JP4037291B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4037291B2 JP4037291B2 JP2003064979A JP2003064979A JP4037291B2 JP 4037291 B2 JP4037291 B2 JP 4037291B2 JP 2003064979 A JP2003064979 A JP 2003064979A JP 2003064979 A JP2003064979 A JP 2003064979A JP 4037291 B2 JP4037291 B2 JP 4037291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor substrate
- chamber
- pure water
- water mist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置に関し、半導体装置の製造工程において全般に用いるウェット処理装置、特に半導体基板の洗浄装置等に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の微細化および高集積化に伴い、素子パターンの微細化は高まる一方である。また、半導体基板の大径化も進んでいる。したがって、半導体製造装置において、枚葉式処理装置が増加している（例えば、特許文献１と２を参照）。このような枚葉式の例えば洗浄装置においては、ウェットエッチング・洗浄（コンタミネーション除去、パーティクル除去）を短時間で終了させるため、高温薬液処理するために処理半導体基板および処理薬液の温度、処理雰囲気が正確に制御でき、洗浄を安定して行えることが求められている。特に、温度制御は、エッチングレートの変化やウェハの処理後の平坦度などに関るエッチング特性に非常に敏感であり、重要な制御が必要とされている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１２１３８８号公報（第１図）
【特許文献２】
特開２００２−２３１６７４号公報（第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の洗浄方法において、半導体基板を枚様式で高温薬液処理した場合、基板を高速自回転させても、面内で薬液温度のばらつきが発生する。つまり、薬液と基板が初めに接触する部分とそれ以外の部分とで温度分布が基板上で異なってしまい、先に述べた基板上での薬液の処理温度の制御を安定して行う事が困難であった。このように、半導体基板上の面内で処理薬液の温度分布が生じてしまい、基板へのエッチングレートが異なるなどのエッチングの面内均一性等、基板面内での薬液に対する反応均一性を低下させてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、半導体基板上の面内で処理薬液の温度差をなくし、基板面内での反応均一性を向上させて高温薬液処理できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した処理チャンバー内に純水ミストを充満させる第１工程と、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第２工程と、第２工程の後、純水ミストを処理チャンバー外へ排出する第３工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第４工程と備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程の前に、予め前記処理チャンバー内を減圧しておくことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、第３工程において、処理チャンバー内を減圧することを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した前処理チャンバー内雰囲気を加熱して常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第１工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板を処理チャンバー内に移動させる第２工程と、処理チャンバー内において、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第３工程と備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程では、前処理チャンバーの外周に設置したヒーターまたはランプによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程では、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させた後、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段とを備え、基板昇温手段は、処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、薬液処理前に処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項８に記載の半導体装置の製造装置は、請求項７に記載の半導体装置の製造装置において、処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項９に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したヒーターまたはランプであって、前処理チャンバー内の雰囲気を加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項１０に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１１に記載の半導体装置の製造装置は、請求項１０に記載の半導体装置の製造装置において、前処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、前処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【００２４】
上記の請求項１〜１１の発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態に係る半導体装置の製造装置について、図面を参照して説明する。なお、各実施形態では、枚葉式洗浄装置を例に挙げて説明する。
【００２７】
以下の各実施形態では、半導体基板（ウェハ）の処理面に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）から形成したシリコン酸化膜が成膜されているものとする。この半導体基板を５００ｒｐｍ以上で自回転させながら、その処理面にクリーンルーム内の温度より高い５０℃のＨＦ薬液を塗布する（薬液処理）。
【００２８】
