CN109599322B - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂用于对所述基板的上表面进行疏水化；低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为表面张力低于水的所述低表面张力液体；以及湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在由单张式基板处理装置进行的基板处理中，逐张地处理基板。具体而言，旋转卡盘将基板保持为大致水平。然后，在基板的上表面经药液处理后，利用冲洗液冲洗基板的上表面。然后，进行使基板高速旋转的旋转干燥工序来干燥基板的上表面。
如图14所示，在基板的表面上形成有细微图案的情况下，在旋转干燥工序中，有可能不能除去进入了图案内部的冲洗液。因此，可能发生干燥不良。进入了图案内部的冲洗液的液面(空气与液体的界面)在图案内形成。因此，液体的表面张力作用于液面与图案的接触位置。在该表面张力大的情况下，容易引起图案倒塌。作为典型的冲洗液的水，表面张力大，因此不能忽视旋转干燥工序中的图案倒塌。
因此，提出了一种利用表面张力低于水的低表面张力液体的异丙醇(IsopropylAlcohol：IPA)的方法(例如，参照日本特开2016-21597号公报)。具体而言，通过向基板的上表面供给IPA，将进入了图案内部的水置换为IPA，然后通过除去IPA来干燥基板的上表面。然而，即使在将进入了图案内部的水置换为IPA的情况下，在表面张力作用的时间长的情况下或者在图案的强度低的情况下也可能引起图案倒塌。
因此，日本特开2012-222329号公报中公开了一种通过甲硅烷基化剂(疏水剂)将基板的上表面进行疏水化，降低图案受到的表面张力，防止图案倒塌的基板处理。具体而言，向基板的上表面供给甲硅烷基化剂，被供给至基板的上表面的甲硅烷基化剂随着基板的旋转而在基板的上表面上从中央扩散流动到周缘。由此，对基板的整个上表面进行疏水化。然后，用IPA冲洗在基板的上表面残留的甲硅烷基化剂，然后干燥基板。
当与基板上的甲硅烷基化剂接触的环境气体的湿度高时，在与基板的上表面反应前发生甲硅烷基化剂的聚合反应，甲硅烷基化剂被聚合物化。由此，有可能不能对基板的上表面充分进行疏水化。此外，该聚合物有可能沉淀并产生颗粒。
反之，当与基板上的甲硅烷基化剂接触的环境气体的湿度低时，由于几乎不发生甲硅烷基化剂的聚合，因此即使是在对基板的上表面充分进行疏水化后，也有可能在基板上残留大量未反应的甲硅烷基化剂。该未反应的甲硅烷基化剂有可能附着在基板的上表面上并产生颗粒。
另一方面，当与基板上的低表面张力液体接触的环境气体的湿度高时，溶于基板上的低表面张力液体的液膜中的水的量增大，表面张力有可能增大。
在日本特开2012-222329号公报所记载的基板处理中，不控制与基板上的甲硅烷基化剂接触的环境气体的湿度。因此，有可能因湿度高而引起对基板的上表面进行的疏水化不充分，或者因湿度低而引起颗粒的产生。因此，不能良好地干燥基板的上表面。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够良好地干燥基板的上表面的基板处理方法及基板处理装置。
本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂用于对所述基板的上表面进行疏水化；低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为所述低表面张力液体，所述低表面张力液体的表面张力低于水；湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度。
根据该方法，在疏水剂供给工序中的与基板上的液膜接触的环境气体的湿度，高于在低表面张力液体供给工序中的与基板上的液膜接触的环境气体的湿度。
因此，在疏水剂供给工序中，能够将与基板上的液膜接触的环境气体的湿度提高至不会过度进行疏水剂的聚合的程度。因此，能够抑制疏水剂的聚合物化使疏水剂适度地聚合。结果，能够对基板的上表面充分进行疏水化，并且抑制颗粒的产生。
此外，在低表面张力液体供给工序中，能够充分降低与基板上的液膜接触的环境气体的湿度。由此，能够降低基板上的低表面张力液体的液膜中含有的水的量。因此，能够降低基板上的低表面张力液体对基板的上表面施加的表面张力。
需要说明的是，与基板上的液膜接触的环境气体的湿度，若在执行疏水剂供给工序的期间的至少一部分维持在第一湿度，则可以不在疏水剂供给工序的整个期间内维持在第一湿度。同样地，与基板上的液膜接触的环境气体的湿度，若在执行低表面张力液体供给工序的期间的至少一部分维持在第二湿度，则可以不在低表面张力液体供给工序的整个期间内维持在第二湿度。后述的第三湿度也是同样。
在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法还包括：有机溶剂供给工序，在所述疏水剂供给工序前，向所述基板的上表面供给混合有水与所述疏水剂的有机溶剂。此外，所述湿度调节工序包括：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第三湿度的工序，所述第三湿度低于所述第一湿度。
若基板上的有机溶剂中含有水，则在疏水剂供给工序中将基板上的有机溶剂置换为疏水剂时，疏水剂与有机溶剂中的水发生反应。因此，有可能过度进行疏水剂的聚合反应，不能对基板的上表面充分进行疏水化。因此，通过在有机溶剂供给工序中使与基板上的液膜接触的环境气体的湿度低于第一湿度的结构，能够抑制疏水剂的聚合化。由此，能够更充分地对基板的上表面进行疏水化，并且进一步抑制颗粒的产生。
在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法还包括：气体供给工序，向具有与所述基板的上表面相向的相向面的相向构件的相向面与所述基板的上表面之间的空间供给气体。然后，所述湿度调节工序包括：在执行所述气体供给工序时调节所述空间内的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的所述空间的湿度成为所述第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的所述空间的湿度成为所述第二湿度的工序。
根据该方法，通过向相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间供给气体，从而调节相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。通过调节相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间的湿度，从而能够容易地调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度。
在本发明的一个实施方式中，所述湿度调节工序包括：通过将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从第一距离变更为第二距离，将与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序，所述第一距离是所述疏水剂供给工序中的所述相向面与所述基板的上表面之间的距离，所述所述第二距离小于所述第一距离。
在疏水剂供给工序中向基板的上表面供给的疏水剂有可能从基板的上表面溅起而附着在相向面上。若附着在相向面上的疏水剂在疏水剂供给工序后的低表面张力液体供给工序中落到基板的上表面，则会导致颗粒的产生。
因此，根据将相向面与基板的上表面之间的距离从第一距离变更为小于第一距离的第二距离，由此来调节相向面与基板的上表面之间的空间内的湿度的方法，在疏水剂供给工序中，在使相向构件更远离基板的上表面的状态下，向基板的上表面供给疏水剂。因此，由于能够抑制疏水剂附着在相向面上，因此能够抑制颗粒的产生。
在本发明的一个实施方式中，将与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序包括：在所述低表面张力液体供给工序的执行中，将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从所述第一距离变更为所述第二距离的工序。
因此，至少从基板的上表面的疏水剂开始被低表面张力液体置换起，相向面与基板的上表面之间的距离变更为第二距离。因此，能够进一步抑制疏水剂附着在相向面上。
在本发明的一个实施方式中，所述湿度调节工序包括：通过调节所述气体的供给流量来调节所述空间内的湿度的工序。因此，通过变更相向面与基板的上表面之间的距离以及调节气体的供给流量，能够高精度地调节相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。因此，能够高精度地调节相向面与基板的上表面之间的空间内的湿度。
在本发明的一个实施方式中，所述湿度调节工序包括：通过一边将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离保持为恒定一边调节所述气体的供给流量，来调节所述空间内的湿度的工序。因此，在疏水剂供给工序、低表面张力液体供给工序中，即使在不能使相向构件上下移动的结构中，也能高精度地调节相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。
在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法还包括排气工序，在所述排气工序中，排出所述基板的上表面周围的环境气体。然后，所述湿度调节工序包括：通过调节所述排气工序中排出的环境气体的流量，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度的工序。
在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法还包括：基板旋转工序，使所述基板绕着贯通所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转；以及基板干燥工序，通过使所述基板旋转来排除所述基板上的所述低表面张力液体，以干燥所述基板。因此，能够快速地除去基板上的低表面张力液体。因此，能够减少低表面张力液体对基板的上表面施加表面张力的时间。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，所述基板处理装置具有：基板保持单元，将基板保持为水平；疏水剂供给单元，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂用于对所述基板的上表面进行疏水化；低表面张力液体供给单元，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，所述低表面张力液体的表面张力低于水；湿度调节单元，调节所述基板的上表面附近的环境气体的湿度；以及控制器，控制所述疏水剂供给单元、所述低表面张力液体和所述湿度调节单元。此外，所述控制器被编程为执行：疏水剂供给工序，从所述疏水剂供给单元向所述基板的上表面供给所述疏水剂；低表面张力液体供给工序，从所述低表面张力液体供给单元向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为所述低表面张力液体；以及湿度调节工序，由所述湿度调节单元调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度。
根据该结构，在疏水剂供给工序中的与基板上的液膜接触的环境气体的湿度，高于在低表面张力液体供给工序中的与基板上的液膜接触的环境气体的湿度。
因此，在疏水剂供给工序中，能够将与基板上的液膜接触的环境气体的湿度提高至不过度进行疏水剂的聚合的程度。因此，能够抑制疏水剂的聚合物化而使疏水剂适度地聚合。结果，能够对基板的上表面充分进行疏水化，并且抑制颗粒的产生。
此外，在低表面张力液体供给工序中，能够充分降低与基板上的液膜接触的环境气体的湿度。由此，能够降低基板上的低表面张力液体的液膜中含有的水的量。因此，能够降低基板上的低表面张力液体对基板的上表面施加的表面张力。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还具有有机溶剂供给单元，所述有机溶剂供给单元向所述基板的上表面供给有机溶剂，所述有机溶剂中混合有水与所述疏水剂。所述控制器在所述疏水剂供给工序前执行有机溶剂供给工序，在所述有机溶剂供给工序中，从所述有机溶剂供给单元向所述基板的上表面供给所述有机溶剂，所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的所述基板的上表面的周围的环境气体的湿度成为低于所述第一湿度的第三湿度。
