JP2009231732A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性の向上を図ることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハに対するエッチング処理の開始に先立ち、エッチング液の温度がウエハの温度と同じ温度に調節される。そして、その温度調節されたエッチング液がウエハの表面および裏面に供給される。これにより、ウエハの表面および裏面に供給されたエッチング液がその表面および裏面を流れる間に、エッチング液とウエハとの間で大きな熱交換が行われるのを防止することができる。その結果、ウエハの表面および裏面の全域において、エッチング液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、エッチング液による処理のレート、つまりエッチングレートを均一にすることができる。
【選択図】図3
【解決手段】ウエハに対するエッチング処理の開始に先立ち、エッチング液の温度がウエハの温度と同じ温度に調節される。そして、その温度調節されたエッチング液がウエハの表面および裏面に供給される。これにより、ウエハの表面および裏面に供給されたエッチング液がその表面および裏面を流れる間に、エッチング液とウエハとの間で大きな熱交換が行われるのを防止することができる。その結果、ウエハの表面および裏面の全域において、エッチング液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、エッチング液による処理のレート、つまりエッチングレートを均一にすることができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板に対する処理液を用いた処理のための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対する処理液を用いた処理が含まれる。このような処理の一例として、基板の表面にふっ酸などのエッチング液を供給し、その基板の表面に形成された薄膜を除去するエッチング処理がある。
枚葉式のエッチング処理を実施するための装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックにより回転される基板の表面にエッチング液を供給するためのノズルとを備えている。スピンチャックにより基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルからエッチング液が供給される。基板の表面上に供給されたエッチング液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域にエッチング液が行き渡り、基板の表面から薄膜が除去される。
特開2005−252177号公報
枚葉式のエッチング処理を実施するための装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックにより回転される基板の表面にエッチング液を供給するためのノズルとを備えている。スピンチャックにより基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルからエッチング液が供給される。基板の表面上に供給されたエッチング液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域にエッチング液が行き渡り、基板の表面から薄膜が除去される。
エッチングレートを高めるため、基板の表面に供給されるエッチング液は、基板の温度よりも高い温度に加温されている。基板の表面の回転中心付近に供給されたエッチング液は、基板との温度差により、基板の周縁に向けて流れる間に、基板との間で熱交換を行う。そのため、基板の表面上のエッチング液の温度は、基板の周縁に近づくほど低下する。その結果、基板の表面の周縁部上でのエッチングレートがその回転中心付近上(中央部上)でのエッチングレートよりも低くなり、基板の表面上におけるエッチングレートの不均一が生じる。
そこで、本発明の目的は、基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性の向上を図ることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板の主面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、前記基板温度検出手段により検出される前記基板の温度に基づいて、前記処理液の温度を調節する処理液温度調節手段とを含む、基板処理装置である。
