KR101778449B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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아키히로 나카시마
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

약액을 프리디스펜스 위치에서 포트를 향하여 처리액 토출구에 토출시키면서, 포트에 공급된 약액의 온도를 검출한다. 약액의 온도는, 시간의 경과에 수반하여 상승된다. 포트에 공급된 약액의 온도가 제 2 목표 온도에 도달하면, 처리액 토출구에 약액의 토출을 정지시킨다. 그 후, 처리액 토출구 및 포트의 위치 관계를 변경하여, 처리 위치에서 기판을 향하여 처리액 토출구에 약액을 토출시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPRATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토 마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
일본 공개특허공보 2006-344907호에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 1 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척을 수용하는 챔버와, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면을 향하여 실온보다 고온의 약액을 토출하는 노즐을 구비하고 있다. 약액 밸브가 열리면, 약액이 약액 공급로로부터 노즐로 공급되고, 노즐의 토출구로부터 토출된다.
상기 기판 처리 장치에 있어서, 약액 밸브가 닫히면, 약액 밸브로부터 노즐의 토출구까지의 유로로의 약액의 공급이 정지된다. 그 때문에, 상기 유로를 구성하는 배관 등의 온도가 저하된다. 그 후, 고온의 약액을 토출하기 위해서약액 밸브를 열면, 배관 등이 약액에 의해 따뜻해진다. 노즐로부터 토출된 약액의 온도는 배관 등의 온도가 안정될 때까지 상승한다.
동일 챔버에서 복수 장의 기판을 처리하는 경우, 1 장 째의 기판의 처리 품질이 그 이후의 기판의 처리 품질과 상이한 경향이 있다. 처리해야 할 기판에 약액을 공급하기 전에 노즐에 약액을 토출시키는 프리디스펜스 공정을 실시하면, 기판에 공급되는 약액의 온도를 안정시킬 수 있어, 처리 품질의 편차를 저감시킬 수 있다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 프리디스펜스 공정에 있어서 노즐로부터 토출된 약액의 실제 온도가 불명확하므로, 약액의 토출 시간을 약액의 온도가 안정되는 시간보다 길게 설정할 필요가 있다. 이 경우, 본래에는 불필요한 약액의 토출을 실시하게 되므로, 스루풋 (단위시간 당의 기판의 처리 장수) 이 악화되어, 약액의 소비량이 증가해 버린다.
이와 같은 문제는, 처리액의 온도가 실온보다 높은 경우뿐만 아니라, 처리액의 온도가 실온보다 낮은 경우에도 발생할 수 있다. 또한, 이와 같은 문제는, 고온 또는 저온의 처리액으로 기판을 처리하는 경우뿐만 아니라, 고온 또는 저온의 처리 가스로 기판을 처리하는 경우에도 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태, 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 토출구와, 상기 토출구로 처리 유체를 유도하는 공급로와, 상기 공급로에 개재하여 장착된 토출 밸브와, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체에 의해 처리되는 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 기판 유지 유닛과, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체를 받아들이는 포트와, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급되는 처리 위치와, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 포트에 공급되는 프리디스펜스 위치 사이에서 상기 토출구 및 포트의 위치 관계를 변경시키는 위치 변경 유닛과, 상기 토출구로부터 상기 포트에 공급된 처리 유체의 온도를 검출하는 하류 온도 검출 유닛과, 상기 토출 밸브 및 위치 변경 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제어 장치는, 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 상기 토출구로 처리 유체를 유도하는 상기 공급로에 개재하여 장착된 상기 토출 밸브를 여는 것에 의해, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 포트에 공급되는 상기 프리디스펜스 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 1 스텝과, 상기 제 1 스텝과 병행하여, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체의 온도를 상기 하류 온도 검출 유닛에 의해 검출하는 제 2 스텝과, 상기 제 2 스텝에서 검출된 처리 유체의 온도에 기초하여 상기 토출구로부터 상기 포트로의 처리 유체의 공급을 정지시키는 제 3 스텝과, 상기 제 3 스텝 후에, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급되는 상기 처리 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 4 스텝을 실행한다.
처리 유체는, 처리액이어도 되고, 처리 가스여도 되며, 액체 및 기체를 함유하는 혼합 유체여도 된다. 구체적으로는, 처리 유체는, 처리액의 미스트여도 되고, 처리액의 증기여도 된다.
이 구성에 의하면, 처리 유체를 프리디스펜스 위치에서 포트를 향하여 토출구에 토출시키면서, 포트에 공급된 처리 유체의 온도를 검출한다. 그리고, 포트에 공급된 처리 유체의 온도가 목표 온도에 도달하면, 토출구에 처리 유체의 토출을 정지시킨다. 그 후, 토출구 및 포트의 위치 관계를 변경하여, 처리 위치에서 기판을 향하여 토출구로 처리 유체를 토출시킨다. 이로써, 처리 유체가 기판에 공급되고, 기판이 처리 유체에 의해 처리된다.
이와 같이, 처리해야 할 기판에 처리 유체를 공급하기 전에 토출구로 처리 유체를 토출시키므로, 기판에 공급되는 처리 유체의 온도를 안정시킬 수 있어, 처리 품질의 편차를 저감시킬 수 있다. 또한, 포트에 공급된 처리 유체의 실제의 온도에 기초하여 처리 유체의 토출을 정지시키므로, 불필요한 처리 유체의 토출을 줄일 수 있다. 이로써, 처리 품질의 편차를 저감시키면서, 프리디스펜스 공정의 시간을 단축시킬 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 이하의 적어도 하나의 특징이 상기 기판 처리 방법에 추가되어도 된다.
상기 하류 온도 검출 유닛은, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 직접 닿는 위치에 배치된 하류 접촉면을 포함한다.
이 구성에 의하면, 토출구로부터 토출된 처리 유체가, 하류 온도 검출 유닛의 하류 접촉면에 직접 닿는다. 그 때문에, 다른 부재가 처리 유체에 미치는 온도의 변화를 억제할 수 있어, 포트에 공급된 처리 유체의 온도를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
상기 하류 온도 검출 유닛은, 수평면에 대해 비스듬하게 경사진 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출한다.
이 구성에 의하면, 하류 온도 검출 유닛의 하류 접촉면이 비스듬하게 경사져 있으므로, 하류 접촉면에 공급된 처리 유체 (특히, 처리액) 는, 하류 접촉면을 따라 비스듬하게 하방으로 흐른다. 그 때문에, 하류 접촉면에서의 처리 유체의 체류를 억제하거나 또는 방지할 수 있다. 또한 처리 유체가 하류 접촉면을 따라 흐르므로, 하류 접촉면에 대해 처리 유체가 접촉하는 면적을 넓힐 수 있다. 이로써, 처리 유체의 온도를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
상기 포트는, 처리 유체를 상기 포트 내로부터 배출하는 배출구를 포함하고, 상기 하류 접촉면은, 상기 배출구를 향해 비스듬하게 하방으로 경사져 있다.
이 구성에 의하면, 토출구로부터 포트에 공급된 처리 유체가, 배출구에 의해 포트로부터 배출된다. 하류 접촉면에 공급된 처리 유체는, 비스듬하게 하방으로 경사진 하류 접촉면에 의해 배출구로 안내된다. 이로써, 포트 내로부터의 처리 유체의 배출을 촉진시킬 수 있어, 하류 접촉면에서의 처리 유체의 체류를 억제하거나 또는 방지할 수 있다.
상기 하류 온도 검출 유닛은, 실리콘 카바이드를 함유하는 재료로 제조된 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출한다.
실리콘 카바이드는, 내약품성뿐만 아니라, 높은 열 전도율을 갖고 있다. 따라서, 실리콘 카바이드를 함유하는 재료로 하류 온도 검출 유닛의 하류 접촉면을 제조함으로써, 처리 유체의 온도의 검출에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한 실리콘 카바이드는 기판을 오염시키는 오염물을 처리 유체 중에 발생시키는 경우가 있지만, 포트에 공급된 처리 유체는, 기판에 공급되지 않고, 포트로부터 배출된다. 따라서, 실리콘 카바이드로부터 석출된 오염물에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하면서, 처리 유체의 온도를 단시간에 검출할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 공급로에 있는 처리 유체의 온도를 상기 토출 밸브의 상류에서 검출하는 상류 온도 검출 유닛을 추가로 포함하고, 상기 상류 온도 검출 유닛은, 상기 공급로에 있는 처리 유체에 접하는 상류 접촉면을 포함하고, 상기 상류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출하고, 상기 하류 온도 검출 유닛은, 상기 상류 온도 검출 유닛의 상기 상류 접촉면보다 열 전도율이 높은 재료로 제조된 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출한다.
이 구성에 의하면, 상류 온도 검출 유닛이 토출 밸브의 상류에 배치되어 있으므로, 토출 밸브가 닫혀 있을 때에도, 상류 온도 검출 유닛의 상류 접촉면은, 공급로에 있는 처리 유체에 접하고 있다. 그 때문에, 상류 온도 검출 유닛에 의한 온도의 검출 시간이 비교적 길다고 해도, 스루풋이나 처리 유체의 소비량에 관해서 문제를 발생시키는 경우는 없다.
