JP2007109738A - 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム - Google Patents

液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラムにおいて、処理液の濃度変化が生じても処理動作を中断させることなく継続して処理動作を行えるようにして、液処理工程のスループットを向上させること。
【解決手段】本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、この処理液を供給槽に貯留し、この供給槽から処理液吐出口へ処理液を供給する液処理装置において、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたか否かを判断し（濃度変化判断ステップＳ７）、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、調合槽から供給槽に処理液を補充したり、或いは、供給源から供給槽に原液を直接補充して、処理液の濃度を改善する（処理液濃度改善ステップＳ８）ことにした。
【選択図】図４

Description

本発明は、液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラムに関するものである。
従来より、半導体部品やフラットディスプレイや電子部品などの製造工程においては、半導体ウエハや液晶基板やディスク状記憶媒体などの被処理体を洗浄やエッチングなどを行う液処理装置で処理する工程が設けられていた。
この従来の液処理装置は、処理液吐出口から吐出した処理液で基板を処理したり乾燥したりする各種の処理を基板に施すための基板処理装置を設けるとともに、この基板処理装置に処理液を生成し供給するための処理液供給装置を一体的に又は別体で設けていた。
この処理液供給装置は、薬液や純水などの原液を貯留する供給源に調合槽を秤量器を介して接続するとともに、この調合槽に供給槽を接続しており、この供給槽を液処理装置に設けられた処理液吐出口に接続した構成となっていた（たとえば、特許文献１参照。）。
そして、従来の液処理装置では、処理液供給装置において、供給源に貯留された複数の原液を秤量器でそれぞれ秤量して調合槽に供給し、この調合槽で複数の原液を調合することによって所定濃度の処理液を生成し、この処理液を供給槽に一旦貯留しておき、必要に応じて供給槽から処理液を処理液吐出口へ供給し、その後、基板処理装置において、処理液吐出口から吐出した処理液を用いて基板の処理を行うようにしていた。
しかも、従来の液処理装置では、供給槽に貯留した処理液の濃度が低下した場合には、そのまま処理液を使用して基板の処理を行っても所望の処理効果が得られないおそれがあるために、警報によりオペレータに告知するとともに、処理動作を停止し、供給槽に貯留した処理液を全て廃棄し、その後、新たに調合槽で調合した所定濃度の処理液を供給槽に再び補充するようにしていた。
特開平９−２６０３３０号公報
ところが、上記従来の液処理装置では、供給槽に貯留した処理液の濃度が低下した場合に、処理動作を停止するとともに、供給槽に貯留した処理液を全て廃棄し、新たに調合槽で調合した所定濃度の処理液を供給槽に再び補充するようにしていたために、処理液の濃度低下のたびに処理液が調合され供給槽に補充されるまで処理動作を中断しなければならず、基板の処理に要する時間が長くなり、液処理装置のスループットの低下を招くおそれがあった。
また、従来の液処理装置では、濃度低下した処理液を全て廃棄していたために、処理液の無駄が増大し、薬液や純水などの原液の消費量が増大して、処理に要するランニングコストの増大を招くおそれがあった。
そこで、請求項１に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給して被処理体の処理を行う液処理装置において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することにした。
また、請求項２に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給して被処理体の処理を行う液処理装置において、前記供給源を前記供給槽に直接接続し、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することにした。
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記処理液の濃度を計測する濃度センサーの検出値に基づいて判断することにした。
また、請求項４に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充した後の経過時間に基づいて判断することにした。
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項２に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記供給源から前記供給槽に原液を補充した後の経過時間に基づいて判断することにした。
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記第１のレベルセンサーで検出されるまで前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することにした。
また、請求項７に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設けるとともに、この第１のレベルセンサーよりも上方に第２のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記第２のレベルセンサーで検出されるまで前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することにした。
また、請求項８に係る本発明では、前記請求項２に係る本発明において、前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記第１のレベルセンサーで検出されるまで前記供給源から前記供給槽に原液を補充することにした。
また、請求項９に係る本発明では、前記請求項２に係る本発明において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記供給源から前記供給槽に所定量の原液を補充することにした。
また、請求項１０に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記供給源を前記供給槽に直接接続し、前記調合槽から供給槽への処理液の補充を所定回数以上行った場合には、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することにした。
また、請求項１１に係る本発明では、前記請求項１〜請求項１０のいずれかに係る本発明において、前記調合槽で処理液を生成した後に所定時間経過した場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することにした。
また、請求項１２に係る本発明では、前記請求項１〜請求項１０のいずれかに係る本発明において、前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合、又は、所定時間内に前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することにした。
また、請求項１３に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給方法において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することにした。
