JP5173502B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
104…ファンフィルタユニット
106…スピンチャック(基板保持手段)
118…ユニット制御部(制御手段)
120…チャックピン(基板保持手段)
130…IPA液供給ノズル(溶剤供給手段)
162…処理空間
164…排気調整機構
182…湿度センサ(第1湿度検出手段)
190…供給配管(クリーンエア供給部)
192…CR大気用弁192(クリーンエア供給部)
194…供給配管(乾燥気体供給部)
196…乾燥気体用弁(乾燥気体供給部)
202…乾燥気体供給ノズル
206…湿度センサ(第2湿度検出手段)
W…基板
Claims (11)
- 基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後に、前記基板を乾燥させる基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持され、前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる気体供給手段と、
前記処理空間からの排気量を調整する排気調整手段と、
前記処理空間の湿度に基づいて基板乾燥の実行を制御する制御手段と
を備え、
前記気体供給手段は、前記制御手段による制御によって、前記基板表面に向けてクリーンエアを供給するのに続いて前記乾燥気体を供給し、
前記制御手段は、
前記クリーンエアの供給から前記乾燥気体の供給への切替に伴って、前記排気調整手段を制御することによって前記処理空間からの排気量を抑制し、
前記乾燥気体の供給開始後、前記処理空間の湿度と規定湿度との比較結果に基づいて前記気体供給手段をフィードバック制御することによって前記乾燥気体の供給量を調整し、
前記処理空間の湿度が前記規定湿度を超えている間前記基板乾燥の実行を規制する一方、前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下となったときに前記基板乾燥を実行する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記気体供給手段は、前記基板保持手段に保持された前記基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺の前記クリーンエアを前記ファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、前記クリーンエアよりも低湿度の気体を前記乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、前記クリーンエアと前記乾燥気体のいずれか一方を選択的に前記ファンフィルタユニットに送り込み前記ファンフィルタユニットにより前記基板表面に供給可能となっており、
前記制御手段は前記気体供給手段を制御することによって、前記湿式処理中には前記クリーンエアを前記基板表面に向けて供給する一方、前記基板乾燥前には前記乾燥気体の供給に切り替える請求項1記載の基板処理装置。 - 前記制御手段は前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記湿式処理中での前記クリーンエアの供給量を前記基板乾燥前での前記乾燥気体の供給量よりも多くする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は前記基板乾燥前に前記処理空間の湿度に応じて前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記基板表面に供給する前記乾燥気体の供給量を調整する請求項2または3に記載の基板処理装置。
- 前記気体供給手段は前記基板保持手段に保持された前記基板の上方側から前記乾燥気体を前記基板表面に向けて吐出する乾燥気体供給ノズルを有しており、
前記制御手段は前記基板乾燥前に前記乾燥気体供給ノズルからの前記乾燥気体の吐出量を制御して前記処理空間への前記乾燥気体の供給量を制御する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理空間の湿度を検出する第1湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第1湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理空間から排気される排気ガスの湿度を検出する第2湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第2湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面に供給して前記基板表面上の前記処理液を前記低表面張力溶剤に置換する溶剤供給手段を備え、
前記制御手段は、前記低表面張力溶剤への置換中に前記乾燥気体を前記処理空間に供給し、前記置換後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させる請求項1ないし7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式工程と、
前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる湿度低下工程と、
前記湿度低下工程により前記処理空間の湿度が所定の規定湿度以下となった後に前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備え、
前記基板表面に向けてクリーンエアが供給されるのに続いて前記乾燥気体が供給され、
前記クリーンエアの供給から前記乾燥気体の供給への切替に伴って前記処理空間からの排気量が抑制され、
前記乾燥気体の供給開始後、前記処理空間の湿度と前記規定湿度との比較結果に基づいて前記乾燥気体の供給量がフィードバック制御される
ことを特徴とする基板処理方法。 - 前記クリーンエアおよび前記乾燥気体は気体供給手段によって前記基板表面に向けて供給され、
前記気体供給手段は、基板保持手段に保持された前記基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺の前記クリーンエアを前記ファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、前記クリーンエアよりも低湿度の気体を前記乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、前記クリーンエアと前記乾燥気体のいずれか一方を選択的に前記ファンフィルタユニットに送り込み前記ファンフィルタユニットにより前記基板表面に供給可能となっており、
前記湿式処理中には前記気体供給手段によって前記クリーンエアが前記基板表面に向けて供給される一方、前記乾燥工程前には前記乾燥気体の供給に切り替えられる請求項9記載の基板処理方法。 - 前記湿度低下工程は前記湿式工程の途中で開始される請求項9記載の基板処理方法。
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