本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら、説明する。この枚葉式洗浄装置は、半導体基板１を基板支持アーム２上に保持し、基板支持アーム２がモーター６により回転することで半導体基板１を自回転できる（以下の各実施形態でも同様）。第１の実施形態では、処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、図２のようにエッチングレートの面内均一性を２．２９％に向上させ得ることが出来る。なお、図２において、横軸のウェハ位置（Wafer Position）は基板１の直径方向の中心（０）から端部までの距離を示し、縦軸のエッチングレート（Etching Rate）は基板１処理面に成膜されているシリコン酸化膜のエッチングレートである。均一性の％値はその数値が小さいほどエッチングレートの面内均一性が高いことを示すものである。
【００２９】
この図２での均一性は以下のようにして算出している。ウェハ（基板）面内各１７点それぞれのエッチング量をＥｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，１７）とし、１７点中最大のエッチング量をＥｍａｘ、最小のエッチング量をＥｍｉｎ、平均値をＥａｖｅとし、均一性をＵｎｉ．としたとき、
Ｕｎｉ．［％］＝[（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（２・Ｅａｖｅ）]×１００
ただし、Ｅａｖｅ＝（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３＋・・・＋Ｅ１７）／１７である。
【００３０】
ここで比較例として、図１の方法（第１の実施形態）において、ヒーター９を設けず半導体基板１を加熱しなかった場合で、それ以外は第１の実施形態と同じ条件とした方法で、同じ半導体基板１を同じ薬液（ＨＦ：５０℃）で処理した場合の基板面内のエッチングレートの分布は図２４（図２と同様に表示）のようになり、半導体基板のセンター部・エッジ部など各所で基板上の薬液の温度が異なるため、エッチングレートが異なってしまう（均一性:１０．２７％）。本実施形態では、半導体基板１全体を予め薬液温度相当に昇温させておくことで半導体基板１面内の薬液の温度に差を生じないようにし、このような不均一性を改善できる。
【００３１】
本発明の第２の実施形態について図３を参照しながら、説明する。処理チャンバー３の側面にマイクロウェーブ発生装置１１を配置する。薬液処理前、純水ミストノズル１２から純水ミストを処理チャンバー３に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置１１から周波数２４５０ＭＨｚのマイクロウェーブを照射し、処理チャンバー３の雰囲気を加熱させ、基板１温度を薬液温度（ＨＦ：５０℃）相当まで上昇させる。この際、チャンバー内の温度分布は、ヒーター加熱で行った場合に比べ、温度分布が均一になる効果を持つ。図４（ａ）はこの第２の実施形態のマイクロウェーブ発生装置１１を用いて加熱した場合の処理チャンバー３内の温度分布を現した図であり、図４（ｂ）は第１の実施形態でのヒーター９を用いて加熱した場合の処理チャンバー３内の温度分布を現した図（この場合、第１の実施形態であるので処理チャンバー３内に純水ミストを充満させていない）であり、第２の実施形態での効果を確認できる。
【００３２】
その後、薬液処理前に、純水ミストはドレイン１０で処理チャンバー３から追い出し、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布する。薬液処理する前に、薬液温度相当まで半導体基板１の温度を上昇させるので、処理時の自回転する基板１上のエッチングレートの面内均一性を図５（図２と同様に表示）のように１．１５％に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的に処理チャンバー３に充満させるために、あらかじめ処理チャンバー３を減圧させておくこともできる。また、処理チャンバー３を純水ミストで充満させた後に、チャンバー３を減圧させるようにしてもよい。この場合チャンバー３内の純水ミストを減圧させることにより、早くチャンバー３内から追い出すことと、チャンバー３側壁及び、半導体基板１に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【００３３】
本発明の第３の実施形態について図６を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、チャンバー１４内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図７（図２と同様に表示）のように１．８０％に向上させ得ることが出来る。
【００３４】
本発明の第４の実施形態について図８を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の外周にハロゲンランプ１５を配置し、チャンバー１４内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、半導体基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、回転する基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図９（図２と同様に表示）のように２．３６％に向上させ得ることが出来る。
【００３５】
本発明の第５の実施形態について図１０を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の側面にマイクロウェーブ発生装置１１を配置する。純水ミストノズル１２から純水ミストをチャンバー１４に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置１１から周波数２４５０ＭＨｚのマイクロウェーブを照射し、チャンバー１４の雰囲気を加熱させ、基板１温度を薬液処理温度５０℃相当まで上昇させる。その後、基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１１（図２と同様に表示）のように２．９１％に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的にチャンバー１４に充満させるために、あらかじめチャンバー１４を減圧させておくこともできる。また、前処理チャンバー１４を純水ミストで充満させた後に、チャンバー１４を減圧させるようにしてもよい。この場合、前処理チャンバー１４内の純水ミストを減圧させることにより、早く前処理チャンバー１４内から追い出すことと、チャンバー側壁及び、半導体基板１上に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【００３６】
本発明の第６の実施形態について図１２を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４内の純水槽１６に入っている純水温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定してある。この前処理チャンバー１４内の純水槽１６に半導体基板１を挿入し、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、基板１をチャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１３（図２と同様に表示）のように３．４８％に向上させ得ることが出来る。
【００３７】
以上の第３〜第６の実施形態では、前処理チャンバー１４を用いて半導体基板１を昇温させておくことで、処理チャンバー３内で薬液処理前に半導体基板１を昇温させる必要がないため、時間短縮を図ることができる。
