JP2000124185A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2000124185A
JP2000124185A JP10290538A JP29053898A JP2000124185A JP 2000124185 A JP2000124185 A JP 2000124185A JP 10290538 A JP10290538 A JP 10290538A JP 29053898 A JP29053898 A JP 29053898A JP 2000124185 A JP2000124185 A JP 2000124185A
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JP
Japan
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processing liquid
heating
substrate
cleaning liquid
liquid
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JP10290538A
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English (en)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を回転させ基板表面へ加熱された処理液
を供給して基板を枚葉方式で処理する場合に、処理液の
加熱のために必要とされる消費電力を低減させることが
でき、処理液の濃度や流量の測定が正確に行われて処理
液の濃度や流量を精度良く制御できる装置を提供する。 【手段】 スピンチャック12により保持された基板W
の表面へ処理液を吐出する吐出ノズル18へ処理液を供
給する処理液供給配管38に、吐出ノズルの直前位置で
処理液を加熱するヒータ62を介挿して設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基
板、電子部品などの基板に対して洗浄等の処理を施すた
めに使用される基板処理装置、特に、基板を水平姿勢に
保持して鉛直軸周りに回転させ、基板の表面へ加熱され
た洗浄液等の処理液を供給して、基板を1枚ずつ枚葉方
式で処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
回転させ基板の表面へ加熱された処理液を供給して基板
を枚葉方式で処理する基板処理装置、例えば、基板の表
面へ加熱された洗浄液を供給して基板を洗浄処理する基
板洗浄装置としては、例えば図5に模式的断面図を示す
ような構成の装置が使用される。この装置において、基
板Wの洗浄処理が行われる基板洗浄部10は、基板Wを
水平姿勢に保持するスピンチャック12、このスピンチ
ャック12を水平姿勢に支持し回転自在に保持された回
転支軸14、この回転支軸14に回転軸が連接されてス
ピンチャック12を鉛直軸周りに回転させるスピンモー
タ16、スピンチャック12に保持された基板Wの表面
へ洗浄液を供給する吐出ノズル18、および、スピンチ
ャック12に保持された基板Wの周囲を取り囲むように
配設され上面が開口した洗浄液回収用のカップ20を備
えて構成されている。カップ20の底部には、その内底
部に集まるドレンを排出するためのドレン排出管22が
接続されており、ドレン排出管22の途中でドレン回収
配管24が分岐している。ドレン排出管22には、ドレ
ン回収配管24への分岐位置より下流側の位置に開閉制
御弁26が介挿され、また、ドレン回収配管24にも開
閉制御弁28が介挿されている。さらに、カップ20の
底部には、カップ20の内部を排気するための排気管3
0が接続されている。
【0003】また、基板洗浄部10の吐出ノズル18へ
洗浄液を供給する洗浄液供給ユニット100は、洗浄液
102が貯留される洗浄液貯留槽104、吐出ノズル1
8と洗浄液貯留槽104とを流路的に接続する洗浄液供
給配管106、および、洗浄液供給配管106から分岐
され洗浄液貯留槽104に流路的に接続された戻り配管
108から流路構成されている。戻り配管108には、
ドレン排出管22から分岐したドレン回収配管24が合
流させられている。洗浄液供給配管106の、戻り配管
108への分岐位置より下流側の位置、および、戻り配
管108の、ドレン回収配管24との合流位置より上流
側の位置には、それぞれ開閉制御弁110、112が介
挿されている。洗浄液供給配管106には、洗浄液貯留
槽104と戻り配管108への分岐位置との間に循環ポ
ンプ114、インラインヒータ116、フィルタ11
8、濃度センサ120および流量センサ122がそれぞ
れ介挿して設けられている。また、洗浄液供給配管10
6には、インラインヒータ116の下流側に温度センサ
124が介挿されており、温度センサ124から出力さ