また、請求項１４に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給方法において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することにした。
また、請求項１５に係る本発明では、前記請求項１３又は請求項１４に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記処理液の濃度を計測する濃度センサーの検出値に基づいて判断することにした。
また、請求項１６に係る本発明では、前記請求項１３に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充した後の経過時間に基づいて判断することにした。
また、請求項１７に係る本発明では、前記請求項１４に係る本発明において、前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記供給源から前記供給槽に原液を補充した後の経過時間に基づいて判断することにした。
また、請求項１８に係る本発明では、前記請求項１３に係る本発明において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することにした。
また、請求項１９に係る本発明では、前記請求項１４に係る本発明において、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記供給源から前記供給槽に原液を補充することにした。
また、請求項２０に係る本発明では、前記請求項１３に係る本発明において、前記調合槽から供給槽への処理液の補充を所定回数以上行った場合には、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することにした。
また、請求項２１に係る本発明では、前記請求項１３〜請求項２０のいずれかに係る本発明において、前記調合槽で処理液を生成した後に所定時間経過した場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することにした。
また、請求項２２に係る本発明では、前記請求項１３〜請求項２０のいずれかに係る本発明において、前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合、又は、所定時間内に前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することにした。
また、請求項２３に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給装置に処理液の供給動作を実行させる処理液供給プログラムにおいて、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する濃度変化判断ステップと、前記濃度変化判断ステップで前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充する処理液補充ステップとを有することにした。
また、請求項２４に係る本発明では、複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給装置に処理液の供給動作を実行させる処理液供給プログラムにおいて、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する濃度変化判断ステップと、前記濃度変化判断ステップで前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充する原液補充ステップとを有することにした。
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
すなわち、本発明では、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、調合槽から供給槽に処理液を補充することにしているために、処理液に濃度変化が生じても処理動作を中断させることがなくなり、液処理工程のスループットを向上させることができ、また、処理液に濃度変化が生じても処理液の補充によって処理液の濃度を所定の濃度範囲に維持し続けることができるので、処理液を廃棄しなくてもよくなり、液処理装置のランニングコストを低減することができる。
また、本発明では、供給源を供給槽に直接接続し、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、供給源から供給槽に原液を直接補充することにしているために、処理液に濃度変化が生じても処理動作を中断させることがなくなり、液処理工程のスループットを向上させることができ、また、処理液に濃度変化が生じても原液の補充によって処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができるので、処理液を廃棄しなくてもよくなり、液処理装置のランニングコストを低減することができる。
特に、供給槽内の処理液の濃度変化を、処理液の濃度を計測する濃度センサーの検出値に基づいて判断することにしているために、処理液の濃度変化を正確に判断することができる。
また、供給槽内の処理液の濃度変化を、調合槽から供給槽に処理液を貯留或いは補充した後の経過時間、又は、供給源から供給槽に原液を直接補充した後の経過時間に基づいて判断することにしているために、処理液の濃度変化を濃度センサーを用いることなく簡便に判断することができる。
また、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、供給槽に処理液又は原液を補充することにしているために、処理液又は原液の補充による処理液の濃度改善の程度を大きくすることができる。
また、供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合には、調合槽から供給槽に処理液を補充し、しかも、この供給槽への処理液の補充を所定回数以上行った場合には、供給源から供給槽に原液を直接補充することにしているために、調合槽から供給槽への処理液の補充を繰り返すことによって処理液の濃度改善の程度が小さくなっても、原液の直接補充によって処理液の濃度改善の程度を大きくすることができ、処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができる。
また、調合槽で処理液を生成した後に所定時間経過した場合や、供給槽への補充を所定回数以上行った場合や、所定時間内に供給槽への補充を所定回数以上行った場合に、調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに調合槽で処理液を生成して供給槽に貯留することにしているために、処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができる。
以下に、本発明に係る液処理装置及びこの液処理装置で用いる処理液供給方法並びに液処理装置への処理液供給動作を実行させるための処理液供給プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１及び図２に示すように、液処理装置１は、被処理体としてのウエハ２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板洗浄装置３と、この基板洗浄装置３に所定濃度の処理液（洗浄液）を供給するための処理液供給装置４とで構成している。なお、液処理装置１では、基板洗浄装置３と処理液供給装置４とを別体で構成しているが、これらの基板洗浄装置３と処理液供給装置４とを一体的に構成することもできる。
