CN110828338B - 浓度的调节方法及调节系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种浓度的调节方法及调节系统。其中，调节方法包括：提供待清洗工件，将待清洗工件置入盛放有第一化学溶液的第一容器中，第一化学溶液包括溶剂，或者第一化学溶液包括溶质和溶剂，溶质包括预设粒子。提供第二容器，第二容器用于装载第二化学溶液，第二化学溶液为含有预设粒子的标准溶液。检测第一容器中的第一预设粒子浓度与第二预设粒子浓度。当第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制第二容器中的部分第二化学溶液进入第一容器中。通过增设第二化学溶液，并且当第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制部分第二化学溶液进入第一容器中，来增加第一预设粒子浓度，从而使第一预设粒子浓度与目标预设粒子浓度相等。

Description

浓度的调节方法及调节系统

技术领域

本申请属于蚀刻清洗技术领域，具体涉及浓度的调节方法及调节系统。

背景技术

芯片是电子设备中重要的组件之一，是电子设备的“心脏”。在芯片的制备过程中，需要将原材料晶圆进行多次湿蚀刻操作。目前晶圆在蚀刻的过程中，针对不同的芯片在湿蚀刻的过程中需要控制不同的硅浓度。但是目前硅浓度的调节方法较为复杂，因此会提高湿蚀刻的时间以及成本。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种浓度的调节方法，所述调节方法包括：

提供待清洗工件，将所述待清洗工件置入盛放有第一化学溶液的第一容器中，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子；

提供第二容器，所述第二容器用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器中；

检测所述第一容器中的第一预设粒子浓度，且检测所述第二容器中的第二预设粒子浓度；以及

当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请第一方面提供的调节方法，通过增设第二化学溶液，第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液。第二化学溶液为待补充的溶液，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，则控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，此时由于在第一容器中预设粒子含量的增加，导致第一预设粒子浓度增加，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。本申请提供的浓度的调节方法，方法简单，成本低廉，可有效地降低清洗的时间以及成本。

其中，在“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”之前，所述调节方法还包括：

检测所述第一容器中的所述第一化学溶液的体积；

“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型；

根据所述第一模型来控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节方法还包括：

提供第三容器，所述第三容器用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液为所述溶剂，且所述第三化学溶液可进入所述第一容器中；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

其中，“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型；

根据所述第二模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节方法还包括：

提供第四容器，所述第四容器与所述第一容器连通；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第一容器中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中；以及

控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

其中，“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型；

根据所述第三模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节方法还包括：

提供循环装置，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置用于除去所述第一容器中的所述第一化学溶液中的杂质；

所述第二容器连接所述循环装置，所述第二容器向所述循环装置中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器中；

所述第四容器连接所述循环装置，所述第一容器中的第一化学溶液进入所述循环装置中，再从所述循环装置中进入所述第四容器；

检测所述循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

其中，所述调节方法还包括：

搅拌所述第一容器中的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。

本申请第二方面提供了一种浓度的调节系统，所述调节系统包括：

第一容器，所述第一容器用于装载第一化学溶液与待清洗工件，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子；

第二容器，所述第二容器用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器中；

检测装置，所述检测装置用于检测所述第一容器中的第一预设粒子浓度，所述检测装置还用于检测所述第二容器中的第二预设粒子浓度；以及

处理器，所述处理器包括控制单元，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，所述控制单元用于控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请第二方面提供的调节系统，通过增设第二容器，并且在第二容器内装载第二化学溶液，第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液。第二化学溶液为待补充的溶液，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制单元控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，此时由于在第一容器中预设粒子含量的增加，导致第一预设粒子浓度增加，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。本申请提供的浓度的调节系统，可简单快捷地调节溶液的浓度，有效地降低清洗的时间以及成本。

其中，所述检测装置还用于检测所述第一容器中的所述第一化学溶液的体积，所述处理器还包括：

第一模型管理单元，所述第一模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型；

所述控制单元用于根据所述第一模型来控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节系统还包括：

第三容器，所述第三容器用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液包括为所述溶剂，且所述第三容器连接所述第一容器，以使所述第三化学溶液可进入所述第一容器中；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元还用于控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

