JP4912916B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
この構成によれば、複数の吐出口から分散して吐出されたエッチング液は、基板の下面の回転中心からの距離が互いに異なる複数の部位に直接供給される。基板の下面の複数の供給部位に供給されたエッチング液は、各供給部位を中心として放射状に広がる。このうち、回転中心に向けて広がるエッチング液は基板の回転に伴う遠心力の影響により落下し、また、周縁部に向けて広がるエッチング液は、そのエッチング液よりも基板の周縁部側に供給されるエッチング液と干渉して落液する。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量は比較的少ない。これにより、基板の下面の全域をエッチング処理することができ、しかも、エッチング液の基板の上面側への回り込みを抑制または防止することができる。
また、基板の回転中心から離れた位置ほど、エッチング液ノズルから基板に向けて吐出されるエッチング液の吐出流量が多くなる。一方、エッチング液の供給を受ける基板下面位置は、回転中心から離れているほど、高速に移動している。その結果、複数の吐出口から吐出された新鮮なエッチング液は、基板の下面に対して、単位面積あたりのエッチング液吐出流量が均一となるように直接供給されることになる。
また、請求項2記載の発明は、基板(W)を水平な姿勢に保持する基板保持手段(2,3)と、前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段(1)と、前記基板保持手段に保持された基板の下面(10)に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心(C)からの距離が異なる複数の吐出口(11,12;111,112)を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液を吐出するためのエッチング液ノズル(7;107)と、前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口に連通する流通路(14)と、前記流通路に、エッチング液と、当該エッチング液とは種類の異なる処理液を選択的に供給する供給機構(15,16)とを含み、前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転される基板の回転中心から離れるほど高密度で配置されている、基板処理装置である。
この構成によれば、複数の吐出口から分散して吐出されたエッチング液は、基板の下面の回転中心からの距離が互いに異なる複数の部位に直接供給される。基板の下面の複数の供給部位に供給されたエッチング液は、各供給部位を中心として放射状に広がる。このうち、回転中心に向けて広がるエッチング液は基板の回転に伴う遠心力の影響により落下し、また、周縁部に向けて広がるエッチング液は、そのエッチング液よりも基板の周縁部側に供給されるエッチング液と干渉して落液する。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量は比較的少ない。これにより、基板の下面の全域をエッチング処理することができ、しかも、エッチング液の基板の上面側への回り込みを抑制または防止することができる。
また、基板の回転中心から離れた位置ほど、エッチング液ノズルから基板に向けて吐出されるエッチング液の吐出流量が多くなる。一方、エッチング液の供給を受ける基板下面位置は、回転中心から離れているほど、高速に移動している。その結果、複数の吐出口から吐出された新鮮なエッチング液は、基板の下面に対して、単位面積あたりのエッチング液吐出流量が均一となるように直接供給されることになる。
この構成によれば、回転状態の基板の下面のほぼ全域に対して新鮮なエッチング液を直接供給することができる。
請求項4記載の発明は、前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転されている基板の下面における単位面積当たりのエッチング液吐出流量が基板下面の全域において均一になるように設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の下面における単位面積当たりのエッチング液吐出流量が基板下面のほぼ全域において均一になっている。このため、新鮮なエッチング液を、基板の下面のほぼ全域に、均一に直接供給することができる。
この構成によれば、複数の吐出口から分散して吐出されたエッチング液は、基板の下面の回転中心からの距離が互いに異なる複数の部位に直接供給される。基板の下面の複数の供給部位に供給されたエッチング液は、各供給部位を中心として放射状に広がる。このうち、回転中心に向けて広がるエッチング液は基板の回転に伴う遠心力の影響により落下し、また、周縁部に向けて広がるエッチング液は、そのエッチング液よりも基板の周縁部側に供給されるエッチング液と干渉して落液する。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量は比較的少ない。これにより、基板の下面の全域をエッチング処理することができ、しかも、エッチング液の基板の上面側への回り込みを抑制または防止することができる。