まず、基板洗浄装置３の構成について説明すると、基板洗浄装置３は、図１及び図２に示すように、ウエハ２を搬入及び搬出するための基板搬入出ユニット５の後部にウエハ２を１枚ずつ搬送するための基板搬送ユニット６を配設するとともに、この基板搬送ユニット６の後部にウエハ２の受け渡しを行うための基板受渡ユニット７を配設し、この基板受渡ユニット７の後部にウエハ２を基板洗浄装置３の内部で搬送するための主搬送ユニット８を配設し、この主搬送ユニット８の側部にウエハ２の処理を行うための基板洗浄ユニット9,10,11,12を上下及び前後に２個ずつ並べて配設するとともに、主搬送ユニット８の側部に電装ユニット15と機械制御ユニット16を並べて配設し、これら各ユニット7〜16の上部にフィルターファンユニット17を配設している。
そして、基板洗浄装置３では、たとえば、基板搬入出ユニット５に載置された複数枚のウエハ２を積載したキャリア18からウエハ２を一枚ずつ基板搬送ユニット６で取り出して基板受渡ユニット７へ搬送し、主搬送ユニット８で基板受渡ユニット７からウエハ２を各基板洗浄ユニット9,10,11,12に搬送し、この基板洗浄ユニット9,10,11,12でウエハ２を洗浄・乾燥し、その後、主搬送ユニット８でウエハ２を基板受渡ユニット７へ搬送し、基板搬送ユニット６でウエハ２を基板受渡ユニット７から基板搬入出ユニット５のキャリア18へと搬出するようにしている。
次に、処理液供給装置４の構成について説明すると、処理液供給装置４は、図３に示すように、純水を供給する供給源19に秤量器20を開閉バルブV1を介して連通連結するとともに、この秤量器20に調合槽21を開閉バルブV2を介して連通連結し、また、所定濃度の薬液を供給する供給源22に秤量器23を開閉バルブV3を介して連通連結するとともに、この秤量器23に調合槽21を開閉バルブV4を介して連通連結している。なお、供給源19,22から供給される液体（原液）は薬液と純水の組合せに限られず、複数種類の薬液の組合せであってもよい。また、供給源19,22は、純水や所定濃度の薬液(原液）を供給するものであればよく、液処理装置１の外部に配置したタンクであってもよく、また、液処理装置１の内部に配置した貯留槽であってもよい。
各秤量器20,23は、液面を検出するためのレベルセンサーS1〜S8を取付けている。これらのレベルセンサーS1〜S8のうち、最も下方に取付けられたレベルセンサーS1,S5は、各秤量器20,23の下限水面を検出するものであり、最も上方に取付けられたレベルセンサーS4,S8は、各秤量器20,23の上限水面を検出するものであり、また、これらのレベルセンサーS1,S4,S5,S8の間に取付けられたレベルセンサーS2,S3,S6,S7は、それぞれ所定量の純水や薬液を秤量するために使用されるものである。
また、各秤量器20,23には、廃液用の開閉バルブV5,V6がそれぞれ接続されている。
そして、各秤量器20,23では、開閉バルブV5,V6を閉塞した状態で開閉バルブV1,V3を開放することによって、供給源19,22から純水又は薬液が供給され、レベルセンサーS3,S7（S2,S6)がON状態となった後に開閉バルブV5,V6を開放するとともに開閉バルブV1,V3を閉塞し、その後、レベルセンサーS3,S7（S2,S6)がOFF状態となった時点で開閉バルブV5,V6を閉塞する。これによって、各秤量器20,23での秤量を行っている。なお、秤量する水量に応じて上記した秤量と調合槽21への供給を繰り返し行ってもよい。また、各秤量器20,23では、レベルセンサーS3,S7（S2,S6)がON状態となった後に所定時間が経過してもレベルセンサーS3,S7（S2,S6)がOFF状態とならない場合には、秤量器20,23が異常であると判断するようにしている。
また、調合槽21は、液面を検出するためのレベルセンサーS9,S10,S11を取付けている。これらのレベルセンサーS9,S10,S11のうち、最も下方に取付けられたレベルセンサーS9は、調合槽21の下限水面を検出するものであり、最も上方に取付けられたレベルセンサーS11は、調合槽21の上限水面を検出するものであり、また、これらのレベルセンサーS9,S11の間に取付けられたレベルセンサーS10は、純水を秤量するために使用されるものである。
これにより、処理液供給装置４は、開閉バルブV2を開放することによって、秤量器20で秤量された所定量の純水を供給源19から調合槽21に供給し、また、開閉バルブV4を開放することによって、秤量器23で秤量された所定量の薬液を供給源22から調合槽21に供給するようにしている。なお、純水の供給は、秤量器20で秤量せずに、調合槽21のレベルセンサーS10がON状態となるまで開閉バルブV2を開放することによって所定量の純水を供給するようにしてもよい。
また、処理液供給装置４は、調合槽21にポンプP1を連通連結し、このポンプP1に開閉バルブV7を介して調合槽21を連通連結するとともに、ポンプP1に開閉バルブV8を介して供給槽24を接続している。
供給槽24は、内部に液面を検出するためのレベルセンサーS12〜S15を取付けている。これらのレベルセンサーS12〜S15のうち、最も下方に取付けられたレベルセンサーS12は、供給槽24の下限水面を検出するものであり、最も上方に取付けられたレベルセンサーS15は、供給槽24の上限水面を検出するものであり、また、これらのレベルセンサーS12,S15の間に取付けられたレベルセンサー（第１のレベルセンサー）S13は、供給槽24に常時貯留される処理液の液面を検出するものであり、このレベルセンサーS13よりも上方に取付けられたレベルセンサーS14（第２のレベルセンサー）は、供給槽24に後から補充される処理液の液面を検出するものである。
これにより、処理液供給装置４は、開閉バルブV7を開放するとともに開閉バルブV8を閉塞した状態でポンプP1を駆動することによって、調合槽21に供給された薬液と純水とを循環混合して処理液を生成し、一方、開閉バルブV7を閉塞するとともに開閉バルブV8を開放した状態でポンプP1を駆動することによって、調合槽21で生成された処理液を供給槽24に供給するようにしている。
また、処理液供給装置４は、供給槽24にポンプP2を連通連結するとともに、このポンプP2に処理液の濃度を計測する濃度センサーS16を連通連結し、この濃度センサーS16にヒーターＨを介して往路側連結パイプ25の始端部を連通連結している。この往路側連結パイプ25の終端部には、基板洗浄装置３の各基板洗浄ユニット9,10,11,12に設けられた各処理液吐出口（洗浄ノズル）26を開閉バルブV9を介して接続している。また、往路側連結パイプ25は、基板洗浄装置３の内部において中途部で分岐し、分岐部分に復路側連結パイプ27の始端部を連通連結している。この復路側連結パイプ27の終端部には、供給槽24を開閉バルブV10を介して連通連結している。これにより、処理液供給装置４は、開閉バルブV9を開放するとともに開閉バルブV10を閉塞した状態でポンプP2を駆動することによって、供給槽24に貯留された処理液を処理液吐出口26から吐出し、一方、開閉バルブV9を閉塞するとともに開閉バルブV10を開放した状態でポンプP2を駆動することによって、供給槽24に貯留された処理液を循環するとともにヒーターＨによって処理液を適温に保持するようにしている。
また、処理液供給装置４は、調合槽21に廃液パイプ28を開閉バルブV11を介して連通連結するとともに、供給槽24に廃液パイプ29を開閉バルブV12を介して連通連結している。これにより、処理液供給装置４は、開閉バルブV11を開放することによって、調合槽21に貯留された処理液を廃液パイプ28から外部へ廃棄することができ、また、開閉バルブV12を開放することによって、供給槽24に貯留された処理液を廃液パイプ29から外部へ廃棄することができるようにしている。