若基板上的有机溶剂中含有水，则在疏水剂供给工序中将基板上的有机溶剂置换为疏水剂时，疏水剂与有机溶剂中的水发生反应。因此，有可能过度进行疏水剂的聚合反应，导致不能对基板的上表面充分进行疏水化。因此，根据在有机溶剂供给工序中与基板上的液膜接触的环境气体的湿度低于第一湿度的结构，能够抑制疏水剂的聚合化。结果，能够更充分地对基板的上表面进行疏水化，并且进一步抑制颗粒的产生。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还具有：相向构件，具有与所述基板的上表面相向的相向面；以及气体供给单元，向所述相向面与所述基板的上表面之间的空间供给气体。所述控制器被编程为执行气体供给工序，所述气体供给工序中，从所述气体供给单元向所述空间供给气体。所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：在执行所述气体供给工序时，调节所述空间内的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的所述空间的湿度成为所述第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的所述空间的湿度成为所述第二湿度。
根据该结构，通过向相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间供给气体，调节相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。通过调节相向构件的相向面与基板的上表面之间的空间的湿度，能够容易地调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还具有：相向构件升降单元，使所述相向构件升降。此外，所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过所述相向构件升降单元使所述相向构件升降，将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从第一距离变更为第二距离，从而将与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序，所述第一距离是所述疏水剂供给工序中的所述相向面与所述基板的上表面之间的距离，所述第二距离小于所述第一距离。
在疏水剂供给工序中供给至基板的上表面的疏水剂有可能从基板的上表面溅起而附着在相向面上。若附着在相向面上的疏水剂在疏水剂供给工序后的低表面张力液体供给工序中落到基板的上表面，则可能导致颗粒的产生。
因此，根据通过将相向面与基板的上表面之间的距离从第一距离变更为小于第一距离的第二距离来调节空间内的湿度的方法，在疏水剂供给工序中，在使相向构件较远离基板的上表面的状态下，向基板的上表面供给疏水剂。因此，由于能够抑制疏水剂附着在相向面上，因此能够抑制颗粒的产生。
在本发明的其他实施方式中，所述控制器被编程为在将与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序中执行：通过在执行所述低表面张力液体供给工序时所述相向构件升降单元使所述相向构件升降，将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从所述第一距离变更为所述第二距离的工序。
因此，至少从通过低表面张力液体开始置换基板的上表面的疏水剂开始起，相向面与基板的上表面之间的距离被变更为第二距离。因此，能够进一步抑制疏水剂附着在相向面上。
在本发明的其他实施方式中，所述气体供给单元可以调节向所述空间供给的所述气体的流量，所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过调节来自所述气体供给单元的所述气体的供给流量来调节所述空间内的湿度的工序。因此，通过变更相向面与基板的上表面之间的距离以及调节气体的供给流量，能够高精度地调节相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。因此，能够高精度地调节与基板上的液膜接触的环境气体的湿度。
在本发明的其他实施方式中，所述气体供给单元可以调节向所述空间供给的所述气体的流量。所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过一边将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离保持为恒定一边调节来自所述气体供给单元的所述气体的供给流量，来调节所述空间内的湿度。因此，在疏水剂供给工序或低表面张力液体供给工序中，即使在不能使相向构件上下移动的结构中，也能高精度地调节相向面与基板的上表面之间的空间的湿度。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还具有排气单元，所述排气单元排出所述基板的上方的环境气体，并且可以调节排气流量。所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过由所述排气单元调节所述排气流量，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度的工序。
本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还具有基板旋转单元，所述基板旋转单元使所述基板绕着贯通所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转。所述控制器被编程为执行基板干燥工序，在所述基板干燥工序中，通过所述基板旋转单元使所述基板旋转来排除所述基板上的所述低表面张力液体，以干燥所述基板。因此，能够快速地除去基板上的低表面张力液体。因此，能够减少低表面张力液体对基板的上表面施加表面张力的时间。
根据以下参考附图对实施方式的说明，本发明的上述或其他目的、特征及优点将变得显而易见。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置具有的处理单元的结构例的示意性剖视图。
图3是所述处理单元具有的旋转卡盘及其周边构件的俯视图。
图4是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图5是用于说明由所述基板处理装置进行的基板处理的一例的流程图。
图6A～图6K是用于说明所述基板处理的一例的示意性剖视图。
图7是用于说明所述基板处理的一例的时序图。
图8A是用于说明疏水剂与水的反应的图。
图8B是用于说明疏水剂的聚合反应的图。
图8C是用于说明疏水剂与基板表面的反应的图。
图9是用于说明第二实施方式的基板处理装置具有的处理单元的结构例的示意性剖视图。
图10A～图10D是用于说明由第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意性剖视图。
图11是用于说明由第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的时序图。
图12是用于说明第三实施方式的基板处理装置具有的处理单元的结构例的示意性剖视图。
图13是用于说明由第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的时序图。
图14是用于说明由表面张力引起的图案倒塌的原理的示意性剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部结构的示意性俯视图。
基板处理装置1是逐张处理硅晶片等的基板W的单张式装置。本实施方式中，基板W是圆板状基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，通过处理液处理基板W；装载台LP，载置托架C，该托架C收纳在处理单元2中处理的多张基板W；搬送机器人IR及CR，在装载台LP与处理单元2之间搬送基板W；控制器3，控制基板处理装置1。处理液包括后述的药液、冲洗液、有机溶剂、疏水剂等。搬送机器人IR在托架C与搬送机器人CR之间搬送基板W。搬送机器人CR在搬送机器人IR与处理单元2之间搬送基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的示意图。处理单元2包括箱型的腔室4、旋转卡盘5、相向构件6、筒状的处理杯7和排气单元8。腔室4具有内部空间。旋转卡盘5在腔室4内将基板W保持为水平并使该基板W绕着铅垂的旋转轴线A1旋转。旋转轴线A1贯通基板W的中央部。相向构件6与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相向。处理杯7接住从基板W向外侧飞散的处理液。排气单元8排出腔室4内的环境气体。
腔室4包括设置有允许基板W通过的搬入搬出口24b的箱型的隔离壁24、以及开闭搬入搬出口24b的闸门25。从设置在隔离壁24上部的送风口24a向腔室4内始终供给洁净空气，该洁净空气是由过滤器过滤后的空气。
排气单元8包括连接到处理杯7底部的排气管道9、以及开闭排气管道9的排气阀10。通过调节排气阀10的开度，能够调节流经排气管道9的气体的流量(排气流量)。排气管道9例如连接到用于吸引腔室4内部的排气装置95。排气装置95可以是基板处理装置1的一部分，也可以与基板处理装置1分开设置。在排气装置95是基板处理装置1的一部分的情况下，排气装置95例如是真空泵等。腔室4内的气体通过排气管道9从腔室4内排出。由此，在腔室4内始终形成洁净空气的下降流。
旋转卡盘5将一张基板W保持为水平姿势并且使该基板W绕着贯通基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5被包括在用于水平地保持基板W的基板保持单元中。基板保持单元也称为基板保持器。旋转卡盘5包括卡盘销20、旋转基座21、旋转轴22和旋转电机23。
旋转基座21具有沿着水平方向的圆板形状。在旋转基座21的上表面，多个卡盘销20在周向上隔开间隔地配置。旋转卡盘5不限于使多个卡盘销20与基板W的外周面接触的夹持式卡盘。例如，旋转卡盘5也可以是真空式卡盘，通过使作为非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附在旋转基座21的上表面来水平地保持基板W。
旋转轴22沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。旋转轴22的上端部与旋转基座21的下表面中央结合。在俯视时的旋转基座21的中央区域形成有上下贯通旋转基座21的贯通孔21a。贯通孔21a与旋转轴22的内部空间22a连通。
旋转电机23对旋转轴22施加旋转力。通过旋转电机23使旋转轴22旋转，由此使旋转基座21旋转。由此，基板W绕着旋转轴线A1旋转。以下，将以旋转轴线A1为中心的径向的内侧简称为“径向内侧”，将以旋转轴线A1为中心的径向的外侧简称为“径向外侧”。旋转电机23包括在使基板W绕着旋转轴线A1旋转的基板旋转单元中。
相向构件6形成为圆板状，具有与基板W大致相同的直径或基板W的直径以上的直径，并且在旋转卡盘5上方大致水平地配置。相向构件6也称为隔断构件。相向构件6具有与基板W的上表面相向的相向面6a。相向构件6中，在与相向面6a相反侧的面上固定有中空轴26。相向构件6中，在包括俯视时与旋转轴线A1重叠的位置的部分形成有连通孔，该连通孔上下贯通相向构件6，并与中空轴26的内部空间连通。
处理单元2还包括用于驱动相向构件6升降的相向构件升降单元27。相向构件升降单元27可以使相向构件6位于从下位置(后述的图6K所示的位置)至上位置(后述的图6A所示的位置)间的任意位置(高度)。下位置是指，在相向构件6的可动范围内相向构件6的相向面6a最接近基板W的位置。上位置是指，在相向构件6的可动范围内相向构件6的相向面6a最远离基板W的位置。相向构件升降单元27例如包括滚珠螺杆机构(未图示)和对其提供驱动力的电动机(未图示)。
