JP5238782B2 - 基板の処理装置および基板の処理方法 - Google Patents
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Description
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;
前記第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整を前記処理チャンバ内の温度が前記タンク内の前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;および
前記処理チャンバ内を加湿するための加湿機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置が提供される。
前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うと共に、前記処理チャンバ内を加湿して行うことを特徴とする基板の処理方法が提供される。
図1は、第1実施形態に係る基板の処理装置を示す概略図である。
図2は、第2実施形態に係る基板の処理装置を示す概略図である。なお、図2において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
図1に示す処理装置において、処理チャンバ1内の回転軸3でブロック2を回転させて吸着チャック4に保持されたウェハ41にエッチング液を模擬した純水を吐出ノズル15から吐出するにあたり、以下の条件に設定したときウェハの中心から外周縁に亘っての温度分布を測定した。なお、ウェハの温度分布はウェハの半径方向に埋め込んだ温度検出チップで測定した。
ウェハ41の回転速度:500rpm、
エッチング液の吐出量:1.5〜2.0L/分、
チャンバ1内の温度:24.1℃、
純水の温度:22.5℃、24.5℃および26.5℃、
1ウェハあたりの純水の吐出時間:20秒。
Claims (9)
- ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ;
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;
前記第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整を前記処理チャンバ内の温度が前記タンク内の前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;および
前記処理チャンバ内を加湿するための加湿機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 前記第1温度調整器は空調機であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 前記第1温度調整器は加湿機能を兼ね備えることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 前記被処理基板に純水を供給してリンス処理を行うための純水供給部材と、前記純水供給部材と前記処理チャンバの外部で接続された純水供給タンクと、前記タンク内の純水の温度を前記エッチング液温度と同じかまたはそれより高く調整するための第3温度調整器とをさらに備えることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の基板の処理装置。
- 前記被処理基板に乾燥気体を吹き付けるための乾燥気体吹き付け部材をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の基板の処理装置。
- 処理チャンバ内に被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する工程と、前記被処理基板を回転させながら、エッチング液を供給してエッチング処理を行う工程とを含み、
前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うと共に、前記処理チャンバ内を加湿して行うことを特徴とする基板の処理方法。 - 前記エッチング処理は前記エッチング液を加温して行うことを特徴とする請求項6記載の基板の処理方法。
- 前記エッチング処理後に前記被処理基板に前記エッチングの液温度と同じかまたはそれより高い温度の純水を供給してリンス処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項6または7記載の基板の処理方法。
- 前記リンス処理後に前記被処理基板に乾燥気体を吹き付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項8記載の基板の処理方法。
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