また、ほぼ同じ密度で配列された複数の周辺吐出口からエッチング液が基板に供給されるので、エッチング液ノズルから基板の下面に吐出されるエッチング液の吐出流量は、基板の中心部を除いてほぼ等しい。基板の回転半径方向にわたってほぼ等しくなる。このため、各吐出口から吐出されたエッチング液は互いに適当に干渉し合うようになる。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量が一層少なくなる。これにより、エッチング液の基板の上面側への回り込みをより一層抑制することができる。
また、ほぼ同じ密度で配列された複数の周辺吐出口からエッチング液が基板に供給されるので、エッチング液ノズルから基板の下面に吐出されるエッチング液の吐出流量は、基板の中心部を除いてほぼ等しい。基板の回転半径方向にわたってほぼ等しくなる。このため、各吐出口から吐出されたエッチング液は互いに適当に干渉し合うようになる。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量が一層少なくなる。これにより、エッチング液の基板の上面側への回り込みをより一層抑制することができる。
また、基板の下面の中心部に対向する領域に吐出口を設けないとすると、また、当該領域に吐出口を周辺吐出口よりも低い密度で配置すると、基板の下面の中心部ではそれ以外の領域よりもエッチング液の吐出流量が少なくなる。このため、基板下面の各位置の移動速度が比較的遅い基板の中心部におけるエッチングレートの上昇を抑制することができる。これにより、基板の下面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる。
基板の下面の中心部に対向する吐出口をエッチング液ノズルに設ける場合には、基板の下面の回転中心に対向する位置から基板の回転半径方向にずらした位置に吐出口を配置することが好ましい。この場合、基板の下面の回転中心にエッチング液が直接供給されないので、基板の回転中心におけるエッチングレートの急激な上昇を抑制することができる。また、この場合、エッチング液が基板の下面に達したときのエッチング液の広がりによって、基板の下面の回転中心にエッチング液を供給することができる位置に吐出口が配置されていれば、より好ましい。
また、周縁部用吐出口のエッチング液の吐出流量は、内側吐出口の吐出流量よりも多い。そのため、基板の下面の周縁部ではそれより内側の領域よりもエッチング液の吐出流量が多くなる。このため、基板下面の各位置の移動速度が比較的速い基板の周縁部におけるエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の下面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる。
また、ほぼ同じ密度で配列された複数の周辺吐出口からエッチング液が基板に供給されるので、エッチング液ノズルから基板の下面に吐出されるエッチング液の吐出流量は、基板の中心部を除いてほぼ等しい。基板の回転半径方向にわたってほぼ等しくなる。このため、各吐出口から吐出されたエッチング液は互いに適当に干渉し合うようになる。したがって、基板の周縁部に到達するエッチング液の量が一層少なくなる。これにより、エッチング液の基板の上面側への回り込みをより一層抑制することができる。
また、基板の下面の中心部に対向する領域に吐出口を設けないとすると、また、当該領域に吐出口を周辺吐出口よりも低い密度で配置すると、基板の下面の中心部ではそれ以外の領域よりもエッチング液の吐出流量が少なくなる。このため、基板下面の各位置の移動速度が比較的遅い基板の中心部におけるエッチングレートの上昇を抑制することができる。これにより、基板の下面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる。
基板の下面の中心部に対向する吐出口をエッチング液ノズルに設ける場合には、基板の下面の回転中心に対向する位置から基板の回転半径方向にずらした位置に吐出口を配置することが好ましい。この場合、基板の下面の回転中心にエッチング液が直接供給されないので、基板の回転中心におけるエッチングレートの急激な上昇を抑制することができる。また、この場合、エッチング液が基板の下面に達したときのエッチング液の広がりによって、基板の下面の回転中心にエッチング液を供給することができる位置に吐出口が配置されていれば、より好ましい。
また、鉛直方向に対して基板の半径方向の外方に傾斜した方向に向けてエッチング液が吐出される。このため、エッチング液ノズルの先端が基板の周縁部よりも内側に入り込んでいる場合であっても、基板の周縁部に対してエッチング液を直接供給することができる。
請求項8記載の発明は、前記エッチング液ノズル(307;407;507)の前記複数の吐出口(311,312;411,412,413;511,512)から吐出されるエッチング液を加熱するエッチング液加熱手段(28)をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項9記載の発明は、前記基板保持手段(1;301)は、基板の周縁部の異なる位置にそれぞれ当接し、協働して基板を水平な姿勢に保持する複数の保持部材(3;303)を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置300の構成を図解的に示す断面図である。
この基板処理装置300は、たとえば酸化膜シリコンウエハからなる円板状の半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wにおけるデバイス形成領域側の表面(下面)9に対して、酸化膜の除去のためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。この実施形態では、エッチング液としてたとえばふっ酸が用いられる。
図2は、図1に示す基板処理装置300のスピンチャック301の構成を図解的に示す平面図である。
また、スピンベース302上には、平面視で一文字形状のエッチング液ノズル307が配置されている。このエッチング液ノズル307は、ウエハWの回転中心Cを通ってウエハWの回転半径方向に沿って延びる長尺のノズルである。スピンベース302の回転時におけるエッチング液ノズル307と挟持部材303との干渉を防ぐために、エッチング液ノズル307の両端は、スピンベース302の周縁部のやや内方で止まっている。このため、エッチング液ノズル307の両端は、スピンチャック301により保持されるウエハWの端面よりも内方に位置している。
エッチング液ノズル307の上面には、ウエハWの回転軸線(鉛直軸線)1a上に配置された回転軸吐出口311と、この回転軸吐出口311を挟んで配置された一対の周辺吐出口群310が設けられている。各周辺吐出口群310は、ウエハWの回転中心Cからの距離が互いに異なる複数の周辺吐出口312を備えている。複数の周辺吐出口312は、エッチング液ノズル307の形状に沿って(ウエハWの回転半径方向に沿って)配列されている。この複数の周辺吐出口312は、ウエハWの回転中心Cを除く領域に対向する領域に、等間隔(等密度)で配置されている。各吐出口311,312からは、上方(鉛直方向)に向けてエッチング液が吐出される。
本件発明者が試作実験を行った後述の実施例1では、エッチング液ノズル307の長さは272mm、吐出口311,312の径は0.5mm、吐出口311,312間の間隔は5mmにそれぞれ設定されている。
挿通管306の内部には、回転軸線1aに沿って流通路314が形成されている。この流通路314は、供給路313と連通している。流通路314には集合供給管30が接続されている。集合供給管30には、エッチング液供給源からエッチング液が供給されるエッチング液供給管27が接続されている。エッチング液供給管27の途中部には、エッチング液供給源側から順に、エッチング液バルブ315と、エッチング液供給管27を流通するエッチング液を加熱するためのヒータ28とが介装されている。エッチング液バルブ315が開かれると、エッチング液供給管27をエッチング液が流通し、その流通の途中でヒータ28により40〜80℃に加熱されたエッチング液が流通路314に供給される。また、集合供給管30には、純水供給源から純水(エッチング液とは種類の異なる処理液。脱イオン水)が供給される純水供給管29が接続されている。純水供給管29の途中部には、純水バルブ316が介装されており、純水が流通路314に供給されるようになっている。
スピンチャック301の上方には、ウエハWとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板320が設けられている。遮断板320は、その中心部に開口319を有している。遮断板320の上面には、スピンチャック301の回転軸線1aと共通の軸線に沿う回転軸321が固定されている。この回転軸321は中空に形成されていて、その内部には、遮断板320の開口319と連通し、ウエハWの中央に向けて窒素ガスを供給するガス供給路323が形成されている。ガス供給路323には、窒素ガスバルブ324を介して窒素ガスが供給されるようになっている。
処理対象のウエハWの搬入前は、その搬入の妨げにならないように、遮断板320はスピンチャック301の上方に大きく退避した退避位置に位置している。
