体处理速度一边开启有机溶剂阀43。由此，如图10B所示，从中心轴喷嘴7(第二喷嘴配管32)的第二喷出口32a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂接受基板W的旋转的离心力的作用而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的冲洗液被置换成有机溶剂。
有机溶剂从基板W的周缘部朝侧方排出。从基板W的周缘部排出的有机溶剂被阻隔构件6的内周面21b接住后，从阻隔板21的圆筒部62的下端部朝侧方飞散。
期望在置换工序(步骤S5)中水不要混入至有机溶剂中以将有机溶剂维持在低表面张力，因此需要将空间SP内的环境气体保持在低湿度。由于能在置换工序(步骤S5)中将空间外侧区域SP1保持在正压，因此能抑制或防止外气(包含氧的气体)进入至空间SP，由此能将空间SP内的环境气体保持在低湿度。
当开启有机溶剂阀43后经过预先设定的期间时，控制装置3关闭有机溶剂阀43。由此，结束置换工序(步骤S5)。
接着，控制装置3执行疏水化剂工序(步骤S6)(参照图8)。疏水化剂工序(步骤S6)是用以对基板W的上表面供给液体的疏水化剂并将存在于基板W的上表面的有机溶剂置换成疏水化剂的工序。具体而言，控制装置3一边将基板W的旋转维持在液体处理速度一边开启疏水化剂阀46。由此，如图10D所示，从中心轴喷嘴7(第二喷嘴配管32)的第三喷出口33a朝基板W的上表面中央部喷出液体的疏水化剂。被供给至基板W的上表面中央部的疏水化剂受基板W的旋转的离心力的作用而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的有机溶剂被置换成疏水化剂。
疏水化剂从基板W的周缘部朝侧方排出。从基板W的周缘部排出的疏水化剂被阻隔构件6的内周面21b接住后，从阻隔板21的圆筒部62的下端部朝侧方飞散。
在疏水化剂工序(步骤S6)中，为了良好地实现基板W的上表面的疏水化，需要将空间SP内的环境气体保持在低湿度。由于能在疏水化剂工序(步骤S6)中将空间外侧区域SP1保持在正压，因此能抑制或防止外气(包含水分的气体)进入至空间SP，由此能将空间SP内的环境气体保持在低湿度。
当开启疏水化剂阀46经过预先设定的期间时，控制装置3关闭疏水化剂阀46。由此，结束疏水化剂工序(步骤S6)。
接着，控制装置3执行置换工序(步骤S7)(参照图8)。置换工序(步骤S7)是用以将存在于基板W上的疏水化剂置换成有机溶剂(在本例子中为IPA)的工序。具体而言，控制装置3一边将基板W的旋转维持在液体处理速度一边开启有机溶剂阀43。由此，如图10B所示，从中心轴喷嘴7(第二喷嘴配管32)的第二喷出口32a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂受基板W的旋转的离心力的作用而移动至基板W的周缘部。由此，存在于基板W的上表面上的疏水化剂被置换成有机溶剂。
有机溶剂从基板W的周缘部朝侧方排出。从基板W的周缘部排出的有机溶剂被阻隔构件6的内周面21b接住后，从阻隔板21的圆筒部62的下端部朝侧方飞散。
期望在置换工序(步骤S7)中水不要混入至有机溶剂中以将有机溶剂维持在低表面张力，因此需要将空间SP内的环境气体保持在低湿度。由于能在置换工序(步骤S7)中将空间外侧区域SP1保持在正压，因此能抑制或防止外气(包含水分的气体)进入至空间SP，由此能将空间SP内的环境气体保持在低湿度。
当开启有机溶剂阀43后经过预先设定的期间时，控制装置3关闭有机溶剂阀43。由此，结束置换工序(步骤S7)。
接着，进行用以使基板W干燥的旋转干燥(spin-drying)工序(步骤S8)(参照图8)。具体而言，控制装置3在阻隔板21配置于阻隔位置的状态下控制旋转马达M，使基板W加速至比药液工序(步骤S3)至置换工序(步骤S7)的各个工序中的旋转速度还大的干燥旋转速度(例如数千rpm)，并以该干燥旋转速度使基板W旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，附着至基板W的液体被甩离至基板W的周围。
此外，在旋干工序(步骤S8)中，控制装置3开启非活性气体阀49。由此，如图10C所示，从中心轴喷嘴7(第二喷嘴配管32)的第四喷出口34a朝基板W的上表面中央部喷出非活性气体。此时的非活性气体的喷出流量例如为100公升/分。亦即，在空间内不仅供给有至今通过中心轴喷嘴7的外周壁7a与贯通孔24的筒状的内周壁24a之间的间隙的非活性气体，亦供给有从第四喷出口34a喷出的非活性气体。