处理杯7包括：多个挡板11，接住从旋转卡盘5所保持的基板W向外侧飞散的液体；多个杯12，接住由多个挡板11向下方引导的液体；圆筒状的外壁构件13，包围多个挡板11与多个杯12。图2示出了设置有三个挡板11(外侧挡板11A、中央挡板11B和内侧挡板11C)和两个杯12(第一杯12A和第二杯12B)的例子。
在分别提及外侧挡板11A、中央挡板11B和内侧挡板11C的情况下，以下有时也简称为挡板11。同样地，在分别提及第一杯12A和第二杯12B的情况下，有时也简称为杯12。
各挡板11在俯视时包围基板W，并接住从基板W飞散的液体。各挡板11包括包围旋转卡盘5的圆筒状的筒状部14、以及从筒状部14的上端向旋转轴线A1(相向构件6)倾斜向上延伸的圆环状的延伸设置部15。内侧挡板11C的筒状部14、中央挡板11B的筒状部14和外侧挡板11A的筒状部14按照该顺序从径向内侧开始同心圆状地配置。内侧挡板11C的延伸设置部15、中央挡板11B的延伸设置部15和外侧挡板11A的延伸设置部15按照该顺序从下部开始在上下方向重叠。内侧挡板11C的延伸设置部15的上端相当于内侧挡板11C的上端11a。中央挡板11B的延伸设置部15的上端相当于中央挡板11B的上端11a。外侧挡板11A的延伸设置部15的上端相当于外侧挡板11A的上端11a。各挡板11的上端11a在俯视时包围旋转基座21与相向构件6。
多个杯12从外侧按照第一杯12A、第二杯12B的顺序同心圆状地配置。第一杯12A包围旋转卡盘5。第二杯12B在比第一杯12A更靠内侧地包围旋转卡盘5。第二杯12B配置在比外壁构件13的上端更靠下方的位置。第二杯12B固定于腔室4的隔离壁24。第一杯12A与中央挡板11B是一体的，与中央挡板11B共同在上下方向移动。中央挡板11B也可以相对于第一杯12A移动。
挡板11可以在上位置与下位置之间沿上下方向移动。当挡板11位于上位置时，挡板11的上端11a位于比旋转卡盘5所保持的基板W的上表面更靠上方的位置。当挡板11位于下位置时，挡板11的上端11a位于比旋转卡盘5所保持的基板W的上表面更靠下方的位置。
处理单元2还包括用于驱动多个挡板11升降的挡板升降单元17。图3是旋转卡盘5及其周边构件的俯视图。参照图3，挡板升降单元17包括一对外侧挡板升降单元17A、一对中央挡板升降单元17B和一对内侧挡板升降单元17C。具体而言，以外侧挡板升降单元17A、中央挡板升降单元17B和内侧挡板升降单元17C为一组的组被配置为在俯视时以基板W的旋转轴线A1为中心成点对称地配置为一对。因此，能够分别稳定地升降多个挡板11。
各外侧挡板升降单元17A包括用于产生动力的电动机(未图示)、以及将电动机(未图示)的旋转变换为外侧挡板11A在上下方向的移动的滚珠丝杠机构。各中央挡板升降单元17B包括用于产生动力的电动机(未图示)、以及将电动机(未图示)的旋转变换为中央挡板11B在上下方向的移动的滚珠丝杠机构。各内侧挡板升降单元17C包括用于产生动力的电动机(未图示)、以及将电动机(未图示)的旋转变换为内侧挡板11C在上下方向的移动的滚珠丝杠机构。
挡板升降单元17是通过使多个挡板11中的至少一个上下移动，来切换多个挡板11的状态的挡板切换单元的一例。挡板升降单元17使各挡板11位于上位置至下位置间的任意位置。由此，能够切换多个挡板11的状态(配置)。挡板升降单元17例如将多个挡板11设定为三个状态(第一状态、第二状态和第三状态)中的任一种。
“第一状态”(后述的图6F所示的状态)是当外侧挡板11A接住从基板W飞散的液体时的多个挡板11的状态。当多个挡板11的状态为第一状态时，外侧挡板11A配置在上位置，内侧挡板11C与中央挡板11B配置在下位置。
“第二状态”(后述的图6E所示的状态)是内侧挡板11C接住从基板W飞散的液体时的多个挡板的状态。当多个挡板11的状态为第二状态时，外侧挡板11A、中央挡板11B和内侧挡板11C配置在上位置。
“第三状态”(后述的图6A所示的状态)是中央挡板11B接住从基板W飞散的液体时的多个挡板的状态。当多个挡板11的状态为第三状态时，外侧挡板11A与中央挡板11B配置在上位置，内侧挡板11C配置在下位置。
参照图2和图3，处理单元2包括朝向基板W的上表面向下喷出药液的第一药液喷嘴31与第二药液喷嘴32、以及朝向基板W的上表面向下喷出冲洗液的第一冲洗液喷嘴33。
第一药液喷嘴31连接到用于引导药液的第一药液配管41。第二药液喷嘴32连接到用于引导药液的第二药液配管42。第一冲洗液喷嘴33连接到用于引导冲洗液的第一冲洗液配管43。冲洗液是用于冲洗药液的液体。当安装在第一药液配管41上的第一药液阀51打开时，从第一药液喷嘴31的喷出口向下方连续喷出药液。第一药液喷嘴31是向基板W的上表面供给药液的药液供给单元的一例。当安装在第二药液配管42上的第二药液阀52打开时，从第二药液喷嘴32的喷出口向下方连续喷出药液。第二药液喷嘴32也是药液供给单元的一例。当安装在第一冲洗液配管43上的第一冲洗液阀53打开时，从第一冲洗液喷嘴33的喷出口向下方连续喷出冲洗液。第一冲洗液喷嘴33是向基板W的上表面供给冲洗液的冲洗液供给单元的一例。
从第一药液喷嘴31喷出的药液例如是DHF(稀氢氟酸)。DHF是用水稀释氢氟酸(氟化氢酸)的溶液。从第二药液喷嘴32喷出的药液例如是SC1(氨水双氧水的混合溶液)。
从第一药液喷嘴31喷出的药液以及从第二药液喷嘴32喷出的药液可以是含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF)、DHF、氨水、双氧水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一种的液体。作为混合有这些药液的例子，除了SC1以外，可以举出SPM(硫酸双氧水的混合溶液)、SC2(盐酸双氧水的混合溶液)等。
从第一冲洗液喷嘴33喷出的冲洗液例如是碳酸水。冲洗液可以是纯水(去离子水：Deionized Water)、电解离子水、氢水(水素水)、臭氧水、氨水以及稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。冲洗液是水或水溶液。
第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33是可以在腔室4内移动的扫描喷嘴。处理单元2包括喷嘴臂16和喷嘴移动单元18。喷嘴臂16保持第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33。喷嘴移动单元18通过使喷嘴臂16移动，可以使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33至少在水平方向上移动。
喷嘴移动单元18使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33在处理位置(后述的图6A所示的位置)与退避位置(图3所示的位置)之间水平地移动。当第一药液喷嘴31位于处理位置时，从第一药液喷嘴31喷出的药液着落在基板W的上表面。当第二药液喷嘴32位于处理位置时，从第二药液喷嘴32喷出的药液着落在基板W的上表面。当第一冲洗液喷嘴33位于处理位置时，从第一冲洗液喷嘴33喷出的冲洗液着落在基板W的上表面。当第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33位于退避位置时，俯视时上述喷嘴位于旋转卡盘5的周围。
喷嘴移动单元18例如是使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33绕着喷嘴转动轴线A2水平地移动的回转单元。喷嘴转动轴线A2在旋转卡盘5与处理杯7的周围铅垂地延伸。
处理单元2包括朝向基板W的下表面中央部向上方喷出处理液的下表面喷嘴34。下表面喷嘴34插入在旋转基座21的上表面中央部开口的贯通孔21a。下表面喷嘴34的喷出口34a从旋转基座21的上表面露出。下表面喷嘴34的喷出口从下方与基板W的下表面中央部相向。下表面喷嘴34连接到安装有加热流体阀54的加热流体配管44。
当加热流体阀54打开时，从加热流体配管44向下表面喷嘴34供给温水等加热流体，并从下表面喷嘴34的喷出口34a向上方连续喷出该加热流体。下表面喷嘴34是向基板W的下表面供给加热流体的加热流体供给单元的一例。温水是温度高于室温的水，例如是80℃～85℃的水。下表面喷嘴34固定于腔室4的隔离壁24。即使旋转卡盘5使基板W旋转，下表面喷嘴34也不旋转。
从下表面喷嘴34喷出的加热流体不限于温水。从下表面喷嘴34喷出的加热流体是能够加热基板W的流体即可。从下表面喷嘴34喷出的加热流体例如可以是高温氮气。从下表面喷嘴34喷出的加热流体也可以是水蒸气。若加热流体是水蒸气，则能够通过温度高于温水的高温流体来加热基板W。
处理单元2包括中心喷嘴60，该中心喷嘴60经由在相向构件6的相向面6a的中央部开口的中央开口6b向下方喷出处理液。中心喷嘴60配置在沿着上下方向贯通相向构件6的中央部的贯通孔内。中心喷嘴60的喷出口60a从中央开口6b露出，并与旋转卡盘5所保持的基板W的上表面的中央相向。中心喷嘴60与相向构件6共同在铅垂方向上升降。
中心喷嘴60包括向下方喷出处理液的多个内管(第一管35、第二管36和第三管37)、以及包围多个内管的筒状的壳体61。第一管35、第二管36、第三管37和壳体61沿着旋转轴线A1在上下方向上延伸。相向构件6的内周面在径向(与旋转轴线A1正交的方向)上隔开间隔地包围壳体61的外周面。中心喷嘴60的喷出口60a也是第一管35、第二管36和第三管37的喷出口。
第一管35朝向基板W的上表面向下方喷出冲洗液。第一管35连接到安装有第二冲洗液阀55的第二冲洗液配管45。当第二冲洗液阀55打开时，从第二冲洗液配管45向第一管35供给冲洗液，并从第一管35的喷出口(中心喷嘴60的喷出口60a)向下方连续喷出该冲洗液。第一管35是向基板W的上表面供给冲洗液的冲洗液供给单元的一例。从第一管35喷出的冲洗液例如是碳酸水。从第一管35喷出的冲洗液不限于碳酸水。从第一管35喷出的冲洗液例如可以是DIW等上述的冲洗液。
第二管36朝向基板W的上表面向下方喷出疏水剂。疏水剂是用于对基板W的上表面进行疏水化的液体。作用于由疏水剂进行了疏水化的基板W的上表面的图案(参照图14)的表面张力低于作用于未进行疏水化的基板W的上表面的图案的表面张力。第二管36连接到安装有疏水剂阀56的疏水剂配管46。当疏水剂阀56打开时，从疏水剂配管46向第二管36供给冲洗液，并从第二管36的喷出口(中心喷嘴60的喷出口60a)向下方连续喷出该冲洗液。第二管36是向基板W的上表面供给疏水剂的疏水剂供给单元的一例。
从第二管36喷出的疏水剂例如是对硅本身及含硅化合物进行疏水化的硅类疏水剂、或者对金属本身及含金属化合物进行疏水化的金属类疏水剂。金属类疏水剂例如包括含疏水基团的胺以及有机硅化合物中的至少一种。硅类疏水剂例如是硅烷偶联剂。
硅烷偶联剂例如包括HMDS(六甲基二硅氮烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅烷基胺和非氯类疏水剂中的至少一种。非氯类疏水剂例如含有二甲基甲硅烷基二甲胺、二甲基甲硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N-(三甲基甲硅烷基)二甲胺和有机硅烷化合物中的至少一种。
第三管37朝向基板W的上表面向下方喷出可以与疏水剂以及冲洗液二者混合、并且具有比水低的表面张力的有机溶剂。将具有比水低的表面张力的液体称为低表面张力液体。从第三管37喷出的有机溶剂例如是IPA(异丙醇)。第三管37连接到安装有有机溶剂阀57的有机溶剂配管47。当有机溶剂阀57打开时，从有机溶剂配管47向第三管37供给IPA，并从第三管37的喷出口(中心喷嘴60的喷出口60a)向下方连续喷出该IPA。第三管37是向基板W的上表面供给有机溶剂(低表面张力液体)的有机溶剂供给单元(低表面张力液体供给单元)的一例。
从第三管37喷出的有机溶剂也可以是IPA以外的有机溶剂，只要该有机溶剂能与疏水剂以及冲洗液这二者混合、并且具有比水低的表面张力即可。更具体而言，从第三管37喷出的有机溶剂可以是包括IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙醇以及Trans-1,2-二氯乙烯中的至少一种的液体。
