JP2023152479A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023152479A
JP2023152479A JP2022062515A JP2022062515A JP2023152479A JP 2023152479 A JP2023152479 A JP 2023152479A JP 2022062515 A JP2022062515 A JP 2022062515A JP 2022062515 A JP2022062515 A JP 2022062515A JP 2023152479 A JP2023152479 A JP 2023152479A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage tank
rinsing liquid
substrate
phosphoric acid
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022062515A
Other languages
English (en)
Inventor
朋宏 高橋
Tomohiro Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022062515A priority Critical patent/JP2023152479A/ja
Priority to KR1020230043409A priority patent/KR20230143114A/ko
Priority to CN202310363079.3A priority patent/CN116889994A/zh
Publication of JP2023152479A publication Critical patent/JP2023152479A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】燐酸処理に用いる燐酸および希釈液の使用量を効率的に低減できる。【解決手段】基板処理装置（１００）は、燐酸液を貯留する第１貯留槽（１１０）と、リンス液を貯留する第２貯留槽（１２０）と、基板を保持して下降し、第２貯留槽（１２０）のリンス液に基板（Ｗ）を浸漬する基板保持部（１３０）と、第２貯留槽（１２０）において基板（Ｗ）をリンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における第２貯留槽（１２０）のリンス液を第１貯留槽（１１０）に供給し、リンス液浸漬期間のうちの特定期間の後の期間における第２貯留槽（１２０）のリンス液を第１貯留槽（１１０）に供給することを停止するリンス液転用部（１４０）とを備える。【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。典型的には、基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する。
複数の基板を一括して処理するバッチ型処理装置において、処理槽に供給された所定の燐酸水溶液、シリコンおよびＤＩＷを用いて基板を処理することが検討されている（特許文献１）。特許文献１の基板処理装置では、排液ラインのつまりを抑制するために、液受部で受けた液体を、液受部排出管を介して外部に設けられた外部排出管に排出する。
特開２０２１－６４７４６号公報
特許文献１の基板処理装置では、処理槽に、所定の燐酸水溶液、シリコンおよびＤＩＷが供給される。一方で、特許文献１では、処理槽に供給される所定の液体の使用量を低減することについて検討されていない。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、燐酸処理に用いる燐酸液の使用量を効率的に低減可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、燐酸液を貯留する第１貯留槽と、リンス液を貯留する第２貯留槽と、基板を保持して下降し、前記第２貯留槽の前記リンス液に前記基板を浸漬する基板保持部と、前記第２貯留槽において前記基板を前記リンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給し、前記リンス液浸漬期間のうちの前記特定期間の後の期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給することを停止するリンス液転用部とを備える。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記第１貯留槽の前記燐酸液が前記第１貯留槽から流れ出て前記第１貯留槽に戻るように循環する循環配管をさらに備え、前記リンス液転用部は、前記循環配管を介して前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記第１貯留槽に燐酸を供給する燐酸供給部と、前記第１貯留槽に希釈液を供給する希釈液供給部と、前記第２貯留槽にリンス液を供給するリンス液供給部とをさらに備える。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記循環配管を流れる前記燐酸液を加熱するヒータをさらに備え、前記リンス液供給部は、前記特定期間の前に前記リンス液を加熱して前記第２貯留槽に供給し、前記特定期間の後に前記リンス液を加熱せずに前記第２貯留槽に供給する。
ある実施形態では、前記リンス液転用部は、前記特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液の少なくとも一部を貯留する貯留タンクを含む。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記循環配管に配置された温調タンクをさらに備え、前記貯留タンクは、前記温調タンクに隣接して配置される。
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、第１貯留槽に貯留された燐酸液に基板を浸漬する工程と、第２貯留槽に貯留されたリンス液に基板を浸漬する工程と、前記基板を前記リンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する転用工程と、前記リンス液浸漬期間のうちの前記特定期間の後の期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給することを停止する転用停止工程とを包含する。
ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記第１貯留槽の前記燐酸液が前記第１貯留槽から流れ出て前記第１貯留槽に戻る循環配管を介して前記燐酸液を循環する工程をさらに包含し、前記転用工程は、前記循環配管を介して前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する。
ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記第１貯留槽に燐酸を供給する工程と、前記第１貯留槽に希釈液を供給する工程と、前記第２貯留槽にリンス液を供給する工程とをさらに包含する。
ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記循環配管を流れる燐酸液を加熱する工程をさらに包含し、前記リンス液を供給する工程において、前記特定期間の前に前記リンス液を加熱して前記第２貯留槽に供給し、前記特定期間の後に前記リンス液を加熱せずに前記第２貯留槽に供給する。
ある実施形態では、前記転用工程は、前記特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を貯留タンクに貯留する工程を含む。
ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記循環配管を流れる燐酸液を温調タンクにおいて貯留する工程をさらに包含し、前記貯留タンクは、前記温調タンクに隣接して配置される。
本発明によれば、燐酸処理に用いる燐酸および希釈液の使用量を効率的に低減できる。
本実施形態の基板処理装置の模式的な斜視図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的なブロック図である。 （ａ）～（ｅ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理方法のフロー図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
図１を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な斜視図である。
基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、酸化処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。
基板処理装置１００は、バッチ式の基板処理装置である。基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。典型的には、基板処理装置１００は、ロット単位で複数の基板Ｗを処理する。例えば、１ロットは、２５枚の基板Ｗからなる。なお、１ロットは、５０枚の基板Ｗからなってもよい。
図１に示すように、基板処理装置１００は、第１貯留槽１１０と、第２貯留槽１２０と、基板保持部１３０とを備える。ここでは、第２貯留槽１２０は、第１貯留槽１１０に隣接して配置される。ただし、第２貯留槽１２０は、第１貯留槽１１０から離れて配置されてもよい。
第１貯留槽１１０は、燐酸液を貯留する。基板Ｗが第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬されることにより、基板Ｗは、燐酸処理される。
第２貯留槽１２０は、リンス液を貯留する。基板Ｗが第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬されることにより、基板Ｗは、リンス処理される。
リンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。
基板保持部１３０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で移動する。例えば、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で第１貯留槽１１０内に下降する。これにより、基板Ｗは、第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬される。
また、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で第２貯留槽１２０内に下降する。これにより、基板Ｗは、第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬される。
基板保持部１３０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１３０によって保持された基板Ｗの主面の法線方向はＹ方向に平行である。複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って一列に配列される。複数の基板Ｗは、水平方向に略平行に配列される。また、複数の基板Ｗの各々の法線は、Ｙ方向に延びており、複数の基板Ｗの各々は、Ｘ方向およびＺ方向に略平行に広がる。
典型的には、基板保持部１３０は、複数の基板Ｗをまとめて保持する。ここでは、基板保持部１３０は、Ｙ方向に沿って一列に並んだ基板Ｗを保持する。基板保持部１３０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを移動させる。例えば、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持したまま鉛直方向に沿って鉛直上方または鉛直下方に移動する。
具体的には、基板保持部１３０は、リフターを含む。基板保持部１３０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。基板保持部１３０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１３０によって保持されている複数の基板Ｗは、第１貯留槽１１０に貯留されている燐酸液に浸漬される。基板保持部１３０により、複数の基板Ｗを一括して、第１貯留槽１１０に貯留されている燐酸液に浸漬できる。
また、基板保持部１３０は、水平方向に移動してもよい。例えば、基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の上方から第２貯留槽１２０の上方に移動する。また、基板保持部１３０は、第２貯留槽１２０の上方から第１貯留槽１１０の上方に移動してもよい。
第２貯留槽１２０の上方において、基板保持部１３０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１３０によって保持されている複数の基板Ｗは、第２貯留槽１２０に貯留されているリンス液に浸漬される。基板保持部１３０により、複数の基板Ｗを一括して、第２貯留槽１２０に貯留されているリンス液に浸漬できる。
なお、基板Ｗは、同一の基板保持部１３０に保持されたまま、燐酸液に浸漬された後で、リンス液に浸漬されてもよい。あるいは、基板Ｗは、ある基板保持部１３０によって保持された状態で燐酸液に浸漬された後で、別の基板保持部１３０に持ち替えられ、その後、リンス液に浸漬されてもよい。このように、燐酸液への基板Ｗの浸漬およびリンス液への基板Ｗの浸漬は、異なる基板保持部１３０によって行われてもよい。
第１貯留槽１１０は、基板Ｗを処理するための燐酸液を貯留する。燐酸液は、燐酸と希釈液との混合によって生成される。第１貯留槽１１０には、燐酸および希釈液が別々に供給されてもよい。
一例では、燐酸および希釈液は、第１貯留槽１１０にて混合される。これにより、第１貯留槽１１０において、燐酸および希釈液が混合された燐酸液が生成される。
基板保持部１３０は、本体板１３２と、保持棒１３４とを含む。本体板１３２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１３４は、本体板１３２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１では、３つの保持棒１３４が本体板１３２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１３４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
基板保持部１３０は、移動ユニット１３６をさらに含んでもよい。移動ユニット１３６は、保持棒１３４に保持されている複数の基板Ｗが第１貯留槽１１０内に位置する下方位置と、保持棒１３４に保持されている複数の基板Ｗが第１貯留槽１１０の上方に位置する上方位置（図１に示す位置）との間で本体板１３２を昇降させる。従って、移動ユニット１３６によって本体板１３２を下方位置に移動することにより、保持棒１３４に保持されている複数の基板Ｗが第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬される。
複数の基板Ｗは、複数の保持棒１３４によって保持される。詳しくは、各基板Ｗの下縁が複数の保持棒１３４に当接することにより、複数の基板Ｗが複数の保持棒１３４によって起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。より具体的には、基板保持部１３０によって保持された複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って間隔をあけて整列する。このため、複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って一列に配列される。また、複数の基板Ｗの各々は、ＸＺ平面に略平行な姿勢で基板保持部１３０に保持される。
移動ユニット１３６は、本体板１３２を昇降させる。移動ユニット１３６が本体板１３２を昇降させることにより、本体板１３２および保持棒１３４が、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。移動ユニット１３６は、駆動源および昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、本体板１３２を上昇および下降させる。駆動源は、例えば、モータを含む。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構またはボールねじを含む。
より具体的には、移動ユニット１３６は、処理位置と退避位置（図１に示す位置）との間で本体板１３２を昇降させる。本体板１３２が、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降して処理位置まで移動すると、複数の基板Ｗが第１貯留槽１１０に投入される。詳しくは、基板保持部１３０に保持されている複数の基板Ｗが第１貯留槽１１０内に移動する。この結果、複数の基板Ｗは、第１貯留槽１１０内の燐酸液に浸漬して燐酸処理される。一方、図１に示すように、本体板１３２が退避位置に移動すると、保持棒１３４に保持されている複数の基板Ｗは、第１貯留槽１１０の上方に移動して、燐酸液から引き上げられる。
なお、移動ユニット１３６は、本体板１３２を水平方向に移動してもよい。この場合、移動ユニット１３６は、第１貯留槽１１０の上方位置（図１に示す位置）と第２貯留槽１２０の上方位置との間で本体板１３２および保持棒１３４を移動させる。基板保持部１３０が、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降して処理位置まで移動すると、複数の基板Ｗが第２貯留槽１２０に投入される。詳しくは、基板保持部１３０に保持されている複数の基板Ｗが第２貯留槽１２０内に移動する。この結果、複数の基板Ｗが第２貯留槽１２０内のリンス液に浸漬されて、リンス処理される。本体板１３２が退避位置に移動すると、保持棒１３４に保持されている複数の基板Ｗは、第２貯留槽１２０の上方に移動して、リンス液から引き上げられる。
次に、図１および図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。
図２に示すように、基板処理装置１００は、第１貯留槽１１０、第２貯留槽１２０および基板保持部１３０を備える。第１貯留槽１１０は、燐酸液を貯留する。第２貯留槽１２０は、リンス液を貯留する。
上述したように、第１貯留槽１１０は、燐酸液を貯留する。燐酸液は、燐酸および希釈液の混合液である。燐酸液において、燐酸の濃度（質量濃度）は８０％以上９５％以下である。
基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で移動する。基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第１貯留槽１１０に貯留された燐酸液内に下降するすることにより、基板Ｗは第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬する。これにより、基板Ｗを燐酸処理する。
また、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第２貯留槽１２０に貯留されたリンス液内に下降するすることにより、基板Ｗは第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬する。これにより、基板Ｗをリンス処理する。
基板処理装置１００は、燐酸供給部１１２と、希釈液供給部１１４とを備える。燐酸供給部１１２は、第１貯留槽１１０に燐酸を供給する。
希釈液供給部１１４は、第１貯留槽１１０に希釈液を供給する。希釈液は、燐酸の希釈に用いられる。希釈液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。なお、希釈液は、リンス液の少なくとも一部の成分を含有することが好ましい。また、希釈液は、リンス液と同一の成分から構成されてもよい。
一例では、燐酸および希釈液は、第１貯留槽１１０において混合される。これにより、第１貯留槽１１０において、燐酸および希釈液を混合した燐酸液が生成される。なお、燐酸供給部１１２が、燐酸および希釈液を混合した燐酸液を第１貯留槽１１０に供給し、燐酸液は、希釈液供給部１１４によって供給される希釈液によって濃度調整されてもよい。
基板処理装置１００は、リンス液供給部１２２をさらに備える。リンス液供給部１２２は、第２貯留槽１２０にリンス液を供給する。
燐酸供給部１１２は、配管１１２ａと、バルブ１１２ｂとを含む。配管１１２ａの一端から、燐酸が第１貯留槽１１０に吐出される。配管１１２ａは、燐酸供給源と接続される。配管１１２ａには、バルブ１１２ｂが配置される。バルブ１１２ｂにより、第１貯留槽１１０への燐酸の供給を制御できる。バルブ１１２ｂが開くと、配管１１２ａを通過した燐酸が、第１貯留槽１１０に供給される。第１貯留槽１１０において、燐酸は、第１貯留槽１１０の燐酸液と混合される。
希釈液供給部１１４は、配管１１４ａと、バルブ１１４ｂとを含む。配管１１４ａの一端から、希釈液が第１貯留槽１１０に吐出される。配管１１４ａは、希釈液供給源と接続される。配管１１４ａには、バルブ１１４ｂが配置される。バルブ１１４ｂにより、第１貯留槽１１０への希釈液の供給を制御できる。バルブ１１４ｂが開くと、配管１１４ａを通過した希釈液が、第１貯留槽１１０に供給される。第１貯留槽１１０において、希釈液は、第１貯留槽１１０の燐酸液と混合される。
リンス液供給部１２２は、配管１２２ａと、バルブ１２２ｂとを含む。配管１２２ａの一端から、リンス液が第２貯留槽１２０に吐出される。配管１２２ａは、リンス液供給源と接続される。配管１２２ａには、バルブ１２２ｂが配置される。バルブ１２２ｂにより、第２貯留槽１２０へのリンス液の供給を制御できる。制御装置１８０の制御によってバルブ１２２ｂを開くと、配管１２２ａを通過したリンス液が、第２貯留槽１２０に供給される。
本実施形態において、基板処理装置１００は、第１貯留槽１１０、第２貯留槽１２０および基板保持部１３０に加えて、リンス液転用部１４０をさらに備える。リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を転用する。詳細には、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を転用して第１貯留槽１１０に供給する。
より具体的には、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０において基板Ｗをリンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給する。第２貯留槽１２０のリンス液には、基板Ｗから流れた燐酸液成分が含まれる。例えば、第２貯留槽１２０のリンス液の燐酸濃度は、０．５％以上５％以下である。第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用して供給することにより、基板Ｗから流れ出た燐酸液成分を第１貯留槽１１０において利用できる。さらに、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することにより、第１貯留槽１１０内の燐酸液を補充できる。
また、リンス液転用部１４０は、リンス液浸漬期間のうちの特定期間の後の期間における第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給することを停止する。時間が経過すると、基板Ｗから第２貯留槽１２０のリンス液に流れる燐酸液成分の量が減少する。このため、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止することにより、第１貯留槽１１０内の燐酸液の濃度が過度に低下することを抑制できる。
リンス液転用部１４０は、配管１４１と、バルブ１４２と、ポンプ１４３とを有する。配管１４１により、第２貯留槽１２０のリンス液は、第１貯留槽１１０に供給される。配管１４１の一端は、第２貯留槽１２０と接続され、配管１４１の他端は、第１貯留槽１１０に向けられる。ポンプ１４３は、配管１４１を介してリンス液を第１貯留槽１１０に送る。このため、配管１４１を流れたリンス液は、配管１４１の他端から第１貯留槽１１０に吐出される。
配管１４１には、バルブ１４２およびポンプ１４３が配置される。典型的には、バルブ１４２は、ポンプ１４３の下流に配置される。バルブ１４２により、第１貯留槽１１０へのリンス液の供給を制御できる。バルブ１４２を開くと、配管１４１を通過したリンス液が、第１貯留槽１１０に供給される。第１貯留槽１１０において、リンス液は、第１貯留槽１１０の燐酸液と混合される。バルブ１４２を閉じると、リンス液は、配管１４１を通過せず、第１貯留槽１１０へのリンス液の供給が停止する。
なお、配管１４１には、フィルタが配置されることが好ましい。フィルタにより、配管１４１を流れるリンス液から不純物を除去できる。なお、フィルタは、バルブ１４２およびポンプ１４３よりも上流側に配置することが好ましい。
次に、図１～図３を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的なブロック図である。
図３に示すように、制御装置１８０は、制御部１８２と、記憶部１８４とを備える。制御部１８２は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。
制御部１８２は、プロセッサーを含む。プロセッサーは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、プロセッサーは、汎用演算機を有してもよい。
記憶部１８４は、データおよびコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１８４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリーおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１８４は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１８２のプロセッサーは、記憶部１８４の記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理方法を実行する。
制御部１８２は、予め定められたプログラムに従って、燐酸供給部１１２、希釈液供給部１１４、リンス液供給部１２２、基板保持部１３０およびリンス液転用部１４０を制御する。詳細には、制御部１８２は、移動ユニット１３６の動作を制御する。また、制御部１８２は、バルブ１１２ｂ、１１４ｂ、１２２ｂおよび１４２の開閉動作を制御する。さらに、制御部１８２は、ポンプ１４３の駆動を制御する。
制御部１８２は、移動ユニット１３６を制御することにより、本体板１３２を移動させる。例えば、制御部１８２は、移動ユニット１３６により、本体板１３２を鉛直方向に移動（昇降）させることができる。また、制御部１８２は、移動ユニット１３６により、本体板１３２を水平方向に移動させることができる。
制御部１８２は、燐酸供給部１１２のバルブ１１２ｂを制御して、バルブ１１２ｂの状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１８２は、燐酸供給部１１２のバルブ１１２ｂを制御して、バルブ１１２ｂを開状態にすることによって、配管１１２ａを流れる燐酸を通過させることができる。また、制御部１８２は、燐酸供給部１１２のバルブ１１２ｂを制御して、バルブ１１２ｂを閉状態にすることによって、配管１１２ａを流れる燐酸の供給を停止させることができる。なお、制御部１８２は、希釈液供給部１１４のバルブ１１４ｂ、リンス液供給部１２２のバルブ１２２ｂも同様に制御できる。
さらに、制御部１８２は、リンス液転用部１４０のバルブ１４２を制御して、バルブ１４２の状態を開状態と閉状態とに切り替える。制御部１８２は、リンス液転用部１４０のポンプ１４３を制御して、ポンプ１４３の状態を駆動態と停止状態とに切り替える。具体的には、制御部１８２は、リンス液転用部１４０のバルブ１４２およびポンプ１４３を制御して、バルブ１４２を開状態にするとともにポンプ１４３を駆動状態にすることによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給できる。また、制御部１８２は、リンス液転用部１４０のバルブ１４２およびポンプ１４３を制御して、バルブ１４２を閉状態にするか、または、ポンプ１４３を停止状態にすることによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給されることを停止できる。
次に、図１～図４を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４（ａ）～図４（ｅ）は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。
図４（ａ）に示すように、第１貯留槽１１０および第２貯留槽１２０は、互いに隣接して配置される。上述したように、第１貯留槽１１０は、燐酸液を貯留可能であり、第２貯留槽１２０は、リンス液を貯留可能である。ただし、ここでは、第１貯留槽１１０および第２貯留槽１２０のいずれも空である。
図４（ｂ）に示すように、第１貯留槽１１０に燐酸液が供給される。例えば、燐酸供給部１１２は、第１貯留槽１１０に燐酸を供給する。また、希釈液供給部１１４は、第１貯留槽１１０に希釈液を供給する。第１貯留槽１１０において、燐酸および希釈液は混合され、混合液として燐酸液が生成される。これにより、第１貯留槽１１０は、燐酸液を貯留する。ここでは、第１貯留槽１１０は、容量一杯に燐酸液を貯留する。
図４（ｃ）に示すように、第１貯留槽１１０の燐酸液に基板Ｗを浸漬させる。例えば、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で下降して第１貯留槽１１０の燐酸液に基板Ｗを浸漬させる。これにより、基板Ｗは、燐酸処理される。
なお、図４（ｂ）において、第１貯留槽１１０の容量に対して燐酸液の液量が多い場合、基板Ｗの浸漬により、第１貯留槽１１０から燐酸液の一部が溢れることがある。なお、図４（ｃ）において基板Ｗを第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬させた場合でも、第１貯留槽１１０から燐酸液の一部が溢れないように、第１貯留槽１１０に供給される燐酸液の量は調整されてもよい。
また、基板Ｗが第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬する間に、第２貯留槽１２０にリンス液が供給されてもよい。例えば、リンス液供給部１２２は、第２貯留槽１２０にリンス液を供給する。
図４（ｄ）に示すように、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬させる。例えば、基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の燐酸液から基板Ｗを引き上げて、第２貯留槽１２０の上方に水平方向に移動する。その後、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で下降して第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬させる。これにより、基板Ｗは、リンス処理される。基板Ｗは、所定期間にわたって第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬される。本明細書において、基板Ｗが第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬する期間をリンス液浸漬期間と記載することがある。
なお、基板保持部１３０が、第１貯留槽１１０の燐酸液から基板Ｗを引き上げたことにより、第１貯留槽１１０内の燐酸液は減少する。
本実施形態では、リンス液浸漬期間のうちの特定期間において第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用する。例えば、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給する。制御部１８２は、バルブ１４２を開状態にしてポンプ１４３を駆動することによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給できる。
基板Ｗが第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬すると、第２貯留槽１２０のリンス液には、先に燐酸処理された基板Ｗから燐酸液成分が流れ出る。このため、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することにより、基板Ｗから流れた燐酸液成分を第１貯留槽１１０において利用できる。さらに、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することにより、第１貯留槽１１０内の燐酸液が減少した場合でも、第１貯留槽１１０内の燐酸液を効率的に補充できる。
図４（ｅ）に示すように、リンス液浸漬期間のうちの特定期間の後の期間において第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止する。例えば、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給することを停止する。一例では、制御部１８２は、バルブ１４２を閉状態にすることによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給されることを停止する。
時間が経過すると、基板Ｗから第２貯留槽１２０のリンス液に流れ出る燐酸液成分の量が減少する。このため、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止することにより、第２貯留槽１２０のリンス液により、第１貯留槽１１０内の燐酸液の濃度が過度に低下することを抑制できる。
本実施形態によれば、燐酸処理に用いる燐酸液の使用量を効率的に低減できる。第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することにより、基板Ｗから流れた燐酸液成分を第１貯留槽１１０において利用できる。さらに、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することにより、第１貯留槽１１０内の燐酸液が減少した場合でも、第１貯留槽１１０内の燐酸液を効率的に補充できる。また、その後で、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止することにより、第２貯留槽１２０のリンス液により、第１貯留槽１１０内の燐酸液の濃度が過度に低下することを抑制できる。
次に、図１～図５を参照して本実施形態の基板処理方法を説明する。図５は、本実施形態の基板処理方法のフロー図である。
図５に示すように、ステップＳ１０において、第１貯留槽１１０に燐酸液を供給する。例えば、燐酸供給部１１２は、第１貯留槽１１０に燐酸を供給する。希釈液供給部１１４は、第１貯留槽１１０に希釈液を供給する。第１貯留槽１１０において燐酸および希釈液が混合されて燐酸液が生成される。
ステップＳ１２において、第１貯留槽１１０の燐酸液に基板Ｗを浸漬することを開始する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第１貯留槽１１０内に下降するように基板保持部１３０を制御する。これにより、基板Ｗは、第１貯留槽１１０の燐酸液に浸漬され、基板Ｗに対する燐酸処理を開始する。
なお、燐酸処理中に、第１貯留槽１１０に所定濃度の燐酸液が供給されてもよい。例えば、燐酸供給部１１２は、第１貯留槽１１０に燐酸を供給してもよく、希釈液供給部１１４は、第１貯留槽１１０に希釈液を供給してもよい。
ステップＳ１４において、第１貯留槽１１０の燐酸液に基板Ｗを浸漬することを終了する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第１貯留槽１１０内から上昇するように基板保持部１３０を制御する。
ステップＳ２０において、第２貯留槽１２０に燐酸液を供給する。例えば、リンス液供給部１２２は、第２貯留槽１２０に燐酸を供給する。なお、ステップＳ２０は、ステップＳ１２および／およびステップＳ１４の期間中に行われてもよい。あるいは、ステップＳ１２の前またはステップＳ１４の後に行われてもよい。
ステップＳ２２において、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬することを開始する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第２貯留槽１２０内に下降するように基板保持部１３０を制御する。これにより、基板Ｗは、第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬され、基板Ｗに対するリンス処理を開始する。
なお、リンス処理中に、第２貯留槽１２０にリンス液が供給されてもよい。例えば、リンス液供給部１２２は、第２貯留槽１２０にリンス液を供給してもよい。
ステップＳ２４において、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用する。リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用する。一例では、制御部１８２は、バルブ１４２を開状態にすることによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給される。
ステップＳ２６において、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０への転用を停止する。リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止する。一例では、制御部１８２は、バルブ１４２を閉状態にすることによって、第２貯留槽１２０のリンス液が配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給されることを停止する。
ステップＳ２８において、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬することを終了する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で第２貯留槽１２０内から上昇するように基板保持部１３０を制御する。
本実施形態によれば、基板Ｗを燐酸処理した後にリンス処理する。リンス液浸漬期間のうちの特定期間において第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給し、その後、第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給することを停止する。これにより、燐酸処理に用いる燐酸液の使用量を効率的に低減できる。
なお、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０から溢れたリンス液を第１貯留槽１１０に供給してもよい。
次に、図１～図６を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図６の基板処理装置１００は、リンス液転用部１４０が第２貯留槽１２０から溢れたリンス液を受け取ること、配管１４１が希釈液供給部１１４の配管１１４ａと接続されること、第２貯留槽１２０から溢れたリンス液の燐酸濃度が測定されること、および、配管１４１が配管１１４ａと接続することを除いて、図２を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図６に示すように、リンス液転用部１４０は、配管１４１、バルブ１４２およびポンプ１４３に加えて、リンス液受取部１４６をさらに備える。リンス液受取部１４６は、第２貯留槽１２０から溢れたリンス液を受け取る。例えば、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬した場合、リンス液受取部１４６は、第２貯留槽１２０から溢れたリンス液を受け取る。
リンス液受取部１４６は、第２貯留槽１２０に対して鉛直下方に配置される。リンス液受取部１４６の幅および長さ（Ｘ方向およびＹ方向の長さ）は、第２貯留槽１２０の幅および長さよりも大きいことが好ましい。ただし、リンス液受取部１４６の深さ（Ｚ方向の長さ）は、第２貯留槽１２０の深さ（Ｚ方向の長さ）よりも大きいことが好ましい。
リンス液受取部１４６に受け取られたリンス液は、配管１４１を介して第１貯留槽１１０に供給される。ここでは、リンス液受取部１４６の配管１４１は、希釈液供給部１１４の配管１１４ａと接続される。
リンス液転用部１４０は、配管１４８ａと、バルブ１４８ｂとをさらに有してもよい。配管１４８ａは、リンス液受取部１４６と廃液機構とを接続する。配管１４８ａには、バルブ１４８ｂが配置される。バルブ１４８ｂを開くと、配管１４８ａを通過したリンス液が、廃液機構に供給される。このように、配管１４８ａおよびバルブ１４８ｂにより、リンス液受取部１４６のリンス液を廃棄できる。
リンス液転用部１４０が第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に転用する場合、制御部１８２は、バルブ１４２を開状態にするとともにバルブ１４８ｂを閉状態にすることによって、第２貯留槽１２０からリンス液受取部１４６に受け取られたリンス液は、配管１４１を流れて第１貯留槽１１０に供給される。その後、リンス液転用部１４０がリンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止する場合、制御部１８２は、バルブ１４２を閉状態にするとともにバルブ１４８ｂを開状態にすることによって、リンス液受取部１４６のリンス液が配管１４８ａを流れて廃棄される。
リンス液転用部１４０は、リンス液に含まれる燐酸濃度を検知可能な濃度センサ１４９をさらに有してもよい。例えば、制御部１８２は、濃度センサ１４９の検知結果に基づいてリンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用するか否かを判定してもよい。典型的には、濃度センサ１４９において検知されたリンス液内の燐酸濃度が閾値よりも高い場合、制御部１８２は、リンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用すると判定する。一方、濃度センサ１４９において検知されたリンス液内の燐酸濃度が閾値以下まで減少すると、制御部１８２は、リンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止すると判定する。
濃度センサ１４９は、第２貯留槽１２０にあったリンス液における燐酸濃度を測定する。例えば、濃度センサ１４９は、リンス液受取部１４６に取り付けられる。濃度センサ１４９は、リンス液受取部１４６に貯留されたリンス液の比重を示す値を計測する。濃度センサ１４９は、リンス液受取部１４６の背圧を計測する。
例えば、濃度センサ１４９の先端は、リンス液受取部１４６の液面から所定の深さの位置に配置されている。濃度センサ１４９では、濃度センサ１４９の先端にガスを供給してリンス液受取部１４６のリンス液内に気泡を形成する。これにより、リンス液受取部１４６に貯留されるリンス液の液圧は、リンス液受取部１４６の液面から所定の深さの位置に配置された濃度センサ１４９の先端部におけるガス圧として検出される。ガスとして、典型的には、窒素ガスが用いられる。ガス圧とリンス液の燐酸濃度との関係を予め測定しておき、ガス圧とリンス液との関係を示すルックアップテーブルを事前に作成しておくことにより、ガスによる気泡の形成されるガス圧に応じてリンス液の比重を計測できる。
なお、図６を参照した上述の説明では、濃度センサ１４９は、リンス液受取部１４６に受け取られたリンス液に含まれる燐酸濃度を測定したが、本実施形態はこれに限定されない。濃度センサ１４９は、配管１４１を流れるリンス液に含まれる燐酸濃度を測定してもよい。この場合、リンス液転用部１４０は、リンス液受取部１４６を備えなくてもよい。
なお、図６に示した基板処理装置１００では、リンス液転用部１４０は、リンス液受取部１４６に受け取られたリンス液を第１貯留槽１１０に供給したが、本実施形態はこれに限定されない。リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０内のリンス液を第１貯留槽１１０に供給してもよい。
次に、図１～図７を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図７は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図７の基板処理装置１００は、第１貯留槽１１０および第２貯留槽１２０がそれぞれ二重槽構造を有し、リンス液転用部１４０が第２貯留槽１２０の外槽１２０ｂのリンス液を第１貯留槽１１０に供給する点を除いて、図６を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図７に示すように、第１貯留槽１１０は、二重槽構造を有する。第１貯留槽１１０は、内槽１１０ａと、外槽１１０ｂとを有する。外槽１１０ｂは、内槽１１０ａを囲む。内槽１１０ａおよび外槽１１０ｂは、いずれも、上向きに開いた上部開口を有する。
内槽１１０ａは、燐酸液を貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１０ｂは、内槽１１０ａの上部開口の外側面に設けられる。外槽１１０ｂの上縁の高さは、内槽１１０ａの上縁の高さよりも高い。
内槽１１０ａおよび外槽１１０ｂのそれぞれは、燐酸液を貯留する。内槽１１０ａに複数の基板Ｗが投入される。詳しくは、基板保持部１３０に保持された複数の基板Ｗが内槽１１０ａに投入される。複数の基板Ｗが、内槽１１０ａに投入されることにより、内槽１１０ａの燐酸液に浸漬する。
第２貯留槽１２０は、二重槽構造を有する。第２貯留槽１２０は、内槽１２０ａと、外槽１２０ｂとを有する。外槽１２０ｂは、内槽１２０ａを囲む。内槽１２０ａおよび外槽１２０ｂは、いずれも、上向きに開いた上部開口を有する。
内槽１２０ａは、リンス液を貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１２０ｂは、内槽１２０ａの上部開口の外側面に設けられる。外槽１２０ｂの上縁の高さは、内槽１２０ａの上縁の高さよりも高い。
内槽１２０ａおよび外槽１２０ｂのそれぞれは、リンス液を貯留する。内槽１２０ａに複数の基板Ｗが投入される。詳しくは、基板保持部１３０に保持された複数の基板Ｗが内槽１２０ａに投入される。複数の基板Ｗが、内槽１２０ａに投入されることにより、内槽１２０ａのリンス液に浸漬する。
リンス液転用部１４０は、配管１４１と、バルブ１４２と、ポンプ１４３とを有する。第２貯留槽１２０のリンス液は、配管１４１を介して第１貯留槽１１０に供給される。配管１４１の一端は、第２貯留槽１２０の外槽１２０ｂに位置し、配管１４１の他端は、配管１１４ａと接続される。このため、第２貯留槽１２０のリンス液は、配管１４１および配管１１４ａを介して、第１貯留槽１１０に供給される。
配管１４１は、配管１４８ａと接続する。配管１４８ａは、配管１４１と廃液機構とを接続する。なお、配管１４１と配管１４８ａとの接続点は、ポンプ１４３の下流に位置することが好ましい。
配管１４８ａには、バルブ１４８ｂが配置される。バルブ１４８ｂを開くと、配管１４８ａを通過したリンス液が、廃液機構に供給される。このように、配管１４８ａおよびバルブ１４８ｂにより、リンス液を廃棄できる。
本実施形態によれば、第２貯留槽１２０の外槽１２０ｂのリンス液を第１貯留槽１１０に選択的に転用できる。
なお、図１～図７に示した基板処理装置１００では、リンス液転用部１４０において転用されたリンス液は第１貯留槽１１０に直接的に供給可能であったが、本実施形態はこれに限定されない。リンス液転用部１４０において転用されたリンス液は、第１貯留槽１１０の燐酸液を循環する循環配管を介して第１貯留槽１１０に供給されてもよい。
また、図１～図７に示した基板処理装置１００では、リンス液供給部１２２が第２貯留槽１２０の上方に位置したが、本実施形態はこれに限定されない。
次に、図１～図８を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図８は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図８の基板処理装置１００は、第１貯留槽１１０の燐酸液を循環する循環配管を介して第２貯留槽１２０のリンス液が第１貯留槽１１０に供給されること、第１貯留槽１１０の燐酸液を排出すること、および、リンス液が第２貯留槽１２０内から供給されることを除いて、図６または図７を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図８に示すように、第１貯留槽１１０は、二重槽構造を有する。第１貯留槽１１０は、内槽１１０ａと、外槽１１０ｂとを有する。外槽１１０ｂは、内槽１１０ａを囲む。内槽１１０ａおよび外槽１１０ｂは、いずれも、上向きに開いた上部開口を有する。
内槽１１０ａは、燐酸液を貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１０ｂは、内槽１１０ａの上部開口の外側面に設けられる。外槽１１０ｂの上縁の高さは、内槽１１０ａの上縁の高さよりも高い。
内槽１１０ａおよび外槽１１０ｂのそれぞれは、燐酸液を貯留する。内槽１１０ａに複数の基板Ｗが投入される。詳しくは、基板保持部１３０に保持された複数の基板Ｗが内槽１１０ａに投入される。複数の基板Ｗが、内槽１１０ａに投入されることにより、内槽１１０ａの燐酸液に浸漬する。
第１貯留槽１１０には、循環配管１１６が接続される。循環配管１１６により、第１貯留槽１１０の燐酸液は、第１貯留槽１１０から流れ出て第１貯留槽１１０に戻るように循環する。循環配管１１６は、外槽１１０ｂと内槽１１０ａの下方とを接続する。
循環配管１１６にはポンプ１１６ａが配置される。ポンプ１１６ａは、燐酸液を第１貯留槽１１０に送る。循環配管１１６は、第１貯留槽１１０内の燐酸液を循環させる。第１貯留槽１１０の燐酸液が循環配管１１６を介して循環する際に、燐酸液の不純物を除去してもよい。あるいは、第１貯留槽１１０の燐酸液が循環配管１１６を介して循環する際に、燐酸液が所定の温度まで加熱されてもよい。
循環配管１１６は、循環液供給管１１６ｔと接続される。循環配管１１６は、第１貯留槽１１０から流れ出た燐酸液を再び第１貯留槽１１０に導く。詳細には、循環配管１１６の上流端は、外槽１１０ｂに位置し、循環配管１１６の下流端は、内槽１１０ａに位置する。循環配管１１６の下流端は、内槽１１０ａに位置する循環液供給管１１６ｔと接続される。
循環液供給管１１６ｔは、内槽１１０ａに配置される。ここでは、循環液供給管１１６ｔは、第１貯留槽１１０の内槽１１０ａの底部に配置される。循環液供給管１１６ｔは、循環された燐酸液を内槽１１０ａに供給する。このため、基板Ｗが内槽１１０ａ内の燐酸液に浸漬した場合、循環液供給管１１６ｔから燐酸液を供給することにより、内槽１１０ａにアップフローを形成できる。
第１貯留槽１１０には排液部１１８が接続される。排液部１１８により、第１貯留槽１１０の燐酸液を排出できる。また、排液部１１８が、第１貯留槽１１０に貯留されている燐酸液を排出するとともに、燐酸供給部１１２および希釈液供給部１１４が燐酸および希釈液を第１貯留槽１１０に供給することにより、第１貯留槽１１０に貯留されている燐酸液を新しい燐酸液に交換できる。
排液部１１８は、排液配管１１８ａと、バルブ１１８ｂとを有する。排液配管１１８ａおよびバルブ１１８ｂにより、内槽１１０ａの燐酸液を排出する。
内槽１１０ａの底壁には、排液配管１１８ａが接続される。排液配管１１８ａにはバルブ１１８ｂが配置される。バルブ１１８ｂは、制御装置１８０によって開閉する。バルブ１１８ｂが開くことにより、内槽１１０ａ内に貯留されている燐酸液は排液配管１１８ａを通って外部に排出される。排出された燐酸液は、排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。なお、第１貯留槽１１０と同様に、第２貯留槽１２０のリンス液も排出できることが好ましい。
リンス液供給部１２２は、配管１２２ａと、バルブ１２２ｂと、リンス液供給管１２２ｔとを含む。リンス液は、リンス液供給管１２２ｔから第２貯留槽１２０に吐出される。配管１２２ａの一端には、リンス液供給源と接続される。配管１２２ａには、バルブ１２２ｂが配置される。配管１２２ａの他端には、リンス液供給管１２２ｔが配置される。バルブ１２２ｂにより、第２貯留槽１２０へのリンス液の供給を制御できる。制御装置１８０の制御によってバルブ１２２ｂを開くと、配管１２２ａを通過したリンス液が、リンス液供給管１２２ｔから第２貯留槽１２０に供給される。
リンス液供給管１２２ｔは、第２貯留槽１２０内に配置される。リンス液供給管１２２ｔは、第２貯留槽１２０の底部に配置される。このため、基板Ｗが第２貯留槽１２０内のリンス液に浸漬した場合、リンス液供給管１２２ｔからリンス液を供給することにより、第２貯留槽１２０にアップフローを形成できる。
なお、基板処理装置１００において、燐酸処理は、基板Ｗを加熱された燐酸に浸漬させて行われることが好ましい。これにより、燐酸処理を短期間に完了できる。また、リンス処理は、基板Ｗを加熱されたリンス液に浸漬させて行われることが好ましい。これにより、燐酸処理された基板Ｗに対して温度変化に伴うダメージが生じることを抑制できるとともに短期間にリンス処理できる。
次に、図１～図９を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図９は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図９の基板処理装置１００は、基板Ｗに対して高温の燐酸処理およびリンス処理が可能であること、および、リンス液の温度に応じてリンス液の転用を切り換えることを除いて、図８を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図９に示すように、第１貯留槽１１０の燐酸液は加熱できる。ここでは、基板処理装置１００は、フィルタ１１６ｂ、ヒータ１１６ｃ、調整バルブ１１６ｄ、バルブ１１６ｅをさらに備える。循環配管１１６には、ポンプ１１６ａに加えて、フィルタ１１６ｂ、ヒータ１１６ｃ、調整バルブ１１６ｄ、バルブ１１６ｅおよび循環液供給管１１６ｔが配置される。ポンプ１１６ａ、フィルタ１１６ｂ、ヒータ１１６ｃ、調整バルブ１１６ｄおよびバルブ１１６ｅは、この順番に循環配管１１６の上流から下流に向かって配置される。
循環配管１１６は、第１貯留槽１１０から流れ出た燐酸液を再び第１貯留槽１１０に導く。詳細には、循環配管１１６の上流端は、外槽１１０ｂに位置し、循環配管１１６の下流端は、内槽１１０ａに位置する。循環配管１１６の下流端は、内槽１１０ａに位置する循環液供給管１１６ｔと接続される。
ポンプ１１６ａは、循環配管１１６から循環液供給管１１６ｔに燐酸液を送る。フィルタ１１６ｂは、循環配管１１６を流れる燐酸液をろ過する。フィルタ１１６ｂ は、循環配管１１６を流通する燐酸液中のパーティクル等の異物をろ過して除去する。
ヒータ１１６ｃは、循環配管１１６を流れる燐酸液を加熱する。ヒータ１１６ｃにより、燐酸液の温度が調整される。ヒータ１１６ｃは、循環配管１１６を流通する燐酸液を加熱し、処理温度に調整する。処理温度は、例えば、約１６０℃以上２００℃以下である。ヒータ１１６ｃは、燐酸液を加熱するとともに燐酸液の温度を測定可能であってもよい。この場合、ヒータ１１６ｃは、加熱部を有するとともに温度測定部を有する。
調整バルブ１１６ｄは、循環配管１１６の開度を調節して、循環液供給管１１６ｔに供給される燐酸液の流量を調整する。調整バルブ１１６ｄは、燐酸液の流量を調整する。調整バルブ１１６ｄは、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。他の調整バルブについても同様である。バルブ１１６ｅは、循環配管１１６を開閉する。なお、調整バルブ１１６ｄを省略してもよい。この場合、循環液供給管１１６ｔに供給される燐酸液の流量は、ポンプ１１６ａの制御よって調整される。
循環液供給管１１６ｔは、内槽１１０ａに配置される。ここでは、循環液供給管１１６ｔは、第１貯留槽１１０の内槽１１０ａの底部に配置される。循環液供給管１１６ｔは、内槽１１０ａ内に配置される。循環液供給管１１６ｔは、循環された燐酸液を内槽１１０ａに供給する。
なお、図９では、図面が過度に複雑になることを避けるために、１つの調整バルブ１１６ｄおよび１つのバルブ１１６ｅを示しているが、調整バルブ１１６ｄおよびバルブ１１６ｅの少なくとも一方は複数設けられてもよい。
図９では、第２貯留槽１２０は、加熱されたリンス液を貯留できる。リンス液供給部１２２は、第１リンス液供給部１２２ｐと、第２リンス液供給部１２２ｑとを有する。第１リンス液供給部１２２ｐは、加熱されたリンス液を第２貯留槽１２０に供給する。例えば、第１リンス液供給部１２２ｐは、４５℃以上７０℃以下に加熱されたリンス液を第２貯留槽１２０に供給する。第２リンス液供給部１２２ｑは、常温のリンス液を第２貯留槽１２０に供給する。
第１リンス液供給部１２２ｐは、配管１２２ａ１と、バルブ１２２ｂ１と、ヒータ１２２ｃとを含む。配管１２２ａ１は、リンス液供給源と接続される。配管１２２ａ１には、バルブ１２２ｂ１およびヒータ１２２ｃが配置される。バルブ１２２ｂ１により、第２貯留槽１２０へのリンス液の供給を制御できる。ヒータ１２２ｃにより、リンス液の温度が調整される。ヒータ１２２ｃは、配管１２２ａ１を流通するリンス液を加熱し、リンス液の温度（例えば、約６０℃～８０℃）に調整する。
第２リンス液供給部１２２ｑは、配管１２２ａ２と、バルブ１２２ｂ２とを含む。配管１２２ａ２の一端から、リンス液が第２貯留槽１２０に吐出される。配管１２２ａ２は、リンス液供給源と接続される。配管１２２ａ２には、バルブ１２２ｂ２が配置される。バルブ１２２ｂ２により、第２貯留槽１２０へのリンス液の供給を制御できる。
配管１２２ａの一端は、配管１２２ａ１および配管１２２ａ２と接続する。配管１２２ａの他端には、リンス液供給管１２２ｔが配置される。リンス液供給管１２２ｔから第２貯留槽１２０にリンス液が供給される。
例えば、リンス液転用部１４０が、リンス液浸漬期間のうちの特定期間における第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給する間、第１リンス液供給部１２２ｐが加熱されたリンス液を第２貯留槽１２０に供給してもよい。なお、第１リンス液供給部１２２ｐは、特定期間の前に、加熱したリンス液を第２貯留槽１２０に供給してもよい。また、第１リンス液供給部１２２ｐは、特定期間中に、加熱したリンス液を第２貯留槽１２０に供給してもよい。
一方で、リンス液転用部１４０が、リンス液浸漬期間のうちの特定期間における第２貯留槽１２０のリンス液を第１貯留槽１１０に供給することを停止すると、第２リンス液供給部１２２ｑが、リンス液を第２貯留槽１２０に供給してもよい。また、第２リンス液供給部１２２ｑは、特定期間の後に加熱していないリンス液を第２貯留槽１２０に供給してもよい。
なお、図９では、配管１２２ａ１および配管１２２ａ２は配管１２２ａを介してリンス液供給管１２２ｔと接続したが、配管１２２ａ１は、配管１２２ａ２と分離してリンス液供給管１２２ｔと接続してもよい。
リンス液転用部１４０は、リンス液の温度を検知可能な温度センサ１４９ａをさらに有してもよい。例えば、制御部１８２は、温度センサ１４９ａの検知結果に基づいてリンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用するか否かを判定してもよい。典型的には、温度センサ１４９ａにおいて検知されたリンス液の温度が閾値よりも高い場合、制御部１８２は、リンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用すると判定する。一方、温度センサ１４９ａにおいて検知されたリンス液の温度が閾値以下まで低下すると、制御部１８２は、リンス液受取部１４６のリンス液を第１貯留槽１１０に転用することを停止すると判定する。
なお、図６、図８および図９に示した基板処理装置１００では、リンス液転用部１４０は、第２貯留槽１２０から溢れたリンス液を受け取るリンス液受取部１４６を備え、リンス液受取部１４６のリンス液は、リンス液受取部１４６から第１貯留槽１１０または循環配管１１６に流れたが、本実施形態はこれに限定されない。リンス液受取部１４６のリンス液は、リンス液受取部１４６から、リンス液を貯留するタンクを介して、第１貯留槽１１０または循環配管１１６に流れてもよい。
また、図６、図８および図９に示した基板処理装置１００では、リンス液転用部１４０がリンス液を第１貯留槽１１０への転用を停止した後、リンス液は廃棄されたが、本実施形態はこれに限定されない。リンス液転用部１４０がリンス液を第１貯留槽１１０への転用を停止した後も、リンス液転用部１４０は、リンス液を別の用途に活用してもよい。
次に、図１～図１０を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１０の基板処理装置１００は、リンス液転用部１４０が貯留タンク１４７をさらに備え、リンス液の導電率に応じてリンス液を再利用する点を除いて、図９を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図１０に示すように、リンス液転用部１４０は、貯留タンク１４７をさらに備える。貯留タンク１４７は、リンス液受取部１４６と循環配管１１６との間において、リンス液を貯留する。貯留タンク１４７とリンス液受取部１４６との間にはバルブ１４２ａが配置され、貯留タンク１４７と循環配管１１６との間にはバルブ１４２ｂが配置される。貯留タンク１４７、バルブ１４２ａおよびバルブ１４２ｂにより、リンス液受取部１４６のリンス液は、循環配管１１６を介して第１貯留槽１１０に供給されるまでの間に一時的に貯留される。このため、循環配管１１６にリンス液を流すタイミングを適宜調整できる。
配管１４１には導電率計１４５が配置される。導電率計１４５により、リンス液の導電率を測定できる。例えば、リンス液浸漬期間において所定の時間が経過すると、基板Ｗから流れ出る燐酸液成分はほとんどない。このため、第２貯留槽１２０のリンス液には不純物がほとんどなく、第２貯留槽１２０のリンス液を新たなリンス液として再利用できる。例えば、リンス液の導電率を測定することにより、リンス液の再利用の有無を判定できる。
リンス液転用部１４０は、配管１４８ｐと、バルブ１４８ｑとをさらに有する。配管１４８ｐは、配管１４１とリンス液供給機構とを接続する。配管１４８ｐには、バルブ１４８ｑが配置される。バルブ１４８ｑを開くと、配管１４８ｐを通過したリンス液が、リンス液供給機構に供給される。例えば、リンス液の導電率に応じて、バルブ１４８ｑを開くことにより、第２貯留槽１２０のリンス液を再利用できる。
なお、図１～図１０に示した説明では、第２貯留槽１２０においてリンス処理が行われたが、本実施形態はこれに限定されない。第２貯留槽１２０においてリンス処理に加えて別の処理が行われてもよい。
次に、図１～図１１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１１の基板処理装置１００は、第２貯留槽１２０にリンス液以外の処理液が供給される点を除いて、図１０を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図１０に示すように、第２貯留槽１２０には、リンス液だけでなく第１成分液および第２成分液が供給される。例えば、第２貯留槽１２０には、第１成分液としてアンモニアが供給され、第２成分液として過酸化水素水が供給される。
基板処理装置１００は、第１成分液供給部１２３と、第２成分液供給部１２４とをさらに有する。第１成分液供給部１２３は、配管１２３ａと、バルブ１２３ｂとを含む。配管１２３ａの一端は、第１成分液供給源と接続される。配管１２３ａには、バルブ１２３ｂが配置される。配管１２３ａの他端は、配管１２２ａと接続される。バルブ１２３ｂにより、配管１２３ａおよび配管１２２ａを介して第２貯留槽１２０への第１成分液の供給を制御できる。制御装置１８０の制御によってバルブ１２３ｂを開くと、配管１２３ａおよび配管１２２ａを通過した第１成分液が、第２貯留槽１２０に供給される。
第２成分液供給部１２４は、配管１２４ａと、バルブ１２４ｂとを含む。配管１２４ａの一端は、第２成分液供給源と接続される。配管１２４ａには、バルブ１２４ｂが配置される。配管１２４ａの他端は、配管１２２ａと接続される。バルブ１２４ｂにより、配管１２４ａおよび配管１２２ａを介して第２貯留槽１２０への第２成分液の供給を制御できる。制御装置１８０の制御によってバルブ１２４ｂを開くと、配管１２４ａおよび配管１２２ａを通過した第２成分液が、第２貯留槽１２０に供給される。
ここでは、第１成分液供給部１２３および第２成分液供給部１２４は、第２貯留槽１２０に第１成分液および第２成分液を供給する。これにより、第２貯留槽１２０は、基板Ｗをリンス処理するだけでなく基板Ｗを薬液処理できる。
なお、循環配管１１６には、加熱された燐酸液を貯留する貯留タンクが配置されることが好ましい。また、第２貯留槽１２０の上方において基板Ｗにリンス液が噴出されることが好ましい。
次に、図１～図１２を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１２は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１２の基板処理装置１００は、循環配管１１６に加熱された燐酸液を貯留する温調タンクが配置されるとともに、第２貯留槽１２０の上方において基板Ｗにリンス液が噴出される点を除いて、図１１を参照して上述した構成と同様の記載を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図１２に示すように、基板処理装置１００は、温調タンク１１６ｆをさらに備える。温調タンク１１６ｆは、循環配管１１６に配置される。これにより、温調タンク１１６ｆは、加熱された燐酸液を貯留できる。なお、貯留タンク１４７は、温調タンク１１６ｆに隣接して配置されることが好ましい。例えば、貯留タンク１４７は、温調タンク１１６ｆに対して２ｍの範囲内に配置されることが好ましい。これにより、貯留タンク１４７に貯留されるリンス液の温度を高温に維持できる。
また、第２貯留槽１２０の上方に、リンス液噴出口１２２ｆおよびリンス液噴出口１２２ｇを配置することが好ましい。リンス液噴出口１２２ｆ、１２２ｇにより、第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬する前または後の基板Ｗに対してリンス液を噴出できる。
次に、図１～図１４を参照して本実施形態の基板処理方法を説明する。図１３（ａ）～図１４（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
図１３（ａ）に示すように、基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の上方で基板Ｗを保持する。基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の上方で他の基板保持機構から基板Ｗを受け取ってもよい。あるいは、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で第１貯留槽１１０の上方まで移動してもよい。
図１３（ｂ）に示すように、基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の燐酸液に基板Ｗを浸漬する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを下降することによって第１貯留槽１１０の燐酸液内に浸漬するように基板保持部１３０を制御する。
図１３（ｃ）に示すように、基板保持部１３０は、第１貯留槽１１０の燐酸液内の基板Ｗを持ち上げる。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを上昇することによって第１貯留槽１１０の燐酸液から持ち上げるように基板保持部１３０を制御する。
なお、このとき、第２貯留槽１２０のリンス液は廃棄されてもよい。
図１３（ｄ）に示すように、基板保持部１３０は、第２貯留槽１２０の上方で基板Ｗを保持する。基板保持部１３０は、第２貯留槽１２０の上方で他の基板保持機構から基板Ｗを受け取ってもよい。あるいは、基板保持部１３０は、基板Ｗを保持した状態で第２貯留槽１２０の上方まで移動してもよい。
このとき、第２貯留槽１２０にリンス液が供給されてもよい。この場合、第２貯留槽１２０には、加熱されたリンス液が供給されることが好ましい。
図１４（ａ）に示すように、基板保持部１３０は、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬する。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で下降することによって基板Ｗが第２貯留槽１２０のリンス液内に浸漬するように基板保持部１３０を制御する。
ここでは、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬する際に、第２貯留槽１２０からリンス液が溢れ出る。基板Ｗが高温の燐酸で処理された場合、第２貯留槽１２０のリンス液の温度も上昇する。リンス液受取部１４６は、第２貯留槽１２０から溢れでたリンス液を受け取る。なお、第２貯留槽１２０のリンス液は、リンス液受取部１４６、貯留タンク１４７および循環配管１１６を介して第１貯留槽１１０に供給される。なお、第２貯留槽１２０のリンス液は、リンス液受取部１４６および／または貯留タンク１４７に一旦貯留され、所定のタイミングで、第１貯留槽１１０に供給されてもよい。
このとき、第２貯留槽１２０にリンス液が供給されてもよい。この場合、第２貯留槽１２０には、加熱されたリンス液が供給されることが好ましい。
図１４（ｂ）に示すように、基板保持部１３０は、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬した状態を維持する。制御部１８２は、基板保持部１３０は基板Ｗを第２貯留槽１２０のリンス液内に浸漬した状態を維持するように基板保持部１３０を制御する。なお、第２貯留槽１２０のリンス液に基板Ｗを浸漬してからから所定期間後に、リンス液受取部１４６のリンス液は、第１貯留槽１１０に供給されない。例えば、リンス液受取部１４６のリンス液は、廃棄されてもよい。
このとき、第２貯留槽１２０にリンス液が供給されてもよい。この場合、第２貯留槽１２０には、加熱されていないリンス液が供給されてもよい。
図１４（ｃ）に示すように、基板保持部１３０は、上昇して第２貯留槽１２０のリンス液内の基板Ｗを持ち上げる。制御部１８２は、基板保持部１３０が基板Ｗを保持した状態で上昇することによって第２貯留槽１２０のリンス液から基板Ｗを持ち上げるように基板保持部１３０を制御する。このとき、リンス液噴出口１２２ｆ、１２２ｇにより、基板Ｗに対してリンス液を噴出する。
その後、第２貯留槽１２０からリンス液を排出するとともに第２貯留槽１２０に別の薬液を供給し、基板Ｗに対して別途薬液処理を行ってもよい。
本実施形態によれば、特定期間における第２貯留槽１２０のリンス液を貯留タンク１４７に貯留する。これにより、燐酸濃度が高く高温のリンス液を第１貯留槽１１０に効果的に供給できる。
次に、図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を備えた基板処理システム１０を説明する。図１５は、本実施形態の基板処理装置１００を備えた基板処理システム１０の模式図である。図１５に示した基板処理システム１０は、第１基板処理装置１００Ａ～第３基板処理装置１００Ｃを備える。
図１５に示すように、基板処理システム１０は、投入部２０と、複数の収納部３０と、受け渡し機構４０と、払出部５０と、バッファユニットＢＵと、第１搬送装置ＣＴＣと、第２搬送装置ＷＴＲと、乾燥処理装置６０と、複数の基板処理装置１００と、制御装置１８０とを備える。
複数の基板処理装置１００は、第１基板処理装置１００Ａと、第２基板処理装置１００Ｂと、第３基板処理装置１００Ｃとを備える。乾燥処理装置６０、第１基板処理装置１００Ａ、第２基板処理装置１００Ｂおよび第３基板処理装置１００Ｃは、一方向に並んで配置される。例えば、乾燥処理装置６０、第１基板処理装置１００Ａ、第２基板処理装置１００Ｂおよび第３基板処理装置１００Ｃは、第１搬送装置ＣＴＣの搬送経路に隣接して、第１搬送装置ＣＴＣの搬送経路の近くから、乾燥処理装置６０、第１基板処理装置１００Ａ、第２基板処理装置１００Ｂおよび第３基板処理装置１００Ｃの順番に配置される。
ここでは、第１基板処理装置１００Ａ～第３基板処理装置１００Ｃのそれぞれは、燐酸液を貯留する第１貯留槽１１０と、少なくともある期間においてリンス液を貯留する第２貯留槽１２０と、基板保持部１３０とを含む。ここでは、第１基板処理装置１００Ａ～第３基板処理装置１００Ｃにおける基板保持部１３０を基板保持部１３０Ａ～１３０Ｃと示すことがある。第１基板処理装置１００Ａ～第３基板処理装置１００Ｃのそれぞれには、異なる処理の行われた基板Ｗが投入されてもよい。
基板処理装置１００で処理される基板Ｗは、投入部２０から搬入される。投入部２０は、複数の載置台２２を含む。基板処理装置１００で処理された基板Ｗは、払出部５０から搬出される。払出部５０は、複数の載置台５２を含む。
投入部２０には、基板Ｗを収容した収納部３０が載置される。投入部２０に載置される収納部３０は、基板処理装置１００による処理が行われていない基板Ｗを収納する。ここでは、２つの収納部３０は、それぞれ、２つの載置台２２に載置される。
複数の収納部３０の各々は、複数の基板Ｗを収容する。各基板Ｗは、水平姿勢で収納部３０に収容される。収納部３０は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
払出部５０に載置される収納部３０は、基板処理装置１００によって処理された基板Ｗを収納する。払出部５０は、複数の載置台５２を含む。２つの収納部３０は、それぞれ、２つの載置台５２に載置される。払出部５０は、処理済みの基板Ｗを収納部３０に収納して収納部３０ごと払い出す。
バッファユニットＢＵは、投入部２０および払出部５０に隣接して配置される。バッファユニットＢＵは、投入部２０に載置された収納部３０を基板Ｗごと内部に取り込むとともに、棚（不図示）に収納部３０を載置する。また、バッファユニットＢＵは、処理済みの基板Ｗを受け取って収納部３０に収納するとともに、棚に収納部３０を載置する。バッファユニットＢＵ内には、受け渡し機構４０が配置されている。
受け渡し機構４０は、投入部２０および払出部５０と棚との間で収納部３０を受け渡す。また、受け渡し機構４０は、第１搬送装置ＣＴＣに対して基板Ｗのみの受け渡しを行う。つまり、受け渡し機構４０は、第１搬送装置ＣＴＣに対して基板Ｗのロットの受け渡しを行う。
第１搬送装置ＣＴＣは、受け渡し機構４０から未処理の複数の基板Ｗのロットを受け取った後、複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換して、複数の基板Ｗを第２搬送装置ＷＴＲに渡す。また、第１搬送装置ＣＴＣは、第２搬送装置ＷＴＲから処理済みの複数の基板Ｗのロットを受け取った後、複数の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、基板Ｗのロットを受け渡し機構４０に渡す。
第２搬送装置ＷＴＲは、基板処理システム１０の長手方向に沿って、第３基板処理装置１００Ｃから第２基板処理装置１００Ｂまで移動可能である。第２搬送装置ＷＴＲは、第１基板処理装置１００Ａ、第２基板処理装置１００Ｂおよび第３基板処理装置１００Ｃに基板Ｗのロットを搬入および搬出できる。詳細には、第２搬送装置ＷＴＲは、第１基板処理装置１００Ａ、第２基板処理装置１００Ｂおよび第３基板処理装置１００Ｃの基板保持部１３０Ａ～１３０Ｃに基板Ｗを渡し、基板保持部１３０Ａ～１３０Ｃのそれぞれにより、基板Ｗは、燐酸処理およびリンス処理される。
なお、図１～図１５を参照した上述の説明では、基板処理装置１００の第２貯留槽１２０のリンス液を同じ基板処理装置１００の第１貯留槽１１０に転用する態様を説明したが、本実施形態はこれに限定されない。第２貯留槽１２０のリンス液は、別の基板処理装置１００の第１貯留槽１１０に転用してもよい。また、第２貯留槽１２０のリンス液は、第２貯留槽１２０のリンス液に浸漬された基板Ｗを処理した第１貯留槽１１０とは別の第１貯留槽１１０に転用されてもよい。
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
１００ 基板処理装置
１１０ 第１貯留槽
１１２ 燐酸供給部
１１４ 希釈液供給部
１２０ 第２貯留槽
１２２ リンス液供給部
１３０ 基板保持部
１４０ リンス液転用部
Ｗ 基板

Claims (12)

  1. 燐酸液を貯留する第１貯留槽と、
    リンス液を貯留する第２貯留槽と、
    基板を保持して下降し、前記第２貯留槽の前記リンス液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
    前記第２貯留槽において前記基板を前記リンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給し、前記リンス液浸漬期間のうちの前記特定期間の後の期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給することを停止するリンス液転用部と
    を備える、基板処理装置。
  2. 前記第１貯留槽の前記燐酸液が前記第１貯留槽から流れ出て前記第１貯留槽に戻るように循環する循環配管をさらに備え、
    前記リンス液転用部は、前記循環配管を介して前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１貯留槽に燐酸を供給する燐酸供給部と、
    前記第１貯留槽に希釈液を供給する希釈液供給部と、
    前記第２貯留槽にリンス液を供給するリンス液供給部と
    をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記循環配管を流れる前記燐酸液を加熱するヒータをさらに備え、
    前記リンス液供給部は、前記特定期間の前に前記リンス液を加熱して前記第２貯留槽に供給し、前記特定期間の後に前記リンス液を加熱せずに前記第２貯留槽に供給する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記リンス液転用部は、前記特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液の少なくとも一部を貯留する貯留タンクを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記循環配管に配置された温調タンクをさらに備え、
    前記貯留タンクは、前記温調タンクに隣接して配置される、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 第１貯留槽に貯留された燐酸液に基板を浸漬する工程と、
    第２貯留槽に貯留されたリンス液に基板を浸漬する工程と、
    前記基板を前記リンス液に浸漬するリンス液浸漬期間のうちの特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する転用工程と、
    前記リンス液浸漬期間のうちの前記特定期間の後の期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給することを停止する転用停止工程と、
    を包含する、基板処理方法。
  8. 前記第１貯留槽の前記燐酸液が前記第１貯留槽から流れ出て前記第１貯留槽に戻る循環配管を介して前記燐酸液を循環する工程をさらに包含し、
    前記転用工程は、前記循環配管を介して前記第２貯留槽の前記リンス液を前記第１貯留槽に供給する、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記第１貯留槽に燐酸を供給する工程と、
    前記第１貯留槽に希釈液を供給する工程と、
    前記第２貯留槽にリンス液を供給する工程と
    をさらに包含する、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記循環配管を流れる燐酸液を加熱する工程をさらに包含し、
    前記リンス液を供給する工程において、前記特定期間の前に前記リンス液を加熱して前記第２貯留槽に供給し、前記特定期間の後に前記リンス液を加熱せずに前記第２貯留槽に供給する、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記転用工程は、前記特定期間における前記第２貯留槽の前記リンス液を貯留タンクに貯留する工程を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記循環配管を流れる燐酸液を温調タンクにおいて貯留する工程をさらに包含し、
    前記貯留タンクは、前記温調タンクに隣接して配置される、請求項１１に記載の基板処理方法。
JP2022062515A 2022-04-04 2022-04-04 基板処理装置および基板処理方法 Pending JP2023152479A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022062515A JP2023152479A (ja) 2022-04-04 2022-04-04 基板処理装置および基板処理方法
KR1020230043409A KR20230143114A (ko) 2022-04-04 2023-04-03 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN202310363079.3A CN116889994A (zh) 2022-04-04 2023-04-04 基板处理装置和基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022062515A JP2023152479A (ja) 2022-04-04 2022-04-04 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023152479A true JP2023152479A (ja) 2023-10-17

Family

ID=88295291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022062515A Pending JP2023152479A (ja) 2022-04-04 2022-04-04 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023152479A (ja)
KR (1) KR20230143114A (ja)
CN (1) CN116889994A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7349876B2 (ja) 2019-10-17 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230143114A (ko) 2023-10-11
CN116889994A (zh) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR100780789B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
CN107871689B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP7176904B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN107895702B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
JP6732546B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP2016184649A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6456792B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN113675109A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2023152479A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN216597515U (zh) 基片处理装置
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2019220518A (ja) 基板処理装置および処理液再利用方法
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2023282064A1 (ja) 基板処理システム、及び基板処理方法
JP5425719B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR20230117520A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240031105A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2000183011A (ja) 基板水洗方法