【００３８】
本発明の第７の実施形態について図１４を参照しながら、説明する。基板支持アーム２の直下に抵抗加熱方式のヒーター９を配置することにより、半導体基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１５（図２と同様に表示）のように１．６６％に向上させ得ることが出来る。
【００３９】
本発明の第８の実施形態について図１６を参照しながら、説明する。基板支持アーム２の直下にハロゲンランプ１５を配置することにより、半導体基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１７（図２と同様に表示）のように１．１０％に向上させ得ることが出来る。
【００４０】
本発明の第９の実施形態について図１８を参照しながら、説明する。基板支持アーム２は半導体基板１と水平な平板型であり、基板支持アーム２の中央から高温純水を吐出する純水ノズル２１を設けている。純水ノズル２１から吐出される純水温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定されている。この純水ノズル２１から吐出された高温純水で、そのアーム２と基板１の間の空間を埋めて、基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１９（図２と同様に表示）のように２．８１％に向上させ得ることが出来る。
【００４１】
本発明の第１０の実施形態について図２０を参照しながら、説明する。基板支持アーム２は半導体基板１と水平な平板型であり、基板支持アーム２の中央から高温のＮ2 ガスを吐出するＮ2 ノズル２２を設けている。Ｎ2 ノズル２２から吐出されるＮ2 ガスの温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定されている。このＮ2 ノズル２２から吐出された高温Ｎ2 で、そのアーム２と基板１の間の空間を埋めて、基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図２１（図２と同様に表示）のように３．３５％に向上させ得ることが出来る。
【００４２】
なお、以上の第１〜第１０の実施形態では、処理チャンバー３の外部の加熱手段（図示せず）によって高温に加熱されている薬液（ＨＦ：５０℃）が、薬液処理の際には薬液ノズル４から半導体基板１の中央部に向けて吐出されるようになっている。
【００４３】
また、図１８、図２０の場合、基板１が浮いたように示されているが、ウェハベベル部に点接触する（チャック）ピンでウェハ（基板１）を固定させている。このピンは基板支持アーム２上に３本以上存在している（図示せず）。
【００４４】
本発明の第１１の実施形態について図２２を参照しながら、説明する。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の薬液ノズル支持アーム１８の上方から見た図である。薬液ノズル支持アーム１８は半導体基板１の直径相当のアーム長を持ち、アーム１８の下面に複数の薬液ノズル４が配置されている。この薬液ノズル支持アーム１８が、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上で、基板１の中央部の位置を回転軸として、基板１および基板支持アーム２の回転方向２０とは逆方向１９に自回転しながら薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布することで、基板１面内上で薬液温度に差が生じず、エッチングレートの面内均一性を図２３（図２と同様に表示）のように１．７３％に向上させ得ることが出来る。
【００４５】
なお、この第１１の実施形態では、処理チャンバー３の外部の加熱手段（図示せず）によって高温に加熱されている薬液（ＨＦ：５０℃）が、薬液処理の際には薬液ライン１７を介して複数の薬液ノズル４から半導体基板１上に吐出されるようになっている。
【００４６】
また、第１１の実施形態のように、薬液ノズル支持アーム１８を回転させる方がエッチングレートの面内均一性をより向上させることができるが、薬液ノズル支持アーム１８を回転させなくても従来よりは向上させることができる。また、回転させずに、図２２（ｂ）のように直線状の薬液ノズル支持アーム１８ではなく、直線状の複数の薬液ノズル支持アーム１８を基板１の回転軸上で交差させたような薬液ノズル支持アームを用いてもよい。例えば２本の直線状の薬液ノズル支持アーム１８を十字状に交差させたようなもので回転しないものでもよい。
【００４７】
なお、各実施形態において、基板の自回転数、薬液の種類・温度、及び基板の膜質・温度、マイクロウェーブの周波数、ヒーター・ランプの種類は上記のものに限らないことはいうまでもない。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【００４９】
また、回転する半導体基板の表面であって半導体基板の直径方向に異なる複数の位置に同時に高温の薬液を供給することにより、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図３】本発明の第２の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図４】本発明の第２の実施形態のマイクロウェーブ加熱による効果を示す図
【図５】本発明の第２の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図６】本発明の第３の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図７】本発明の第３の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図８】本発明の第４の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図９】本発明の第４の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１０】本発明の第５の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１１】本発明の第５の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１２】本発明の第６の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１３】本発明の第６の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１４】本発明の第７の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１５】本発明の第７の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１６】本発明の第８の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１７】本発明の第８の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１８】本発明の第９の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１９】本発明の第９の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２０】本発明の第１０の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図２１】本発明の第１０の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２２】（ａ）は本発明の第１１の実施形態の洗浄装置を示す断面図、（ｂ）はその薬液ノズル支持アームを示す平面図