处理单元2包括将来自气体供给源的气体向相向构件6的中央开口6b引导的气体配管49、以及安装在气体配管49上的气体阀59。当气体阀59打开时，从气体配管49供给的气体在由中心喷嘴60的壳体61的外周面与相向构件6的内周面形成的筒状的气体流路62内向下方流动，并从中央开口6b向下方喷出。从中央开口6b喷出的气体被供给至相向面6a与基板W的上表面之间的空间90。中央开口6b被包括在向空间90内供给气体的气体供给单元中。通过调节气体阀59的开度，能够调节从中央开口6b喷出的气体的流量(供给流量)。向中央开口6b供给的气体例如是氮气。向中央开口6b供给的气体的湿度低于向腔室4的内部空间供给的洁净空气的湿度。另外，洁净空气的湿度例如是47％～50％。向中央开口6b供给的气体的湿度例如约为0％。
优选，向中央开口6b供给的气体是非活性气体。非活性气体相对于基板W的上表面及图案是非活性的，例如可以是氩气等稀有气体类。从中央开口6b喷出的气体可以是空气。
处理单元2包括向基板W的上表面喷出处理液(例如疏水剂)的内部喷嘴38。内部喷嘴38包括配置在比外侧挡板11A的上端11a更靠下方的位置的水平部38h、以及配置在外侧挡板11A的上方的铅垂部38v。即使当外侧挡板11A与中央挡板11B位于任意位置时，水平部38h均配置在外侧挡板11A与中央挡板11B之间。如图3所示，水平部38h在俯视时是圆弧状。水平部38h在俯视时也可以是直线状，还可以是折线状。
如图2所示，内部喷嘴38插入在上下方向贯通外侧挡板11A的延伸设置部15的贯通孔。铅垂部38v配置在外侧挡板11A的贯通孔的上方。铅垂部38v在上下方向贯通配置在外侧挡板11A上方的外壳70。外壳70被外侧挡板11A支承。铅垂部38v被外壳70可旋转地支承。内部喷嘴38可以绕着相当于铅垂部38v的中心线的喷嘴转动轴线A3相对于外侧挡板11A转动。喷嘴转动轴线A3是贯通外侧挡板11A的铅垂的轴线。
在水平部38h的前端部(与喷嘴转动轴线A3相反侧的端部)设置有向下方喷出处理液的喷出口38p。内部喷嘴38连接到安装有第二疏水剂阀58的第二疏水剂配管48。当第二疏水剂阀58打开时，从第二疏水剂配管48向内部喷嘴38供给疏水剂，并且从内部喷嘴38的喷出口38p向下方连续喷出该疏水剂。
处理单元2包括使内部喷嘴38在处理位置与退避位置之间绕着喷嘴转动轴线A3转动的扫描单元71。当内部喷嘴38位于处理位置时，从内部喷嘴38喷出的处理液着落在基板W的上表面上。当内部喷嘴38位于退避位置时，内部喷嘴38在俯视时位于旋转卡盘5的周围。
扫描单元71包括用于产生使内部喷嘴38转动的动力的电动机72。电动机72可以是与内部喷嘴38的铅垂部38v同轴的同轴电机，也可以通过两个带轮与环形带连结到内部喷嘴38的铅垂部38v。
当内部喷嘴38配置在退避位置(图3中虚线所示的位置)时，内部喷嘴38的水平部38h的整体与外侧挡板11A重叠。当内部喷嘴38配置在处理位置(图3中双点划线所示的位置)时，水平部38h的前端部配置在比外侧挡板11A的上端11a更靠内侧的位置，并且内部喷嘴38与基板W重叠。处理位置包括从内部喷嘴38喷出的处理液着落在基板W的上表面中央部上的中央处理位置(图3中双点划线所示的位置)、以及从内部喷嘴38喷出的处理液着落在基板W的上表面外周部上的外周处理位置。
外侧挡板11A的延伸设置部15包括从外侧挡板11A的筒状部14的上端朝向旋转轴线A1倾斜向上延伸的环状的倾斜部15a、以及从倾斜部15a向上方突出的突出部15b。倾斜部15a与突出部15b在周向(绕着旋转轴线A1的方向)上并排。突出部15b包括从倾斜部15a向上方延伸的一对侧壁15s、配置在一对侧壁15s的上端之间的上壁15u、以及配置在一对侧壁15s的外端之间的外壁15o。突出部15b形成从外侧挡板11A的倾斜部15a的下表面向上方凹陷的收纳空间。
当内部喷嘴38位于退避位置时，内部喷嘴38的水平部38h的整体在俯视时与突出部15b重叠，并被收纳在收纳空间中。如图2所示，此时，设置有喷出口38p的水平部38h的前端部配置在比外侧挡板11A的上端11a更靠外侧的位置。若使内部喷嘴38位于退避位置，则能够使外侧挡板11A的上端11a与中央挡板11B的上端11a在上下方向相互靠近。由此，能够减少进入外侧挡板11A与中央挡板11B之间的液体的量。
如上所述，内部喷嘴38被外壳70支承。同样地，扫描单元71被外壳70支承。扫描单元71的电动机72配置在可以在上下方向伸缩的波纹管73中。外壳70通过第一支架74A被外侧挡板11A支承，并且通过第二支架74B被挡板升降单元17支承。当挡板升降单元17使外侧挡板11A升降时，外壳70也升降。由此，内部喷嘴38和扫描单元71与外侧挡板11A共同升降。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具有微型计算机，并按照规定的程序控制基板处理装置1具有的控制对象。更具体而言，控制器3包括处理器(CPU)3A和存储有程序的存储器3B，并且构成为通过处理器3A执行程序，来执行用于基板处理的各种控制。
特别地，控制器3控制搬送机器人IR、CR、旋转电机23、相向构件升降单元27、挡板升降单元17(外侧挡板升降单元17A、中央挡板升降单元17B和内侧挡板升降单元17C)、喷嘴移动单元18以及阀类10、51～59等的动作。通过控制阀51～58，可以控制是否从对应的喷嘴(管)喷出流体以及喷出流量。通过控制阀59，可以控制是否从中央开口6b喷出气体以及喷出流量。通过控制阀10，可以控制是否从排气管道9排气以及排气流量。
图5是用于说明由基板处理装置1进行的基板处理的一例的流程图，主要示出了通过控制器3执行程序来实现的处理。图6A～图6K是用于说明基板处理的一例的示意性剖视图。图7是用于说明基板处理的一例的时序图。
在由基板处理装置1进行的基板处理中，例如，如图5所示，按照搬入基板(S1)、第一药液处理(S2)、第一冲洗液处理(S3)、第二药液处理(S4)、第二冲洗液处理(S5)、有机溶剂处理(S6)、疏水剂处理(S7)、低表面张力液体处理(S8)、干燥处理(S9)以及搬出基板(S10)的顺序执行基板处理。
首先，参照图1，在由基板处理装置1进行的基板处理中，由搬送机器人IR、CR将基板W从托架C搬入处理单元2，并传递给旋转卡盘5(步骤S1：基板搬入)。在由基板处理装置1进行的基板处理中，排气阀10(参照图2)始终打开，并且排气阀10的开度是恒定的。
然后，参照图6A，基板W在多个挡板11所包围的位置被旋转卡盘5保持为水平，直到被搬送机器人CR搬出(基板保持工序)。然后，旋转电机23(参照图2)使旋转基座21开始旋转。由此，基板W开始旋转(基板旋转工序)。然后，相向构件升降单元27使相向构件6位于上位置。
然后，开始第一药液处理(S2)。第一药液处理(S2)中，向基板W上供给作为药液的DHF(稀氢氟酸)。
具体而言，挡板升降单元17将多个挡板11的状态切换为第三状态。然后，喷嘴移动单元18使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33移动到处理位置。然后，打开第一药液阀51。由此，从第一药液喷嘴31向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域供给DHF(药液)(药液供给工序)。DHF在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由此，在基板W上形成DHF的液膜100。DHF在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。从基板W飞散的液体通过中央挡板11B的延伸设置部15与内侧挡板11C的延伸设置部15之间，被中央挡板11B的筒状部14接住。
接下来，执行第一冲洗液处理(S3)。第一冲洗液处理(S3)中，利用DIW冲洗基板W上的DHF。
具体而言，关闭第一药液阀51。由此，停止从第一药液喷嘴31喷出DHF。然后，如图6B所示，打开第一冲洗液阀53。由此，从第一冲洗液喷嘴33向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域供给DIW(冲洗液)(冲洗液供给工序)。DIW在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由此，永DIW置换基板W上的液膜100内的DHF。DHF与DIW的混合液或DIW在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。从基板W飞散的液体通过中央挡板11B的延伸设置部15与内侧挡板11C的延伸设置部15之间，被中央挡板11B的筒状部14接住。
接下来，执行第二药液处理(S4)。第二药液处理(S4)中，向基板W的上表面供给SC1。
具体而言，关闭第一冲洗液阀53。由此，停止从第一冲洗液喷嘴33喷出DIW。然后，如图6C所示，挡板升降单元17将多个挡板11的状态从第三状态切换为第二状态。具体而言，多个挡板11成为内侧挡板11C可以接住从基板W飞散的液体的状态。
然后，打开第二药液阀52。由此，从第二药液喷嘴32向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)SC1(药液供给工序)。药液在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由此，用SC1置换基板W上的液膜100内的DIW。然后，利用SC1处理基板W的上表面。SC1与DIW的混合液或SC1在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。从基板W飞散的液体通过内侧挡板11C的延伸设置部15的下方，被内侧挡板11C的筒状部14接住。
接下来，执行第二冲洗液处理(S5)。第二冲洗液处理(S5)中，利用碳酸水冲洗基板W上的SC1。
具体而言，参照图6D和图7，关闭第二药液阀52。由此，停止从第二药液喷嘴32喷出SC1。然后，喷嘴移动单元18使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33配置在退避位置。
然后，相向构件升降单元27使相向构件6配置在上位置与下位置之间的接近位置。该基板处理中，接近位置包括第一接近位置(后述的图6G所示的位置)和比第一接近位置更接近基板W的上表面的第二接近位置(图6D所示的位置)。将位于第一接近位置的相向构件6的下表面与基板W的上表面之间的距离称为第一距离。第一距离例如是15mm。将位于第二接近位置的相向构件6的下表面与基板W的上表面之间的距离称为第二距离。第二距离例如是5mm。第二冲洗液处理中，相向构件6配置在第二接近位置。
此处，若使至少一个挡板11的上端11a位于与相向构件6的相向面6a相等的高度或比相向构件6的相向面6a更靠上方的高度，则能够提高基板W的上表面与相向构件6的相向面6a之间的空间90的密闭度。在多个挡板11位于上位置、并且相向构件6位于第一接近位置的状态下，多个挡板11的上端11a位于比相向面6a更靠上方的位置。因此，提高了空间90的密闭度(密闭工序)。
在提高了空间90的密闭度的状态下，打开气体阀59。由此，开始向空间90内供给从相向构件6的中央开口6b喷出的氮气(气体供给工序、非活性气体供给工序)。此外，维持排气阀10(参照图2)打开的状态。因此，排出空间90内的环境气体(基板W的上表面附近的环境气体)(排气工序)。因此，开始置换空间90内的空气，并且开始调节空间90内的环境气体的湿度。具体而言，使空间90内的湿度开始变化以接近从相向构件6的中央开口6b喷出的氮气的湿度。在第二冲洗液处理中，从相向构件6的中央开口6b喷出的氮气的流量(喷出流量)是比较大的流量。第二冲洗液处理中的氮气的喷出流量例如是50L/min。
然后，打开第二冲洗液阀55。由此，从中心喷嘴60的第一管35的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)碳酸水(冲洗液)(冲洗液供给工序)。从第一管35喷出的碳酸水的流量(喷出流量)例如是2000mL/min。碳酸水在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由此，碳酸水置换基板W上的液膜100内的SC1。
SC1与碳酸水的混合液或碳酸水在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。将多个挡板11的状态维持为与第二药液处理(S4)相同的第二状态。因此，从基板W飞散的液体通过内侧挡板11C的延伸设置部15的下方，被中央挡板11B的筒状部14接住。第二冲洗液处理中，旋转电机23使基板W以2000rpm的速度旋转。
从开始向基板W的上表面供给碳酸水起经过了规定时间(例如15秒)后，执行有机溶剂处理(S6)。在有机溶剂处理(S6)中，用IPA(有机溶剂)置换基板W的上表面的碳酸水(冲洗液)。