さらに、処理液供給装置４では、薬液を貯留した供給源22に連通連結された秤量器23に補充パイプ30の始端部を連通連結するとともに、この補充パイプ30の終端部を供給槽24に開閉バルブV13を介して連通連結しており、供給源22と供給槽24とを補充パイプ30で直接的に連通連結している。これにより、処理液供給装置４は、開閉バルブV13を開放することによって、供給源22に貯留された薬液を調合槽21を介すことなく補充パイプ30から供給槽24に直接補充することができるようにしている。なお、供給源22だけに限られず供給源19も供給槽24に直接的に接続してもよい。
また、処理液供給装置４は、制御手段31を内蔵しており、この制御手段31には、開閉バルブV1〜V13、ポンプP1,P2、レベルセンサーS1〜S15、濃度センサーS16、ヒーターＨが電気的に接続されている。これにより、処理液供給装置４は、制御手段31によって開閉バルブV1〜V13、ポンプP1,P2、レベルセンサーS1〜S15、濃度センサーS16、ヒーターＨを駆動制御できるようにしている。この制御手段31は、基板洗浄装置３に内蔵した制御手段32と相互通信可能に接続されている。なお、制御手段31は、上記したように基板洗浄装置３に内蔵した制御手段32とは別体として形成してもよく、また、一体的に形成してもよい。
そして、処理液供給装置４は、制御手段31に接続した記憶手段33に処理液の供給動作を実行するための処理液供給プログラム34を格納しており、この処理液供給プログラム34に従って基板洗浄装置３に処理液を供給して処理液吐出口26から吐出するようにしている。
処理液供給プログラム34は、図４に示すフローチャートに従って上記構成の液処理装置１の処理液供給装置４に処理液の供給動作を実行させている。
すなわち、処理液供給プログラム34では、まず、各種の初期設定を行った後に、供給源19から調合槽21に純水を供給する（純水供給ステップＳ１）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV2,V5を閉塞状態にするとともに開閉バルブV1を開放状態にして、供給源19から純水を秤量器20に供給し、その後、レベルセンサーS3がON状態となった後に開閉バルブV5を開放状態にするとともに開閉バルブV1を閉塞状態にし、その後、レベルセンサーS3がOFF状態となった時点で開閉バルブV5を閉塞して、秤量器20に所定量の純水を貯留し、その後、開閉バルブV2を開放状態にする。これにより、秤量器20で秤量した所定量の純水が供給源19から調合槽21に供給される。その後、制御手段31は、開閉バルブV2を閉塞状態に戻す。
次に、処理液供給プログラム34では、供給源22から調合槽21に薬液を供給する（薬液供給ステップＳ２）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV4,V6を閉塞状態にするとともに開閉バルブV3を開放状態にして、供給源22から薬液を秤量器23に供給し、その後、レベルセンサーS7がON状態となった後に開閉バルブV6を開放状態にするとともに開閉バルブV3を閉塞状態にし、その後、レベルセンサーS7がOFF状態となった時点で開閉バルブV6を閉塞して、秤量器23に所定量の薬液を貯留し、その後、開閉バルブV4を開放状態にする。これにより、秤量器23で秤量した所定量の薬液が供給源22から調合槽21に供給される。その後、制御手段31は、開閉バルブV4を閉塞状態に戻す。
なお、上記純水供給ステップＳ１と薬液供給ステップＳ２は、薬液の種類に応じて実行する順番を逆にしてもよい。
次に、処理液供給プログラム34では、調合槽21で薬液と純水とを混合して処理液を生成する（処理液生成ステップＳ３）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV7を開放状態にするとともに開閉バルブV8を閉塞状態にしてポンプP1を駆動する。これにより、調合槽21に供給された薬液と純水とがポンプP1と開閉バルブV7を介して循環混合され、所定濃度の処理液が生成される。
次に、処理液供給プログラム34では、調合槽21で調合した処理液を供給槽24に貯留する（処理液貯留ステップＳ４）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV7を閉塞状態にするとともに開閉バルブV8を開放状態にしてポンプP1を駆動し、その後、レベルセンサーS13がON状態となった時点で開閉バルブV8を閉塞状態にする。これにより、調合槽21で生成された処理液が供給槽24に供給される。その後、制御手段31は、開閉バルブV7を開放状態にするとともに開閉バルブV8を閉塞状態にしてポンプP1を駆動して、調合槽21に貯留された処理液を循環混合しておく。なお、常に処理液を循環混合しておいてもよく、また、定期的に処理液を循環混合するようにしてもよい。
次に、処理液供給プログラム34では、基板洗浄装置３の処理液吐出口26から処理液を吐出する必要があるか否かを判断する（処理液吐出判断ステップＳ５）。
具体的には、制御手段31が制御手段32から処理液の吐出を指示する信号を受信した場合には、処理液吐出口26から処理液を吐出する必要があると判断し、一方、制御手段31が制御手段32から処理液の吐出を指示する信号を受信していない場合には、処理液吐出口26から処理液を吐出する必要がないと判断する。
次に、処理液供給プログラム34では、上記処理液吐出判断ステップＳ５で処理液を吐出する必要があると判断した場合には、供給槽24から処理液吐出口26に処理液を供給し、処理液吐出口26から処理液を吐出し（処理液供給ステップＳ６）、その後、次のステップＳ７へと進み、一方、上記処理液吐出判断ステップＳ５で処理液を吐出する必要がないと判断した場合には、処理液供給ステップＳ６を実行することなく次のステップＳ７へと進む。
処理液供給ステップＳ６では、具体的には、制御手段31が開閉バルブV9を開放状態にするとともに開閉バルブV10を閉塞状態にしてポンプP2を駆動する。これにより、供給槽24に貯留された処理液が処理液吐出口26に供給され、処理液吐出口26からウエハ２に向けて吐出される。その後、制御手段31は、開閉バルブV7を閉塞状態にするとともに開閉バルブV8を開放状態にしてポンプP1を駆動し、その後、レベルセンサーS13がON状態となった時点で開閉バルブV8を閉塞状態にして、供給槽24に処理液を補給し、その後、開閉バルブV9を閉塞状態で開閉バルブV10を開放状態にしてポンプP2を駆動して、供給槽24に貯留された処理液を循環しておき、ヒーターＨによって処理液を適温に保持しておく。なお、常に処理液を循環しておいてもよく、また、定期的に処理液を循環するようにしてもよい。
次に、処理液供給プログラム34では、供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する（濃度変化判断ステップＳ７）。
具体的には、制御手段31が濃度センサーS16の検出値に基づいて供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する。すなわち、制御手段31は、濃度センサーS16の検出値が予め設定した濃度範囲内である場合には、処理液に濃度変化が生じていないと判断し、一方、濃度センサーS16の検出値が予め設定した濃度範囲外である場合には、処理液に濃度変化が生じたと判断する。なお、処理液の濃度変化は、薬液の種類によって濃度が上昇する場合も濃度が下降する場合もある。
このように、濃度変化判断ステップＳ７では、濃度センサーS16の検出値に基づいて供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じたか否かを判断しているために、処理液の濃度変化を正確に判断することができる。
次に、処理液供給プログラム34では、上記濃度変化判断ステップＳ７で供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じていると判断した場合には、供給槽24に貯留された処理液の濃度を改善し（処理液濃度改善ステップＳ８）、その後、次のステップＳ９へと進み、一方、上記濃度変化判断ステップＳ７で供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じていないと判断した場合には、処理液濃度改善ステップＳ８を実行することなく上記処理液吐出判断ステップＳ５に戻る。
処理液濃度改善ステップＳ８では、調合槽21から供給槽24に処理液を補充する（処理液補充ステップ）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV7を閉塞状態にするとともに開閉バルブV8を開放状態にしてポンプP1を駆動し、その後、レベルセンサーS14がON状態となった時点で開閉バルブV8を閉塞状態にする。これにより、調合槽21で所定濃度に調合された処理液が供給槽24に供給されるので、供給槽24に貯留された処理液の濃度が改善される。その後、制御手段31は、開閉バルブV7を開放状態にするとともに開閉バルブV8を閉塞状態にしてポンプP1を駆動して、調合槽21に貯留された処理液を再び循環混合しておく。
このように、処理液濃度改善ステップＳ８を実行することによって供給槽24に貯留された処理液の濃度が改善されるために、処理液に濃度変化が生じても引き続き処理動作を継続することができるので、処理動作を中断させることがなくなり、基板処理工程のスループットを向上させることができる。また、処理液に濃度変化が生じても処理液の補充によって処理液の濃度を所定の濃度範囲に維持し続けることができるので、処理液を廃棄しなくてもよくなり、基板処理工程でのランニングコストを低減することができる（図５(a)参照。）。
ここで、処理液濃度改善ステップＳ８においては、調合槽21から供給槽24に処理液を補充する前に、開閉バルブV12を一定時間開放状態にして、供給槽24に貯留された処理液の一部を排出し、その後、レベルセンサーS13がON状態となるまで処理液を補充するようにしてもよい。
このように、供給槽24の内部の処理液に濃度変化が生じたときに、処理液を所定量だけ排出し、その後、供給槽24に処理液を補充することにした場合には、処理液の補充による処理液の濃度改善の程度を大きくすることができる。
次に、処理液供給プログラム34では、予め設定した所定時間内に上記濃度変化判断ステップＳ７において処理液の濃度変化が生じたと判断されて調合槽21から供給槽24に処理液を補充した回数が何回であるかを計測する（補充回数計測ステップＳ９）。
具体的には、制御手段31が内蔵したカウンターを用いて、補充回数計測ステップＳ９を実行するたびにカウンターをインクリメントしていくとともに、内蔵したタイマーを用いて、予め設定した時間が経過した場合には、その時点でのカウンターの値を所定時間内の補充回数として記憶手段33に格納し、その後、カウンターをリセットする。
次に、処理液供給プログラム34では、上記補充回数計測ステップＳ９で計測された回数が予め設定した所定回数以上か否かを判断する（補充回数判断ステップＳ１０）。
具体的には、制御手段31が上記補充回数計測ステップＳ９で記憶手段33に格納された所定時間内の補充回数と予め設定しておいた回数とを比較する。
次に、処理液供給プログラム34では、上記補充回数判断ステップＳ１０で所定時間内に処理液の濃度変化が所定回数以上計測されたと判断した場合には、処理液濃度改善ステップＳ８を実行しても処理液の濃度を所定の濃度範囲内に維持することがもはや困難であると考えられるために、調合槽21に貯留した処理液を廃棄し（調合槽廃液ステップＳ11）、その後、次のステップＳ12〜ステップＳ14へと進み、一方、上記補充回数判断ステップＳ１０で所定時間内に処理液の濃度変化が所定回数以上計測されたと判断しなかった場合には、上記処理液吐出判断ステップＳ５に戻る。
調合槽廃液ステップＳ11では、具体的には、制御手段31が開閉バルブV11を開放状態にする。これにより、調合槽21に貯留された処理液が廃液パイプ28から外部へ廃棄される。その後、制御手段31は、開閉バルブV11を閉塞状態に戻す。
次に、処理液供給プログラム34では、新たに供給源19,22から調合槽21に純水と薬液を供給して調合槽21で処理液の調合を行なう（新処理液調合ステップＳ12）。ここでは、上記した純水供給ステップＳ１と薬液供給ステップＳ２と処理液生成ステップＳ３と同様の制御を実行する。
次に、処理液供給プログラム34では、供給槽24に貯留した処理液を廃棄する（供給槽廃液ステップＳ13）。
具体的には、制御手段31が開閉バルブV12を開放状態にする。これにより、供給槽24に貯留された処理液が廃液パイプ29から外部へ廃棄される。その後、制御手段31は、開閉バルブV12を閉塞状態に戻す。なお、調合槽廃液ステップＳ１１と供給槽廃液ステップＳ１３とを同時に行うようにしてもよい。
次に、処理液供給プログラム34では、新たに調合槽21から供給槽24に処理液を補充し（新処理液補充ステップＳ14）、その後、上記処理液吐出判断ステップＳ５に戻る。新処理液補充ステップＳ14では、上記した処理液貯留ステップＳ４と同様の制御を実行する。
なお、上記補充回数判断ステップＳ１０で所定時間内に処理液の濃度変化が所定回数以上計測されたと判断された場合に、上記した調合槽廃液ステップＳ11と新処理液調合ステップＳ12と供給槽廃液ステップＳ13と新処理液補充ステップＳ14とを全て実行するのが好ましいが、これに限られず、調合槽廃液ステップＳ11と新処理液調合ステップＳ12、又は、供給槽廃液ステップＳ13と新処理液補充ステップＳ14のいずれかを選択的に実行するようにしてもよい。
また、上記補充回数判断ステップＳ１０では、所定の時間を設定し、この所定時間内に濃度変化が生じた回数で判断するようにしているが、これに限られず、特に時間を設定することなく濃度変化が生じた回数だけで判断するようにしてもよい。
さらに、処理液の濃度変化が生じた回数とは関係なく、調合槽21で処理液を生成した後に所定時間(上記補充回数判断ステップＳ１０での所定時間よりも長い時間）経過した場合には、前記調合槽廃液ステップＳ11と新処理液調合ステップＳ12と供給槽廃液ステップＳ13と新処理液補充ステップＳ14とを実行して、調合槽21及び供給槽24の内部処理液を廃棄し、新たに調合槽21で処理液を生成して供給槽24に貯留するようにしてもよい。
このように、調合槽21で処理液を生成した後に所定時間経過した場合や、供給槽24への補充を所定回数以上行った場合や、所定時間内に供給槽24への補充を所定回数以上行った場合に、調合槽21及び供給槽24の内部の処理液を廃棄し、新たに調合槽21で処理液を生成して供給槽24に貯留することによって、処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができる（図５(a)参照。）。
処理液供給プログラム34は、基本的には上記した構成となっているが、これに限定されるものではなく、特に、処理液濃度改善ステップＳ８や濃度変化判断ステップＳ７では、以下に説明する構成とすることもできる。
すなわち、上記処理液濃度改善ステップＳ８では、調合槽21から供給槽24に処理液を補充する処理液補充ステップを実行するようにしているが、供給源22から供給槽24に薬液の原液を直接補充する原液補充ステップを実行するようにしてもよい。
この原液補充ステップでは、具体的には、制御手段31が開閉バルブV4,V6を閉塞状態にするとともに開閉バルブV3を開放状態にして、供給源22から薬液を秤量器23に供給し、その後、レベルセンサーS6がON状態となった後に開閉バルブV6を開放状態にするとともに開閉バルブV3を閉塞状態にし、その後、レベルセンサーS6がOFF状態となった時点で開閉バルブV6を閉塞して、秤量器23に所定量の薬液を貯留し、その後、開閉バルブV13を開放状態にする。これにより、供給源22から供給される薬液の原液が調合槽21を介すことなく補充パイプ30から供給槽24に直接補充される。その後、制御手段31は、開閉バルブV13を閉塞状態に戻す。
このように、上記処理液濃度改善ステップＳ８において供給源22から供給槽24に薬液の原液を直接補充した場合も、供給槽24に貯留された処理液の濃度が改善されるために、処理液に濃度変化が生じても引き続き処理動作を継続することができるので、処理動作を中断させることがなくなり、基板処理工程のスループットを向上させることができる。また、処理液に濃度変化が生じても原液の補充によって処理液の濃度を所定の濃度範囲に維持し続けることができるので、処理液を廃棄しなくてもよくなり、基板処理工程でのランニングコストを低減することができる（図５(ｂ)参照。）。
特に、上記処理液濃度改善ステップＳ８において供給源22から供給槽24に薬液の原液を直接補充した場合には、図５(a)及び(b)に示すように、調合槽21から供給槽24に処理液を補充した場合に比べて、処理液の濃度を大幅に改善することができるので、処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができる。
なお、供給源22から供給槽24に原液を直接補充する前に、開閉バルブV12を一定時間開放状態にして、供給槽24に貯留された処理液の一部を排出するようにしてもよい。このように、供給槽24の内部の処理液に濃度変化が生じたときに、処理液を所定量だけ排出し、その後、供給槽24に原液を直接補充することにした場合には、原液の補充による処理液の濃度改善の程度を大きくすることができる。
また、上記濃度変化判断ステップＳ７では、供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じたか否かを判断するときに、濃度センサーS16の検出値に基づいて判断しているが、ヒーターＨによる加熱や自然蒸発などによって処理液の濃度が経時的に変化する特性を有していることを利用して、調合槽21から供給槽24に処理液を補充（処理液貯留ステップＳ４や処理液補充ステップや新処理液補充ステップＳ14を実行）した後の経過時間、又は、供給源22から供給槽24に薬液の原液を補充（原液補充ステップを実行）した後の経過時間に基づいて供給槽24に貯留された処理液に濃度変化が生じたか否かを判断するようにしてもよい。
具体的には、制御手段31が内蔵したタイマーを用い、上記した処理液貯留ステップＳ４や処理液補充ステップや新処理液補充ステップＳ14を実行した時点でタイマーをリセットするとともに、その後の経過時間をタイマーで計測し、所定時間が経過した場合には、処理液の濃度変化が生じたことを推定し、処理液の濃度変化が生じたものと判断する。なお、所定時間は、処理液を補充した場合の処理液の濃度変化特性を予め測定しておき、この濃度変化特性から設定する。
或いは、制御手段31が内蔵したタイマーを用い、上記した原液補充ステップを実行した時点でタイマーをリセットするとともに、その後の経過時間をタイマーで計測し、所定時間が経過した場合には、処理液の濃度変化が生じたことを推定し、処理液の濃度変化が生じたものと判断する。なお、所定時間は、原液を補充した場合の処理液の濃度変化特性を予め測定しておき、この濃度変化特性から設定する。
このように、調合槽21から供給槽24に処理液を補充した後の経過時間、又は、供給源22から供給槽24に薬液の原液を補充した後の経過時間に基づいて、供給槽24に貯留された処理液の濃度変化が生じたか否かを判断した場合には、処理液供給装置４に濃度センサーS16を設ける必要がなくなり、処理液供給装置４の構成を簡略化することができるので、処理液の濃度変化を濃度センサーS16を用いることなく簡便に判断することができる。
また、処理液濃度改善ステップＳ８においては、まず、調合槽21から供給槽24に処理液を補充する処理液補充ステップを実行し、その後、この処理液補充ステップを所定回数以上実行した場合に、供給源22から供給槽24に薬液の原液を直接補充する原液補充ステップを実行するようにしてもよい。
これにより、調合槽21から供給槽24への処理液の補充を繰り返すことによって処理液の濃度改善の程度が小さくなっても、原液の直接補充によって処理液の濃度改善の程度を大きくすることができ、処理液の濃度を所定の濃度範囲に長時間にわたって維持し続けることができる。
なお、上記実施例においては、原液補充として薬液の原液を直接補充する例を示したが、処理液の濃度変化が薬液濃度の上昇の場合には、純水を直接補充するようにしてもよい。
本発明に係る液処理装置のレイアウトを示す平面図。 同側面図。 処理液供給装置の構成を示すブロック図。 処理液供給プログラムのフローチャート。 処理液の濃度変化を模式的に示す説明図。
符号の説明
１ 液処理装置 ２ ウエハ
３ 基板洗浄装置 ４ 処理液供給装置
５ 基板搬入出ユニット ６ 基板搬送ユニット
７ 基板受渡ユニット ８ 主搬送ユニット
9,10,11,12 基板洗浄ユニット 15 電装ユニット
16 機械制御ユニット 17 フィルターファンユニット
18 キャリア 19 供給源
20 秤量器 21 調合槽
22 供給源 23 秤量器
24 供給槽 25 往路側連結パイプ
26 処理液吐出口 27 復路側連結パイプ
28 廃液パイプ 29 廃液パイプ
30 補充パイプ 31 制御手段
32 制御手段 33 記憶手段
34 処理液供給プログラム
V1〜V13 開閉バルブ P1,P2 ポンプ
S1〜S15 レベルセンサー S16 濃度センサー
Ｈ ヒーター

Claims (24)

  1. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給して被処理体の処理を行う液処理装置において、
    前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することを特徴とする液処理装置。
  2. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給して被処理体の処理を行う液処理装置において、
    前記供給源を前記供給槽に直接接続し、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することを特徴とする液処理装置。
  3. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記処理液の濃度を計測する濃度センサーの検出値に基づいて判断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液処理装置。
  4. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充した後の経過時間に基づいて判断することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  5. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記供給源から前記供給槽に原液を補充した後の経過時間に基づいて判断することを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
  6. 前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記第１のレベルセンサーで検出されるまで前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  7. 前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設けるとともに、この第１のレベルセンサーよりも上方に第２のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記第２のレベルセンサーで検出されるまで前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  8. 前記供給槽に貯留される処理液の液面を検出する第１のレベルセンサーを設け、前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記第１のレベルセンサーで検出されるまで前記供給源から前記供給槽に原液を補充することを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