其中，所述处理器还包括：

第二模型管理单元，所述第二模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型；

所述控制单元根据所述第二模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节系统还包括：

第四容器，所述第四容器与所述第一容器连通；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元还用于控制所述第一容器中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中；

所述检测装置还用于检测进入所述第四容器的所述第一化学溶液的浓度以及进入所述第四容器的所述第一化学溶液的体积；以及

所述控制单元还用于控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

其中，所述处理器还包括：

第三模型管理单元，所述第三模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型；

所述控制单元根据所述第三模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

其中，所述调节系统还包括：

循环装置，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置用于除去所述第一容器中的所述第一化学溶液中的杂质；

所述第二容器连接所述循环装置，所述第二容器用于向所述循环装置中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器中；

所述第四容器连接所述循环装置，所述第一容器中的第一化学溶液进入所述循环装置中，再从所述循环装置中进入所述第四容器；以及

所述检测装置用于检测所述循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

其中，所述调节系统还包括：

搅拌装置，所述搅拌装置设于所述第一容器内，所述搅拌装置用于搅拌所述第一容器内的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。

图1为本申请第一实施方式调节方法的工艺流程图。

图2为图1中在S400之前所包括的工艺流程图。

图3为本申请一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。

图4为本申请第二实施方式调节方法的工艺流程图。

图5为本申请另一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。

图6为本申请第三实施方式调节方法的工艺流程图。

图7为本申请又一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。

图8为本申请第四实施方式调节方法的工艺流程图。

图9为本申请第五实施方式调节方法的工艺流程图。

图10为本申请第一实施方式调节系统的示意图。

图11为图10中调节系统的电子结构示意图。

图12图11中处理器的电子结构示意图。

图13为本申请第二实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。

图14为本申请第三实施方式调节系统结构示意图。

图15为本申请第四实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。

图16为本申请第五实施方式调节系统结构示意图。

图17为本申请第六实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。

图18为本申请第七实施方式调节系统结构示意图。

图19为本申请第八实施方式调节系统结构示意图。

图20为本申请第九实施方式调节系统结构示意图。

附图说明：

调节系统-1，第一容器-11，第二容器-12，检测装置-13，处理器-14，控制单元-140，第一模型管理单元-141，第二模型管理单元-142，第三模型管理单元-143，第三容器-15，第四容器-16，循环装置-17，过滤器-171，机械泵-172，加热器-173，搅拌装置-18。

具体实施方式

以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

在介绍本申请的技术方案之前，再详细介绍下相关技术中的技术问题。

晶圆在制备成芯片的过程中，需要经历多次蚀刻工艺。其中，蚀刻工艺包括多个种类，例如，蚀刻工艺可在晶圆表面沉积的层结构上蚀刻出一些孔洞或凹槽，从而使其具有异形结构。蚀刻工艺还可对晶圆表面进行清洗，以清除晶圆表面的杂质。而本申请所提到的湿蚀刻主要是指蚀刻掉氮化硅，而保留氧化硅。因此相关技术中通常采用磷酸溶液进行腐蚀。但只采用磷酸进行腐蚀时，磷酸不仅会腐蚀掉氮化硅，而且还会腐蚀掉氧化硅。因此通常在磷酸溶液里加入硅离子来抑制磷酸与氧化硅的反应，使得磷酸只会与氮化硅进行反应，而不与氧化硅进行反应。但针对不同批次或不同尺寸的芯片，通常需要控制不同的硅离子浓度。而相关技术中当需要提高硅离子浓度时，通常向磷酸溶液中放入沉积有氮化硅的单晶硅片，使氮化硅在磷酸溶液中溶解从而增加硅离子浓度。当需要降低硅离子浓度时，就只能重新更换一批新的磷酸溶液，重新调配该磷酸溶液中硅离子的浓度。综上所示，目前硅浓度的调节方法较为复杂，通过放入沉积有氮化硅的单晶硅片来增加硅离子浓度与重新更换新的磷酸溶液将会提高湿蚀刻的时间以及成本。

鉴于此，本申请提供了一种浓度的调节方法，通过额外增设仅含有预设粒子的标准溶液，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，来提高第一预设粒子浓度。