具体而言，参照图6E和图7，关闭第二冲洗液阀55。由此，停止从第一管35喷出碳酸水。然后，打开有机溶剂阀57。由此，从中心喷嘴60的第三管37的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)IPA(有机溶剂)(有机溶剂供给工序)。从第三管37喷出的IPA的流量(喷出流量)例如是300mL/min。IPA在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由于IPA与碳酸水混合，因此通过IPA置换基板W上的液膜100内的碳酸水。碳酸水与IPA的混合液或IPA在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。
将多个挡板11的状态维持为与第二冲洗液处理(S5)相同的第二状态。因此，从基板W飞散的液体被内侧挡板11C的筒状部14接住。将相向构件6的位置维持在与第二冲洗液处理(S5)相同的第一接近位置。
然后，打开加热流体阀54。由此，从下表面喷嘴34向基板W的下表面的中央区域喷出温水(加热流体)。由此，开始加热流体供给工序，从而开始加热基板W(基板加热工序)。如此，下表面喷嘴34作为加热基板W的基板加热单元发挥功能。加热流体供给工序与有机溶剂供给工序并行执行。将基板W的旋转速度维持在与第二冲洗液处理(S5)相同的状态(2000rpm)。也将从相向构件6的中央开口6b喷出的氮气的喷出流量维持在大流量。
当开始从第三管37喷出IPA起经过了规定时间(例如9秒)时，如图6F所示，挡板升降单元17将多个挡板11的状态从第二状态切换为第一状态(第一挡板切换工序)。执行第一挡板切换工序时，至少外侧挡板11A的上端11a位于比相向面6a更靠上方的位置。即，在执行第一挡板切换工序时也执行密闭工序。此外，基板W的旋转速度也从2000rpm变更为300rpm。
从变更多个挡板11的位置起经过了规定时间(例如6秒)后，开始疏水剂处理(S7)。疏水剂处理(S7)中，利用疏水剂对基板W的上表面进行疏水化。
具体而言，参照图6G和图7，关闭有机溶剂阀57。由此，停止从第三管37喷出有机溶剂。然后，打开疏水剂阀56。由此，从中心喷嘴60的第二管36的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)疏水剂(疏水剂供给工序)。从第二管36喷出的疏水剂的流量(喷出流量)例如是150mL/min。疏水剂在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由于IPA可以与疏水剂混合，因此用疏水剂置换基板W上的液膜100内的IPA。IPA与疏水剂的混合液或疏水剂在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。
将多个挡板11的状态维持在第一状态。因此，从基板W飞散的液体通过外侧挡板11A(第一挡板)的延伸设置部15(第一延伸设置部)与内侧挡板11C(第二挡板)的延伸设置部15(第二延伸设置部)之间，被外侧挡板11A的筒状部14(第一筒状部)接住。严格地说，从基板W飞散的液体通过外侧挡板11A的延伸设置部15与中央挡板11B的延伸设置部15之间。基板W的旋转速度从300rpm变更为500rpm。然后，调节气体阀59的开度，使氮气的喷出流量成为比较小的流量(例如，10L/min)。
然后，相向构件升降单元27使相向构件6移动到第一接近位置，该第一接近位置是比第二接近位置更靠上方的位置。在外侧挡板11A位于上位置、并且相向构件6位于第一接近位置的状态下，外侧挡板11A的上端11a位于比相向面6a更靠上方的位置。因此，维持为空间90的密闭度高的状态。此外，由排气单元8进行的空间90内的环境气体的排气在第一挡板切换工序后继续。
相向构件6从第二接近位置向第一接近位置的移动与疏水剂供给的开始同时进行。相向构件6从第二接近位置向第一接近位置移动的时机可以稍早于疏水剂供给的开始，也可以稍晚于疏水剂供给的开始。
从开始喷出疏水剂起经过了规定时间(例如15秒)后，开始低表面张力液体处理(S8)。低表面张力液体处理(S8)中，用IPA置换基板W的上表面的疏水剂。
具体而言，参照图6H和图7，关闭疏水剂阀56。由此，停止从第二管36喷出疏水剂。然后，打开有机溶剂阀57。由此，从中心喷嘴60的第三管37的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)IPA(低表面张力液体)(低表面张力液体供给工序)。低表面张力液体供给工序中的IPA的喷出流量例如与有机溶剂供给工序相同，例如是300mL/min。IPA在离心力的作用下而遍布基板W的整个上表面。由此，用IPA置换基板W上的液膜100内的疏水剂。
IPA与疏水剂的混合液在离心力的作用下从基板W向径向外侧飞散。将多个挡板11的状态维持为第一状态。换言之，在低表面张力液体供给工序开始前执行第一挡板切换工序。因此，从基板W飞散的液体被外侧挡板11A的筒状部14接住。
基板W的旋转速度从500rpm变更为300rpm。低表面张力液体处理(S8)中，基板W的旋转速度维持在300rpm。
如图6I所示，从开始喷出IPA起经过了规定时间(例如10秒)后，相向构件升降单元27使相向构件6从第一接近位置移动到第二接近位置。换言之，在低表面张力液体供给工序的执行中，相向面6a与基板W的上表面之间的距离从第一距离L1变更为第二距离L2。在外侧挡板11A位于上位置、并且相向构件6位于第二接近位置的状态下，外侧挡板11A的上端11a位于比相向面6a更靠上方的位置。因此，维持为空间90的密闭度高的状态。然后，调节气体阀58的开度，使氮气的喷出流量变更为比较大的流量(例如，50L/min)。
从相向构件6移动到第一接近位置起经过了规定时间(例如40秒)后，如图6J所示，挡板升降单元17将多个挡板11的状态从第一状态切换为第二状态(第二挡板切换工序)。在从第三管37喷出IPA的期间(在低表面张力液体供给工序的执行中)执行第二挡板切换工序。优选，将多个挡板11的状态从第一状态切换为第二状态，使得低表面张力液体供给工序中外侧挡板11A接住从基板W飞散的液体的时间T1比低表面张力液体供给工序中内侧挡板11C接住从基板W飞散的液体的时间T2长(参照图7)。更优选，在基板W上的疏水剂完全被置换为IPA后将多个挡板11的状态从第一状态切换为第二状态。
通过第二挡板切换工序，将多个挡板11的状态切换为第二状态。因此，从基板W飞散的液体通过内侧挡板11C(第二挡板)的延伸设置部15(第二延伸设置部)的下方，被内侧挡板11C的筒状部14(第二筒状部)接住。
从多个挡板11的状态被切换为第二状态起经过了规定时间(例如10秒)后，开始干燥处理(S9)。干燥处理中，在离心力的作用下从基板W上排除基板W上的低表面张力液体的液膜100，由此干燥基板W(基板干燥工序)。
具体而言，参照图6K和图7，关闭有机溶剂阀57和气体阀58。由此，停止向基板W的上表面供给IPA，并且停止向基板W的上表面与相向构件6的相向面6a之间的空间90供给氮气。然后，相向构件升降单元27使相向构件6移动至下位置。然后，旋转电机23使基板W例如以2000rpm的速度旋转。由此，甩掉基板W上的液体成分，干燥基板W。
然后，旋转电机23使旋转卡盘5停止旋转。然后，相向构件升降单元27使相向构件6移动至上位置。然后挡板升降单元17使多个挡板11配置在下位置。然后，参照图1，搬送机器人CR进入处理单元2，从旋转卡盘5上取下处理过的基板W，并将该基板W向处理单元2外搬出(S10)。该基板W从搬送机器人CR被传递给搬送机器人IR，并由搬送机器人IR将该基板W收纳在托架C上。
接下来，说明相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度变化。
此处，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离越小，应被氮气等气体置换的环境气体的体积就越小。因此，单位时间内相向面6a与基板W的上表面之间的环境气体中的被氮气从相向面6a与基板W的上表面之间排出的气体的比例变大。因此，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离越小，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度就越接近从相向构件6的中央开口6b喷出的气体的湿度。即，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度降低。
此外，从相向构件6的中央开口6b喷出的气体流量越大，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度就越接近从相向构件6的中央开口6b喷出的气体的湿度。即，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度降低。
参照图7，在疏水剂处理(S7)中，相向构件升降单元27使相向构件6配置在第一接近位置，该第一接近位置比第二接近位置更远离基板W的上表面。此外，调节气体阀59的开度，使氮气的喷出流量成为比较小的流量。因此，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度被调节为比较高的湿度(第一湿度)(湿度调节工序)。不必使空间90内的整体湿度成为第一湿度，而至少使与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为第一湿度即可。
在低表面张力液体处理(S8)中，相向构件升降单元27将相向构件6配置在第二接近位置。即，将相向面6a与基板W的上表面之间的距离从第一距离L1变更为第二距离L2。此外，调节气体阀59的开度，使氮气的喷出流量成为比较大的流量。由此，将空间90内的湿度调节为第二湿度，该第二湿度低于第一湿度(湿度调节工序)。不必使空间90内的整体湿度成为第二湿度，而至少使与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为第二湿度即可。
在有机溶剂处理(S6)中，相向构件升降单元27将相向构件6配置在第二接近位置。此外，调节气体阀59的开度，使氮气的喷出流量成为比较大的流量。因此，将空间90内的湿度调节为第三湿度，该第三湿度低于第一湿度(湿度调节工序)。需要说明的是，该基板处理中，在紧接着第二冲洗液处理(S5)中的氮气的供给开始后，空间90内的湿度已经被调节为第三湿度。然而，也可以在有机溶剂处理(S6)开始时将空间90内的湿度调节为第三湿度。不必使空间90内的整体湿度成为第三湿度，而至少使与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为第三湿度即可。
本实施方式中，由于有机溶剂处理(S6)中的相向构件6的位置与低表面张力液体处理(S8)中的相向构件6的位置同样是第二接近位置，因此第三湿度与第二湿度大致相同。由此，相向构件升降单元27与气体阀59作为调节基板W的上表面附近的湿度的湿度调节单元发挥功能。此外，在执行气体供给工序时执行湿度调节工序。
此处，说明疏水剂的聚合反应以及疏水剂与基板W的上表面的反应。如图8A所示，未反应的疏水剂例如用Si(OR)3Y表示。R与Y简略示出烷基等取代基。通过该疏水剂与水分子(H2O)反应，生成单体(Si(OH)3Y)。然后，单体之间反应形成二聚体(参照图8B的中间的化学式)。进而，通过进行聚合反应，最终形成聚合物(图8B的右侧的化学式)。与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度越低，疏水剂就越难聚合，而与基板W的液膜100接触的环境气体的湿度越高，就越容易发生疏水剂的聚合。疏水剂与基板的上表面的反应程度可以通过接触角来判断。
在与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度低的情况下，疏水剂在聚合前，与在基板W的上表面上露出的羟基发生反应。由此，虽然对基板W的上表面进行疏水化，但在对基板W的上表面进行了疏水化后仍有未反应的疏水剂残留在基板W上。因此，成为产生颗粒的原因。
在与基板W的液膜100接触的环境气体的湿度高的情况下，疏水剂在与在基板W的上表面上露出的羟基反应前发生疏水剂聚合，形成聚合物。因此，成为产生颗粒的原因。因此，如图8C所示，需要适度地调节与基板W的液膜100接触的环境气体的湿度，使疏水剂适度地聚合(例如聚合为二聚体)。