れる検出信号に基づいてインラインヒータ116を制御
し基板洗浄部10へ送られる洗浄液の温度を所定温度に
保つ温度調節器126が設けられている。さらに、洗浄
液貯留槽104の内部には投げ込みヒータ128が設置
されており、その投げ込みヒータ128により洗浄液貯
留槽104内の洗浄液102が加熱される。流量センサ
122から出力される検出信号は、流量監視器130に
入力されて、流量監視器130により洗浄液供給配管1
06内を流れる洗浄液の流量が監視される。また、洗浄
液貯留槽104の内部には、薬液A、例えばアンモニア
水を供給するための薬液供給配管132の先端、およ
び、薬液B、例えば過酸化水素水を供給するための薬液
供給配管134の先端がそれぞれ連通している。薬液供
給配管132、134には、それぞれ開閉制御弁13
6、138が介挿されている。そして、濃度センサ12
0から出力される検出信号に基づいて各開閉制御弁13
6、138を制御することにより、各薬液供給配管13
2、134を通して洗浄液貯留槽104内へ供給される
薬液量を調整して、洗浄液貯留槽104内の洗浄液10
2の薬液濃度を調節する濃度調節器140が設けられて
おり、所定濃度に調整された洗浄液が基板洗浄部10へ
供給されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したような構成の
従来の基板洗浄装置では、常に所定温度に加熱された状
態の洗浄液を基板洗浄部10へ供給することができるよ
うにするために、洗浄液貯留槽118から洗浄液供給配
管106を通り戻り配管108を経て洗浄液貯留槽11
8へ戻る循環系において、その循環系を巡る洗浄液の温
度が所定の高温に常時保持されるように、インラインヒ
ータ116および投げ込みヒータ128により循環系内
を循環する洗浄液を加熱し続ける必要がある。このた
め、従来の装置では、消費電力が多くなる、といった問
題点がある。
【0005】また、洗浄液の薬液濃度を検出する濃度セ
ンサ120としては、吸光度式、電磁誘導式、超音波式
などのセンサが用いられ、また、洗浄液の流量を検出す
る流量センサ122としては、差動トランスやCCDカ
メラを使用したフロート式、超音波式などのセンサが用
いられる。ところが、従来の基板洗浄装置では、濃度セ
ンサ120や流量センサ122により、洗浄液の濃度や
流量が加熱された状態で検出される。このため、洗浄液
中で発泡を生じて、濃度センサ120や流量センサ12
2により洗浄液の濃度や流量を正確に測定することがで
きない場合がある。この結果、従来の装置では、洗浄液
の濃度や流量の制御性が悪くなって、洗浄処理の再現性
が悪くなる、といった問題点がある。
【0006】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周
りに回転させ、基板の表面へ加熱された処理液を供給し
て、基板を枚葉方式で処理する基板処理装置において、
処理液の加熱のために必要とされる消費電力を低減させ
ることができ、また、処理液の濃度や流量の測定が正確
に行われて、処理液の濃度や流量を精度良く制御するこ
とができ、処理の再現性を向上させることができる基板
処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに回転させる基板
保持・回転手段と、この基板保持・回転手段によって保
持された基板の表面に対向するように配置される処理液
吐出部と、この処理液吐出部へ処理液供給路を通して加
熱された処理液を供給する処理液供給手段とを備えた基
板処理装置において、前記処理液供給路の、前記処理液
吐出部の直前に、処理液を加熱する処理液加熱手段を介
挿して設けたことを特徴とする。
【0008】請求項2に係る発明は、請求項1記載の基
板処理装置において、処理液加熱手段として誘導加熱ヒ
ータを使用し、その誘導加熱ヒータが、処理液供給路に
それぞれ連通接続される液流入口および液流出口が形設
された密閉構造を有し少なくとも加熱部が非磁性体材料
で形成された加熱容器と、この加熱容器の外面の、前記
加熱部の位置に巻装されたコイルと、このコイルに高周
波電流を流す電源装置部と、前記加熱容器の内部の、前
記加熱部の位置に配設され導電性材料によって形成され
た発熱体とから構成されたことを特徴とする。
【0009】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の基板処理装置において、処理液が貯留され
る処理液貯留槽と、この処理液貯留槽と処理液吐出部と
を流路的に接続し処理液加熱手段が介挿して設けられた
処理液供給路と、この処液供給路から、前記処理液加熱
手段より上流側の位置で分岐され、前記処理液貯留槽に
流路的に接続された戻り路と、前記処理液供給路の、前
記戻り路への分岐位置より上流側の位置に介挿して設け
られた循環ポンプとを備えて、処理液供給手段を構成し
たことを特徴とする。
【0010】請求項4に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の基板処理装置において、純水供給源と、こ
の純水供給源と処理液吐出部とを流路的に接続し処理液
加熱手段が介挿して設けられた処理液供給路と、この処
理液供給路の、前記処理液加熱手段より上流側の位置に
介挿して設けられ、前記純水供給源から供給される純水
に薬液を混合して所定濃度の処理液を調製しその処理液
を送り出すミキシングバルブと、このミキシングバルブ
に薬液を供給する薬液供給手段とを備えて、処理液供給
手段を構成したことを特徴とする。
【0011】請求項1に係る発明の基板処理装置におい
ては、基板保持・回転手段によって保持された基板の表
面へ処理液を吐出する処理液吐出部の直前に、処理液を
加熱する処理液加熱手段が処理液供給路に介挿して設け
られており、処理液は、処理液吐出部の直前において加
熱される。従って、処理液の温度が所定の高温に常時保
持されるように、循環系において処理液を加熱し続けて
おく、といった必要が無い。また、処理液の薬液濃度や
流量は、処理液加熱手段の上流側において処理液が加熱
される前の状態で検出されるようにすることが可能であ
り、このため、処理液の濃度や流量を正確に測定するこ
とが可能になる。
【0012】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
処理液供給路を通して処理液吐出部へ供給される処理液
が、処理液供給路に介在して設けられた誘導加熱ヒータ
を通過する間に十分に加熱される。そして、誘導加熱ヒ
ータにおいては、電源装置部により、加熱容器の外面に
巻装されたコイルに高周波電流が流されると、磁束が発
生し、磁界内にある加熱容器内部の発熱体に渦電流が生
じ、発熱体を形成している導電性材料の固有抵抗による
ジュール熱が発生して、発熱体が発熱する。従って、液
流入口を通って加熱容器内へ流入した処理液は、加熱容
器内を通過する際に発熱体によって直接的に加熱され、
加熱された処理液が加熱容器内から液流出口を通って流
出する。
【0013】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
処理液は、処理液貯留槽から処理液供給路を通り戻り路
を経て処理液貯留槽へ戻る循環系内を、加熱されること
なく単に循環するだけである。そして、処理液は、その
循環系から処理液吐出部へ送給される過程で処理液加熱
手段により加熱され、所定温度に加熱された処理液が処
理液吐出部から基板保持・回転手段に保持された基板の
表面へ吐出される。
【0014】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
純水供給源からミキシングバルブへ純水が送られるとと
もに、薬液供給手段によってミキシングバルブへ薬液が
供給され、ミキシングバルブにおいて純水に薬液が混合
させられて処理液が調製される。そして、処理液は、ミ
キシングバルブから処理液吐出部へ送給される過程で処
理液加熱手段により加熱され、所定温度に加熱された処
理液が処理液吐出部から基板保持・回転手段に保持され
た基板の表面へ吐出される。このように、純水に薬液が
混合させられた後の処理液が処理液加熱手段によって加
熱されるので、純水供給源から加熱された温純水を供給
する必要が無い。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図4を参照しながら説明する。
【0016】図1は、この発明の実施形態の1例を示
し、基板処理装置の一種である基板洗浄装置の概略構成
を示す模式的断面図である。この基板洗浄装置は、基板
Wの洗浄処理が行われる基板洗浄部10と、基板洗浄部
10へ洗浄液を供給する洗浄液供給ユニット32とから
構成されているが、基板洗浄部10の構成は、図5に示
した従来の装置と同じであるので、それぞれの構成要素
に図5で使用した符号と同一符号を付して、それらにつ
いての説明を省略する。
【0017】洗浄液供給ユニット32は、図5に示した
従来の装置と同様に、洗浄液34が貯留される洗浄液貯
留槽36、吐出ノズル18と洗浄液貯留槽36とを流路
的に接続する洗浄液供給配管38、および、洗浄液供給
配管38から分岐され洗浄液貯留槽36に流路的に接続
された戻り配管40から流路構成されており、戻り配管
40には、ドレン排出管22から分岐したドレン回収配
管24が合流させられている。洗浄液供給配管38の、
戻り配管40への分岐位置より下流側の位置、および、
戻り配管40の、ドレン回収配管24との合流位置より
上流側の位置には、それぞれ開閉制御弁42、44が介
挿されている。また、洗浄液供給配管38には、洗浄液
貯留槽36と戻り配管40への分岐位置との間に循環ポ
ンプ45、フィルタ46、濃度センサ47および流量セ
ンサ48がそれぞれ介挿して設けられているが、従来の
装置とは異なりインラインヒータは設けられていない。
また、洗浄液貯留槽36にも、投げ込みヒータは設置さ
れていない。流量センサ48から出力される検出信号
は、流量監視器50に入力されて、流量監視器50によ
り洗浄液供給配管38内を流れる洗浄液の流量が監視さ
れる。
【0018】また、従来の装置と同様に、洗浄液貯留槽
36の内部には、薬液A、例えばアンモニア水を供給す
るための薬液供給配管52の先端、および、薬液B、例
えば過酸化水素水を供給するための薬液供給配管54の
先端がそれぞれ連通しており、各薬液供給配管52、5
4にそれぞれ開閉制御弁56、58が介挿されている。
さらに、濃度センサ47から出力される検出信号に基づ
いて各開閉制御弁56、58を制御する濃度調節器60
が設けられている。この濃度調節器60によって各開閉
制御弁56、58をそれぞれ制御することにより、各薬
液供給配管52、54を通して洗浄液貯留槽36内へ供
給される薬液Aの量および薬液Bの量がそれぞれ調整さ
れ、洗浄液貯留槽36内の洗浄液34の薬液濃度が調節
されて、所定濃度に調整された洗浄液が基板洗浄部10
へ供給されるようになっている。
【0019】そして、この洗浄液供給ユニット32で
は、洗浄液供給配管38の、基板洗浄部10の吐出ノズ
ル18の直前に、すなわち、開閉制御弁42の介挿位置
と吐出ノズル18との間に、洗浄液を加熱するヒータ6
2が介挿して設けられている。また、ヒータ62の下流
側に温度センサ64が介挿されており、温度センサ64
から出力される検出信号に基づいてヒータ62を制御し
吐出ノズル18へ送られる洗浄液の温度を所定温度に調
節する温度調節器66が設けられている。ヒータ62と
しては、洗浄液供給配管38を通って流れる洗浄液を効
率良く加熱して、そのヒータ62を洗浄液が通過する間
に洗浄液を所定温度まで上昇させることができる機能を
有するものが採用されるが、このようなヒータとして、
電磁誘導加熱式の誘導加熱ヒータがある。図2および図
3により、誘導加熱ヒータの基本構成および作用につい
て以下に説明する。
【0020】図2は、誘導加熱ヒータの概略構成を模式
的に示す外観斜視図であり、図3は、その縦断面図であ
る。この誘導加熱ヒータは、配管1(図1に示した例で
は洗浄液供給配管38)の途中に介挿して設けられる加
熱容器2、この加熱容器2に巻装されたコイル3、電源
装置部(図示せず)、および、加熱容器2の内部に配設
された発熱体4から構成されている。なお、図2におい
て、コイル3は、半周部分を切断した状態で示されてい
る。
【0021】加熱容器2は、密閉された円筒形状を有
し、配管1にそれぞれ連通接続される液流入口5および
液流出口6が両側端面部に形設されている。この加熱容
器2は、非磁性体材料、例えばフッ化樹脂等のプラスチ
ック材料やセラミック材料で形成されている。なお、加
熱容器2の全体が非磁性体材料で形成されている必要は
必ずしもなく、少なくともコイル3が巻装されて加熱部
となる円筒面が非磁性体材料で形成されておればよい。
また、加熱容器の形状は、円筒に限らず種々の形状であ
ってもよい。
【0022】加熱容器2の円筒面に巻装されたコイル3
には、電源装置部が電気接続されていて、電源装置部に
よりコイル3に高周波電流が流されるようになってい
る。また、加熱容器2の内部に配設された発熱体4は、
金属材料によって形成されている。図示例では、発熱体
4は、耐食性を有するステンレス鋼等から成る複数枚の
金属薄板7を、間隔をあけて互いに平行に並列させて構
成されている。それぞれの金属薄板7は、加熱容器2の
軸線方向に沿って配置されており、各金属薄板7間の間
隙が洗浄液の通路8となる。これらの金属薄板7は、そ
の表面が電解研磨等によって鏡面状態とされ、精密洗浄
されている。なお、発熱体の構成は、図示例のように複
数枚の金属薄板7を並列させたものに限らず、洗浄液の
通路が形成されて洗浄液との接触面積が或る程度確保さ
れる構造であればどのようなものでもよく、例えばハニ
カム構造等のものでもよい。また、発熱体の材質は、ス
テンレス鋼以外のもの、例えばニッケル等の各種金属で
もよい。その他、シリコンカーバイト(SiC)や炭素
(C)でもよく、発熱体の材質は導電性材料であればよ
い。
【0023】図2および図3に示した構成の誘導加熱ヒ
ータにおいては、電源装置部によりコイル3に高周波電
流を流すと、磁束が発生して、加熱容器2の内部の金属
薄板7に渦電流を生じ、材料の固有抵抗によって金属薄
板7にジュール熱が発生して、金属薄板7が発熱する。
この際、加熱容器2は、非磁性体材料で形成されている
ため、それ自身が発熱することはない。そして、金属薄
板7が発熱することにより、配管1から液流入口5を通
って加熱容器2内に流入した洗浄液は、各金属薄板7間
の通路8を通って流れる際に、金属薄板7からの熱伝達
により直接的に加熱される。各金属薄板7間の通路8を
通過する間に加熱されて昇温した洗浄液は、加熱容器2
内から液流出口6を通って流出し配管1内へ流れ込む。
【0024】洗浄液供給配管38の、基板洗浄部10の
吐出ノズル18の直前に、図2および図3に示したよう
な構成のヒータ62が介挿して設けられた洗浄液供給ユ
ニット32において、洗浄液は、洗浄液貯留槽36から
洗浄液供給配管38を通り戻り配管40を経て洗浄液貯
留槽36へ戻る循環系内では、加熱されることなく単に
循環するだけである。従って、洗浄液の温度を所定の高
温に常時保持しておくために循環系で洗浄液を加熱し続
けておく、といったことが行われないので、消費電力が
低減する。また、濃度センサ47によって洗浄液の薬液
濃度を検出する際や流量センサ48によって洗浄液の流
量を検出する際には、洗浄液は加熱された状態でないの
で、洗浄液中で発泡を生じることが無い。このため、濃
度センサ47や流量センサ48により洗浄液の濃度や流
量を正確に測定することができるので、それらの測定結
果に基づいて洗浄液の濃度や流量を精度良く制御し適正
に管理することができる。
【0025】そして、洗浄液は、洗浄液供給ユニット3
2の循環系から基板洗浄部10へ送給される過程でヒー
タ62により十分に加熱され、所定温度に加熱された洗
浄液が吐出ノズル18からスピンチャック12に保持さ
れた基板Wの表面へ吐出される。なお、吐出ノズル18
から基板Wの表面へ吐出されて基板W上から流下した洗
浄液は、カップ20の内底部に集められ、その一部はド
レン排出管22を通って排出され、ドレンの一部は、ド
レン排出管22からドレン回収配管24を通って洗浄液
供給ユニット32の戻り配管40内へ流入し、戻り配管
40を通って洗浄液貯留槽36内へ回収される。
【0026】次に、図4は、この発明の別の実施形態で
ある基板洗浄装置の概略構成を示す模式的断面図であ
る。この基板洗浄装置の基板洗浄部10の構成は、図1
(および図5)に示した装置と同様であるので、それぞ
れの構成要素に図1で使用した符号と同一符号を付し
て、それらについての説明を省略するが、この装置で
は、ドレン排出管22の途中でドレン回収配管が分岐し
ておらず、カップ20の内底部に集められたドレンは、
ドレン排出管22を通って全て排出され、ドレンの回収
が行われない。
【0027】この装置の洗浄液供給ユニット68では、
基板洗浄部10の吐出ノズル18に接続された洗浄液供
給配管70が純水供給源に流路的に接続されている。そ
して、洗浄液供給配管70の途中にミキシングバルブ7
2が介在して設けられており、ミキシングバルブ72
に、薬液A、例えばアンモニア水の供給源に接続された
薬液供給配管74a、および、薬液B、例えば過酸化水
素の供給源に接続された薬液供給配管74bがそれぞれ
接続されている。洗浄液供給配管70の、ミキシングバ
ルブ72の介設位置より上流側の位置に開閉制御弁76
が介挿されており、また、各薬液供給配管74a、74
bにもそれぞれ開閉制御弁78a、78bが介挿されて
いる。そして、開閉制御弁76を開いて開閉制御弁78
a、78bを閉じた状態では、ミキシングバルブ72の
液流出口から洗浄液供給配管70を通して基板洗浄部1
0へ純水が供給され、開閉制御弁76、78a、78b
を全て開いた状態では、ミキシングバルブ72で純水に
アンモニア水および過酸化水素が混合された洗浄液が、
ミキシングバルブ72の液流出口から洗浄液供給配管7
0を通して基板洗浄部10へ供給されるようになってい
る。この際、ミキシングバルブ72へ純水を所要の流量
で供給するように精密に流量制御して供給しながら、ミ
キシングバルブ72へアンモニア水および過酸化水素が
注入され、これにより、ミキシングバルブ72から一定
濃度に管理された洗浄液が送り出される。
【0028】また、洗浄液供給配管70の、ミキシング
バルブ72の介設位置より上流側には、流量センサ80
が介挿して設けられており、流量センサ80の下流側に
流量調節弁82が介挿されている。そして、流量センサ
80から出力される検出信号に基づいて流量調節弁82
を制御することにより、純水供給源からミキシングバル
ブ72へ供給される純水の流量を所定流量に調節する流
量調節器84が設けられている。また、各薬液供給配管
74a、74bにも、それぞれ流量調節弁86a、86
bが介挿されている。
【0029】一方、洗浄液供給配管70の、ミキシング
バルブ72の介設位置より下流側には、濃度センサ88
が介挿して設けられている。この濃度センサ88から出
力される検出信号は、濃度調節器90へ入力されるよう
に構成されており、濃度調節器90によって各薬液供給
配管74a、74bの流量調節弁86a、86bをそれ
ぞれ制御することにより、各薬液供給配管74a、74
bを通してミキシングバルブ72内へ供給される薬液A
の量および薬液Bの量がそれぞれ調整され、ミキシング
バルブ72で所定濃度の洗浄液が調製される。
【0030】そして、この洗浄液供給ユニット68で
は、洗浄液供給配管70の、基板洗浄部10の吐出ノズ
ル18の直前に、すなわち、濃度センサ88の介挿位置
と吐出ノズル18との間に、図2および図3に示したよ
うな上記構成の誘導加熱式のヒータ92が介挿して設け
られており、このヒータ92により洗浄液が加熱され
る。また、ヒータ92の下流側には温度センサ94が介
挿されており、温度センサ94から出力される検出信号
に基づいてヒータ94を制御し吐出ノズル18へ送られ
る洗浄液の温度を所定温度に調節する温度調節器96が
設けられている。
【0031】図4に示した基板洗浄装置の洗浄液供給ユ
ニット68において、洗浄液は、ミキシングバルブ72
から基板洗浄部10へ送給される過程でヒータ92によ
り加熱される。そして、ヒータ92により十分に加熱さ
れて所定温度に調節された洗浄液が、吐出ノズル18か
らスピンチャック12に保持された基板Wの表面へ吐出
される。このように、洗浄液供給ユニット68では、純
水に薬液が混合させられた後の洗浄液が加熱されるの
で、純水供給源から加熱された温純水を供給する必要が
無い。また、流量センサ80や濃度センサ88は、ヒー
タ92の上流側に設けられているので、流量センサ80
によって純水の流量を検出する際や濃度センサ88によ
って洗浄液の薬液濃度を検出する際には、純水および洗
浄液は加熱された状態でない。このため、流量センサ8
0や濃度センサ88により純水の流量や洗浄液の濃度を
正確に測定することができるので、それらの測定結果に
基づいて純水の流量や洗浄液の濃度を精度良く制御する
ことができる。
【0032】なお、上記実施例に用いられる薬液が、金
属を腐食する無機薬品である場合、誘導加熱ヒータの発
熱体4は、石英による保護部材により被覆されていても
よい。また、薬液がフッ化水素酸である場合は、保護部
材に酸化アルミニウム、例えばサファイアやアルミナを
用いてもよい。
【0033】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置を使
用すると、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに回転
させ基板の表面へ加熱された処理液を供給して基板を枚
葉方式で処理する場合に、処理液は、処理液吐出部の直
前において加熱されるので、処理液の温度が所定の高温
に常時保持されるように、循環系において処理液を加熱
し続けておく、といった必要が無い。このため、処理液
の加熱のために必要とされる消費電力を低減させること
ができる。また、処理液の薬液濃度や流量を、処理液が
加熱される前の状態で検出することができるので、処理
液の濃度や流量を正確に測定することできる。このた
め、処理液の濃度や流量の測定結果に基づいて処理液の
濃度や流量を精度良く制御することができ、処理の再現
性を向上させることができる。
【0034】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
処理液が誘導加熱ヒータ内を通過する間に処理液を十分
に加熱することができるので、所定温度に加熱された処
理液を処理液吐出部へ供給することができる。
【0035】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
処理液は、処理液貯留槽から処理液供給路を通り戻り路
を経て処理液貯留槽へ戻る循環系内を、加熱されること
なく単に循環するだけであり、その循環系から処理液吐
出部へ送給される過程で処理液加熱手段により加熱され
るので、処理液の加熱のために必要とされる消費電力を
低減させることができる。また、循環系内を加熱される
ことなく循環する処理液の薬液濃度や流量を検出すれば
よいので、処理液の濃度や流量を正確に測定することで
きる。
【0036】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
純水に薬液が混合させられた後の処理液が加熱されるの
で、純水供給源から加熱された温純水を供給する必要が
無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施形態の1例を示し、基板処理装
置の一種である基板洗浄装置の概略構成を示す模式的断
面図である。
【図2】図1に示した基板洗浄装置において使用される
誘導加熱ヒータの基本構成を模式的に示す外観斜視図で
ある。
【図3】図2に示した誘導加熱ヒータの概略縦断面図で
ある。
【図4】この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置
の一種である基板洗浄装置の概略構成を示す模式的断面
図である。
【図5】従来の基板洗浄装置の概略構成の1例を示す模
式的断面図である。
【符号の説明】
W 基板 10 基板洗浄部 12 スピンチャック 14 回転支軸 16 スピンモータ 18 吐出ノズル 20 洗浄液回収用のカップ 22 ドレン排出管 24 ドレン回収配管 26、28、42、44、56、58、76、78a、
78b 開閉制御弁 30 排気管 32、68 洗浄液供給ユニット 34 洗浄液 36 洗浄液貯留槽 38、70 洗浄液供給配管 40 戻り配管 45 循環ポンプ 46 フィルタ 47、88 濃度センサ 48、80 流量センサ 50 流量監視器 52、54、74a、74b 薬液供給配管 60、90 濃度調節器 62、92 ヒータ 64、94 温度センサ 66、96 温度調節器 72 ミキシングバルブ 82、86a、86b 流量調節弁 84 流量調節器 1 配管 2 加熱容器 3 コイル 4 発熱体 5 加熱容器の液流入口 6 加熱容器の液流出口 7 金属薄板 8 洗浄液の通路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
    回転させる基板保持・回転手段と、 この基板保持・回転手段によって保持された基板の表面
    に対向するように配置される処理液吐出部と、 この処理液吐出部へ処理液供給路を通して加熱された処
    理液を供給する処理液供給手段と、を備えた基板処理装
    置において、 前記処理液供給路の、前記処理液吐出部の直前に、処理
    液を加熱する処理液加熱手段を介挿して設けたことを特
    徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 処理液加熱手段が、 処理液供給路にそれぞれ連通接続される液流入口および
    液流出口が形設された密閉構造を有し少なくとも加熱部
    が非磁性体材料で形成された加熱容器と、この加熱容器
    の外面の、前記加熱部の位置に巻装されたコイルと、こ
    のコイルに高周波電流を流す電源装置部と、前記加熱容
    器の内部の、前記加熱部の位置に配設され導電性材料に
    よって形成された発熱体とから構成された誘導加熱ヒー
    タである請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 処理液供給手段が、 処理液が貯留される処理液貯留槽と、 この処理液貯留槽と処理液吐出部とを流路的に接続し処
    理液加熱手段が介挿して設けられた処理液供給路と、 この処理液供給路から、前記処理液加熱手段より上流側
    の位置で分岐され、前記処理液貯留槽に流路的に接続さ
    れた戻り路と、 前記処理液供給路の、前記戻り路への分岐位置より上流
    側の位置に介挿して設けられた循環ポンプと、を備えて
    構成された請求項1または請求項2記載の基板処理装
    置。
  4. 【請求項4】 処理液供給手段が、 純水供給源と、 この純水供給源と処理液吐出部とを流路的に接続し処理
    液加熱手段が介挿して設けられた処理液供給路と、 この処理液供給路の、前記処理液加熱手段より上流側の
    位置に介挿して設けられ、前記純水供給源から供給され
    る純水に薬液を混合して所定濃度の処理液を調製しその
    処理液を送り出すミキシングバルブと、 このミキシングバルブに薬液を供給する薬液供給手段
    と、を備えて構成された請求項1または請求項2記載の
    基板処理装置。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6463941B1 (en) 1998-12-11 2002-10-15 Nec Corporation Concentration control apparatus of liquid chemical
KR100478289B1 (ko) * 2002-08-20 2005-03-24 주식회사 디엠에스 개선된 기체혼합수단을 갖는 습식처리장치
JP2007109738A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム
JP2009054959A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2010113675A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 シャープ株式会社 基板洗浄装置
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
US20100279071A1 (en) * 2004-08-09 2010-11-04 Lam Research Corporation Systems and Methods Affecting Profiles of Solutions Dispensed Across Microelectronic Topographies During Electroless Plating Processes
JP2015228410A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2016167568A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017011206A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101778449B1 (ko) 2015-06-18 2017-09-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020077675A (ja) * 2018-11-05 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2021007148A (ja) * 2019-06-27 2021-01-21 セメス カンパニー,リミテッド 液供給ユニット、基板処理装置
KR102599613B1 (ko) * 2022-05-20 2023-11-08 엘에스이 주식회사 기판 세정 장치

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6463941B1 (en) 1998-12-11 2002-10-15 Nec Corporation Concentration control apparatus of liquid chemical
KR100478289B1 (ko) * 2002-08-20 2005-03-24 주식회사 디엠에스 개선된 기체혼합수단을 갖는 습식처리장치
US20100279071A1 (en) * 2004-08-09 2010-11-04 Lam Research Corporation Systems and Methods Affecting Profiles of Solutions Dispensed Across Microelectronic Topographies During Electroless Plating Processes
US8591985B2 (en) 2004-08-09 2013-11-26 Lam Research Corporation Systems and methods affecting profiles of solutions dispensed across microelectronic topographies during electroless plating processes
JP2007109738A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム
JP2009054959A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
WO2010113675A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 シャープ株式会社 基板洗浄装置
JP2015228410A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2016167568A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101792937B1 (ko) 2015-03-10 2017-11-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101778449B1 (ko) 2015-06-18 2017-09-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9793176B2 (en) 2015-06-18 2017-10-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017011206A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2020077675A (ja) * 2018-11-05 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7170506B2 (ja) 2018-11-05 2022-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2021007148A (ja) * 2019-06-27 2021-01-21 セメス カンパニー,リミテッド 液供給ユニット、基板処理装置
US11794219B2 (en) 2019-06-27 2023-10-24 Semes Co., Ltd. Liquid supply unit and substrate treating apparatus and method
JP7410811B2 (ja) 2019-06-27 2024-01-10 セメス カンパニー,リミテッド 液供給ユニット、基板処理装置
KR102599613B1 (ko) * 2022-05-20 2023-11-08 엘에스이 주식회사 기판 세정 장치

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