【図２３】本発明の第１１の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２４】比較例のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【符号の説明】
１・・・半導体基板
２・・・基板支持アーム
３・・・処理チャンバー
４・・・薬液ノズル
５・・・回転軸
６・・・モーター
７・・・Ｎ2 ノズル
８・・・純水ノズル
９・・・ヒーター
１０・・・ドレイン
１１・・・マイクロウェーブ発生装置
１２・・・純水ミストノズル
１３・・・温度帯表記
１４・・・前処理チャンバー
１５・・・ランプ
１６・・・純水槽
１７・・・薬液ライン
１８・・・薬液ノズル支持アーム
１９・・・アーム１８の回転方向
２０・・・アーム２の回転方向
２１・・・純水ノズル
２２・・・Ｎ2 ガスノズル
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置に関し、半導体装置の製造工程において全般に用いるウェット処理装置、特に半導体基板の洗浄装置等に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の微細化および高集積化に伴い、素子パターンの微細化は高まる一方である。また、半導体基板の大径化も進んでいる。したがって、半導体製造装置において、枚葉式処理装置が増加している（例えば、特許文献１と２を参照）。このような枚葉式の例えば洗浄装置においては、ウェットエッチング・洗浄（コンタミネーション除去、パーティクル除去）を短時間で終了させるため、高温薬液処理するために処理半導体基板および処理薬液の温度、処理雰囲気が正確に制御でき、洗浄を安定して行えることが求められている。特に、温度制御は、エッチングレートの変化やウェハの処理後の平坦度などに関るエッチング特性に非常に敏感であり、重要な制御が必要とされている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１２１３８８号公報（第１図）
【特許文献２】
特開２００２−２３１６７４号公報（第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の洗浄方法において、半導体基板を枚様式で高温薬液処理した場合、基板を高速自回転させても、面内で薬液温度のばらつきが発生する。つまり、薬液と基板が初めに接触する部分とそれ以外の部分とで温度分布が基板上で異なってしまい、先に述べた基板上での薬液の処理温度の制御を安定して行う事が困難であった。このように、半導体基板上の面内で処理薬液の温度分布が生じてしまい、基板へのエッチングレートが異なるなどのエッチングの面内均一性等、基板面内での薬液に対する反応均一性を低下させてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、半導体基板上の面内で処理薬液の温度差をなくし、基板面内での反応均一性を向上させて高温薬液処理できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した処理チャンバー内に純水ミストを充満させる第１工程と、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第２工程と、第２工程の後、純水ミストを処理チャンバー外へ排出する第３工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第４工程と備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程の前に、予め前記処理チャンバー内を減圧しておくことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、第３工程において、処理チャンバー内を減圧することを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した前処理チャンバー内雰囲気を加熱して常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第１工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板を処理チャンバー内に移動させる第２工程と、処理チャンバー内において、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第３工程と備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程では、前処理チャンバーの外周に設置したヒーターまたはランプによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、第１工程では、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させた後、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段とを備え、基板昇温手段は、処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、薬液処理前に処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項８に記載の半導体装置の製造装置は、請求項７に記載の半導体装置の製造装置において、処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項９に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したヒーターまたはランプであって、前処理チャンバー内の雰囲気を加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項１０に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１１に記載の半導体装置の製造装置は、請求項１０に記載の半導体装置の製造装置において、前処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、前処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【００２４】
上記の請求項１〜１１の発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態に係る半導体装置の製造装置について、図面を参照して説明する。なお、各実施形態では、枚葉式洗浄装置を例に挙げて説明する。
【００２７】
以下の各実施形態では、半導体基板（ウェハ）の処理面に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）から形成したシリコン酸化膜が成膜されているものとする。この半導体基板を５００ｒｐｍ以上で自回転させながら、その処理面にクリーンルーム内の温度より高い５０℃のＨＦ薬液を塗布する（薬液処理）。
