JP2010238758A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の中央部近傍に配置され、環状の上側気体吐出口43と、上側気体吐出口43よりもスピンチャック側に配置された環状の下側気体吐出口66とを有し、当該基板の上面に沿って上側気体吐出口43および下側気体吐出口66からそれぞれ気体を放射状に吐出する気体吐出ノズル11と、気体吐出ノズル11に気体を供給する第1および第2気体供給管23、25とを含む。
【選択図】図3
Description
この発明は、かかる背景のもとでなされたものであり、基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明によれば、第3気体吐出口から気体を吐出させることにより、基板の一方の主面と対向面との間に気体を供給することができる。また、基板の一方の主面と対向面との間に供給された気体は、外方に向かって流れて、基板の一方の主面と対向面との間から放射状に吐出される。したがって、第3気体吐出口から気体を吐出させることにより、第3気体吐出口を中心として放射状に広がる気流を形成して、この気流によって基板の一方の主面を覆うことができる。また、3つの気体吐出口(第1、第2、および第3気体吐出口)から気体を吐出させることにより、層状に重なり合う3つの気流を形成して、この3つの気流によって基板の一方の主面を覆うことができる。これにより、基板の一方の主面を一層確実に保護して、基板の清浄度を一層向上させることができる。
この発明によれば、第2気体吐出口から吐出される気体の流速と、第3気体吐出口から吐出される気体の流速とを一致させることにより、基板の中央部近傍から基板の一方の主面に沿って放射状に広がる気流が基板の周縁部に到達するまで、3つの気流が層状に重なり合った状態を維持することができ、基板の一方の主面の全域を確実に3つの気流によって覆うことができる。したがって、パーティクルなどの異物、処理液の飛沫やミストが基板の周縁部に付着することを防止することができる。
また、請求項5記載の発明のように、前記基板保持手段は、基板を水平に保持するものであり、前記気体吐出ノズルは、前記第1および第2気体吐出口から水平に気体が吐出されるように設計されていてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
この基板処理装置1は、半導体ウエハ等の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、インデクサブロック2と、インデクサブロック2に結合された処理ブロック3とを備えている。
各処理ユニット6は、図示しない隔壁で区画された処理室7内に、1枚の基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック8(基板保持手段)と、スピンチャック8に保持された基板Wの上面に処理液を供給するための薬液ノズル9およびリンス液ノズル10と、基板W上で気体を吐出する気体吐出ノズル11とを備えている。図示はしないが、処理ユニット6には、基板処理装置1が設置されるクリーンルーム内の清浄空気をさらに清浄化して処理室7内に取り込むためのFFU(ファン・フィルタ・ユニット)が取り付けられている。処理室7内には、このFFUから供給される清浄空気による下降気流(ダウンフロー)が形成されている。
薬液ノズル9は、吐出口が下方に向けられた状態で、スピンチャック8よりも上方に配置されている。薬液ノズル9には、薬液バルブ17が介装された薬液供給管18を介して図示しない薬液供給源からの薬液が供給される。薬液供給源から薬液ノズル9に供給された薬液は、スピンチャック8に保持された基板Wの上面中央部に向けて吐出される。薬液ノズル9に供給される薬液としては、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液を例示することができる。
気体吐出ノズル11は、気体吐出ノズル11の外側を構成する外構成部材31と、気体吐出ノズル11の内側を構成する内構成部材32とを備えている。外構成部材31は筒状であり、内構成部材32は、外構成部材31の内周に嵌合されている。外構成部材31は、支持アーム21によって支持されており、内構成部材32は、外構成部材31を介して支持アーム21によって支持されている。
また、連結部64の外周面と外構成部材31の内周面との間には、円筒状の空間が形成されている。この円筒状の空間は、筒状部材45と外構成部材31との間の筒状の空間に連通している。また、連結部64と外構成部材31との間の空間は、上プレート34と中間プレート35との間の環状の空間、および中間プレート35と下プレート63との間の環状の空間に連通している。これらの空間は、気体が流通する気体流通路67を形成している。すなわち、第1気体供給管23から気体吐出ノズル11に供給された気体は、これらの空間を通って上側気体吐出口43および下側気体吐出口66から吐出される。
気体吐出ノズル11を基板Wの上面中央部に近接させた状態で、中心気体吐出口65から気体を吐出させると、吐出された気体は、気体吐出ノズル11の下面11aと基板Wの上面との間を外方に向かって流れる。したがって、中心気体吐出口65から吐出された気体は、気体吐出ノズル11の外周面と基板Wの上面との間の環状の隙間から水平方向に向けて放射状に吐出される。また、この環状の隙間から吐出された気体は、コアンダ効果によって基板Wの方に吸い寄せられて、基板Wの上面に沿って流れていく。したがって、気体吐出ノズル11を基板Wの上面中央部に近接させた状態で、中心気体吐出口65から気体を吐出させると、基板Wの上面中央部を中心にして放射状に広がる気流が形成され、この気流によって基板Wの上面全域が覆われる。
未処理の基板Wは、図示しない搬送ロボットによって処理室7に搬入され、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けてスピンチャック8に渡される。また、基板Wが処理室7に搬入されるとき、気体吐出ノズル11などの処理室7内の構成は、搬送ロボットや基板Wに衝突しないように、スピンチャック8の上方から退避させられている。
[上側気体吐出口43の有無によるパーティクル数の比較]
最初に図7を参照して、気体吐出ノズル11を用いて処理された基板Wのパーティクル数(実施例)と、気体吐出ノズル11において上側気体吐出口43が設けられていない構成の気体吐出ノズルを用いて処理された基板Wのパーティクル数(比較例)とを比較する。
[吐出角度の変化によるパーティクル数の比較]
次に図8を参照して、下側気体吐出口66から窒素ガスを水平に吐出させたときのパーティクル数と、下側気体吐出口66から窒素ガスを斜め上方または下方に向けて吐出させたときのパーティクル数とを比較する。
8 スピンチャック
11 気体吐出ノズル
11a 気体吐出ノズルの下面
23 第1気体供給管
25 第2気体供給管
43 上側気体吐出口
65 中心気体吐出口
66 下側気体吐出口
W 基板
Claims (5)
- 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の中央部近傍に配置され、環状の第1気体吐出口と、前記第1気体吐出口よりも前記基板保持手段側に配置された環状の第2気体吐出口とを有し、当該基板の一方の主面に沿って前記第1および第2気体吐出口からそれぞれ気体を放射状に吐出する気体吐出ノズルと、
前記気体吐出ノズルに気体を供給する気体供給手段とを含む、基板処理装置。 - 前記気体吐出ノズルは、前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向し、前記第1および第2気体吐出口よりも前記基板保持手段側に配置された対向面と、前記対向面に設けられた第3気体吐出口とをさらに含むものである、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記気体吐出ノズルおよび気体供給手段は、前記第2気体吐出口から吐出される気体の流速と、前記第3気体吐出口から吐出される気体の流速とがほぼ一致するように設計されているものである、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記気体吐出ノズルは、前記第1気体吐出口から吐出される気体の流速が、前記第2気体吐出口から吐出される気体の流速よりも遅くなるように設計されているものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、基板を水平に保持するものであり、
前記気体吐出ノズルは、前記第1および第2気体吐出口から水平に気体が吐出されるように設計されているものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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