请参考图1，图1为本申请第一实施方式调节方法的工艺流程图。本实施方式提供了一种浓度的调节方法，所述调节方法包括S100，S200，S300，以及S400。其中，S100，S200，S300，以及S400的详细介绍如下。

S100，提供待清洗工件，将所述待清洗工件置入盛放有第一化学溶液的第一容器中，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子。

第一化学溶液为清洗用的溶液，也可以理解为利用第一化学溶液中的溶剂对待清洗工件进行清洗。例如溶剂为磷酸，溶质为含有硅离子的物质，例如六氟硅酸盐。预设粒子为硅离子。待清洗工件包括氮化硅和氧化硅。本申请用磷酸来蚀刻氮化硅，而用硅离子来阻止磷酸与氧化硅的反应。

另外，第一化学溶液还可仅包括溶剂，例如清洗第一个或第一批待清洗工件时，此时第一化学溶液仅含有磷酸，并不含有硅离子。因此此时第一化学溶液中第一预设粒子的浓度为0。此时便需要增加硅离子浓度来保证清洗的正常进行。

S200，提供第二容器，所述第二容器用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器中。

本申请而外增设第二化学溶液，第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液。可选地，第二化学溶液为无机溶液，且第二化学溶液中除了预设粒子之外，其他的粒子不会对待清洗工件在清洗的过程中以及在后续的制备工艺中产生影响。进一步可选地，第二化学溶液为六氟硅酸盐溶液。

S300，检测所述第一容器中的第一预设粒子浓度，且检测所述第二容器中的第二预设粒子浓度。

检测第一预设粒子浓度不仅用于后续与目标预设粒子浓度进行比对，还用于和第二预设粒子浓度来计算进入第一容器中的第二化学溶液的体积。

S400，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请先获取目标预设粒子浓度，如果当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，则控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，此时由于在第一容器中预设粒子含量的增加，导致第一预设粒子浓度增加，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。本申请提供的浓度的调节方法，方法简单，成本低廉，可有效地降低清洗的时间以及成本。至于进入第一容器中的第二化学溶液的体积到底有多少，并且如何计算出该体积，在下文将详细介绍。

请一并参考图2，图2为图1中在S400之前所包括的工艺流程图。在S400“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”之前，所述调节方法还包括S310。其中S310的详细介绍如下。

S310，检测所述第一容器中的所述第一化学溶液的体积以及所述第二容器中的所述第二化学溶液的体积。

本申请还需要检测第一化学溶液的体积以及第二化学溶液的体积，以便后续计算来进入第一容器中的第二化学溶液的体积。

请一并参考图3，图3为本申请一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。S400“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”包括S410，S420。其中，S410，S420的详细介绍如下。

S410，根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型。

S420，根据所述第一模型来控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器。

具体地，第一模型的表达式为：

其中，V_Δ为进入第一容器的第二化学溶液的体积；C₁为第一预设粒子浓度；V₁为第一化学溶液的体积；C₂为第二预设粒子浓度；C_x为目标预设粒子浓度。因此本申请只需控制V_Δ的第二化学溶液进入第一容器中，便可使得第一预设粒子浓度增加至目标预设粒子浓度。

请一并参考图4，图4为本申请第二实施方式调节方法的工艺流程图。本申请第二实施方式提供的调节方法与本申请第一实施方式提供的调节方法大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节方法还包括S500，S600。其中，S500，S600的详细介绍如下。

S500，提供第三容器，所述第三容器用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液为所述溶剂，且所述第三化学溶液可进入所述第一容器中。

S600，当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请还可增设第三化学溶液，第三化学溶液仅含有溶剂。并且当第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，此时由于溶剂的含量增加，导致第一预设粒子浓度降低，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。

请一并参考图5，图5为本申请另一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。S400“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括S430，S440。其中，S430，S440的详细介绍如下。

S430，根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型。

S440，根据所述第二模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

具体地，第二模型的表达式为：

其中，V_Δ为进入第一容器的第三化学溶液的体积；C₁为第一预设粒子浓度；V₁为第一化学溶液的体积；C_x为目标预设粒子浓度。因此本申请只需控制V_Δ的第三化学溶液进入第一容器中，便可使得第一预设粒子浓度减小至目标预设粒子浓度。