ウエハWの処理に際して、まず、図示しない搬送ロボットにより、ウエハWが基板処理装置300に搬入され、そのウエハWが、表面を下方に向けた状態でスピンチャック301のスピンベース302に保持される。ウエハWがスピンベース302に保持されると、チャック回転駆動機構304が制御されて、スピンベース302によるウエハWの回転が開始され、ウエハWの回転速度がたとえば1000rpmまで上げられる。このとき、前述のようにエッチング液ノズル307は静止状態にあり、スピンベース302の回転にともなって回転することはない。また、遮断板昇降駆動機構325の制御によって、遮断板320が、スピンベース302に保持されたウエハWの上面に近接する近接位置まで下降する。そして、遮断板回転駆動機構326が制御されて遮断板320がウエハWと同方向に回転しつつ、窒素ガスバルブ324が開かれて、遮断板320の開口319から、ウエハWと遮断板320との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハWと遮断板320との間の空間に、遮断板320の中心部から径方向外方に向けて流れる窒素ガスの気流が生じる。
各吐出口311,312からウエハWの下面9に供給されたエッチング液は、その供給部位を中心として放射状に広がった後、ウエハWの回転に伴う遠心力を受けて下面9をウエハWの周縁部に向けて移動し、その周縁部からウエハWの外方に向けて排除される。
エッチング液の供給開始から所定時間(たとえば1分間)が経過すると、エッチング液バルブ315が閉じられる。その後、純水バルブ316が開かれて回転軸吐出口11および周辺吐出口12からウエハWの下面9の全域に純水が供給される。また、ウエハWの回転速度は、たとえば1000rpmから500rpmまで下げられる。このとき、回転軸吐出口311から吐出された純水は、ウエハWの下面9の回転中心Cに直接供給される。また、各周辺吐出口312から吐出された純水は、ウエハWの下面9のうち、各周辺吐出口312と対向する部位に直接供給される。
ウエハW(の上面)と遮断板320との間の空間には、遮断板320の中心からウエハWの回転半径方向外方に向けて流れる窒素ガスの気流が生じている。このため、純水とエッチング液との混合液が、ウエハWの上面側への回り込みが抑制または防止される。
そして、ウエハWの回転速度が500rpmから2500rpmに上げられて、水洗処理後のウエハWの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。このスピンドライ処理がたとえば120秒間にわたって行われると、ウエハWの回転が停止されて、エッチング処理済みのウエハWがスピンチャック301から搬出されていく。
また、吐出口311、312が等間隔で配置されているため、エッチング液ノズル307からウエハWの下面9に直接吐出されるエッチング液の吐出流量は、ウエハWの中心部から周縁部までほぼ等しくなる。このため、各周辺吐出口312から吐出されたエッチング液は、互いに適当に干渉し合う。これにより、ウエハWの周縁部に到達するエッチング液の量が一層少なくなる。ゆえに、エッチング液のウエハWの上面側への回り込みを、より一層抑制することができる。
図3は、この発明の他の実施形態(第2の実施形態)にかかる基板処理装置400のエッチング液ノズル407の平面図である。図4は、エッチング液ノズル407の要部構成を示す縦断面図である。この第2の実施形態において、前述の図2の実施形態(第1の実施形態)に示された各部に対応する部分には、図2の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
中央部吐出口411は、ウエハWの回転軸線1aから所定の間隔を隔てて配置されている。中央部吐出口411は、エッチング液ノズル407の一方側にのみ設けられており、エッチング液ノズル407の他方側には設けられていない。このように、エッチング液ノズル407の中央部では、エッチング液ノズル407の他の領域と比較して、吐出口411,412,413の配置密度が低い。
周辺吐出口(一方側の周辺吐出口(第1周辺吐出口)および他方側の周辺吐出口(第2周辺吐出口))412,413は、ウエハWの下面9の中心部を除く領域(中心部と周縁部との間の領域および周縁部)に対向する領域に、等間隔(等密度)で配置されている。
これに対し、拡径吐出口413は、その吐出方向が鉛直方向に対してウエハWの回転半径方向の外方に45〜60°傾斜している。このため、エッチング液ノズル407の両端よりもウエハWの回転方向外方に位置するウエハWの周縁部に対して、エッチング液を直接供給することができる。
さらに、拡径吐出口413の吐出流量は、それ以外の周辺吐出口412の吐出流量よりも多い。このため、下面9の各位置の移動速度が比較的速いウエハWの周縁部におけるエッチングレートの低下を抑制することができる。ゆえに、ウエハWの下面9の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる。
