CN110943006A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)包括处理槽(110)、基板保持部(120)、流体供给部(130)及控制部(140)。处理槽(110)蓄存用于处理基板的处理液。基板保持部(120)在处理槽(110)的处理液内保持基板。流体供给部(130)向处理槽(110)供给流体。控制部(140)控制流体供给部(130)。控制部(140)在对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)开始流体的供给，直至对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)结束流体供给为止的期间，控制流体供给部(130)，以使流体供给部(130)变更流体的供给。本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
已知被用于半导体装置及液晶显示装置等电子零件的基板要通过基板处理装置来进行处理。基板是通过浸渍于处理槽内的处理液中来进行基板的处理(例如参照专利文献1)。
在专利文献1的基板处理装置中，在利用磷酸水溶液来对基板进行处理时，将混合气体吹出至磷酸水溶液中而使其产生气泡，以对磷酸水溶液进行曝气搅拌。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本专利特开2018-56258号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
但是，专利文献1所记载的基板处理装置中，处理槽内的基板处理有时会产生偏颇。
本发明是有鉴于所述问题而完成，其目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。
[解决问题的技术手段]
根据本发明的一方面，基板处理装置包括：处理槽，蓄存用于处理基板的处理液；基板保持部，在所述处理槽的所述处理液内保持所述基板；流体供给部，向所述处理槽供给流体；以及控制部，控制所述流体供给部。所述控制部在从对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽开始所述流体的供给，直至对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽结束所述流体的供给为止的期间，控制所述流体供给部，以使所述流体供给部变更所述流体的供给。
本发明的基板处理装置中，所述流体供给部包含：第一流体供给部，配置于所述处理槽内的第一位置，向所述处理槽供给流体；以及第二流体供给部，配置于所述处理槽内的第二位置，在与所述第一流体供给部供给所述流体的期间不同的期间，向所述处理槽供给流体。
本发明的基板处理装置中，所述控制部控制所述第一流体供给部及所述第二流体供给部，以切换所述第一流体供给部对所述流体的供给以及所述第二流体供给部对所述流体的供给，而将所述第一流体供给部的所述流体及所述第二流体供给部的所述流体中的至少一者供给至所述处理槽。
本发明的基板处理装置中，所述第一流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体，所述第二流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体。
本发明的基板处理装置中，所述第一流体供给部具有多个流体供给管，所述第一流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
本发明的基板处理装置中，所述第二流体供给部具有多个流体供给管，所述第二流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
本发明的基板处理装置中，所述基板处理装置还包括：液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液。
本发明的基板处理装置中，所述液体供给部具有多个液体供给管，所述液体供给部的所述多个液体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
本发明的基板处理装置中，还包括：液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液。所述液体供给部包含第一液体供给管及第二液体供给管。所述第一流体供给部具有多个流体供给管。所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间。所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
本发明的基板处理装置中，所述第二流体供给部具有多个流体供给管，所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间。所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
本发明的基板处理装置中，还包括：液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液。所述液体供给部包含第一液体供给管及第二液体供给管。所述第一流体供给部具有多个流体供给管，所述第一流体供给部的所述多个流体供给管包含第一流体供给管、第二流体供给管、第三流体供给管及第四流体供给管。所述第一液体供给管位于所述第一流体供给部的所述第一流体供给管与所述第二流体供给管之间。所述第二液体供给管位于所述第一流体供给部的所述第三流体供给管与所述第四流体供给管之间。
本发明的基板处理装置中，所述第二流体供给部具有多个流体供给管，所述第二流体供给部的所述多个流体供给管包含第五流体供给管、第六流体供给管、第七流体供给管及第八流体供给管。所述第一液体供给管位于所述第二流体供给部的所述第五流体供给管与所述第六流体供给管之间。所述第二液体供给管位于所述第二流体供给部的所述第七流体供给管与所述第八流体供给管之间。
本发明的基板处理装置中，所述第一流体供给部向所述处理槽供给处理液来作为所述流体，所述第二流体供给部向所述处理槽供给处理液来作为所述流体。
本发明的基板处理装置中，所述控制部控制所述流体供给部，以使所述流体供给部在所述处理槽内移动。
本发明的基板处理装置中，所述基板是多个排列成一列，所述流体供给部是沿着与所述基板的排列方向交叉的方向延伸，且位于多个基板中的邻接的两个基板之间。
本发明的基板处理装置中，所述流体供给部对所述两个基板供给液体。
本发明的基板处理装置中，所述流体供给部是在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方。
本发明的基板处理装置中，所述基板处理装置还包括：整流板，与所述基板的至少一部分相向。
本发明的基板处理装置中，所述整流板被安装于所述处理槽或所述基板保持部。
根据本发明的另一方面，基板处理方法包括下述工序：使基板浸渍于蓄存在处理槽中的处理液内；以及向所述处理槽供给流体。所述供给流体的工序包含下述工序，即，在从对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽开始所述流体的供给，直至对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽结束所述流体的供给为止的期间，变更所述流体的供给。
[发明的效果]
根据本发明，能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。
附图说明
图1是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图2(a)～图2(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图3是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图4(a)～图4(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图5(a)～图5(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图6(a)～图6(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图7(a)～图7(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图8(a)～图8(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图9(a)～图9(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图10是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图11(a)及图11(b)是表示基板投入处理槽之前及之后的、本实施方式的基板处理装置的示意性的立体图。
图12是本实施方式的基板处理装置中的第一流体供给部、第二流体供给部及液体供给部的示意性的俯视图。
图13是本实施方式的基板处理装置中的第一流体供给部、第二流体供给部及液体供给部的示意性的俯视图。
图14是本实施方式的基板处理装置的示意性的侧面图。
图15(a)及图15(b)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图16是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图17是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图18(a)～图18(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图19是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图20(a)及图20(b)是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图21(a)及图21(b)是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图22(a)是本实施方式的基板处理装置中的处理槽的示意图，图22(b)及图22(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图23是本实施方式的基板处理装置中的基板保持部的示意图。
[符号的说明]
100：基板处理装置
110：处理槽
112：内槽
112a：限制部
114：外槽
116：盖
116a、116b：开启部
118a：排液配管
118b、154、166、176、186：阀
120：基板保持部
122：本体板
124：保持棒
126：升降单元
130：流体供给部
132：第一流体供给部
132a～132d、134a～134d：流体供给管
134：第二流体供给部
140：控制部
150：气体搬送部
152、161、174、184：配管
156、165：调整阀
158：气体供给部
158a～158d：气体供给管
160：循环部
162：泵
163：过滤器
164：加热器
168：液体供给部
168a、168b、168c、168d：液体供给管
170：处理液供给部
172、182：喷嘴
180：水供给部
190：整流板
CL：假想中心线
F、F1、F2、Fa、Fb：箭头
G：气泡喷出口
Ga～Gd、Pa、Pb：喷出口
L：处理液
P：处理液喷出口
W、W1、W2、W3、W4：基板
Wa、Wb：主面
X、Y、Z：方向
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的基板处理装置以及基板处理方法的实施方式。另外，对于图中相同或相当的部分标注相同的参照符号并不再重复说明。另外，本申请说明书中，为了便于理解发明，有时记载彼此正交的X轴、Y轴及Z轴。典型的是，X轴及Y轴平行于水平方向，Z轴平行于铅垂方向。
参照图1来说明本发明的基板处理装置100的实施方式。图1是本实施方式的基板处理装置100的示意图。
基板处理装置100对基板W进行处理。基板处理装置100对基板W进行处理，以对基板W进行蚀刻(etching)、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的去除及清洗中的至少一种。
基板W为薄的板状。典型的是，基板W为薄的大致圆板状。基板W例如包含半导体晶片(wafer)、液晶显示装置用基板、等离子体显示器(plasma display)用基板、场致发射显示器(Field Emission Display，FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photo mask)用基板、陶瓷基板及太阳能电池用基板等。
基板处理装置100利用处理液L来处理基板W。此处，基板处理装置100统一对多片基板W进行处理。通过处理液L，对基板W进行蚀刻、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的去除及清洗中的至少一种。
基板处理装置100包括处理槽110、基板保持部120、流体供给部130以及控制部140。处理槽110蓄存用于对基板W进行处理的处理液L。
基板保持部120保持基板W。由基板保持部120所保持的基板W的主面的法线方向平行于Y方向。基板保持部120在保持着基板W的状态下使基板W移动。例如，基板保持部120在保持着基板W的状态下，沿着铅垂方向而朝铅垂上方或铅垂下方移动。
典型的是，基板保持部120统一保持多个基板W。此处，多个基板W沿着Y方向而排列成一列。另外，基板保持部120也可仅保持一片基板W。
流体供给部130向处理槽110供给流体。详细而言，流体供给部130向蓄存有处理液L的处理槽110供给流体。通过流体供给部130向处理槽110供给流体，从而促进基板W的处理。
流体供给部130也可向处理槽110供给气体来作为流体。通过流体供给部130向处理槽110供给气体，从而在处理液L内形成气泡。形成在处理液L内的气泡在处理液L内上浮，到达处理槽110内的处理液L与气体(例如空气或规定环境气体)的界面为止。
当气泡在处理液L中上浮时，气泡接触至基板W的表面。此时，气泡一边挤出处理液中的与基板W的接触部分，一边使基板W的表面朝向上方移动，当气泡通过后，位于周围的新鲜的处理液L进入。这样，通过气泡接触至基板W的表面，能够搅拌基板W的表面，由此，能够将基板W表面的处理液置换为新鲜的处理液。其结果，能够提高基板W的处理速度。另外，在基板处理装置100进行蚀刻的情况下，优选流体供给部130供给气体来作为流体。
或者，流体供给部130也可向处理槽110供给液体来作为流体。此时，优选流体供给部130针对处理槽110内的处理液L，从下方的位置朝向上方供给液体。作为一例，流体也可为与蓄存在处理槽110中的处理液L为相同种类的处理液L。
在流体供给部130供给处理液L来作为流体的情况下，朝向上方供给的处理液也会一边挤出处理液中的与基板W的接触部分，一边使基板W的表面朝向上方移动，当朝向上方供给的处理液通过后，位于周围的新鲜的处理液L进入。这样，通过朝向上方供给的处理液接触至基板W的表面，从而能够搅拌基板W的表面，由此，能够将基板W表面的处理液L置换为新鲜的处理液。其结果，能够提高基板W的处理速度。
控制部140控制流体供给部130。通过控制部140的控制，流体供给部130对流体的供给得到控制。图1中，以箭头F表示了在控制部140的控制下从流体供给部130向处理槽110的流体供给。
控制部140控制流体供给部130对流体的供给的开始及停止。另外，控制部140也可直接控制配置在处理槽110内的流体供给部130。或者，控制部140也可对与配置在处理槽110内的流体供给部130相连的配管中流动的流体进行控制。例如，控制部140也可对配置在处理槽110外部的与流体供给部130相连的喷嘴(nozzle)、调整阀等进行控制，由此来控制流体供给部130对流体的供给。
本实施方式的基板处理装置100中，控制部140控制流体供给部130，以对蓄存着浸渍有基板W的处理液的处理槽110开始流体的供给。而且，控制部140控制流体供给部130，以对蓄存着浸渍有基板W的处理液的处理槽110结束流体的供给。控制部140在所述状态下的流体供给开始直至所述状态下的流体供给结束为止的期间，控制流体供给部130，以使流体供给部130变更流体的供给。由此，在基板W的处理时，针对基板W的流体供给得到变更，因此能够抑制对基板W的处理偏颇。
接下来，参照图2(a)～图2(c)来说明本实施方式的基板处理方法。图2(a)～图2(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图2(a)所示，在基板处理装置100中，由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中。流体供给部130在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。此处，流体供给部130以第一条件来向处理槽110供给流体。图2(a)中，以箭头Fa来表示了从流体供给部130向处理槽110供给的流体的供给。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝下方移动至基板W的整体浸渍于处理槽110内的处理液L为止。而且，控制部140控制流体供给部130，以使流体供给部130以第一条件来向处理槽110供给流体。
如图2(b)所示，在由基板保持部120所保持的基板W仍浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，流体供给部130变更对基板W的流体供给。此处，流体供给部130以第二条件来向处理槽110供给流体。图2(b)中，以箭头Fb表示了从流体供给部130向处理槽110供给的流体的供给。另外，流体的供给Fb不同于流体的供给Fa。
控制部140在维持基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中的状态下，控制流体供给部130，以使流体供给部130以第二条件来向处理槽110供给流体。
如图2(c)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120从处理槽110的处理液L中提起所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，流体供给部130结束流体的供给。另外，在结束流体供给部130对流体的供给后从处理槽110的处理液L中提起基板W的情况下，也可在流体供给部130对流体的供给结束后，还继续基板W的处理。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝上方移动至基板W整体从处理槽110内的处理液L中被提起为止。而且，控制部140在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，控制流体供给部130，以结束流体供给部130对流体的供给。如上所述，基板处理结束。
如上所述，变更从流体供给部130进行的流体供给，以使流体的供给Fb不同于流体的供给Fa。对于从流体供给部130进行的流体供给，供给流体的流体供给部130的位置也可不同。例如也可为：在流体供给部130包含可分别供给流体的多个构件的情况下，在第一条件下，从流体供给部130的某构件供给流体，在第二条件下，从流体供给部130的另一构件供给流体。
或者，也可变更来自流体供给部130的流出量。例如，第二条件下的流体的流出量也可不同于第一条件下的流体的流出量。在一例中，第二条件下的流体的流出量既可多于，或者也可少于第一条件下的流体的流出量。
或者，从流体供给部130进行的流体供给也可通过变更所供给的流体的种类来变更。例如，第二条件下的流体的主成分也可不同于第一条件下的流体的主成分。或者，第二条件下的流体浓度也可不同于第一条件下的流体浓度。或者，第二条件下的流体的添加物也可不同于第一条件下的流体的添加物。
而且，参照图2(a)～图2(c)而上述的说明中，流体的供给是从第一条件变更为第二条件，但本实施方式并不限定于此。流体的供给也可变更为三个以上的不同条件。
根据本实施方式的基板处理方法，控制部140控制流体供给部130，以在基板W浸渍于处理槽110内的处理液L内的状态下变更流体的供给。由此，对基板W供给的流体不同，因此能够抑制对基板W的处理的偏颇。
如上所述，流体供给部130也可包含可分别供给流体的多个构件。此时，在第一条件下，从流体供给部130的某构件供给流体，在第二条件下，流体供给部130从另一构件供给流体。
接下来，参照图3来说明本实施方式的基板处理装置100。图3是本实施方式的基板处理装置100的示意图。图3所示的基板处理装置100中，流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134，除此以外，与参照图1及图2(a)～图2(c)而上述的基板处理装置100同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
基板处理装置100包括处理槽110、基板保持部120、流体供给部130以及控制部140。流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。
第一流体供给部132向蓄存有处理液L的处理槽110供给流体。而且，第二流体供给部134向蓄存有处理液L的处理槽110供给流体。另外，第一流体供给部132的流体的种类及流量也可不同于第二流体供给部134的流体的种类及流量。
此处，基板W为薄的大致圆板状。基板W具有通过基板W的中心而沿主面的法线方向延伸的中心轴。基板W的中心轴平行于Y方向。
图3中，表示通过基板W的中心而沿铅垂方向延伸的假想中心线CL。假想中心线CL沿Z方向延伸。假想中心线CL是基板W的铅垂中心轴。基板W的假想中心线CL与基板W的中心轴正交。
第一流体供给部132及第二流体供给部134为管状。第一流体供给部132及第二流体供给部134是与基板W的主面的法线方向平行(Y方向)地延伸。第一流体供给部132及第二流体供给部134被配置于处理槽110的底部。第一流体供给部132及第二流体供给部134位于由基板保持部120所保持的基板W的下方。
第一流体供给部132及第二流体供给部134是在处理槽110的底部，以夹着假想中心线CL的方式而配置。第一流体供给部132及第二流体供给部134是在俯视时相对于假想中心线CL而大致对称地配置。从假想中心线CL直至第一流体供给部132为止的距离，与从假想中心线CL直至第二流体供给部134为止的距离大致相等。
接下来，参照图4(a)～图4(c)来说明本实施方式的基板处理方法。图4(a)～图4(c)是用于说明图3所示的基板处理装置100的基板处理方法的示意图。
如图4(a)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120使所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。流体供给部130在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。此处，第一流体供给部132向处理槽110供给流体。图4(a)中，以箭头Fa表示了从第一流体供给部132向处理槽110的流体供给。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝下方移动至基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中为止。而且，控制部140控制流体供给部130，以使第一流体供给部132向处理槽110供给流体。
如图4(b)所示，在由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，流体供给部130变更对基板W的流体供给。此处，第二流体供给部134向处理槽110供给流体。图4(b)中，以箭头Fb表示了从第二流体供给部134向处理槽110的流体供给。另外，第二流体供给部134是配置于与第一流体供给部132不同的位置。因此，第二流体供给部134对流体的供给Fb不同于第一流体供给部132对流体的供给Fa。
控制部140在维持基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中的状态下，控制流体供给部130，以使流体供给部130以第二条件来向处理槽110供给流体。
如图4(c)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120从处理槽110的处理液L中提起所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，第二流体供给部134结束流体的供给。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝上方移动至从处理槽110内的处理液L中提起基板W整体为止。而且，控制部140在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，控制流体供给部130，以结束流体供给部130对流体的供给。如上所述，基板处理结束。
另外，图4(a)～图4(c)所示的基板处理方法中，第一流体供给部132及第二流体供给部134的其中一者向处理槽110供给流体，但本实施方式并不限定于此。亦可由第一流体供给部132及第二流体供给部134这两者来向处理槽110供给流体。
接下来，参照图5(a)～图5(d)来说明本实施方式的基板处理方法。图5(a)～图5(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。图5(a)～图5(d)所示的基板处理方法中，包含从第一流体供给部132及第二流体供给部134同时供给流体的工序，除此以外，与参照图4(a)～图4(c)而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
图5(a)中，如参照图4(a)而上述的，在基板处理装置100中，基板保持部120使所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。第一流体供给部132在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。另外，此处，有时将第一流体供给部132向处理槽110供给流体，而另一方面，第二流体供给部134未向处理槽110供给流体的期间称作一方供给期间。
图5(c)中，如参照图4(b)而上述的，在由基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，第二流体供给部134向处理槽110供给流体。另外，此处，有时将第二流体供给部134向处理槽110供给流体，另一方面，第一流体供给部132未向处理槽110供给流体的期间称作另一方供给期间。
本实施方式中，如图5(b)所示，在一方供给期间(图5(a))与另一方供给期间(图5(c))之间，第一流体供给部132及第二流体供给部134同时向处理槽110供给流体。此处，有时将第一流体供给部132及第二流体供给部134分别向处理槽110供给流体的期间称作双方供给期间。
例如，在双方供给期间，第一流体供给部132也可以与一方供给期间相同的条件来向处理槽110供给流体，同样地，第二流体供给部134也可以与另一方供给期间相同的条件来向处理槽110供给流体。但是，在双方供给期间内，第一流体供给部132以与一方供给期间相同的条件来供给流体，第二流体供给部134以与另一方供给期间相同的条件来供给流体的情况下，若双方供给期间相对较长，则流体的供给量将变得过多，因此，有时处理液L会从处理槽110溢出。因此，在双方供给期间，第一流体供给部132以与一方供给期间相同的条件来供给流体，第二流体供给部134以与另一方供给期间相同的条件来供给流体的情况下，优选双方供给期间的长度短于一方供给期间及另一方供给期间的各个。
或者，在双方供给期间，第一流体供给部132对流体的流量也可少于一方供给期间。同样，在双方供给期间，第二流体供给部134对流体的流量也可少于另一方供给期间。