请一并参考图6，图6为本申请第三实施方式调节方法的工艺流程图。本申请第三实施方式提供的调节方法与本申请第一实施方式提供的调节方法大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节方法还包括S700，S800，S900。其中，S700，S800，S900的详细介绍如下。

S700，提供第四容器，所述第四容器与所述第一容器连通。

S800，当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第一容器中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中。

S900，控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

上述实施方式介绍了在本申请一实施方式中，当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，本申请可直接使部分第二化学溶液进入第一容器中来减少第一预设粒子的浓度。而在本申请另一实施方式中，可额外增设第四容器，并使部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中来减少第一容器中第一化学溶液的体积。再控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，这样可防止在加入第三化学溶液时第一容器的体积不够而导致无法加入第三化学溶液的问题。

请一并参考图7，图7为本申请又一实施方式图1中S400所包括的工艺流程图。S400“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括S450，S460。其中，S450，S460的详细介绍如下。

S450，根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型。

S460，根据所述第三模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

具体地，第三模型的表达式为：

其中，V_Δ为进入第一容器的第三化学溶液的体积；C₁为第一预设粒子浓度；V₁为第一化学溶液的体积；C_x为目标预设粒子浓度；V₃为进入第四容器的第一化学溶液的体积。因此本申请只需先控制V₃的第一化学溶液进入第四容器，再控制V_Δ的第三化学溶液进入第一容器中，便可使得第一预设粒子浓度减小至目标预设粒子浓度。同时，进入第四容器的第一化学溶液还可进行重复利用，例如可再将其重新置入第一容器中以降低清洗的成本。

请一并参考图8，图8为本申请第四实施方式调节方法的工艺流程图。本申请第四实施方式提供的调节方法与本申请第三实施方式提供的调节方法大体相同，不同之处在于，所述调节方法还包括S910，S920，S930，S940。其中，S910，S920，S930，S940的详细介绍如下。

S910，提供循环装置，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置用于除去所述第一容器中的所述第一化学溶液中的杂质。

S920，所述第二容器连接所述循环装置，所述第二容器向所述循环装置中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器中。

S930，所述第四容器连接所述循环装置，所述第一容器中的第一化学溶液进入所述循环装置中，再从所述循环装置中进入所述第四容器。

S940，检测所述循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

本申请还可增设循环装置，并使循环装置连接第一容器，来将第一容器中的第一化学溶液进行往复的循环，因为待清洗工件在清洗时会产生较多的副产物，因此循环装置在循环第一化学溶液的过程中还可除去第一化学溶液中的杂质，即副产物。

另外，第二容器连接循环装置，上述内容体积，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，第二容器中的部分第二化学溶液先进入循环装置中，在通过循环装置进入第一容器中。同理，第四容器连接循环装置，第一容器的部分第一化学溶液先进入循环装置中，再通过循环装置进入第四容器中。

另外，检测装置也可连接循环装置，由于循环装置中的第一化学溶液与第一容器中的第一化学溶液是相同的，因此检测装置只需检测循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

可选地，当增设循环装置时，循环装置也可承载一定的第一化学溶液，因此还可检测循环装置中承载的第一化学溶液的体积，来修正上述第一模型、第二模型以及第三模型。具体地，可将第一模型、第二模型以及第三模型中的V₁修改成(V₁+V₄)即可，其中V₄为进入第四容器的第一化学溶液的体积。

请一并参考图9，图9为本申请第五实施方式调节方法的工艺流程图。本申请第五实施方式提供的调节方法与本申请第一实施方式提供的调节方法大体相同，不同之处在于，所述调节方法还包括S950。其中，S950的详细介绍如下。

S950，搅拌所述第一容器中的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。

本申请还可搅拌第一化学溶液，以使得溶质在溶剂中分散的更加均匀，进而使得反应更加均匀。

除了上述提供的调节方法，本申请还提供了一种浓度的调节系统。本申请实施方式提供的调节方法及调节系统都可以达到本申请的技术效果，二者可以一起使用，当然也可以单独使用，本申请对此没有特别的限制。例如，作为一种实施方式，可以使用下文提供的调节系统来实现上文提到调节方法。

请参考图10-图12，图10为本申请第一实施方式调节系统的示意图。图11为图10中调节系统的电子结构示意图。图12图11中处理器的电子结构示意图。本实施方式提供了一种浓度的调节系统1，所述调节系统1包括第一容器11、第二容器12、检测装置13、以及处理器14。所述第一容器11用于装载第一化学溶液与待清洗工件，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子。所述第二容器12用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器11中。所述检测装置13用于检测所述第一容器11中的第一预设粒子浓度，所述检测装置13还用于检测所述第二容器12中的第二预设粒子浓度。所述处理器14包括控制单元140，检测装置13将上述检测结果发送给处理器14，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，所述控制单元140用于控制所述第二容器12中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器11中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器11后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请提供的调节系统1，通过增设第二容器12，并且在第二容器12内装载第二化学溶液，第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液。第二化学溶液为待补充的溶液，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制单元140控制所述第二容器12中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器11中，此时由于在第一容器11中预设粒子含量的增加，导致第一预设粒子浓度增加，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。本申请提供的浓度的调节系统1，可简单快捷地调节溶液的浓度，有效地降低清洗的时间以及成本。

请一并参考图13，图13为本申请第二实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。本申请第二实施方式提供的处理器14的电子结构与本申请第一实施方式提供的处理器14的电子结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述检测装置13还用于检测所述第一容器11中的所述第一化学溶液的体积，所述处理器14还包括第一模型管理单元141，所述第一模型管理单元141用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型。所述控制单元140用于根据所述第一模型来控制所述第二容器12中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器11。

本申请可通过第一模型管理单元141来建立第一模型，再用控制单元140来控制进入第一容器11的第二化学溶液的体积，以此来实现第一预设粒子浓度等于目标预设粒子浓度。

请一并参考图14，图14为本申请第三实施方式调节系统结构示意图。本申请第三实施方式提供的调节系统1的结构与本申请第一实施方式提供的调节系统1的结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节系统1还包括第三容器15，所述第三容器15用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液包括为所述溶剂，且所述第三容器15连接所述第一容器11，以使所述第三化学溶液可进入所述第一容器11中；当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元140还用于控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

本申请还可通过增设第三容器15，使第三容器15装载第三化学溶液，第三化学溶液仅含有溶剂。并且当第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，通过控制单元140控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11中，此时由于溶剂的含量增加，导致第一预设粒子浓度降低，从而达到第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等的目的。

请一并参考图15，图15为本申请第四实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。本申请第四实施方式提供的处理器14的电子结构与本申请第一实施方式提供的处理器14的电子结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述处理器14还包括第二模型管理单元142，所述第二模型管理单元142用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型；所述控制单元140根据所述第二模型来控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11。

本申请可通过第二模型管理单元142来建立第二模型，再用控制单元140控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11，以减小第一预设粒子浓度，从而使第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

请一并参考图16，图16为本申请第五实施方式调节系统结构示意图。本申请第五实施方式提供的调节系统1的结构与本申请第一实施方式提供的调节系统1的结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节系统1还包括第四容器16，所述第四容器16与所述第一容器11连通。当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元140还用于控制所述第一容器11中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器16中。所述检测装置13还用于检测进入所述第四容器16的所述第一化学溶液的浓度以及进入所述第四容器16的所述第一化学溶液的体积。所述控制单元140还用于控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

在本申请中可额外增设第四容器16，并使部分所述第一化学溶液进入所述第四容器16中来减少第一容器11中第一化学溶液的体积。再控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11中，这样可防止在加入第三化学溶液时第一容器11的体积不够而导致无法加入第三化学溶液的问题。另外，进入第四容器16的第一化学溶液在后续清洗过程中还可重新加入至第一容器11中来补充第一化学溶液或提高或降低第一化学溶液的体积，这样的话，就可以实现对该部分第一化学溶液的第二次利用，来提高该部分第一化学溶液的利用效率，降低清洗的成本。因此，本申请还可使检测装置13检测进入所述第四容器16的所述第一化学溶液的浓度以及进入所述第四容器16的所述第一化学溶液的体积，这样来了解该部分第一化学溶液的具体情况，从而为后续的操作打下良好的基础，降低了后续将该部分第一化学溶液重新置入第一容器11的计算难度。