【００２８】
本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら、説明する。この枚葉式洗浄装置は、半導体基板１を基板支持アーム２上に保持し、基板支持アーム２がモーター６により回転することで半導体基板１を自回転できる（以下の各実施形態でも同様）。第１の実施形態では、処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、図２のようにエッチングレートの面内均一性を２．２９％に向上させ得ることが出来る。なお、図２において、横軸のウェハ位置（Wafer Position）は基板１の直径方向の中心（０）から端部までの距離を示し、縦軸のエッチングレート（Etching Rate）は基板１処理面に成膜されているシリコン酸化膜のエッチングレートである。均一性の％値はその数値が小さいほどエッチングレートの面内均一性が高いことを示すものである。
【００２９】
この図２での均一性は以下のようにして算出している。ウェハ（基板）面内各１７点それぞれのエッチング量をＥｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，１７）とし、１７点中最大のエッチング量をＥｍａｘ、最小のエッチング量をＥｍｉｎ、平均値をＥａｖｅとし、均一性をＵｎｉ．としたとき、
Ｕｎｉ．［％］＝[（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（２・Ｅａｖｅ）]×１００
ただし、Ｅａｖｅ＝（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３＋・・・＋Ｅ１７）／１７である。
【００３０】
ここで比較例として、図１の方法（第１の実施形態）において、ヒーター９を設けず半導体基板１を加熱しなかった場合で、それ以外は第１の実施形態と同じ条件とした方法で、同じ半導体基板１を同じ薬液（ＨＦ：５０℃）で処理した場合の基板面内のエッチングレートの分布は図２４（図２と同様に表示）のようになり、半導体基板のセンター部・エッジ部など各所で基板上の薬液の温度が異なるため、エッチングレートが異なってしまう（均一性:１０．２７％）。本実施形態では、半導体基板１全体を予め薬液温度相当に昇温させておくことで半導体基板１面内の薬液の温度に差を生じないようにし、このような不均一性を改善できる。
【００３１】
本発明の第２の実施形態について図３を参照しながら、説明する。処理チャンバー３の側面にマイクロウェーブ発生装置１１を配置する。薬液処理前、純水ミストノズル１２から純水ミストを処理チャンバー３に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置１１から周波数２４５０ＭＨｚのマイクロウェーブを照射し、処理チャンバー３の雰囲気を加熱させ、基板１温度を薬液温度（ＨＦ：５０℃）相当まで上昇させる。この際、チャンバー内の温度分布は、ヒーター加熱で行った場合に比べ、温度分布が均一になる効果を持つ。図４（ａ）はこの第２の実施形態のマイクロウェーブ発生装置１１を用いて加熱した場合の処理チャンバー３内の温度分布を現した図であり、図４（ｂ）は第１の実施形態でのヒーター９を用いて加熱した場合の処理チャンバー３内の温度分布を現した図（この場合、第１の実施形態であるので処理チャンバー３内に純水ミストを充満させていない）であり、第２の実施形態での効果を確認できる。
【００３２】
その後、薬液処理前に、純水ミストはドレイン１０で処理チャンバー３から追い出し、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布する。薬液処理する前に、薬液温度相当まで半導体基板１の温度を上昇させるので、処理時の自回転する基板１上のエッチングレートの面内均一性を図５（図２と同様に表示）のように１．１５％に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的に処理チャンバー３に充満させるために、あらかじめ処理チャンバー３を減圧させておくこともできる。また、処理チャンバー３を純水ミストで充満させた後に、チャンバー３を減圧させるようにしてもよい。この場合チャンバー３内の純水ミストを減圧させることにより、早くチャンバー３内から追い出すことと、チャンバー３側壁及び、半導体基板１に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【００３３】
本発明の第３の実施形態について図６を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、チャンバー１４内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図７（図２と同様に表示）のように１．８０％に向上させ得ることが出来る。
【００３４】
本発明の第４の実施形態について図８を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の外周にハロゲンランプ１５を配置し、チャンバー１４内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、半導体基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、回転する基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図９（図２と同様に表示）のように２．３６％に向上させ得ることが出来る。
【００３５】
本発明の第５の実施形態について図１０を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４の側面にマイクロウェーブ発生装置１１を配置する。純水ミストノズル１２から純水ミストをチャンバー１４に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置１１から周波数２４５０ＭＨｚのマイクロウェーブを照射し、チャンバー１４の雰囲気を加熱させ、基板１温度を薬液処理温度５０℃相当まで上昇させる。その後、基板１を前処理チャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１１（図２と同様に表示）のように２．９１％に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的にチャンバー１４に充満させるために、あらかじめチャンバー１４を減圧させておくこともできる。また、前処理チャンバー１４を純水ミストで充満させた後に、チャンバー１４を減圧させるようにしてもよい。この場合、前処理チャンバー１４内の純水ミストを減圧させることにより、早く前処理チャンバー１４内から追い出すことと、チャンバー側壁及び、半導体基板１上に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【００３６】
本発明の第６の実施形態について図１２を参照しながら、説明する。前処理チャンバー１４内の純水槽１６に入っている純水温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定してある。この前処理チャンバー１４内の純水槽１６に半導体基板１を挿入し、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。その後、基板１をチャンバー１４から処理チャンバー３に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１３（図２と同様に表示）のように３．４８％に向上させ得ることが出来る。