在旋转干燥工序(步骤S8)中，为了良好地实现基板W的干燥，需要将空间SP内的环境气体保持在低湿度。由于能在旋转干燥工序(步骤S8)中将空间外侧区域SP1保持在正压，因此能抑制或防止外气(包含水分的气体)进入至空间SP，由此能将空间SP内的环境气体保持在低湿度。
当从基板W的加速经过预定期间时，控制装置3控制旋转马达M，由此使旋转卡盘5停止旋转基板W(图8的步骤S9)。之后，控制装置3控制阻隔构件升降单元35，使阻隔板21上升并配置于退避位置。
之后，从腔室4内搬出基板W(图8的步骤S10)。具体而言，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部进入至腔室4的内部。接着，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部保持旋转卡盘5上的基板W。之后，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部从腔室4内退避。由此，从腔室4搬出处理后的基板W，结束一连串的基板处理例。被搬出的基板W从基板搬运机械手CR被传递至分度器机械手IR，并通过分度器机械手IR收容于基板收容器C。
如上所述，依据第一实施方式，伴随着阻隔构件6以及旋转基座18绕着旋转轴线A1旋转，正压生成构件63(亦即第一卡合构件55以及第二卡合构件51)亦绕着旋转轴线A1旋转。由此，在旋转中的各个正压生成构件63的旋转方向Dr的后方形成有正压区域Pa。由此，空间外侧区域SP1变成正压。此外，由于距离D1比距离D2还短，因此能有效地抑制环境气体从空间外侧区域SP1朝空间SP的外部流出。由此，能将空间外侧区域SP1保持在正压。
此外，由于由第一卡合构件55以及第二卡合构件51所构成的正压生成构件63以连接旋转基座18的上表面18a与基板对向面21a的方式设置，因此在正压生成构件63的旋转时与空间SP的内部的环境气体接触的面积大。因此，更能通过正压生成构件63的旋转将正压生成构件63的旋转方向的后方设定成正压。
此外，由于正压生成构件63兼用第一卡合构件55以及第二卡合构件51，因此与个别地设置正压生成构件与第一卡合构件55以及第二卡合构件51的情形相比，能谋求减少构件数量。
＜第二实施方式＞
图11是用以说明本发明第二实施方式的处理单元202的构成例的图解性的剖视图。图12是旋转基座18与阻隔构件206之间的空间SP的外周部的周边的剖视图。
在第二实施方式中，在与所述第一实施方式共通的部分附上与图1至图10的情形相同的附图标记并省略说明。
与第一实施方式的处理单元2的差异点在于，第二实施方式的处理单元202具备有：支撑型的阻隔构件206，取代被旋转卡盘支撑的从动型的阻隔构件6作为阻隔构件，在旋转卡盘的上方被与旋转卡盘不同的其他的支撑单元(支撑臂232)支撑。因此，旋转卡盘亦能使用在旋转基座18上未具有第一卡合构件55的旋转卡盘5。由于除了在旋转基座18上未具有第一卡合构件55的点以外旋转卡盘5与第一实施方式的旋转卡盘5相同，因此附上相同的附图标记。
阻隔构件206包含：阻隔板221；上旋转轴231，以可一体旋转的方式设置于阻隔板221；以及中心轴喷嘴207，在上下方向贯通阻隔板221的中央部。阻隔板221是比基板W的直径还大的圆板状。阻隔板221包含：圆板部261，以水平的姿势被保持；以及圆筒部262，从圆板部261的外周部朝下方延伸。圆板部261与圆筒部262同轴。圆板部261配置于比圆筒部262的下端还上方。
阻隔板221包含朝下方凹陷的罩状的内面。阻隔板221的内面包含：基板对向面221a，在上方与基板W的上表面对向；以及内周面221b，在阻隔构件206位于阻隔位置的状态下与基板W的外周端以及旋转基座18的外周面(外周端)18b对向。圆板部261的下表面相当于基板对向面221a。基板对向面221a是与基板W的上表面平行的平坦面。
圆筒部262的内周面相当于内周面221b。内周面221b包含：环状的内倾斜部，从基板对向面221a朝斜下方往外侧延伸。该内倾斜部具有相对于旋转轴线A1的倾斜角连续性地变化的圆弧状的剖面。该内倾斜部的剖面朝下方开放。内周面221b的内径越接近内周面221b的下端越增加。内周面221b的下端具有比旋转基座18的外径还大的内径。
中心轴喷嘴207沿着通过阻隔板221以及基板W的中心的铅垂的轴线在上下方向延伸，亦即沿着旋转轴线A1在上下方向延伸。中心轴喷嘴207与阻隔板221一起升降。由于中心轴喷嘴207与中心轴喷嘴7为同等的构成，故省略说明。