그 한편으로, 하류 온도 검출 유닛에 의한 온도의 검출 시간이 길면, 토출구로부터 토출된 처리 유체의 온도가 안정되어 있음에도 불구하고, 처리 유체의 토출이 계속된다. 하류 온도 검출 유닛의 하류 접촉면은, 상류 온도 검출 유닛의 상류 접촉면보다 열 전도율이 높은 재료로 제조되어 있다. 따라서, 하류 온도 검출 유닛에 의한 온도의 검출 시간을 단축시킬 수 있어, 불필요한 처리 유체의 토출을 줄일 수 있다.
상기 프리디스펜스 위치에서의 상기 토출구로부터 상기 하류 온도 검출 유닛까지의 거리는, 상기 처리 위치에서의 상기 토출구로부터 상기 기판까지의 거리와 동등하다. 「동등하다」란, 2 개의 거리가 엄밀하게 일치하는 경우뿐만 아니라, 2 개의 거리가 약간 상이한 경우 (예를 들어, 2 개의 거리가 1 ∼ 5 밀리미터 정도 상이한 경우) 도 포함한다.
기판을 향하여 토출된 처리 유체의 온도는, 토출구와 기판 사이의 공간에서 미소하게나마 변화된다. 이 구성에 의하면, 프리디스펜스 위치에서의 토출구로부터 하류 온도 검출 유닛까지의 거리가, 처리 위치에서의 토출구로부터 기판까지의 거리와 동등하므로, 실제로 기판에 공급되는 처리 유체의 온도를 의사 (疑似) 적으로 검출할 수 있다. 이로써, 기판의 처리 조건을 보다 정밀하게 감시할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는, 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 토출구로 처리 유체를 유도하는 공급로에 개재하여 장착된 토출 밸브를 여는 것에 의해, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 포트에 받아들여지는 프리디스펜스 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 1 스텝과, 상기 제 1 스텝과 병행하여, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체의 온도를 하류 온도 검출 유닛에 의해 검출하는 제 2 스텝과, 상기 제 2 스텝에서 검출된 처리 유체의 온도에 기초하여 상기 토출구로부터 상기 포트로의 처리 유체의 공급을 정지시키는 제 3 스텝과, 상기 제 3 스텝 후에, 상기 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 상기 기판에 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 공급되는 처리 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 4 스텝을 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명에 있어서의 전술한, 또는 추가로 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치를 위에서 본 모식도이다.
도 2 는, 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 정면도이다.
도 3 은, 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 4 는, 처리 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐을 수평으로 본 모식도이다.
도 5 는, 처리 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐을 위에서 본 모식도이다.
도 6 은, 토출 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 7 은, 상류 온도계를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 8 은, 하류 온도계와 프리디스펜스 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐을 나타내는 모식도이다.
도 9 는, 프리디스펜스 공정에 대해 설명하기 위한 플로 차트이다.
도 10 은, 상류 온도계 및 하류 온도계에 의해 검출된 액온의 추이를 나타내는 그래프이다.
도 11 은, 프리디스펜스 공정을 개시하기 전의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 12 는, 프리디스펜스 공정을 개시했을 때의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 13 은, 프리디스펜스 공정을 종료했을 때의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 14 는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 처리액 노즐을 수평으로 본 모식도이다.
도 15 는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 처리액 노즐 및 포트를 수평으로 본 모식도이다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 를 위에서 본 모식도이다.
기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 수용하는 복수의 캐리어 (C) 를 유지하는 복수의 로드 포트 (LP) 와, 복수의 로드 포트 (LP) 로부터 반송된 기판 (W) 을 약액 등의 처리액으로 처리하는 복수 (예를 들어 12 대) 의 처리 유닛 (2) 과, 복수의 로드 포트 (LP) 와 복수의 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇을 포함한다.
캐리어 (C) 가 로드 포트 (LP) 에 반송되면, 캐리어 (C) 내의 기판 (W) 의 처리 조건을 규정하는 레시피가 호스트 컴퓨터로부터 기판 처리 장치 (1) 에 송신된다. 그 후, 반송 로봇인 인덱서 로봇 (IR) 이, 캐리어 (C) 로부터 기판 (W) 을 반출한다. 반출된 기판 (W) 은, 반송 로봇의 센터 로봇 (CR) 에 의해 어느 처리 유닛 (2) 에 반입된다. 처리 유닛 (2) 에 의해 처리된 기판 (W) 은, 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 에 의해, 로드 포트 (LP) 상의 캐리어 (C) 에 반송된다.
기판 처리 장치 (1) 는, 처리 유닛 (2) 에 대한 처리액의 공급 및 공급 정지를 제어하는 토출 밸브 (51) 등의 유체 기기를 수용하는 복수의 유체 박스 (5) 와, 유체 박스 (5) 를 통하여 처리 유닛 (2) 에 공급되는 약액을 저류하는 탱크 (41) 를 수용하는 복수의 저류 박스 (6) 를 포함한다. 처리 유닛 (2) 및 유체 박스 (5) 는, 기판 처리 장치 (1) 의 프레임 (4) 안에 배치되어 있다. 처리 유닛 (2) 의 챔버 (7) 와 유체 박스 (5) 는 수평 방향으로 나열되어 있다. 저류 박스 (6) 는 프레임 (4) 밖에 배치되어 있다. 저류 박스 (6) 는 프레임 (4) 안에 배치되어 있어도 된다.
도 2 는, 처리 유닛 (2) 의 내부를 나타내는 모식적인 정면도이다. 도 3 은, 처리 유닛 (2) 의 내부를 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 상자형의 챔버 (7) 와, 챔버 (7) 내에서 기판 (W) 을 수평으로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 통과하는 연직인 회전 축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 척 (11) 과, 기판 (W) 으로부터 배출된 처리액을 받아들이는 통 형상의 컵 (15) 을 포함한다. 스핀 척 (11) 은 기판 유지 유닛의 일례이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (7) 는, 기판 (W) 이 통과하는 반입 반출구 (8a) 가 형성된 상자형의 격벽 (8) 과, 반입 반출구 (8a) 를 개폐하는 셔터 (9) 를 포함한다. 셔터 (9) 는, 반입 반출구 (8a) 가 열리는 열림 위치와 반입 반출구 (8a) 가 닫히는 닫힘 위치 (도 3 에 나타내는 위치) 사이에서, 격벽 (8) 에 대해 이동 가능하다. 센터 로봇 (CR) (도 1 참조) 은, 반입 반출구 (8a) 를 통해서 챔버 (7) 에 기판 (W) 을 반입하고, 반입 반출구 (8a) 를 통해서 챔버 (7) 로부터 기판 (W) 을 반출한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 스핀 척 (11) 은, 수평한 자세로 유지된 원판상의 스핀 베이스 (12) 와, 스핀 베이스 (12) 의 상방에 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 핀 (13) 과, 복수의 척 핀 (13) 을 회전시킴으로써 회전 축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 모터 (14) 를 포함한다. 스핀 척 (11) 은, 복수의 척 핀 (13) 을 기판 (W) 의 둘레 단면에 접촉시키는 협지식의 척에 한정하지 않고, 비 (非) 디바이스 형성면인 기판 (W) 의 이면 (하면) 을 스핀 베이스 (12) 의 상면에 흡착시킴으로써 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 버큠식의 척이어도 된다.
컵 (15) 은, 스핀 척 (11) 을 회전 축선 (A1) 둘레로 둘러싸는 통 형상의 스플래쉬 가드 (17) 와, 스플래쉬 가드 (17) 를 회전 축선 (A1) 둘레로 둘러싸는 원통 형상의 외벽 (16) 을 포함한다. 처리 유닛 (2) 은, 스플래쉬 가드 (17) 의 상단이 스핀 척 (11) 에 의한 기판 (W) 의 유지 위치보다 상방에 위치하는 상위치 (도 2 에 나타내는 위치) 와, 스플래쉬 가드 (17) 의 상단이 스핀 척 (11) 에 의한 기판 (W) 의 유지 위치보다 하방에 위치하는 하위치 사이에서, 스플래쉬 가드 (17) 를 연직으로 승강시키는 가드 승강 유닛 (18) 을 포함한다.
처리 유닛 (2) 은, 추가로 스핀 척 (11) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면을 향하여 린스액을 하방으로 토출하는 린스액 노즐 (21) 을 포함한다. 린스액 노즐 (21) 은, 린스액 밸브 (23) 가 개재하여 장착된 린스액 배관 (22) 에 접속되어 있다. 처리 유닛 (2) 은, 처리 위치와 대기 위치 사이에서 린스액 노즐 (21) 을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 구비하고 있어도 된다.
린스액 밸브 (23) 가 열리면, 린스액이 린스액 배관 (22) 으로부터 린스액 노즐 (21) 에 공급되고, 린스액 노즐 (21) 로부터 토출된다. 린스액은, 예를 들어, 순수 (탈이온수：Deionized water) 이다. 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.
