JPH06310487A - ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法 - Google Patents

ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法

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JPH06310487A
JPH06310487A JP9295193A JP9295193A JPH06310487A JP H06310487 A JPH06310487 A JP H06310487A JP 9295193 A JP9295193 A JP 9295193A JP 9295193 A JP9295193 A JP 9295193A JP H06310487 A JPH06310487 A JP H06310487A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング用処理液中のパーティクルで目詰
りを起したフィルタを再生する。 【構成】 フィルタ9及びポンプ10を含むエッチング
用処理液循環ラインに、薬液槽11からの薬液L2と純
水供給部16からの純水とを供給して、フィルタ9のパ
ーティクルを溶解,除去する。これにより、フィルタ9
の目詰りをなくして、フィルタ9を再生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造に使われる
ウェットエッチング装置及びフィルタの再生方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のウェットエッチング装置は図5に
示すように、処理槽29の処理液中に、キャリア32に
支持されたウェハ33を浸漬し、処理槽29からオーバ
ーフローした処理液をポンプ31でフィルタ30に通
し、フィルタ30で処理液中のパーティクルを捕捉し、
浄化した処理液を処理槽29に循環させてウェハ33を
エッチング処理していた。
【0003】図6は、従来のウェットエッチング装置に
おけるウェハ処理枚数とウェハ表面上のパーティクル数
との関係を示す図である。
【0004】処理液としてリン酸水溶液を用い、ウェハ
の窒化ケイ素膜をエッチング処理する場合について説明
する。処理槽29内の温度150℃のリン酸水溶液中に
ウェハ33の表面に窒化ケイ素膜を2000オングスト
ローム形成するにあたって、ウェハ33を60分浸漬し
てエッチング処理を行う。窒化ケイ素膜をエッチング処
理すると、パーティクルが処理液中に混入し、ウェハ処
理枚数が多くなるにつれてパーティクル数も多くなり、
特に2500枚を過ぎると、図6から明らかなようにパ
ーティルの増加率が高くなる。図6の場合には、パーテ
ィクルの直径が0.3μm以上のものをカウントしてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】パーティクル数が増加
すると、ウェハ表面にパーティクルが付着してウェハ表
面が汚染され、ウェハ上に半導体素子を製造する場合の
歩留りが低下することとなるため、従来の装置では、ウ
ェハ処理枚数が2500枚になる前に、フィルタを交換
していた。フィルタの交換は、ほぼ6ケ月に1回の割で
行われ、しかも、フィルタ自体が高価であるため、ラン
ニングコストが上昇してしまうという問題があった。
【0006】本発明の目的は、フィルタ自体を交換する
ことなく、フィルタを再生して使用するようにしたウェ
ットエッチング装置及びフィルタ再生方法を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るウェットエッチング装置は、エッチン
グ処理部と、フィルタ再生部と、流路切替部とを有し、
処理液中に被エッチング材を浸漬し、処理液中のパーテ
ィクルを捕捉し、浄化された処理液を循環させて被エッ
チング材をウェットエッチング処理するウェットエッチ
ング装置であって、エッチング処理部は、処理槽と、フ
ィルタと、ポンプとを有し、処理槽は、エッチング用の
処理液が充填されたものであり、フィルタは、処理液中
に含まれるパーティクルを捕捉するものであり、ポンプ
は、処理槽からオーバーフローした処理液を前記フィル
タに通して前記処理槽に循環させるものであり、フィル
タ再生部は、前記ポンプにより薬液をフィルタに供給
し、該薬液でフィルタのパーティクルを溶解,除去さ
せ、その処理後に前記フィルタ及びポンプを純水で洗浄
してフィルタを再生するものであり、流路切替部は、前
記フィルタ及びポンプを、処理液の配管系と、薬液及び
純水の配管系とに切替えて接続し、かつ処理槽内の廃棄
用処理液と、フィルタ再生後の処理済薬液及び廃水とを
廃棄配管系に廃棄処分するものである。
【0008】また、補給槽を有し、該補給槽は、未使用
の処理液を前記処理槽内に供給するものである。
【0009】また、圧力センサを有し、該圧力センサ
は、前記フィルタの一次側及び二次側の流路中に設置さ
れ、その圧力差により前記フィルタの目詰りを監視する
ものである。
【0010】また、前記薬液はフッ酸であり、前記処理
液はリン酸であり、前記被エッチング材は、窒化ケイ素
膜である。
【0011】また、本発明に係るウェットエッチング装
置のフィルタ再生方法は、薬液処理と、洗浄処理とを行
い、エッチング用処理液中のパーティクルを捕捉するフ
ィルタを再生させるウェットエッチング装置のフィルタ
再生方法であって、薬液処理は、フィルタに薬液を接触
させて、該フィルタに付着したパーティクルを薬液で溶
解,除去する処理であり、洗浄処理は、薬液に接触した
フィルタを純水で洗浄する処理である。
【0012】
【作用】ウェハ上の窒化ケイ素(Si34)膜をリン酸
でエッチングする場合に、フィルタに付着するパーティ
クルの成分は、Si−O−Pからなり、これらはSi3
4とリン酸の反応生成物であることが判明した。ま
た、この生成物はフッ酸(HF)で溶けることが確認さ
れた。
【0013】そこで、フィルタにフッ酸を接触させ、フ
ッ酸でフィルタのパーティクルを溶解,除去することに
より、フィルタを再生する。また、フィルタから除去さ
れたパーティクルは、エッチング用処理槽に帰還させる
ことなく、槽外に廃棄処分することにより、処理槽内の
クリーン化を図る。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【0015】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
係るウェットエッチング装置を示す構成図である。
【0016】図1において、本発明に係るウェットエッ
チング装置は、エッチング処理部と、フィルタ再生部
と、流路切替部とを有している。
【0017】エッチング処理部は、処理槽8と、フィル
タ9と、ポンプ10とを含んでいる。処理槽8は、内外
2重槽8a,8bからなり、エッチング用の処理液L1
が充填され、内槽8aの上縁から処理液L1を外槽8b
にオーバーフローさせ、そのオーバーフローさせた処理
液L1を外槽8bから内槽8aに循環させる構造になっ
ている。実施例において、処理液L1として、リン酸を
用いており、ウェハ上の窒化ケイ素(Si34)膜をエ
ッチング処理するようになっている。
【0018】フィルタ9は、処理液L1中に含まれるパ
ーティクルを捕捉するものであり、ポンプ10は、外槽
8bにオーバーフローした処理液L1をフィルタ9に通
して処理槽8に帰還するものであり、フィルタ9及びポ
ンプ10は、処理槽8の外槽8bと内槽8aの間の配管
1に直列に設置されている。
【0019】さらに、補給槽13を設置し、補給槽13
内の未使用処理液L1を弁12及び配管12aを介して
処理槽8の内槽8a内に供給するようになっている。
【0020】フィルタ再生部は、薬液槽11と純水供給
部16とを含んでいる。薬液槽11は、薬液L2が充填
されており、薬液L2としてフッ酸(HF)を用いてい
る。薬液槽11は、配管P2,P3を介して、その一方の
出入口がフィルタ9の下流側配管P1に接続され、他方
の出入口がポンプ10の上流側配管P1に接続されてい
る。また、純水供給部16は、配管P4を介してポンプ
10の上流側配管P1に接続されている。
【0021】流路切替部は、廃棄用配管P5,P6と、弁
1,2,3,4,5,6,7と、弁制御部17とを含ん
でいる。廃棄用配管P5,P6は、フィルタ9の下流側配
管P1にそれぞれ接続されている。弁1は、フィルタ9
の下流側配管P1と処理槽8の内槽8a底部の間に接続
され、弁2は、外槽8bの底部とポンプ10の上流側配
管P1の間に接続されている。弁3は配管P3に、弁4は
配管P2にそれぞれ接続され、弁5は配管P5に、弁6は
配管P6に、弁7は配管P4にそれぞれ接続されている。
弁制御部17は、シーケンスに従って弁1〜7の開閉制
御を行うようになっている。
【0022】実施例において、被エッチング材としての
ウェハの窒化ケイ素膜に対してリン酸を用いてエッチン
グ処理を行う場合について説明する。ウェハは図5に示
すようにキャリアに支持されて処理槽8の内槽8a内に
収容され、ウェハが処理液L1内に浸漬される。
【0023】ウェハ処理の際には、弁制御部17の指令
により弁1及び弁2を開き、残りの弁3〜弁7を閉じた
状態とする。そして、処理槽8内の処理液L1をポンプ
10でフィルタ9に通して処理液L1中のパーティクル
をフィルタ9で捕捉しつつ、浄化された処理液L1を処
理槽8内に循環させて処理槽8内の処理液L1でウェハ
の窒化ケイ素膜をエッチング処理する。
【0024】エッチング処理が継続して行われてウェハ
処理枚数が所定値、例えば図2のように2500枚に達
すると、フィルタ9が目詰りを起して、フィルタ9の再
生を行う必要がある。
【0025】以下、本発明によるフィルタ9の再生方法
について説明する。フィルタ9が目詰りを起した場合に
は、ウェハ処理を中止して、弁制御部17の指令によ
り、弁1,弁2を開き、弁3,弁4,弁6,弁7を閉じ
る。そして、弁5を開いて、処理槽8の内外槽8a,8
b及び配管P1内の処理液L1を廃棄用配管P5より廃棄
処分する。
【0026】次に、弁制御部17により、弁1,弁2,
弁5,弁6及び弁7を閉じ、弁3及び弁4を開く。そし
て、ポンプ10を駆動して薬液槽11内の薬液L2を配
管P1及びP3を介してフィルタ9に供給し、フィルタ9
を通過した薬液L2を配管P1及びP2を介して薬液槽1
1に帰還させる。この薬液L2の循環を5〜60分間行
う。フィルタ9に捕捉されたパーティクルは薬液L2
接触するため、パーティクルは薬液L2に溶解されて除
去され、フィルタ9は、目詰りが解消されて再生され
る。
【0027】次に、ポンプ10を駆動したままで弁4を
閉じて弁5を開き、薬液槽11及び配管P1,P2及びP
3内の薬液L2を廃棄用配管P5から廃棄処分する。
【0028】引き続いて、弁制御部17により弁3及び
弁5を閉じ、かつ弁7を開いて、純水供給部12から純
水を配管P4,P1内を経てフィルタ9及びポンプ10に
供給して洗浄し(5〜60分間)、その後、弁6を開
き、その廃水を薬液とともに廃棄用配管6より廃棄処分
する。
【0029】最後に、弁制御部17により、弁1及び弁
2を開き、かつ弁6を閉じる。そして、補給槽13の弁
12を開いて、未使用のエッチング用処理液L1を処理
槽8内に供給する。
【0030】この状態でポンプ10を駆動すると、処理
槽8内の処理液L1がフィルタ9を通過して浄化され、
ウェハ処理が可能な状態に移行する。
【0031】図2に、図1の本発明装置を使用したとき
のウェハ処理枚数とウェハ表面上のパーティクル数との
関係を示す。ウェハ処理枚数が2500枚に達した時点
で、フィルタ9の再生を行い、再生終了後、再度ウェハ
処理を継続して行う。フィルタの再生を行うことによ
り、目詰りが解消され、しかも、フィルタから除去され
たパーティクルは、処理槽に帰還されることなく、廃棄
処分されるため、パーティクルの急激な増加が抑制さ
れ、処理槽のクリーン化が図られる。また、フィルタ自
体を交換することなく、フィルタに目詰りを生じさせる
パーティクルを除去してフィルタを再生して使用するた
め、ランニングコストを低くすることができる。
【0032】(実施例2)図3は、本発明の実施例2に
係るウェットエッチング装置を示す構成図である。
【0033】実施例1では、処理槽8内のパーティクル
数を定期的に測定してフィルタの再生時期を定めてい
た。これに対して本実施例は、フィルタの再生時期がエ
ッチング処理の情況等により変動するものであるから、
フィルタの一次側と二次側の圧力差を検知することによ
り、リアルタイムでフィルタの再生時期を決定し、フィ
ルタの再生を適切に行うようにしたものである。すなわ
ち、本実施例は、フィルタ9の一次側と二次側の配管P
1内に圧力センサ14,15をそれぞれ設置し、2つの
圧力センサ14,15で検出した圧力値を弁制御部17
で監視し、その圧力差が特定値に達した時点で弁1〜7
を開閉制御してフィルタ9の再生を行うようにしたもの
である。
【0034】図4に、ウェハ処理枚数と、2つの圧力セ
ンサで検知した圧力差との関係を示す。フィルタ9で
は、捕捉したパーティクルが流路抵抗として作用するた
め、一次側と二次側とに圧力差が生じ、その圧力差が1
kg/cm2になった時点で目詰りを起こす。
【0035】そこで、圧力センサ14と15の圧力差が
1kg/cm2になった時点でフィルタ22の再生を行
うとウェハ上のパーティクルが抑えられることがわか
る。もちろん、圧力差は、フィルタ9のろ過面積、ポン
プ10の能力によって異なるため、個々の装置で定めな
ければならない。
【0036】実施例1では、定期的にウェハ上のパーテ
ィクル数を測定し、パーティクルが増加し始めたらフィ
ルタ9の再生を行っていたが、本実施例によれば、予め
ウェハ上のパーティクルが増加し始める圧力差を測定
し、増加し始める圧力の前でフィルタ9の再生を自動的
に行うことができるため、定期的にウェハ上のパーティ
クル数を測定する時間を削減することができるという利
点を有する。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フィルタ
とポンプを有するエッチング液循環ラインに薬液を注入
することにより、フィルタに付着したパーティクルを溶
解,除去し、次いでフィルタ等を純水で洗浄するため、
目詰りを起したフィルタを再生することができ、フィル
タ交換が不要となり、ランニングコストを低く抑えるこ
とができる。さらに、フィルタを含めたエッチング液循
環ラインが純水で洗浄されるため、次のエッチング処理
の際にパーティクル溶解用の薬液がエッチング液に混入
することがなく、エッチング処理を正常に行うことがで
きる。
【0038】また、フィルタ再生時に、処理槽内の処理
液を廃棄処分して、未使用の処理液を供給するため、処
理槽内のクリーン化を図ることができる。
【0039】また、圧力センサの一次側と二次側の圧力
を圧力センサで監視することにより、フィルタの再生時
期を決定してフィルタの再生を適切に実行することがで
き、かつフィルタ再生の自動化を図ることができる。
【0040】また、フィルタに付着したパーティクル
は、Si34とリン酸との反応生成物であることに着目
し、このパーティクルをフッ酸で溶解するため、フィル
タからパーティクルを確実に除去してフィルタを再生す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施例1を示す構成図である。
【図2】実施例1におけるウェハ処理枚数とウェハ表面
上のパーティクル数との関係を示す図である。
【図3】本発明に係る実施例2を示す構成図である。
【図4】実施例2におけるウェハ処理枚数と圧力センサ
の圧力差との関係を示す図である。
【図5】従来例を示す構成図である。
【図6】従来例におけるウェハ処理枚数とウェハ表面上
のパーティクル数との関係を示す図である。
【符号の説明】
1〜7 弁 8 処理槽 9 フィルタ 10 ポンプ 11 薬液槽 12 弁 13 補給槽

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エッチング処理部と、フィルタ再生部
    と、流路切替部とを有し、処理液中に被エッチング材を
    浸漬し、処理液中のパーティクルを捕捉し、浄化された
    処理液を循環させて被エッチング材をウェットエッチン
    グ処理するウェットエッチング装置であって、 エッチング処理部は、処理槽と、フィルタと、ポンプと
    を有し、 処理槽は、エッチング用の処理液が充填されたものであ
    り、 フィルタは、処理液中に含まれるパーティクルを捕捉す
    るものであり、 ポンプは、処理槽からオーバーフローした処理液を前記
    フィルタに通して前記処理槽に循環させるものであり、 フィルタ再生部は、前記ポンプにより薬液をフィルタに
    供給し、該薬液でフィルタのパーティクルを溶解,除去
    させ、その処理後に前記フィルタ及びポンプを純水で洗
    浄してフィルタを再生するものであり、 流路切替部は、前記フィルタ及びポンプを、処理液の配
    管系と、薬液及び純水の配管系とに切替えて接続し、か
    つ処理槽内の廃棄用処理液と、フィルタ再生後の処理済
    薬液及び廃水とを廃棄配管系に廃棄処分するものである
    ことを特徴とするウェットエッチング装置。
  2. 【請求項2】 補給槽を有し、 該補給槽は、未使用の処理液を前記処理槽内に供給する
    ものであることを特徴とする請求項1に記載のウェット
    エッチング装置。
  3. 【請求項3】 圧力センサを有し、 該圧力センサは、前記フィルタの一次側及び二次側の流
    路中に設置され、その圧力差により前記フィルタの目詰
    りを監視するものであることを特徴とする請求項1、又
    は2に記載のウェットエッチング装置。
  4. 【請求項4】 前記薬液はフッ酸であり、前記処理液は
    リン酸であり、前記被エッチング材は、窒化ケイ素膜で
    あることを特徴とする請求項1,2、又は3に記載のウ
    ェットエッチング装置。
  5. 【請求項5】 薬液処理と、洗浄処理とを行い、エッチ
    ング用処理液中のパーティクルを捕捉するフィルタを再
    生させるウェットエッチング装置のフィルタ再生方法で
    あって、 薬液処理は、フィルタに薬液を接触させて、該フィルタ
    に付着したパーティクルを薬液で溶解,除去する処理で
    あり、 洗浄処理は、薬液に接触したフィルタを純水で洗浄する
    処理であることを特徴とするウェットエッチング装置の
    フィルタ再生方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181041A (ja) * 1995-12-21 1997-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001023952A (ja) * 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
US7964108B2 (en) 2006-10-12 2011-06-21 Apprecia Technology Inc. Regeneration method of etching solution, an etching method and an etching system
WO2015008443A1 (ja) * 2013-07-17 2015-01-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液ろ過フィルタの洗浄液、洗浄装置および洗浄方法
TWI725457B (zh) * 2019-02-27 2021-04-21 日商東芝記憶體股份有限公司 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181041A (ja) * 1995-12-21 1997-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001023952A (ja) * 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
US7964108B2 (en) 2006-10-12 2011-06-21 Apprecia Technology Inc. Regeneration method of etching solution, an etching method and an etching system
WO2015008443A1 (ja) * 2013-07-17 2015-01-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液ろ過フィルタの洗浄液、洗浄装置および洗浄方法
TWI725457B (zh) * 2019-02-27 2021-04-21 日商東芝記憶體股份有限公司 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法

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