上旋转轴231以可相对旋转的方式被支撑臂232支撑，支撑臂232在阻隔板221的上方水平地延伸。在阻隔板221以及上旋转轴231结合有包含电动马达等构成的阻隔板旋转单元233。阻隔板旋转单元233使阻隔板221以及上旋转轴231相对于支撑臂232绕着旋转轴线A1旋转。
此外，在支撑臂232结合有包含电动马达、滚珠螺杆等构成的阻隔构件升降单元234。阻隔构件升降单元234使阻隔构件206(阻隔板221以及上旋转轴231)以及中心轴喷嘴207与支撑臂232一起在铅垂方向升降。
阻隔构件升降单元234使阻隔板221在阻隔位置(图11中以虚线所示)与退避位置(图11中以实线所示)之间升降，阻隔位置是基板对向面221a接近被旋转卡盘205保持的基板W的上表面且圆筒部262的下端的高度位于比基板W的高度还下方的位置，退避位置是已大幅地退避至比阻隔位置还上方的位置。阻隔位置是在基板对向面221a与基板W的上表面之间形成属于阻隔空间的空间SP(参照图12)的位置。
阻隔构件升降单元234可在阻隔位置、接近位置(图11中以双点划线所示)以及退避位置保持阻隔板221。空间SP未完全与空间SP的周围的空间隔离。然而，空间SP实质性地与空间SP的周围的空间阻隔。接近位置是比阻隔位置还稍微上方的位置。在阻隔板221配置于接近位置的状态下，阻隔板221的基板对向面221a与基板W之间的空间未与外部的空间阻隔。
在本实施方式中，在旋转基座18的上表面18a立设有多个正压生成构件263。多个正压生成构件263在旋转基座18的上表面18a的外周部中在比基板W的外周形状还大一圈的大径的圆周上隔着适当的间隔(例如等间隔)配置。各个正压生成构件263作成圆筒状。正压生成构件263与旋转轴线A1之间的距离设定成比夹持销19与旋转轴线A1之间的距离还大。亦即，正压生成构件263设置于比夹持销19还远离旋转轴线A1的位置。
图12是显示阻隔构件206配置于阻隔位置的状态。在阻隔构件206配置于阻隔位置的状态下，在旋转基座18与阻隔板221之间形成有属于阻隔空间的空间SP。具体而言，空间SP指被旋转基座18的上表面18a、基板对向面221a以及内周面221b划分的空间。
“距离D11”指阻隔构件206配置于阻隔位置时的旋转基座18的外周面(外周端)18b与阻隔板221的圆筒部262的内周面221b之间的径向Ds的距离。“距离D12”指阻隔构件206配置于阻隔位置时的正压生成构件263的外侧缘与阻隔板221的圆筒部262的内周面221b之间的径向Ds的最长距离。正压生成构件263的外侧缘指正压生成构件263的外周面中的径向Ds的外端部分。在本实施方式中，正压生成构件263的外侧缘指具有更大径的正压生成构件263的径向Ds的外端部分。亦即，在本实施方式中，“正压生成构件263的外侧缘与阻隔板221的圆筒部262的内周面221b之间的径向Ds的最长距离”指正压生成构件263的根部(下端部)中的与内周面221b之间的径向Ds的距离。
距离D11比距离D12还短(还狭窄)。阻隔构件206配置于阻隔位置时，距离D11例如为约2.5mm，距离D12例如为约6mm。
“距离D13”指从旋转基座18的上表面18a至基板W的下表面为止的铅垂方向的距离。距离D13不论阻隔构件206的位置为何皆固定。距离D13例如为约10mm。“距离D14”指从旋转基座18的上表面18a至正压生成构件263的顶端为止的距离。亦即，距离D14是正压生成构件263的高度。距离D14比距离D13还长(还大)。距离D14例如约为15mm。
在阻隔板221配置于阻隔位置的状态下，阻隔板221以及旋转基座18在相同方向且以彼此相同的速度绕着旋转轴线A1旋转。随着阻隔板221以及旋转基座18绕着旋转轴线A1旋转，正压生成构件263亦绕着旋转轴线A1旋转。由此，在旋转中的正压生成构件263的旋转方向Dr的后方形成有正压区域(与图9的正压区域Pa同等)。认为此种现象是因为正压生成构件263高速通过正压生成构件263与阻隔板21的内周面21b之间的狭窄的的空间，导致提高的压力在正压生成构件263的旋转方向Dr的后方开放，从而产生。由此，空间SP的内部中的空间外侧区域SP1变成正压。另一方面，空间内侧区域SP2是因为通过伴随着阻隔板221以及旋转基座18的旋转而产生的离心力的作用被导引至径向Ds外侧，从而变成负压。
此外，如上所述，由于距离D14比距离D13还长，因此正压生成构件263旋转时与空间SP的内部的环境气体接触的面积大。因此，能通过正压生成构件263的旋转产生大的气流，更能将空间外侧区域SP1设定成正压。
再者，如上所述，由于距离D11比距离D12还短，因此能有效地抑制环境气体从空间外侧区域SP1朝空间SP的外部OS流出。由此，能将空间外侧区域SP1保持在正压。
＜第三实施方式＞