请一并参考图17，图17为本申请第六实施方式调节系统中处理器的电子结构示意图。本申请第六实施方式提供的处理器14的电子结构与本申请第五实施方式提供的处理器14的电子结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述处理器14还包括第三模型管理单元143，所述第三模型管理单元143用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器16中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型。所述控制单元140根据所述第三模型来控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11。

本申请可通过第三模型管理单元143来建立第三模型，再用控制单元140来控制所述第三容器15中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器11，以减小第一预设粒子浓度，从而使第一预设粒子浓度与目标预设粒子浓度相等。

请一并参考图18，图18为本申请第七实施方式调节系统结构示意图。本申请第七实施方式提供的调节系统1的结构与本申请第一实施方式提供的调节系统1的结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节系统1还包括循环装置17，所述循环装置17连接所述第一容器11，所述循环装置17连接所述第一容器11，所述循环装置17用于除去所述第一容器11中的所述第一化学溶液中的杂质。所述第二容器12连接所述循环装置17，所述第二容器12用于向所述循环装置17中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器11中。所述第四容器16连接所述循环装置17，所述第一容器11中的第一化学溶液进入所述循环装置17中，再从所述循环装置17中进入所述第四容器16。所述检测装置13用于检测所述循环装置17中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器11中所述第一预设粒子浓度。

本申请还可增设循环装置17，并使循环装置17连接第一容器11，来将第一容器11中的第一化学溶液进行往复的循环，因为待清洗工件在清洗时会产生较多的副产物，因此循环装置17在循环第一化学溶液的过程中还可除去第一化学溶液中的杂质，即副产物。

另外，第二容器12连接循环装置17，上述内容体积，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，第二容器12中的部分第二化学溶液先进入循环装置17中，在通过循环装置17进入第一容器11中。同理，第四容器16连接循环装置17，第一容器11的部分第一化学溶液先进入循环装置17中，再通过循环装置17进入第四容器16中。

另外，检测装置13也可连接循环装置17，由于循环装置17中的第一化学溶液与第一容器11中的第一化学溶液是相同的，因此检测装置13只需检测循环装置17中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器11中所述第一预设粒子浓度。

可选地，请一并参考图19，图19为本申请第八实施方式调节系统结构示意图。本申请第八实施方式提供的调节系统1的结构与本申请第七实施方式提供的调节系统1的结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，循环装置17上还设有过滤器171，机械泵172，以及加热器173。所述过滤器171用于过滤第一化学溶液中的杂质。机械泵172用于使第一化学溶液在循环装置17与第一容器11内进行循环。加热器173用于加热第一化学溶液，以提高清洗效果。进一步可选地，加热器173用于将第一化学溶液加热至160℃。

请一并参考图20，图20为本申请第九实施方式调节系统1结构示意图。本申请第九实施方式提供的调节系统1的结构与本申请第八实施方式提供的调节系统1的结构大体相同，不同之处在于，本实施方式中，所述调节系统1还包括搅拌装置18，所述搅拌装置18设于所述第一容器11内，所述搅拌装置18用于搅拌所述第一容器11内的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。本申请还可在第一容器11内增设搅拌装置18以搅拌第一化学溶液，使得溶质在溶剂中分散的更加均匀，进而使反应更加均匀。

以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (16)

1.一种浓度的调节方法，其特征在于，所述调节方法包括：

提供待清洗工件，将所述待清洗工件置入盛放有第一化学溶液的第一容器中，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子；

提供第二容器，所述第二容器用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器中；

检测所述第一容器中的第一预设粒子浓度，且检测所述第二容器中的第二预设粒子浓度；以及

当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

2.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，在“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”之前，所述调节方法还包括：

检测所述第一容器中的所述第一化学溶液的体积；

“控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型；

根据所述第一模型来控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器。

3.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述调节方法还包括：

提供第三容器，所述第三容器用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液为所述溶剂，且所述第三化学溶液可进入所述第一容器中；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

4.如权利要求3所述的调节方法，其特征在于，“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型；

根据所述第二模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

5.如权利要求3所述的调节方法，其特征在于，所述调节方法还包括：

提供第四容器，所述第四容器与所述第一容器连通；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，控制所述第一容器中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中；以及

控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

6.如权利要求5所述的调节方法，其特征在于，“控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中”包括：