【００３７】
以上の第３〜第６の実施形態では、前処理チャンバー１４を用いて半導体基板１を昇温させておくことで、処理チャンバー３内で薬液処理前に半導体基板１を昇温させる必要がないため、時間短縮を図ることができる。
【００３８】
本発明の第７の実施形態について図１４を参照しながら、説明する。基板支持アーム２の直下に抵抗加熱方式のヒーター９を配置することにより、半導体基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１５（図２と同様に表示）のように１．６６％に向上させ得ることが出来る。
【００３９】
本発明の第８の実施形態について図１６を参照しながら、説明する。基板支持アーム２の直下にハロゲンランプ１５を配置することにより、半導体基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１７（図２と同様に表示）のように１．１０％に向上させ得ることが出来る。
【００４０】
本発明の第９の実施形態について図１８を参照しながら、説明する。基板支持アーム２は半導体基板１と水平な平板型であり、基板支持アーム２の中央から高温純水を吐出する純水ノズル２１を設けている。純水ノズル２１から吐出される純水温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定されている。この純水ノズル２１から吐出された高温純水で、そのアーム２と基板１の間の空間を埋めて、基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図１９（図２と同様に表示）のように２．８１％に向上させ得ることが出来る。
【００４１】
本発明の第１０の実施形態について図２０を参照しながら、説明する。基板支持アーム２は半導体基板１と水平な平板型であり、基板支持アーム２の中央から高温のＮ2 ガスを吐出するＮ2 ノズル２２を設けている。Ｎ2 ノズル２２から吐出されるＮ2 ガスの温度は、薬液温度（ＨＦ：５０℃）に対して、５０±５℃の範囲に設定されている。このＮ2 ノズル２２から吐出された高温Ｎ2 で、そのアーム２と基板１の間の空間を埋めて、基板１裏面から直接温度制御しやすくし、基板１全体を薬液温度５０℃相当にまで上昇させる。この後、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上に薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図２１（図２と同様に表示）のように３．３５％に向上させ得ることが出来る。
【００４２】
なお、以上の第１〜第１０の実施形態では、処理チャンバー３の外部の加熱手段（図示せず）によって高温に加熱されている薬液（ＨＦ：５０℃）が、薬液処理の際には薬液ノズル４から半導体基板１の中央部に向けて吐出されるようになっている。
【００４３】
また、図１８、図２０の場合、基板１が浮いたように示されているが、ウェハベベル部に点接触する（チャック）ピンでウェハ（基板１）を固定させている。このピンは基板支持アーム２上に３本以上存在している（図示せず）。
【００４４】
本発明の第１１の実施形態について図２２を参照しながら、説明する。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の薬液ノズル支持アーム１８の上方から見た図である。薬液ノズル支持アーム１８は半導体基板１の直径相当のアーム長を持ち、アーム１８の下面に複数の薬液ノズル４が配置されている。この薬液ノズル支持アーム１８が、自回転（５００ｒｐｍ以上）する半導体基板１上で、基板１の中央部の位置を回転軸として、基板１および基板支持アーム２の回転方向２０とは逆方向１９に自回転しながら薬液ノズル４から薬液（ＨＦ：５０℃）を塗布することで、基板１面内上で薬液温度に差が生じず、エッチングレートの面内均一性を図２３（図２と同様に表示）のように１．７３％に向上させ得ることが出来る。
【００４５】
なお、この第１１の実施形態では、処理チャンバー３の外部の加熱手段（図示せず）によって高温に加熱されている薬液（ＨＦ：５０℃）が、薬液処理の際には薬液ライン１７を介して複数の薬液ノズル４から半導体基板１上に吐出されるようになっている。
【００４６】
また、第１１の実施形態のように、薬液ノズル支持アーム１８を回転させる方がエッチングレートの面内均一性をより向上させることができるが、薬液ノズル支持アーム１８を回転させなくても従来よりは向上させることができる。また、回転させずに、図２２（ｂ）のように直線状の薬液ノズル支持アーム１８ではなく、直線状の複数の薬液ノズル支持アーム１８を基板１の回転軸上で交差させたような薬液ノズル支持アームを用いてもよい。例えば２本の直線状の薬液ノズル支持アーム１８を十字状に交差させたようなもので回転しないものでもよい。
【００４７】
なお、各実施形態において、基板の自回転数、薬液の種類・温度、及び基板の膜質・温度、マイクロウェーブの周波数、ヒーター・ランプの種類は上記のものに限らないことはいうまでもない。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【００４９】
また、回転する半導体基板の表面であって半導体基板の直径方向に異なる複数の位置に同時に高温の薬液を供給することにより、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図３】本発明の第２の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図４】本発明の第２の実施形態のマイクロウェーブ加熱による効果を示す図
【図５】本発明の第２の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図６】本発明の第３の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図７】本発明の第３の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図８】本発明の第４の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図９】本発明の第４の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１０】本発明の第５の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１１】本発明の第５の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１２】本発明の第６の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１３】本発明の第６の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１４】本発明の第７の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１５】本発明の第７の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１６】本発明の第８の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１７】本発明の第８の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図１８】本発明の第９の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図１９】本発明の第９の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２０】本発明の第１０の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図２１】本発明の第１０の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２２】（ａ）は本発明の第１１の実施形態の洗浄装置を示す断面図、（ｂ）はその薬液ノズル支持アームを示す平面図