图13是本发明第三实施方式的旋转基座18与阻隔构件206之间的空间SP的外周部的周边的剖视图。
在第三实施方式中，在与所述第二实施方式共通的部分附上与图11以及图12的情形相同的附图标记并省略说明。在图13中，显示阻隔构件206配置于阻隔位置的状态。
与第二实施方式的处理单元202的差异点在于第三实施方式的处理单元302并非是将正压生成构件设置于旋转基座18而是将正压生成构件设置于阻隔板221。
在本实施方式中，在旋转基座18的上表面18a立设有多个正压生成构件363。多个正压生成构件363在阻隔板221的基板对向面221a的外周部中在比基板W的外周形状还大一圈的大径的圆周上隔着适当的间隔(例如等间隔)配置。各个正压生成构件363作成圆筒状。正压生成构件363与旋转轴线A1之间的距离设定成比夹持销19与旋转轴线A1之间的距离还大。亦即，正压生成构件363设置于比夹持销19还远离旋转轴线A1的位置。
如图13所示，在阻隔构件206配置于阻隔位置的状态下，在旋转基座18与阻隔板221之间形成有属于阻隔空间的空间SP。具体而言，空间SP指被旋转基座18的上表面18a、基板对向面221a以及内周面221b划分的空间。
“距离D22”指阻隔构件206配置于阻隔位置时的正压生成构件363的外侧缘与阻隔板221的圆筒部262的内周面221b之间的径向Ds的最长距离。正压生成构件363的外侧缘指正压生成构件363的外周面中的径向Ds的外端部分。在本实施方式中，正压生成构件363的外侧缘指具有更大径的正压生成构件363的径向Ds的外端部分。亦即，在本实施方式中，“正压生成构件363的外侧缘与阻隔板221的圆筒部262的内周面221b之间的径向Ds的最长距离”指正压生成构件363的顶端部(下端部)中的与内周面221b之间的径向Ds的距离。
距离D11比距离D22还短(还狭窄)。阻隔构件206配置于阻隔位置时，距离D22例如为约6mm。
“距离D23”指阻隔构件206配置于阻隔位置时从阻隔板221的基板对向面221a至基板W的上表面为止的铅垂方向的距离。距离D23例如为约10mm。“距离D24”指从阻隔板221的基板对向面221a至正压生成构件363的顶端为止的距离。亦即，距离D24是正压生成构件363的高度。距离D24比距离D23还长(还大)。距离D24例如为约15mm。
在阻隔板221配置于阻隔位置的状态下，阻隔板221以及旋转基座18在相同方向且以彼此相同的速度绕着旋转轴线A1旋转。随着阻隔板221以及旋转基座18绕着旋转轴线A1旋转，正压生成构件363亦绕着旋转轴线A1旋转。由此，在旋转中的正压生成构件363的旋转方向Dr的后方形成有正压区域(与图9的正压区域Pa同等)。认为此种现象是因为正压生成构件363高速通过正压生成构件363与阻隔板21的内周面21b之间的狭窄的的空间，导致提高的压力在正压生成构件363的旋转方向Dr的后方开放从而产生。由此，空间SP的内部中的空间外侧区域SP1变成正压。另一方面，空间内侧区域SP2是因为通过伴随着阻隔板221以及旋转基座18的旋转而产生的离心力的作用被导引至径向Ds外侧，从而变成负压。
此外，如上所述，由于距离D24比距离D23还长，因此正压生成构件363旋转时与空间SP的内部的环境气体接触的面积大。因此，能通过正压生成构件363的旋转产生大的气流，更能将空间外侧区域SP1设定成正压。
再者，如上所述，由于距离D11比距离D22还短，因此能有效地抑制环境气体从空间外侧区域SP1朝空间SP的外部OS流出。由此，能将空间外侧区域SP1保持在正压。
以上虽然已说明本发明的三个实施方式，但本发明亦可以其他的形态实施。
例如，亦可组合第二实施方式与第三实施方式。亦即，亦可将正压生成构件设置于旋转基座18以及阻隔板221的双方。
此外，虽然已以在阻隔构件6、206或者旋转基座18分别设置有多个正压生成构件63、263、363的构成作为例子进行说明，但亦可采用在阻隔构件6、206或者旋转基座18仅设置有一个正压生成构件63、263、363的构成。
此外，虽然已说明阻隔构件6、206的内周面21b、221b具有圆弧状的剖面，但阻隔构件6、206的内周面21b、221b亦可具有弯曲状(例如弯曲成直角)的剖面。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已以阻隔构件6、206以及旋转基座18的双方同时旋转的构成作为例子进行说明，但亦可为仅阻隔构件206以及旋转基座18的至少一者旋转的构成。
此外，虽然已以夹持销19作为销的例子进行说明，但销并未限定于夹持销，亦可包含固定销。
