JP2021064746A - 基板処理装置および装置洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バッチ処理を行う基板処理装置において、排液ラインの詰まりを抑制することができる技術を提供すること。【解決手段】本開示による基板処理装置は、処理槽と、貯留部と、液受部と、貯留部排出管と、液受部排出管とを備える。処理槽は、複数の基板を収容可能であり、処理液を貯留する。貯留部は、処理槽に接続され、処理槽から排出された処理液を貯留する。液受部は、処理槽から零れた処理液を受ける。貯留部排出管は、貯留部に貯留された液体を排出する。液受部排出管は、液受部で受けた液体を外部に設けられた外部排出管に排出する。【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理装置および装置洗浄方法に関する。

従来、処理液を貯留した処理槽に複数の基板で形成したロットを浸漬させることによって、１ロット分の基板を一括して処理するバッチ処理が知られている。

特開平３−３８８２７号公報

本開示は、バッチ処理を行う基板処理装置において、排液ラインの詰まりを抑制することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、貯留部と、液受部と、貯留部排出管と、液受部排出管とを備える。処理槽は、複数の基板を収容可能であり、処理液を貯留する。貯留部は、処理槽に接続され、処理槽から排出された処理液を貯留する。液受部は、処理槽から零れた処理液を受ける。貯留部排出管は、貯留部に貯留された液体を排出する。液受部排出管は、液受部で受けた液体を外部に設けられた外部排出管に排出する。

本開示によれば、バッチ処理を行う基板処理装置において、排液ラインの詰まりを抑制することができる。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示すブロック図である。 図３は、第１実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。 図４は、第１実施形態に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図５は、第１変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図６は、第２変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図７は、第３変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図８は、第１実施形態に係るタンク排出処理の手順を示すフローチャートである。 図９は、第２実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。 図１０は、第２実施形態に係るタンク洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図１１は、第２実施形態に係る分岐管洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図１２は、第３実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。 図１３は、第４実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。 図１４は、第４変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。 図１５は、第５変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。

以下に、本開示による基板処理装置および装置洗浄方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および装置洗浄方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

（第１実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
まず、第１実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。

図１に示すように、第１実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。

キャリア搬入出部２は、キャリアステージ２０と、キャリア搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。

キャリアステージ２０は、外部から搬送された複数のキャリア９を載置する。キャリア９は、複数（たとえば、２５枚）のウエハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。キャリア搬送機構２１は、キャリアステージ２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４間でキャリア９の搬送を行う。

キャリア載置台２４に載置されたキャリア９からは、処理される前の複数のウエハＷが後述する基板搬送機構３０によりロット処理部６に搬出される。また、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９には、処理された複数のウエハＷが基板搬送機構３０によりロット処理部６から搬入される。

ロット形成部３は、基板搬送機構３０を有し、ロットを形成する。ロットは、１または複数のキャリア９に収容されたウエハＷを組合せて同時に処理される複数（たとえば、５０枚）のウエハＷで構成される。１つのロットを形成する複数のウエハＷは、互いの板面を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。

基板搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９とロット載置部４との間で複数のウエハＷを搬送する。

ロット載置部４は、ロット搬送台４０を有し、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。ロット搬送台４０は、ロット形成部３で形成された処理される前のロットを載置する搬入側ロット載置台４１と、ロット処理部６で処理されたロットを載置する搬出側ロット載置台４２とを有する。搬入側ロット載置台４１および搬出側ロット載置台４２には、１ロット分の複数のウエハＷが起立姿勢で前後に並んで載置される。

ロット搬送部５は、ロット搬送機構５０を有し、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送機構５０は、レール５１と、移動体５２と、基板保持体５３とを有する。

レール５１は、ロット載置部４およびロット処理部６に渡って、Ｘ軸方向に沿って配置される。移動体５２は、複数のウエハＷを保持しながらレール５１に沿って移動可能に構成される。基板保持体５３は、移動体５２に設けられ、起立姿勢で前後に並んだ複数のウエハＷを保持する。

ロット処理部６は、起立姿勢で前後に並んだ複数のウエハＷを１ロットとして、エッチング処理や洗浄処理、乾燥処理などを行う。ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置６０と、洗浄処理装置７０と、基板保持体洗浄処理装置８０と、乾燥処理装置９０とが、レール５１に沿って並んで設けられる。

エッチング処理装置６０は、ロットのエッチング処理を行う。洗浄処理装置７０は、ロットの洗浄処理を行う。基板保持体洗浄処理装置８０は、基板保持体５３の洗浄処理を行う。乾燥処理装置９０は、ロットの乾燥処理を行う。なお、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０、基板保持体洗浄処理装置８０および乾燥処理装置９０の台数は、図１の例に限られない。

エッチング処理装置６０は、エッチング用の処理槽６１と、リンス用の処理槽６２と、基板昇降機構６３，６４とを備える。

処理槽６１は、起立姿勢で配列された１ロット分のウエハＷを収容可能であり、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。処理槽６１の詳細については後述する。

処理槽６２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構６３，６４には、ロットを形成する複数のウエハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

エッチング処理装置６０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構６３で保持し、処理槽６１のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。エッチング処理は、たとえば、１時間〜３時間程度行われる。

処理槽６１においてエッチング処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽６２に搬送される。そして、エッチング処理装置６０は、搬送されたロットを基板昇降機構６４にて保持し、処理槽６２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽６２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で洗浄処理装置７０の処理槽７１に搬送される。

洗浄処理装置７０は、洗浄用の処理槽７１と、リンス用の処理槽７２と、基板昇降機構７３，７４とを備える。洗浄用の処理槽７１には、洗浄用の処理液（たとえば、ＳＣ−１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）など）が貯留される。

リンス用の処理槽７２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構７３，７４には、１ロット分の複数のウエハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

洗浄処理装置７０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構７３にて保持し、処理槽７１の洗浄液に浸漬させることによって洗浄処理を行う。

処理槽７１において洗浄処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽７２に搬送される。そして、洗浄処理装置７０は、搬送されたロットを基板昇降機構７４にて保持し、処理槽７２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽７２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で乾燥処理装置９０の処理槽９１に搬送される。

乾燥処理装置９０は、処理槽９１と、基板昇降機構９２とを有する。処理槽９１には、乾燥用の処理ガス（たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）など）が供給される。基板昇降機構９２には、１ロット分の複数のウエハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

乾燥処理装置９０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構９２で保持し、処理槽９１内に供給される乾燥用の処理ガスを用いて乾燥処理を行う。処理槽９１で乾燥処理されたロットは、ロット搬送部５でロット載置部４に搬送される。

基板保持体洗浄処理装置８０は、ロット搬送機構５０の基板保持体５３に洗浄用の処理液を供給し、さらに乾燥ガスを供給することで、基板保持体５３の洗浄処理を行う。

制御部７は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。制御部７は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。

この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体８を有する。記憶媒体８には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。

制御部７は、記憶媒体８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体８にインストールされたものであってもよい。

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜エッチング用の処理槽の構成＞
次に、エッチング用の処理槽６１について図２を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽６１の構成を示すブロック図である。

処理槽６１では、所定のエッチング液を用いて、ウエハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうちシリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液にシリコン（Ｓｉ）含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として用いられる。

エッチング液中のシリコン濃度を調整する手法としては、リン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法（シーズニング）や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法を用いることができる。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整してもよい。

図２に示すように、エッチング用の処理槽６１は、内槽１０１と、外槽１０２とを備える。内槽１０１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にエッチング液を貯留する。複数のウエハＷにより形成されるロットは、内槽１０１に浸漬される。外槽１０２は、上方が開放され、内槽１０１の上部周囲に配置される。外槽１０２には、内槽１０１からオーバーフローしたエッチング液が流入する。

また、処理槽６１は、リン酸水溶液供給部１０３と、シリコン供給部１０４と、ＤＩＷ供給部１０５とを備える。

リン酸水溶液供給部１０３は、リン酸水溶液供給源１３１と、リン酸水溶液供給ライン１３２と、流量調整器１３３とを有する。

リン酸水溶液供給源１３１は、リン酸濃度が所望の濃度に濃縮されたリン酸水溶液を供給する。リン酸水溶液供給ライン１３２は、リン酸水溶液供給源１３１と外槽１０２とを接続し、リン酸水溶液供給源１３１から外槽１０２にリン酸水溶液を供給する。

流量調整器１３３は、リン酸水溶液供給ライン１３２に設けられ、外槽１０２へ供給されるリン酸水溶液の供給量を調整する。流量調整器１３３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。

シリコン供給部１０４は、シリコン供給源１４１と、シリコン供給ライン１４２と、流量調整器１４３とを有する。

シリコン供給源１４１は、シリコン含有化合物水溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン１４２は、シリコン供給源１４１と外槽１０２とを接続し、シリコン供給源１４１から外槽１０２にシリコン含有化合物水溶液を供給する。

流量調整器１４３は、シリコン供給ライン１４２に設けられ、外槽１０２へ供給されるシリコン含有化合物水溶液の供給量を調整する。流量調整器１４３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１４３によってシリコン含有化合物水溶液の供給量が調整されることで、エッチング液のシリコン濃度が調整される。

ＤＩＷ供給部１０５は、ＤＩＷ供給源１５１と、ＤＩＷ供給ライン１５２と、流量調整器１５３とを有する。ＤＩＷ供給部１０５は、エッチング液を加熱することで蒸発した水分を補給するため、外槽１０２にＤＩＷ（DeIonized Water：純水）を供給する。

ＤＩＷ供給ライン１５２は、ＤＩＷ供給源１５１と外槽１０２とを接続し、ＤＩＷ供給源１５１から外槽１０２に所定温度のＤＩＷを供給する。

流量調整器１５３は、ＤＩＷ供給ライン１５２に設けられ、外槽１０２へ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器１５３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１５３によってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液の温度、リン酸濃度およびシリコン濃度が調整される。

また、処理槽６１は、循環部１０６を備える。循環部１０６は、内槽１０１と外槽１０２との間でエッチング液を循環させる。循環部１０６は、循環ライン１６１と、複数の処理液供給ノズル１６２と、フィルタ１６３と、ヒータ１６４と、ポンプ１６５とを備える。

循環ライン１６１は、外槽１０２と内槽１０１とを接続する。循環ライン１６１の一端は、外槽１０２に接続され、循環ライン１６１の他端は、内槽１０１の内部に配置された複数の処理液供給ノズル１６２に接続される。

フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、循環ライン１６１に設けられる。フィルタ１６３は、循環ライン１６１を流れるエッチング液から不純物を除去する。ヒータ１６４は、循環ライン１６１を流れるエッチング液を、エッチング処理に適した温度に加熱する。ポンプ１６５は、外槽１０２内のエッチング液を循環ライン１６１に送り出す。ポンプ１６５、ヒータ１６４およびフィルタ１６３は、上流側からこの順番で設けられる。

循環部１０６は、エッチング液を外槽１０２から循環ライン１６１および複数の処理液供給ノズル１６２経由で内槽１０１内へ送る。内槽１０１内に送られたエッチング液は、内槽１０１からオーバーフローすることで、再び外槽１０２へと流出する。このようにして、エッチング液は、内槽１０１と外槽１０２との間を循環する。

なお、循環部１０６は、ヒータ１６４によってエッチング液を加熱することにより、エッチング液を沸騰状態としてもよい。

＜処理槽の周辺構成＞
次に、処理槽６１の周辺構成について図３を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係るエッチング処理装置６０の構成を示す図である。

図３に示すように、エッチング処理装置６０は、液受部２００と、液受部排出管２１０と、処理槽排出管２２０と、クーリングタンク２３０と、洗浄部２４０と、タンク排出管２６０とを備える。

液受部２００は、処理槽６１から零れたエッチング液を受ける容器である。液受部２００は、第１液受部２０１と、第２液受部２０２とを備える。なお、「処理槽６１から零れたエッチング液」とは、内槽１０１または外槽１０２から溢れたり、飛散したり、漏れたりすることによって内槽１０１または外槽１０２から外に出たエッチング液のことである。たとえば、処理槽６１に沸騰状態のエッチング液を貯留している場合、沸騰によってエッチング液が処理槽６１の外に飛散する場合がある。

第１液受部２０１は、処理槽６１の下方に配置される。第１液受部２０１は、たとえば受け皿状の容器であり、処理槽６１から溢れたり漏れたりすることによって処理槽６１から滴り落ちるエッチング液を受ける。

第２液受部２０２は、第１液受部２０１よりも大きい容積を有する。第２液受部２０２は、箱状の容器であり、処理槽６１および第１液受部２０１を内部に収容する。第２液受部２０２は、たとえば、沸騰によって処理槽６１から飛散したエッチング液を受ける。

第１液受部２０１の側面下部には、第１液受部２０１に受け止められたエッチング液を第１液受部２０１から排出する第１液受部排出管２１１が接続される。図３に示す例において、第１液受部排出管２１１は、第１液受部２０１のＸ軸正方向側の側面下部に接続される。

第１液受部２０１の底面２０１ａは、第１液受部排出管２１１に向かって下り傾斜している。すなわち、第１液受部２０１の底面２０１ａは、Ｘ軸負方向側がＸ軸正方向側よりも高く形成されている。これにより、第１液受部２０１によって受け止められたエッチング液を第１液受部２０１から効率良く排出させることができる。また、第１液受部２０１内にエッチング液が残留することを抑制できる。

第２液受部２０２の側面下部には、第２液受部２０２に受け止められたエッチング液を第２液受部２０２から排出する第２液受部排出管２１２が接続される。図３に示す例において、第２液受部排出管２１２は、第２液受部２０２のＸ軸正方向の側面下部に接続される。

液受部排出管２１０は、液受部２００と第１外部排出管３０１とを接続し、液受部２００によって受け止められたエッチング液を第１外部排出管３０１へ排出する。液受部排出管２１０は、上流側において、上述した第１液受部排出管２１１と第２液受部排出管２１２とに分岐しており、第１液受部排出管２１１は第１液受部２０１に接続され、第２液受部排出管２１２は第２液受部２０２に接続される。また、液受部排出管２１０は、下流側において第１外部排出管３０１に接続される。第１外部排出管３０１は、基板処理装置１が設置される工場などの建物に備え付けられた設備３００の一つである。具体的には、第１外部排出管３０１は、酸系の液体を廃液として排出するための酸系排液管である。

なお、液受部排出管２１０は、第１液受部排出管２１１と第２液受部排出管２１２とを独立に備えていてもよい。この場合、第１液受部排出管２１１および第２液受部排出管２１２は、下流側において第１外部排出管３０１に接続されればよい。

処理槽排出管２２０は、処理槽６１（具体的には、内槽１０１）とクーリングタンク２３０とを接続する。処理槽排出管２２０は、内槽１０１に貯留されたエッチング液を内槽１０１からクーリングタンク２３０に排出する。処理槽排出管２２０の中途部には、処理槽排出管２２０を開閉する開閉弁２２１が設けられる。

クーリングタンク２３０は、処理槽排出管２２０を介して処理槽６１に接続され、処理槽６１から排出されたエッチング液を一時的に貯留する。クーリングタンク２３０には、たとえばコイルチューブ等の冷却機構が設けられており、内部に貯留された高温のエッチング液を冷却することができる。

クーリングタンク２３０には、液面検知部２３１が設けられている。液面検知部２３１は、クーリングタンク２３０内の液面を検知する。たとえば、液面検知部２３１は、クーリングタンク２３０の底面付近に設けられる。かかる位置に液面検知部２３１を設けることで、液面検知部２３１によって液面が検知されなくなった場合に、クーリングタンク２３０内に液体が入っていないか、ほとんど入っていないことを検出することができる。なお、クーリングタンク２３０には、クーリングタンク２３０の天井面付近に、別の液面検知部が設けられてもよい。このような位置に液面検知部を設けることで、クーリングタンク２３０内が液体で満杯になっていることを検出することができる。

また、クーリングタンク２３０には、温度検知部２３２が設けられている。温度検知部２３２は、クーリングタンク２３０内の液体の温度を検知する。

タンク排出管２６０は、上流側においてクーリングタンク２３０に接続され、下流側において第２外部排出管３０２に接続される。タンク排出管２６０は、クーリングタンク２３０に貯留されたエッチング液をクーリングタンク２３０から第２外部排出管３０２へ排出する。第２外部排出管３０２は、設備３００の一つである。具体的には、第２外部排出管３０２は、処理槽６１から排出されたエッチング液を再利用のため回収する回収管である。

タンク排出管２６０の中途部には、タンク開閉弁２６５が設けられている。タンク開閉弁２６５は、タンク排出管２６０を開閉する。

ところで、処理槽６１には、エッチング液が沸騰状態で貯留される場合がある。この場合、エッチング液に含有される有機系の添加物が蒸気となって処理槽６１の外に放出されて液受部２００や液受部排出管２１０に付着する。この蒸気にはシリコンも含有されており、かかるシリコン混じりの添加物が液受部２００上あるいは液受部排出管２１０内でゲル化し、さらに乾燥することで結晶物となって液受部２００および液受部排出管２１０等に固着する場合がある。これにより、液受部排出管２１０が詰まるおそれがある。

一方、処理槽６１から蒸発によって放出されるシリコン混じりの添加物は、処理槽排出管２２０、クーリングタンク２３０およびタンク排出管２６０には混入しない。このため、タンク排出管２６０は、液受部排出管２１０と比較して、エッチング液に由来する結晶物による詰まりは生じ難い。

そこで、第１実施形態に係るエッチング処理装置６０では、液受部排出管２１０を含む液受部２００からの排液経路と、タンク排出管２６０を含むクーリングタンク２３０からの排液経路とを分離させることとした。これにより、シリコン混じりの添加物が混入している可能性のある液体が液受部排出管２１０からタンク排出管２６０に流入することを抑制することができる。したがって、タンク排出管２６０が、シリコン混じりの添加物の結晶物によって詰まることを抑制することができる。

このように、第１実施形態に係るエッチング処理装置６０によれば、排液ライン（タンク排出管２６０）の詰まりを抑制することができる。

第１実施形態に係るエッチング処理装置６０は、液受部２００からの排液経路に付着した結晶物を除去する洗浄部２４０を備える。洗浄部２４０は、液受部２００および液受部排出管２１０を洗浄する洗浄液を液受部２００に供給する。

洗浄部２４０は、ＤＩＷ供給源２４１と、ＨＦ供給源２４２とを備える。ＤＩＷ供給源２４１は、ＤＩＷを供給する。ＨＦ供給源２４２は、ＨＦ（液体状のフッ化水素）を供給する。

また、洗浄部２４０は、ＤＩＷ供給管２４３と、ＨＦ供給管２４４と、ＤＩＷ流量調整器２４５と、ＨＦ流量調整器２４６と、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａと、第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂと、第１ＨＦ開閉弁２４８ａと、第２ＨＦ開閉弁２４８ｂとを備える。また、洗浄部２４０は、第１混合部２４９ａと、第２混合部２４９ｂと、第１吐出管２５０ａと、第２吐出管２５０ｂとを備える。

ＤＩＷ供給管２４３は、ＤＩＷ供給源２４１に接続される。ＤＩＷ供給管２４３は、中途部において第１ＤＩＷ供給管２４３ａと第２ＤＩＷ供給管２４３ｂとに分岐する。第１ＤＩＷ供給管２４３ａは、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａを介して第１混合部２４９ａに接続される。第２ＤＩＷ供給管２４３ｂは、第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂを介して第２混合部２４９ｂに接続される。

ＨＦ供給管２４４は、ＨＦ供給源２４２に接続される。ＨＦ供給管２４４は、中途部において第１ＨＦ供給管２４４ａと第２ＨＦ供給管２４４ｂとに分岐する。第１ＨＦ供給管２４４ａは、第１ＨＦ開閉弁２４８ａを介して第１混合部２４９ａに接続される。第２ＨＦ供給管２４４ｂは、第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを介して第２混合部２４９ｂに接続される。

ＤＩＷ流量調整器２４５は、ＤＩＷ供給管２４３における第１ＤＩＷ供給管２４３ａと第２ＤＩＷ供給管２４３ｂとの分岐点よりも上流側に設けられ、ＤＩＷ供給管２４３を流れるＤＩＷの流量を調整する。ＨＦ流量調整器２４６は、ＨＦ供給管２４４における第１ＨＦ供給管２４４ａと第２ＨＦ供給管２４４ｂとの分岐点よりも上流側に設けられ、ＨＦ供給管２４４を流れるＨＦの流量を調整する。

第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａは、第１ＤＩＷ供給管２４３ａの中途部に設けられ、第１ＤＩＷ供給管２４３ａを開閉する。第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂは、第２ＤＩＷ供給管２４３ｂの中途部に設けられ、第２ＤＩＷ供給管２４３ｂを開閉する。第１ＨＦ開閉弁２４８ａは、第１ＨＦ供給管２４４ａの中途部に設けられ、第１ＨＦ供給管２４４ａを開閉する。第２ＨＦ開閉弁２４８ｂは、第２ＨＦ供給管２４４ｂの中途部に設けられ、第２ＨＦ供給管２４４ｂを開閉する。

第１混合部２４９ａは、上流側において第１ＤＩＷ供給管２４３ａおよび第１ＨＦ供給管２４４ａに接続される。第１混合部２４９ａは、ＤＩＷ供給源２４１から第１ＤＩＷ供給管２４３ａを介して供給されるＤＩＷと、ＨＦ供給源２４２から第１ＨＦ供給管２４４ａを介して供給されるＨＦとを混合する。

第２混合部２４９ｂは、上流側において第２ＤＩＷ供給管２４３ｂおよび第２ＨＦ供給管２４４ｂに接続される。第２混合部２４９ｂは、ＤＩＷ供給源２４１から第２ＤＩＷ供給管２４３ｂを介して供給されるＤＩＷと、ＨＦ供給源２４２から第２ＨＦ供給管２４４ｂを介して供給されるＨＦとを混合する。

第１吐出管２５０ａは、上流側において第１混合部２４９ａに接続され、第１混合部２４９ａによって生成されたＤＩＷおよびＨＦの混合液であるＤＨＦ（希フッ酸）を第１液受部２０１の底面２０１ａに向けて吐出する。なお、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａが開いており、第１ＨＦ開閉弁２４８ａが閉じている場合、第１吐出管２５０ａは、ＤＩＷを吐出することができる。また、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａが閉じており、第１ＨＦ開閉弁２４８ａが開いている場合、第１吐出管２５０ａは、ＨＦを吐出することができる。

第２吐出管２５０ｂは、上流側において第２混合部２４９ｂに接続され、第２混合部２４９ｂによって生成されたＤＨＦを第２液受部２０２の底面２０２ａに向けて吐出する。なお、第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂが開いており、第２ＨＦ開閉弁２４８ｂが閉じている場合、第２吐出管２５０ｂは、ＤＩＷを吐出することができる。また、第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂが閉じており、第２ＨＦ開閉弁２４８ｂが開いている場合、第２吐出管２５０ｂは、ＨＦを吐出することができる。

洗浄液に含まれるＨＦは、処理槽６１から蒸気となって放出されたシリコン混じりの添加物や、後述するようにエッチング液の温度低下によって析出するＳｉＯ２等のシリコン系結晶物を溶解することができる。したがって、洗浄液としてのＤＨＦを液受部２００に供給することにより、液受部２００に付着したシリコン系結晶物を溶解して液受部２００から除去することができる。また、液受部２００に供給された洗浄液は、液受部排出管２１０を流れる。このため、洗浄液としてのＤＨＦを液受部２００に供給することにより、液受部排出管２１０に付着したシリコン系結晶物を溶解して液受部排出管２１０から除去することができる。

このように、第１実施形態に係るエッチング処理装置６０は、ＨＦを含む洗浄液を液受部２００に供給することで、液受部２００および液受部排出管２１０に付着したシリコン系結晶物を溶解することができる。したがって、第１実施形態に係るエッチング処理装置６０によれば、エッチング液の排出経路、具体的には、液受部排出管２１０の詰まりを抑制することができる。

＜洗浄処理の手順＞
図４は、第１実施形態に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置６０は、図４に示す処理手順を制御部７による制御に従って実行する。

図４に示すように、エッチング処理装置６０は、まず、液受部２００に対してＤＨＦを吐出する（ステップＳ００１）。具体的には、エッチング処理装置６０は、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａ、第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂ、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを開く。これにより、第１混合部２４９ａに対してＤＩＷおよびＨＦが供給されて、第１混合部２４９ａによって混合されたＤＨＦが第１吐出管２５０ａが第１液受部２０１に供給される。また、第２混合部２４９ｂに対してＤＩＷおよびＨＦが供給されて、第２混合部２４９ｂによって混合されたＤＨＦが第２吐出管２５０ｂから第２液受部２０２に供給される。

つづいて、エッチング処理装置６０は、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを閉じることにより、液受部２００に対してＤＩＷを吐出する（ステップＳ００２）。その後、エッチング処理装置６０は、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａおよび第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂを閉じることにより、液受部２００へのＤＩＷの吐出を停止して（ステップＳ００３）、洗浄処理を終える。

このように、エッチング処理装置６０は、液受部２００に対してＤＨＦを吐出した後、液受部２００に対してＤＩＷを吐出して洗浄処理を終えるようにしてもよい。これにより、液受部２００および液受部排出管２１０にＤＨＦが残留することを抑制することができる。

次に、上述した洗浄処理の他の例について図５〜図７を参照して説明する。図５は、第１変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。図６は、第２変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。図７は、第３変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置６０は、図５〜図７に示す処理手順を制御部７による制御に従って実行する。

図５に示すように、エッチング処理装置６０は、まず、各開閉弁２４７ａ，２４７ｂ，２４８ａ，２４８ｂを開くことにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対して第１濃度のＤＨＦを吐出する（ステップＳ１０１）。第１濃度のＤＨＦは、ＤＩＷ流量調整器２４５およびＨＦ流量調整器２４６を用いてＤＩＷおよびＨＦの流量を調整することにより得られる。

つづいて、エッチング処理装置６０は、第１濃度よりも低い第２濃度のＤＨＦを第１液受部２０１および第２液受部２０２に吐出する（ステップＳ１０２）。たとえば、エッチング処理装置６０は、ＤＩＷ流量調整器２４５およびＨＦ流量調整器２４６を用いてＤＩＷおよびＨＦの流量比を変更することにより、第２濃度のＤＨＦを生成することができる。

このように、エッチング処理装置６０は、ＨＦ濃度が比較的高い第１濃度のＤＨＦを液受部２００に吐出した後、ＨＦ濃度が比較的低い第２濃度のＤＨＦを液受部２００に吐出するようにしてもよい。これにより、ＨＦの消費量を抑えつつ、液受部２００および液受部排出管２１０を効率よく洗浄することができる。

つづいて、エッチング処理装置６０は、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対してＤＩＷを吐出する（ステップＳ１０３）。その後、エッチング処理装置６０は、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａおよび第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対するＤＩＷの吐出を停止して（ステップＳ１０４）、洗浄処理を終了する。

他の例として、図６に示すように、エッチング処理装置６０は、まず、各開閉弁２４７ａ，２４７ｂ，２４８ａ，２４８ｂを開くことにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対してＤＨＦを吐出する（ステップＳ２０１）。その後、エッチング処理装置６０は、各開閉弁２４７ａ，２４７ｂ，２４８ａ，２４８ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対するＤＨＦの吐出を停止する（ステップＳ２０２）。

つづいて、エッチング処理装置６０は、ステップＳ２０１，Ｓ２０２の処理を設定された回数繰り返したか否かを判定する（ステップＳ２０３）。この処理において、ステップＳ２０１，Ｓ２０２の処理を繰り返した回数が設定された回数に達していない場合（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、エッチング処理装置６０は、処理をステップＳ２０１に戻し、ステップＳ２０１，Ｓ２０２の処理を繰り返す。

一方、ステップＳ２０３において、ステップＳ２０１，Ｓ２０２の処理を設定された回数繰り返したと判定したとする（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）。この場合、エッチング処理装置６０は、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対してＤＩＷを吐出する（ステップＳ２０４）。その後、エッチング処理装置６０は、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａおよび第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対するＤＩＷの吐出を停止して（ステップＳ２０５）、洗浄処理を終える。

このように、エッチング処理装置６０は、液受部２００に対してＤＨＦを断続的に吐出するようにしてもよい。これにより、ＤＨＦを継続的に吐出した場合と比較して、ＤＨＦの流れを乱すことができる。したがって、シリコン系結晶物を液受部２００等から引き剥がす物理的な力を高めることができる。

なお、エッチング処理装置６０は、ステップＳ２０４，Ｓ２０５の処理についても、設定された回数繰り返してもよい。すなわち、エッチング処理装置６０は、ＤＨＦだけでなくＤＩＷも断続的に吐出するようにしてもよい。この場合、エッチング処理装置６０は、ＤＩＷの吐出を停止してから再びＤＩＷの吐出を開始するまでのインターバルを、ＤＨＦの吐出を停止してから再びＤＨＦの吐出を開始するまでのインターバルよりも短くしてもよい。これにより、これにより、液受部２００および液受部排出管２１０にＤＨＦが残留することをより確実に抑制することができる。

他の例として、図７に示すように、エッチング処理装置６０は、まず、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを開くことにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対してＨＦを吐出する（ステップＳ３０１）。その後、エッチング処理装置６０は、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対するＨＦの吐出を停止する（ステップＳ３０２）。

つづいて、エッチング処理装置６０は、第１ＨＦ開閉弁２４８ａおよび第２ＨＦ開閉弁２４８ｂを閉じ、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａおよび第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂ開く。これにより、エッチング処理装置６０は、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対してＤＩＷを吐出する（ステップＳ３０３）。その後、エッチング処理装置６０は、第１ＤＩＷ開閉弁２４７ａおよび第２ＤＩＷ開閉弁２４７ｂを閉じることにより、第１液受部２０１および第２液受部２０２に対するＤＩＷの吐出を停止する（ステップＳ３０４）。

つづいて、エッチング処理装置６０は、ステップＳ３０１〜Ｓ３０４の処理を設定された回数繰り返したか否かを判定する（ステップＳ３０５）。この処理において、ステップＳ３０１〜Ｓ３０４の処理を繰り返した回数が設定された回数に達していない場合（ステップＳ３０５，Ｎｏ）、エッチング処理装置６０は、処理をステップＳ３０１に戻し、ステップＳ３０１〜Ｓ３０４の処理を繰り返す。一方、ステップＳ３０５において、ステップＳ３０１〜Ｓ３０４の処理を設定された回数繰り返したと判定した場合（ステップＳ３０５，Ｙｅｓ）、エッチング処理装置６０は、洗浄処理を終える。

このように、エッチング処理装置６０は、液受部２００に対し、ＨＦとＤＩＷとを交互に吐出してもよい。この場合、液受部２００においてＨＦとＤＩＷとが混合されることで、液受部２００においてＤＨＦを生成することができる。

なお、ここでは、液受部２００に対し、ＨＦを吐出した後でＤＩＷを吐出することとしたが、エッチング処理装置６０は、液受部２００に対し、ＤＩＷを吐出した後でＨＦを吐出してもよい。この場合、ステップＳ３０５において設定回数繰り返したと判定した後で、液受部２００に対してＤＩＷを一定時間吐出したうえで洗浄処理を終了してもよい。

＜タンク排出処理の動作例＞
次に、クーリングタンク２３０に貯留されたエッチング液を第２外部排出管３０２に排出するタンク排出処理の動作例について図８を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係るタンク排出処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置６０は、図８に示す処理手順を制御部７による制御に従って実行する。

図８に示すように、制御部７は、クーリングタンク２３０内の液面が液面検知部２３１によって検知されているか否かを判定する（ステップＳ４０１）。この判定において、液面検知部２３１によって液面が検知されていると判定した場合（ステップＳ４０１，Ｙｅｓ）、制御部７は、温度検知部２３２によって検知されたクーリングタンク２３０内の液温が閾値未満であるか否かを判定する（ステップＳ４０２）。この判定において、液温が閾値未満であると判定した場合（ステップＳ４０２，Ｙｅｓ）、制御部７は、タンク開閉弁２６５を開くことによってクーリングタンク２３０に貯留されたエッチング液をタンク排出管２６０を介して第２外部排出管３０２へ排出する。一方、ステップＳ４０１において液面検知部２３１によって液面が検知されていない場合（ステップＳ４０１，Ｎｏ）、ステップＳ４０２において液温が閾値以上である場合（ステップＳ４０２，Ｎｏ）、制御部７は、処理をステップＳ４０１へ戻す。

たとえば、処理槽６１の液交換等のために開閉弁２２１（図３参照）が開放されると、処理槽６１に貯留された多量のエッチング液がクーリングタンク２３０に一度に流れ込む。これにより、液面検知部２３１は、液面を検知した状態となる。また、処理槽６１に貯留されたエッチング液は高温であるため、温度検知部２３２によって検知される液温は閾値以上となる。よって、この時点では、タンク開閉弁２６５は開放されない。その後、クーリングタンク２３０内のエッチング液がクーリングタンク２３０に設けられた冷却機構によって冷却されると、温度検知部２３２によって検知される液温は閾値未満となる。そうすると、タンク開閉弁２６５が開放され、クーリングタンク２３０内のエッチング液はタンク排出管２６０を介して第２外部排出管３０２へ排出される。

このように、エッチング処理装置６０では、処理槽６１から排出された高温のエッチング液をクーリングタンク２３０にて冷却した後で、設備３００の一つである第２外部排出管３０２へ排出することとしている。なお、ステップＳ４０１，Ｓ４０２の処理順番は逆であってもよい。

ステップＳ４０３の処理を終えると、制御部７は、クーリングタンク２３０内の液面が液面検知部２３１によって検知されなくなったか否かを判定する（ステップＳ４０４）。この判定において、液面検知部２３１によって液面が検知されなくなったと判定した場合（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、タンク開閉弁２６５を閉じる。一方、ステップＳ４０４において液面検知部２３１によって液面が検知されている場合（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、処理をステップＳ４０４に戻し、液温が閾値未満となるまで、ステップＳ４０４の判定処理を繰り返す。ステップＳ４０５の処理を終えると、制御部７は、タンク排出処理を終える。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係るエッチング処理装置の構成について図９を参照して説明する。図９は、第２実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。

図９に示すように、第２実施形態に係るエッチング処理装置６０Ａは、液受部排出管２１０Ａおよびタンク排出管２６０Ａを備える。

液受部排出管２１０Ａは、分岐管２１３と、切替部２１４と、温度検知部２１５とを備える。

分岐管２１３は、液受部排出管２１０Ａの中途部とクーリングタンク２３０とを接続し、液受部排出管２１０Ａを流れる液体をクーリングタンク２３０に排出する。具体的には、分岐管２１３は、第１液受部排出管２１１と第２液受部排出管２１２との合流点よりも下流側に設けられる。

切替部２１４は、液受部排出管２１０Ａを流れる液体の流出先を第１外部排出管３０１とクーリングタンク２３０とで切り替える。温度検知部２１５は、液受部排出管２１０Ａを流れる液体の温度を検知する。制御部７は、温度検知部２１５による検知結果に基づき、液受部排出管２１０Ａ内の液温が閾値を超えた場合に、切替部２１４を制御して、液体の流出先を第１外部排出管３０１からクーリングタンク２３０に切り替えてもよい。これにより、高温の液体が第１外部排出管３０１に流れ込むことを抑制することができる。

なお、ここでは、温度検知部２１５が切替部２１４よりも下流側に設けられる場合の例を示しているが、温度検知部２１５は、切替部２１４よりも上流側に設けられてもよい。

タンク排出管２６０Ａは、第１タンク排出管２６１と、第２タンク排出管２６２とを備える。第１タンク排出管２６１は、クーリングタンク２３０と第２外部排出管３０２とを接続する。第１タンク排出管２６１の中途部には、第１タンク排出管２６１を開閉する第１タンク開閉弁２６６が設けられる。

第２タンク排出管２６２は、上流側において第１タンク排出管２６１に接続され、下流側において第３外部排出管３０３に接続される。第２タンク排出管２６２は、クーリングタンク２３０に貯留された液体を第３外部排出管３０３に排出する。第３外部排出管３０３は、設備３００の一つである。具体的には、第３外部排出管３０３は、第１外部排出管３０１と同様、酸系の液体を廃液として排出するための酸系排液管である。なお、第２タンク排出管２６２は、第１外部排出管３０１に接続されてもよい。

第２タンク排出管２６２の中途部には、第２タンク開閉弁２６７と、冷却部２６８とが設けられる。第２タンク開閉弁２６７は、第２タンク排出管２６２を開閉する。冷却部２６８は、たとえば第２タンク排出管２６２の内部に冷却水を供給することによって第２タンク排出管２６２を流れる液体を冷却する。

このように、第２実施形態に係るエッチング処理装置６０Ａでは、液受部排出管２１０Ａを分岐させてクーリングタンク２３０に接続することとした。これにより、洗浄部２４０から供給される洗浄液を液受部排出管２１０Ａおよび分岐管２１３を介してクーリングタンク２３０に供給することができるため、かかる洗浄液を用いてクーリングタンク２３０およびタンク排出管２６０Ａを洗浄することができる。

エッチング液の温度が低下すると、エッチング液中に溶解していたシリコン含有化合物（たとえばＳｉＯ２）が析出するおそれがある。このため、たとえば、クーリングタンク２３０やタンク排出管２６０Ａにもエッチング液由来の結晶物が付着するおそれがある。第２実施形態に係るエッチング処理装置６０Ａによれば、クーリングタンク２３０およびタンク排出管２６０Ａを洗浄液にて洗浄することができるため、液受部排出管２１０Ａの詰まりだけでなく、タンク排出管２６０Ａの詰まりも抑制することができる。

また、第２実施形態に係るエッチング処理装置６０Ａによれば、クーリングタンク２３０に流入した洗浄液を第２タンク排出管２６２経由で第３外部排出管３０３に排出することができる。したがって、クーリングタンク２３０から第１タンク排出管２６１を介して回収され再利用されるエッチング液に洗浄液が混入することを抑制することができる。

次に、第２実施形態に係る洗浄処理の手順について説明する。まず、タンク排出管２６０Ａの洗浄を行うタンク洗浄処理の手順について図１０を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係るタンク洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置６０Ａは、図１０に示す処理手順を制御部７による制御に従って実行する。

図１０に示すように、制御部７は、第１タンク開閉弁２６６が開いてから閉じるまでの時間を監視する（ステップＳ５０１）。具体的には、第１タンク開閉弁２６６は、第１実施形態に係るタンク開閉弁２６５に相当し、液面検知部２３１によってクーリングタンク２３０内の液面が検知され、かつ、温度検知部２３２によって検知された液温が閾値未満である場合に開かれる。そして、第１タンク開閉弁２６６は、液面検知部２３１によってクーリングタンク２３０内の液面が検知されなくなった場合に閉じられる。すなわち、制御部７は、第１タンク開閉弁２６６が開いてから閉じるまでの時間を、クーリングタンク２３０内のエッチング液の排出が完了するまでの所要時間として監視する。以下、かかる所要時間を「液面低下時間」と呼ぶ。

上述したように、クーリングタンク２３０は、処理槽６１から排出されたエッチング液を貯留するが、処理槽６１から排出されるエッチング液の量は毎回ほぼ同じである。したがって、タンク排出管２６０Ａに詰まりが生じていなければ、液面低下時間は毎回ほぼ同じとなる。

つづいて、制御部７は、液面低下時間が閾値を超えたか否かを判定する（ステップＳ５０２）。この判定において液面低下時間が閾値を超えたと判定した場合（ステップＳ５０２，Ｙｅｓ）、制御部７は、切替部２１４を制御して液受部排出管２１０Ａを流れる液体の流出先を第１外部排出管３０１からクーリングタンク２３０に切り替える（ステップＳ５０３）。また、制御部７は、第１タンク開閉弁２６６を閉じ、第２タンク開閉弁２６７を開くことにより、クーリングタンク２３０からの液体の流出先を第２外部排出管３０２から第３外部排出管３０３に切り替える（ステップＳ５０４）。

そして、制御部７は、洗浄処理を行う（ステップＳ５０５）。具体的には、ステップＳ５０５における洗浄処理は、たとえば、図４〜図７に示す洗浄処理のいずれかである。

このように、エッチング処理装置６０Ａは、液面低下時間が閾値を超えた場合に、タンク排出管２６０Ａが詰まりかけていると判定してタンク洗浄処理を開始することとした。これにより、クーリングタンク２３０およびタンク排出管２６０Ａの洗浄を適切なタイミングで行うことができる。

次に、分岐管２１３の洗浄を行う分岐管洗浄処理の手順について図１１を参照して説明する。図１１は、第２実施形態に係る分岐管洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置６０Ａは、図１１に示す処理手順を制御部７による制御に従って実行する。

また、ここでは、分岐管洗浄処理が行われていない平常時において、液受部２００から排出される液体の流出先がクーリングタンク２３０に切り替わった状態にあるものとする。すなわち、液受部２００によって受け止められた液体は、分岐管２１３を通ってクーリングタンク２３０に貯められるものとする。この場合においても、液面検知部２３１によってクーリングタンク２３０内の液面が検知され、かつ、温度検知部２３２によって検知された液温が閾値未満であると、第１タンク開閉弁２６６が開かれて、クーリングタンク２３０から液体が排出される。

図１１に示すように、制御部７は、クーリングタンク２３０内の液面が液面検知部２３１によって検知されなくなってから再度検知されるまでの時間を監視する（ステップＳ６０１）。すなわち、制御部７は、クーリングタンク２３０内の液体が排出された後、分岐管２１３経由で排出される液体によってクーリングタンク２３０内の液面が上昇して、液面検知部２３１によって液面が検知されるまでの所要時間を監視する。以下、かかる所要時間を「液面上昇時間」と呼ぶ。分岐管２１３経由で排出される液体の単位時間あたりの排出量はほぼ一定である。したがって、分岐管２１３または液受部排出管２１０Ａに詰まりが生じていなければ、液面上昇時間は毎回ほぼ同じとなる。

つづいて、制御部７は、液面上昇時間が閾値を超えたか否かを判定する（ステップＳ６０２）。この判定において液面上昇時間が閾値を超えたと判定した場合（ステップＳ６０２，Ｙｅｓ）、制御部７は、第１タンク開閉弁２６６を閉じ、第２タンク開閉弁２６７を開く。これにより、制御部７は、クーリングタンク２３０からの液体の流出先を第２外部排出管３０２から第３外部排出管３０３に切り替える（ステップＳ６０３）。

そして、制御部７は、洗浄処理を行う（ステップＳ６０４）。ステップＳ６０４における洗浄処理は、たとえば、図４〜図７に示す洗浄処理のいずれかである。

このように、エッチング処理装置６０Ａは、液面上昇時間が閾値を超えた場合に、分岐管２１３または液受部排出管２１０Ａが詰まりかけていると判定して分岐管洗浄処理を開始することとした。これにより、分岐管２１３または液受部排出管２１０Ａの洗浄を適切なタイミングで行うことができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係るエッチング処理装置の構成について図１２を参照して説明する。図１２は、第３実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。

図１２に示すように、第３実施形態に係るエッチング処理装置６０Ｂは、ガスパージ部２７０をさらに備える。

ガスパージ部２７０は、液受部排出管２１０の内部に向けて気体を噴出する。具体的には、ガスパージ部２７０は、気体供給源２７１と、第１供給管２７２と、第２供給管２７３と、開閉弁２７５，２７６とを備える。気体供給源２７１は、たとえばＮ２ガスを供給する。なお、気体供給源２７１から供給される気体は、ドライエア等の空気であってもよいし、Ｎ２ガス以外の不活性ガスであってもよい。第１供給管２７２は、上流側において気体供給源２７１に接続される。また、第１供給管２７２の下流側の端部は、第１液受部排出管２１１の入口付近に配置される。かかる第１供給管２７２は、気体供給源２７１から供給される気体を第１液受部排出管２１１の内部に噴出する。

第２供給管２７３は、上流側において気体供給源２７１に接続される。また、第２供給管２７３の下流側の端部は、第２液受部排出管２１２の入口付近に配置される。かかる第２供給管２７３は、気体供給源２７１から供給される気体を第２液受部排出管２１２の内部に噴出する。開閉弁２７５は、第１供給管２７２の中途部に設けられ、第１供給管２７２を開閉する。また、開閉弁２７６は、第２供給管２７３の中途部に設けられ、第２供給管２７３を開閉する。

このように、エッチング処理装置６０Ｂは、ガスパージ部２７０を用いて第１液受部排出管２１１および第２液受部排出管２１２の内部に気体を噴出する。これにより、第１液受部排出管２１１および第２液受部排出管２１２の内部に付着した結晶物を第１液受部排出管２１１および第２液受部排出管２１２から物理的に引き剥がすことができる。

したがって、エッチング処理装置６０Ｂによれば、排液ラインの詰まりをさらに抑制することができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係るエッチング処理装置の構成について図１３を参照して説明する。図１３は、第４実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す図である。

図１３に示すように、第４実施形態に係るエッチング処理装置６０Ｃは、第２液受部２０２の内部を排気する排気部２８０をさらに備える。

排気部２８０は、第２液受部２０２の内部において処理槽６１の上方に配置される吸込部２８１と、吸込部２８１に接続される排気ダクト２８２と、排気ダクト２８２に設けられる吸引装置２８３とを備える。かかる排気部２８０は、処理槽６１から蒸気となって放出されたシリコン混じりの添加物を吸引装置２８３により発生する吸引力を用いて吸込部２８１から吸い込み、排気ダクト２８２を介して第２液受部２０２の外部に排出する。これにより、シリコン混じりの添加物が第１液受部２０１、第２液受部２０２および液受部排出管２１０に付着し難くなるため、シリコン混じりの添加物が結晶化することによる液受部排出管２１０の詰まりを抑制することができる。

排気部２８０の中途部には、排気ダクト２８２を流通する蒸気を気体と液体に分離する気液分離部２８４が設けられる。気液分離部２８４には、上述した洗浄部２４０が接続されており、洗浄部２４０から洗浄液が供給される。また、気液分離部２８４には、排液管２８５が接続される。排液管２８５は、下流側において液受部排出管２１０に接続されており、気液分離部２８４に溜まった液体を液受部排出管２１０へ排出する。

このように構成することで、第２液受部２０２から排出されたシリコン混じりの添加物が排気部２８０において結晶化して排気ダクト２８２を詰まらせてしまうことを抑制することができる。また、排液管２８５を液受部排出管２１０に接続することで、たとえば、気液分離部２８４を第１外部排出管３０１に直接接続する場合と比べて配管構成を簡素化することができる。

（第５実施形態）
第５実施形態では、洗浄部の変形例について図１４および図１５を参照して説明する。図１４は、第４変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。図１５は、第５変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。

図１４に示すように、第４変形例に係る洗浄部２４０Ｄは、吐出部２５１を備える。吐出部２５１は、第１吐出管２５０ａの下流側端部に接続される。

吐出部２５１は、第１液受部２０１の傾斜する底面２０１ａの上部側、言い換えれば、第１液受部排出管２１１が設けられる側とは反対側の上方に配置される。かかる位置に配置することで、傾斜面である底面２０１ａに沿ってＤＨＦ等を流すことができるため、ＤＨＦ等の流速を高めることができる。このように、ＤＨＦ等の流速を高めることで、第１液受部２０１等に付着した異物をより効率よく除去することができる。

吐出部２５１は、複数の吐出口２５１ａを備える。複数の吐出口２５１ａは、傾斜した底面２０１ａの幅方向（傾斜が延在する水平方向と直交する水平方向、ここではＹ軸方向）に沿って並べて配置される。このように、底面２０１ａの幅方向に沿って複数の吐出口２５１ａを配置することで、第１液受部２０１にＤＨＦ等を満遍なく行き渡らせることができる。

図１５に示すように、第５変形例に係る洗浄部２４０Ｅは、複数の吐出部２５２を備える。複数の吐出部２５２は、第１吐出管２５０ａの下流側端部に接続される。図１５に示す例において、洗浄部２４０Ｅは、２つの吐出部２５２を備える。２つの吐出部２５２のうち一方は、底面２０１ａの幅方向両側のうちの一方に寄せて配置され、２つの吐出部２５２のうち他方は、底面２０１ａの幅方向両側のうちの他方に寄せて配置される。

吐出部２５２は、複数の吐出口２５２ａを備える。複数の吐出口２５２ａは、底面２０１ａの傾斜が延在する水平方向（傾斜方向の水平成分）、ここではＸ軸方向に沿って並べて配置される。このように、傾斜面である底面２０１ａの傾斜方向に沿って複数の吐出口２５２ａを配置することで、第１液受部２０１をより効率よく洗浄することができる。

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、エッチング処理装置６０，６０Ａ〜６０Ｃ）は、処理槽（一例として、処理槽６１）と、貯留部（一例として、クーリングタンク２３０）と、液受部（一例として、液受部２００）と、貯留部排出管（一例として、タンク排出管２６０）と、液受部排出管（一例として、液受部排出管２１０）とを備える。処理槽は、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を収容可能であり、処理液（一例として、エッチング液）を貯留する。貯留部は、処理槽に接続され、処理槽から排出された処理液を貯留する。液受部は、処理槽から零れた処理液を受ける。貯留部排出管は、貯留部に貯留された液体を排出する。液受部排出管は、液受部で受けた液体を外部に設けられた外部排出管（一例として、第１外部排出管３０１）に排出する。

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、バッチ処理を行う基板処理装置において、排液ラインの詰まりを抑制することができる。

処理液は、リン酸および溶解したシリコン含有化合物（一例として、ＳｉＯ２）を含有していてもよい。かかる処理液がたとえば沸騰状態で処理槽に貯留される場合、処理液から蒸気とともにシリコンが放出されるおそれがあり、シリコン系結晶物となって液受部および液受部排出管に付着するおそれがある。一方、このようなシリコン混じりの蒸気は貯留部および貯留部排出管には入り込まないため、貯留部排出管は、液受部排出管と比較して処理液に由来するシリコン系結晶物による詰まりは生じ難い。したがって、実施形態に係る基板処理装置のように、液受部排出管を含む液受部からの排液経路と、貯留部排出管を含む貯留部からの排液経路とを分離することで、貯留部排出管がシリコン系結晶物によって詰まることを抑制することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、分岐管（一例として、分岐管２１３）と、洗浄部（一例として、洗浄部２４０）と、切替部（一例として、切替部２１４）とをさらに備えていてもよい。分岐管は、液受部排出管の中途部と貯留部とを接続し、液受部排出管を流れる液体を貯留部に排出する。洗浄部は、液受部に対し、処理液に由来する結晶物を除去する洗浄液を供給する。切替部は、液受部排出管を流れる液体の流出先を外部排出管と貯留部とで切り替える。

処理液の温度が低下すると、処理液中に溶解していたシリコン含有化合物（たとえばＳｉＯ２）が析出するおそれがある。このため、貯留部や貯留部排出管にも処理液由来のシリコン系結晶物が付着するおそれがある。これに対し、実施形態に係る基板処理装置によれば、貯留部および貯留部排出管を洗浄液にて洗浄することができるため、液受部排出管の詰まりだけでなく、貯留部排出管の詰まりも抑制することができる。

洗浄液は、第１液（一例として、純水）と第２液（一例として、フッ化水素）とを含有していてもよい。この場合、洗浄部は、第１液供給管（一例として、ＤＩＷ供給管２４３）と、第２液供給管（一例として、ＨＦ供給管２４４）と、吐出管（一例として、第１吐出管２５０ａおよび第２吐出管２５０ｂ）と、第１液流量調整部（一例として、ＤＩＷ流量調整器２４５）と、第２液流量調整部（一例として、ＨＦ流量調整器２４６）とを備えていてもよい。第１液供給管は、第１液を供給する。第２液供給管は、第２液を供給する。吐出管は、第１液供給管および第２液供給管に接続され、洗浄液、第１液または第２液を液受部に供給する。第１液流量調整部は、第１液供給管に設けられ、第１液供給管を流れる第１液の流量を調整する。第２液流量調整部は、第２液供給管に設けられ、第２液供給管を流れる第２液の流量を調整する。

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、洗浄部から供給される洗浄部を用いて、液受部、液受部排出管、貯留部および貯留部排出管を洗浄することができる。したがって、排液ラインの詰まりをさらに抑制することができる。

第１液は、純水であってもよく、第２液は、フッ化水素であってもよい。洗浄液すなわち希フッ酸に含まれるフッ化水素は、たとえば処理液に由来するシリコン系結晶物を溶解することができる。したがって、洗浄液としての希フッ酸を液受部に供給することにより、液受部に付着したシリコン系結晶物を溶解して液受部から除去することができる。さらに、液受部に供給された洗浄液は、液受部排出管を流通する。このため、液受部排出管に付着したシリコン系結晶物を溶解して除去することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、貯留部内の液面を検知する液面検知部（一例として、液面検知部２３１）と、洗浄部および切替部を制御する制御部（一例として、制御部７）とを備えていてもよい。この場合、制御部は、液面検知部の検知結果に基づき、貯留部内の液面の低下時間を監視し、低下時間が閾値を超えた場合に、切替部を制御して、流出先を貯留部に切り替え、洗浄部を制御して、液受部に洗浄液を供給してもよい。これにより、貯留部および貯留部排出管の洗浄を適切なタイミングで行うことができる。

実施形態に係る基板処理装置は、貯留部内の液面を検知する液面検知部（一例として、液面検知部２３１）と、洗浄部および切替部を制御する制御部（一例として、制御部７）とをさらに備えていてもよい。この場合、制御部は、流出先が貯留部に切り替えられた状態において、液面検知部の検知結果に基づき、貯留部内の液面の上昇時間を監視し、上昇時間が閾値を超えた場合に、洗浄部を制御して、液受部に洗浄液を供給してもよい。これにより、分岐管および液受部排出管の洗浄を適切なタイミングで行うことができる。

実施形態に係る基板処理装置は、液受部排出管の内部に向けて気体を噴出するガスパージ部（一例として、ガスパージ部２７０）をさらに備えていてもよい。これにより、液受部排出管の内部に付着した結晶物を物理的に引き剥がすことができる。したがって、排液ラインの詰まりをさらに抑制することができる。

液受部は、処理槽の下方に配置された第１液受部（一例として、第１液受部２０１）と、処理槽および第１液受部を収容する第２液受部（一例として、第２液受部２０２）とを含んでいてもよい。この場合、実施形態に係る基板処理装置は、第２液受部の内部を排気する排気部（一例として、排気部２８０）をさらに備えていてもよい。処理槽から放出されるシリコン混じりの蒸気を排気部を用いて第２液受部の外部へ排出することで、液受部排出管の詰まりをさらに抑制することができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウエハ
１ 基板処理装置
６０ エッチング処理装置
６１ 処理槽
２００ 液受部
２０１ 第１液受部
２０２ 第２液受部
２１０ 液受部排出管
２１１ 第１液受部排出管
２１２ 第２液受部排出管
２２０ 処理槽排出管
２３０ クーリングタンク
２４０ 洗浄部
２４３ ＤＩＷ供給管
２４４ ＨＦ供給管
２４５ ＤＩＷ流量調整器
２４６ ＨＦ流量調整器
２６０ タンク排出管

Claims (10)

1. 複数の基板を収容可能であり、処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽に接続され、前記処理槽から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、
   前記処理槽から零れた前記処理液を受ける液受部と、
   前記貯留部に貯留された液体を排出する貯留部排出管と、
   前記液受部で受けた液体を外部に設けられた外部排出管に排出する液受部排出管と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記処理液は、リン酸および溶解したシリコン含有化合物を含有する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記液受部排出管の中途部と前記貯留部とを接続し、前記液受部排出管を流れる液体を前記貯留部に排出する分岐管と、
   前記液受部に対し、前記処理液に由来する結晶物を除去する洗浄液を供給する洗浄部と、
   前記液受部排出管を流れる液体の流出先を前記外部排出管と前記貯留部とで切り替える切替部と
   をさらに備える、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記洗浄液は、第１液と第２液とを含有し、
   前記洗浄部は、
   前記第１液を供給する第１液供給管と、
   前記第２液を供給する第２液供給管と、
   前記第１液供給管および前記第２液供給管に接続され、前記洗浄液、前記第１液または前記第２液を前記液受部に向けて吐出する吐出管と、
   前記第１液供給管に設けられ、前記第１液供給管を流れる前記第１液の流量を調整する第１液流量調整部と、
   前記第２液供給管に設けられ、前記第２液供給管を流れる前記第２液の流量を調整する第２液流量調整部と
   を備える、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記第１液は、純水であり、
   前記第２液は、フッ化水素である、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記貯留部内の液面を検知する液面検知部と、
   前記洗浄部および前記切替部を制御する制御部と
   をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記液面検知部の検知結果に基づき、前記貯留部内の液面の低下時間を監視し、前記低下時間が閾値を超えた場合に、前記切替部を制御して、前記流出先を前記貯留部に切り替え、前記洗浄部を制御して、前記液受部に前記洗浄液を供給する、請求項３〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記貯留部内の液面を検知する液面検知部と、
   前記洗浄部および前記切替部を制御する制御部と
   をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記流出先が前記貯留部に切り替えられた状態において、前記液面検知部の検知結果に基づき、前記貯留部内の液面の上昇時間を監視し、前記上昇時間が閾値を超えた場合に、前記洗浄部を制御して、前記液受部に前記洗浄液を供給する、請求項３〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 前記液受部排出管の内部に向けて気体を噴出するガスパージ部
   をさらに備える、請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
9. 前記液受部は、
   前記処理槽の下方に配置された第１液受部と、
   前記処理槽および前記第１液受部を収容する第２液受部と
   を含み、
   前記第２液受部の内部を排気する排気部
   をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
10. 請求項３に記載の基板処理装置を洗浄する装置洗浄方法であって、
    前記切替部を用いて前記流出先を前記外部排出管から前記貯留部へ切り替える工程と、
    前記流出先を前記貯留部へ切り替えた後、前記洗浄部から前記液受部に前記洗浄液を供給することにより、前記洗浄液を用いて前記貯留部を洗浄する工程と
    を含む、装置洗浄方法。

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