【図２３】本発明の第１１の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図２４】比較例のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【符号の説明】
１・・・半導体基板
２・・・基板支持アーム
３・・・処理チャンバー
４・・・薬液ノズル
５・・・回転軸
６・・・モーター
７・・・Ｎ2 ノズル
８・・・純水ノズル
９・・・ヒーター
１０・・・ドレイン
１１・・・マイクロウェーブ発生装置
１２・・・純水ミストノズル
１３・・・温度帯表記
１４・・・前処理チャンバー
１５・・・ランプ
１６・・・純水槽
１７・・・薬液ライン
１８・・・薬液ノズル支持アーム
１９・・・アーム１８の回転方向
２０・・・アーム２の回転方向
２１・・・純水ノズル
２２・・・Ｎ2 ガスノズル
Claims (11)
- 内部に半導体基板を載置した処理チャンバー内に純水ミストを充満させる第１工程と、
前記純水ミストにマイクロウェーブを照射して前記純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、前記半導体基板を前記所定の処理温度まで上昇させる第２工程と、
前記第２工程の後、前記純水ミストを前記処理チャンバー外へ排出する第３工程と、
前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板の表面に、前記所定の処理温度の薬液を供給することにより前記半導体基板を薬液処理する第４工程と備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１工程の前に、予め前記処理チャンバー内を減圧しておくことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第３工程において、前記処理チャンバー内を減圧することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 内部に半導体基板を載置した前処理チャンバー内雰囲気を加熱して常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、前記半導体基板を前記所定の処理温度まで上昇させる第１工程と、
前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板を処理チャンバー内に移動させる第２工程と、
前記処理チャンバー内において、前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板の表面に、前記所定の処理温度の薬液を供給することにより前記半導体基板を薬液処理する第３工程と備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１工程では、前記前処理チャンバーの外周に設置したヒーターまたはランプによって、前記前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１工程では、前記前処理チャンバー内に純水ミストを充満させた後、前記純水ミストにマイクロウェーブを照射して前記純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることによって、前記前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段とを備え、
前記基板昇温手段は、処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、
薬液処理前に前記処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストを前記マイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記処理チャンバーを前記純水ミストで充満させる前または前記純水ミストで充満させた後に、前記処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
- 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段と、
前記半導体基板を前記処理チャンバー内に載置する直前に前記半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、
前記基板昇温手段は、前記前処理チャンバーの外周に配置したヒーターまたはランプであって、前記前処理チャンバー内の雰囲気を加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段と、
前記半導体基板を前記処理チャンバー内に載置する直前に前記半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、
前記基板昇温手段は、前記前処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、前記前処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストを前記マイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記前処理チャンバーを前記純水ミストで充満させる前または前記純水ミストで充満させた後に、前記前処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003064979A JP4037291B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003064979A JP4037291B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006332916A Division JP2007081432A (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004273912A JP2004273912A (ja) | 2004-09-30 |
