JP7176904B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体装置および液晶表示装置などの電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板の処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の基板処理装置では、燐酸水溶液で基板を処理する際に、燐酸水溶液中に混合気体を吹きだして気泡を発生させて燐酸水溶液を曝気攪拌している。
特開２０１８－５６２５８号公報
しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置では、処理槽内における基板の処理に偏りが生じることがあった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理槽内における基板の処理の偏りを抑制可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理するための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の前記処理液内で前記基板を保持する基板保持部と、前記処理槽に流体を供給する流体供給部と、前記基板保持部に保持された前記基板の下方に配置され、前記処理槽に液体を供給する液体供給部と、前記流体供給部および前記液体供給部を制御する制御部とを備える。前記制御部は、前記基板を浸漬させた処理液を貯留した前記処理槽に対して前記流体の供給を開始してから前記基板を浸漬させた処理液を貯留した前記処理槽に対する前記流体の供給を終了するまでの間に前記流体供給部が前記流体の供給を変更するように前記流体供給部を制御する。前記流体供給部は、前記処理槽内の第１位置に配置され、前記処理槽に流体を供給する第１流体供給部と、前記処理槽内の第２位置に配置され、前記第１流体供給部が前記流体を供給する期間とは異なる期間に前記処理槽に流体を供給する第２流体供給部とを含む。前記液体供給部は、第１液体供給管および第２液体供給管を含む。前記第１液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して一方側に配置される。前記第２液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して他方側に配置される。前記第１液体供給管には、前記基板の鉛直中心軸側に、前記基板の鉛直中心軸に斜めに向けられた吐出口が設けられている。前記第２液体供給管には、前記基板の鉛直中心軸側に、前記基板の鉛直中心軸に斜めに向けられた吐出口が設けられている。前記第１流体供給部は、第１流体供給管および第２流体供給管を有する。前記第１流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸と前記第１液体供給管との間に位置する。前記第２流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸と前記第２液体供給管との間に位置する。前記第２流体供給部は、第３流体供給管および第４流体供給管を有する。前記第３流体供給管と前記第１流体供給管との間に前記第１液体供給管が位置する。前記第４流体供給管と前記第２流体供給管との間に前記第２液体供給管が位置する。前記制御部は、第１期間において、前記第１液体供給管および前記第２液体供給管が前記液体を供給するとともに前記第１流体供給管および前記第２流体供給管が前記流体として気体を供給するように前記流体供給部および前記液体供給部を制御し、第２期間において、前記第１液体供給管および前記第２液体供給管が前記液体を供給するとともに前記第３流体供給管および前記第４流体供給管が前記流体として気体を供給するように前記流体供給部および前記液体供給部を制御する。
本発明の基板処理装置において、前記第１流体供給管および前記第２流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される。
本発明の基板処理装置において、前記第３流体供給管および前記第４流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される。
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記第１流体供給部による前記流体の供給および前記第２流体供給部による前記流体の供給を切り替えて前記第１流体供給部の前記流体および前記第２流体供給部の前記流体の少なくとも一方を前記処理槽に供給するように前記第１流体供給部および前記第２流体供給部を制御する。
本発明の基板処理装置において、前記第１液体供給管および前記第２液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される。
本発明の基板処理装置において、前記基板は、一列に複数配列されており、前記第１液体供給管の前記吐出口は、複数の基板のうちの隣接する２つの基板の間に位置し、前記第２液体供給管の前記吐出口は、複数の基板のうちの隣接する２つの基板の間に位置する。
本発明によれば、処理槽内における基板の処理の偏りを抑制できる。
本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、基板が処理槽に投入する前および後の本実施形態の基板処理装置を示す模式的な斜視図である。 本実施形態の基板処理装置における第１流体供給部、第２流体供給部および液体供給部の模式的な上面図である。 本実施形態の基板処理装置における第１流体供給部、第２流体供給部および液体供給部の模式的な上面図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な側面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）は、本実施形態の基板処理装置における処理槽の模式図であり、（ｂ）および（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置における基板保持部の模式図である。
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
図１を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図１は本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。
基板処理装置１００は基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。
基板処理装置１００は、処理液Ｌで基板Ｗを処理する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを複数枚まとめて処理する。処理液Ｌにより、基板Ｗには、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。
基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、流体供給部１３０と、制御部１４０とを備える。処理槽１１０は、基板Ｗを処理するための処理液Ｌを貯留する。
基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０によって保持された基板Ｗの主面の法線方向はＹ方向に平行である。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを移動させる。例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持したまま鉛直方向に沿って鉛直上方または鉛直下方に移動する。
典型的には、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗをまとめて保持する。ここでは、複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って一列に配列される。なお、基板保持部１２０は、一枚のみの基板Ｗを保持してもよい。
流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体を供給する。詳細には、流体供給部１３０は、処理液Ｌの貯留された処理槽１１０に流体を供給する。流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を供給することにより、基板Ｗの処理が促進される。
流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体として気体を供給してもよい。流体供給部１３０が、処理槽１１０に気体を供給することにより、処理液Ｌ内に気泡が形成される。処理液Ｌ内に形成された気泡は、処理液Ｌ内を浮上し、処理槽１１０内の処理液Ｌと気体（例えば、空気または所定雰囲気）との界面にまで達する。
気泡が処理液Ｌ中を浮上する際に、気泡は基板Ｗの表面に接触する。この場合、気泡は、処理液中の基板Ｗとの接触部分を押し出しながら基板Ｗの表面を上方に向けて移動し、気泡が通過した後には、周囲に存在する新鮮な処理液Ｌが進入する。このように、気泡が基板Ｗの表面に接触することにより、基板Ｗの表面を攪拌でき、これにより、基板Ｗの表面における処理液を新鮮な処理液に置換できる。その結果、基板Ｗの処理速度を向上させることができる。なお、基板処理装置１００がエッチングを行う場合、流体供給部１３０は、流体として気体を供給することが好ましい。
あるいは、流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体として液体を供給してもよい。この場合、流体供給部１３０は、処理槽１１０内の処理液Ｌに対して下方の位置から上方に向けて液体を供給することが好ましい。一例として、流体は、処理槽１１０に貯留された処理液Ｌと同じ種類の処理液Ｌであってもよい。
流体供給部１３０が流体として処理液Ｌを供給する場合でも、上方に向けて供給された処理液は、処理液中の基板Ｗとの接触部分を押し出しながら基板Ｗの表面を上方に向けて移動し、上方に向けて供給された処理液が通過した後には、周囲に存在する新鮮な処理液Ｌが進入する。このように、上方に向けて供給された処理液が基板Ｗの表面に接触することにより、基板Ｗの表面を攪拌することができ、これにより、基板Ｗの表面における処理液Ｌを新鮮な処理液に置換させることができる。その結果、基板Ｗの処理速度を向上させることができる。
制御部１４０は、流体供給部１３０を制御する。制御部１４０の制御により、流体供給部１３０による流体の供給は制御される。図１では、制御部１４０の制御による流体供給部１３０から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆで示している。
制御部１４０は、流体供給部１３０を制御する。制御部１４０は、流体供給部１３０による流体の供給の開始および停止を制御する。なお、制御部１４０は、処理槽１１０内に配置された流体供給部１３０を直接制御してもよい。あるいは、制御部１４０は、処理槽１１０内に配置された流体供給部１３０に連絡する配管を流れる流体を制御してもよい。例えば、制御部１４０は、処理槽１１０の外部に配置された流体供給部１３０と連絡するノズル、調整弁等を制御することで、流体供給部１３０による流体の供給を制御してもよい。
本実施形態の基板処理装置１００において、制御部１４０は、基板Ｗの浸漬した処理液を貯留した処理槽１１０に流体の供給を開始するように流体供給部１３０を制御する。また、制御部１４０は、基板Ｗの浸漬した処理液を貯留した処理槽１１０に流体の供給を終了するように流体供給部１３０を制御する。制御部１４０は、上記状態での流体の供給の開始から上記状態での流体の供給の終了までの期間において、流体供給部１３０が流体の供給を変更するように流体供給部１３０を制御する。これにより、基板Ｗの処理時に、基板Ｗに対する流体の供給が変更されるため、基板Ｗに対する処理の偏りを抑制できる。
次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図２（ａ）～図２（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
図２（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬される。流体供給部１３０は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体を第１条件で供給する。図２（ａ）には、流体供給部１３０から処理槽１１０に供給される流体の供給を矢印Ｆａで示している。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬するまで基板保持部１２０を下方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を第１条件で供給するように流体供給部１３０を制御する。
図２（ｂ）に示すように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給部１３０は、基板Ｗに対する流体の供給を変更する。ここでは、流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体を第２条件で供給する。図２（ｂ）には、流体供給部１３０から処理槽１１０に供給される流体の供給を矢印Ｆｂで示している。なお、流体の供給Ｆｂは、流体の供給Ｆａとは異なる。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬することを維持したまま、流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を第２条件で供給するように流体供給部１３０を制御する。
図２（ｃ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持する基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０は、流体の供給を終了する。なお、流体供給部１３０による流体の供給を終了してから基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる場合、基板Ｗの処理は、流体供給部１３０による流体の供給が終了してからも継続してもよい。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌから引き上げられるまで基板保持部１２０を上方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０による流体の供給を終了するように流体供給部１３０を制御する。以上のようにして、基板処理は終了する。
上述したように、流体の供給Ｆｂは、流体の供給Ｆａとは異なるように、流体供給部１３０からの流体の供給を変更する。流体供給部１３０からの流体の供給は、流体を供給する流体供給部１３０の位置が異なってもよい。例えば、流体供給部１３０が、それぞれが流体を供給可能な複数の部材から構成される場合、第１条件下では、流体供給部１３０のある部材から流体が供給され、第２条件下では、流体供給部１３０の別の部材から流体が供給されてもよい。
あるいは、流体供給部１３０からの流出量が変更されてもよい。例えば、第２条件における流体の流出量は、第１条件における流体の流出量とは異なってもよい。一例では、第２条件における流体の流出量は、第１条件における流体の流出量よりも多くてもよく、あるいは、少なくてもよい。
あるいは、流体供給部１３０からの流体の供給は、供給される流体の種類を変更することによって変更されてもよい。例えば、第２条件における流体の主成分は、第１条件における流体の主成分とは異なってもよい。または、第２条件における流体の濃度は、第１条件における流体の濃度とは異なってもよい。あるいは、第２条件における流体の添加物は、第１条件における流体の添加物とは異なってもよい。
また、図２を参照して上述した説明では、流体の供給は、第１条件から第２条件に変更されたが、本実施形態はこれに限定されない。流体の供給は、３以上の異なる条件に変更されてもよい。
本実施形態の基板処理方法によれば、制御部１４０は、基板Ｗが処理槽１１０内の処理液Ｌ内に浸漬している状態で流体の供給を変更するように流体供給部１３０を制御する。これにより、基板Ｗに対して供給される流体が異なるため、基板Ｗの処理に対する偏りを抑制できる。
上述したように、流体供給部１３０は、それぞれが流体を供給可能な複数の部材から構成されてもよい。この場合、第１条件下において、流体供給部１３０のある部材から流体が供給され、第２条件下において、流体供給部１３０は別の部材から流体が供給される。
次に、図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図３に示した基板処理装置１００は、流体供給部１３０が第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む点を除いて、図１および図２を参照して上述した基板処理装置１００と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、流体供給部１３０と、制御部１４０とを備える。流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。
第１流体供給部１３２は、処理液Ｌの貯留された処理槽１１０に流体を供給する。また、第２流体供給部１３４は、処理液Ｌの貯留された処理槽１１０に流体を供給する。なお、第１流体供給部１３２の流体の種類および流量は、第２流体供給部１３４の流体の種類および流量と異なってもよい。
ここでは、基板Ｗは薄い略円板状である。基板Ｗは、基板Ｗの中心を通って主面の法線方向に延びる中心軸を有する。基板Ｗの中心軸はＹ方向に平行である。
図３では、基板Ｗの中心を通って鉛直方向に延びる仮想中心線ＣＬを示す。仮想中心線ＣＬはＺ方向に延びる。仮想中心線ＣＬは基板Ｗの鉛直中心軸である。基板Ｗの仮想中心線ＣＬは基板Ｗの中心軸と直交する。
第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は管状である。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、基板Ｗの主面の法線方向（Ｙ方向）に延びている。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０の底部に配置される。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗの下方に位置する。
第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０の底部において、仮想中心線ＣＬを挟むように配置される。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、平面視で仮想中心線ＣＬに対してほぼ対称に配置される。仮想中心線ＣＬから第１流体供給部１３２までの距離は、仮想中心線ＣＬから第２流体供給部１３４までの距離とほぼ等しい。
次に、図４を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図４（ａ）～図４（ｃ）は、図３に示した基板処理装置１００による基板処理方法を説明するための模式図である。
図４（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬させる。流体供給部１３０は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、第１流体供給部１３２は、処理槽１１０に流体を供給する。図４（ａ）では、第１流体供給部１３２から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆａで示している。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬するまで基板保持部１２０を下方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、第１流体供給部１３２が処理槽１１０に流体を供給するように流体供給部１３０を制御する。
図４（ｂ）に示すように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給部１３０は、基板Ｗに対する流体の供給を変更する。ここでは、第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に流体を供給する。図４（ｂ）には、第２流体供給部１３４から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆｂで示している。なお、第２流体供給部１３４は第１流体供給部１３２とは異なる位置に配置されている。このため、第２流体供給部１３４による流体の供給Ｆｂは、第１流体供給部１３２による流体の供給Ｆａとは異なる。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬することを維持したまま、流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を第２条件で供給するように流体供給部１３０を制御する。
図４（ｃ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持された基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、第２流体供給部１３４は、流体の供給を終了する。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌから引き上げられるまで基板保持部１２０を上方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０による流体の供給を終了するように流体供給部１３０を制御する。以上のようにして、基板処理は終了する。
なお、図４に示した基板処理方法では、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の一方が処理槽１１０に流体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の両方が処理槽１１０に流体を供給してもよい。
次に、図５を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図５（ａ）～図５（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。図５（ａ）～図５（ｄ）に示した基板処理方法は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４から同時に流体を供給する工程を含む点を除いて、図４を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図５（ａ）では、図２（ａ）を参照して上述したように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬させる。第１流体供給部１３２は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。なお、ここでは、第１流体供給部１３２が流体を処理槽１１０に流体を供給する一方で、第２流体供給部１３４が処理槽１１０に流体を供給しない期間を一方供給期間と記載することがある。
図５（ｃ）では、図２（ｂ）を参照して上述したように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に流体を供給する。なお、ここでは、第２流体供給部１３４が処理槽１１０に流体を供給する一方で、第１流体供給部１３２が処理槽１１０に流体を供給しない期間を他方供給期間と記載することがある。
本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、一方供給期間（図５（ａ））と、他方供給期間（図５（ｃ））との間に、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が同時に処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４がそれぞれ処理槽１１０に流体を供給する期間を両方供給期間と記載することがある。
例えば、両方供給期間において、第１流体供給部１３２は一方供給期間と同じ条件で処理槽１１０に流体を供給してもよく、同様に、第２流体供給部１３４は他方供給期間と同じ条件で処理槽１１０に流体を供給してもよい。ただし、両方供給期間において、第１流体供給部１３２が一方供給期間と同じ条件で流体を供給し、第２流体供給部１３４が他方供給期間と同じ条件で流体を供給する場合、両方供給期間が比較的長いと、流体の供給量が多くなりすぎるため、処理液Ｌが処理槽１１０から溢れてしまうことがある。このため、両方供給期間において、第１流体供給部１３２が一方供給期間と同じ条件で流体を供給し、第２流体供給部１３４が他方供給期間と同じ条件で流体を供給する場合、両方供給期間の長さは、一方供給期間および他方供給期間のそれぞれもよりも短いことが好ましい。
あるいは、両方供給期間において、第１流体供給部１３２による流体の流量は、一方供給期間よりも少なくてもよい。同様に、両方供給期間において、第２流体供給部１３４による流体の流量は、他方供給期間よりも少なくてもよい。
図５（ｃ）に示した他方供給期間の後、図５（ｄ）では、図２（ｃ）を参照して上述したように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗは処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０は、流体の供給を終了する。
なお、図３～図５では、第１流体供給部１３２が処理槽１１０内のある位置から流体を供給し、第２流体供給部１３４が処理槽１１０内の別の位置から流体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。
次に、図６を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図６（ａ）～図６（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。図６（ａ）～図６（ｃ）に示した基板処理方法は、基板処理装置１００において第１流体供給部１３２が流体供給管１３２ａ、１３２ｂを含み、第２流体供給部１３４が流体供給管１３４ａ、１３４ｂを含む点を除いて、図４を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図６（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａと流体供給管１３２ｂとを有し、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａと流体供給管１３４ｂとを有する。
流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂは、それぞれ処理槽１１０の底部に配置されている。ここでは、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂは、基板Ｗの主面の法線方向と平行（Ｙ方向）に延びる。
流体供給管１３２ａ、１３２ｂは、平面視で仮想中心線ＣＬに対してほぼ対称に配置される。仮想中心線ＣＬから流体供給管１３２ａまでの距離は、仮想中心線ＣＬから流体供給管１３２ｂまでの距離とほぼ等しい。同様に、流体供給管１３４ａ、１３４ｂは、平面視で仮想中心線ＣＬに対してほぼ対称に配置される。仮想中心線ＣＬから流体供給管１３４ａまでの距離は、仮想中心線ＣＬから流体供給管１３４ｂまでの距離とほぼ等しい。
基板処理装置１００において、基板保持部１２０は保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬させる。基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、第１流体供給部１３２は、第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂから、処理槽１１０に流体を供給する。図６（ａ）では、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂから処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆａで示している。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬するまで基板保持部１２０を下方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、第１流体供給部１３２が、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂから処理槽１１０に流体を供給するように流体供給部１３０を制御する。
図６（ｂ）に示すように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給部１３０は、基板Ｗに対する流体の供給を変更する。ここでは、第２流体供給部１３４が、流体供給管１３４ａおよび流体供給管１３４ｂから、処理槽１１０に流体を供給する。図６（ｂ）には、第２流体供給部１３４から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆｂで示している。なお、流体供給管１３４ａおよび流体供給管１３４ｂは、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂとは異なる位置に配置されている。このため、流体供給管１３４ａおよび流体供給管１３４ｂからの流体の供給Ｆｂは、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂからの流体の供給Ｆａとは異なる。
図６（ｃ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、第２流体供給部１３４は、流体の供給を終了する。以上のようにして、基板処理は終了する。
上述した説明で参照した図２および図４～図６では、流体供給部１３０は、処理槽１１０の処理液Ｌに基板Ｗが浸漬した状態で流体供給部１３０は流体を処理槽１１０に供給していた。なお、流体供給部１３０が流体の供給を開始するタイミングは、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬を開始するタイミングよりも早くてもよい。
次に、図７を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図７（ａ）～図７（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。図７を参照して説明する基板処理方法は、流体供給部１３０が流体の供給を開始した後で処理槽１１０の処理液Ｌに基板Ｗを浸漬することを開始する点を除いて、図４を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図７（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬する前に、流体供給部１３０は、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、第１流体供給部１３２は、処理槽１１０に流体を供給する。制御部１４０は、第１流体供給部１３２が処理槽１１０に流体を供給するように流体供給部１３０を制御する。図７（ａ）では、第１流体供給部１３２から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆａで示している。
図７（ｂ）に示すように、基板処理装置１００の処理槽１１０内において、流体供給部１３０によって流体の供給の開始された処理液Ｌに、基板保持部１２０に保持された基板Ｗを浸漬させる。制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬するまで基板保持部１２０を下方に移動するように基板保持部１２０を制御する。
図７（ｃ）では、図４（ｂ）を参照して上述したように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に流体を供給する。
図７（ｄ）では、図４（ｃ）を参照して上述したように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、第２流体供給部１３４は、流体の供給を終了する。以上のようにして、基板処理は終了する。
図７を参照した基板処理方法では、基板Ｗを処理液Ｌに浸漬する前に流体供給部１３０による流体の供給を開始している。このため、基板Ｗを処理液Ｌに浸漬したタイミングで流体を用いた基板Ｗの処理を開始でき、処理時間を短縮できる。
なお、図７を参照した上述の説明では、流体供給部１３０が流体の供給を開始するタイミングは、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬を開始するタイミングよりも早かったが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬を開始するタイミングは流体供給部１３０が流体の供給を開始するタイミングよりも早くてもよい。
次に、図８を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図８（ａ）～図８（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。図８を参照して説明する基板処理方法は、処理槽１１０の処理液Ｌに基板Ｗが浸漬した後に流体供給部１３０が流体の供給を開始する点を除いて、図４を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図８（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬する。制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬するまで基板保持部１２０を下方に移動するように基板保持部１２０を制御する。
その後、図８（ｂ）に示すように、流体供給部１３０は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、第１流体供給部１３２は、処理槽１１０に流体を供給する。図８（ｂ）では、第１流体供給部１３２から処理槽１１０への流体の供給を矢印Ｆａで示している。
図８（ｃ）では、図４（ｂ）を参照して上述したように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に流体を供給する。
図８（ｄ）では、図４（ｃ）を参照して上述したように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、第２流体供給部１３４は、流体の供給を終了する。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌから引き上げられるまで基板保持部１２０を上方に移動するように基板保持部１２０を制御する。制御部１４０は、また、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０による流体の供給を終了するように流体供給部１３０を制御する。以上のようにして、本実施形態の基板処理は終了する。
図８を参照した本実施形態では、基板Ｗを処理液Ｌに浸漬した後に、流体供給部１３０による流体の供給を開始する。このため、基板Ｗが処理液Ｌ中を移動し終えた後に流体の供給が開始される。したがって、流体の供給によって処理槽１１０内の処理液Ｌが比較的大きく揺動する場合でも、流体の供給時には、基板Ｗは停止しているため、処理槽１１０から処理液Ｌが溢れることを抑制できる。
なお、図７および図８を参照した説明では、基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬を開始するタイミングおよび流体供給部１３０が流体の供給を開始するタイミングの一方は他方よりも早かったが本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬を開始するタイミングおよび流体供給部１３０が流体の供給を開始するタイミングはほぼ同時であってもよい。
なお、図１～図８に示した基板処理装置１００では、流体供給部１３０は同じ位置に配置されていたが、本実施形態はこれに限定されない。流体供給部１３０は処理槽１１０内で移動してもよい。
次に、図９を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図９（ａ）～図９（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。図９を参照して説明する基板処理方法は、流体供給部１３０が移動する点を除いて、図１を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図９（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬させる。流体供給部１３０は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、流体供給部１３０は、処理槽１１０内の第１位置に位置しており、流体供給部１３０は、第１位置から、処理液Ｌに流体を供給する。
制御部１４０は、流体供給部１３０の位置を制御できる。例えば、流体供給部１３０は、制御部１４０の制御により、処理槽１１０の底部をＸ方向および／またはＹ方向に移動する。制御部１４０は、また、流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を供給するように流体供給部１３０を制御する。
図９（ｂ）に示すように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給部１３０は、基板Ｗに対する流体の供給を変更する。ここでは、流体供給部１３０は、流体を供給し続けながら第１位置から第２位置まで移動する。これにより、基板Ｗには、異なる位置の流体供給部１３０から供給された流体が接触するため、基板Ｗの広い面を均一に処理できる。
制御部１４０は、基板Ｗの全体が処理槽１１０内の処理液Ｌに浸漬することを維持したまま、流体供給部１３０を処理槽１１０内で移動させるとともに流体供給部１３０が処理槽１１０に流体を供給するように流体供給部１３０を制御する。ここでは、制御部１４０は、流体供給部１３０が基板ＷのＸ方向の一方の端部の下方から基板ＷのＸ方向の他方の端部の下方にまで移動するように制御する。なお、制御部１４０は、流体供給部１３０が基板ＷのＸ方向の両端部の下方の間を往復して移動するように制御してもよい。
図９（ｃ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、流体供給部１３０は、流体の供給を終了する。以上のようにして、基板処理は終了する。
なお、図９に示した基板処理方法では、１つの流体供給部１３０が移動したが、本実施形態はこれに限定されない。１つの流体供給部１３０は、それぞれが流体を供給する複数の部材を含み、複数の部材がそれぞれ移動してもよい。
次に、図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。本実施形態の基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。例えば、基板処理装置１００は複数の基板Ｗに対して一括してエッチングする。
本実施形態の基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、流体供給部１３０と、制御部１４０とを備える。処理槽１１０は、処理液Ｌを貯留する。例えば、処理液Ｌは、エッチング液を含む。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０により、複数の基板Ｗを一括して、処理槽１１０に貯留されている処理液Ｌに浸漬できる。ここでは、流体供給部１３０は、処理液Ｌの貯留された処理槽１１０に流体として気体を供給する。
基板処理装置１００は、気体搬送部１５０および循環部１６０をさらに備える。気体搬送部１５０は、流体供給部１３０に気体を搬送する。循環部１６０は、処理槽１１０に貯留されている処理液Ｌを循環させる。
基板処理装置１００は、処理液供給部１７０と、水供給部１８０とをさらに備える。処理液供給部１７０は、処理液を処理槽１１０に供給する。水供給部１８０は、水を処理槽１１０に供給する。制御部１４０は、基板保持部１２０、流体供給部１３０、循環部１６０、処理液供給部１７０および水供給部１８０を制御する。
処理槽１１０は、内槽１１２および外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２および外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液Ｌを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。
内槽１１２には、規制部１１２ａが設けられる。規制部１１２ａは、基板Ｗを処理する際の基板ＷのＸ方向両端部において、１枚の基板Ｗの両方の主面と対向するように設けられる。規制部１１２ａにより、基板Ｗの位置が規制される。このため、基板Ｗは、所定の位置で均一に処理される。
処理槽１１０は、蓋１１６をさらに有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。
蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの－Ｘ方向側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの＋Ｘ方向側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａおよび開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。
内槽１１２の底壁には、排液配管１１８ａが接続される。排液配管１１８ａにはバルブ１１８ｂが配置される。バルブ１１８ｂは、制御部１４０によって開閉する。バルブ１１８ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液は排液配管１１８ａを通って外部に排出される。排出された処理液は排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液Ｌに浸漬される。
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。ここでは、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面からＹ方向に延びる。複数の基板Ｗは、紙面の奥手前方向に複数の基板Ｗを配列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図１０に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図示しない）との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液に浸漬される。これにより、基板Ｗに対するエッチング処理が施される。
流体供給部１３０は、処理槽１１０に配置される。ここでは、流体供給部１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の底部に配置される。流体供給部１３０は、内槽１１２に貯留された処理液Ｌ内に配置される。
ここでは、流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２と、第２流体供給部１３４とを含む。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ、１３２ｂを含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａおよび１３４ｂを含む。流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａおよび１３４ｂは、流体として気体を処理槽１１０に供給する。気体は、例えば不活性ガスである。一例では、気体は、窒素ガスを含む。あるいは、気体は、空気であってもよい。流体供給管１３２ａ、１３２ｂから同時に処理槽１１０に気体が供給される。また、流体供給管１３４ａ、１３４ｂから同時に処理槽１１０に気体が供給される。
気体搬送部１５０は、配管１５２と、バルブ１５４と、調整バルブ１５６とを備える。バルブ１５４および調整バルブ１５６は、配管１５２に配置される。配管１５２は、流体供給部１３０に連結する。配管１５２は、気体を処理槽１１０内の流体供給部１３０に導く。バルブ１５４は、配管１５２を開閉する。調整バルブ１５６により、配管１５２の開度を調節して、流体供給部１３０に搬送する気体の流量を調整する。
なお、図１０では、図面が過度に複雑になることを避けるために、１つのバルブ１５４および１つの調整バルブ１５６を示しているが、バルブ１５４および調整バルブ１５６のいずれかは複数設けられてもよい。これにより、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂに供給される気体の量を適宜調整できる。
処理槽１１０には、液体供給部１６８が設けられる。液体供給部１６８は、処理槽１１０の内槽１１２に液体を供給する。典型的には、液体供給部１６８は、内槽１１２に貯留された処理液Ｌと同じ種類の処理液を供給する。
ここでは、液体供給部１６８は複数の液体供給管１６８ａ、１６８ｂを含む。液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂは異なる位置に配置される。
循環部１６０は、配管１６１と、ポンプ１６２、フィルタ１６３、ヒータ１６４、調整バルブ１６５およびバルブ１６６を含む。ポンプ１６２、フィルタ１６３、ヒータ１６４、調整バルブ１６５およびバルブ１６６は、この順番に配管１６１の上流から下流に向かって配置される。
配管１６１は、処理槽１１０から排出された処理液を再び処理槽１１０に導く。配管１６１の下流端に、液体供給管１６８ａ、１６８ｂが接続される。
ポンプ１６２は、配管１６１から液体供給管１６８ａ、１６８ｂに処理液を送る。フィルタ１６３は、配管１６１を流れる処理液をろ過する。ヒータ１６４は、配管１６１を流れる処理液を加熱する。ヒータ１６４により、処理液の温度が調整される。
調整バルブ１６５は、配管１６１の開度を調節して、液体供給管１６８ａ、１６８ｂに供給される処理液の流量を調整する。調整バルブ１６５は、処理液の流量を調整する。調整バルブ１６５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。他の調整バルブについても同様である。バルブ１６６は配管１６１を開閉する。
なお、調整バルブ１６５を省略してもよい。この場合、液体供給管１６８ａ、１６８ｂに供給される処理液の流量は、ポンプ１６２の制御よって調整される。
処理液供給部１７０は、ノズル１７２と、配管１７４と、バルブ１７６とを含む。ノズル１７２は処理液を内槽１１２に吐出する。ノズル１７２は、配管１７４に接続される。配管１７４には、処理液供給源からの処理液が供給される。配管１７４には、バルブ１７６が配置される。
制御部１４０がバルブ１７６を開くと、ノズル１７２から吐出された処理液が、内槽１１２内に供給される。そして、内槽１１２の上縁から処理液が溢れると、溢れた処理液は、外槽１１４によって受け止められ、回収される。
水供給部１８０は、ノズル１８２と、配管１８４と、バルブ１８６とを含む。ノズル１８２は、水を外槽１１４に吐出する。ノズル１８２は、配管１８４に接続される。配管１８４に供給される水は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１８４には、水供給源からの水が供給される。配管１８４には、バルブ１８６が配置される。制御部１４０がバルブ１８６を開くと、ノズル１８２から吐出された水が、外槽１１４内に供給される。
例えば、基板処理装置１００は、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（酸化膜）およびシリコン窒化膜（窒化膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面から酸化膜および窒化膜を選択的に除去する。例えば、配管１７４に供給される処理液として燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の水溶液（以下、「燐酸」という）が用いられると、基板Ｗの表面から窒化膜が除去される。
流体供給部１３０は、内槽１１２の処理液Ｌに気泡を発生させる。気体は、不活性ガス供給源から、配管１５２を通過して、流体供給部１３０から内槽１１２の処理液Ｌに供給される。
流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ、１３２ｂを含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａ、１３４ｂを含む。なお、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂには、多数の気泡吐出口Ｇが形成されている。気体搬送部１５０の配管１５２には、バルブ１５４と調整バルブ１５６とが配置される。バルブ１５４は、配管１５２を開閉する。調整バルブ１５６は、配管１５２の開度を調節して、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂに供給される不活性ガスの流量を調整する。
流体供給管１３２ａは、液体供給管１６８ａと仮想中心線ＣＬとの間に位置する。このため、流体供給管１３２ａからの流体は基板Ｗの中央部に供給されることになり、基板Ｗの広い面積を効率的に処理できる。同様に、流体供給管１３２ｂは、液体供給管１６８ｂと仮想中心線ＣＬとの間に位置する。このため、流体供給管１３２ｂからの流体は基板Ｗの中央部に供給されることになり、基板Ｗの広い面積を効率的に処理できる。
例えば、第１流体供給部１３２は、基板Ｗが処理槽１１０に浸漬した状態で、第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂから、処理槽１１０に流体を供給する。その後、基板保持部１２０に保持された基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３２ｂからの流体の供給は終了し、第２流体供給部１３４が、流体供給管１３４ａおよび流体供給管１３４ｂから、処理槽１１０に流体を供給する。
制御部１４０は、例えば、マイクロコンピュータを用いて構成される。制御部１４０は、ＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有する。記憶ユニットには、演算ユニットの実行するプログラムが記憶されている。
制御部１４０は、予め定められたプログラムに従って、昇降ユニット１２６、ポンプ１６２およびヒータ１６４等の動作を制御する。また、制御部１４０は、バルブ１１８ｂ、バルブ１５４、バルブ１６６、バルブ１７６、バルブ１８６等の開閉動作を制御する。さらに、制御部１４０は、調整バルブ１５６、調整バルブ１６５等の開度調整動作を制御する。
次に、図１１を参照して、基板Ｗを処理槽１１０に浸漬する前および後の基板処理装置１００を説明する。図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前および後の本実施形態の基板処理装置１００の模式的な斜視図である。なお、図１１では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図１０に示した蓋１１６および処理槽１１０内の処理液Ｌを省略して示している。
図１１（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、水平方向（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。例えば、基板保持部１２０は、５０枚の基板Ｗを保持する。
図１１（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。本体板１２２のＸ方向の長さは、処理槽１１０の内槽１１２のＸ方向の長さよりも若干短い。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
図１１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液に浸漬する。なお、図１１には図示していないが、図１０に示したように、内槽１１２の上部開口は蓋１１６によって塞がれる。
次に、図１２を参照して、図１０および図１１に示した基板処理装置１００における処理槽１１０内の第１流体供給部１３２、第２流体供給部１３４および液体供給部１６８の構成を説明する。図１２は、図１０に示した基板処理装置１００に含まれる内槽１１２の底部を示す模式的な平面図である。
図１２に示すように、液体供給部１６８は、液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂを含む。液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂは、平面視で、基板保持部１２０（図１０参照）に保持されている基板Ｗの中心を通ってＹ方向に延びる仮想中心線ＣＬを挟むようにそれぞれ配置される。液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂは、内槽１１２の底部において、それぞれ、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿う水平方向に延びている。液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂは、円筒チューブを用いて形成される。
図１２に示すように、液体供給部１６８には、処理液吐出口Ｐが設けられる。液体供給部１６８の液体は、処理液吐出口Ｐから処理槽１１０内に供給される。処理液吐出口Ｐは、内槽１１２の底部において内槽１１２の上方に向けて処理液Ｌを吐出する。
処理液吐出口Ｐは、液体供給管１６８ａに設けられた吐出口Ｐａと、液体供給管１６８ｂに設けられた吐出口Ｐｂとを含む。吐出口Ｐａ、Ｐｂは、基板Ｗの配列方向に沿って、一列または複数列（この実施形態では一列）に配列されている。吐出口Ｐａ、Ｐｂは、平面視で基板Ｗの間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。吐出口Ｐａおよび吐出口Ｐｂは、それぞれ、基板Ｗの間の間隔と同じ間隔を空けて並んでいる。吐出口Ｐａ、Ｐｂは、それぞれ、液体供給管１６８ａ、１６８ｂの管壁に穴を開けることにより形成されている。吐出口Ｐａ、Ｐｂは、仮想中心線ＣＬに対して対称に設けられる。制御部１４０がバルブ１６６（図１０）を開いた状態で、ポンプ１６２を駆動させると、調整バルブ１６５により調整された吐出流量で各吐出口Ｐａ、Ｐｂから処理液が吐出される。
ここでは、第１流体供給部１３２は、離れた場所に位置する流体供給管１３２ａ、１３２ｂを含む。また、第２流体供給部１３４は、離れた場所に位置する流体供給管１３４ａ、１３４ｂを含む。
平面視において、流体供給管１３２ａ、１３２ｂは、液体供給管１６８ａと液体供給管１６８ｂとの間に配置される。このため、流体供給管１３２ａ、１３２ｂは内側配管とも呼ばれる。一方、平面視において、流体供給管１３４ａは、液体供給管１６８ａに対し、内側配管とは反対側に配置される。同様に、流体供給管１３４ｂは、液体供給管１６８ｂに対し、内側配管とは反対側に配置される。このため、流体供給管１３４ａ、１３４ｂは外側配管とも呼ばれる。
なお、流体供給管１３２ａ、１３２ｂは、平面視で仮想中心線ＣＬを挟むようにそれぞれ配置される。流体供給管１３２ａ、１３２ｂは、平面視で仮想中心線ＣＬに対してほぼ対称に配置される。仮想中心線ＣＬから流体供給管１３２ａまでの距離は、仮想中心線ＣＬから流体供給管１３２ｂまでの距離とほぼ等しい。同様に、流体供給管１３４ａ、１３４ｂは、平面視で仮想中心線ＣＬに対してほぼ対称に配置される。仮想中心線ＣＬから流体供給管１３４ａまでの距離は、仮想中心線ＣＬから流体供給管１３４ｂまでの距離とほぼ等しい。
流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂは、内槽１１２の底部（すなわち、基板保持部１２０に保持されている基板Ｗの下方）において、それぞれ、基板Ｗの配列方向（図１２の左右方向）に沿う水平方向に延びている。流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂは、円筒チューブ（例えば、石英製）を用いて形成される。
図１２に示すように、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４には、気泡吐出口Ｇが設けられる。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の気体は、気泡吐出口Ｇから処理槽１１０の処理液Ｌ内に供給され、処理液Ｌにおいて気泡が形成される。制御部１４０がバルブ１５４を開くと、調整バルブ１５６により調整された吐出流量で各気泡吐出口Ｇから気泡が吐出される。
気泡吐出口Ｇは、流体供給管１３４ａに設けられた吐出口Ｇａと、流体供給管１３４ｂに設けられた吐出口Ｇｂと、流体供給管１３２ａに設けられた吐出口Ｇｃと、流体供給管１３２ｂに設けられた吐出口Ｇｄとを含む。吐出口Ｇａ～Ｇｄは、基板Ｗの配列方向に沿って、一列または複数列（この実施形態では一列）に配列されている。吐出口Ｇａ～Ｇｄは、平面視で基板Ｗの間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に気泡を供給するように設けられる。吐出口Ｇａ～Ｇｄは、それぞれ、基板Ｗの間と同じ間隔を空けて並んでいる。
吐出口Ｇａ～Ｇｄは、それぞれ、流体供給管１３２ａ～１３４ｂの管壁に穴を穿けることにより形成される。各流体供給管１３２ａ～１３４ｂの管径は、例えば、約８．０ｍｍであり、各吐出口Ｇａ～Ｇｄの直径は、例えば、約０．３ｍｍである。なお、流体供給管１３２ａ～１３４ｂが流体として気体を供給する場合、流体供給管１３２ａ～１３４ｂの吐出口Ｇａ～Ｇｄから気泡が発生する。吐出口Ｇａ～Ｇｄから吐出される気泡の直径（気泡径）は、約２．０～約３．５ｍｍの範囲である。気泡径が小さい方が気泡による基板Ｗ表面近傍の処理液の攪拌の程度は大きいと考えられるから、気泡径は小さいことが好ましい。
吐出口Ｇａおよび吐出口Ｇｂは、仮想中心線ＣＬに対して対称に設けられる。また、吐出口Ｇｃおよび吐出口Ｇｄは、仮想中心線ＣＬに対して対称に設けられる。
なお、基板処理装置１００が基板Ｗを処理する場合、基板処理装置１００は、蓋１１６（図１０）が開いた状態で基板保持部１２０が基板Ｗを処理槽１１０内に浸漬した後、蓋１１６（図１０）を閉じた状態で基板Ｗの処理を開始し、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４による気体の供給を開始する。特に、基板処理装置１００が基板Ｗに気体を供給する場合、蓋１１６が閉じた状態で気体の供給を開始することにより、処理槽１１０から処理液Ｌが溢れることを抑制できる。
本実施形態の基板処理装置１００は、ある期間にわたって、第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａ、１３２ｂから、流体として気体を供給する。また、別の期間にわたって、第２流体供給部１３４の流体供給管１３４ａ、１３４ｂから、流体として気体を供給する。なお、液体供給部１６８は、いずれの期間においても、液体供給管１６８ａ、１６８ｂから、液体を供給し続ける。
次に、図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１３は、本実施形態の基板処理装置１００における第１流体供給部１３２、第２流体供給部１３４および液体供給部１６８の模式的な上面図である。なお、図１３に示した基板処理装置１００は、流体供給管１３２ａ～１３４ｂの吐出口Ｇａ～Ｇｄおよび液体供給管１６８ａ、１６８ｂの吐出口Ｐａ、Ｐｂが一列に配列された複数の基板Ｗの１つおきに設けられる点を除いて、図１２を参照して上述した基板処理装置１００と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図１３では、同種の複数の基板ＷがＹ方向に沿って一列に配列されている。隣接する基板Ｗは互いに同じ面を向くように対向する。
基板Ｗは、主面Ｗａ、Ｗｂを有する。主面Ｗａは基板の表面であり、主面Ｗｂは基板Ｗの裏面である。ここでは、隣接して向かい合う基板Ｗの主面Ｗａは互いに向き合い、隣接して向かい合う基板Ｗの主面Ｗｂは互いに向き合う。
図１３に示すように、気泡吐出口Ｇは、流体供給管１３４ａに設けられた吐出口Ｇａと、流体供給管１３４ｂに設けられた吐出口Ｇｂと、流体供給管１３２ａに設けられた吐出口Ｇｃと、流体供給管１３２ｂに設けられた吐出口Ｇｄとを含む。吐出口Ｇａ～Ｇｄは、Ｘ方向に沿って、一列または複数列（この実施形態では一列）に配列されている。また、吐出口Ｇａ～Ｇｄおよび吐出口Ｐａ、Ｐｂは、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、１つおきに配列されている。
吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、平面視で、主面Ｗａの向かい合う２つの基板Ｗの間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。一方、吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、平面視で主面Ｗｂの向かい合う２つの基板Ｗの間には設けられない。例えば、吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、平面視で、主面Ｗａの向かい合う基板Ｗ１と基板Ｗ２との間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。一方、吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、平面視で主面Ｗｂの向かい合う基板Ｗ２と基板Ｗ３との間には設けられない。
同様に、処理液吐出口Ｐは、液体供給管１６８ａに設けられた吐出口Ｐａと、液体供給管１６８ｂに設けられた吐出口Ｐｂとを含む。吐出口Ｐａ、Ｐｂは、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、１つおきに配列されている。
吐出口Ｐａ、Ｐｂは、平面視で、主面Ｗａの向かい合う２つの基板Ｗの間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。一方、吐出口Ｐａ、Ｐｂは、平面視で主面Ｗｂの向かい合う２つの基板Ｗの間には設けられない。例えば、吐出口Ｐａ、Ｐｂは、平面視で、主面Ｗａの向かい合う基板Ｗ１と基板Ｗ２との間に１つずつ配置され、かつ基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。一方、吐出口Ｐａ、Ｐｂは、平面視で主面Ｗｂの向かい合う基板Ｗ２と基板Ｗ３との間には設けられない。
図１３に示した基板処理装置１００では、吐出口Ｐａ、Ｐｂおよび吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、主面Ｗａの向かい合う２つの基板Ｗの間に配置される一方で、主面Ｗｂの向かい合う２つの基板Ｗの間に配置されない。例えば、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂを流れる流量が一定である場合、吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄの数が少ないことにより、吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄから吐出される流体の量を増大できる。同様に、液体供給管１６８ａ、１６８ｂを流れる流量が一定である場合、吐出口Ｐａ、Ｐｂの数が少ないことにより、吐出口Ｐａ、Ｐｂから吐出される液体の量を増大できる。このため、基板Ｗの特定の面を効率的に処理できる。
次に、図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式的な側面図である。
処理槽１１０には、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂおよび液体供給管１６８ａ、１６８ｂが配置される。流体供給管１３４ａ、１３４ｂ、１３２ａ、１３２ｂの吐出口Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄは、その吐出方向が鉛直方向に沿うように流体供給管１３４ａ、１３４ｂ、１３２ａ、１３２ｂの上部に設けられる。
一方、液体供給管１６８ａ、１６８ｂの吐出口Ｐａ、Ｐｂは、その吐出方向が、基板Ｗの中心を向くように、鉛直方向（Ｚ方向）に対して傾斜した位置に設けられる。そのため、液体供給管１６８ａの吐出口Ｐａから吐出される斜め上向きの液流と液体供給管１６８ｂの吐出口Ｐｂから吐出される斜め上向きの液流とが合流すると、処理槽１１０の内部を上方に向かって流れる非常に強いアップフローを形成できる。
上述したように、基板処理装置１００では、ある期間にわたって、第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａ、１３２ｂから流体として気体を供給する。また、別の期間にわたって、第２流体供給部１３４の流体供給管１３４ａ、１３４ｂから、流体として気体を供給する。
次に、図１５を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
図１５（ａ）に示すように、ある期間において、流体供給管１３４ａの吐出口Ｇａおよび流体供給管１３４ｂの吐出口Ｇｂからは気体を吐出しない一方、流体供給管１３２ａの吐出口Ｇｃおよび流体供給管１３２ｂの吐出口Ｇｄから気体を吐出する。また、液体供給管１６８ａの吐出口Ｐａおよび液体供給管１６８ｂの吐出口Ｐｂから液体が吐出する。
この場合、流体供給管１３２ａの吐出口Ｇｃおよび流体供給管１３２ｂの吐出口Ｇｄから吐出される気泡は、略鉛直上方に浮上する。このため、気泡は、基板Ｗの表面の仮想中心線ＣＬの周囲領域と接触する。
液体供給管１６８ａの吐出口Ｐａおよび液体供給管１６８ｂの吐出口Ｐｂから吐出された液体は、気泡のために、基板Ｗの中心近傍に近づけない。このため、吐出口Ｐａおよび吐出口Ｐｂから上方に向かう比較的強いアップフローが形成される。
なお、ここでは、流体供給管１３４ａの吐出口Ｇａおよび流体供給管１３４ｂの吐出口Ｇｂからは気体は吐出されないため、吐出口Ｇａおよび吐出口Ｇｂの上方には、比較的弱いダウンフローが形成される。
図１５（ｂ）に示すように、別の期間において、流体供給管１３４ａの吐出口Ｇａおよび流体供給管１３４ｂの吐出口Ｇｂから気体を吐出する一方、流体供給管１３２ａの吐出口Ｇｃおよび流体供給管１３２ｂの吐出口Ｇｄから気体を吐出しない。また、液体供給管１６８ａの吐出口Ｐａおよび液体供給管１６８ｂの吐出口Ｐｂから液体が吐出し続ける。
ここでは、流体供給管１３２ａの吐出口Ｇｃおよび流体供給管１３２ｂの吐出口Ｇｄからは気体は吐出されない。このため、液体供給管１６８ａの吐出口Ｐａから吐出される斜め上向きの液流と液体供給管１６８ｂの吐出口Ｐｂから吐出される斜め上向きの液流とが合流して、処理槽１１０の内部を上方に向かって流れる非常に強いアップフローが形成される。
また、流体供給管１３４ａの吐出口Ｇａおよび流体供給管１３４ｂの吐出口Ｇｂから吐出される気泡は、略鉛直上方に浮上する。このため、流体供給管１３４ａの吐出口Ｇａから吐出される気泡は、上方に移動して、基板Ｗの横方向の一端部領域に供給される。同様に、流体供給管１３４ｂの吐出口Ｇｂから吐出される気泡は、上方に移動して、基板Ｗの横方向の他端部領域に供給される。
図１５（ａ）と図１５（ｂ）との比較から理解されるように、第１流体供給部１３２による流体の供給および第２流体供給部１３４による流体の供給を切り換えることにより、基板Ｗに対する処理液および気泡の流れを切り換えることができる。このため、基板Ｗに対する処理の偏りを抑制できる。
なお、図１０、図１２～図１４に示した基板処理装置１００では、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３４ａが液体供給管１６８ａを挟むように対向して配置され、流体供給管１３２ｂおよび流体供給管１３４ｂが液体供給管１６８ｂを挟むように対向して配置されたが、本実施形態はこれに限定されない。
次に、図１６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１６は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１６に示した基板処理装置１００は、液体供給管１６８ａの両側のそれぞれに第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の両方の流体供給管が配置されるともに、液体供給管１６８ｂの両側のそれぞれに第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の両方の流体供給管が配置される点を除いて、図１０を参照して上述した基板処理装置１００と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、流体供給部１３０と、制御部１４０とを備える。流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄを含む。本明細書において、第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄを第１流体供給管１３２ａ、第２流体供給管１３２ｂ、第３流体供給管１３２ｃ、第４流体供給管１３２ｄと記載することがある。
流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄはＹ方向に延びる。第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄを含む。流体供給管１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄはＹ方向に延びる。本明細書において、第２流体供給部１３４の流体供給管１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄを第５流体供給管１３４ａ、第６流体供給管１３４ｂ、第７流体供給管１３４ｃ、第８流体供給管１３４ｄと記載することがある。
処理槽１１０の内槽１１２に配置された流体供給管１３２ａ～流体供給管１３４ｄに着目すると、－Ｘ方向側から＋Ｘ方向側に向かって、流体供給管１３２ａ、流体供給管１３４ａ、流体供給管１３２ｂ、流体供給管１３４ｂ、流体供給管１３４ｃ、流体供給管１３２ｃ、流体供給管１３４ｄ、流体供給管１３２ｄの順番に配置される。このため、流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３４ａは、液体供給管１６８ａに対して－Ｘ方向側に配置され、流体供給管１３２ｂおよび流体供給管１３４ｂは、液体供給管１６８ａに対して＋Ｘ方向側に配置される。
また、流体供給管１３２ｃおよび流体供給管１３４ｃは、液体供給管１６８ｂに対して－Ｘ方向側に配置され、流体供給管１３２ｄおよび流体供給管１３４ｄは、液体供給管１６８ｂに対して＋Ｘ方向側に配置される。したがって、流体供給管１３２ａ、１３２ｄおよび流体供給管１３４ａ、１３４ｄは、液体供給管１６８ａおよび液体供給管１６８ｂに対して外側に配置されており、流体供給管１３２ｂ、１３２ｃおよび流体供給管１３４ｂ、１３４ｃは、液体供給管１６８ａと液体供給管１６８ｂとの間に配置されている。
また、第１流体供給管１３２ａおよび第２流体供給管１３２ｂが液体供給管１６８ａを挟むように対向して配置され、第５流体供給管１３４ａおよび第６流体供給管１３４ｂが液体供給管１６８ａを挟むように対向して配置される。同様に、第３流体供給管１３２ｃおよび第４流体供給管１３２ｄが液体供給管１６８ｂを挟むように対向して配置され、第７流体供給管１３４ｃおよび第８流体供給管１３４ｄが液体供給管１６８ｂを挟むように対向して配置される。
このように、基板Ｗのうちの仮想中心線に対して－Ｘ方向側の領域において、液体供給管１６８ａの両側に、第１流体供給部１３２からの流体と第２流体供給部１３４からの流体とが供給される。同様に、基板Ｗのうちの仮想中心線ＣＬに対して＋Ｘ方向側の領域において、液体供給管１６８ｂの両側に、第１流体供給部１３２からの流体と第２流体供給部１３４からの流体とが供給される。このため、基板Ｗの全面にわたって充分に処理できる。
なお、図１０～図１６を参照した上述の説明では、流体供給部１３０の第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４のそれぞれから流体として気体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。流体供給部１３０は、流体として液体を供給してもよい。
次に、図１７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１７は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１７に示した基板処理装置１００は、流体供給部１３０が流体として液体を供給する点を除いて、図１０を参照して上述した基板処理装置１００と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、流体供給部１３０と、制御部１４０とを備える。流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０の内槽１１２の底部に配置される。第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、配管１６１の下流端に接続される。ここでは、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に流体として循環された処理液を供給する。
図１７に示した基板処理装置１００では、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、別個に処理液Ｌの供給を調整できる。なお、図１７は、図面が過度に複雑になることを避けるために、１つの調整バルブ１６５および１つのバルブ１６６を示しているが、調整バルブ１６５および１つのバルブ１６６のいずれかは複数設けられてもよい。これにより、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４から供給される液体の量を適宜調整できる。
例えば、第１流体供給部１３２が処理槽１１０内の処理液Ｌに循環した処理液を供給する一方で、第２流体供給部１３４が処理槽１１０内の処理液Ｌに循環した処理液を供給しない。その後、第１流体供給部１３２が処理槽１１０内の処理液Ｌに循環した処理液を供給せずに、第２流体供給部１３４が処理槽１１０内の処理液Ｌに循環した処理液を供給する。これにより、基板Ｗの処理による偏りを抑制できる。
次に、図１８を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図１８（ａ）～図１８（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。なお、図１８（ａ）～図１８（ｃ）に示した基板処理方法は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が流体の供給を続けながら流体の流量を変更する点を除いて、図４を参照して上述した基板処理方法と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
図１８（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、保持した基板Ｗを処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬させる。流体供給部１３０は、基板Ｗが処理液Ｌに浸漬された状態において、処理槽１１０に流体を供給する。ここでは、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に液体を供給する。図１８（ａ）では、第１流体供給部１３２から処理槽１１０への液体の供給を矢印Ｌ１で示しており、第２流体供給部１３４から処理槽１１０への液体の供給を矢印Ｌ２で示している。
図１８（ｂ）に示すように、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液Ｌに浸漬されたまま、流体供給部１３０は、基板Ｗに対する流体の供給を変更する。ここでは、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、液体の流量を変更する。図１８（ｂ）には、第１流体供給部１３２から処理槽１１０への液体の供給を矢印Ｆ２で示しており、第２流体供給部１３４から処理槽１１０への液体の供給を矢印Ｆ１で示している。
図１８（ｃ）に示すように、基板処理装置１００において、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる。基板Ｗが処理槽１１０の処理液Ｌから引き上げられる前、同時、または後で、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、液体の供給を終了する。
なお、図１７に示した基板処理装置１００では、処理槽１１０の処理液Ｌには流体供給部１３０から気体が供給されたが、本実施形態はこれに限定されない。処理槽１１０の処理液Ｌは流体供給部１３０からの気体だけでなく液体が供給されてもよい。
次に、図１９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１９は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１９に示した基板処理装置１００は、処理槽１１０に、流体供給部１３０から気体が供給されるだけでなく液体が供給される点を除いて、図１７を参照して上述した基板処理装置１００と同様である。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
基板処理装置１００は、処理槽１１０、基板保持部１２０、流体供給部１３０、制御部１４０、気体搬送部１５０に加えて、気体供給部１５８をさらに備える。気体供給部１５８は、処理槽１１０の内槽１１２の底部に配置される。配管１５２は、気体供給部１５８に連結する。配管１５２は、気体を処理槽１１０内の気体供給部１５８に導く。
気体供給部１５８は、気体供給管１５８ａ、１５８ｂ、１５８ｃ、１５８ｄを含む。気体供給管１５８ａは、第１流体供給部１３２に対して－Ｘ方向側に配置され、気体供給管１５８ｂは、第１流体供給部１３２に対して＋Ｘ方向側に配置される。気体供給管１５８ｃは、第２流体供給部１３４に対して－Ｘ方向側に配置され、気体供給管１５８ｄは、第２流体供給部１３４に対して＋Ｘ方向側に配置される。
図１８に示した基板処理装置１００では、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が処理槽１１０に液体を供給するのに加えて、気体供給部１５８が処理槽１１０に気体を供給する。このため、基板Ｗを充分に処理できる。
なお、図１～図１９に示した基板処理装置１００では、流体供給部１３０は基板Ｗの主面の法線方向と平行に配置されたが、本実施形態はこれに限定されない。流体供給部１３０は、基板Ｗの主面の法線方向と直交する方向に延びてもよい。
次に、図２０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２０（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式的な上面図であり、図２０（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式的な側面図である。ここでは、流体供給部１３０は、基板Ｗの配列された方向と交差する方向に延びる。
図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示した基板処理装置１００の処理槽１１０には、図１０～図１６を参照して上述した基板処理装置１００と同様に、流体供給部１３０および液体供給部１６８が配置される。ここでは、流体供給部１３０は、基板Ｗの配列された方向と交差する方向に延びる。流体供給部１３０は、複数の基板Ｗのうち隣接する２つの基板の間に位置する。流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。
ここでは、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、処理槽１１０に気体を供給する。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ、１３２ｂを含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａ、１３４ｂを含む。なお、第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ以外の流体供給管を含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａ、１３４ｂ以外の流体供給管を含むが、図２０（ａ）および図２０（ｂ）では、流体供給管１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂのみを示している。流体供給管１３２ａ、１３２ｂおよび流体供給管１３４ａ、１３４ｂは、吐出口から処理槽１１０に気体を吐出する。
液体供給部１６８は、処理槽１１０に液体を供給する。液体供給部１６８は、液体供給管１６８ａ、１６８ｂ、１６８ｃ、１６８ｄを含む。液体供給管１６８ａ、１６８ｂ、１６８ｃ、１６８ｄは、吐出口から処理槽１１０に液体を吐出する。
第１流体供給部１３２の流体供給管１３２ａ、１３２ｂは、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、１つおきに配列されている。同様に、第２流体供給部１３４の流体供給管１３４ａ、１３４ｂは、流体供給管１３２ａ、１３２ｂの配置されない位置であって、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って１つおきに配列されている。例えば、第１流体供給部１３２の流体供給管は、平面視で、基板Ｗ２と基板Ｗ３との間に配置され、基板Ｗ２および基板Ｗ３に気体を供給するように設けられる。一方、第２流体供給部１３４の流体供給管は、平面視で基板Ｗ１と基板Ｗ２との間には設けられ、基板Ｗ１および基板Ｗ２に気体を供給するように設けられる。
一方、液体供給管１６８ａ、１６８ｂ、１６８ｃ、１６８ｄは、平面視で基板Ｗの間に１つずつ配置され、基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。例えば、液体供給部１６８の液体供給管は、平面視で、基板Ｗ１と基板Ｗ２との間に１つ配置され、同様に、平面視で基板Ｗ２と基板Ｗ３との間に設けられる。
本実施形態の基板処理装置１００では、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４の一方のみが気体を供給する場合、基板Ｗの２つの主面のうちの一方に気体が供給される。例えば、第１流体供給部１３２が気体を供給される場合、基板Ｗ１の＋Ｙ方向側の主面と、基板Ｗ２の－Ｙ方向側の主面と、基板Ｗ３の＋Ｙ方向側の主面とが気体と接触する。反対に、第２流体供給部１３４が気体を供給される場合、基板Ｗ１の－Ｙ方向側の主面と、基板Ｗ２の＋Ｙ方向側の主面と、基板Ｗ３の－Ｙ方向側の主面と、基板Ｗ４の＋Ｙ方向側の主面とが気体と接触する。
また、液体供給部１６８の液体供給管１６８ａ、１６８ｂ、１６８ｃ、１６８ｄはいずれの場合でも液体を供給する。このため、基板Ｗのそれぞれには液体および気体の両方が供給され、基板Ｗを効果的に処理できる。
なお、図２０を参照して上述した説明では、処理槽１１０に、液体供給部１６８が液体を供給する一方で、流体供給部１３０が気体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理槽１１０に、気体供給部が気体を供給する一方で、流体供給部１３０が液体を供給してもよい。この場合、流体供給部１３０は、図１を参照して上述したように、液体の供給を変更してもよい。
また、図２０を参照して上述した説明では、処理槽１１０に、液体供給部１６８が液体を供給する一方で、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が気体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理槽１１０に、気体供給部が気体を供給する一方で、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が液体を供給してもよい。この場合、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４は、図１７および図１８を参照して上述したように、液体の流量を変更してもよい。
次に、図２１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２１（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式的な上面図であり、図２１（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式的な側面図である。
ここでは、隣接して向かい合う基板Ｗの主面Ｗａは互いに向き合い、隣接して向かい合う基板Ｗの主面Ｗｂは互いに向き合う。
図２１（ａ）に示した基板処理装置１００の処理槽１１０には、図１９に示した基板処理装置１００と同様に、流体供給部１３０および気体供給部１５８が配置される。流体供給部１３０は、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４を含む。
ここでは、第１流体供給部１３２は、処理槽１１０に液体を供給する。第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａを含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａを含む。なお、第１流体供給部１３２は、流体供給管１３２ａ以外の流体供給管を含み、第２流体供給部１３４は、流体供給管１３４ａ以外の流体供給管を含むが、図２１（ａ）では、流体供給管１３２ａ、１３４ａのみを示している。流体供給管１３２ａおよび流体供給管１３４ａは、吐出口から処理槽１１０に気体を吐出する。
気体供給部１５８は、処理槽１１０に気体を供給する。気体供給部１５８は、気体供給管１５８ａ、１５８ｂを含む。気体供給管１５８ａ、１５８ｂ、吐出口から処理槽１１０に気体を吐出する。
第１流体供給部１３２の流体供給管および第２流体供給部１３４の流体供給管のいずれかは、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、１つおきに配列されている。また、第１流体供給部１３２の流体供給管は、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、３つおきに配列されており、第２流体供給部１３４の流体供給管は、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、３つおきに配列されている。例えば、第１流体供給部１３２の流体供給管は、平面視で、基板Ｗ１と基板Ｗ２との間に配置され、基板Ｗ１の主面Ｗａおよび基板Ｗ２の主面Ｗａに気体を供給するように設けられる。一方、第２流体供給部１３４の流体供給管は、平面視で基板Ｗ３と基板Ｗ４との間には設けられ、基板Ｗ３の主面Ｗａおよび基板Ｗ４の主面Ｗａに気体を供給するように設けられる。
一方、気体供給部１５８の気体供給管１５８ａ、１５８ｂは、基板Ｗの配列方向（Ｙ方向）に沿って、１つおきに配列されており、基板Ｗの間に処理液を供給するように設けられる。例えば、気体供給部１５８の気体供給管１５８ａは、平面視で、基板Ｗ１と基板Ｗ２との間に１つ配置され、同様に、平面視で基板Ｗ３と基板Ｗ４との間に設けられる。
本実施形態の基板処理装置１００では、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が異なる流量の液体を供給し、隣接する基板Ｗの主面Ｗａに液体が供給される。例えば、第１流体供給部１３２からの液体の流量が第２流体供給部１３４からの液体の流量よりも多い場合、基板Ｗ１の主面Ｗａおよび基板Ｗ２の主面Ｗａが充分に処理される。反対に、第２流体供給部１３４からの液体の流量が第１流体供給部１３２からの液体の流量よりも多い場合、基板Ｗ３の主面Ｗａおよび基板Ｗ４の主面Ｗａが充分に処理される。
また、気体供給部１５８の気体供給管１５８ａ、１５８ｂ、１５８ｃ、１５８ｄはいずれの場合でも気体を供給する。このため、基板Ｗのそれぞれには液体および気体の両方が供給され、基板Ｗの主面Ｗａを効果的に処理できる。
なお、図２１を参照して上述した説明では、処理槽１１０に、気体供給部１５８が気体を供給する一方で、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が液体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理槽１１０に、液体供給部が液体を供給する一方で、第１流体供給部１３２および第２流体供給部１３４が気体を供給してもよい。
なお、図２０および図２１に示したように、基板Ｗのそれぞれの少なくとも一部には、液体および気体が供給されることが好ましい。これにより、基板Ｗのそれぞれを充分に処理できる。
なお、複数の基板Ｗを一列に配列して基板Ｗの処理を行う場合、一列に配列された基板Ｗのうちの端に配置された基板Ｗは、他の基板と比較して均一に処理されないことがある。このため、一列に配列された基板Ｗのうちの端に配置された基板Ｗに対向する整流板を設けることが好ましい。
次に、図２２を参照して、整流板１９０の取り付けられた処理槽１１０を備えた基板処理装置１００を説明する。図２２（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００における処理槽１１０の模式図である。図２２（ｂ）および図２２（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
図２２（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、処理槽１１０には整流板１９０が取り付けられる。整流板１９０は、処理槽１１０の底部に取り付けられる。整流板１９０は、鉛直上方（Ｚ方向）に沿って延びる板である。整流板１９０には、基板保持部１２０の保持棒１２４に対応する３つの窪みが設けられる。
図２２（ｂ）に示すように、基板保持部１２０は、処理槽１１０の上方において基板Ｗを保持する。基板保持部１２０に保持された複数の基板Ｗは、一列に配列される。
図２２（ｃ）に示すように、基板保持部１２０は基板Ｗを保持したまま処理槽１１０まで下降する。これにより、基板処理装置１００において、処理槽１１０には、一列に配列された複数の基板Ｗが浸漬される。整流板１９０の窪みには、基板保持部１２０の保持棒１２４が進入する。このため、基板保持部１２０は基板Ｗを保持したまま処理槽１１０まで下降した際に、整流板１９０は、一列に配列された基板Ｗのうちの一方の端部の基板Ｗに対向する。したがって、一列に配列された基板Ｗのうちの一方の端部の基板Ｗについても他の基板と同様に、処理することができる。
なお、図２２に示した基板処理装置１００では、整流板１９０は、処理槽１１０に取り付けられたが、本実施形態はこれに限定されない。整流板１９０は、基板保持部１２０に取り付けられてもよい。
次に、図２３を参照して、整流板１９０が基板保持部１２０に取り付けられた本実施形態の基板処理装置１００における基板保持部１２０を説明する。図２３は、基板保持部１２０の模式図である。
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。保持棒１２４には、複数の基板ＷがＹ方向に沿って一列に配列されて支持される。保持棒１２４のうちの＋Ｙ方向側の端部には、整流板１９０が取り付けられている。整流板１９０は、複数の基板Ｗのうちの＋Ｙ方向側の基板Ｗと対向する。整流板１９０の直径、形状、厚さは基板Ｗとほぼ等しいことが好ましい。例えば、基板Ｗが薄い円形状である場合、整流板１９０も薄い円形状であることが好ましい。
また、基板保持部１２０に保持される基板Ｗの数が、最大可能保持枚よりも少ないことがある。この場合、整流板１９０は、保持棒１２４に沿ってＹ方向に移動可能であることが好ましい。
なお、図１から図２３を参照して上述した基板処理装置１００では、流体供給部１３０は、処理槽１１０の底部に配置され、処理槽１１０に貯留された処理液内に流体を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。流体供給部１３０は、処理槽１１０の側方に配置されてもよい。あるいは、流体供給部１３０は、処理槽１１０に貯留された処理液の高さよりも高い位置に配置され、処理液に覆われることなく処理槽１１０に流体を供給してもよい。
なお、図１から図２３に示した基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ型であったが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置１００は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であってもよい。
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
１００ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１２０ 基板保持部
１３０ 流体供給部
１４０ 制御部
Ｗ 基板
Ｌ 処理液

Claims (6)

  1. 基板を処理するための処理液を貯留する処理槽と、
    前記処理槽の前記処理液内で前記基板を保持する基板保持部と、
    前記処理槽に流体を供給する流体供給部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板の下方に配置され、前記処理槽に液体を供給する液体供給部と、
    前記流体供給部および前記液体供給部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記基板を浸漬させた処理液を貯留した前記処理槽に対して前記流体の供給を開始してから前記基板を浸漬させた処理液を貯留した前記処理槽に対する前記流体の供給を終了するまでの間に前記流体供給部が前記流体の供給を変更するように前記流体供給部を制御し、
    前記流体供給部は、
    前記処理槽内の第１位置に配置され、前記処理槽に流体を供給する第１流体供給部と、
    前記処理槽内の第２位置に配置され、前記第１流体供給部が前記流体を供給する期間とは異なる期間に前記処理槽に流体を供給する第２流体供給部と
    を含み、
    前記液体供給部は、第１液体供給管および第２液体供給管を含み、
    前記第１液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して一方側に配置され、
    前記第２液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して他方側に配置され、
    前記第１液体供給管には、前記基板の鉛直中心軸側に、前記基板の鉛直中心軸に斜めに向けられた吐出口が設けられており、
    前記第２液体供給管には、前記基板の鉛直中心軸側に、前記基板の鉛直中心軸に斜めに向けられた吐出口が設けられており、
    前記第１流体供給部は、第１流体供給管および第２流体供給管を有し、
    前記第１流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸と前記第１液体供給管との間に位置し、
    前記第２流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸と前記第２液体供給管との間に位置し、
    前記第２流体供給部は、第３流体供給管および第４流体供給管を有し、
    前記第３流体供給管と前記第１流体供給管との間に前記第１液体供給管が位置し、
    前記第４流体供給管と前記第２流体供給管との間に前記第２液体供給管が位置し、
    前記制御部は、
    第１期間において、前記第１液体供給管および前記第２液体供給管が前記液体を供給するとともに前記第１流体供給管および前記第２流体供給管が前記流体として気体を供給するように前記流体供給部および前記液体供給部を制御し、
    第２期間において、前記第１液体供給管および前記第２液体供給管が前記液体を供給するとともに前記第３流体供給管および前記第４流体供給管が前記流体として気体を供給するように前記流体供給部および前記液体供給部を制御する、基板処理装置。
  2. 前記第１流体供給管および前記第２流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第３流体供給管および前記第４流体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記第１流体供給部による前記流体の供給および前記第２流体供給部による前記流体の供給を切り替えて前記第１流体供給部の前記流体および前記第２流体供給部の前記流体の少なくとも一方を前記処理槽に供給するように前記第１流体供給部および前記第２流体供給部を制御する、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記第１液体供給管および前記第２液体供給管は、前記基板の鉛直中心軸に対して、対称に配置される、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記基板は、一列に複数配列されており、
    前記第１液体供給管の前記吐出口は、複数の基板のうちの隣接する２つの基板の間に位置し、
    前記第２液体供給管の前記吐出口は、複数の基板のうちの隣接する２つの基板の間に位置する、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524834B (zh) * 2020-04-29 2023-08-18 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种多晶硅清洗装置及方法
JP7466372B2 (ja) * 2020-05-13 2024-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7461269B2 (ja) 2020-10-09 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7510334B2 (ja) * 2020-10-30 2024-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230042647A (ko) * 2021-09-22 2023-03-29 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2023112618A (ja) 2022-02-01 2023-08-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP2023135013A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300118A (ja) 2006-04-27 2007-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法
JP2010040759A (ja) 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd 基板処理装置
JP2017069529A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2017069383A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2018014470A (ja) 2016-07-22 2018-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3960457B2 (ja) 1999-10-27 2007-08-15 東邦化成株式会社 基板処理装置
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008010495A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4803821B2 (ja) * 2007-03-23 2011-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI406330B (zh) 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
KR20100050403A (ko) 2008-11-04 2010-05-13 주식회사 실트론 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판
JP5599754B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6800675B2 (ja) * 2016-09-26 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
JP6693846B2 (ja) 2016-09-28 2020-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6866148B2 (ja) * 2016-12-20 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN108376660B (zh) * 2017-02-01 2023-08-01 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置
JP6971756B2 (ja) * 2017-02-01 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6770915B2 (ja) * 2017-03-08 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US11594430B2 (en) * 2017-09-11 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300118A (ja) 2006-04-27 2007-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法
JP2010040759A (ja) 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd 基板処理装置
JP2017069529A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2017069383A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2018014470A (ja) 2016-07-22 2018-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体

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