另一方面，在疏水剂供给工序之后的低表面张力液体供给工序中，为了降低IPA对基板W的上表面施加的表面张力，需要降低与基板W的液膜100接触的环境气体的湿度。能够充分降低IPA对基板W的上表面施加的表面张力的湿度过低而不能使疏水剂适度聚合。
根据第一实施方式，从第二管36(疏水剂供给单元)向基板W的上表面供给所述疏水剂(疏水剂供给工序)。为了利用IPA(低表面张力液体)置换基板W上的疏水剂，而从第三管37(低表面张力液体供给单元)向基板W的上表面供给IPA(低表面张力液体供给工序)。然后，调节与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度，使得疏水剂供给工序中的与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且低表面张力液体供给工序中的与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为比第一湿度低的第二湿度(湿度调节工序)。
根据该结构，疏水剂供给工序中的与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度高于低表面张力液体供给工序中的与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度。
因此，在疏水剂供给工序中，能够将与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度提高为不过度进行疏水剂的聚合的程度。因此，能够抑制疏水剂的聚合物化而使疏水剂适度地聚合。结果，能够对基板W的上表面充分进行疏水化，并且抑制颗粒的产生。
此外，在低表面张力液体供给工序中，能够充分降低与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度。由此，能够降低基板W上的IPA的液膜100中含有的水的量。因此，能够降低基板W上的IPA对基板W的上表面施加的表面张力。
此外，在第一实施方式中，疏水剂供给工序前，从第三管37(有机溶剂供给单元)向基板W的上表面供给IPA(有机溶剂)(有机溶剂供给工序)。此外，在湿度调节工序中，调节与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度，使得有机溶剂供给工序中的与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度成为比第一湿度低的第三湿度。
若基板W上的IPA中含有水，则在疏水剂供给工序中用疏水剂置换基板W上的IPA时，疏水剂与IPA中的水反应。因此，有可能推进疏水剂的聚合反应，从而不能充分地对基板W的上表面进行疏水化。因此，若是有机溶剂供给工序中与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度低于第一湿度的结构，则能够抑制疏水剂的聚合物化。结果，能够更充分地对基板W的上表面进行疏水化，并且进一步抑制颗粒的产生。
此外，第一实施方式中，从相向构件6的中央开口6b(气体供给单元)向空间90供给氮气(气体)(气体供给工序)。湿度调节工序在执行气体供给工序时调节空间90内的湿度。
根据该结构，通过向空间90供给气体，来调节空间90的湿度。通过调节空间90的湿度，能够容易地调节与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度。
此处，疏水剂供给工序中供给到基板W的上表面的疏水剂可能从基板的上表面溅起而附着在相向面6a上。若相向面6a上附着的疏水剂在疏水剂供给工序后的低表面张力液体供给工序中落到基板W的上表面上，则会成为产生颗粒的原因。第一实施方式中，湿度调节工序中，通过相向构件升降单元27使相向构件6升降，所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从第一距离L1变更为小于第一距离L1的第二距离L2。由此，空间90内的湿度从第一湿度变更为第二湿度。因此，在疏水剂供给工序中的相向构件6比低表面张力液体供给工序中的相向构件6更远离基板W的上表面的状态下，向基板W的上表面供给疏水剂。因此，能够抑制疏水剂附着在相向面6a上。因此，能够抑制颗粒的产生。
此外，第一实施方式中，在执行低表面张力液体供给工序时，通过相向构件升降单元27使相向构件6升降，相向面6a与基板W的上表面之间的距离从第一距离L1变更为第二距离L2。因此，至少从基板W的上表面的疏水剂开始被IPA置换起，相向面6a与基板W的上表面之间的距离变更为第二距离L2。因此，能够进一步抑制疏水剂附着在相向面6a上。
此外，第一实施方式中，湿度调节工序中，通过调节来自相向构件6的中央开口6b的氮气的供给流量，来调节空间90内的湿度。因此，通过相向面6a与基板W的上表面之间的距离变更以及氮气的供给流量的调节，能够高精度地调节空间90的湿度。因此，能够高精度地调节空间90内的湿度。
此外，第一实施方式中，通过旋转电机23(基板旋转单元)使基板W旋转来排除基板W上的IPA，从而干燥基板W(基板干燥工序)。因此，能够快速地除去基板W上的IPA。因此，能够减少IPA对基板W的上表面施加表面张力的时间。
<第二实施方式>
图9是用于说明第二实施方式的基板处理装置1P具有的处理单元2P的结构例的示意性剖视图。图9中，对与以上说明的构件相同的构件标记相同的附图标记，并省略其说明(后述的图10A～图10D与图11中也是同样)。为了简便，图9中省略了腔室4的一部分图示。
第二实施方式的处理单元2P与第一实施方式的处理单元2的主要不同点在于，相向构件6与旋转基座21一体地旋转，以及该处理单元2包括用于悬挂支承相向构件6的支承构件19。
相向构件6包括相向部110、延伸设置部111、筒状部112和多个凸缘部113。相向部110从上方与基板W的上表面相向。相向部110形成为圆板状。相向部110在旋转卡盘5的上方大致水平地配置。相向部110具有与基板W的上表面相向的相向面110a。相向面110a是相向构件6的相向面6a的一部分。
延伸设置部111从相向部110的周缘部向下方延伸。延伸设置部111的内周面111a按照越朝向下方就越朝向基板W的旋转半径方向的外侧的方式相对于旋转轴线A1倾斜。延伸设置部111的外周面沿着铅垂方向延伸。
相向构件6例如可以通过磁力与旋转基座21卡合。具体而言，在相向构件6的相向部110的相向面110a上安装有多个第一卡合部115。第一卡合部115从相向部110的相向面110a向下方延伸。多个第一卡合部115在周向上相互隔开间隔地配置。在旋转基座21的上表面上安装有可以与多个第一卡合部115进行凹凸卡合的多个第二卡合部116。多个第二卡合部116在周向上相互隔开间隔地配置。
在第一卡合部115与第二卡合部116卡合的状态下，相向构件6可以与旋转基座21一体地旋转。通过在相向构件6与旋转基座21卡合时旋转电机23使旋转基座21旋转，相向构件6与旋转基座21共同旋转。即，旋转电机23也作为使相向构件6绕着旋转轴线A1旋转的相向构件旋转单元发挥功能。在相向构件6与旋转基座21卡合时，延伸设置部111在比挡板11更靠径向内侧的位置包围基板W。
筒状部112固定在相向部110的上表面。多个凸缘部113在筒状部112的周向上相互隔开间隔地配置在筒状部112的上端。各凸缘部113从筒状部112的上端水平地延伸。
支承构件19包括相向构件支承部120、喷嘴支承部121和壁部122。相向构件支承部120支承相向构件6。喷嘴支承部121设置在比相向构件支承部120更靠上方并支承中心喷嘴60的壳体61。壁部122连结相向构件支承部120与喷嘴支承部121并在铅垂方向延伸。由相向构件支承部120、喷嘴支承部121和壁部122划分出空间123。相向构件支承部120构成支承构件19的下壁。喷嘴支承部121构成支承构件19的上壁。空间123收纳筒状部112的上端部与凸缘部113。
中心喷嘴60安装在喷嘴支承部121的大致中央。壳体61与喷嘴支承部121密接，并且在壳体61与喷嘴支承部121之间未设置气体流路62(参照图2)。取而代之地，中心喷嘴60包括壳体61中收纳的第四管30。第四管30连接到气体配管49。
相向构件支承部120从下方支承相向构件6(的凸缘部113)。在相向构件支承部120的中央部形成有插通筒状部112的筒状部插通孔120a。在各凸缘部113形成有在上下方向贯通凸缘部113的定位孔113a。在相向构件支承部120形成有可以与对应的凸缘部113的定位孔113a卡合的卡合突起120b。通过各定位孔113a与对应的卡合突起120b卡合，相向构件在旋转方向上被定位在支承构件上。
处理单元2P具有支承构件升降单元28来代替相向构件升降单元27。支承构件升降单元28使相向构件6与支承构件19共同升降。支承构件升降单元28例如包括使支承构件19升降的滚珠螺杆机构(未图示)、以及向该滚珠螺杆机构提供驱动力的电动机(未图示)。支承构件升降单元28由控制器3控制(参照图4)。
支承构件升降单元28能够使支承构件19位于从上位置至下位置之间的规定高度位置。下位置是后述的图10A所示的位置。具体而言，下位置是在支承构件19的可动范围内，支承构件19最接近旋转基座21的上表面的位置。上位置是图9中实线所示的位置。具体而言，上位置是在支承构件19的可动范围内，支承构件19最远离旋转基座21的上表面的位置。
在支承构件19位于上位置的状态下，该支承构件19悬挂支承相向构件6。在该状态下，相向构件6在上方远离旋转基座21。通过支承构件升降单元28使支承构件19升降，该支承构件19经由上位置与下位置之间的卡合位置。卡合位置是图9中双点划线所示的位置。卡合位置是相向构件6被支承构件19从下方支承、并且相向构件6与旋转基座21卡合时的支承构件19的高度位置。在支承构件19位于下位置时，该支承构件19在下方远离与旋转基座21卡合的状态下的相向构件6。
当支承构件19在上位置与卡合位置之间升降时，相向构件6与支承构件19一体地升降。当支承构件19位于卡合位置与下位置之间的位置时，支承构件19在下方远离相向构件6。在支承构件19位于卡合位置与下位置之间的位置时，支承构件19维持在与旋转基座21卡合的状态。
接下来，说明由第二实施方式的基板处理装置1P进行的基板处理的一例。图10A～图10D是用于说明由基板处理装置1P进行的基板处理的一例的示意性剖视图。图11是用于说明由基板处理装置1P进行的基板处理的一例的时序图。
由第二实施方式的基板处理装置1P进行的基板处理与由第一实施方式的基板处理装置1进行的基板处理的主要不同点在于，在第二冲洗液处理(S5)～低表面张力液体处理(S8)之间，相向构件6的相向面6a(相向部110的相向面110a)与基板W的上表面之间的距离保持为恒定。因此，在由基板处理装置1P进行的基板处理中，通过调节氮气的喷出流量，来调节空间90内的湿度。即，第二实施方式中，气体阀59作为湿度调节单元发挥功能。
此外，由于基板搬入(S1)～第二药液处理(S4)、基板干燥处理(S9)和基板搬出(S10)与由第一实施方式的基板处理装置1进行的基板处理大致相同，因此省略说明。由于第二冲洗液处理(S5)～低表面张力液体处理(S8)除了相向构件6的位置以外也与由第一实施方式的基板处理装置1进行的基板处理大致相同，因此下面进行简单的说明。
第二冲洗液处理(S5)中，首先，关闭第二药液阀52。由此，停止从第二药液喷嘴32喷出SC1。然后，喷嘴移动单元18使第一药液喷嘴31、第二药液喷嘴32和第一冲洗液喷嘴33配置在退避位置。
然后，旋转电机23使旋转基座21停止旋转。然后，调节旋转方向上的相向构件6与旋转基座21的相对位置，使相向构件6与旋转基座21能够卡合。具体而言，旋转电机23调节旋转方向上的旋转基座21的位置，使得在俯视时相向构件6的第一卡合部115与旋转基座21的第二卡合部116重叠。如此，该基板处理中，使旋转基座21暂时停止旋转，调节旋转方向上的旋转基座21与相向构件6的相对位置。然而，也可以当旋转基座21停止旋转时，旋转电机23调节旋转方向上的旋转基座21的位置，使得在俯视时相向构件6的第一卡合部115与旋转基座21的第二卡合部116重叠。
然后，支承构件升降单元28使位于上位置的支承构件19向下位置下降。支承构件19在移动至下位置前经由卡合位置。当支承构件19到达卡合位置时，相向构件6与旋转基座21通过磁力卡合。由此，由高度位置固定的旋转基座21从下方支承相向构件6。
当支承构件19从卡合位置进一步向下方下降时，相向构件6从支承构件19的支承中释放。具体而言，支承构件19的相向构件支承部120从相向构件6的凸缘部113向下方退避。
然后，如图10A所示，支承构件19到达下位置。然后，旋转电机23使旋转基座21再次开始旋转。由于相向构件6与旋转基座21卡合，因此相向构件6与旋转基座21一体地旋转。然后，打开气体阀59。由此，开始向空间90内供给从中心喷嘴60的第四管30喷出的氮气(气体供给工序、非活性气体供给工序)。此外，维持排气阀10(参照图2)打开的状态。因此，开始排出空间90内的环境气体(基板W的上表面附近的环境气体)(排气工序)。因此，开始置换空间90内的空气，从而开始调节空间90内的环境气体的湿度。第二冲洗液处理中从中心喷嘴60的第四管30喷出的氮气的流量(喷出流量)是比较大的流量。第二冲洗液处理中的氮气的喷出流量例如是50L/min。
然后，打开第二冲洗液阀55。由此，从中心喷嘴60的第一管35的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)碳酸水(冲洗液)(冲洗液供给工序)。
接下来，执行有机溶剂处理(S6)。具体而言，关闭第二冲洗液阀55。由此，停止从第一管35喷出碳酸水。然后，如图10B所示，打开有机溶剂阀57。由此，从中心喷嘴60的第三管37的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)IPA(有机溶剂)(有机溶剂供给工序)。
从第四管30喷出的氮气的喷出流量也维持在大流量。通过向空间90内供给大流量的氮气，将空间90内的湿度调节为比较低的湿度(第三湿度)。不必将空间90内的整体湿度调节为第三湿度，而至少将与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度调节为第三湿度即可。另外，也可以通过打开加热流体阀54，从下表面喷嘴34向基板W的下表面的中央区域喷出温水(加热流体)。
然后，开始疏水剂处理(S7)。具体而言，关闭有机溶剂阀57。由此，停止从第三管37喷出有机溶剂。然后，如图10C所示，打开疏水剂阀56。由此，从中心喷嘴60的第二管36的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)疏水剂(疏水剂供给工序)。然后，调节气体阀58的开度，将氮气的喷出流量调节为比较小的流量(例如，10L/min)。因此，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间90内的湿度被调节为比较高的湿度(第一湿度)(湿度调节工序)。不必将空间90内的整体湿度调节为第一湿度，而至少将与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度调节为第一湿度即可。由排气单元8进行的空间90内环境气体的排气在第一挡板切换工序后继续。
接下来，开始低表面张力液体处理(S8)。具体而言，关闭疏水剂阀56。由此，停止从第二管36喷出疏水剂。然后，参照图10D，打开有机溶剂阀57。由此，从中心喷嘴60的第三管37的喷出口60a向旋转状态下的基板W的上表面的中央区域喷出(供给)IPA(低表面张力液体)(低表面张力液体供给工序)。然后，调节气体阀58的开度，将氮气的喷出流量变更为比较大的流量(例如，50L/min)。由此，空间90内的湿度被调节为比第一湿度低的第二湿度(湿度调节工序)。不必将空间90内的整体湿度调节为第二湿度，而至少将与基板W上的液膜100接触的环境气体的湿度调节为第二湿度即可。
根据第二实施方式，起到与第一实施方式同样的效果。但是，湿度调节工序中，限于因使相向构件6上下移动的结构而产生的效果以外的效果。
此外，根据第二实施方式，在湿度调节工序中，一边将相向面110a与基板W的上表面之间的距离保持为恒定，一边调节来自第四管30(气体供给单元)的氮气的供给流量。由此，调节空间90内的湿度。因此，即使在如第二实施方式的基板处理装置1P那样在疏水剂供给工序、低表面张力液体供给工序中不能使相向构件6上下移动的结构中，也可以高精度地调节相向面110a与基板W的上表面之间的空间90的湿度。
<第三实施方式>
图12是用于说明第三实施方式的基板处理装置1Q具有的处理单元2Q的结构例的示意性剖视图。图12中，对与以上说明的构件相同的构件标记相同的附图标记，并省略其说明。
由第三实施方式的基板处理装置1Q进行的基板处理与第一实施方式的由基板处理装置1进行的基板处理的主要不同点在于，处理单元2Q包括移动喷嘴130来代替相向构件6，该移动喷嘴130具有与基板W的上表面相向的相向面130a。
移动喷嘴130包括具有相向面130a的相向部131、以及被收纳在相向部131中并分别向基板W的上表面喷出流体的多个管(第一管135、第二管136、第三管137和第四管138)。多个管(第一管135、第二管136、第三管137和第四管138)分别具有向基板W的上表面喷出流体的喷出口135a～138a。
第一管135连接到安装有第二冲洗液阀55的第二冲洗液配管45。因此，从第一管135的喷出口135a喷出碳酸水等冲洗液。
第二管136连接到安装有疏水剂阀56的疏水剂配管46。因此，从第二管136的喷出口136a喷出疏水剂。第二管136是疏水剂供给单元的一例。
第三管137连接到安装有有机溶剂阀57的有机溶剂配管47。因此，从第三管137的喷出口137a喷出IPA等有机溶剂。第三管137是有机溶剂供给单元的一例。第三管137也是低表面张力液体供给单元的一例。
第四管138连接到安装有气体阀59的气体配管49。因此，从第四管138的喷出口138a喷出氮气等气体。第四管138是气体供给单元的一例。
可以在移动喷嘴130的相向部131形成有用于在水平方向喷出氮气等气体的喷出口。在相向部131形成有用于向该喷出口引导气体的流路155，流路155上连接安装有气体阀150的气体配管140。气体阀150由控制器3控制(参照图4)。同样地，可以在移动喷嘴130的相向部131形成有用于在相对于水平方向倾斜的倾斜方向喷出氮气等气体的喷出口(未图示)。
处理单元2Q包括使移动喷嘴130至少在水平方向移动的喷嘴移动单元145。喷嘴移动单元145由控制器3控制(参照图4)。喷嘴移动单元145使移动喷嘴130在处理位置与退避位置之间水平地移动。当移动喷嘴130位于处理位置时，从移动喷嘴130喷出的处理液着落在基板W的上表面的中央部。当移动喷嘴130位于退避位置时，在俯视时移动喷嘴130位于旋转卡盘5的周围。喷嘴移动单元145包括电动机(未图示)，提供使移动喷嘴130绕着在铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转的驱动力。
接下来，说明由第三实施方式的基板处理装置1Q进行的基板处理的一例。图13是用于说明由基板处理装置1Q进行的基板处理的一例的时序图。
由基板处理装置1Q进行的基板处理中，在基板搬入(S1)～第二药液处理(S4)中，移动喷嘴130配置在退避位置。在第二冲洗液处理(S5)中，移动喷嘴130移动至处理位置，并维持在处理位置直到干燥处理(S9)结束。在由基板处理装置1Q进行的基板处理中，代替第一管35地从第一管135喷出碳酸水，代替第二管36地从第二管136喷出疏水剂。此外，代替第三管37地从第三管137喷出IPA。此外，代替相向构件6的中央开口6b地从第四管138喷出氮气。
由基板处理装置1Q进行的基板处理中，通过调节排气阀10的开度，来调节从排气管道9排出的气体的流量(排气流量)。由此，调节基板W的上表面与移动喷嘴130的相向面130a之间的空间141内的湿度(与基板W上的液膜接触的环境气体的湿度)(湿度调节工序)。第三实施方式中，排气阀10作为湿度调节单元发挥功能。
具体而言，由于从排气管道9排出的气体的流量越大，就可以在移动喷嘴130的相向面130a与基板W的上表面之间的空间141内排出越多的水蒸气，因此移动喷嘴130的相向面130a与基板W的上表面之间的空间141内的湿度就越低。
如图13所示，在第二冲洗液处理(S5)与有机溶剂处理(S6)中，调节排气阀10的开度使得排气流量成为比较大的流量。然后，在疏水剂处理(S7)中，调节排气阀10的开度使得排气流量成为比较小的流量。然后，在低表面张力液体处理(S8)中，调节排气阀10的开度使得排气流量成为比较大的流量。由此，调节空间141内的湿度，使得疏水剂处理(S7)中的空间141内的湿度成为第一湿度，低表面张力液体处理(S8)中的空间141内的湿度成为比第一湿度低的第二湿度。此外，调节空间141内的湿度，使得有机溶剂处理(S6)中的空间141内的湿度成为也比第一湿度低的第三湿度。
本发明并不限于以上说明的实施方式，也可以通过其他实施方式来进行。
例如，在由第一实施方式的基板处理装置1进行的基板处理(图5～图7中说明的基板处理)中，通过变更相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离、以及变更来自相向构件6的中央开口6b的氮气的喷出流量，来调节空间90内的湿度。然而，与该基板处理不同，也可以仅通过变更相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离，来调节空间90内的湿度。该情况下，从第二冲洗液处理(S5)至低表面张力液体处理(S8)的期间，从相向构件6的中央开口6b以恒定的流量喷出氮气。此外，还可以通过变更相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离、以及变更排气阀10的开度，来调节空间90内的湿度。
此外，第一实施方式中，在疏水剂处理(S7)中，可以通过从内部喷嘴38喷出疏水剂，向基板W的上表面供给疏水剂。
在由第二实施方式的基板处理装置1P进行的基板处理(图9～图11中说明的基板处理)中，通过变更来自第四管30的氮气的喷出流量来调节空间90内的湿度。然而，与该基板处理不同，也可以通过变更来自第四管30的氮气的喷出流量以及变更排气阀10的开度来调节空间90内的湿度。
此外，在上述的第一实施方式与第二实施方式中，从第二冲洗液处理(S5)起开始通过供给氮气来调节湿度。然而，也可以从有机溶剂处理(S6)起开始供给氮气。该情况下，在有机溶剂处理(S6)的开始后，空间90的湿度成为第三湿度。
此外，上述的实施方式中，在有机溶剂处理(S6)中将空间90、141的湿度调节为第三湿度。然而，也可以从疏水剂处理(S7)起开始调节空间90、141的湿度。即，在基板处理装置1、1P、1Q中，可以在有机溶剂处理(S6)中执行不将空间90、141的湿度调节为第三湿度的基板处理。
在由第三实施方式的基板处理装置1Q进行的基板处理(图13中说明的基板处理)中，通过调节来自排气管道9的气体的排气流量来调节空间141内的湿度。然而，与该基板处理不同，也可以通过变更来自第四管138的氮气的喷出流量与变更排气阀10的开度来调节空间141内的湿度。
此外，在上述的各实施方式中，可以从安装有气体阀157的气体配管156向旋转轴22的内部空间22a(严格来说，是旋转轴22的内周面与下表面喷嘴34的外周面之间的空间)供给氮气等气体。供给至内部空间22a的气体在内部空间22a内向上方流动，并从旋转基座21的贯通孔21a向上方喷出。由于从贯通孔21a喷出的气体绕到基板W的上表面，因此能够调节空间90、141内的湿度。可以使用从旋转基座21的贯通孔21a喷出的气体代替从相向构件6的中央开口6b与第四管30、138喷出的气体，来调节空间90、141内的湿度。此外，也可以兼用从相向构件6的中央开口6b与第四管30、138喷出的气体、以及从旋转基座21的贯通孔21a喷出的气体。
以上详细说明了本发明的实施方式，但这些仅是用于说明本发明的技术内容的具体示例，本发明不应被解释为限于这些具体示例，本发明的范围仅由附加的权利要求限定。
本申请对应于2017年8月31日向日本专利局提交的日本特愿2017-166502号，其全部公开内容通过引用结合于此。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
基板保持工序，将基板保持为水平；
疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂是对所述基板的上表面进行疏水化的液体；
低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为表面张力低于水的所述低表面张力液体；以及
湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度，
药液供给工序，在所述疏水剂供给工序之前，将酸性水溶液或碱性水溶液作为药液向所述基板的上表面供给；
冲洗液供给工序，在所述药液供给工序之后且所述疏水剂供给工序之前，供给冲洗所述基板上的所述药液的冲洗液。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法还包括：
有机溶剂供给工序，在所述疏水剂供给工序前且所述冲洗液供给工序之后，向所述基板的上表面供给混合有水与所述疏水剂的有机溶剂；
所述湿度调节工序包括：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第三湿度的工序，所述第三湿度低于所述第一湿度。
3.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
基板保持工序，将基板保持为水平；
疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂是对所述基板的上表面进行疏水化的液体；
低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为表面张力低于水的所述低表面张力液体；以及
湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度；以及
有机溶剂供给工序，在所述疏水剂供给工序前，向所述基板的上表面供给混合有水与所述疏水剂的有机溶剂，
所述湿度调节工序包括：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第三湿度的工序，所述第三湿度低于所述第一湿度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法还包括：
气体供给工序，向具有与所述基板的上表面相向的相向面的相向构件的相向面与所述基板的上表面之间的空间供给气体；
所述湿度调节工序包括：在所述气体供给工序的执行中，调节所述空间内的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的所述空间的湿度成为所述第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的所述空间的湿度成为所述第二湿度的工序。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述湿度调节工序包括：通过将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从第一距离变更为第二距离，将所述空间内的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序，所述第一距离是所述疏水剂供给工序中的所述相向面与所述基板的上表面之间的距离，所述第二距离小于所述第一距离。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述空间内的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序包括：在所述低表面张力液体供给工序的执行中，将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从所述第一距离变更为所述第二距离的工序。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
所述湿度调节工序包括：通过调节所述气体的供给流量来调节所述空间内的湿度的工序。
8.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述湿度调节工序包括：通过一边将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离保持为恒定一边调节所述气体的供给流量，来调节所述空间内的湿度的工序。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法还包括：
排气工序，排出所述基板的上表面的周围的环境气体；
所述湿度调节工序包括：通过调节所述排气工序中排出的环境气体的流量，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度的工序。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
基板旋转工序，使所述基板绕着贯通所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转；以及
基板干燥工序，通过使所述基板旋转来排除所述基板上的所述低表面张力液体，以干燥所述基板。
11.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持单元，将基板保持为水平；
疏水剂供给单元，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂是对所述基板的上表面进行疏水化的液体；
低表面张力液体供给单元，向所述基板的上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体；
药液供给单元，将酸性水溶液或碱性水溶液作为药液向所述基板的上表面供给；
冲洗液供给单元，将冲洗液向所述基板上的上表面供给；
湿度调节单元，调节所述基板的上表面的附近的环境气体的湿度；以及
控制器，控制所述疏水剂供给单元、所述低表面张力液体供给单元、所述药液供给单元、所述冲洗液供给单元和所述湿度调节单元，
所述控制器被编程为执行：
疏水剂供给工序，从所述疏水剂供给单元向所述基板的上表面供给所述疏水剂；
低表面张力液体供给工序，从所述低表面张力液体供给单元向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为所述低表面张力液体；以及
湿度调节工序，由所述湿度调节单元调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度，
所述控制器被编程为还执行：
药液供给工序，在所述疏水剂供给工序之前，从所述药液供给单元向所述基板的上表面供给所述药液；
冲洗液供给工序，在所述药液供给工序之后且所述疏水剂供给工序之前，从所述冲洗液供给单元向所述基板的上表面供给所述冲洗液，冲洗所述基板上的药液。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：
有机溶剂供给单元，向所述基板的上表面供给混合有水与所述疏水剂的有机溶剂，
所述控制器在所述疏水剂供给工序前且所述冲洗液供给工序之后执行有机溶剂供给工序，在所述有机溶剂供给工序中，从所述有机溶剂供给单元向所述基板的上表面供给所述有机溶剂，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第三湿度的工序，所述第三湿度低于所述第一湿度。
13.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持单元，将基板保持为水平；
疏水剂供给单元，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂是对所述基板的上表面进行疏水化的液体；
低表面张力液体供给单元，向所述基板的上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体；
湿度调节单元，调节所述基板的上表面的附近的环境气体的湿度；以及
控制器，控制所述疏水剂供给单元、所述低表面张力液体供给单元和所述湿度调节单元，
所述控制器被编程为执行：
疏水剂供给工序，从所述疏水剂供给单元向所述基板的上表面供给所述疏水剂；
低表面张力液体供给工序，从所述低表面张力液体供给单元向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为所述低表面张力液体；以及
湿度调节工序，由所述湿度调节单元调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度，
所述基板处理装置还具有：
有机溶剂供给单元，向所述基板的上表面供给混合有水与所述疏水剂的有机溶剂，
所述控制器在所述疏水剂供给工序前执行有机溶剂供给工序，在所述有机溶剂供给工序中，从所述有机溶剂供给单元向所述基板的上表面供给所述有机溶剂，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，以使所述有机溶剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第三湿度的工序，所述第三湿度低于所述第一湿度。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：
相向构件，具有与所述基板的上表面相向的相向面，以及
气体供给单元，向所述相向面与所述基板的上表面之间的空间供给气体；
所述控制器被编程为执行气体供给工序，所述气体供给工序中，从所述气体供给单元向所述空间供给气体，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：在所述气体供给工序的执行中，调节所述空间内的湿度，以使所述疏水剂供给工序中的所述空间的湿度成为所述第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的所述空间的湿度成为所述第二湿度。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：
相向构件升降单元，使所述相向构件升降，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过所述相向构件升降单元使所述相向构件升降，将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从第一距离变更为第二距离，从而将所述空间内的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序，所述第一距离是所述疏水剂供给工序中的所述相向面与所述基板的上表面之间的距离，所述第二距离小于所述第一距离。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制器被编程为在将所述空间内的湿度从所述第一湿度变更为所述第二湿度的工序中执行：在所述低表面张力液体供给工序的执行中，通过所述相向构件升降单元使所述相向构件升降，从而将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离从所述第一距离变更为所述第二距离的工序。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给单元能够调节向所述空间供给的所述气体的流量，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过调节来自所述气体供给单元的所述气体的供给流量来调节所述空间内的湿度的工序。
18.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给单元能够调节向所述空间供给的所述气体的流量，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过一边将所述相向面与所述基板的上表面之间的距离保持为恒定一边调节来自所述气体供给单元的所述气体的供给流量，来调节所述空间内的湿度。
19.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：
排气单元，排出所述基板的上方的环境气体，并且能够调节排气流量，
所述控制器被编程为在所述湿度调节工序中执行：通过由所述排气单元调节所述排气流量，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度的工序。
20.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：
基板旋转单元，使所述基板绕着贯通所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，
所述控制器被编程为执行基板干燥工序，在所述基板干燥工序中，通过所述基板旋转单元使所述基板旋转来排除所述基板上的所述低表面张力液体，以干燥所述基板。
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