처리 유닛 (2) 은, 처리액의 일례인 약액을 하방으로 토출하는 복수의 처리액 노즐 (26) (제 1 처리액 노즐 (26A), 제 2 처리액 노즐 (26B), 제 3 처리액 노즐 (26C), 및 제 4 처리액 노즐 (26D)) 과, 각 처리액 노즐 (26) 을 유지하는 홀더 (25) 와, 홀더 (25) 를 이동시킴으로써 복수의 처리액 노즐 (26) 을 이동시키는 노즐 이동 유닛 (24) 을 포함한다. 노즐 이동 유닛 (24) 은 위치 변경 유닛의 일례이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 처리액 노즐 (26) 은, 토출 밸브 (51) 가 개재하여 장착된 약액 배관에 접속되어 있다. 토출 밸브 (51) 가 열리면, 약액이 복수의 처리액 노즐 (26) 에 공급되고, 복수의 처리액 노즐 (26) 로부터 토출된다. 약액의 대표예는, TMAH (테트라메틸암모늄하이드로옥사이드) 등의 에칭액이나, SPM (황산 및 과산화수소수를 함유하는 혼합액) 등의 레지스트 박리액이다. 약액은, TMAH 및 SPM 에 한정되지 않고, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어 시트르산, 옥살산 등), TMAH 이외의 유기 알칼리, 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 하나를 함유하는 액이어도 된다.
각 처리액 노즐 (26) 은, 홀더 (25) 에 의해 외팔보 지지된 노즐 아암 (27) 을 포함한다. 노즐 아암 (27) 은, 홀더 (25) 로부터 수평한 길이 방향 (D1) 으로 연장되는 수평부 (28) 와, 수평부 (28) 의 선단 (28a) 으로부터 하방으로 연장되는 연직부 (29) 를 포함한다. 복수의 수평부 (28) 는 서로 평행이고, 복수의 연직부 (29) 는 서로 평행이다. 수평부 (28) 의 선단 (28a) 은, 평면에서 볼 때에 홀더 (25) 로부터 길이 방향 (D1) 으로 가장 먼 부분을 의미한다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 복수의 수평부 (28) 는, 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로, 길이 방향 (D1) 과 직교하는 수평한 배열 방향 (D2) 으로 나열되어 있다. 복수의 수평부 (28) 는, 동일 높이에 배치되어 있다. 배열 방향 (D2) 에 인접하는 2 개의 수평부 (28) 의 간격은, 다른 어느 간격과 동일해도 되고, 다른 간격의 적어도 하나와 상이해도 된다. 도 3 은, 복수의 수평부 (28) 가 등간격으로 배치되어 있는 예를 나타내고 있다.
길이 방향 (D1) 에 대한 복수의 수평부 (28) 의 길이는, 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로 짧아지고 있다. 복수의 처리액 노즐 (26) 의 선단 (복수의 수평부 (28) 의 선단 (28a)) 은, 길이 방향 (D1) 에 관해서 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로 나열되도록 길이 방향 (D1) 과 어긋나 있다. 복수의 처리액 노즐 (26) 의 선단은, 평면에서 보아 직선상으로 나열되어 있다.
노즐 이동 유닛 (24) 은, 홀더 (25) 를 수평으로 이동시킴으로써, 처리 위치 (도 3 에서 이점 쇄선으로 나타내는 위치) 와 프리디스펜스 위치 (도 3 에서 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 복수의 처리액 노즐 (26) 을 수평으로 이동시키는 수평 구동 유닛 (24a) 과, 홀더 (25) 를 연직으로 이동시킴으로써, 복수의 처리액 노즐 (26) 을 연직으로 이동시키는 연직 구동 유닛 (24b) 을 포함한다. 처리 유닛 (2) 은, 프리디스펜스 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 의 하방에 배치된 바닥이 있는 통 형상의 포트 (35) 를 포함한다. 포트 (35) 는, 평면에서 보아 컵 (15) 의 둘레에 배치되어 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 수평 구동 유닛 (24a) 은, 컵 (15) 의 둘레에서 연직으로 연장되는 노즐 회동 (回動) 축선 (A2) 둘레로 복수의 처리액 노즐 (26) 을 수평으로 이동시키는 선회 유닛이다. 수평 구동 유닛 (24a) 은, 연직 구동 유닛 (24b) 을 개재하여 홀더 (25) 를 지지하고 있다. 수평 구동 유닛 (24a) 은, 노즐 회동 축선 (A2) 둘레로 연직 구동 유닛 (24b) 을 회동시킴으로써, 홀더 (25) 를 수평으로 이동시킨다. 이로써, 처리 위치와 프리디스펜스 위치 사이에서 복수의 처리액 노즐 (26) 이 수평으로 이동한다.
처리 위치는, 복수의 처리액 노즐 (26) 로부터 토출된 약액이 기판 (W) 의 상면에 착액하는 위치이다. 처리 위치에서는, 복수의 처리액 노즐 (26) 과 기판 (W) 이 평면에서 보아 중첩되고, 복수의 처리액 노즐 (26) 의 선단이, 평면에서 볼 때에, 회전 축선 (A1) 측으로부터 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로 직경 방향 (Dr) 으로 나열된다. 이 때, 제 1 처리액 노즐 (26A) 의 선단은, 평면에서 보아 기판 (W) 의 중앙부에 중첩되고, 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 선단은, 평면에서 보아 기판 (W) 의 주연부에 중첩된다.
프리디스펜스 위치는, 복수의 처리액 노즐 (26) 과 기판 (W) 이 평면에서 보아 중첩되지 않는 대기 위치이다. 프리디스펜스 위치에서는, 복수의 처리액 노즐 (26) 의 선단이, 평면에서 보아 컵 (15) 의 외주면 (외벽 (16) 의 외주면) 을 따르도록 컵 (15) 의 외측에 위치하고, 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로 둘레 방향 (회전 축선 (A1) 둘레의 방향) 으로 나열된다. 복수의 처리액 노즐 (26) 은, 제 1 처리액 노즐 (26A) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 순서로, 회전 축선 (A1) 으로부터 멀어지도록 배치된다. 프리디스펜스 위치에서는, 복수의 처리액 노즐 (26) 의 선단이 평면에서 보아 포트 (35) 에 중첩된다.
기판 처리 장치 (1) 는, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 제어 장치 (3) 는, 연산부와 기억부를 포함하는 컴퓨터이다. 제어 장치 (3) 는, 처리액 노즐 (26) 로부터 토출된 약액을 기판 (W) 에 공급하기 전에, 프리디스펜스 위치에서 처리액 노즐 (26) 에 약액을 토출시킨다. 이로써, 처리액 노즐 (26) 등에 잔류하고 있는 처리액이 포트 (35) 내로 배출된다 (프리디스펜스 공정).
처리 유닛 (2) 과 기판 (W) 을 처리할 때, 제어 장치 (3) 는, 스핀 척 (11) 에 기판 (W) 을 유지시키면서 회전시킨다. 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는, 토출 밸브 (51) 를 여는 것에 의해, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 향하여 처리 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 에 약액을 토출시킨다. 이로써, 약액이 기판 (W) 의 상면 전역에 공급된다 (약액 공급 공정). 또, 기판 (W) 의 주위에 비산된 약액은, 상위치에 위치하는 스플래쉬 가드 (17) 의 내주면에 받아들여진다.
제어 장치 (3) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 약액의 토출을 정지시킨 후, 린스액 밸브 (23) 를 여는 것에 의해, 린스액의 일례인 순수를 회전하고 있는 기판 (W) 을 향하여 린스액 노즐 (21) 에 토출시킨다. 이로써, 순수가 기판 (W) 의 상면 전역에 공급되어, 기판 (W) 에 부착되어 있는 약액이 씻겨 흘러간다 (린스액 공급 공정). 또, 기판 (W) 의 주위로 비산된 순수는, 상위치에 위치하는 스플래쉬 가드 (17) 의 내주면에 받아들여진다.
제어 장치 (3) 는, 린스액 노즐 (21) 에 순수의 토출을 정지시킨 후, 스핀 척 (11) 에 기판 (W) 을 고속 회전시킨다. 이로써, 기판 (W) 에 부착되어 있는 순수가 원심력에 의해 기판 (W) 의 주위로 털어 내어진다. 그 때문에, 기판 (W) 으로부터 순수가 제거되어, 기판 (W) 이 건조된다 (건조 공정). 그리고, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 회전을 정지시킨 후, 센터 로봇 (CR) (도 1 참조) 으로 기판 (W) 을 챔버 (7) 로부터 반출시킨다.
처리액 노즐 (26)
다음으로, 처리 위치에 위치하는 처리액 노즐 (26) 에 대해 상세하게 설명한다.
도 4 는, 처리 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 을 수평으로 본 모식도이다. 도 5 는, 처리 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 을 위에서 본 모식도이다.
이하의 설명에서는, 제 1 처리액 노즐 (26A) 에 대응하는 구성의 선두 및 말미에 각각 「제 1」및 「A」를 붙이는 경우가 있다. 예를 들어, 제 1 처리액 노즐 (26A) 에 대응하는 상류 유로 (48) 를 「제 1 상류 유로 (48A) 」라고 하는 경우가 있다. 제 2 처리액 노즐 (26B) ∼ 제 4 처리액 노즐 (26D) 에 대응하는 구성에 대해서도 동일하다. 구체적으로는, 제 2 처리액 노즐 (26B) 에 대응하는 상류 유로 (48) 를 「제 2 상류 유로 (48B)」라고 하는 경우가 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 아암 (27) 은, 처리액을 안내하는 수지 튜브 (30) 와, 수지 튜브 (30) 을 둘러싸는 단면 통 형상의 심금 (芯金) (31) 과, 심금 (31) 의 외면을 덮는 단면 통 형상의 수지 코팅 (32) 을 포함한다. 제 1 처리액 노즐 (26A) 이외의 각 처리액 노즐 (26) 은, 추가로 노즐 아암 (27) 의 연직부 (29) 에 장착된 노즐 헤드 (33) 를 포함한다.
노즐 아암 (27) 은, 노즐 아암 (27) 을 따라 연장되는 1 개의 유로 (48) 를 형성하고 있다. 제 1 처리액 노즐 (26A) 의 유로 (48) 는, 노즐 아암 (27) 의 하면에서 개구되는 처리액 토출구 (34) 를 형성하고 있다. 노즐 헤드 (33) 는, 노즐 아암 (27) 으로부터 공급된 처리액을 안내하는 복수의 유로 (52) 를 형성하고 있다. 노즐 헤드 (33) 의 복수의 유로 (52) 는, 노즐 헤드 (33) 의 하면에서 개구되는 복수의 처리액 토출구 (34) 를 형성하고 있다.
도 4 및 도 5 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 형성된 처리액 토출구 (34) 의 총 수가 10 개인 예를 나타내고 있다. 제 1 처리액 노즐 (26A) 은, 노즐 아암 (27) 에 형성된 1 개의 처리액 토출구 (34) 를 포함한다. 제 1 처리액 노즐 (26A) 이외의 각 처리액 노즐 (26) 은, 노즐 헤드 (33) 에 형성된 3 개의 처리액 토출구 (34) 를 포함한다. 동일한 노즐 헤드 (33) 에 형성된 3 개의 처리액 토출구 (34) 는, 3 개의 처리액 토출구 (34) 중에서 회전 축선 (A1) 에 가장 가까운 내측 토출구와, 3 개의 처리액 토출구 (34) 중에서 회전 축선 (A1) 으로부터 가장 먼 외측 토출구와, 내측 토출구와 외측 토출구 사이에 배치된 중간 토출구에 의해 구성되어 있다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 복수의 처리액 토출구 (34) 는, 평면에서 보아 직선상으로 나열되어 있다. 양단의 2 개의 처리액 토출구 (34) 의 간격은 기판 (W) 의 반경 이하이다. 인접하는 2 개의 처리액 토출구 (34) 의 간격은 다른 어느 간격과 동일해도 되고, 다른 간격의 적어도 하나와 상이해도 된다. 또, 복수의 처리액 토출구 (34) 는, 동일 높이에 배치되어 있어도 되고, 2 개 이상의 상이한 높이에 배치되어 있어도 된다.
복수의 처리액 노즐 (26) 이 처리 위치에 배치되면, 복수의 처리액 토출구 (34) 는, 회전 축선 (A1) 으로부터의 거리 (평면에서 보아 최단 거리) 가 상이한 복수의 위치에 각각 배치된다. 이 때, 복수의 처리액 토출구 (34) 중에서 회전 축선 (A1) 에 가장 가까운 최내 토출구 (제 1 처리액 노즐 (26A) 의 처리액 토출구 (34)) 는 기판 (W) 중앙부의 상방에 배치되고, 복수의 처리액 토출구 (34) 중에서 회전 축선 (A1) 으로부터 가장 먼 최외 토출구 (제 4 처리액 노즐 (26D) 의 처리액 토출구 (34)) 는 기판 (W) 주연부의 상방에 배치된다. 복수의 처리액 토출구 (34) 는, 평면에서 보아 직경 방향 (Dr) 으로 나열된다. 각 처리액 토출구 (34) 는, 기판 (W) 의 상면에 대해 수직인 토출 방향으로 약액을 토출한다.
처리액 공급 시스템
다음으로, 기판 처리 장치 (1) 의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다.
도 6 은, 토출 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다. 도 7 은, 상류 온도계 (61) 를 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 6 에서는, 열려 있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 닫혀 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 시스템은, 약액을 저류하는 탱크 (41) 와, 탱크 (41) 내의 약액을 순환시키는 순환로를 형성하는 순환 유로 (42) 와, 순환 유로 (42) 내를 흐르는 약액을 실온 (예를 들어 20 ∼ 30 ℃) 보다 높은 온도에서 가열함으로써 탱크 (41) 내의 약액의 온도를 조정하는 상류 히터 (43) 와, 탱크 (41) 내의 약액을 순환 유로 (42) 에 상시 보내는 펌프 (44) 와, 펌프 (44) 의 하류에서 순환 유로 (42) 의 유로 면적을 변경하는 압력 제어 밸브 (45) 를 포함한다. 압력 제어 밸브 (45) 는, 일차측 (상류측) 의 압력을 설정 압력으로 유지하는 배압 밸브이다.
처리액 공급 시스템은, 추가로 순환 유로 (42) 에 접속된 복수의 공급 유로 (47) 를 포함한다. 복수의 공급 유로 (47) 는, 각각, 복수의 처리 유닛 (2) 에 대응하고 있다. 동일 처리 유닛 (2) 에 형성된 복수의 처리액 노즐 (26) 은, 동일 공급 유로 (47) 를 통하여 공급된 약액을 토출한다.
처리액 공급 시스템은, 공급 유로 (47) 로부터 분기된 복수의 상류 유로 (48) (제 1 상류 유로 (48A) ∼ 제 4 상류 유로 (48D)) 와, 복수의 상류 유로 (48) 내를 흐르는 액체의 유량을 검출하는 복수의 유량계 (49) 와, 복수의 상류 유로 (48) 내를 흐르는 액체의 유량을 변경하는 복수의 유량 조정 밸브 (50) 와, 복수의 상류 유로 (48) 를 각각 개폐하는 복수의 토출 밸브 (51) 를 포함한다. 도시는 하지 않지만, 유량 조정 밸브 (50) 는, 유로를 개폐하는 밸브 본체와, 밸브 본체의 개도를 변경하는 액추에이터를 포함한다. 액추에이터는, 공압 액추에이터 또는 전동 액추에이터여도 되고, 이것들 이외의 액추에이터여도 된다.
복수의 상류 유로 (48) 는, 각각, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 대응하고 있다. 제 2 처리액 노즐 (26B), 제 3 처리액 노즐 (26C), 및 제 4 처리액 노즐 (26D) 에 대응하는 3 개의 상류 유로 (48) 의 각각은, 복수의 하류 유로 (52) 로 분기되어 있다. 요컨대, 제 2 상류 유로 (48B), 제 3 상류 유로 (48C), 및 제 4 상류 유로 (48D) 의 각각은, 복수의 하류 유로 (52) 로 분기된 분기 상류 유로이다. 도 6 에서는, 분기 상류 유로가 2 개의 하류 유로 (52) 로 분기되어 있는 예를 나타내고 있다. 도 4 에서는, 분기 상류 유로가 3 개의 하류 유로 (52) 로 분기되어 있는 예를 나타내고 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 2 상류 유로 (48B) 로부터 분기된 3 개의 하류 유로 (52) 는, 각각, 동일 노즐 헤드 (33) 에 형성된 3 개의 처리액 토출구 (34) (내측 토출구, 중간 토출구, 및 외측 토출구) 에 접속되어 있다. 제 3 상류 유로 (48C) 및 제 4 상류 유로 (48D) 에 대해서도 제 2 상류 유로 (48B) 와 동일하다. 제 1 상류 유로 (48A) 는, 제 1 처리액 노즐 (26A) 에 형성된 처리액 토출구 (34) 에 접속되어 있다.
처리액 공급 시스템은, 복수의 상류 유로 (48) 내를 흐르는 액체를 가열하는 복수의 하류 히터 (53) 를 포함한다. 복수의 하류 히터 (53) 는, 각각, 복수의 상류 유로 (48) 에 개재하여 장착되어 있다. 하류 히터 (53) 에 의한 처리액의 가열 온도 (하류 온도) 는, 상류 히터 (43) 에 의한 처리액의 가열 온도 (상류 온도) 보다 높다. 복수의 하류 히터 (53) 에 의한 처리액의 가열 온도는, 제 1 상류 유로 (48A) ∼ 제 4 상류 유로 (48D) 의 순서로 높아지고 있다. 따라서, 복수의 처리액 토출구 (34) 로부터 토출되는 약액의 온도는, 회전 축선 (A1) 으로부터 멀어짐에 따라 단계적으로 증가한다.
처리액 공급 시스템은, 복수의 하류 히터 (53) 보다 하류의 위치에서 복수의 상류 유로 (48) 에 각각 접속된 복수의 개별 리턴 유로 (54) 와, 복수의 개별 리턴 유로 (54) 를 각각 개폐하는 복수의 리턴 밸브 (55) 와, 각 개별 리턴 유로 (54) 에 접속된 집합 리턴 유로 (56) 를 포함한다. 개별 리턴 유로 (54) 의 상류단은, 하류 히터 (53) 와 토출 밸브 (51) 사이에서 상류 유로 (48) 에 접속되어 있다. 복수의 리턴 밸브 (55) 는, 각각, 복수의 개별 리턴 유로 (54) 에 개재하여 장착되어 있다.