この構成では、基板の温度に基づいて、基板の主面に供給される処理液の温度が調節される。この温度調節により、たとえば、処理液の温度を基板の温度に近づけることができる。こうすれば、処理液と基板との温度差を小さくすることができるので、基板の主面上に供給された処理液がその主面上を流れる間に、処理液と基板との間で大きな熱交換が行われるのを防止することができる。その結果、基板の主面上の全域において、処理液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、処理液による処理のレートを均一にすることができる。よって、基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性の向上を図ることができる。
この構成では、基板の温度に基づいて、基板の主面に供給される処理液の温度が調節される。この温度調節により、たとえば、処理液の温度を基板の温度に近づけることができる。こうすれば、処理液と基板との温度差を小さくすることができるので、基板の主面上に供給された処理液がその主面上を流れる間に、処理液と基板との間で大きな熱交換が行われるのを防止することができる。その結果、基板の主面上の全域において、処理液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、処理液による処理のレートを均一にすることができる。よって、基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性の向上を図ることができる。
前記処理液温度調節手段は、前記処理液の温度を検出するための処理液温度検出手段と、前記処理液を加熱および冷却する処理液加熱/冷却手段と、前記基板温度検出手段により検出される前記基板の温度および前記処理液温度検出手段により検出される前記処理液の温度に基づいて、前記処理液加熱/冷却手段を制御する制御手段とを備えていてもよい。
前記処理液温度調節手段は、請求項2に記載のように、(前記処理液供給手段により前記基板の主面に供給される)前記処理液の温度を前記基板温度検出手段により検出される前記基板の温度と同じ温度に調節することが好ましい。
処理液の温度が基板の温度と同じ温度に調整されることにより、処理液と基板との温度差がなくなる。その結果、基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性をさらに高めることができる。
処理液の温度が基板の温度と同じ温度に調整されることにより、処理液と基板との温度差がなくなる。その結果、基板の主面に対する処理液を用いた処理の面内均一性をさらに高めることができる。
前記基板温度検出手段は、請求項3に記載のように、前記基板の周囲の気温を測定し、その測定した気温を前記基板の温度として検出するものであってもよい。
基板の主面に処理液が供給される前に、基板の加熱や冷却が行われていなければ、処理液が供給される時点での基板の温度は、その周囲の気温とほぼ同じであると推定される。したがって、基板の周囲の気温を計測し、この測定した気温を基板の温度として検出することができる。
基板の主面に処理液が供給される前に、基板の加熱や冷却が行われていなければ、処理液が供給される時点での基板の温度は、その周囲の気温とほぼ同じであると推定される。したがって、基板の周囲の気温を計測し、この測定した気温を基板の温度として検出することができる。
前記基板温度検出手段は、請求項4に記載のように、前記基板温度検出手段は、前記基板から放射される赤外線の強度を測定し、その測定した強度に基づいて、前記基板の温度を検出するものであってもよい。つまり、前記基板温度検出手段は、いわゆる放射温度計であってもよい。
前記基板処理装置は、請求項5に記載のように、前記基板温度検出手段によって検出される前記基板の温度に基づいて、前記処理液供給手段による処理液の供給時間を設定する供給時間設定手段をさらに含むことが好ましい。
前記基板処理装置は、請求項5に記載のように、前記基板温度検出手段によって検出される前記基板の温度に基づいて、前記処理液供給手段による処理液の供給時間を設定する供給時間設定手段をさらに含むことが好ましい。
処理液による処理レートは、処理液の温度に依存する。そして、処理の進行量は、処理レートおよび処理液の供給時間に依存する。そのため、基板の温度に基づいて、処理液の温度が調節されるとともに、基板の主面に対する処理液の供給時間が設定されることにより、基板の主面における処理の進行量を適正にすることができる。