1000rpmの速度で回転する外径300mmの酸化膜シリコンのウエハWの下面(表面)9に対し、実施例1、実施例2および後述する比較例のエッチング液ノズルから55℃のふっ酸(濃度50wt%)を1.0L/minの吐出流量で吐出させてエッチング試験を行った。このエッチング量の面内分布を測定するためのエッチング試験では、エッチング時間は11秒とした。
比較例は、いわゆる斜め傘タイプのエッチング液ノズルを用いて、前記と同じ条件でエッチング試験を用いた場合を示している。この比較例のエッチング液ノズルの構成は前述の特許文献2に示す。
エッチング均一性(%)=(最大エッチング量−最小エッチング量)/2/平均エッチング量 ・・・(1)
図6は、エッチング試験におけるエッチング液の回り込み量を示す図である。
このとき、実施例1のエッチング液ノズル307を用いた場合の平均回り込み量は0.80mm、最大回り込み量は0.90mmであり、挟持部材303と当接していた部分でエッチング跡は見られなかった。また、実施例2のエッチング液ノズル407を用いた場合の平均回り込み量は1.10mm、最大回り込み量は1.25mmであり、挟持部材303と当接していた部分で最大0.5mmのエッチング跡が見られた。また、従来例のエッチング液ノズルを用いた場合の平均回り込み量は1.21mm、最大回り込み量は1.55mmであり、挟持部材303と当接していた部分で最大1.55mmのエッチング跡が見られた。
図7は、この発明の他の実施形態(第3の実施形態)にかかる基板処理装置500のスピンチャックの平面図である。この第3の実施形態において、前述の第1の実施形態に示された各部に対応する部分には、図1および図2の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この第3の実施形態では、エッチング液ノズル507は、平面視で一文字形状のものではなく、平面視で十文字形状のものである。
以上、3つの実施形態について説明したが、この発明は、半導体ウエハWの酸化膜除去のためのエッチング処理だけでなく、その他のエッチング処理にも適用することができる。以下、この発明を半導体ウエハのシンニングのためのエッチング処理に適用した場合について説明する。
半導体ウエハWのシンニングでは、エッチング液としてたとえばふっ硝酸が用いられる。
ふっ硝酸は、エッチング力の非常に高いエッチング液であるが、エッチング対象に接触してそのエッチング作用を発揮すると、速やかにそのエッチング力を失って劣化してしまう。そのため、ふっ硝酸を用いた半導体ウエハのエッチング処理では、新鮮なふっ硝酸と直接接触する領域だけが十分にエッチングされ、新鮮なふっ硝酸と直接接触しない領域にはエッチングが十分に行われていなかった。これにより、エッチング処理の面内不均一が生じるという問題があった。
図8および図9を参照して、スピンチャック1は、円盤状のスピンベース2を有している。このスピンベース2の上面には、その周縁部にほぼ等角度間隔で複数(この実施形態では6つ)の挟持部材3が配置されている。スピンベース2は、モータを含むチャック回転駆動機構4によって回転される回転軸5の上端に結合されて回転されるようになっている。回転軸5は中空軸であり、その内部には挿通管6が挿通されている。挿通管6は、非回転状態で回転軸5内に保持されるようになっている。
以下、この基板処理装置100におけるウエハWの下面10のエッチング処理について説明する。
ウエハWの処理に際して、まず、図示しない搬送ロボットにより、ウエハWが基板処理装置100に搬入され、そのウエハWが、表面を上方に向けた状態でスピンチャック1のスピンベース2に保持される。ウエハWがスピンベース2に保持されると、チャック回転駆動機構4が制御されて、スピンベース2によるウエハWの回転が開始され、ウエハWの回転速度がたとえば3000pmまで上げられる。このとき、前述のように、エッチング液ノズル7は静止状態にあり、スピンベース2の回転にともなって回転することはない。また、遮断板昇降駆動機構25の制御によって、遮断板20が、スピンベース2に保持されたウエハWの上面に近接する近接位置まで下降する。そして、遮断板回転駆動機構26が制御されて遮断板20がウエハWと同方向に回転しつつ、窒素ガスバルブ24が開かれて、遮断板20の開口19から、ウエハWと遮断板20との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハWと遮断板20との間の空間に、遮断板20の中心部から径方向外方に向けて流れる窒素ガスの気流が生じる。
しかしながら、回転状態のウエハWのほぼ全域で、新鮮なエッチング液が均一に供給されているので、ウエハWの下面10が非常に高いエッチングレート(常温で50μm/min程度)で、かつ、均一にエッチングされる。そして、エッチング液ノズル7が平面視で十文字形状を有しているので、回転状態のウエハWの下面10の全域に新鮮なエッチング液が次々と供給される。
ウエハWの下面10に供給されたエッチング液は、ウエハWの回転による遠心力によって、ウエハWの下面10を伝って周縁部に向けて流れ、その周縁部からウエハWの外方に向けて排除される。ウエハW(の上面)と遮断板20との間の空間には、遮断板20の中心部から径方向外方に向けて流れる窒素ガスの気流が生じているので、ウエハWの周縁部に向けて流れるエッチング液は、エッチング液がウエハWの上面に回り込むことがない。これにより、ウエハWの上面に形成されたデバイスがエッチング液によってダメージを受けることを防止することができる。
ウエハWと遮断板20との間の空間には、遮断板20の中心から径方向外方に向けて流れる窒素ガスの気流が生じている。このため、ウエハWの周縁に向けて流れる純水とエッチング液との混合液が、ウエハWの上面に回り込むことがない。このため、ウエハWの上面に形成されたデバイスがエッチング液によってダメージを受けることを防止することができる。
そして、ウエハWの回転速度が1500rpmから3000rpmに上げられて、水洗処理後のウエハWの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。このスピンドライ処理がたとえば120秒間にわたって行われると、ウエハWの回転が停止されて、エッチング処理済みのウエハWがスピンチャック1から搬出されていく。
図10は、この発明の他の実施形態(第5の実施形態)にかかる基板処理装置200のスピンチャックの平面図である。この第5の実施形態の基板処理装置200のエッチング液ノズル107が図4のエッチングノズル7と相違する点は、平面視で十文字形状のものではなく、平面視で一文字形状のものである。すなわち、エッチング液ノズル107は、回転軸線1aを通ってウエハWの回転半径方向に沿って延びる長尺のノズルである。エッチング液ノズル107の両端は、スピンベース2の周縁のやや内方まで延びている。
前述の各実施形態では、エッチング液ノズル7,107,307,407,507は平面視で十文字形状や一文字形状であるものを例にとって説明したが、たとえば、エッチング液ノズルは、平面視で回転中心Cから回転半径方向外方の三方、五方、六方、七方、八方など、任意の複数方向に向けて等角度間隔で放射状に延びるものであってもよい。さらにまた、エッチング液ノズルは、回転中心C上からウエハWの一回転半径方向に延びる長尺のもの(すなわち、図2、図3および図10のエッチング液ノズル307,407,107のほぼ半分の長さのもの)であってもよい。
さらに、挿通管306,6とともにエッチング液ノズル307,407,507,7,107を回転軸線1aまわりに回転可能な構成とし、回転状態のエッチング液ノズル307,407,507,7,107からウエハWに向けてエッチング液が吐出されていてもよい。
1a 回転軸線(鉛直軸線)
2,302 スピンベース
3,303 挟持部材(保持部材)
7,107,307,407,507 エッチング液ノズル
9 下面(表面)
10 下面(裏面)
11,111,311,511 回転軸吐出口
12,112,312,512 周辺吐出口
14 流通路
15 エッチング液バルブ(供給機構)
16 純水バルブ(供給機構)
28 ヒータ(エッチング液加熱手段)
100,200,300,400,500 基板処理装置
411 中央部吐出口
412 周辺吐出口(内側吐出口)
413 拡径吐出口(周辺吐出口、傾斜吐出口,周縁部用吐出口)
C 回転中心
W ウエハ(基板)
Claims (9)
- 基板を水平な姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心からの距離が異なる複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液が吐出されるエッチング液ノズルとを含み、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、基板の回転中心から離れるほど高密度で配置されており、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転される基板の回転半径方向に沿って一列に配列されており、
各吐出口は、当該吐出口と、前記回転半径方向の外側に隣接する吐出口との間の間隔が、当該吐出口と、前記回転半径方向の内側に隣接する吐出口との間隔よりも狭くなるように配置されている、基板処理装置。 - 基板を水平な姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心からの距離が異なる複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液を吐出するためのエッチング液ノズルと、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口に連通する流通路と、
前記流通路に、エッチング液と、当該エッチング液とは種類の異なる処理液を選択的に供給する供給機構とを含み、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転される基板の回転中心から離れるほど高密度で配置されている、基板処理装置。 - 前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転される基板の回転半径方向に沿って配列されている、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口が、前記回転手段によって回転されている基板の下面における単位面積当たりのエッチング液吐出流量が基板下面の全域において均一になるように設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平な姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心からの距離が異なる複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液が吐出されるエッチング液ノズルとを含み、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口は、
前記回転手段によって回転される基板の中心部に対向する領域における、エッチング液が基板の下面に達したときのエッチング液の広がりによって基板の回転中心にエッチング液を供給することができる位置に配置された中央部吐出口と、
前記回転手段によって回転される基板の中心部を除く領域に対向して、前記回転手段によって回転される基板の回転半径方向に沿って等密度で配列された複数の第1周辺吐出口と、
前記回転手段によって回転される基板の中心部を除く領域に対向して、前記第1周辺吐出口の配列方向に沿って等密度で配列された複数の第2周辺吐出口とを含み、
前記複数の第2周辺吐出口は、前記複数第1周辺吐出口と、基板の回転中心を挟んだ反対側の領域に配列されており、
前記複数の吐出口は、基板の回転中心から見て一方側に配列された前記複数の吐出口の配列態様と、基板の回転中心から見て他方側に配列された前記複数の吐出口の配列態様とが、基板の回転中心を対称中心として非対称になるように配列されている、基板処理装置。 - 基板を水平な姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心からの距離が異なる複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液が吐出されるエッチング液ノズルとを含み、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口は、前記回転手段によって回転される基板の中心部を除く領域に対向して、回転半径方向に沿って等密度で配列された複数の周辺吐出口を含み、
前記複数の周辺吐出口は、前記回転手段によって回転される基板の周縁部に対してエッチング液を供給するための周縁部用吐出口と、その周縁部用吐出口よりも基板の回転中心寄りに配置された複数の内側吐出口とを含み、
前記周縁部用吐出口は、前記内側吐出口よりも径が大きい拡径吐出口を含む、基板処理装置。 - 基板を水平な姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向して配置され、前記回転手段によって回転される基板の回転中心からの距離が異なる複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口から、前記回転手段によって回転される基板の下面に向けてエッチング液が吐出されるエッチング液ノズルとを含み、
前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口は、前記回転手段によって回転される基板の中心部を除く領域に対向して、回転半径方向に沿って等密度で配列された複数の周辺吐出口を含み、
前記複数の周辺吐出口は、前記回転手段によって回転される基板の周縁部に対してエッチング液を供給するための周縁部用吐出口を含み、
前記周縁部用吐出口は、鉛直方向に対して基板の半径方向の外方に傾斜した方向に向けてエッチング液を吐出する傾斜吐出口を含む、基板処理装置。 - 前記エッチング液ノズルの前記複数の吐出口から吐出されるエッチング液を加熱するエッチング液加熱手段をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、基板の周縁部の異なる位置にそれぞれ当接し、協働して基板を水平な姿勢に保持する複数の保持部材を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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