根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型；

根据所述第三模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

7.如权利要求5所述的调节方法，其特征在于，所述调节方法还包括：

提供循环装置，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置用于除去所述第一容器中的所述第一化学溶液中的杂质；

所述第二容器连接所述循环装置，所述第二容器向所述循环装置中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器中；

所述第四容器连接所述循环装置，所述第一容器中的第一化学溶液进入所述循环装置中，再从所述循环装置中进入所述第四容器；

检测所述循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

8.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述调节方法还包括：

搅拌所述第一容器中的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。

9.一种浓度的调节系统，其特征在于，所述调节系统包括：

第一容器，所述第一容器用于装载第一化学溶液与待清洗工件，所述第一化学溶液包括溶剂，或者所述第一化学溶液包括溶质和所述溶剂，所述溶质包括预设粒子；

第二容器，所述第二容器用于装载第二化学溶液，所述第二化学溶液为含有所述预设粒子的标准溶液，且所述第二化学溶液可进入所述第一容器中；

检测装置，所述检测装置用于检测所述第一容器中的第一预设粒子浓度，所述检测装置还用于检测所述第二容器中的第二预设粒子浓度；以及

处理器，所述处理器包括控制单元，当所述第一预设粒子浓度小于目标预设粒子浓度时，所述控制单元用于控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第二化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

10.如权利要求9所述的调节系统，其特征在于，所述检测装置还用于检测所述第一容器中的所述第一化学溶液的体积，所述处理器还包括：

第一模型管理单元，所述第一模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及所述第二预设粒子浓度建立第一模型；

所述控制单元用于根据所述第一模型来控制所述第二容器中的部分所述第二化学溶液进入所述第一容器。

11.如权利要求9所述的调节系统，其特征在于，所述调节系统还包括：

第三容器，所述第三容器用于装载第三化学溶液，所述第三化学溶液包括为所述溶剂，且所述第三容器连接所述第一容器，以使所述第三化学溶液可进入所述第一容器中；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元还用于控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

12.如权利要求11所述的调节系统，其特征在于，所述处理器还包括：

第二模型管理单元，所述第二模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、以及所述第一化学溶液的体积建立第二模型；

所述控制单元根据所述第二模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

13.如权利要求12所述的调节系统，其特征在于，所述调节系统还包括：

第四容器，所述第四容器与所述第一容器连通；

当所述第一预设粒子浓度大于所述目标预设粒子浓度时，所述控制单元还用于控制所述第一容器中的部分所述第一化学溶液进入所述第四容器中；

所述检测装置还用于检测进入所述第四容器的所述第一化学溶液的浓度以及进入所述第四容器的所述第一化学溶液的体积；以及

所述控制单元还用于控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器中，以使得部分所述第三化学溶液进入所述第一容器后的所述第一预设粒子浓度与所述目标预设粒子浓度相等。

14.如权利要求13所述的调节系统，其特征在于，所述处理器还包括：

第三模型管理单元，所述第三模型管理单元用于根据所述目标预设粒子浓度、所述第一预设粒子浓度、所述第一化学溶液的体积、以及进入所述第四容器中的部分所述第一化学溶液的体积建立第三模型；

所述控制单元根据所述第三模型来控制所述第三容器中的部分所述第三化学溶液进入所述第一容器。

15.如权利要求13所述的调节系统，其特征在于，所述调节系统还包括：

循环装置，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置连接所述第一容器，所述循环装置用于除去所述第一容器中的所述第一化学溶液中的杂质；

所述第二容器连接所述循环装置，所述第二容器用于向所述循环装置中加入所述第二化学溶液，以使所述第二化学溶液进入所述第一容器中；

所述第四容器连接所述循环装置，所述第一容器中的第一化学溶液进入所述循环装置中，再从所述循环装置中进入所述第四容器；以及

所述检测装置用于检测所述循环装置中的所述第一预设粒子浓度以得到所述第一容器中所述第一预设粒子浓度。

16.如权利要求9所述的调节系统，其特征在于，所述调节系统还包括：

搅拌装置，所述搅拌装置设于所述第一容器内，所述搅拌装置用于搅拌所述第一容器内的所述第一化学溶液，以使得所述溶质分散均匀。

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