請求項6に記載の発明は、基板の温度を検出する基板温度検出工程と、前記基板温度検出工程で検出される前記基板の温度に基づいて、処理液の温度を調整する処理液温度調節工程と、前記処理液温度調節工程で温度が調節された処理液を前記基板の主面に供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法である。
請求項6に記載の発明は、基板の温度を検出する基板温度検出工程と、前記基板温度検出工程で検出される前記基板の温度に基づいて、処理液の温度を調整する処理液温度調節工程と、前記処理液温度調節工程で温度が調節された処理液を前記基板の主面に供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法である。
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置100は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この基板処理装置100で行われる処理は、処理液を用いた処理であり、以下では、ウエハWの表面(デバイス形成面)および裏面(デバイス形成面と反対側の非デバイス形成面)にふっ酸などのエッチング液を供給し、その基板の表面に形成された薄膜や裏面に付着した不要物を除去するエッチング処理を例にとって説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置100は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この基板処理装置100で行われる処理は、処理液を用いた処理であり、以下では、ウエハWの表面(デバイス形成面)および裏面(デバイス形成面と反対側の非デバイス形成面)にふっ酸などのエッチング液を供給し、その基板の表面に形成された薄膜や裏面に付着した不要物を除去するエッチング処理を例にとって説明する。
基板処理装置100は、インデクサユニット1が装置本体2に対して結合された構成を有している。
インデクサユニット1には、複数(この実施形態では4個)のキャリアCを並べて載置可能なキャリア載置台3と、各キャリアCに対してウエハWを搬入/搬出するためのインデクサロボット4とが備えられている。
インデクサユニット1には、複数(この実施形態では4個)のキャリアCを並べて載置可能なキャリア載置台3と、各キャリアCに対してウエハWを搬入/搬出するためのインデクサロボット4とが備えられている。
キャリアCは、その内部に複数枚(たとえば、25枚)のウエハWを所定間隔を空けた積層配列状態で収容することができるものである。このようなキャリアCとしては、FOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)などを用いることができる。
インデクサロボット4は、キャリア載置台3に対する装置本体2側に配置されている。そして、インデクサロボット4は、キャリアCの並び方向に沿って走行可能に構成されている。また、インデクサロボット4は、図示しないが、ウエハWを保持するためのハンドと、このハンドを水平方向に進退させるための機構とを備えている。これにより、インデクサロボット4は、キャリアCに対向する位置へと移動して、そのキャリアCに対してハンドを進退させることができ、このハンドの進退により、キャリアCに対するウエハWの搬入/搬出を行うことができる。
インデクサロボット4は、キャリア載置台3に対する装置本体2側に配置されている。そして、インデクサロボット4は、キャリアCの並び方向に沿って走行可能に構成されている。また、インデクサロボット4は、図示しないが、ウエハWを保持するためのハンドと、このハンドを水平方向に進退させるための機構とを備えている。これにより、インデクサロボット4は、キャリアCに対向する位置へと移動して、そのキャリアCに対してハンドを進退させることができ、このハンドの進退により、キャリアCに対するウエハWの搬入/搬出を行うことができる。
装置本体2には、搬送室5と、4つの処理チャンバ6と、4つの流体ボックス7とが設けられている。
搬送室5は、インデクサロボット4の走行方向と直交する方向に延びている。
2つの処理チャンバ6は、搬送室5に対するその長手方向と直交する方向の一方側に、搬送室5に沿う方向に互いに隣接して配置されている。残りの2つの処理チャンバ6は、搬送室5に対するその長手方向と直交する方向の他方側に、搬送室5に沿う方向に互いに隣接して配置されている。
搬送室5は、インデクサロボット4の走行方向と直交する方向に延びている。
