JP2010050222A - 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010050222A JP2010050222A JP2008211952A JP2008211952A JP2010050222A JP 2010050222 A JP2010050222 A JP 2010050222A JP 2008211952 A JP2008211952 A JP 2008211952A JP 2008211952 A JP2008211952 A JP 2008211952A JP 2010050222 A JP2010050222 A JP 2010050222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- substrate processing
- processing liquid
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 489
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 369
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 223
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 32
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 9
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
- G05D7/0641—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
- G05D7/0664—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a plurality of diverging flows from a single flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(2)を処理する基板処理装置(1)において、各基板処理部(11〜22)に基板(2)を順次搬送し、1個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板(2)が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【選択図】図3
Description
3 キャリア 4 基板搬入出台
5 基板搬送室 6 基板処理室
7 前壁 8 基板搬送装置
9 基板受渡台 10 基板搬送装置
11〜22 第1〜第12の基板処理部 23 処理部
24 処理液供給部 25 制御部
26 連結管 27 共通供給管
28 バイパス管 29 フローコントローラ
30 廃液部 31,32 ノズル
33,34 バルブ 35,36 フローコントローラ
37 純水供給源 38 純水供給管
39 フローコントローラ 40 混合部
41 フッ酸供給源 42 フッ酸供給管
43 フローコントローラ 44 記録媒体
45 リンス液供給源 46 供給管
Claims (8)
- 処理液を使用して基板を処理する複数個の基板処理部と、前記複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部と、各基板処理部及び処理液供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置において、
制御部は、各基板処理部に基板を順次搬送し、1個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理液供給部は、第1の流体で第2の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給するように構成し、
前記制御部は、1個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第2の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第2の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第2の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理方法において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、1個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理方法。 - 前記処理液供給部は、第1の流体で第2の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、1個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第2の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第2の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第2の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の基板処理方法。
- 処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、
各基板処理部に基板を順次搬送し、1個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラム。 - 処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、1個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008211952A JP5160341B2 (ja) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR1020090073742A KR101293394B1 (ko) | 2008-08-20 | 2009-08-11 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
US12/543,950 US8282744B2 (en) | 2008-08-20 | 2009-08-19 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate processing program, and computer readable recording medium having substrate processing program therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008211952A JP5160341B2 (ja) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010050222A true JP2010050222A (ja) | 2010-03-04 |
JP5160341B2 JP5160341B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=41695185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008211952A Active JP5160341B2 (ja) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8282744B2 (ja) |
JP (1) | JP5160341B2 (ja) |
KR (1) | KR101293394B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633663B1 (ja) * | 2013-01-23 | 2014-12-03 | 株式会社村田製作所 | 薄膜キャパシタとツエナーダイオードの複合電子部品およびその製造方法 |
JP7189013B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の運転方法 |
US11914408B2 (en) * | 2022-01-21 | 2024-02-27 | Hamilton Sundstrand Corporation | Active flow control system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142448A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置の運転方法 |
JP2005093695A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005175183A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Kitz Sct:Kk | 液体加圧機構及びこれを用いた液体制御装置と液体制御方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2001259119A1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma cleaning of workpieces |
JP2007123393A (ja) | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2008
- 2008-08-20 JP JP2008211952A patent/JP5160341B2/ja active Active
-
2009
- 2009-08-11 KR KR1020090073742A patent/KR101293394B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-08-19 US US12/543,950 patent/US8282744B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142448A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置の運転方法 |
JP2005093695A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005175183A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Kitz Sct:Kk | 液体加圧機構及びこれを用いた液体制御装置と液体制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100043830A1 (en) | 2010-02-25 |
JP5160341B2 (ja) | 2013-03-13 |
KR20100022922A (ko) | 2010-03-03 |
US8282744B2 (en) | 2012-10-09 |
KR101293394B1 (ko) | 2013-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5505384B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP4073186B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP5454108B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP6434367B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
TWI483331B (zh) | 處理裝置及處理裝置之運轉方法 | |
JP6294256B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6118689B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2018014470A (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 | |
JP2007287753A (ja) | 基板処理装置 | |
US10458010B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
JP5160341B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US11189481B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5341427B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7321052B2 (ja) | 基板処理装置および装置洗浄方法 | |
JP2023021055A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4347156B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2021064746A (ja) | 基板処理装置および装置洗浄方法 | |
JP6810567B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2021112022A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3126139B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP7493325B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2007077992A1 (ja) | 被処理体搬送器の洗浄・乾燥処理方法、及び洗浄・乾燥処理装置、並びに記憶媒体 | |
KR20220152935A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2009188048A (ja) | 半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置 | |
JP2023158001A (ja) | 基板処理装置及び基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5160341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |