JP5782317B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 107
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 57
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 547
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 27
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 16
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100441413 Caenorhabditis elegans cup-15 gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
請求項2記載の発明は、前記複数の硫酸供給路の流量および対応する混合位置が、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている、請求項1に記載の基板処理装置である。この構成によれば、硫酸の温度に応じて硫酸供給路を選択すれば、混合位置および硫酸流量が、同時にかつ適切に設定される。これにより、硫酸の温度の変更に対する対処が一層容易になる。
請求項4記載の発明は、前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁(51,52,53,54)をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁(たとえばニードルバルブ等の手動流量調整弁)によって、複数の硫酸供給路における流量を個別に設定できる。たとえば、複数の流量調整弁の開度を、複数の異なる硫酸温度に対応した流量が得られるように適切に個別調整しておけばよい。これにより、使用する硫酸の温度が変更されるときには、硫酸供給路の選択を切り換えるだけで、当該温度に対応した流量で硫酸を供給できる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的な断面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Wの表面に形成されているレジスト膜を除去(剥離)するためのレジスト除去(レジスト剥離)処理のために用いられる。この基板処理装置は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式基板処理装置である。この基板処理装置では、レジスト剥離液として、硫酸と過酸化水素水との混合液である硫酸過酸化水素水混合液(SPM:sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)が用いられる。
複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4は、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている。具体的には、4種類の硫酸温度が想定されており、そのうち最も低い硫酸温度(第1硫酸温度。たとえば80℃)に第1混合位置MP1が対応しており、2番目に低い硫酸温度(第2硫酸温度。たとえば100℃)に第2混合位置MP2が対応しており、3番目に低い硫酸温度(第3硫酸温度。たとえば130℃)に第3混合位置MP3が対応しており、4番目に低い(この実施形態では最も高い)硫酸温度(第4硫酸温度。たとえば180℃)に第4混合位置MP4が対応している。すなわち、硫酸温度が低いほど、混合位置からノズル2の先端までの流路長が長くなっている。各混合位置からノズル2の先端の流路長は、当該混合位置で過酸化水素水に合流する硫酸の温度に応じて、最適な値になるように設計されている。
また、この実施形態では、最上流の第1混合位置MP1とそれに隣接する第2混合位置MP2との間に、撹拌フィン付き流通管23が介装されている。これにより、比較的低温の硫酸が導入される第1混合位置MP1において生成されたSPMは、撹拌フィン付き流通管23によって撹拌されて十分に混合される。これにより、硫酸と過酸化水素水との混合に伴う発熱を促進でき、SPMの剥離性能を上げることができる。しかも、撹拌フィン付き流通管23より下流側では、撹拌フィン付き流通管23の耐熱温度を超える温度のSPMを流通させることができるから、撹拌フィン付き流通管23の耐熱温度を超える高温のSPMをノズル2から基板Wへと供給できる。これにより、レジスト剥離性能の高いSPMを基板Wに供給できる。
W 基板
X1,X2,X3,X4 流路長
1 スピンチャック
2 ノズル
3 回転軸
4 スピンベース
5 チャックピン
6 チャック回転機構
7 ケーシング
8 処理液受け部
9 スプラッシュガード
10 ガード昇降機構
11 ノズル移動機構
13 処理カップ
15 制御ユニット
20 過酸化水素水供給源
21 過酸化水素水バルブ
22 流量コントローラ
23 撹拌フィン付き流通管
25 硫酸供給源
26 昇温ユニット
27 供給元ライン
28 硫酸バルブ
30 過酸化水素水供給路
31,32,33,34 硫酸供給路
35 硫酸供給路選択ユニット
41,42,43,44 開閉弁
51,52,53,54 流量調整弁
Claims (9)
- 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板の表面に供給する基板処理装置であって、
前記レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズルと、
前記ノズルに向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路上において前記ノズルまでの流路長が異なる複数の混合位置にそれぞれ接続され、個別に設定された流量で対応する混合位置に向けて硫酸を流通させるように構成された複数の硫酸供給路と、
硫酸供給源からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニットとを含む、基板処理装置。 - 前記複数の硫酸供給路の流量および対応する混合位置が、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記硫酸供給源からの硫酸の温度に応じて前記硫酸供給路選択ユニットを制御する制御ユニットをさらに含む、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記過酸化水素水供給路を流通する過酸化水素水の流量を制御する流量コントローラをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板の表面に供給する基板処理装置であって、
前記レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズルと、
前記ノズルに向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路上において前記ノズルまでの流路長が異なる複数の混合位置にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路と、
硫酸供給源からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニットと、
前記過酸化水素水供給路において最下流の混合位置と最上流の混合位置との間に配置され、硫酸と過酸化水素水との混合液を撹拌する撹拌手段とを含む、基板処理装置。 - 前記撹拌手段が、最上流の混合位置と、当該最上流の混合位置に対して下流側に隣接する別の混合位置との間において前記過酸化水素水供給路に配置されている、請求項6に記載の基板処理装置。
- 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板の表面に供給する基板処理装置であって、
前記レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズルと、
前記ノズルに向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路上において前記ノズルまでの流路長が異なる複数の混合位置にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路と、
前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された開閉弁を有し、硫酸供給源からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニットと含む、基板処理装置。 - 前記硫酸供給源が、前記複数の硫酸供給路に供給される硫酸を昇温させるための昇温ユニットを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011154020A JP5782317B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 基板処理装置 |
KR1020120071566A KR101384403B1 (ko) | 2011-07-12 | 2012-07-02 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
TW101124188A TWI487052B (zh) | 2011-07-12 | 2012-07-05 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US13/544,207 US20130014787A1 (en) | 2011-07-12 | 2012-07-09 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011154020A JP5782317B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013021178A JP2013021178A (ja) | 2013-01-31 |
JP5782317B2 true JP5782317B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=47518213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011154020A Active JP5782317B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130014787A1 (ja) |
JP (1) | JP5782317B2 (ja) |
KR (1) | KR101384403B1 (ja) |
TW (1) | TWI487052B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5819762B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-11-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US9870933B2 (en) * | 2013-02-08 | 2018-01-16 | Lam Research Ag | Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US10464107B2 (en) | 2013-10-24 | 2019-11-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP6222558B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2017-11-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6290762B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法 |
CN109285800B (zh) * | 2014-03-10 | 2022-02-08 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理系统以及管道清洗方法 |
US10403517B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-09-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN105914167B (zh) * | 2015-02-25 | 2018-09-04 | 株式会社思可林集团 | 基板处理装置 |
JP6418555B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6624609B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2019-12-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6722532B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2020-07-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
JP2022131171A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4902091B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-03-21 | 義治 山本 | 半導体基板の洗浄装置 |
JP2005093926A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Trecenti Technologies Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006278509A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sony Corp | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
JP4787086B2 (ja) | 2006-06-23 | 2011-10-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4644170B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN101582372B (zh) * | 2008-05-12 | 2012-11-07 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 用于处理单片半导体工件的溶液制备设备和方法 |
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-
2011
- 2011-07-12 JP JP2011154020A patent/JP5782317B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-02 KR KR1020120071566A patent/KR101384403B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-05 TW TW101124188A patent/TWI487052B/zh active
- 2012-07-09 US US13/544,207 patent/US20130014787A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130008462A (ko) | 2013-01-22 |
TWI487052B (zh) | 2015-06-01 |
JP2013021178A (ja) | 2013-01-31 |
US20130014787A1 (en) | 2013-01-17 |
TW201308494A (zh) | 2013-02-16 |
KR101384403B1 (ko) | 2014-04-10 |
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