| JP4037291B2 true JP4037291B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=33126126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003064979A Expired - Fee Related JP4037291B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4037291B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007144315A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP4912916B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2012-04-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5238782B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
| JP2013112892A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | ナノ構造体作製用型体の製造方法、製造装置、ナノ構造体作製用型体及びナノ構造体 |
| JP5926086B2 (ja) | 2012-03-28 | 2016-05-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5889691B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR101543699B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2015-08-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US9748118B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-08-29 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| CN105140158B (zh) * | 2015-09-28 | 2018-10-16 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置和方法 |
| JP6658195B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-03-04 | 大日本印刷株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP7096693B2 (ja) * | 2018-04-13 | 2022-07-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
2003
- 2003-03-11 JP JP2003064979A patent/JP4037291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004273912A (ja) | 2004-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5889691B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR100445259B1 (ko) | 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치 | |
| JP4037291B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP4675803B2 (ja) | 平坦化装置 | |
| JP2010192875A (ja) | 薬液処理装置および薬液処理方法 | |
| JP5926086B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2002219424A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| TW200945432A (en) | Method for removing polysilicon film and memory media | |
| JP6449097B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
| JP2001176855A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US6837943B2 (en) | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate | |
| JP4675772B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
| JP6221155B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| WO2018230377A1 (ja) | 基板処理方法 | |
| WO2020188958A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2007149772A (ja) | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
| JP2010530130A (ja) | 早期乾燥を阻止する方法 | |
| JP5208405B2 (ja) | 基板の処理方法及びプログラム | |
| JPH11260779A (ja) | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 | |
| JP2007081432A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2015119128A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2009508350A (ja) | 基板の処理方法および装置回路基板処理のための方法および装置 | |
| KR20080084187A (ko) | 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체기판의 습식 처리 방법 | |
| JP5270183B2 (ja) | ポリマー除去方法およびポリマー除去装置 | |
| JPH0766168A (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060407 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060811 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070815 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071009 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071031 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |