KR20230143114A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20230143114A
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도모히로 다카하시
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 인산액을 저류하는 제 1 저류조 (110) 와, 린스액을 저류하는 제 2 저류조 (120) 와, 기판을 유지하여 하강하여, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지하는 기판 유지부 (130) 와, 제 2 저류조 (120) 에 있어서 기판 (W) 을 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하고, 린스액 침지 기간 중 특정 기간 후의 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 것을 정지하는 린스액 전용부 (140) 를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 기판 처리 장치는, 반도체 기판의 처리에 바람직하게 사용된다. 전형적으로는, 기판 처리 장치는, 처리액을 사용하여 기판을 처리한다.
복수의 기판을 일괄하여 처리하는 배치형 처리 장치에 있어서, 처리조에 공급된 소정의 인산 수용액, 실리콘 및 DIW 를 사용하여 기판을 처리하는 것이 검토되고 있다 (특허문헌 1). 특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 배액 라인의 막힘을 억제하기 위해서, 액 수용부에서 받은 액체를, 액 수용부 배출관을 통해 외부에 형성된 외부 배출관으로 배출한다.
일본 공개특허공보 2021-64746호
특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 처리조에, 소정의 인산 수용액, 실리콘 및 DIW 가 공급된다. 한편, 특허문헌 1 에서는, 처리조에 공급되는 소정의 액체의 사용량을 저감시키는 것에 대하여 검토되어 있지 않다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 인산 처리에 사용하는 인산액의 사용량을 효율적으로 저감 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 인산액을 저류하는 제 1 저류조와, 린스액을 저류하는 제 2 저류조와, 기판을 유지하여 하강하여, 상기 제 2 저류조의 상기 린스액에 상기 기판을 침지하는 기판 유지부와, 상기 제 2 저류조에 있어서 상기 기판을 상기 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하고, 상기 린스액 침지 기간 중 상기 특정 기간 후의 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 것을 정지하는 린스액 전용부 (轉用部)를 구비한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제 1 저류조의 상기 인산액이 상기 제 1 저류조로부터 흘러나와 상기 제 1 저류조로 되돌아가도록 순환시키는 순환 배관을 추가로 구비하고, 상기 린스액 전용부는, 상기 순환 배관을 통하여 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제 1 저류조에 인산을 공급하는 인산 공급부와, 상기 제 1 저류조에 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 제 2 저류조에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 추가로 구비한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 순환 배관을 흐르는 상기 인산액을 가열하는 히터를 추가로 구비하고, 상기 린스액 공급부는, 상기 특정 기간 전에 상기 린스액을 가열하여 상기 제 2 저류조에 공급하고, 상기 특정 기간 후에 상기 린스액을 가열하지 않고 상기 제 2 저류조에 공급한다.
어느 실시형태에서는, 상기 린스액 전용부는, 상기 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액의 적어도 일부를 저류하는 저류 탱크를 포함한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 순환 배관에 배치된 온조 (溫調) 탱크를 추가로 구비하고, 상기 저류 탱크는, 상기 온조 탱크에 인접하여 배치된다.
본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 제 1 저류조에 저류된 인산액에 기판을 침지하는 공정과, 제 2 저류조에 저류된 린스액에 기판을 침지하는 공정과, 상기 기판을 상기 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 전용 공정과, 상기 린스액 침지 기간 중 상기 특정 기간 후의 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 것을 정지하는 전용 정지 공정을 포함한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 1 저류조의 상기 인산액이 상기 제 1 저류조로부터 흘러나와 상기 제 1 저류조로 되돌아가는 순환 배관을 통하여 상기 인산액을 순환시키는 공정을 추가로 포함하고, 상기 전용 공정은, 상기 순환 배관을 통하여 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 1 저류조에 인산을 공급하는 공정과, 상기 제 1 저류조에 희석액을 공급하는 공정과, 상기 제 2 저류조에 린스액을 공급하는 공정을 추가로 포함한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 순환 배관을 흐르는 인산액을 가열하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 린스액을 공급하는 공정에 있어서, 상기 특정 기간 전에 상기 린스액을 가열하여 상기 제 2 저류조에 공급하고, 상기 특정 기간 후에 상기 린스액을 가열하지 않고 상기 제 2 저류조에 공급한다.
어느 실시형태에서는, 상기 전용 공정은, 상기 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 저류 탱크에 저류하는 공정을 포함한다.
어느 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 순환 배관을 흐르는 인산액을 온조 탱크에 있어서 저류하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 저류 탱크는, 상기 온조 탱크에 인접하여 배치된다.
본 발명에 의하면, 인산 처리에 사용하는 인산 및 희석액의 사용량을 효율적으로 저감할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 사시도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 3 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 블록도이다.
도 4(a) ∼ 도 4(e) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 5 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 8 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 10 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 13(a) ∼ 도 13(d) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 14(a) ∼ 도 14(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 15 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다. 또한, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 X 축, Y 축 및 Z 축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 축 및 Y 축은 수평 방향에 평행하고, Z 축은 연직 방향에 평행하다.
도 1 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 사시도이다.
기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 을 처리한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대하여, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 1 개를 실시하도록 기판 (W) 을 처리한다.
기판 (W) 은, 얇은 판상이다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 얇은 대략 원판상이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이 (Field Emission Display : FED) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양 전지용 기판 등을 포함한다.
기판 처리 장치 (100) 는, 배치식의 기판 처리 장치이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 로트 단위로 복수의 기판 (W) 을 처리한다. 예를 들어, 1 로트는, 25 장의 기판 (W) 으로 이루어진다. 또한, 1 로트는, 50 장의 기판 (W) 으로 이루어져도 된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 저류조 (110) 와, 제 2 저류조 (120) 와, 기판 유지부 (130) 를 구비한다. 여기서는, 제 2 저류조 (120) 는, 제 1 저류조 (110) 에 인접하여 배치된다. 단, 제 2 저류조 (120) 는, 제 1 저류조 (110) 로부터 떨어져 배치되어도 된다.
제 1 저류조 (110) 는, 인산액을 저류한다. 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지됨으로써, 기판 (W) 은, 인산 처리된다.
제 2 저류조 (120) 는, 린스액을 저류한다. 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지됨으로써, 기판 (W) 은, 린스 처리된다.
린스액은, 탈이온수 (Deionized Water: DIW), 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 암모니아수, 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수, 또는 환원수 (수소수) 중 어느 것을 포함해도 된다.
기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 이동한다. 예를 들면, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 1 저류조 (110) 내에 하강한다. 이로써, 기판 (W) 은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지된다.
또, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 2 저류조 (120) 내에 하강한다. 이로써, 기판 (W) 은, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지된다.
기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (130) 에 의해 유지된 기판 (W) 의 주면의 법선 방향은 Y 방향에 평행하다. 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 일렬로 배열된다. 복수의 기판 (W) 은, 수평 방향에 대략 평행하게 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각의 법선은, Y 방향으로 연장되어 있고, 복수의 기판 (W) 의 각각은, X 방향 및 Z 방향에 대략 평행하게 퍼져 나간다.
전형적으로는, 기판 유지부 (130) 는, 복수의 기판 (W) 을 통합하여 유지한다. 여기서는, 기판 유지부 (130) 는, Y 방향을 따라서 일렬로 나란한 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 기판 (W) 을 이동시킨다. 예를 들어, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 방향을 따라서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다.
구체적으로는, 기판 유지부 (130) 는, 리프터를 포함한다. 기판 유지부 (130) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 기판 유지부 (130) 가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 유지부 (130) 에 의해 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 제 1 저류조 (110) 에 저류되어 있는 인산액에 침지된다. 기판 유지부 (130) 에 의해, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여, 제 1 저류조 (110) 에 저류되어 있는 인산액에 침지할 수 있다.
또한, 기판 유지부 (130) 는, 수평 방향으로 이동해도 된다. 예를 들면, 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 상방으로부터 제 2 저류조 (120) 의 상방으로 이동한다. 또한, 기판 유지부 (130) 는, 제 2 저류조 (120) 의 상방으로부터 제 1 저류조 (110) 의 상방으로 이동해도 된다.
제 2 저류조 (120) 의 상방에 있어서, 기판 유지부 (130) 가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 유지부 (130) 에 의해 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 제 2 저류조 (120) 에 저류되어 있는 린스액에 침지된다. 기판 유지부 (130) 에 의해, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여, 제 2 저류조 (120) 에 저류되어 있는 린스액에 침지할 수 있다.
또한, 기판 (W) 은, 동일한 기판 유지부 (130) 에 유지된 채, 인산액에 침지된 후에, 린스액에 침지되어도 된다. 혹은, 기판 (W) 은, 어느 기판 유지부 (130) 에 의해 유지된 상태로 인산액에 침지된 후에, 다른 기판 유지부 (130) 로 바꿔 옮겨지고, 그 후, 린스액에 침지되어도 된다. 이와 같이, 인산액에 대한 기판 (W) 의 침지 및 린스액에 대한 기판 (W) 의 침지는, 상이한 기판 유지부 (130) 에 의해 실시되어도 된다.
제 1 저류조 (110) 는, 기판 (W) 을 처리하기 위한 인산액을 저류한다. 인산액은, 인산과 희석액의 혼합에 의해 생성된다. 제 1 저류조 (110) 에는, 인산 및 희석액이 따로 따로 공급되어도 된다.
일례에서는, 인산 및 희석액은, 제 1 저류조 (110) 에서 혼합된다. 이로써, 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 인산 및 희석액이 혼합된 인산액이 생성된다.
기판 유지부 (130) 는, 본체판 (132) 과 유지봉 (134) 을 포함한다. 본체판 (132) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판이다. 유지봉 (134) 은, 본체판 (132) 의 일방의 주면에서부터 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 도 1 에서는, 3 개의 유지봉 (134) 이 본체판 (132) 의 일방의 주면에서부터 수평 방향으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 은, 소정 간격을 두고 정렬한 상태에서, 복수의 유지봉 (134) 에 의해 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 맞닿아 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.
기판 유지부 (130) 는, 이동 유닛 (136) 을 또한 포함해도 된다. 이동 유닛 (136) 은, 유지봉 (134) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 내에 위치하는 하방 위치와, 유지봉 (134) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 의 상방에 위치하는 상방 위치 (도 1 에 나타내는 위치) 의 사이에서 본체판 (132) 을 승강시킨다. 따라서, 이동 유닛 (136) 에 의해 본체판 (132) 을 하방 위치로 이동함으로써, 유지봉 (134) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지된다.
복수의 기판 (W) 은, 복수의 유지봉 (134) 에 의해 유지된다. 상세하게는, 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 복수의 유지봉 (134) 에 맞닿음으로써, 복수의 기판 (W) 이 복수의 유지봉 (134) 에 의해 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다. 보다 구체적으로는, 기판 유지부 (130) 에 의해 유지된 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 간격을 두고 정렬한다. 이 때문에, 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 일렬로 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각은, XZ 평면에 대략 평행한 자세로 기판 유지부 (130) 에 유지된다.
이동 유닛 (136) 은, 본체판 (132) 을 승강시킨다. 이동 유닛 (136) 이 본체판 (132) 을 승강시킴으로써, 본체판 (132) 및 유지봉 (134) 이, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태로 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 이동 유닛 (136) 은, 구동원 및 승강 기구를 가지고 있고, 구동원에 의해 승강 기구를 구동하여, 본체판 (132) 을 상승 및 하강시킨다. 구동원은, 예를 들어, 모터를 포함한다. 승강 기구는, 예를 들면 랙 피니언 기구 또는 볼 나사를 포함한다.
보다 구체적으로는, 이동 유닛 (136) 은, 처리 위치와 퇴피 위치 (도 1 에 나타내는 위치) 사이에서 본체판 (132) 을 승강시킨다. 본체판 (132) 이, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강하여 처리 위치까지 이동하면, 복수의 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 에 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 내로 이동한다. 이 결과, 복수의 기판 (W) 은, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액에 침지되어 인산 처리된다. 한편, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본체판 (132) 이 퇴피 위치로 이동하면, 유지봉 (134) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 제 1 저류조 (110) 의 상방으로 이동하여, 인산액으로부터 들어 올려진다.
또한, 이동 유닛 (136) 은, 본체판 (132) 을 수평 방향으로 이동해도 된다. 이 경우, 이동 유닛 (136) 은, 제 1 저류조 (110) 의 상방 위치 (도 1 에 나타내는 위치) 와 제 2 저류조 (120) 의 상방 위치 사이에서 본체판 (132) 및 유지봉 (134) 을 이동시킨다. 기판 유지부 (130) 가, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강하여 처리 위치까지 이동하면, 복수의 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 에 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 내로 이동한다. 이 결과, 복수의 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 내의 린스액에 침지되어, 린스 처리된다. 본체판 (132) 이 퇴피 위치로 이동하면, 유지봉 (134) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 제 2 저류조 (120) 의 상방으로 이동하여, 린스액으로부터 들어 올려진다.
다음으로, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 2 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 저류조 (110), 제 2 저류조 (120) 및 기판 유지부 (130) 를 구비한다. 제 1 저류조 (110) 는, 인산액을 저류한다. 제 2 저류조 (120) 는, 린스액을 저류한다.
상기 서술한 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 는, 인산액을 저류한다. 인산액은, 인산 및 희석액의 혼합액이다. 인산액에 있어서, 인산의 농도 (질량 농도) 는 80 ％ 이상 95 ％ 이하이다.
기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 이동한다. 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태에서 제 1 저류조 (110) 에 저류된 인산액 안으로 하강함으로써, 기판 (W) 은 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지된다. 이로써, 기판 (W) 을 인산 처리한다.
또, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태에서 제 2 저류조 (120) 에 저류된 린스액 안으로 하강함으로써, 기판 (W) 은 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지된다. 이로써, 기판 (W) 을 린스 처리한다.
기판 처리 장치 (100) 는, 인산 공급부 (112) 와, 희석액 공급부 (114) 를 구비한다. 인산 공급부 (112) 는, 제 1 저류조 (110) 에 인산을 공급한다.
희석액 공급부 (114) 는, 제 1 저류조 (110) 에 희석액을 공급한다. 희석액은, 인산의 희석에 사용된다. 희석액은, 탈이온수 (Deionized Water : DIW), 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 암모니아수, 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수, 또는 환원수 (수소수) 중 어느 것을 포함해도 된다. 또한, 희석액은, 린스액의 적어도 일부의 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 희석액은, 린스액과 동일한 성분으로 구성되어도 된다.
일례에서는, 인산 및 희석액은, 제 1 저류조 (110) 에 있어서 혼합된다. 이로써, 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 인산 및 희석액을 혼합한 인산액이 생성된다. 또한, 인산 공급부 (112) 가, 인산 및 희석액을 혼합한 인산액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하고, 인산액은, 희석액 공급부 (114) 에 의해 공급되는 희석액에 의해서 농도 조정되어도 된다.
기판 처리 장치 (100) 는, 린스액 공급부 (122) 를 추가로 구비한다. 린스액 공급부 (122) 는, 제 2 저류조 (120) 에 린스액을 공급한다.
인산 공급부 (112) 는, 배관 (112a) 과, 밸브 (112b) 를 포함한다. 배관 (112a) 의 일단으로부터, 인산이 제 1 저류조 (110) 에 토출된다. 배관 (112a) 은, 인산 공급원과 접속된다. 배관 (112a) 에는, 밸브 (112b) 가 배치된다. 밸브 (112b) 에 의해, 제 1 저류조 (110) 에 대한 인산의 공급을 제어할 수 있다. 밸브 (112b) 가 열리면, 배관 (112a) 을 통과한 인산이, 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 인산은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액과 혼합된다.
희석액 공급부 (114) 는, 배관 (114a) 과, 밸브 (114b) 를 포함한다. 배관 (114a) 의 일단으로부터, 희석액이 제 1 저류조 (110) 에 토출된다. 배관 (114a) 은, 희석액 공급원과 접속된다. 배관 (114a) 에는, 밸브 (114b) 가 배치된다. 밸브 (114b) 에 의해, 제 1 저류조 (110) 에 대한 희석액의 공급을 제어할 수 있다. 밸브 (114b) 가 열리면, 배관 (114a) 을 통과한 희석액이, 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 희석액은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액과 혼합된다.
린스액 공급부 (122) 는, 배관 (122a) 과, 밸브 (122b) 를 포함한다. 배관 (122a) 의 일단으로부터, 린스액이 제 2 저류조 (120) 에 토출된다. 배관 (122a) 은, 린스액 공급원과 접속된다. 배관 (122a) 에는, 밸브 (122b) 가 배치된다. 밸브 (122b) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 에 대한 린스액의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해 밸브 (122b) 를 열면, 배관 (122a) 을 통과한 린스액이, 제 2 저류조 (120) 에 공급된다.
본 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 저류조 (110), 제 2 저류조 (120) 및 기판 유지부 (130) 에 더하여, 린스액 전용부 (140) 를 추가로 구비한다. 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 전용한다. 상세하게는, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 전용하여 제 1 저류조 (110) 에 공급한다.
보다 구체적으로는, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 에 있어서 기판 (W) 을 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급한다. 제 2 저류조 (120) 의 린스액에는, 기판 (W) 으로부터 흐른 인산액 성분이 포함된다. 예를 들면, 제 2 저류조 (120) 의 린스액의 인산 농도는, 0.5 ％ 이상 5 ％ 이하이다. 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 로 전용하여 공급함으로써, 기판 (W) 으로부터 흘러 나온 인산액 성분을 제 1 저류조 (110) 에 있어서 이용할 수 있다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용함으로써, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액을 보충할 수 있다.
또한, 린스액 전용부 (140) 는, 린스액 침지 기간 중 특정 기간 후의 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 것을 정지한다. 시간이 경과하면, 기판 (W) 으로부터 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 흐르는 인산액 성분의 양이 감소한다. 이 때문에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지함으로써, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액의 농도가 과도하게 저하되는 것을 억제할 수 있다.
린스액 전용부 (140) 는, 배관 (141) 과, 밸브 (142) 와, 펌프 (143) 를 갖는다. 배관 (141) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 배관 (141) 의 일단은, 제 2 저류조 (120) 와 접속되고, 배관 (141) 의 타단은, 제 1 저류조 (110) 를 향한다. 펌프 (143) 는, 배관 (141) 을 통하여 린스액을 제 1 저류조 (110) 로 보낸다. 이 때문에, 배관 (141) 을 흐른 린스액은, 배관 (141) 의 타단으로부터 제 1 저류조 (110) 에 토출된다.
배관 (141) 에는, 밸브 (142) 및 펌프 (143) 가 배치된다. 전형적으로는, 밸브 (142) 는, 펌프 (143) 의 하류에 배치된다. 밸브 (142) 에 의해, 제 1 저류조 (110) 에 대한 린스액의 공급을 제어할 수 있다. 밸브 (142) 를 열면, 배관 (141) 을 통과한 린스액이, 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 린스액은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액과 혼합된다. 밸브 (142) 를 닫으면, 린스액은 배관 (141) 을 통과하지 않아, 제 1 저류조 (110) 에 대한 린스액의 공급이 정지한다.
또한, 배관 (141) 에는, 필터가 배치되는 것이 바람직하다. 필터에 의해, 배관 (141) 을 흐르는 린스액으로부터 불순물을 제거할 수 있다. 또한, 필터는, 밸브 (142) 및 펌프 (143) 보다 상류측에 배치하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 3 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 3 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 블록도이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (180) 는, 제어부 (182) 와 기억부 (184) 를 구비한다. 제어부 (182) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다.
제어부 (182) 는, 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙 처리 연산기 (Central Processing Unit : CPU) 를 갖는다. 또는, 프로세서는, 범용 연산기를 가져도 된다.
기억부 (184) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 기억부 (184) 는, 주기억 장치와, 보조 기억 장치를 포함한다. 주기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리이다. 보조 기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브이다. 기억부 (184) 는, 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부 (182) 의 프로세서는, 기억부 (184) 가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 방법을 실행한다.
제어부 (182) 는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 인산 공급부 (112), 희석액 공급부 (114), 린스액 공급부 (122), 기판 유지부 (130) 및 린스액 전용부 (140) 를 제어한다. 상세하게는, 제어부 (182) 는, 이동 유닛 (136) 의 동작을 제어한다. 또한, 제어부 (182) 는, 밸브 (112b, 114b, 122b 및 142) 의 개폐 동작을 제어한다. 또한, 제어부 (182) 는, 펌프 (143) 의 구동을 제어한다.
제어부 (182) 는, 이동 유닛 (136) 을 제어함으로써, 본체판 (132) 을 이동시킨다. 예를 들면, 제어부 (182) 는, 이동 유닛 (136) 에 의해, 본체판 (132) 을 연직 방향으로 이동 (승강) 시킬 수 있다. 또한, 제어부 (182) 는, 이동 유닛 (136) 에 의해, 본체판 (132) 을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
제어부 (182) 는, 인산 공급부 (112) 의 밸브 (112b) 를 제어하여, 밸브 (112b) 의 상태를 열린 상태와 닫힌 상태로 전환할 수 있다. 구체적으로는, 제어부 (182) 는, 인산 공급부 (112) 의 밸브 (112b) 를 제어하여, 밸브 (112b) 를 열린 상태로 함으로써, 배관 (112a) 에 흐르는 인산을 통과시킬 수 있다. 또한, 제어부 (182) 는, 인산 공급부 (112) 의 밸브 (112b) 를 제어하여, 밸브 (112b) 를 닫힌 상태로 함으로써, 배관 (112a) 에 흐르는 인산의 공급을 정지시킬 수 있다. 또한 제어부 (182) 는, 희석액 공급부 (114) 의 밸브 (114b), 린스액 공급부 (122) 의 밸브 (122b) 도 동일하게 제어할 수 있다.
또한 제어부 (182) 는, 린스액 전용부 (140) 의 밸브 (142) 를 제어하여, 밸브 (142) 의 상태를 열린 상태와 닫힌 상태로 전환한다. 제어부 (182) 는, 린스액 전용부 (140) 의 펌프 (143) 를 제어하여, 펌프 (143) 의 상태를 구동 상태와 정지 상태로 전환한다. 구체적으로는, 제어부 (182) 는, 린스액 전용부 (140) 의 밸브 (142) 및 펌프 (143) 를 제어하여, 밸브 (142) 를 열린 상태로 함과 함께 펌프 (143) 를 구동 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급할 수 있다. 또, 제어부 (182) 는, 린스액 전용부 (140) 의 밸브 (142) 및 펌프 (143) 를 제어하여, 밸브 (142) 를 닫힌 상태로 하거나, 또는, 펌프 (143) 를 정지 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급되는 것을 정지할 수 있다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 4 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 4(a) ∼ 도 4(e) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.
도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 및 제 2 저류조 (120) 는, 서로 인접하여 배치된다. 상기 서술한 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 는, 인산액을 저류 가능하고, 제 2 저류조 (120) 는, 린스액을 저류 가능하다. 단, 여기서는, 제 1 저류조 (110) 및 제 2 저류조 (120) 모두 비어 있다.
도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 에 인산액이 공급된다. 예를 들면, 인산 공급부 (112) 는, 제 1 저류조 (110) 에 인산을 공급한다. 또한, 희석액 공급부 (114) 는, 제 1 저류조 (110) 에 희석액을 공급한다. 제 1 저류조 (110) 에 있어서, 인산 및 희석액은 혼합되어, 혼합액으로서 인산액이 생성된다. 이로써, 제 1 저류조 (110) 는, 인산액을 저류한다. 여기서는, 제 1 저류조 (110) 는, 용량 가득하게 인산액을 저류한다.
도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 기판 (W) 을 침지시킨다. 예를 들면, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 하강하여 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이로써, 기판 (W) 은, 인산 처리된다.
또한, 도 4(b) 에 있어서, 제 1 저류조 (110) 의 용량에 대해 인산액의 액량이 많은 경우, 기판 (W) 의 침지에 의해, 제 1 저류조 (110) 로부터 인산액의 일부가 흘러넘치는 경우가 있다. 또한, 도 4(c) 에 있어서 기판 (W) 을 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지시킨 경우에도, 제 1 저류조 (110) 로부터 인산액의 일부가 흘러넘치지 않도록, 제 1 저류조 (110) 에 공급되는 인산액의 양은 조정되어도 된다.
또, 기판 (W) 이 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지되는 동안에, 제 2 저류조 (120) 에 린스액이 공급되어도 된다. 예를 들면, 린스액 공급부 (122) 는, 제 2 저류조 (120) 에 린스액을 공급한다.
도 4(d) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지시킨다. 예를 들면, 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 인산액으로부터 기판 (W) 을 들어올리고, 제 2 저류조 (120) 의 상방으로 수평 방향으로 이동한다. 그 후, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 하강하여 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이로써, 기판 (W) 은, 린스 처리된다. 기판 (W) 은, 소정 기간에 걸쳐서 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지된다. 본 명세서에 있어서, 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지되는 기간을 린스액 침지 기간으로 기재하는 경우가 있다.
또한, 기판 유지부 (130) 가, 제 1 저류조 (110) 의 인산액으로부터 기판 (W) 을 들어올림으로써, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액은 감소한다.
본 실시형태에서는, 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용한다. 예를 들면, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급한다. 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 열린 상태로 하고 펌프 (143) 를 구동함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급될 수 있다.
기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지되면, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에는, 먼저 인산 처리된 기판 (W) 으로부터 인산액 성분이 흘러나온다. 이 때문에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용함으로써, 기판 (W) 으로부터 흐른 인산액 성분을 제 1 저류조 (110) 에 있어서 이용할 수 있다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용함으로써, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액이 감소한 경우라도, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액을 효율적으로 보충할 수 있다.
도 4(e) 에 나타내는 바와 같이, 린스액 침지 기간 중 특정 기간 후의 기간에 있어서 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지한다. 예를 들면, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 것을 정지한다. 일례에서는, 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 닫힌 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급되는 것을 정지한다.
시간이 경과하면, 기판 (W) 으로부터 제 2 저류조 (120) 의 린스액으로 흘러나오는 인산액 성분의 양이 감소한다. 이 때문에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 의해, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액의 농도가 과도하게 저하되는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 인산 처리에 사용하는 인산액의 사용량을 효율적으로 저감할 수 있다. 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용함으로써, 기판 (W) 으로부터 흐른 인산액 성분을 제 1 저류조 (110) 에 있어서 이용할 수 있다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용함으로써, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액이 감소한 경우라도, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액을 효율적으로 보충할 수 있다. 또한, 그 후에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 의해, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액의 농도가 과도하게 저하되는 것을 억제할 수 있다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 5 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 5 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 제 1 저류조 (110) 에 인산액을 공급한다. 예를 들면, 인산 공급부 (112) 는, 제 1 저류조 (110) 에 인산을 공급한다. 희석액 공급부 (114) 는, 제 1 저류조 (110) 에 희석액을 공급한다. 제 1 저류조 (110) 에 있어서 인산 및 희석액이 혼합되어 인산액이 생성된다.
스텝 S12 에 있어서, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 기판 (W) 을 침지하는 것을 개시한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 1 저류조 (110) 내에 하강하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다. 이로써, 기판 (W) 은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 침지되고, 기판 (W) 에 대한 인산 처리를 개시한다.
또한, 인산 처리 중에, 제 1 저류조 (110) 에 소정 농도의 인산액이 공급되어도 된다. 예를 들면, 인산 공급부 (112) 는, 제 1 저류조 (110) 에 인산을 공급해도 되고, 희석액 공급부 (114) 는, 제 1 저류조 (110) 에 희석액을 공급해도 된다.
스텝 S14 에 있어서, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 기판 (W) 을 침지하는 것을 종료한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 1 저류조 (110) 내로부터 상승하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다.
스텝 S20 에 있어서, 제 2 저류조 (120) 에 인산액을 공급한다. 예를 들면, 린스액 공급부 (122) 는, 제 2 저류조 (120) 에 인산을 공급한다. 또한, 스텝 S20 은, 스텝 S12 및/또는 스텝 S14 의 기간 중에 실시되어도 된다. 혹은, 스텝 S12 전 또는 스텝 S14 후에 실시되어도 된다.
스텝 S22 에 있어서, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지하는 것을 개시한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 2 저류조 (120) 내에 하강하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다. 이로써, 기판 (W) 은, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지되고, 기판 (W) 에 대한 린스 처리를 개시한다.
또한, 린스 처리 중에, 제 2 저류조 (120) 에 린스액이 공급되어도 된다. 예를 들면, 린스액 공급부 (122) 는, 제 2 저류조 (120) 에 린스액을 공급해도 된다.
스텝 S24 에 있어서, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용한다. 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용한다. 일례에서는, 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 열린 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급된다.
스텝 S26 에 있어서, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 로의 전용을 정지한다. 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지한다. 일례에서는, 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 닫힌 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급되는 것을 정지한다.
스텝 S28 에 있어서, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지하는 것을 종료한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 2 저류조 (120) 내로부터 상승하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다.
본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 을 인산 처리한 후에 린스 처리한다. 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하고, 그 후, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 것을 정지한다. 이로써, 인산 처리에 사용하는 인산액의 사용량을 효율적으로 저감할 수 있다.
또한, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급해도 된다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 6 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 6 의 기판 처리 장치 (100) 는, 린스액 전용부 (140) 가 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 받아들이는 것, 배관 (141) 이 희석액 공급부 (114) 의 배관 (114a) 과 접속되는 것, 및 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액의 인산 농도가 측정되는 것을 제외하고, 도 2 를 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 린스액 전용부 (140) 는, 배관 (141), 밸브 (142) 및 펌프 (143) 에 더하여, 린스액 수취부 (146) 를 추가로 구비한다. 린스액 수취부 (146) 는, 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 받아들인다. 예를 들면, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지한 경우, 린스액 수취부 (146) 는, 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 받아들인다.
린스액 수취부 (146) 는, 제 2 저류조 (120) 에 대하여 연직 하방에 배치된다. 린스액 수취부 (146) 의 폭 및 길이 (X 방향 및 Y 방향의 길이) 는, 제 2 저류조 (120) 의 폭 및 길이보다 큰 것이 바람직하다. 단, 린스액 수취부 (146) 의 깊이 (Z 방향의 길이) 는, 제 2 저류조 (120) 의 깊이 (Z 방향의 길이) 보다 큰 것이 바람직하다.
린스액 수취부 (146) 에 수취된 린스액은, 배관 (141) 을 통하여 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 여기서는, 린스액 수취부 (146) 의 배관 (141) 은, 희석액 공급부 (114) 의 배관 (114a) 과 접속된다.
린스액 전용부 (140) 는, 배관 (148a) 과, 밸브 (148b) 를 추가로 가져도 된다. 배관 (148a) 은, 린스액 수취부 (146) 와 폐액 기구를 접속한다. 배관 (148a) 에는, 밸브 (148b) 가 배치된다. 밸브 (148b) 를 열면, 배관 (148a) 을 통과한 린스액이, 폐액 기구에 공급된다. 이와 같이, 배관 (148a) 및 밸브 (148b) 에 의해, 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 폐기할 수 있다.
린스액 전용부 (140) 가 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 경우, 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 열린 상태로 함과 함께 밸브 (148b) 를 닫힌 상태로 함으로써, 제 2 저류조 (120) 로부터 린스액 수취부 (146) 에 받아진 린스액은, 배관 (141) 을 흘러 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 그 후, 린스액 전용부 (140) 가 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지하는 경우, 제어부 (182) 는, 밸브 (142) 를 닫힌 상태로 함과 함께 밸브 (148b) 를 열린 상태로 함으로써, 린스액 수취부 (146) 의 린스액이 배관 (148a) 을 흘러 폐기된다.
린스액 전용부 (140) 는, 린스액에 포함되는 인산 농도를 검지 가능한 농도 센서 (149) 를 추가로 가져도 된다. 예를 들면, 제어부 (182) 는, 농도 센서 (149) 의 검지 결과에 기초하여 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는지 여부를 판정해도 된다. 전형적으로는, 농도 센서 (149) 에 있어서 검지된 린스액 내의 인산 농도가 임계값보다 높은 경우, 제어부 (182) 는, 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용한다고 판정한다. 한편, 농도 센서 (149) 에 있어서 검지된 린스액 내의 인산 농도가 임계값 이하까지 감소하면, 제어부 (182) 는, 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지한다고 판정한다.
농도 센서 (149) 는, 제 2 저류조 (120) 에 있던 린스액에 있어서의 인산 농도를 측정한다. 예를 들어, 농도 센서 (149) 는, 린스액 수취부 (146) 에 장착된다. 농도 센서 (149) 는, 린스액 수취부 (146) 에 저류된 린스액의 비중을 나타내는 값을 계측한다. 농도 센서 (149) 는, 린스액 수취부 (146) 의 배압을 계측한다.
예를 들면, 농도 센서 (149) 의 선단은, 린스액 수취부 (146) 의 액면으로부터 소정 깊이의 위치에 배치되어 있다. 농도 센서 (149) 에서는, 농도 센서 (149) 의 선단에 가스를 공급하여 린스액 수취부 (146) 의 린스액 내에 기포를 형성한다. 이로써, 린스액 수취부 (146) 에 저류되는 린스액의 액압은, 린스액 수취부 (146) 의 액면으로부터 소정 깊이의 위치에 배치된 농도 센서 (149) 의 선단부에 있어서의 가스압으로서 검출된다. 가스로서, 전형적으로는 질소 가스가 사용된다. 가스압과 린스액의 인산 농도의 관계를 미리 측정해 두고, 가스압과 린스액의 관계를 나타내는 룩업 테이블을 사전에 작성해 둠으로써, 가스에 의한 기포가 형성되는 가스압에 따라서 린스액의 비중을 계측할 수 있다.
또한, 도 6 을 참조한 상기 서술한 설명에서는, 농도 센서 (149) 는, 린스액 수취부 (146) 에 받아들인 린스액에 포함되는 인산 농도를 측정했지만, 본 실시형태는 이것으로 한정되지 않는다. 농도 센서 (149) 는, 배관 (141) 을 흐르는 린스액에 포함되는 인산 농도를 측정해도 된다. 이 경우, 린스액 전용부 (140) 는, 린스액 수취부 (146) 를 구비하지 않아도 된다.
또한, 도 6 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 린스액 전용부 (140) 는, 린스액 수취부 (146) 에 받아들인 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급했지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 내의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급해도 된다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 7 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 7 의 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 저류조 (110) 및 제 2 저류조 (120) 가 각각 이중조 구조를 갖고, 린스액 전용부 (140) 가 제 2 저류조 (120) 의 외조 (120b) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 점을 제외하고, 도 6 을 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 는, 이중조 구조를 갖는다. 제 1 저류조 (110) 는, 내조 (110a) 와, 외조 (110b) 를 갖는다. 외조 (110b) 는, 내조 (110a) 를 둘러싼다. 내조 (110a) 및 외조 (110b) 는 모두, 상향으로 개방된 상부 개구를 갖는다.
내조 (110a) 는, 인산액을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (110b) 는, 내조 (110a) 의 상부 개구의 외측면에 형성된다. 외조 (110b) 의 상측 가장자리의 높이는, 내조 (110a) 의 상측 가장자리의 높이보다 높다.
내조 (110a) 및 외조 (110b) 의 각각은, 인산액을 저류한다. 내조 (110a) 에 복수의 기판 (W) 이 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지된 복수의 기판 (W) 이 내조 (110a) 에 투입된다. 복수의 기판 (W) 이 내조 (110a) 에 투입됨으로써, 내조 (110a) 의 인산액에 침지된다.
제 2 저류조 (120) 는, 이중조 구조를 갖는다. 제 2 저류조 (120) 는, 내조 (120a) 와, 외조 (120b) 를 갖는다. 외조 (120b) 는, 내조 (120a) 를 둘러싼다. 내조 (120a) 및 외조 (120b) 는 모두, 상향으로 개방된 상부 개구를 갖는다.
내조 (120a) 는, 린스액을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (120b) 는, 내조 (120a) 의 상부 개구의 외측면에 형성된다. 외조 (120b) 의 상측 가장자리의 높이는, 내조 (120a) 의 상측 가장자리의 높이보다 높다.
내조 (120a) 및 외조 (120b) 의 각각은, 린스액을 저류한다. 내조 (120a) 에 복수의 기판 (W) 이 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지된 복수의 기판 (W) 이 내조 (120a) 에 투입된다. 복수의 기판 (W) 이 내조 (120a) 에 투입됨으로써, 내조 (120a) 의 린스액에 침지된다.
린스액 전용부 (140) 는, 배관 (141) 과, 밸브 (142) 와, 펌프 (143) 를 갖는다. 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 배관 (141) 을 통하여 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 배관 (141) 의 일단은, 제 2 저류조 (120) 의 외조 (120b) 에 위치하고, 배관 (141) 의 타단은, 배관 (114a) 과 접속된다. 이 때문에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 배관 (141) 및 배관 (114a) 을 통하여, 제 1 저류조 (110) 에 공급된다.
배관 (141) 은, 배관 (148a) 과 접속된다. 배관 (148a) 은, 배관 (141) 과 폐액 기구를 접속한다. 또한 배관 (141) 과 배관 (148a) 의 접속점은, 펌프 (143) 의 하류에 위치하는 것이 바람직하다.
배관 (148a) 에는, 밸브 (148b) 가 배치된다. 밸브 (148b) 를 열면, 배관 (148a) 을 통과한 린스액이, 폐액 기구에 공급된다. 이와 같이, 배관 (148a) 및 밸브 (148b) 에 의해, 린스액을 폐기할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 제 2 저류조 (120) 의 외조 (120b) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 선택적으로 전용할 수 있다.
또한, 도 1 ∼ 도 7 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 린스액 전용부 (140) 에 있어서 전용된 린스액은 제 1 저류조 (110) 에 직접적으로 공급 가능했지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 린스액 전용부 (140) 에 있어서 전용된 린스액은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액을 순환시키는 순환 배관을 통하여 제 1 저류조 (110) 에 공급되어도 된다.
또, 도 1 ∼ 도 7 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 린스액 공급부 (122) 가 제 2 저류조 (120) 의 상방에 위치했지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 8 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 8 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 8 의 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 저류조 (110) 의 인산액을 순환시키는 순환 배관을 통하여 제 2 저류조 (120) 의 린스액이 제 1 저류조 (110) 에 공급되는 것, 제 1 저류조 (110) 의 인산액을 배출하는 것, 및, 린스액이 제 2 저류조 (120) 내로부터 공급되는 것을 제외하고, 도 6 또는 도 7 을 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 가지고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 는, 이중조 구조를 갖는다. 제 1 저류조 (110) 는, 내조 (110a) 와, 외조 (110b) 를 갖는다. 외조 (110b) 는, 내조 (110a) 를 둘러싼다. 내조 (110a) 및 외조 (110b) 는 모두, 상향으로 개방된 상부 개구를 갖는다.
내조 (110a) 는, 인산액을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (110b) 는, 내조 (110a) 의 상부 개구의 외측면에 형성된다. 외조 (110b) 의 상측 가장자리의 높이는, 내조 (110a) 의 상측 가장자리의 높이보다 높다.
내조 (110a) 및 외조 (110b) 의 각각은, 인산액을 저류한다. 내조 (110a) 에 복수의 기판 (W) 이 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지된 복수의 기판 (W) 이 내조 (110a) 에 투입된다. 복수의 기판 (W) 이 내조 (110a) 에 투입됨으로써, 내조 (110a) 의 인산액에 침지된다.
제 1 저류조 (110) 에는, 순환 배관 (116) 이 접속된다. 순환 배관 (116) 에 의해, 제 1 저류조 (110) 의 인산액은, 제 1 저류조 (110) 로부터 흘러 나와 제 1 저류조 (110) 로 되돌아가도록 순환된다. 순환 배관 (116) 은, 외조 (110b) 와 내조 (110a) 의 하방을 접속한다.
순환 배관 (116) 에는 펌프 (116a) 가 배치된다. 펌프 (116a) 는, 인산액을 제 1 저류조 (110) 에 보낸다. 순환 배관 (116) 은, 제 1 저류조 (110) 내의 인산액을 순환시킨다. 제 1 저류조 (110) 의 인산액이 순환 배관 (116) 을 통하여 순환될 때에, 인산액의 불순물을 제거해도 된다. 혹은, 제 1 저류조 (110) 의 인산액이 순환 배관 (116) 을 통하여 순환될 때에, 인산액이 소정의 온도까지 가열되어도 된다.
순환 배관 (116) 은, 순환액 공급관 (116t) 과 접속된다. 순환 배관 (116) 은, 제 1 저류조 (110) 로부터 흘러 나온 인산액을 다시 제 1 저류조 (110) 로 유도한다. 상세하게는, 순환 배관 (116) 의 상류단은 외조 (110b) 에 위치하고, 순환 배관 (116) 의 하류단은 내조 (110a) 에 위치한다. 순환 배관 (116) 의 하류단은, 내조 (110a) 에 위치하는 순환액 공급관 (116t) 과 접속된다.
순환액 공급관 (116t) 은, 내조 (110a) 에 배치된다. 여기서는, 순환액 공급관 (116t) 은, 제 1 저류조 (110) 의 내조 (110a) 의 바닥부에 배치된다. 순환액 공급관 (116t) 은, 순환된 인산액을 내조 (110a) 에 공급한다. 이 때문에, 기판 (W) 이 내조 (110a) 내의 인산액에 침지된 경우, 순환액 공급관 (116t) 으로부터 인산액을 공급함으로써, 내조 (110a) 에 업 플로를 형성할 수 있다.
제 1 저류조 (110) 에는 배액부 (118) 가 접속된다. 배액부 (118) 에 의해, 제 1 저류조 (110) 의 인산액을 배출할 수 있다. 또, 배액부 (118) 가, 제 1 저류조 (110) 에 저류되어 있는 인산액을 배출함과 함께, 인산 공급부 (112) 및 희석액 공급부 (114) 가 인산 및 희석액을 제 1 저류조 (110) 에 공급함으로써, 제 1 저류조 (110) 에 저류되어 있는 인산액을 새로운 인산액으로 교환할 수 있다.
배액부 (118) 는, 배액 배관 (118a) 과, 밸브 (118b) 를 갖는다. 배액 배관 (118a) 및 밸브 (118b) 에 의해, 내조 (110a) 의 인산액을 배출한다.
내조 (110a) 의 바닥벽에는, 배액 배관 (118a) 이 접속된다. 배액 배관 (118a) 에는 밸브 (118b) 가 배치된다. 밸브 (118b) 는, 제어 장치 (180) 에 의해 개폐된다. 밸브 (118b) 가 열림으로써, 내조 (110a) 내에 저류되어 있는 인산액은 배액 배관 (118a) 을 통과하여 외부로 배출된다. 배출된 인산액은, 배액 처리 장치 (도시 생략) 로 보내져, 처리된다. 또한, 제 1 저류조 (110) 와 마찬가지로, 제 2 저류조 (120) 의 린스액도 배출할 수 있는 것이 바람직하다.
린스액 공급부 (122) 는, 배관 (122a) 과, 밸브 (122b) 와, 린스액 공급관 (122t) 을 포함한다. 린스액은, 린스액 공급관 (122t) 으로부터 제 2 저류조 (120) 에 토출된다. 배관 (122a) 의 일단에는, 린스액 공급원과 접속된다. 배관 (122a) 에는, 밸브 (122b) 가 배치된다. 배관 (122a) 의 타단에는, 린스액 공급관 (122t) 이 배치된다. 밸브 (122b) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 에 대한 린스액의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해 밸브 (122b) 를 열면, 배관 (122a) 을 통과한 린스액이, 린스액 공급관 (122t) 으로부터 제 2 저류조 (120) 에 공급된다.
린스액 공급관 (122t) 은, 제 2 저류조 (120) 내에 배치된다. 린스액 공급관 (122t) 은, 제 2 저류조 (120) 의 바닥부에 배치된다. 이 때문에, 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 내의 린스액에 침지된 경우, 린스액 공급관 (122t) 으로부터 린스액을 공급함으로써, 제 2 저류조 (120) 에 업 플로를 형성할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, 인산 처리는, 기판 (W) 을 가열된 인산에 침지시켜 실시되는 것이 바람직하다. 이로써, 인산 처리를 단기간에 완료할 수 있다. 또한, 린스 처리는, 기판 (W) 을 가열된 린스액에 침지시켜 실시되는 것이 바람직하다. 이로써, 인산 처리된 기판 (W) 에 대해서 온도 변화에 수반되는 데미지가 생기는 것을 억제할 수 있음과 함께 단기간에 린스 처리할 수 있다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 9 의 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대해서 고온의 인산 처리 및 린스 처리가 가능한 것, 및, 린스액의 온도에 따라 린스액의 전용을 전환하는 것을 제외하고, 도 8 을 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 9 에 나타내는 바와 같이, 제 1 저류조 (110) 의 인산액은 가열할 수 있다. 여기서는, 기판 처리 장치 (100) 는, 필터 (116b), 히터 (116c), 조정 밸브 (116d), 밸브 (116e) 를 추가로 구비한다. 순환 배관 (116) 에는, 펌프 (116a) 에 추가하여, 필터 (116b), 히터 (116c), 조정 밸브 (116d), 밸브 (116e) 및 순환액 공급관 (116t) 이 배치된다. 펌프 (116a), 필터 (116b), 히터 (116c), 조정 밸브 (116d) 및 밸브 (116e) 는, 이 순서로 순환 배관 (116) 의 상류에서 하류를 향해 배치된다.
순환 배관 (116) 은, 제 1 저류조 (110) 로부터 흘러 나온 인산액을 다시 제 1 저류조 (110) 로 유도한다. 상세하게는, 순환 배관 (116) 의 상류단은 외조 (110b) 에 위치하고, 순환 배관 (116) 의 하류단은 내조 (110a) 에 위치한다. 순환 배관 (116) 의 하류단은, 내조 (110a) 에 위치하는 순환액 공급관 (116t) 과 접속된다.
펌프 (116a) 는, 순환 배관 (116) 으로부터 순환액 공급관 (116t) 으로 인산액을 보낸다. 필터 (116b) 는, 순환 배관 (116) 을 흐르는 인산액을 여과한다. 필터 (116b) 는, 순환 배관 (116) 을 유통하는 인산액 중의 파티클 등의 이물질을 여과하여 제거한다.
히터 (116c) 는, 순환 배관 (116) 을 흐르는 인산액을 가열한다. 히터 (116c) 에 의해, 인산액의 온도가 조정된다. 히터 (116c) 는, 순환 배관 (116) 을 유통하는 인산액을 가열하여, 처리 온도로 조정한다. 처리 온도는, 예를 들어, 약 160 ℃ 이상 200 ℃ 이하이다. 히터 (116c) 는, 인산액을 가열함과 함께 인산액의 온도를 측정 가능해도 된다. 이 경우, 히터 (116c) 는, 가열부를 가짐과 함께 온도 측정부를 갖는다.
조정 밸브 (116d) 는, 순환 배관 (116) 의 개도를 조절하여, 순환액 공급관 (116t) 에 공급되는 인산액의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (116d) 는, 인산액의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (116d) 는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디 (도시 생략) 와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 열린 위치와 닫힌 위치의 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터 (도시 생략) 를 포함한다. 다른 조정 밸브에 대해서도 동일하다. 밸브 (116e) 는, 순환 배관 (116) 을 개폐한다. 또한, 조정 밸브 (116d) 를 생략해도 된다. 이 경우, 순환액 공급관 (116t) 에 공급되는 인산액의 유량은, 펌프 (116a) 의 제어에 의해 조정된다.
순환액 공급관 (116t) 은, 내조 (110a) 에 배치된다. 여기서는, 순환액 공급관 (116t) 은, 제 1 저류조 (110) 의 내조 (110a) 의 바닥부에 배치된다. 순환액 공급관 (116t) 은, 내조 (110a) 내에 배치된다. 순환액 공급관 (116t) 은, 순환된 인산액을 내조 (110a) 에 공급한다.
또한, 도 9 에서는, 도면이 과도하게 복잡해지는 것을 피하기 위해, 1 개의 조정 밸브 (116d) 및 1 개의 밸브 (116e) 를 나타내고 있지만, 조정 밸브 (116d) 및 밸브 (116e) 중 적어도 일방은 복수 형성되어도 된다.
도 9 에서는, 제 2 저류조 (120) 는, 가열된 린스액을 저류할 수 있다. 린스액 공급부 (122) 는, 제 1 린스액 공급부 (122p) 와 제 2 린스액 공급부 (122q) 를 갖는다. 제 1 린스액 공급부 (122p) 는, 가열된 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급한다. 예를 들면, 제 1 린스액 공급부 (122p) 는, 45 ℃ 이상 70 ℃ 이하로 가열된 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급한다. 제 2 린스액 공급부 (122q) 는, 상온의 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급한다.
제 1 린스액 공급부 (122p) 는, 배관 (122a1) 과, 밸브 (122b1) 와, 히터 (122c) 를 포함한다. 배관 (122a1) 은, 린스액 공급원과 접속된다. 배관 (122a1) 에는, 밸브 (122b1) 및 히터 (122c) 가 배치된다. 밸브 (122b1) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 에 대한 린스액의 공급을 제어할 수 있다. 히터 (122c) 에 의해, 린스액의 온도가 조정된다. 히터 (122c) 는, 배관 (122a1) 을 유통하는 린스액을 가열하여, 린스액의 온도 (예를 들면, 약 60 ℃ ∼ 80 ℃) 로 조정한다.
제 2 린스액 공급부 (122q) 는, 배관 (122a2) 과 밸브 (122b2) 를 포함한다. 배관 (122a2) 의 일단으로부터, 린스액이 제 2 저류조 (120) 에 토출된다. 배관 (122a2) 은, 린스액 공급원과 접속된다. 배관 (122a2) 에는, 밸브 (122b2) 가 배치된다. 밸브 (122b2) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 에 대한 린스액의 공급을 제어할 수 있다.
배관 (122a) 의 일단은, 배관 (122a1) 및 배관 (122a2) 과 접속된다. 배관 (122a) 의 타단에는, 린스액 공급관 (122t) 이 배치된다. 린스액 공급관 (122t) 으로부터 제 2 저류조 (120) 에 린스액이 공급된다.
예를 들면, 린스액 전용부 (140) 가, 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 동안, 제 1 린스액 공급부 (122p) 가 가열된 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급해도 된다. 또한, 제 1 린스액 공급부 (122p) 는, 특정 기간 전에, 가열한 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급해도 된다. 또, 제 1 린스액 공급부 (122p) 는, 특정 기간 중에, 가열한 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급해도 된다.
한편, 린스액 전용부 (140) 가, 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 공급하는 것을 정지하면, 제 2 린스액 공급부 (122q) 가 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급해도 된다. 또, 제 2 린스액 공급부 (122q) 는, 특정 기간 후에 가열되지 않은 린스액을 제 2 저류조 (120) 에 공급해도 된다.
또한, 도 9 에서는, 배관 (122a1) 및 배관 (122a2) 은 배관 (122a) 을 통하여 린스액 공급관 (122t) 과 접속됐지만, 배관 (122a1) 은, 배관 (122a2) 과 분리하여 린스액 공급관 (122t) 과 접속되어도 된다.
린스액 전용부 (140) 는, 린스액의 온도를 검지 가능한 온도 센서 (149a) 를 추가로 가져도 된다. 예를 들면, 제어부 (182) 는, 온도 센서 (149a) 의 검지 결과에 기초하여 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는지 여부를 판정해도 된다. 전형적으로는, 온도 센서 (149a) 에 있어서 검지된 린스액의 온도가 임계값보다 높은 경우, 제어부 (182) 는, 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용한다고 판정한다. 한편, 온도 센서 (149a) 에 있어서 검지된 린스액의 온도가 임계값 이하까지 저하되면, 제어부 (182) 는, 린스액 수취부 (146) 의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 것을 정지한다고 판정한다.
또한, 도 6, 도 8 및 도 9 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 린스액 전용부 (140) 는, 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 받아들이는 린스액 수취부 (146) 를 구비하고, 린스액 수취부 (146) 의 린스액은, 린스액 수취부 (146) 로부터 제 1 저류조 (110) 또는 순환 배관 (116) 으로 흘렀지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 린스액 수취부 (146) 의 린스액은, 린스액 수취부 (146) 로부터, 린스액을 저류하는 탱크를 통하여, 제 1 저류조 (110) 또는 순환 배관 (116) 으로 흘러도 된다.
또, 도 6, 도 8 및 도 9 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 린스액 전용부 (140) 가 린스액을 제 1 저류조 (110) 로의 전용을 정지한 후, 린스액은 폐기되었지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 린스액 전용부 (140) 가 린스액을 제 1 저류조 (110) 로의 전용을 정지한 후에도, 린스액 전용부 (140) 는, 린스액을 다른 용도로 활용해도 된다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 10 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 10 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 10 의 기판 처리 장치 (100) 는, 린스액 전용부 (140) 가 저류 탱크 (147) 를 추가로 구비하고, 린스액의 도전율에 따라서 린스액을 재이용하는 점을 제외하고, 도 9 를 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 린스액 전용부 (140) 는, 저류 탱크 (147) 를 추가로 구비한다. 저류 탱크 (147) 는, 린스액 수취부 (146) 와 순환 배관 (116) 의 사이에서 린스액을 저류한다. 저류 탱크 (147) 와 린스액 수취부 (146) 의 사이에는 밸브 (142a) 가 배치되고, 저류 탱크 (147) 와 순환 배관 (116) 의 사이에는 밸브 (142b) 가 배치된다. 저류 탱크 (147), 밸브 (142a) 및 밸브 (142b) 에 의해, 린스액 수취부 (146) 의 린스액은, 순환 배관 (116) 을 통하여 제 1 저류조 (110) 에 공급되기까지의 사이에 일시적으로 저류된다. 이 때문에, 순환 배관 (116) 에 린스액을 흐르게 하는 타이밍을 적절히 조정할 수 있다.
배관 (141) 에는 도전율계 (145) 가 배치된다. 도전율계 (145) 에 의해, 린스액의 도전율을 측정할 수 있다. 예를 들면, 린스액 침지 기간에 있어서 소정의 시간이 경과하면, 기판 (W) 으로부터 흘러나오는 인산액 성분은 거의 없다. 이 때문에, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에는 불순물이 거의 없어, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 새로운 린스액으로서 재이용할 수 있다. 예를 들어, 린스액의 도전율을 측정함으로써, 린스액의 재이용의 유무를 판정할 수 있다.
린스액 전용부 (140) 는, 배관 (148p) 과, 밸브 (148q) 를 추가로 갖는다. 배관 (148p) 은, 배관 (141) 과 린스액 공급 기구를 접속한다. 배관 (148p) 에는, 밸브 (148q) 가 배치된다. 밸브 (148q) 를 열면, 배관 (148p) 을 통과한 린스액이, 린스액 공급 기구에 공급된다. 예를 들면, 린스액의 도전율에 따라서, 밸브 (148q) 를 엶으로써, 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 재이용할 수 있다.
또한, 도 1 ∼ 도 10 에 나타낸 설명에서는, 제 2 저류조 (120) 에 있어서 린스 처리가 실시되었지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 제 2 저류조 (120) 에 있어서 린스 처리에 추가하여 다른 처리가 실시되어도 된다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 11 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 11 의 기판 처리 장치 (100) 는, 제 2 저류조 (120) 에 린스액 이외의 처리액이 공급되는 점을 제외하고, 도 10 을 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 11 에 나타내는 바와 같이, 제 2 저류조 (120) 에는, 린스액뿐만 아니라 제 1 성분액 및 제 2 성분액이 공급된다. 예를 들면, 제 2 저류조 (120) 에는, 제 1 성분액으로서 암모니아가 공급되고, 제 2 성분액으로서 과산화수소수가 공급된다.
기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 성분액 공급부 (123) 와, 제 2 성분액 공급부 (124) 를 추가로 갖는다. 제 1 성분액 공급부 (123) 는, 배관 (123a) 과, 밸브 (123b) 를 포함한다. 배관 (123a) 의 일단은, 제 1 성분액 공급원과 접속된다. 배관 (123a) 에는, 밸브 (123b) 가 배치된다. 배관 (123a) 의 타단은, 배관 (122a) 과 접속된다. 밸브 (123b) 에 의해, 배관 (123a) 및 배관 (122a) 을 통하여 제 2 저류조 (120) 에 대한 제 1 성분액의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해 밸브 (123b) 를 열면, 배관 (123a) 및 배관 (122a) 을 통과한 제 1 성분액이, 제 2 저류조 (120) 에 공급된다.
제 2 성분액 공급부 (124) 는, 배관 (124a) 과, 밸브 (124b) 를 포함한다. 배관 (124a) 의 일단은, 제 2 성분액 공급원과 접속된다. 배관 (124a) 에는, 밸브 (124b) 가 배치된다. 배관 (124a) 의 타단은, 배관 (122a) 과 접속된다. 밸브 (124b) 에 의해, 배관 (124a) 및 배관 (122a) 을 통하여 제 2 저류조 (120) 에 대한 제 2 성분액의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해 밸브 (124b) 를 열면, 배관 (124a) 및 배관 (122a) 을 통과한 제 2 성분액이, 제 2 저류조 (120) 에 공급된다.
여기서는, 제 1 성분액 공급부 (123) 및 제 2 성분액 공급부 (124) 는, 제 2 저류조 (120) 에 제 1 성분액 및 제 2 성분액을 공급한다. 이로써, 제 2 저류조 (120) 는, 기판 (W) 을 린스 처리할 뿐만 아니라 기판 (W) 을 약액 처리할 수 있다.
또한, 순환 배관 (116) 에는, 가열된 인산액을 저류하는 저류 탱크가 배치되는 것이 바람직하다. 또, 제 2 저류조 (120) 의 상방에 있어서 기판 (W) 에 린스액이 분출되는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 12 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 12 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 12 의 기판 처리 장치 (100) 는, 순환 배관 (116) 에 가열된 인산액을 저류하는 온조 탱크가 배치됨과 함께, 제 2 저류조 (120) 의 상방에 있어서 기판 (W) 에 린스액이 분출되는 점을 제외하고, 도 11 을 참조하여 상기 서술한 구성과 동일한 기재를 갖고 있어, 장황함을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.
도 12 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 온조 탱크 (116f) 를 추가로 구비한다. 온조 탱크 (116f) 는, 순환 배관 (116) 에 배치된다. 이로써, 온조 탱크 (116f) 는, 가열된 인산액을 저류할 수 있다. 또한, 저류 탱크 (147) 는, 온조 탱크 (116f) 에 인접하여 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 저류 탱크 (147) 는, 온조 탱크 (116f) 에 대하여 2m 의 범위 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이로써, 저류 탱크 (147) 에 저류되는 린스액의 온도를 고온으로 유지할 수 있다.
또, 제 2 저류조 (120) 의 상방에, 린스액 분출구 (122f) 및 린스액 분출구 (122g) 를 배치하는 것이 바람직하다. 린스액 분출구 (122f, 122g) 에 의해, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지하기 전 또는 후의 기판 (W) 에 대하여 린스액을 분출할 수 있다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 14 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 13(a) ∼ 도 14(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 13(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 상방에서 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 상방에서 다른 기판 유지 기구로부터 기판 (W) 을 받아도 된다. 혹은, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 1 저류조 (110) 의 상방까지 이동해도 된다.
도 13(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 인산액에 기판 (W) 을 침지한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 기판 (W) 을 하강시키는 것에 의해 제 1 저류조 (110) 의 인산액 내에 침지하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다.
도 13(c) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 1 저류조 (110) 의 인산액 안의 기판 (W) 을 들어 올린다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 기판 (W) 을 상승시킴으로써 제 1 저류조 (110) 의 인산액으로부터 들어 올리도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다.
또한, 이 때, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은 폐기되어도 된다.
도 13(d) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 2 저류조 (120) 의 상방에서 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (130) 는, 제 2 저류조 (120) 의 상방에서 다른 기판 유지 기구로부터 기판 (W) 을 받아도 된다. 혹은, 기판 유지부 (130) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태로 제 2 저류조 (120) 의 상방까지 이동해도 된다.
이 때, 제 2 저류조 (120) 에 린스액이 공급되어도 된다. 이 경우, 제 2 저류조 (120) 에는, 가열된 린스액이 공급되는 것이 바람직하다.
도 14(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 하강함으로써 기판 (W) 이 제 2 저류조 (120) 의 린스액 내에 침지되도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다.
여기서는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지할 때에, 제 2 저류조 (120) 로부터 린스액이 흘러 넘친다. 기판 (W) 이 고온의 인산으로 처리된 경우, 제 2 저류조 (120) 의 린스액의 온도도 상승한다. 린스액 수취부 (146) 는, 제 2 저류조 (120) 로부터 흘러넘친 린스액을 받아들인다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 린스액 수취부 (146), 저류 탱크 (147) 및 순환 배관 (116) 을 통하여 제 1 저류조 (110) 에 공급된다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 린스액 수취부 (146) 및/또는 저류 탱크 (147) 에 일단 저류되고, 소정의 타이밍에, 제 1 저류조 (110) 에 공급되어도 된다.
이 때, 제 2 저류조 (120) 로 린스액이 공급되어도 된다. 이 경우, 제 2 저류조 (120) 에는, 가열된 린스액이 공급되는 것이 바람직하다.
도 14(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지한 상태를 유지한다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 는 기판 (W) 을 제 2 저류조 (120) 의 린스액 내에 침지한 상태를 유지하도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다. 또한, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 기판 (W) 을 침지하고 나서 소정 기간 후에, 린스액 수취부 (146) 의 린스액은, 제 1 저류조 (110) 에 공급되지 않는다. 예를 들면, 린스액 수취부 (146) 의 린스액은, 폐기되어도 된다.
이 때, 제 2 저류조 (120) 로 린스액이 공급되어도 된다. 이 경우, 제 2 저류조 (120) 에는, 가열되지 않은 린스액이 공급되어도 된다.
도 14(c) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 는, 상승하여 제 2 저류조 (120) 의 린스액 내의 기판 (W) 을 들어 올린다. 제어부 (182) 는, 기판 유지부 (130) 가 기판 (W) 을 유지한 상태로 상승함으로써 제 2 저류조 (120) 의 린스액으로부터 기판 (W) 을 들어 올리도록 기판 유지부 (130) 를 제어한다. 이 때, 린스액 분출구 (122f, 122g) 에 의해, 기판 (W) 에 대해 린스액을 분출한다.
그 후, 제 2 저류조 (120) 로부터 린스액을 배출함과 함께 제 2 저류조 (120) 에 다른 약액을 공급하여, 기판 (W) 에 대해 별도 약액 처리를 실시해도 된다.
본 실시형태에 의하면, 특정 기간에 있어서의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 저류 탱크 (147) 에 저류한다. 이로써, 인산 농도가 높고 고온의 린스액을 제 1 저류조 (110) 에 효과적으로 공급할 수 있다.
다음으로, 도 15 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 구비한 기판 처리 시스템 (10) 을 설명한다. 도 15 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 구비한 기판 처리 시스템 (10) 의 모식도이다. 도 15 에 나타낸 기판 처리 시스템 (10) 은, 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 를 구비한다.
도 15 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템 (10) 은, 투입부 (20) 와, 복수의 수납부 (30) 와, 전달 기구 (40) 와, 불출부 (50) 와, 버퍼 유닛 (BU) 과, 제 1 반송 장치 (CTC) 와, 제 2 반송 장치 (WTR) 와, 건조 처리 장치 (60) 와, 복수의 기판 처리 장치 (100) 와, 제어 장치 (180) 를 구비한다.
복수의 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 기판 처리 장치 (100A) 와, 제 2 기판 처리 장치 (100B) 와, 제 3 기판 처리 장치 (100C) 를 구비한다. 건조 처리 장치 (60), 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 는, 일 방향으로 나란히 배치된다. 예를 들면, 건조 처리 장치 (60), 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 의 반송 경로에 인접하여, 제 1 반송 장치 (CTC) 의 반송 경로의 가까이로부터, 건조 처리 장치 (60), 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 순서로 배치된다.
여기서는, 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 각각은, 인산액을 저류하는 제 1 저류조 (110) 와, 적어도 어느 기간에 있어서 린스액을 저류하는 제 2 저류조 (120) 와, 기판 유지부 (130) 를 포함한다. 여기서는, 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 에 있어서의 기판 유지부 (130) 를 기판 유지부 (130A ∼ 130C) 로 나타내는 경우가 있다. 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 각각에는, 상이한 처리가 실시된 기판 (W) 이 투입되어도 된다.
기판 처리 장치 (100) 에서 처리되는 기판 (W) 은, 투입부 (20) 로부터 반입된다. 투입부 (20) 는, 복수의 재치대 (載置臺) (22) 를 포함한다. 기판 처리 장치 (100) 에서 처리된 기판 (W) 은, 불출부 (50) 로부터 반출된다. 불출부 (50) 는, 복수의 재치대 (52) 를 포함한다.
투입부 (20) 에는, 기판 (W) 을 수용한 수납부 (30) 가 재치된다. 투입부 (20) 에 재치되는 수납부 (30) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리가 행해지지 않은 기판 (W) 을 수납한다. 여기서는, 2 개의 수납부 (30) 는 각각, 2 개의 재치대 (22) 에 재치된다.
복수의 수납부 (30) 의 각각은, 복수의 기판 (W) 을 수용한다. 각 기판 (W) 은, 수평 자세로 수납부 (30) 에 수용된다. 수납부 (30) 는, 예를 들면, FOUP (Front Opening Unified Pod) 이다.
불출부 (50) 에 재치되는 수납부 (30) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 의해 처리된 기판 (W) 을 수납한다. 불출부 (50) 는, 복수의 재치대 (52) 를 포함한다. 2 개의 수납부 (30) 는 각각, 2 개의 재치대 (52) 에 재치된다. 불출부 (50) 는, 처리 완료된 기판 (W) 을 수납부 (30) 에 수납하여 수납부 (30) 째로 내보낸다.
버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (20) 및 불출부 (50) 에 인접하여 배치된다. 버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (20) 에 재치된 수납부 (30) 를 기판 (W) 째 내부에 도입하여, 선반 (도시 생략) 에 수납부 (30) 를 재치한다. 또한, 버퍼 유닛 (BU) 은, 처리 완료된 기판 (W) 을 받아서 수납부 (30) 에 수납함과 함께, 선반에 수납부 (30) 를 재치한다. 버퍼 유닛 (BU) 내에는, 전달 기구 (40) 가 배치되어 있다.
전달 기구 (40) 는, 투입부 (20) 및 불출부 (50) 와 선반 사이에서 수납부 (30) 를 주고 받는다. 또, 전달 기구 (40) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 에 대해서 기판 (W) 만을 주고 받는 것을 실시한다. 즉, 전달 기구 (40) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 에 대해 기판 (W) 의 로트의 주고 받기를 실시한다.
제 1 반송 장치 (CTC) 는, 전달 기구 (40) 로부터 미처리의 복수의 기판 (W) 의 로트를 받은 후, 복수의 기판 (W) 의 자세를 수평 자세에서 수직 자세로 변환하여, 복수의 기판 (W) 을 제 2 반송 장치 (WTR) 에 건네준다. 또, 제 1 반송 장치 (CTC) 는, 제 2 반송 장치 (WTR) 로부터 처리 완료된 복수의 기판 (W) 의 로트를 받은 후, 복수의 기판 (W) 의 자세를 수직 자세에서 수평 자세로 변환하여, 기판 (W) 의 로트를 전달 기구 (40) 에 건네준다.
제 2 반송 장치 (WTR) 는, 기판 처리 시스템 (10) 의 길이 방향을 따라, 제 3 기판 처리 장치 (100C) 로부터 제 2 기판 처리 장치 (100B) 까지 이동 가능하다. 제 2 반송 장치 (WTR) 는, 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 에 기판 (W) 의 로트를 반입 및 반출할 수 있다. 상세하게는, 제 2 반송 장치 (WTR) 는, 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 기판 유지부 (130A ∼ 130C) 에 기판 (W) 을 건네주고, 기판 유지부 (130A ∼ 130C) 의 각각에 의해, 기판 (W) 은, 인산 처리 및 린스 처리된다.
또한, 도 1 ∼ 도 15 를 참조한 상기 서술한 설명에서는, 기판 처리 장치 (100) 의 제 2 저류조 (120) 의 린스액을 동일한 기판 처리 장치 (100) 의 제 1 저류조 (110) 에 전용하는 양태를 설명했지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 다른 기판 처리 장치 (100) 의 제 1 저류조 (110) 에 전용해도 된다. 또, 제 2 저류조 (120) 의 린스액은, 제 2 저류조 (120) 의 린스액에 침지된 기판 (W) 을 처리한 제 1 저류조 (110) 와는 다른 제 1 저류조 (110) 에 전용되어도 된다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다. 또, 상기의 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써, 여러 가지 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다. 도면은 이해하기 쉽게 하기 위하여, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 형편상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 재질, 형상, 치수 등은 일례로서, 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 바람직하게 사용된다.
100 : 기판 처리 장치
110 : 제 1 저류조
112 : 인산 공급부
114 : 희석액 공급부
120 : 제 2 저류조
122 : 린스액 공급부
130 : 기판 유지부
140 : 린스액 전용부
W : 기판

Claims (12)

  1. 인산액을 저류하는 제 1 저류조와,
    린스액을 저류하는 제 2 저류조와,
    기판을 유지하여 하강하여, 상기 제 2 저류조의 상기 린스액에 상기 기판을 침지하는 기판 유지부와,
    상기 제 2 저류조에 있어서 상기 기판을 상기 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하고, 상기 린스액 침지 기간 중 상기 특정 기간 후의 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 것을 정지하는 린스액 전용부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 저류조의 상기 인산액이 상기 제 1 저류조로부터 흘러나와 상기 제 1 저류조로 되돌아가도록 순환시키는 순환 배관을 추가로 구비하고,
    상기 린스액 전용부는, 상기 순환 배관을 통하여 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 저류조에 인산을 공급하는 인산 공급부와,
    상기 제 1 저류조에 희석액을 공급하는 희석액 공급부와,
    상기 제 2 저류조에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 순환 배관을 흐르는 상기 인산액을 가열하는 히터를 추가로 구비하고,
    상기 린스액 공급부는, 상기 특정 기간 전에 상기 린스액을 가열하여 상기 제 2 저류조에 공급하고, 상기 특정 기간 후에 상기 린스액을 가열하지 않고 상기 제 2 저류조에 공급하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 린스액 전용부는, 상기 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액의 적어도 일부를 저류하는 저류 탱크를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 순환 배관에 배치된 온조 탱크를 추가로 구비하고,
    상기 저류 탱크는, 상기 온조 탱크에 인접하여 배치되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 저류조에 저류된 인산액에 기판을 침지하는 공정과,
    제 2 저류조에 저류된 린스액에 기판을 침지하는 공정과,
    상기 기판을 상기 린스액에 침지하는 린스액 침지 기간 중 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 전용 공정과,
    상기 린스액 침지 기간 중 상기 특정 기간 후의 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는 것을 정지하는 전용 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 저류조의 상기 인산액이 상기 제 1 저류조로부터 흘러나와 상기 제 1 저류조로 되돌아오는 순환 배관을 통하여 상기 인산액을 순환시키는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 전용 공정은, 상기 순환 배관을 통하여 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 상기 제 1 저류조에 공급하는, 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 저류조에 인산을 공급하는 공정과,
    상기 제 1 저류조에 희석액을 공급하는 공정과,
    상기 제 2 저류조에 린스액을 공급하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 순환 배관을 흐르는 인산액을 가열하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 린스액을 공급하는 공정에 있어서, 상기 특정 기간 전에 상기 린스액을 가열하여 상기 제 2 저류조에 공급하고, 상기 특정 기간 후에 상기 린스액을 가열하지 않고 상기 제 2 저류조에 공급하는, 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 전용 공정은, 상기 특정 기간에 있어서의 상기 제 2 저류조의 상기 린스액을 저류 탱크에 저류하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 순환 배관을 흐르는 인산액을 온조 탱크에 있어서 저류하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 저류 탱크는, 상기 온조 탱크에 인접하여 배치되는, 기판 처리 방법.
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