  9. 前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記供給源から前記供給槽に所定量の原液を補充することを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
  10. 前記供給源を前記供給槽に直接接続し、前記調合槽から供給槽への処理液の補充を所定回数以上行った場合には、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  11. 前記調合槽で処理液を生成した後に所定時間経過した場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の液処理装置。
  12. 前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合、又は、所定時間内に前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の液処理装置。
  13. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給方法において、
    前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することを特徴とする処理液供給方法。
  14. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給方法において、
    前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することを特徴とする処理液供給方法。
  15. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記処理液の濃度を計測する濃度センサーの検出値に基づいて判断することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の処理液供給方法。
  16. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充した後の経過時間に基づいて判断することを特徴とする請求項１３に記載の処理液供給方法。
  17. 前記供給槽内の処理液の濃度変化は、前記調合槽から前記供給槽に処理液を貯留した後の経過時間、又は、前記供給源から前記供給槽に原液を補充した後の経過時間に基づいて判断することを特徴とする請求項１４に記載の処理液供給方法。
  18. 前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充することを特徴とする請求項１３に記載の処理液供給方法。
  19. 前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給槽内の処理液を所定量だけ排出し、その後、前記供給源から前記供給槽に原液を補充することを特徴とする請求項１４に記載の処理液供給方法。
  20. 前記調合槽から供給槽への処理液の補充を所定回数以上行った場合には、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充することを特徴とする請求項１３に記載の処理液供給方法。
  21. 前記調合槽で処理液を生成した後に所定時間経過した場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することを特徴とする請求項１３〜請求項２０のいずれかに記載の処理液供給方法。
  22. 前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合、又は、所定時間内に前記供給槽への補充を所定回数以上行った場合に、前記調合槽及び供給槽内の処理液を廃棄し、新たに前記調合槽で処理液を生成して前記供給槽に貯留することを特徴とする請求項１３〜請求項２０のいずれかに記載の処理液供給方法。
  23. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給装置に処理液の供給動作を実行させる処理液供給プログラムにおいて、
    前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する濃度変化判断ステップと、
    前記濃度変化判断ステップで前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記調合槽から前記供給槽に処理液を補充する処理液補充ステップと、
    を有することを特徴とする処理液供給プログラム。
  24. 複数の供給源から供給される原液を調合槽で調合することによって所定濃度の処理液を生成し、前記処理液を供給槽に貯留し、前記供給槽から処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給装置に処理液の供給動作を実行させる処理液供給プログラムにおいて、
    前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたか否かを判断する濃度変化判断ステップと、
    前記濃度変化判断ステップで前記供給槽内の処理液に濃度変化が生じたと判断した場合に、前記供給源から前記供給槽に原液を直接補充する原液補充ステップと、
    を有することを特徴とする処理液供給プログラム。
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TW095136958A TW200723381A (en) 2005-10-11 2006-10-04 Processing system, treatment liquid supply method and computer-readable recording medium having treatment liquid supply program
US11/543,256 US20070134822A1 (en) 2005-10-11 2006-10-05 Process system, process liquid supply method, and process liquid supply program
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DE602006011510T DE602006011510D1 (de) 2005-10-11 2006-10-10 Prozesssystem und Prozessflüssigkeitszufuhrverfahren
DE602006005879T DE602006005879D1 (de) 2005-10-11 2006-10-10 Ein Flüssigkeitslieferungssystem und -verfahren
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008062699A1 (de) 2007-12-21 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd. Substratbearbeitungsvorrichtung; Substratbearbeitungsverfahren und Speichermedium
JP2009260245A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010027771A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2011119610A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP2012222071A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
JP2012222070A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
WO2013057827A1 (ja) * 2011-10-21 2013-04-25 フジクス株式会社 洗浄液供給装置
JP2015046443A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5355145B2 (ja) * 2009-02-26 2013-11-27 シスメックス株式会社 試薬調製装置、検体測定装置および試薬調製方法
JP5645516B2 (ja) * 2009-09-11 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6118739B2 (ja) * 2014-01-31 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US9329071B2 (en) * 2014-04-21 2016-05-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
CN110828338B (zh) * 2019-09-30 2022-08-09 长江存储科技有限责任公司 浓度的调节方法及调节系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07278847A (ja) * 1994-04-08 1995-10-24 Sony Corp 薬液濃度管理方法及び薬液濃度管理装置を備えた化学的処理装置
JPH10261610A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11114474A (ja) * 1997-10-13 1999-04-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000124185A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003017460A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Shibaura Mechatronics Corp 処理液の供給循環装置
JP2005262031A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Kurita Water Ind Ltd 循環式ガス溶解水供給装置及び該装置の運転方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442218B2 (ja) * 1996-03-18 2003-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP2000218143A (ja) * 1999-01-29 2000-08-08 Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd 薬液混合設備および供給量制御方法
US6616760B2 (en) * 1999-12-17 2003-09-09 Tokyo Electron Limited Film forming unit
US6572255B2 (en) * 2001-04-24 2003-06-03 Coulter International Corp. Apparatus for controllably mixing and delivering diluted solution
US6878216B2 (en) * 2001-09-03 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing system
US6849563B2 (en) * 2002-12-09 2005-02-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for controlling coating thickness

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07278847A (ja) * 1994-04-08 1995-10-24 Sony Corp 薬液濃度管理方法及び薬液濃度管理装置を備えた化学的処理装置
JPH10261610A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11114474A (ja) * 1997-10-13 1999-04-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000124185A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003017460A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Shibaura Mechatronics Corp 処理液の供給循環装置
JP2005262031A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Kurita Water Ind Ltd 循環式ガス溶解水供給装置及び該装置の運転方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008062699A1 (de) 2007-12-21 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd. Substratbearbeitungsvorrichtung; Substratbearbeitungsverfahren und Speichermedium
US8409359B2 (en) 2007-12-21 2013-04-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP2009260245A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010027771A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2011119610A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP2012222071A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
JP2012222070A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
WO2013057827A1 (ja) * 2011-10-21 2013-04-25 フジクス株式会社 洗浄液供給装置
CN103221153A (zh) * 2011-10-21 2013-07-24 Fujiks株式会社 清洗液供给装置
KR101375885B1 (ko) 2011-10-21 2014-03-18 후직스 가부시키가이샤 세정액 공급 장치
JP2015046443A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体

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