此外，在所述实施方式中，虽然已说明基板处理装置为用以处理由半导体晶圆所构成的基板W的装置的情形，但基板处理装置亦可为用以处理液晶显示设备用基板、有机EL显示设备等FPD用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板的装置。
虽然已详细地说明了本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用以明了本发明的技术性内容的具体例，本发明不应被解释成被这些具体例所限定，本发明的范围仅被随附的权利要求书所限定。
本申请与2017年9月20日于日本特许厅所提出的日本特愿2017-180693号对应，且该申请的所有内容被援用并置入于本发明中。
【附图标记的说明】
1：基板处理装置
2：处理单元
5：旋转卡盘(基板保持单元)
6：阻隔构件
18：旋转基座
18a：上表面
18b：外周面(外周端)
19：夹持销(销)
21：阻隔板
21a：基板对向面
21b：内周面
51：第二卡合构件
55：第一卡合构件
63：正压生成构件(连接正压生成构件)
202：处理单元
206：阻隔构件
221：阻隔板
221a：基板对向面
221b：内周面
263：正压生成构件
302：处理单元
363：正压生成构件
A1：旋转轴线
D1：距离(旋转基座的外周端与内周面之间的径向的距离)
D2：距离(正压生成构件的外侧缘与内周面之间的径向的最长距离)
D11：距离(旋转基座的外周端与内周面之间的径向的距离)
D12：距离(正压生成构件的外侧缘与内周面之间的径向的最长距离)
D13：距离(相对于旋转基座的上表面的基板的下表面的距离)
D14：距离(相对于旋转基座的上表面的正压生成构件的顶端的距离)
D22：距离(正压生成构件的外侧缘与内周面之间的径向的最长距离)
D23：距离(相对于阻隔构件的基板对向面的基板的上表面的距离)
D24：距离(相对于阻隔构件的基板对向面的正压生成构件的顶端的距离)
M：旋转马达(旋转单元)
W：基板

Claims (5)

1.一种基板处理装置，包含：
基板保持单元，包含具有上表面的旋转基座以及立设于所述上表面的多个销，用以通过所述多个销保持基板；
阻隔构件，具有：基板对向面，与被所述基板保持单元保持的基板的上表面对向；以及内周面，与被所述基板保持单元保持的基板的外周端以及所述旋转基座的外周端双方对向；
旋转单元，使所述旋转基座以及所述阻隔构件绕着预定的旋转轴线旋转；以及
正压生成构件，在被所述旋转基座的所述上表面、所述基板对向面以及所述内周面划分的空间中，以能伴随所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转而旋转的方式设置于比所述销还远离所述旋转轴线的位置，且随着所述阻隔构件以及所述旋转基座中的至少一者的旋转将所述正压生成构件的旋转方向后方设定成正压区域。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述正压生成构件以所述旋转基座的外周端与所述内周面之间的径向的距离变成比所述正压生成构件的外侧缘与所述内周面之间的径向的最长距离还窄的方式设置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述正压生成构件包含：连接正压生成构件，以连接至所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面的方式设置。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述连接正压生成构件包含：第一卡合构件以及第二卡合构件，分别设置于所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面，用以彼此卡合；
所述阻隔构件经由彼此卡合的第一卡合构件以及第二卡合构件而被所述旋转基座支撑。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述正压生成构件设置于所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的一者；
所述正压生成构件的顶端与所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的所述一者之间的距离，以比被所述基板保持单元保持的基板与所述旋转基座的所述上表面以及所述基板对向面中的所述一者之间的距离还大的方式设置。
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