2つの処理チャンバ6は、搬送室5に対するその長手方向と直交する方向の一方側に、搬送室5に沿う方向に互いに隣接して配置されている。残りの2つの処理チャンバ6は、搬送室5に対するその長手方向と直交する方向の他方側に、搬送室5に沿う方向に互いに隣接して配置されている。
4つの流体ボックス7は、それぞれ処理チャンバ6に対応して設けられている。各流体ボックス7は、その対応する処理チャンバ6に対して搬送室5の長手方向に隣接して配置されている。
搬送室5内の平面視における中央部には、搬送ロボット8が配置されている。搬送ロボット8は、鉛直軸線まわりに回転可能に構成されている。また、搬送ロボット8は、図示しないが、ウエハWを保持するハンドと、このハンドを水平方向に進退させたり、上下方向に昇降させたりするための機構とを備えている。これにより、搬送ロボット8は、任意の処理チャンバ6にハンドを対向させ、そのハンドを処理チャンバに対して進退させることができ、このハンドの進退により、当該処理チャンバに対するウエハWの搬入/搬出を行うことができる。また、搬送ロボット8は、インデクサユニット1にハンドを対向させて、そのハンドをインデクサユニット1に向けて進出させることができる。この状態で、搬送室5と対向する位置に配置されたインデクサロボット4がそのハンドを搬送ロボット8に向けて進出させることにより、インデクサロボット4のハンドと搬送ロボット8のハンドとの間でウエハWを受け渡すことができる。
搬送室5内の平面視における中央部には、搬送ロボット8が配置されている。搬送ロボット8は、鉛直軸線まわりに回転可能に構成されている。また、搬送ロボット8は、図示しないが、ウエハWを保持するハンドと、このハンドを水平方向に進退させたり、上下方向に昇降させたりするための機構とを備えている。これにより、搬送ロボット8は、任意の処理チャンバ6にハンドを対向させ、そのハンドを処理チャンバに対して進退させることができ、このハンドの進退により、当該処理チャンバに対するウエハWの搬入/搬出を行うことができる。また、搬送ロボット8は、インデクサユニット1にハンドを対向させて、そのハンドをインデクサユニット1に向けて進出させることができる。この状態で、搬送室5と対向する位置に配置されたインデクサロボット4がそのハンドを搬送ロボット8に向けて進出させることにより、インデクサロボット4のハンドと搬送ロボット8のハンドとの間でウエハWを受け渡すことができる。
また、搬送室5内には、搬送ロボット8の近傍に、搬送室5内の室温を測定する室温センサ9が設置されている。
図2は、図1に示す搬送室、処理チャンバおよび流体ボックスの図解的な断面図であり、各部の制御のための構成を併せて示す。
処理チャンバ6内には、有底円筒状のカップ11が設けられている。
図2は、図1に示す搬送室、処理チャンバおよび流体ボックスの図解的な断面図であり、各部の制御のための構成を併せて示す。
処理チャンバ6内には、有底円筒状のカップ11が設けられている。
カップ11内には、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャック12が収容されている。このスピンチャック12としては、たとえば、挟持式のものが採用されている。すなわち、スピンチャック12は、複数個の挟持部材でウエハWを挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、スピンチャック12は、ウエハWを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することによって、その保持したウエハWをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
カップ11の上方には、スピンチャック12に保持されたウエハWの上面(表面)にエッチング液を供給するための表面ノズル13が配置されている。表面ノズル13としては、ウエハWの表面におけるエッチング液の供給位置を変更可能なスキャンノズルの形態を有するものが採用されてもよいし、スピンチャック12に対して固定的に配置され、ウエハWの表面における一定位置にエッチング液を供給する固定ノズルが採用されてもよい。
また、カップ11内には、スピンチャック12に保持されたウエハWの下面(裏面)にエッチング液を供給するための裏面ノズル14が設けられている。裏面ノズル14は、たとえば、スピンチャック12におけるウエハWの下面の中央部に対向する位置に形成されている。
カップ11の底面には、カップ11内からエッチング液を排出するためのエッチング液排出管15が接続されている。
カップ11の底面には、カップ11内からエッチング液を排出するためのエッチング液排出管15が接続されている。
流体ボックス7内には、エッチング液を貯留する処理液タンク21が設けられている。
処理液タンク21には、処理液排出管15の先端(処理液の流通方向の下流端)が接続されている。すなわち、処理液排出管15は、処理チャンバ6とこれに対応する流体ボックス7とに跨って配設され、その先端が処理液タンク21に接続されている。
処理液タンク21に貯留されているエッチング液中には、処理液供給管22の一端が浸漬されている。処理液供給管22は、処理液タンク21から流体ボックス7と対応する処理チャンバ6に向けて延び、その処理チャンバ6と流体ボックス7とに跨って配設されている。処理液供給管22には、処理液タンク21側から順に、処理液供給管22を流れるエッチング液の温度を調節するための温調ユニット23と、処理液タンク21に貯留されているエッチング液を処理液供給管22に汲み出すためのポンプ24と、処理液供給管22を開閉するための供給バルブ25とが介装されている。そして、処理液供給管22は、供給バルブ25よりも先端側(処理液の流通方向の下流側)で2つの分岐管に分岐しており、その2つの分岐管は、それぞれ表面ノズル13および裏面ノズル14に接続されている。
処理液タンク21には、処理液排出管15の先端(処理液の流通方向の下流端)が接続されている。すなわち、処理液排出管15は、処理チャンバ6とこれに対応する流体ボックス7とに跨って配設され、その先端が処理液タンク21に接続されている。
処理液タンク21に貯留されているエッチング液中には、処理液供給管22の一端が浸漬されている。処理液供給管22は、処理液タンク21から流体ボックス7と対応する処理チャンバ6に向けて延び、その処理チャンバ6と流体ボックス7とに跨って配設されている。処理液供給管22には、処理液タンク21側から順に、処理液供給管22を流れるエッチング液の温度を調節するための温調ユニット23と、処理液タンク21に貯留されているエッチング液を処理液供給管22に汲み出すためのポンプ24と、処理液供給管22を開閉するための供給バルブ25とが介装されている。そして、処理液供給管22は、供給バルブ25よりも先端側(処理液の流通方向の下流側)で2つの分岐管に分岐しており、その2つの分岐管は、それぞれ表面ノズル13および裏面ノズル14に接続されている。
温調ユニット23は、処理液供給管22を流通するエッチング液を加熱および冷却可能な加熱/冷却機構26と、処理液供給管22を流通するエッチング液の温度を検出するための液温センサ27とを備えている。
また、処理液供給管22には、ポンプ24と供給バルブ25との間において、処理液帰還管28が分岐して接続されている。処理液帰還管28の先端は、処理液タンク21に接続されている。処理液帰還管28の途中部には、処理液帰還管28を開閉するための帰還バルブ29が介装されている。
また、処理液供給管22には、ポンプ24と供給バルブ25との間において、処理液帰還管28が分岐して接続されている。処理液帰還管28の先端は、処理液タンク21に接続されている。処理液帰還管28の途中部には、処理液帰還管28を開閉するための帰還バルブ29が介装されている。
基板処理装置100の運転中(基板処理装置100に電源が投入されている間)は、温調ユニット23およびポンプ24が常に駆動されている。ウエハWへのエッチング液の供給時には、帰還バルブ29が閉じられ、供給バルブ25が開かれる。これにより、処理液供給管22を流れるエッチング液は、表面ノズル13および裏面ノズル14に供給される。一方、ウエハWにエッチング液が供給されない期間は、帰還バルブ29が開かれ、供給バルブ25が閉じられた状態にされる。これにより、処理液供給管22を流れるエッチング液は、処理液帰還管28を通して、処理液タンク21に戻される。すなわち、ウエハWにエッチング液が供給されない期間は、処理液タンク21、処理液供給管22および処理液帰還管28からなる循環路をエッチング液が循環する。
そして、基板処理装置100には、マイクロコンピュータを含む構成の制御部30が備えられている。制御部30には、室温センサ9および液温センサ27の各検出信号が入力されるようになっている。また、制御部30には、供給バルブ25、加熱/冷却機構26および帰還バルブ29などが制御対象として接続されている。
図3は、図2に示す制御部による制御の内容を説明するためのフローチャートである。
図3は、図2に示す制御部による制御の内容を説明するためのフローチャートである。
インデクサロボット4によって、所定枚数(たとえば、25枚)の未処理のウエハWが収容されたキャリアCから1枚目の未処理のウエハWが取り出されると、以下に説明する制御(図3に示すフローチャート)が開始される。
キャリアCから取り出されたウエハWは、インデクサロボット4から搬送ロボット8に受け渡され、搬送室5に搬入される。一方、制御部30により、任意のタイミングで室温センサ9の検出信号が参照され、搬送室5の室温が検知される。ウエハWは、基板処理装置100に搬入される直前に温度変化を生じるような処理は受けておらず、そのため、搬送ロボット8に受け渡されたウエハWの温度は、搬送室5の室温とほぼ同じであると推定される。したがって、室温センサ9の検出信号が表す搬送室5の室温は、制御部30により、ウエハWの温度として検知される(ステップS1)。
キャリアCから取り出されたウエハWは、インデクサロボット4から搬送ロボット8に受け渡され、搬送室5に搬入される。一方、制御部30により、任意のタイミングで室温センサ9の検出信号が参照され、搬送室5の室温が検知される。ウエハWは、基板処理装置100に搬入される直前に温度変化を生じるような処理は受けておらず、そのため、搬送ロボット8に受け渡されたウエハWの温度は、搬送室5の室温とほぼ同じであると推定される。したがって、室温センサ9の検出信号が表す搬送室5の室温は、制御部30により、ウエハWの温度として検知される(ステップS1)。
つづいて、制御部30により、液温センサ27の検出信号が参照されて、ウエハWの温度と処理液供給管22を流通するエッチング液の温度(処理液温度)とが比較され、これらが一致しているか否かが判断される(ステップS2)。そして、ウエハWの温度とエッチング液の温度とが一致していなければ、制御部30により、それらが一致するように、温調ユニット23の加熱/冷却機構26が制御される。具体的には、エッチング液の温度がウエハWの温度よりも低い場合には、処理液供給管22を流通するエッチング液が加熱されるように、加熱/冷却機構26が制御される。逆に、エッチング液の温度がウエハWの温度よりも高い場合には、処理液供給管22を流通するエッチング液が冷却されるように、加熱/冷却機構26が制御される。
このとき、帰還バルブ29が開かれ、供給バルブ25が閉じられており、処理液タンク21、処理液供給管22および処理液帰還管28からなる循環路をエッチング液が循環している。エッチング液が循環路を循環することにより、処理液タンク21内に貯留されているエッチング液は、その温度がウエハWと同じ温度に調節される。
このエッチング液の温度調節と並行して、搬送ロボット8により、1枚目のウエハWが処理チャンバ6に搬入される。処理チャンバ6に搬入されたウエハWは、搬送ロボット8からスピンチャック12に受け渡される。
このエッチング液の温度調節と並行して、搬送ロボット8により、1枚目のウエハWが処理チャンバ6に搬入される。処理チャンバ6に搬入されたウエハWは、搬送ロボット8からスピンチャック12に受け渡される。
ウエハWの搬入およびエッチング液の温度調節がともに完了すると、1枚目のウエハWに対する処理が開始される(ステップS3)。ウエハWに対する処理時には、スピンチャック12により、ウエハWが所定の回転速度で回転される。一方、帰還バルブ29が閉じられ、供給バルブ25が開かれる。これにより、ウエハWの温度と同じ温度に調節されたエッチング液は、表面ノズル13および裏面ノズル14に供給され、表面ノズル13および裏面ノズル14から、それぞれウエハWの表面および裏面に供給される。ウエハWの表面および裏面に供給されたエッチング液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、着液位置から周縁部へ向けて流れる。これにより、ウエハWの表面および裏面の全域に、エッチング液がむらなく行き渡る。その結果、エッチング液の作用により、ウエハWの表面に形成された薄膜や裏面に付着した不要物が除去されていく。ウエハWの表面および裏面の周縁に達したエッチング液は、ウエハWの側方へと飛散し、カップ11に側壁に受け止められる。そして、エッチング液は、カップ11の側壁を伝って流下し、カップ11の底部に集められ、処理液排出管15を通して、処理液タンク21に回収される。
ウエハWに対するエッチング液の供給時間(エッチング時間)は、制御部30により、エッチング液の温度に等しいウエハWの温度に基づいて設定される。たとえば、エッチング液として1:100のDHF(希釈フッ酸)を用いる場合、ウエハWの温度(下表1の上段)に対するエッチングレートを下表1の中段に示す。また、たとえば、エッチング量を15Åとした場合、ウエハWの温度(下表1の上段)に対するエッチング時間を求めると、下表1の下段のようになる。
供給バルブ25が開かれてからウエハWの温度に基づいて設定されたエッチング時間(上表1の下段)が経過すると、供給バルブ25が閉じられ、帰還バルブ29が開かれる。これにより、ウエハWに対するエッチング液の供給が停止され、エッチング液が循環路を循環する。
ウエハWに対するエッチング液の供給停止後は、たとえば、図示しない純水ノズルから回転中のウエハWの表面および裏面に純水が供給され、ウエハWに付着しているエッチング液が純水により洗い流される。この純水によるリンス処理後は、スピンチャック12により、ウエハWが高速回転され、ウエハWに付着している純水が振り切り乾燥される。これにより、1枚のウエハWに対する処理が完了する。なお、エッチング液を洗い流した後の純水は、処理液タンク21に回収されずに廃棄される。
ウエハWに対するエッチング液の供給停止後は、たとえば、図示しない純水ノズルから回転中のウエハWの表面および裏面に純水が供給され、ウエハWに付着しているエッチング液が純水により洗い流される。この純水によるリンス処理後は、スピンチャック12により、ウエハWが高速回転され、ウエハWに付着している純水が振り切り乾燥される。これにより、1枚のウエハWに対する処理が完了する。なお、エッチング液を洗い流した後の純水は、処理液タンク21に回収されずに廃棄される。
処理済みのウエハWは、搬送ロボット8によって、処理チャンバ6から搬出され、インデクサロボット4に受け渡される。そして、インデクサロボット4に受け渡されたウエハWは、インデクサロボット4によって、キャリアCに収納される。
キャリアCから取り出される2枚目以降のウエハWは、ウエハWが搬入されていない処理チャンバ6(空いている処理チャンバ6)に搬入され、前述した処理を受けた後、キャリアCに戻される。そして、キャリアCに収容されていたすべての未処理のウエハW(所定枚数のウエハW)に対する処理が完了すると、この一連の制御(図3に示すフローチャート)が終了する。
キャリアCから取り出される2枚目以降のウエハWは、ウエハWが搬入されていない処理チャンバ6(空いている処理チャンバ6)に搬入され、前述した処理を受けた後、キャリアCに戻される。そして、キャリアCに収容されていたすべての未処理のウエハW(所定枚数のウエハW)に対する処理が完了すると、この一連の制御(図3に示すフローチャート)が終了する。
以上のように、ウエハWに対するエッチング処理の開始に先立ち、エッチング液の温度がウエハWの温度と同じ温度に調節される。そして、その温度調節されたエッチング液がウエハWの表面および裏面に供給される。これにより、ウエハWの表面および裏面に供給されたエッチング液がその表面および裏面を流れる間に、エッチング液とウエハWとの間で大きな熱交換が行われるのを防止することができる。その結果、ウエハWの表面および裏面の全域において、エッチング液の温度をほぼ同じ温度にすることができるので、エッチング液による処理のレート、つまりエッチングレートを均一にすることができる。よって、ウエハWの表面および裏面に対するエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができる。
エッチングレートは、エッチング液の温度に依存する。そして、エッチング処理の進行量は、エッチングレートおよびエッチング液の供給時間に依存する。そのため、ウエハWの温度に基づいて、エッチング液の温度が調節されるとともに、ウエハWの表面および裏面に対するエッチング液の供給時間が設定されることにより、ウエハWの表面および裏面におけるエッチング処理の進行量を適正にすることができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、室温センサ9は、搬送室5内に設置されているとしたが、搬送室5内に限らず、キャリアCと処理チャンバ6との間のウエハWの搬送経路上に設置されていればよい。たとえば、室温センサ9は、図1に破線で示すように、インデクサロボット4が収容された空間に設置されてもよい。この場合、インデクサロボット4が収容された空間の気温が、ウエハWの温度として、エッチング液の温度調節に利用される。また、室温センサ9は、図1に破線で示すように、キャリアCが載置されるキャリア載置台3に設置されていてもよい。この場合、キャリア載置台3(キャリアC)の周囲の気温が、ウエハWの温度として、エッチング液の温度調節に利用される。
たとえば、室温センサ9は、搬送室5内に設置されているとしたが、搬送室5内に限らず、キャリアCと処理チャンバ6との間のウエハWの搬送経路上に設置されていればよい。たとえば、室温センサ9は、図1に破線で示すように、インデクサロボット4が収容された空間に設置されてもよい。この場合、インデクサロボット4が収容された空間の気温が、ウエハWの温度として、エッチング液の温度調節に利用される。また、室温センサ9は、図1に破線で示すように、キャリアCが載置されるキャリア載置台3に設置されていてもよい。この場合、キャリア載置台3(キャリアC)の周囲の気温が、ウエハWの温度として、エッチング液の温度調節に利用される。
また、室温センサ9に代えて、ウエハWから放射される赤外線の強度を測定し、その測定した強度に基づいて、ウエハWの温度を検出する、いわゆる放射温度センサが採用されてもよい。
さらにまた、エッチング液の温度がウエハWの温度と同じ温度になるように調節される場合を例にとったが、たとえば、エッチング液が温調ユニット23を通過してからウエハWに供給されるまでの間に温度低下することを考慮して、エッチング液の温度がウエハWの温度よりも所定温度(たとえば、1.0℃)だけ高くなるように調節されてもよい。
さらにまた、エッチング液の温度がウエハWの温度と同じ温度になるように調節される場合を例にとったが、たとえば、エッチング液が温調ユニット23を通過してからウエハWに供給されるまでの間に温度低下することを考慮して、エッチング液の温度がウエハWの温度よりも所定温度(たとえば、1.0℃)だけ高くなるように調節されてもよい。
また、ウエハWに対する処理の例として、エッチング液を用いたエッチング処理を取り上げた。しかしながら、ウエハWに対する処理は、処理液を用いた処理であればよく、エッチング処理の他に、たとえば、ウエハWの表面および裏面にオゾン水を供給することにより、ケミカル酸化膜を形成する酸化処理などを例示することができる。
また、処理液は、必ずしもウエハWの表面および裏面の両面に供給されなければならないわけではなく、ウエハWの表面のみに供給されてもよいし、ウエハWの裏面にのみ供給されてもよい。
また、処理液は、必ずしもウエハWの表面および裏面の両面に供給されなければならないわけではなく、ウエハWの表面のみに供給されてもよいし、ウエハWの裏面にのみ供給されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
9 室温センサ(基板温度検出手段)
13 表面ノズル(処理液供給手段)
14 裏面ノズル(処理液供給手段)
23 温調ユニット(処理液温度調節手段)
30 制御部(処理液温度調節手段、供給時間設定手段)
100 基板処理装置
W ウエハ(基板)
13 表面ノズル(処理液供給手段)
14 裏面ノズル(処理液供給手段)
23 温調ユニット(処理液温度調節手段)
30 制御部(処理液温度調節手段、供給時間設定手段)
100 基板処理装置
W ウエハ(基板)
Claims (6)
- 基板の主面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、
前記基板温度検出手段により検出される前記基板の温度に基づいて、前記処理液の温度を調節する処理液温度調節手段とを含む、基板処理装置。 - 前記処理液温度調節手段は、前記処理液の温度を前記基板温度検出手段により検出される前記基板の温度と同じ温度に調節する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板温度検出手段は、前記基板の周囲の気温を測定し、その測定した気温を前記基板の温度として検出する、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板温度検出手段は、前記基板から放射される赤外線の強度を測定し、その測定した強度に基づいて、前記基板の温度を検出する、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板温度検出手段によって検出される前記基板の温度に基づいて、前記処理液供給手段による処理液の供給時間を設定する供給時間設定手段をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板の温度を検出する基板温度検出工程と、
前記基板温度検出工程で検出される前記基板の温度に基づいて、処理液の温度を調整する処理液温度調節工程と、
前記処理液温度調節工程で温度が調節された処理液を前記基板の主面に供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。
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- 2008-03-25 JP JP2008078199A patent/JP2009231732A/ja active Pending
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