처리액 공급 시스템은, 집합 리턴 유로 (56) 내의 약액을 탱크 (41) 로 안내하는 탱크 회수 유로 (57) 를 포함한다. 처리액 공급 시스템은, 집합 리턴 유로 (56) 로부터 탱크 회수 유로 (57) 에 공급되는 약액을 냉각시키는 쿨러를 추가로 구비하고 있어도 된다. 집합 리턴 유로 (56) 는 탱크 회수 유로 (57) 에 접속되어 있다. 다른 처리 유닛 (2) 에 대응하는 집합 리턴 유로 (56) 도 탱크 회수 유로 (57) 에 접속되어 있다. 리턴 밸브 (55) 가 열리면, 상류 유로 (48) 내의 약액이 상류 유로 (48) 로부터 개별 리턴 유로 (54) 로 흐르고, 개별 리턴 유로 (54) 로부터 집합 리턴 유로 (56) 로 흐른다. 집합 리턴 유로 (56) 내의 약액은, 탱크 회수 유로 (57) 를 통하여 탱크 (41) 로 되돌아온다.
처리액 공급 시스템은, 복수의 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 액체의 온도를 복수의 상류 유로 (48) 에서 검출하는 복수의 상류 온도계 (61) 를 포함한다. 복수의 상류 온도계 (61) 는, 각각, 복수의 상류 유로 (48) 에 개재 장착되어 있다. 상류 온도계 (61) 는, 하류 히터 (53) 와 토출 밸브 (51) 사이에 배치되어 있다. 상류 온도계 (61) 는 상류 온도 검출 유닛의 일례이다.
상류 온도계 (61) 는 열전쌍 온도계이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 상류 온도계 (61) 는, 2 종류의 금속선으로 구성된 열전쌍 소선 (素線) (62) 과, 열전쌍 소선 (62) 을 덮는 합성 수지부 (63) 를 포함한다. 합성 수지부 (63) 는, 내약품성을 갖는 합성 수지 재료로 제조되어 있다. 합성 수지 재료는, 예를 들어, PFA (perfluoroalkoxy alkanes) 나 PTFE (polytetrafluoroethylene) 등의 불소 수지이다. 상류 온도계 (61) 는, 상류 유로 (48) 를 흐르는 약액에 접하는 상류 접촉면 (61a) 을 포함한다. 상류 온도계 (61) 는 제어 장치 (3) 에 접속되어 있다. 제어 장치 (3) 는, 상류 온도계 (61) 의 검출치에 기초하여 상류 유로 (48) 를 흐르는 약액의 온도를 검출한다.
토출 상태의 처리액 공급 시스템
다음으로, 도 6 을 참조하여, 복수의 처리액 토출구 (34) 가 약액을 토출하는 토출 상태의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다.
탱크 (41) 내의 약액은, 펌프 (44) 에 의해 순환 유로 (42) 에 보내진다. 약액의 일부는, 상류 히터 (43) 에 의해 가열된 후, 순환 유로 (42) 로부터 공급 유로 (47) 로 흐르고, 공급 유로 (47) 로부터 복수의 상류 유로 (48) 로 흐른다. 순환 유로 (42) 및 공급 유로 (47) 의 접속부를 통과한 나머지 약액은, 탱크 (41) 를 향해 순환 유로 (42) 를 흐른다.
제 1 상류 유로 (48A) 내의 약액은, 제 1 상류 유로 (48A) 에 대응하는 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 후, 제 1 처리액 노즐 (26A) 에 형성된 1 개의 처리액 토출구 (34) 에 공급된다. 제 2 상류 유로 (48B) 내의 약액은, 제 2 상류 유로 (48B) 에 대응하는 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 후, 복수의 하류 유로 (52) 를 통하여, 제 2 처리액 노즐 (26B) 에 형성된 복수의 처리액 토출구 (34B) 에 공급된다. 제 3 상류 유로 (48C) 및 제 4 상류 유로 (48D) 에 대해서도, 제 2 상류 유로 (48B) 와 동일하다. 이로써, 모든 처리액 토출구 (34) 로부터 약액이 토출된다.
토출 정지 상태의 처리액 공급 시스템
다음으로, 도 6 을 참조하여, 복수의 처리액 토출구 (34) 로부터의 약액의 토출이 정지된 토출 정지 상태의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다. 또한, 도 6 은, 토출 밸브 (51) 가 열려 있고, 리턴 밸브 (55) 가 닫혀 있는 상태를 나타내고 있지만, 토출 정지 상태에서는, 토출 밸브 (51) 가 닫히고, 리턴 밸브 (55) 가 열린다.
탱크 (41) 내의 약액은, 펌프 (44) 에 의해 순환 유로 (42) 에 보내진다. 약액의 일부는, 상류 히터 (43) 에 의해 가열된 후, 순환 유로 (42) 로부터 공급 유로 (47) 로 흐르고, 공급 유로 (47) 로부터 복수의 상류 유로 (48) 로 흐른다. 순환 유로 (42) 및 공급 유로 (47) 의 접속부를 통과한 나머지 약액은, 탱크 (41) 를 향해 순환 유로 (42) 를 흐른다.
제 1 상류 유로 (48A) 내의 약액은, 제 1 상류 유로 (48A) 에 대응하는 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 후, 개별 리턴 유로 (54), 집합 리턴 유로 (56), 및 탱크 회수 유로 (57) 를 통하여 탱크 (41) 로 되돌아온다. 마찬가지로, 제 2 상류 유로 (48B), 제 3 상류 유로 (48C), 및 제 4 상류 유로 (48D) 내의 약액은, 어느 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 후, 개별 리턴 유로 (54) 등을 통하여 탱크 (41) 로 되돌아온다. 이로써, 공급 유로 (47) 에 보내진 모든 약액이 탱크 (41) 로 되돌아온다.
처리액의 온도는, 기판 (W) 의 처리에 큰 영향을 미치는 경우가 있다. 약액의 토출 정지 중에 하류 히터 (53) 를 정지시키면, 하류 히터 (53) 의 운전을 재개했을 때에, 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 처리액의 온도가 의도하는 온도에서 안정될 때까지 시간이 걸린다. 그 때문에, 곧바로 처리액의 토출을 재개할 수 없어, 스루풋이 저하된다. 전술한 바와 같이, 토출 정지 중이라도, 하류 히터 (53) 에 약액을 가열시키므로, 하류 히터 (53) 의 온도가 안정된 상태를 유지할 수 있다. 또한, 하류 히터 (53) 에 의해 가열된 약액을 탱크 (41) 로 되돌리므로, 약액의 소비량을 저감시킬 수 있다.
포트 (35)
다음으로, 포트 (35) 및 하류 온도계 (71) 에 대해 상세하게 설명한다.
도 8 은, 하류 온도계 (71) 와 프리디스펜스 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 을 나타내는 모식도이다. 하류 온도계 (71) 는, 하류 온도 검출 유닛의 일례이다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 포트 (35) 는, 통 형상의 둘레벽 (64) 과, 둘레벽 (64) 의 하단을 닫는 바닥벽 (65) 을 포함한다. 포트 (35) 는, PTFE 등의 내약품성을 갖는 합성 수지 재료로 제조되어 있다. 포트 (35) 의 내면은, 복수의 처리액 노즐 (26) 로부터 토출된 약액을 수용하는 수용 공간 (SP) 을 형성하고 있다. 포트 (35) 의 내면은, 포트 (35) 의 상면에 형성된 개구의 가장자리로부터 하방으로 연장되는 내주면 (66a) 과, 내주면 (66a) 의 하단을 닫는 바닥면 (66b) 을 포함한다. 포트 (35) 의 바닥면 (66b) 은, 포트 (35) 의 내면에서 개구되는 배출구 (66c) 를 향해 비스듬하게 하방으로 연장되어 있다. 배출구 (66c) 는, 포트 (35) 내의 액체를 배출하는 배출관 (67) 에 접속되어 있다.
하류 온도계 (71) 는, 포트 (35) 내의 액체 (여기서는, 약액) 의 온도를 검출한다. 하류 온도계 (71) 는, 포트 (35) 내에서 액체에 접하는 접촉 부재 (72) 와, 접촉 부재 (72) 에 접촉하면서 접촉 부재 (72) 의 온도를 검출하는 접촉 온도계 (73) 를 포함한다. 접촉 부재 (72) 는, 포트 (35) 의 바닥면 (66b) 상에 배치되어 있다. 접촉 부재 (72) 는, 포트 (35) 의 바닥면 (66b) 에서 개구되는 검온구 (檢溫口) (66d) 를 막고 있다. 접촉 부재 (72) 와 포트 (35) 사이의 간극은 밀폐되어 있다. 접촉 온도계 (73) 는 접촉 부재 (72) 의 하방에 배치되어 있다. 접촉 온도계 (73) 는, 포트 (35) 및 접촉 부재 (72) 에 의해 포트 (35) 내의 약액으로부터 차단된다. 그 때문에, 포트 (35) 내의 약액은 접촉 온도계 (73) 에 접촉하지 않는다.
접촉 부재 (72) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 의 어느 하나의 하방에 위치하고 있다. 도 8 은, 접촉 부재 (72) 의 상면이 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 하방에 위치하고 있는 예를 나타내고 있다. 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 토출된 약액은, 접촉 부재 (72) 의 상면에 상당하는 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 에 직접 닿는다. 하류 접촉면 (71a) 은, 배출구 (66c) 를 향해 비스듬하게 하방으로 경사진 평면이다. 그 때문에, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 토출된 약액은, 접촉 부재 (72) 의 상면에 접촉한 후, 접촉 부재 (72) 의 상면에 의해 배출구 (66c) 쪽으로 안내된다.
제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 접촉 부재 (72) 까지의 연직 방향의 거리 (Da) 는, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 기판 (W) 까지의 연직 방향의 거리 (Db) (도 4 참조) 와 동등하다. 도 8 은, 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 한가운데의 처리액 토출구 (34) (중간 토출구) 로부터 접촉 부재 (72) 의 상면까지의 연직 방향의 거리 (Da) 가, 제 4 처리액 노즐 (26D) 의 한가운데의 처리액 토출구 (34) 로부터 기판 (W) 의 상면까지의 연직 방향의 거리 (Db) 와 동등한 예를 나타내고 있다. 포트 (35) 는, 2 개의 거리 (거리 (Da) 및 거리 (Db)) 가 서로 일치하는 높이에 배치되어 있어도 된다. 혹은, 제어 장치 (3) 는, 2 개의 거리가 서로 일치하도록 연직 구동 유닛 (24b) 을 제어해도 된다.
접촉 온도계 (73) 는 열전쌍 온도계이다. 접촉 온도계 (73) 는, 2 종류의 금속선으로 구성된 열전쌍 소선 (74) 과, 열전쌍 소선 (74) 을 수용하는 금속제의 보호관 (75) 과, 보호관 (75) 내에 충전된 절연재 (76) 를 포함한다. 보호관 (75) 은 접촉 부재 (72) 에 접하고 있다. 접촉 부재 (72) 의 상면 (하류 접촉면 (71a)) 에 접하는 약액의 온도는, 접촉 부재 (72) 를 통하여 접촉 온도계 (73) 에 전달된다. 접촉 온도계 (73) 는 접촉 부재 (72) 의 온도를 검출함으로써, 포트 (35) 내의 약액의 온도를 검출한다.
접촉 부재 (72) 는, 높은 열 전도율과 내약품성을 갖는 고열 전도 재료로 제조되어 있다. 고열 전도 재료는, 예를 들어, 실리콘 카바이드 (SiC) 이다. 고열 전도 재료의 열 전도율은, 상류 온도계 (61) 의 합성 수지부 (63) 에 사용되는 합성 수지 재료 (예를 들어, PFA) 의 열 전도율보다 높다. 실리콘 카바이드의 열 전도율은 100 ∼ 350 W/m·K 이고, PFA 의 열 전도율은 0.19 W/m·K 이다. 따라서, 하류 온도계 (71) 는 상류 온도계 (61) 보다 단시간에 액체의 온도를 검출한다.
실리콘 카바이드는, PFA 등의 합성 수지 재료보다 열 전도율이 높은 반면, 기판 (W) 을 오염시키는 오염물을 액체 중에 발생시키는 경우가 있다. PFA 등의 합성 수지 재료는 그러한 오염물을 잘 발생시키지 않는다. 그러나, 실리콘 카바이드에 접한 약액은 기판 (W) 에 공급되지 않고, 포트 (35) 의 배출구 (66c) 로부터 배출된다. 그 때문에, 오염물이 실리콘 카바이드로부터 석출되었다고 해도, 기판 (W) 이 이 오염물에 의해 오염되는 경우는 없다.
프리디스펜스 공정
도 9 는, 프리디스펜스 공정에 대해 설명하기 위한 플로 차트이다. 도 10 은, 상류 온도계 (61) 및 하류 온도계 (71) 에 의해 검출된 액온의 추이를 나타내는 그래프이다. 도 11 ∼ 도 13 은, 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다. 도 11 ∼ 도 13 에서는, 약액이 있는 위치를 굵은 선으로 나타내고 있다.
도 10 에서는, 상류 온도계 (61) 에 접하는 액체의 온도 (제 1 측정 온도) 를 굵은 일점 쇄선으로 나타내고 있고, 하류 온도계 (71) 에 접하는 액체의 온도(제 2 측정 온도) 를 굵은 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 또, 제 1 측정 온도의 목표치 (제 1 목표 온도) 를 일점 쇄선으로 나타내고 있고, 제 2 측정 온도의 목표치 (제 2 목표 온도) 를 일점 쇄선으로 나타내고 있다.
이하의 설명에 있어서, 「제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치한다」란, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도를 포함하는 제 1 온도 범위 (예를 들어, 제 1 목표 온도 ±1 ℃ 의 범위) 내의 온도에 일치하는 것을 의미한다. 「제 2 측정 온도가 제 2 목표 온도에 일치한다」에 대해서도 동일하다. 제 1 목표 온도 및 제 2 목표 온도는, 기판 (W) 의 처리 조건을 규정하는 레시피마다 설정된다. 제 1 목표 온도 및 제 2 목표 온도는 제어 장치 (3) 에 기억되어 있다.
도 11 은, 프리디스펜스 공정을 개시하기 전의 처리액 공급 시스템을 나타내고 있다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 각 상류 온도계 (61) 의 검출치를 포함하는 온도 정보는 제어 장치 (3) 에 입력된다. 제어 장치 (3) 는, 상류 온도계 (61) 의 검출치에 기초하여 제 1 측정 온도를 검출한다. 제어 장치 (3) 는, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치하고 있는지 여부, 요컨대, 토출되기 전의 약액의 온도가 제 1 목표 온도에 일치하고 있는지 여부를 판정한다 (도 9 의 스텝 S1).
제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치하고 있지 않은 경우 (도 9 의 스텝 S1 에서 아니오인 경우), 제어 장치 (3) 는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 제 1 측정 온도를 제 1 목표 온도에 일치시키기 위해서, 하류 히터 (53) 의 온도를 상승 또는 저하시키는 온도 변경 지령을 복수의 하류 히터 (53) 에 보낸다 (도 9 의 스텝 S2). 그 후, 제어 장치 (3) 는, 다시, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치하고 있는지 여부를 판정한다 (도 9 의 스텝 S1 로 되돌아온다). 이로써, 제 1 측정 온도와 제 1 목표 온도의 차가 감소하여, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치한다.
도 10 은, 새로운 제 1 목표 온도가 호스트 컴퓨터로부터 제어 장치 (3) 에 입력되었기 때문에, 시각 t0 의 시점에 있어서, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도보다 낮은 예를 나타내고 있다. 이 경우, 제어 장치 (3) 는, 제 1 측정 온도가 새로운 제 1 목표 온도에 일치하도록, 하류 히터 (53) 의 온도를 상승시킨다. 이로써, 시각 t1 로부터 시각 t2 에 걸쳐 제 1 측정 온도가 상승한다. 시각 t2 이후에는, 하류 히터 (53) 의 온도가 일정 또는 거의 일정하게 유지되어, 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도로 유지된다.
도 12 는, 프리디스펜스 공정을 개시했을 때의 처리액 공급 시스템을 나타내고 있다. 제 1 측정 온도가 제 1 목표 온도에 일치하고 있는 경우 (도 9 의 스텝 S1 에서 예인 경우), 제어 장치 (3) 는, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 복수의 토출 밸브 (51) 를 여는 밸브 오픈 지령을 복수의 토출 밸브 (51) 에 보낸다. 이로써, 복수의 토출 밸브 (51) 가 열린다. 그 때문에, 프리디스펜스 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 이 약액의 토출을 개시하여, 포트 (35) 로의 약액의 공급이 개시된다 (도 9 의 스텝 S3).
약액의 토출이 개시되면, 요컨대, 프리디스펜스 공정이 개시되면, 하류 온도계 (71) 에 의한 약액의 온도의 검출이 개시된다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 하류 온도계 (71) 의 검출치를 포함하는 온도 정보는 제어 장치 (3) 에 입력된다. 제어 장치 (3) 는, 하류 온도계 (71) 의 검출치에 기초하여 제 2 측정 온도를 검출한다. 제어 장치 (3) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 약액을 토출시키면서, 제 2 측정 온도가 제 2 목표 온도에 도달했는지의 여부, 요컨대, 토출된 후의 약액의 온도가 제 2 목표 온도에 도달했는지의 여부를 판정한다 (도 9 의 스텝 S4).
도 10 에 나타내는 바와 같이, 시각 t2 에서 프리디스펜스 공정이 개시되면, 제 2 측정 온도는, 시간의 경과에 수반하여 상승해 간다. 이것은, 토출 밸브 (51) 로부터 처리액 토출구 (34) 까지의 선단 유로를 구성하는 배관 등의 온도가 약액의 온도에 가까워져, 배관 등에서의 약액의 온도 변화가 감소하기 때문이다. 시각 t3 에서 제 2 측정 온도가 제 2 목표 온도에 도달하면 (도 9 의 스텝 S4 에서 예), 제어 장치 (3) 는, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 복수의 토출 밸브 (51) 를 닫는 밸브 클로즈 지령을 복수의 토출 밸브 (51) 에 보낸다. 이로써, 복수의 토출 밸브 (51) 가 닫힌다. 그 때문에, 프리디스펜스 위치에 위치하는 복수의 처리액 노즐 (26) 이 약액의 토출을 종료하여, 포트 (35) 로의 약액의 공급이 종료된다 (도 9 의 스텝 S5). 따라서, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 시각 t3 의 직후는, 제 2 측정 온도가 저하되고, 그 이후에는, 제 2 측정 온도가 실온에서 안정된다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 제 2 목표 온도는 제 1 목표 온도보다 낮다. 이것은, 약액이 토출 밸브 (51) 로부터 처리액 토출구 (34) 로 흐르는 동안 및 처리액 토출구 (34) 로부터 토출된 후에, 약액의 온도가 저하되기 때문이다. 제 2 목표 온도는, 토출 밸브 (51) 로부터 처리액 토출구 (34) 까지의 선단 유로에서의 약액의 온도 저하가 안정되었을 때의 온도이다. 요컨대, 제 2 목표 온도는, 토출 밸브 (51) 로부터 처리액 토출구 (34) 까지의 선단 유로를 구성하는 배관 등의 온도가 안정된 후의 온도이다. 따라서, 제 2 측정 온도가 제 2 목표 온도에 도달한 후에도 약액의 토출을 계속하면, 제 2 측정 온도는 제 2 목표 온도에서 안정된다. 제 1 목표 온도와 제 2 목표 온도의 관계는 측정에 의해 구해진다.
전술한 바와 같이, 하류 온도계 (71) 는, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 포트 (35) 에 공급된 약액의 온도를 검출한다. 제 2 측정 온도가 제 2 목표 온도에 도달한 후에는, 배관 등의 온도가 안정되어 있으므로, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 토출되는 약액의 온도가 안정된다. 또, 각 처리액 노즐 (26) 에 있어서, 토출 밸브 (51) 로부터 처리액 토출구 (34) 까지의 선단 유로의 길이는, 동일 또는 대체로 동일하므로, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 토출되는 약액의 온도가 안정되면, 그 이외의 복수의 처리액 노즐 (26) (제 1 처리액 노즐 (26A), 제 2 처리액 노즐 (26B), 및 제 3 처리액 노즐 (26C)) 로부터 토출되는 약액의 온도도 안정될 것으로 예상된다.
제어 장치 (3) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 약액의 토출을 종료시킨 후, 복수의 처리액 노즐 (26) 을 프리디스펜스 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다 (도 9 의 스텝 S6). 그 후, 제어 장치 (3) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 약액을 토출시킨다 (도 9 의 스텝 S7). 요컨대, 제어 장치 (3) 는, 프리디스펜스 공정 후, 전술한 약액 공급 공정, 린스액 공급 공정 및 건조 공정을 순차 실행한다. 이로써, 의도하는 온도에 일치하거나 또는 매우 가까운 온도의 약액이 각 처리액 노즐 (26D) 로부터 기판 (W) 으로 공급된다.
이상과 같이 본 실시형태에서는, 처리 유체의 일례인 약액을 프리디스펜스 위치에서 포트 (35) 를 향하여 처리액 토출구 (34) 에 토출시키면서, 포트 (35) 에 공급된 약액의 온도를 검출한다. 그리고, 포트 (35) 에 공급된 약액의 온도가 목표 온도에 도달하면, 처리액 토출구 (34) 에 약액의 토출을 정지시킨다. 그 후, 처리액 토출구 (34) 및 포트 (35) 의 위치 관계를 변경하여, 처리 위치에서 기판 (W) 을 향하여 처리액 토출구 (34) 에 약액을 토출시킨다. 이로써, 약액이 기판 (W) 에 공급되고, 기판 (W) 이 약액으로 처리된다.
이와 같이, 처리해야 할 기판 (W) 에 약액을 공급하기 전에 처리액 토출구 (34) 에 약액을 토출시키므로, 기판 (W) 에 공급되는 약액의 온도를 안정시킬 수 있어, 처리 품질의 편차를 저감시킬 수 있다. 또한, 포트 (35) 에 공급된 약액의 실제의 온도에 기초하여 약액의 토출을 정지시키므로, 불필요한 약액의 토출을 줄일 수 있다. 이로써, 처리 품질의 편차를 저감시키면서, 프리디스펜스 공정의 시간을 단축시킬 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 처리액 토출구 (34) 로부터 토출된 약액이 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 에 직접 닿는다. 그 때문에, 다른 부재가 약액에 미치는 온도의 변화를 억제할 수 있어, 포트 (35) 에 공급된 약액의 온도를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 이 비스듬하게 경사져 있으므로, 하류 접촉면 (71a) 에 공급된 약액은, 하류 접촉면 (71a) 을 따라 비스듬하게 하방으로 흐른다. 그 때문에, 하류 접촉면 (71a) 에서의 약액의 체류를 억제하거나 또는 방지할 수 있다. 또한, 약액이 하류 접촉면 (71a) 을 따라 흐르므로, 하류 접촉면 (71a) 에 대해 약액이 접촉하는 면적을 확장할 수 있다. 이로써, 약액의 온도를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 처리액 토출구 (34) 로부터 포트 (35) 로 공급된 약액이, 배출구 (66c) 에 의해 포트 (35) 로부터 배출된다. 하류 접촉면 (71a) 에 공급된 약액은, 비스듬하게 하방으로 경사진 하류 접촉면 (71a) 에 의해, 배출구 (66c) 쪽으로 안내된다. 이로써, 포트 (35) 내로부터의 약액의 배출을 촉진시킬 수 있어, 하류 접촉면 (71a) 에서의 약액의 체류를 억제하거나 또는 방지할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 하류 접촉면 (71a) 이 실리콘 카바이드에 의해 제조되어 있다. 실리콘 카바이드는, 내약품성뿐만 아니라, 높은 열 전도율을 갖고 있다. 따라서, 실리콘 카바이드를 함유하는 재료로 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 을 제조함으로써, 약액의 온도의 검출에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한 실리콘 카바이드는 기판 (W) 을 오염시키는 오염물을 약액 내에 발생시키는 경우가 있지만, 포트 (35) 에 공급된 약액은, 기판 (W) 에 공급되지 않고, 포트 (35) 로부터 배출된다. 따라서, 실리콘 카바이드로부터 석출된 오염물에 의해 기판 (W) 이 오염되는 것을 방지하면서, 약액의 온도를 단시간에 검출할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 상류 온도계 (61) 가 토출 밸브 (51) 의 상류에 배치되어 있으므로, 토출 밸브 (51) 가 닫혀 있을 때에도, 상류 온도계 (61) 의 상류 접촉면 (61a) 은, 공급로의 일례인 상류 유로 (48) 에 있는 약액에 접하고 있다. 그 때문에, 상류 온도계 (61) 에 의한 온도의 검출 시간이 비교적 길다고 해도, 스루풋이나 약액의 소비량에 관해서 문제를 일으키는 경우는 없다.
그 한편으로, 하류 온도계 (71) 에 의한 온도의 검출 시간이 길면, 처리액 토출구 (34) 로부터 토출된 약액의 온도가 안정되어 있음에도 불구하고, 약액의 토출이 계속된다. 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 상류 온도계 (61) 의 상류 접촉면 (61a) 보다 열 전도율이 높은 재료로 제조되어 있다. 따라서, 하류 온도계 (71) 에 의한 온도의 검출 시간을 단축시킬 수 있어, 불필요한 약액의 토출을 줄일 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 프리디스펜스 위치에서의 처리액 토출구 (34) 로부터 하류 온도계 (71) 까지의 거리 (Da) (도 8 참조) 가, 처리 위치에서의 처리액 토출구 (34) 로부터 기판 (W) 까지의 거리 (Db) (도 8 참조) 와 동등하다. 기판 (W) 을 향하여 토출된 약액의 온도는, 처리액 토출구 (34) 와 기판 (W) 사이의 공간에서 미소하게나마 변화된다. 2 개의 거리 (거리 (Da) 및 거리 (Db)) 가 동등하므로, 실제로 기판 (W) 에 공급되는 약액의 온도를 의사적으로 검출할 수 있다. 이로써, 기판 (W) 의 처리 조건을 보다 정밀하게 감시할 수 있다.
다른 실시형태
본 발명은, 전술한 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지 변경이 가능하다.
예를 들어, 동일 처리 유닛 (2) 에 형성된 처리액 노즐 (26) 의 수는, 1 ∼ 3 개여도 되고, 5 개 이상이어도 된다.
처리액 노즐 (26) 로부터 토출되는 유체는, 약액 이외의 처리액이어도 되고, 처리 가스여도 되며, 액체 및 기체를 함유하는 혼합 유체여도 된다. 예를 들어, 처리액의 미스트 또는 증기가 처리액 노즐 (26) 로부터 토출되어도 된다.
1 개의 노즐 헤드 (33) 에 형성된 하류 유로 (52) 및 처리액 토출구 (34) 의 수는 2 개여도 되고, 4 개 이상이어도 된다.
노즐 헤드 (33) 가, 제 2 처리액 노즐 (26B), 제 3 처리액 노즐 (26C), 및 제 4 처리액 노즐 (26D) 에 추가로, 제 1 처리액 노즐 (26A) 에 형성되어 있어도 된다. 이것과는 반대로, 노즐 헤드 (33) 가, 어느 처리액 노즐 (26) 에도 형성되어 있지 않아도 된다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 처리액 노즐 (26) 은, 액체 및 기체를 충돌 시킴으로써 기판 (W) 에 충돌하는 복수의 액적을 생성하는 이류체 노즐이어도 된다. 이류체 노즐은, 액체 및 기체를 이류체 노즐 안에서 충돌시키는 내부 혼합 노즐이어도 되고, 액체 및 기체를 이류체 노즐의 밖에서 충돌시키는 외부 혼합 노즐이어도 된다. 도 14 는, 처리액 노즐 (26) 이 외부 혼합 노즐인 예를 나타내고 있다. 처리액 노즐 (26) 은, 액체를 토출하는 액체 노즐 (81a) 과 기체를 토출하는 기체 노즐 (82a) 을 포함한다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 액체 노즐 (81a) 은, 액체 밸브 (81c) 가 개재하여 장착된 액체 배관 (81b) 에 접속되어 있다. 기체 노즐 (82a) 은, 기체 밸브 (82c) 가 개재하여 장착된 기체 배관 (82b) 에 접속되어 있다. 액체의 일례인 순수는, 액체 배관 (81b) 으로부터 액체 노즐 (81a) 에 공급된다. 기체의 일례인 질소 가스는, 기체 배관 (82b) 으로부터 기체 노즐 (82a) 에 공급된다. 순수 및 질소 가스의 충돌에 의해 생성된 복수의 액적은, 프리디스펜스 위치에서 포트 (35) 에 공급된다. 이로써, 복수의 액적의 온도가 하류 온도계 (71) 에 의해 검출된다.
도 15 에 나타내는 바와 같이, 포트 (35) 는, 복수의 처리액 노즐 (26) 에 각각 대응하는 복수의 수용 공간 (SP) 을 형성하고 있어도 된다. 이 경우, 하류 온도계 (71) 가 수용 공간 (SP) 마다 형성되어 있어도 된다. 하류 온도계 (71) 는, 포트 (35) 내의 약액의 온도가 아니라, 배출관 (67) (도 8 참조) 내의 약액의 온도를 검출해도 된다.
처리 유닛 (2) 은, 포트 (35) 만, 또는 복수의 처리액 노즐 (26) 및 포트 (35) 의 양방을 이동시킴으로써, 복수의 처리액 노즐 (26) 및 포트 (35) 의 위치 관계를 변경하는 위치 변경 유닛을 추가로 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 프리디스펜스 위치는, 복수의 처리액 노즐 (26) 이 평면에서 보아 기판 (W) 에 중첩되는 위치여도 된다.
하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 실리콘 카바이드 이외의 재료로 제조되어 있어도 된다. 예를 들어, 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 상류 온도계 (61) 의 상류 접촉면 (61a) 과 동종의 재료로 제조되어 있어도 된다. 요컨대, 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 내약품성을 갖는 합성 수지 재료로 제조되어 있어도 된다.
하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 제 4 처리액 노즐 (26D) 로부터 토출된 처리액이 직접 닿는 위치 이외의 위치에 배치되어 있어도 된다. 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 은, 수평한 평탄면이어도 되고, 요철면이어도 되며, 곡면이어도 된다.
프리디스펜스 위치에서의 처리액 토출구 (34) 로부터 하류 온도계 (71) 의 하류 접촉면 (71a) 까지의 연직 방향의 거리 (Da) 는, 처리 위치에서의 처리액 토출구 (34) 로부터 기판 (W) 까지의 연직 방향의 거리 (Db) 와는 상이해도 된다.
제어 장치 (3) 는, 하류 온도계 (71) 의 검출치에 기초하여 하류 히터 (53) 의 온도를 변경해도 된다. 이 경우, 기판 (W) 에 공급되는 약액의 온도를 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
전술한 모든 구성의 2 개 이상이 조합되어도 된다. 전술한 모든 공정의 2 개 이상이 조합되어도 된다.
이 출원은, 2015년 6월 18일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2015-123059호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 받아들여지는 것으로 한다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 토출구와,
    상기 토출구로 처리 유체를 유도하는 공급로와,
    상기 공급로에 개재 장착된 토출 밸브와,
    상기 토출구로부터 토출된 처리 유체에 의해 처리되는 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 기판 유지 유닛과,
    상기 토출구로부터 토출된 처리 유체를 받아들이는 포트와,
    상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급되는 처리 위치와, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 포트에 공급되는 프리디스펜스 위치 사이에서 상기 토출구 및 포트의 위치 관계를 변경하는 위치 변경 유닛과,
    상기 토출구로부터 상기 포트에 공급된 처리 유체의 온도를 검출하는 하류 온도 검출 유닛과,
    상기 토출 밸브 및 위치 변경 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
    상기 제어 장치는,
    기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 상기 토출구로 처리 유체를 유도하는 상기 공급로에 개재 장착된 상기 토출 밸브를 여는 것에 의해, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 포트에 공급되는 상기 프리디스펜스 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 1 스텝과,
    상기 제 1 스텝과 병행하여, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체의 온도를 상기 하류 온도 검출 유닛에 의해 검출하는 제 2 스텝과,
    상기 제 2 스텝에서 검출된 처리 유체의 온도에 기초하여 상기 토출구로부터 상기 포트로의 처리 유체의 공급을 정지시키는 제 3 스텝과,
    상기 제 3 스텝 후에, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급되는 상기 처리 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 4 스텝을 실행하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하류 온도 검출 유닛은, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 직접 닿는 위치에 배치된 하류 접촉면을 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하류 온도 검출 유닛은, 수평면에 대해 비스듬하게 경사진 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 포트는, 처리 유체를 상기 포트 내로부터 배출하는 배출구를 포함하고,
    상기 하류 접촉면은, 상기 배출구를 향해 비스듬하게 하방으로 경사져 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하류 온도 검출 유닛은, 실리콘 카바이드를 함유하는 재료로 제조된 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 공급로에 있는 처리 유체의 온도를 상기 토출 밸브의 상류에서 검출하는 상류 온도 검출 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 상류 온도 검출 유닛은, 상기 공급로에 있는 처리 유체에 접하는 상류 접촉면을 포함하고, 상기 상류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출하고,
    상기 하류 온도 검출 유닛은, 상기 상류 온도 검출 유닛의 상기 상류 접촉면보다 열 전도율이 높은 재료로 제조된 하류 접촉면을 포함하고, 상기 하류 접촉면에 접하는 처리 유체의 온도를 검출하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프리디스펜스 위치에서의 상기 토출구로부터 상기 하류 온도 검출 유닛까지의 거리는, 상기 처리 위치에서의 상기 토출구로부터 상기 기판까지의 거리와 동등한, 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 토출구로 처리 유체를 유도하는 공급로에 개재 장착된 토출 밸브를 여는 것에 의해, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 포트에 받아들여지는 프리디스펜스 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 1 스텝과,
    상기 제 1 스텝과 병행하여, 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체의 온도를 하류 온도 검출 유닛에 의해 검출하는 제 2 스텝과,
    상기 제 2 스텝에서 검출된 처리 유체의 온도에 기초하여 상기 토출구로부터 상기 포트로의 처리 유체의 공급을 정지시키는 제 3 스텝과,
    상기 제 3 스텝 후에, 상기 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 상기 기판에 상기 토출구로부터 토출된 처리 유체가 공급되는 처리 위치에서, 상기 토출구로 처리 유체를 토출시키는 제 4 스텝을 포함하는, 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6094513B2 (ja) * 2014-02-28 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス発生装置、処理ガス発生方法、基板処理方法及び記憶媒体
JP6878077B2 (ja) * 2017-03-24 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6847726B2 (ja) * 2017-03-24 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6865626B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6842391B2 (ja) 2017-09-07 2021-03-17 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
WO2019094288A1 (en) * 2017-11-07 2019-05-16 Veeco Precision Surface Processing Llc Dispensing arm head having point of dispense recirculation mode
JP6942660B2 (ja) * 2018-03-09 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7006510B2 (ja) * 2018-06-01 2022-01-24 トヨタ自動車株式会社 正極合材及びその製造方法
JP6894482B2 (ja) * 2019-09-12 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
KR102489739B1 (ko) 2019-09-26 2023-01-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
CN111799168A (zh) * 2020-07-16 2020-10-20 上海华力微电子有限公司 湿法刻蚀方法
JP2023098130A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
JP2024091022A (ja) * 2022-12-23 2024-07-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124185A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002093773A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20040084315A1 (en) 2002-10-31 2004-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Plating apparatus and plating method
JP2009054959A (ja) 2007-08-29 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009231732A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011211092A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および処理液温度測定方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
JPH11260788A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4504051B2 (ja) * 2004-03-12 2010-07-14 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP2006344907A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2007149891A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258462A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4601080B2 (ja) * 2007-12-18 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN101582372B (zh) * 2008-05-12 2012-11-07 盛美半导体设备（上海）有限公司 用于处理单片半导体工件的溶液制备设备和方法
JP5122371B2 (ja) * 2008-05-26 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体
JP2010054491A (ja) * 2008-07-30 2010-03-11 Saginomiya Seisakusho Inc 温度測定センサーおよび温度測定センサーを用いた温度測定装置
JP5436828B2 (ja) * 2008-10-03 2014-03-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
TWI392046B (zh) * 2009-10-21 2013-04-01 Gallant Prec Machining Co Ltd 改良之基板乾燥系統及乾燥基板之方法
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5782317B2 (ja) * 2011-07-12 2015-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
CN103828032B (zh) * 2011-09-22 2016-08-17 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 用于处理衬底表面的装置以及方法
US9694436B2 (en) * 2013-11-04 2017-07-04 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for flux coat, reflow and clean

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124185A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002093773A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20040084315A1 (en) 2002-10-31 2004-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Plating apparatus and plating method
JP2009054959A (ja) 2007-08-29 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009231732A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011211092A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および処理液温度測定方法

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Publication number Publication date
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