JP2013021178A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Wの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル2と、ノズル2に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路30と、過酸化水素水供給路30上においてノズル2までの流路長が異なる複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路31,32,33,34と、硫酸供給源25からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット35とを含む。
【選択図】図1
Description
請求項3記載の発明は、前記複数の硫酸供給路の流量および対応する混合位置が、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている、請求項2に記載の基板処理装置である。この構成によれば、硫酸の温度に応じて硫酸供給路を選択すれば、混合位置および硫酸流量が、同時にかつ適切に設定される。これにより、硫酸の温度の変更に対する対処が一層容易になる。
請求項5記載の発明は、前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁(51,52,53,54)をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁(たとえばニードルバルブ等の手動流量調整弁)によって、複数の硫酸供給路における流量を個別に設定できる。たとえば、複数の流量調整弁の開度を、複数の異なる硫酸温度に対応した流量が得られるように適切に個別調整しておけばよい。これにより、使用する硫酸の温度が変更されるときには、硫酸供給路の選択を切り換えるだけで、当該温度に対応した流量で硫酸を供給できる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的な断面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Wの表面に形成されているレジスト膜を除去(剥離)するためのレジスト除去(レジスト剥離)処理のために用いられる。この基板処理装置は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式基板処理装置である。この基板処理装置では、レジスト剥離液として、硫酸と過酸化水素水との混合液である硫酸過酸化水素水混合液(SPM:sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)が用いられる。
複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4は、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている。具体的には、4種類の硫酸温度が想定されており、そのうち最も低い硫酸温度(第1硫酸温度。たとえば80℃)に第1混合位置MP1が対応しており、2番目に低い硫酸温度(第2硫酸温度。たとえば100℃)に第2混合位置MP2が対応しており、3番目に低い硫酸温度(第3硫酸温度。たとえば130℃)に第3混合位置MP3が対応しており、4番目に低い(この実施形態では最も高い)硫酸温度(第4硫酸温度。たとえば180℃)に第4混合位置MP4が対応している。すなわち、硫酸温度が低いほど、混合位置からノズル2の先端までの流路長が長くなっている。各混合位置からノズル2の先端の流路長は、当該混合位置で過酸化水素水に合流する硫酸の温度に応じて、最適な値になるように設計されている。
また、この実施形態では、最上流の第1混合位置MP1とそれに隣接する第2混合位置MP2との間に、撹拌フィン付き流通管23が介装されている。これにより、比較的低温の硫酸が導入される第1混合位置MP1において生成されたSPMは、撹拌フィン付き流通管23によって撹拌されて十分に混合される。これにより、硫酸と過酸化水素水との混合に伴う発熱を促進でき、SPMの剥離性能を上げることができる。しかも、撹拌フィン付き流通管23より下流側では、撹拌フィン付き流通管23の耐熱温度を超える温度のSPMを流通させることができるから、撹拌フィン付き流通管23の耐熱温度を超える高温のSPMをノズル2から基板Wへと供給できる。これにより、レジスト剥離性能の高いSPMを基板Wに供給できる。
W 基板
X1,X2,X3,X4 流路長
1 スピンチャック
2 ノズル
3 回転軸
4 スピンベース
5 チャックピン
6 チャック回転機構
7 ケーシング
8 処理液受け部
9 スプラッシュガード
10 ガード昇降機構
11 ノズル移動機構
13 処理カップ
15 制御ユニット
20 過酸化水素水供給源
21 過酸化水素水バルブ
22 流量コントローラ
23 撹拌フィン付き流通管
25 硫酸供給源
26 昇温ユニット
27 供給元ライン
28 硫酸バルブ
30 過酸化水素水供給路
31,32,33,34 硫酸供給路
35 硫酸供給路選択ユニット
41,42,43,44 開閉弁
51,52,53,54 流量調整弁
Claims (10)
- 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板の表面に供給する基板処理装置であって、
前記レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズルと、
前記ノズルに向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路上において前記ノズルまでの流路長が異なる複数の混合位置にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路と、
硫酸供給源からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニットとを含む、基板処理装置。 - 前記複数の硫酸供給路が、個別に設定された流量で対応する混合位置に向けて硫酸を流通させるように構成されている、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記複数の硫酸供給路の流量および対応する混合位置が、異なる温度の硫酸に対応するように設定されている、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記硫酸供給源からの硫酸の温度に応じて前記硫酸供給路選択ユニットを制御する制御ユニットをさらに含む、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された複数の流量調整弁をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記過酸化水素水供給路を流通する過酸化水素水の流量を制御する流量コントローラをさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記過酸化水素水供給路において最下流の混合位置と最上流の混合位置との間に配置され、硫酸と過酸化水素水との混合液を撹拌する撹拌手段をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記撹拌手段が、最上流の混合位置と、当該最上流の混合位置に対して下流側に隣接する別の混合位置との間において前記過酸化水素水供給路に配置されている、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記硫酸供給源が、前記複数の硫酸供給路に供給される硫酸を昇温させるための昇温ユニットを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記硫酸供給路選択ユニットが、前記複数の硫酸供給路にそれぞれ介装された開閉弁を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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