在图5(c)所示的另一方供给期间之后，在图5(d)中，如参照图2(c)而上述的，在基板处理装置100中，基板保持部120从处理槽110的处理液L中提起所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，流体供给部130结束流体的供给。
另外，图3～图5(d)中，第一流体供给部132从处理槽110内的某位置供给流体，第二流体供给部134从处理槽110内的另一位置供给流体，但本实施方式并不限定于此。
接下来，参照图6(a)～图6(c)来说明本实施方式的基板处理方法。图6(a)～图6(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。图6(a)～图6(c)所示的基板处理方法中，在基板处理装置100中，第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b，第二流体供给部134包含流体供给管134a、流体供给管134b，除此以外，与参照图4(a)～图4(c)而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
如图6(a)所示，基板处理装置100中，流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。第一流体供给部132具有流体供给管132a与流体供给管132b，第二流体供给部134具有流体供给管134a与流体供给管134b。
流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b分别配置于处理槽110的底部。此处，流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b是与基板W的主面的法线方向平行(Y方向)地延伸。
流体供给管132a、流体供给管132b是在俯视时相对于假想中心线CL而大致对称地配置。从假想中心线CL直至流体供给管132a为止的距离，与从假想中心线CL直至流体供给管132b为止的距离大致相等。同样地，流体供给管134a、流体供给管134b是在俯视时相对于假想中心线CL而大致对称地配置。从假想中心线CL直至流体供给管134a为止的距离，与从假想中心线CL直至流体供给管134b为止的距离大致相等。
基板处理装置100中，基板保持部120使所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，第一流体供给部132从第一流体供给部132的流体供给管132a及流体供给管132b向处理槽110供给流体。图6(a)中，以箭头Fa表示了从流体供给管132a及流体供给管132b向处理槽110的流体供给。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝下方移动至基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中为止。而且，控制部140控制流体供给部130，以使第一流体供给部132从流体供给管132a及流体供给管132b向处理槽110供给流体。
如图6(b)所示，在由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，流体供给部130变更对基板W的流体供给。此处，第二流体供给部134从流体供给管134a及流体供给管134b向处理槽110供给流体。图6(b)中，以箭头Fb表示了从第二流体供给部134向处理槽110的流体供给。另外，流体供给管134a及流体供给管134b是配置于与流体供给管132a及流体供给管132b不同的位置。因此，从流体供给管134a及流体供给管134b进行的流体供给Fb不同于从流体供给管132a及流体供给管132b进行的流体供给Fa。
如图6(c)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120从处理槽110的处理液L中提起所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，第二流体供给部134结束流体的供给。如上所述，基板处理结束。
在所述说明中参照的图2(a)～图2(c)及图4(a)～图6(c)中，流体供给部130是在基板W浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，将流体供给至处理槽110。另外，流体供给部130开始流体供给的时机(timing)也可早于基板W开始浸渍于处理槽110的处理液L中的时机。
接下来，参照图7(a)～图7(d)来说明本实施方式的基板处理方法。图7(a)～图7(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。参照图7(a)～图7(d)所说明的基板处理方法中，是在流体供给部130开始流体的供给之后，开始将基板W浸渍于处理槽110的处理液L中，除此以外，与参照图4(a)～图4(c)而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
如图7(a)所示，在基板处理装置100中，在由基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中之前，流体供给部130向处理槽110供给流体。此处，第一流体供给部132向处理槽110供给流体。控制部140控制流体供给部130，以使第一流体供给部132向处理槽110供给流体。图7(a)中，以箭头Fa表示了从第一流体供给部132向处理槽110的流体供给。
如图7(b)所示，在基板处理装置100的处理槽110内，使由基板保持部120所保持的基板W浸渍于由流体供给部130开始了流体供给的处理液L中。控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝下方移动至基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中为止。
图7(c)中，如参照图4(b)而上述的，在由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，第二流体供给部134向处理槽110供给流体。
图7(d)中，如参照图4(c)而上述的，在基板处理装置100中，从处理槽110的处理液L中提起由基板保持部120所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，第二流体供给部134结束流体的供给。如上所述，基板处理结束。
参照图7(a)～图7(d)的基板处理方法中，在将基板W浸渍于处理液L之前，开始流体供给部130对流体的供给。因此，能够在将基板W浸渍于处理液L中的时机，开始使用流体的基板W的处理，从而能够缩短处理时间。
另外，在参照图7(a)～图7(d)的所述说明中，流体供给部130开始流体供给的时机早于基板W开始浸渍于处理槽110的处理液L中的时机，但本实施方式并不限定于此。基板W开始浸渍于处理槽110的处理液L中的时机也可早于流体供给部130开始流体供给的时机。
接下来，参照图8(a)～图8(d)来说明本实施方式的基板处理方法。图8(a)～图8(d)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。参照图8(a)～图8(d)所说明的基板处理方法中，是在基板W浸渍于处理槽110的处理液L中之后，流体供给部130开始流体的供给，除此以外，与参照图4(a)～图4(c)而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
如图8(a)所示，在基板处理装置100中，将由基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝下方移动至基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中为止。
随后，如图8(b)所示，流体供给部130在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。此处，第一流体供给部132向处理槽110供给流体。图8(b)中，以箭头Fa表示了从第一流体供给部132向处理槽110的流体供给。
图8(c)中，如参照图4(b)而上述的，在由基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，第二流体供给部134向处理槽110供给流体。
图8(d)中，如参照图4(c)而上述的，在基板处理装置100中，从处理槽110的处理液L中提起由基板保持部120所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，第二流体供给部134结束流体的供给。
控制部140控制基板保持部120，以使基板保持部120朝上方移动至从处理槽110内的处理液L中提起基板W整体为止。而且，控制部140在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，控制流体供给部130，以结束流体供给部130对流体的供给。如上所述，本实施方式的基板处理结束。
在参照图8(a)～图8(d)的本实施方式中，在将基板W浸渍于处理液L中之后，开始流体供给部130对流体的供给。因此，在基板W在处理液L中完成移动之后，开始流体的供给。因此，在因流体的供给而处理槽110内的处理液L晃动得相对较大的情况下，由于在流体的供给时，基板W停止，因此也能够抑制处理液L从处理槽110溢出。
另外，在参照图7(a)～图7(d)及图8(a)～图8(d)的说明中，基板W开始浸渍于处理槽110的处理液L中的时机、及流体供给部130开始流体供给的时机中的其中一者早于另一者，但本实施方式并不限定于此。基板W开始浸渍于处理槽110的处理液L中的时机、及流体供给部130开始流体供给的时机也可为大致同时。
另外，图1～图8(d)所示的基板处理装置100中，流体供给部130是配置于相同的位置，但本实施方式并不限定于此。流体供给部130也可在处理槽110内移动。
接下来，参照图9(a)～图9(c)来说明本实施方式的基板处理方法。图9(a)～图9(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。参照图9(a)～图9(c)所说明的基板处理方法除了流体供给部130移动以外，与参照图1而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
如图9(a)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120使所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。流体供给部130在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。此处，流体供给部130位于处理槽110内的第一位置，流体供给部130从第一位置向处理液L供给流体。
控制部140能够控制流体供给部130的位置。例如，流体供给部130通过控制部140的控制，在处理槽110的底部沿X方向及/或Y方向移动。而且，控制部140控制流体供给部130，以使流体供给部130向处理槽110供给流体。
如图9(b)所示，在由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，流体供给部130变更对基板W的流体供给。此处，流体供给部130一边持续供给流体，一边从第一位置移动至第二位置为止。由此，从不同位置的流体供给部130供给的流体接触至基板W，因此能够均匀地处理基板W的宽大的面。
控制部140在维持基板W整体浸渍于处理槽110内的处理液L中的状态下，控制流体供给部130，以使流体供给部130在处理槽110内移动，并且使流体供给部130向处理槽110供给流体。此处，控制部140进行控制，以使流体供给部130从基板W的X方向的其中一端部的下方移动至基板W的X方向的另一端部的下方为止。另外，控制部140也可进行控制，以使流体供给部130在基板W的X方向两端部的下方之间往复移动。
如图9(c)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120从处理槽110的处理液L中提起所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，流体供给部130结束流体的供给。如上所述，基板处理结束。
另外，图9(a)～图9(c)所示的基板处理方法中，是一个流体供给部130移动，但本实施方式并不限定于此。也可为：一个流体供给部130包含分别供给流体的多个构件，多个构件分别移动。
接下来，参照图10来说明本实施方式的基板处理装置100。图10是本实施方式的基板处理装置100的示意图。本实施方式的基板处理装置100统一处理多个基板W。例如，基板处理装置100统一对多个基板W进行蚀刻。
本实施方式的基板处理装置100包括处理槽110、基板保持部120、流体供给部130以及控制部140。处理槽110蓄存处理液L。例如，处理液L包含蚀刻液。基板保持部120保持基板W。基板保持部120包含升降机(lifter)。通过基板保持部120，能够将多个基板W统一浸渍于蓄存在处理槽110内的处理液L中。此处，流体供给部130向蓄存有处理液L的处理槽110供给气体来作为流体。
基板处理装置100还包括气体搬送部150及循环部160。气体搬送部150向流体供给部130搬送气体。循环部160使蓄存在处理槽110内的处理液L循环。
基板处理装置100还包括处理液供给部170与水供给部180。处理液供给部170将处理液供给至处理槽110中。水供给部180将水供给至处理槽110中。控制部140控制基板保持部120、流体供给部130、循环部160、处理液供给部170及水供给部180。
处理槽110具有包含内槽112及外槽114的双重槽结构。内槽112及外槽114分别具有朝上敞开的上部开口。内槽112蓄存处理液L，且可收容多个基板W地构成。外槽114是设于内槽112的上部开口的外侧面。外槽114的上缘高度高于内槽112的上缘高度。
在内槽112，设有限制部112a。限制部112a是在处理基板W时的基板W的X方向两端部，以与一片基板W的两个主面相向的方式而设。通过限制部112a来限制基板W的位置。因此，基板W在规定的位置均匀地得到处理。
处理槽110还具有盖116。盖116可相对于内槽112的上部开口而开闭。通过盖116关闭，从而盖116能够封闭内槽112的上部开口。
盖116具有开启部116a与开启部116b。开启部116a是位于内槽112的上部开口中的-X方向侧。开启部116a是配置于内槽112的上缘附近，可相对于内槽112的上部开口而开闭。开启部116b是位于内槽112的上部开口中的+X方向侧。开启部116b是配置于内槽112的上缘附近，可相对于内槽112的上部开口而开闭。通过开启部116a及开启部116b关闭而覆盖内槽112的上部开口，从而能够封闭处理槽110的内槽112。
在内槽112的底壁，连接有排液配管118a。在排液配管118a配置有阀(valve)118b。阀118b是由控制部140来开闭。通过阀118b打开，蓄存在内槽112内的处理液通过排液配管118a而排出至外部。所排出的处理液被送往排液处理装置(未图示)并进行处理。
基板保持部120保持基板W。基板保持部120在保持有基板W的状态下朝铅垂上方或铅垂下方移动。通过基板保持部120朝铅垂下方移动，从而由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于蓄存在内槽112内的处理液L中。
基板保持部120包含本体板122与保持棒124。本体板122是沿铅垂方向(Z方向)延伸的板。保持棒124从本体板122的其中一个主面沿水平方向(Y方向)延伸。此处，三个保持棒124从本体板122的其中一个主面沿Y方向延伸。多个基板W是在将多个基板W沿纸面的纵深跟前方向排列的状态下，由多个保持棒124抵接各基板W的下缘而保持为竖立姿势(铅垂姿势)。
基板保持部120也可还包含升降单元126。升降单元126是在由基板保持部120所保持的基板W位于内槽112内的处理位置(图10所示的位置)、与由基板保持部120所保持的基板W位于内槽112的上方的退避位置(未图示)之间使本体板122升降。因此，通过升降单元126来使本体板122移动至处理位置，由此，将由保持棒124所保持的多个基板W浸渍于处理液中。由此，实施对基板W的蚀刻处理。
流体供给部130是配置于处理槽110内。此处，流体供给部130被配置于处理槽110的内槽112的底部。流体供给部130被配置于蓄存在内槽112中的处理液L内。
此处，流体供给部130包含第一流体供给部132与第二流体供给部134。第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b，第二流体供给部134包含流体供给管134a及流体供给管134b。流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a及流体供给管134b向处理槽110供给气体来作为流体。气体例如为非活性气体。在一例中，气体包含氮气。或者，气体也可为空气。从流体供给管132a、流体供给管132b同时向处理槽110供给气体。而且，从流体供给管134a、流体供给管134b同时向处理槽110供给气体。
气体搬送部150包括配管152、阀154与调整阀156。阀154及调整阀156配置于配管152。配管152连结于流体供给部130。配管152将气体导向处理槽110内的流体供给部130。阀154对配管152进行开闭。通过调整阀156来调节配管152的开度，以对搬送至流体供给部130的气体的流量进行调整。
另外，图10中，为了避免附图变得过度复杂，示出了一个阀154及一个调整阀156，但阀154及调整阀156中的任一者也可设有多个。由此，能够适当调整向流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b供给的气体的量。
在处理槽110，设有液体供给部168。液体供给部168向处理槽110的内槽112供给液体。典型的是，液体供给部168供给与蓄存在内槽112内的处理液L为相同种类的处理液。
此处，液体供给部168包含多个液体供给管168a、液体供给管168b。液体供给管168a及液体供给管168b是配置于不同的位置。
循环部160包含配管161、泵(pump)162、过滤器(filter)163、加热器(heater)164、调整阀165及阀166。泵162、过滤器163、加热器164、调整阀165及阀166是依此顺序而从配管161的上游朝向下游配置。
配管161将从处理槽110排出的处理液再次导至处理槽110。在配管161的下游端，连接有液体供给管168a、液体供给管168b。
泵162从配管161将处理液送往液体供给管168a、液体供给管168b。过滤器163对流经配管161的处理液进行过滤。加热器164对流经配管161的处理液进行加热。通过加热器164来调整处理液的温度。
调整阀165调节配管161的开度，对向液体供给管168a、液体供给管168b供给的处理液的流量进行调整。调整阀165调整处理液的流量。调整阀165包含内部设有阀座的阀主体(valvebody)(未图示)、开闭阀座的阀体、以及在开位置与闭位置之间使阀体移动的致动器(actuator)(未图示)。关于其他调整阀也同样。阀166对配管161进行开闭。
另外，也可省略调整阀165。此时，向液体供给管168a、液体供给管168b供给的处理液的流量是通过泵162的控制来进行调整。
处理液供给部170包含喷嘴172、配管174与阀176。喷嘴172将处理液喷出至内槽112。喷嘴172连接于配管174。向配管174供给来自处理液供给源的处理液。在配管174，配置有阀176。
当控制部140打开阀176时，从喷嘴172喷出的处理液被供给至内槽112内。并且，当处理液从内槽112的上缘溢出时，溢出的处理液被外槽114挡住而得以回收。
水供给部180包含喷嘴182、配管184与阀186。喷嘴182将水喷出至外槽114。喷嘴182连接于配管184。供给至配管184的水可采用去离子水(De Ionized Water，DIW)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧(ozone)水及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。对于配管184，供给来自水供给源的水。在配管184，配置有阀186。当控制部140打开阀186时，从喷嘴182喷出的水被供给至外槽114内。
例如，基板处理装置100对包含硅基板的基板W的图案形成侧的表面，实施氧化硅膜(氧化膜)及氮化硅膜(氮化膜)的蚀刻处理。此种蚀刻处理中，从基板W的表面选择性地去除氧化膜及氮化膜。例如，当使用磷酸(H3PO4)的水溶液(以下称作“磷酸”)来作为供给至配管174的处理液时，从基板W的表面去除氮化膜。
流体供给部130使内槽112的处理液L产生气泡。气体从非活性气体供给源通过配管152，而从流体供给部130供给至内槽112的处理液L中。
流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b，第二流体供给部134包含流体供给管134a、流体供给管134b。另外，在流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b，形成有多个气泡喷出口G。在气体搬送部150的配管152，配置有阀154与调整阀156。阀154对配管152进行开闭。调整阀156调节配管152的开度，以调整向流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b供给的非活性气体的流量。
流体供给管132a位于液体供给管168a与假想中心线CL之间。因此，来自流体供给管132a的流体将被供给至基板W的中央部，从而能够有效率地处理基板W的大面积。同样地，流体供给管132b位于液体供给管168b与假想中心线CL之间。因此，来自流体供给管132b的流体将被供给至基板W的中央部，从而能够有效率地处理基板W的大面积。
例如，第一流体供给部132在基板W浸渍于处理槽110中的状态下，从第一流体供给部132的流体供给管132a及流体供给管132b向处理槽110供给流体。随后，在由基板保持部120所保持的基板W被浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，从流体供给管132a及流体供给管132b进行的流体供给结束，第二流体供给部134从流体供给管134a及流体供给管134b向处理槽110供给流体。
控制部140例如使用微计算机(micro computer)而构成。控制部140具有中央处理器(Central Processing Unit，CPU)等运算单元、固定存储器元件、硬盘驱动器(hard diskdrive)等存储单元以及输入/输出单元。在存储单元中，存储有运算单元所执行的程序。
控制部140按照预定的程序，来控制升降单元126、泵162及加热器164等的动作。而且，控制部140控制阀118b、阀154、阀166、阀176、阀186等的开闭动作。进而，控制部140控制调整阀156、调整阀165等的开度调整动作。
接下来，参照图11(a)及图11(b)来说明将基板W浸渍于处理槽110之前及之后的基板处理装置100。图11(a)及图11(b)是将基板W投入处理槽110之前及之后的本实施方式的基板处理装置100的示意性的立体图。另外，图11(a)及图11(b)中，为了避免附图变得过度复杂，省略了图10所示的盖116及处理槽110内的处理液L而表示。
如图11(a)所示，基板保持部120保持多个基板W。多个基板W是沿着水平方向(Y方向)而排列成一列。例如，基板保持部120保持50片基板W。
图11(a)中，基板保持部120位于处理槽110的内槽112的上方。本体板122的X方向的长度稍短于处理槽110的内槽112的X方向的长度。基板保持部120在保持有多个基板W的状态下，朝铅垂下方(Z方向)下降。由此，将基板W投入至处理槽110中。
如图11(b)所示，当基板保持部120下降至处理槽110为止时，基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。另外，尽管在图11(a)及图11(b)中未图示，但如图10所示，内槽112的上部开口由盖116所封闭。
接下来，参照图12，对图10与图11(a)及图11(b)所示的基板处理装置100中的处理槽110内的第一流体供给部132、第二流体供给部134及液体供给部168的结构进行说明。图12是表示图10所示的基板处理装置100中所含的内槽112的底部的示意性的平面图。另外，图12中，表示了多个基板W的假想中心线CL连续的情况。
如图12所示，液体供给部168包含液体供给管168a及液体供给管168b。液体供给管168a及液体供给管168b是以下述方式分别配置，即，在俯视时，夹着通过由基板保持部120(参照图10)所保持的基板W的中心而沿Y方向延伸的假想中心线CL。液体供给管168a及液体供给管168b是在内槽112的底部，分别在沿着基板W的排列方向(Y方向)的水平方向上延伸。液体供给管168a及液体供给管168b是使用圆筒管而形成。
如图12所示，在液体供给部168，设有处理液喷出口P。液体供给部168的液体是从处理液喷出口P供给至处理槽110内。处理液喷出口P是在内槽112的底部，朝向内槽112的上方喷出处理液L。
处理液喷出口P包含设于液体供给管168a的喷出口Pa、及设于液体供给管168b的喷出口Pb。喷出口Pa、喷出口Pb是沿着基板W的排列方向而排列成一列或多列(本实施方式中为一列)。喷出口Pa、喷出口Pb是以下述方式而设，即，在俯视时在基板W之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。喷出口Pa及喷出口Pb分别空开与基板W之间的间隔相同的间隔而排列。喷出口Pa、喷出口Pb分别通过在液体供给管168a、液体供给管168b的管壁开孔而形成。喷出口Pa、喷出口Pb是相对于假想中心线CL而对称地设置。当在控制部140打开阀166(图10)的状态下使泵162驱动时，以经调整阀165调整的喷出流量而从各喷出口Pa、喷出口Pb喷出处理液。
此处，第一流体供给部132包含位于隔开的部位的流体供给管132a、流体供给管132b。而且，第二流体供给部134包含位于隔开的部位的流体供给管134a、流体供给管134b。
在俯视时，流体供给管132a、流体供给管132b是配置于液体供给管168a与液体供给管168b之间。因此，流体供给管132a、流体供给管132b也被称作内侧配管。另一方面，在俯视时，流体供给管134a相对于液体供给管168a而与内侧配管配置于相反侧。同样地，流体供给管134b相对于液体供给管168b而与内侧配管配置于相反侧。因此，流体供给管134a、流体供给管134b也被称作外侧配管。
另外，流体供给管132a、流体供给管132b是以在俯视时夹着假想中心线CL的方式而分别配置。流体供给管132a、流体供给管132b在俯视时相对于假想中心线CL而大致对称地配置。从假想中心线CL直至流体供给管132a为止的距离，与从假想中心线CL直至流体供给管132b为止的距离大致相等。同样地，流体供给管134a、流体供给管134b是在俯视时相对于假想中心线CL而大致对称地配置。从假想中心线CL直至流体供给管134a为止的距离，与从假想中心线CL直至流体供给管134b为止的距离大致相等。
流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b是在内槽112的底部(即，由基板保持部120所保持的基板W的下方)，分别在沿着基板W的排列方向(图12的左右方向)的水平方向上延伸。流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b是使用圆筒管(例如石英制)而形成。
如图12所示，在第一流体供给部132及第二流体供给部134，设有气泡喷出口G。第一流体供给部132及第二流体供给部134的气体是从气泡喷出口G供给至处理槽110的处理液L内，使处理液L中形成气泡。当控制部140打开阀154时，以经调整阀156调整的喷出流量而从各气泡喷出口G喷出气泡。
气泡喷出口G包含设于流体供给管134a的喷出口Ga、设于流体供给管134b的喷出口Gb、设于流体供给管132a的喷出口Gc、及设于流体供给管132b的喷出口Gd。喷出口Ga～喷出口Gd是沿着基板W的排列方向而排列成一列或多列(本实施方式中为一列)。喷出口Ga～喷出口Gd是以下述方式而设，即，在俯视时逐个地配置于基板W之间，且对基板W之间供给气泡。喷出口Ga～喷出口Gd分别空开与基板W之间相同的间隔而排列。
喷出口Ga～喷出口Gd分别通过在流体供给管132a～流体供给管134b的管壁开孔而形成。各流体供给管132a～流体供给管134b的管径例如为约8.0mm，各喷出口Ga～喷出口Gd的直径例如为约0.3mm。另外，在流体供给管132a～流体供给管134b供给气体来作为流体的情况下，从流体供给管132a～流体供给管134b的喷出口Ga～喷出口Gd产生气泡。从喷出口Ga～喷出口Gd喷出的气泡的直径(气泡直径)为约2.0mm～约3.5mm的范围。可认为，气泡直径小则气泡对基板W表面附近的处理液的搅拌程度大，因此优选气泡直径为小。
喷出口Ga及喷出口Gb是相对于假想中心线CL而对称地设置。而且，喷出口Gc及喷出口Gd是相对于假想中心线CL而对称地设置。
另外，在基板处理装置100对基板W进行处理的情况下，基板处理装置100在盖116(图10)打开的状态下，基板保持部120将基板W浸渍于处理槽110内之后，在关闭盖116(图10)的状态下开始基板W的处理，开始第一流体供给部132及第二流体供给部134对气体的供给。尤其，在基板处理装置100向基板W供给气体的情况下，在盖116关闭的状态下开始气体的供给，由此，能够抑制处理液L从处理槽110溢出。
本实施方式的基板处理装置100遍及某期间，从第一流体供给部132的流体供给管132a、流体供给管132b供给气体来作为流体。而且，遍及另一期间而从第二流体供给部134的流体供给管134a、流体供给管134b供给气体来作为流体。另外，液体供给部168无论在哪个期间，均可从液体供给管168a、液体供给管168b持续供给液体。
接下来，参照图13来说明本实施方式的基板处理装置100。图13是本实施方式的基板处理装置100中的第一流体供给部132、第二流体供给部134及液体供给部168的示意性的俯视图。另外，图13所示的基板处理装置100中，流体供给管132a～流体供给管134b的喷出口Ga～喷出口Gd以及液体供给管168a、液体供给管168b的喷出口Pa、喷出口Pb是每隔排列成一列的多个基板W的一个而设，除此以外，与参照图12而上述的基板处理装置100同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
图13中，同种的多个基板W沿着Y方向而排列成一列。邻接的基板W以彼此朝向相同的面的方式而相向。
基板W具有主面Wa、主面Wb。主面Wa为基板的表面，主面Wb为基板W的背面。此处，邻接而相对的基板W的主面Wa彼此相对，邻接而相对的基板W的主面Wb彼此相对。
如图13所示，气泡喷出口G包含设于流体供给管134a的喷出口Ga、设于流体供给管134b的喷出口Gb、设于流体供给管132a的喷出口Gc以及设于流体供给管132b的喷出口Gd。喷出口Ga～喷出口Gd沿着X方向而排列成一列或多列(本实施方式中为一列)。而且，喷出口Ga～喷出口Gd以及喷出口Pa、喷出口Pb沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列。
喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd是以下述方式而设，即，在俯视时，在主面Wa相对的两个基板W之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。另一方面，喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd并非在俯视时设于主面Wb相对的两个基板W之间。例如，喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd是以下述方式而设，即，在俯视时，在主面Wa相对的基板W1与基板W2之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。另一方面，喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd并非在俯视时设于主面Wb相对的基板W2与基板W3之间。
同样地，处理液喷出口P包含设于液体供给管168a的喷出口Pa、及设于液体供给管168b的喷出口Pb。喷出口Pa、喷出口Pb是沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列。
喷出口Pa、喷出口Pb是以下述方式而设，即，在俯视时，在主面Wa相对的两个基板W之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。另一方面，喷出口Pa、喷出口Pb并非在俯视时设于主面Wb相对的两个基板W之间。例如，喷出口Pa、喷出口Pb是以下述方式而设，即，在俯视时，在主面Wa相对的基板W1与基板W2之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。另一方面，喷出口Pa、喷出口Pb并非在俯视时设于主面Wb相对的基板W2与基板W3之间。
图13所示的基板处理装置100中，喷出口Pa、喷出口Pb以及喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd是配置于主面Wa相对的两个基板W之间，另一方面，并不配置于主面Wb相对的两个基板W之间。例如，在流经流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b的流量为固定的情况下，喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd的数量少，由此，能够增大从喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd喷出的流体的量。同样地，在流经液体供给管168a、液体供给管168b的流量为固定的情况下，喷出口Pa、喷出口Pb的数量少，由此，能够增大从喷出口Pa、喷出口Pb喷出的液体的量。因此，能够有效率地处理基板W的特定的面。
接下来，参照图14来说明本实施方式的基板处理装置100。图14是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意性的侧面图。
在处理槽110，配置有流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b以及液体供给管168a、液体供给管168b。流体供给管134a、流体供给管134b、流体供给管132a、流体供给管132b的喷出口Ga、喷出口Gb、喷出口Gc、喷出口Gd是以其喷出方向沿着铅垂方向的方式，而设于流体供给管134a、流体供给管134b、流体供给管132a、流体供给管132b的上部。
另一方面，液体供给管168a、液体供给管168b的喷出口Pa、喷出口Pb是以其喷出方向朝向基板W的中心的方式，而设于相对于铅垂方向(Z方向)而倾斜的位置。因此，当从液体供给管168a的喷出口Pa喷出的朝向斜上的液流、与从液体供给管168b的喷出口Pb喷出的朝向斜上的液流汇流时，能够在处理槽110的内部形成朝向上方流动的非常强的上升流(upflow)。
如上所述，在基板处理装置100中，遍及某期间，从第一流体供给部132的流体供给管132a、流体供给管132b供给气体来作为流体。而且，遍及另一期间，从第二流体供给部134的流体供给管134a、流体供给管134b供给气体来作为流体。
接下来，参照图15(a)及图15(b)来说明本实施方式的基板处理方法。图15(a)及图15(b)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图15(a)所示，在某期间，不从流体供给管134a的喷出口Ga及流体供给管134b的喷出口Gb喷出气体，另一方面，从流体供给管132a的喷出口Gc及流体供给管132b的喷出口Gd喷出气体。而且，从液体供给管168a的喷出口Pa及液体供给管168b的喷出口Pb喷出液体。
此时，从流体供给管132a的喷出口Gc及流体供给管132b的喷出口Gd喷出的气泡朝大致铅垂上方上浮。因此，气泡与基板W表面的假想中心线CL的周围区域接触。
从液体供给管168a的喷出口Pa及液体供给管168b的喷出口Pb喷出的液体由于气泡而不会靠近基板W的中心附近。因此，形成从喷出口Pa及喷出口Pb朝向上方的相对较强的上升流。
另外，此处，不从流体供给管134a的喷出口Ga及流体供给管134b的喷出口Gb喷出气体，因此在喷出口Ga及喷出口Gb的上方，形成相对较弱的下降流(down flow)。
如图15(b)所示，在另一期间，从流体供给管134a的喷出口Ga及流体供给管134b的喷出口Gb喷出气体，另一方面，不从流体供给管132a的喷出口Gc及流体供给管132b的喷出口Gd喷出气体。而且，从液体供给管168a的喷出口Pa及液体供给管168b的喷出口Pb持续喷出液体。
此处，不从流体供给管132a的喷出口Gc及流体供给管132b的喷出口Gd喷出气体。因此，从液体供给管168a的喷出口Pa喷出的朝向斜上的液流、与从液体供给管168b的喷出口Pb喷出的朝向斜上的液流汇流，而在处理槽110的内部形成朝向上方流动的非常强的上升流。
而且，从流体供给管134a的喷出口Ga及流体供给管134b的喷出口Gb喷出的气泡朝大致铅垂上方上浮。因此，从流体供给管134a的喷出口Ga喷出的气泡朝上方移动，而被供给至基板W的横方向的一端部区域。同样地，从流体供给管134b的喷出口Gb喷出的气泡朝上方移动，而被供给至基板W的横方向的另一端部区域。
根据图15(a)与图15(b)的比较可理解的是，通过切换第一流体供给部132对流体的供给以及第二流体供给部134对流体的供给，从而能够切换处理液及气泡相对于基板W的流动。因此，能够抑制对基板W的处理的偏颇。
另外，图10、图12～图14所示的基板处理装置100中，流体供给管132a及流体供给管134a以夹着液体供给管168a的方式而相向地配置，流体供给管132b及流体供给管134b以夹着液体供给管168b的方式而相向地配置，但本实施方式并不限定于此。
接下来，参照图16来说明本实施方式的基板处理装置100。图16是本实施方式的基板处理装置100的示意图。图16所示的基板处理装置100中，在液体供给管168a的两侧分别配置第一流体供给部132及第二流体供给部134这两个流体供给管，并且在液体供给管168b的两侧分别配置第一流体供给部132及第二流体供给部134这两个流体供给管，除此以外，与参照图10而上述的基板处理装置100同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
基板处理装置100包括处理槽110、基板保持部120、流体供给部130以及控制部140。流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管132c、流体供给管132d。本说明书中，有时将第一流体供给部132的流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管132c、流体供给管132d称作第一流体供给管132a、第二流体供给管132b、第三流体供给管132c、第四流体供给管132d。
流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管132c、流体供给管132d沿Y方向延伸。第二流体供给部134包含流体供给管134a、流体供给管134b、流体供给管134c、流体供给管134d。流体供给管134a、流体供给管134b、流体供给管134c、流体供给管134d沿Y方向延伸。本说明书中，有时将第二流体供给部134的流体供给管134a、流体供给管134b、流体供给管134c、流体供给管134d称作第五流体供给管134a、第六流体供给管134b、第七流体供给管134c、第八流体供给管134d。
若着眼于配置在处理槽110的内槽112中的流体供给管132a～流体供给管134d，则从-X方向侧朝向+X方向侧而按照流体供给管132a、流体供给管134a、流体供给管132b、流体供给管134b、流体供给管134c、流体供给管132c、流体供给管134d、流体供给管132d的顺序配置。因此，流体供给管132a及流体供给管134a相对于液体供给管168a而配置在-X方向侧，流体供给管132b及流体供给管134b相对于液体供给管168a而配置在+X方向侧。
而且，流体供给管132c及流体供给管134c相对于液体供给管168b而配置在-X方向侧，流体供给管132d及流体供给管134d相对于液体供给管168b而配置在+X方向侧。因此，流体供给管132a、流体供给管132d以及流体供给管134a、流体供给管134d相对于液体供给管168a及液体供给管168b而配置在外侧，流体供给管132b、流体供给管132c以及流体供给管134b、流体供给管134c是配置在液体供给管168a与液体供给管168b之间。
而且，第一流体供给管132a及第二流体供给管132b以夹着液体供给管168a的方式而相向地配置，第五流体供给管134a及第六流体供给管134b以夹着液体供给管168a的方式而相向地配置。同样地，第三流体供给管132c及第四流体供给管132d以夹着液体供给管168b的方式而相向地配置，第七流体供给管134c及第八流体供给管134d以夹着液体供给管168b的方式而相向地配置。
这样，在基板W中的相对于假想中心线为-X方向侧的区域，在液体供给管168a的两侧，供给来自第一流体供给部132的流体与来自第二流体供给部134的流体。同样地，在基板W中的相对于假想中心线CL为+X方向侧的区域，在液体供给管168b的两侧，供给来自第一流体供给部132的流体与来自第二流体供给部134的流体。因此，能够遍及基板W的整个面来充分地进行处理。
另外，在参照图10～图16的所述说明中，从流体供给部130的第一流体供给部132及第二流体供给部134分别供给气体来作为流体，但本实施方式并不限定于此。流体供给部130也可供给液体来作为流体。
接下来，参照图17来说明本实施方式的基板处理装置100。图17是本实施方式的基板处理装置100的示意图。图17所示的基板处理装置100中，流体供给部130供给液体来作为流体，除此以外，与参照图10而上述的基板处理装置100同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
基板处理装置100包括处理槽110、基板保持部120、流体供给部130以及控制部140。流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。第一流体供给部132及第二流体供给部134是配置在处理槽110的内槽112的底部。第一流体供给部132及第二流体供给部134连接于配管161的下游端。此处，第一流体供给部132及第二流体供给部134向处理槽110供给循环的处理液来作为流体。
图17所示的基板处理装置100中，第一流体供给部132及第二流体供给部134能够独立地调整处理液L的供给。另外，图17中，为了避免附图变得过度复杂，示出了一个调整阀165及一个阀166，但调整阀165及阀166中的任一者也可设有多个。由此，能够适当调整从第一流体供给部132及第二流体供给部134供给的液体的量。
例如，第一流体供给部132向处理槽110内的处理液L中供给循环的处理液，另一方面，第二流体供给部134不向处理槽110内的处理液L中供给循环的处理液。随后，第一流体供给部132不向处理槽110内的处理液L中供给循环的处理液，第二流体供给部134向处理槽110内的处理液L中供给循环的处理液。由此，能够抑制基板W的处理的偏颇。
接下来，参照图18(a)～图18(c)来说明本实施方式的基板处理方法。图18(a)～图18(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。另外，图18(a)～图18(c)所示的基板处理方法中，第一流体供给部132及第二流体供给部134一边持续供给流体一边变更流体的流量，除此以外，与参照图4(a)～图4(c)而上述的基板处理方法同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
如图18(a)所示，在基板处理装置100中，基板保持部120使所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中。流体供给部130在基板W被浸渍于处理液L中的状态下，向处理槽110供给流体。此处，第一流体供给部132及第二流体供给部134向处理槽110供给液体。图18(a)中，以箭头F1来表示了从第一流体供给部132向处理槽110的液体供给，以箭头F2来表示了从第二流体供给部134向处理槽110的液体供给。
如图18(b)所示，在由基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110的处理液L中的状态下，流体供给部130变更对基板W的流体供给。此处，第一流体供给部132及第二流体供给部134变更液体的流量。图18(b)中，以箭头F2来表示了从第一流体供给部132向处理槽110的液体供给，以箭头F1来表示了从第二流体供给部134向处理槽110的液体供给。
如图18(c)所示，在基板处理装置100中，从处理槽110的处理液L中提起由基板保持部120所保持的基板W。在从处理槽110的处理液L中提起基板W之前、同时或之后，第一流体供给部132及第二流体供给部134结束液体的供给。
另外，图17所示的基板处理装置100中，从流体供给部130向处理槽110的处理液L中供给气体，但本实施方式并不限定于此。对于处理槽110的处理液L，也可不仅供给来自流体供给部130的气体，还供给液体。
接下来，参照图19来说明本实施方式的基板处理装置100。图19是本实施方式的基板处理装置100的示意图。图19所示的基板处理装置100中，对于处理槽110，不仅从流体供给部130供给液体，还供给气体，除此以外，与参照图17而上述的基板处理装置100同样。因此，为了避免繁冗而省略重复记载。
基板处理装置100除了处理槽110、基板保持部120、流体供给部130、控制部140、气体搬送部150以外，还包括气体供给部158。气体供给部158是配置在处理槽110的内槽112的底部。配管152连结于气体供给部158。配管152将气体导向处理槽110内的气体供给部158。
气体供给部158包含气体供给管158a、气体供给管158b、气体供给管158c、气体供给管158d。气体供给管158a相对于第一流体供给部132而配置在-X方向侧，气体供给管158b相对于第一流体供给部132而配置在+X方向侧。气体供给管158c相对于第二流体供给部134而配置在-X方向侧，气体供给管158d相对于第二流体供给部134而配置在+X方向侧。
图18(a)～图18(c)所示的基板处理装置100中，第一流体供给部132及第二流体供给部134向处理槽110供给液体，除此以外，气体供给部158向处理槽110供给气体。因此，能够充分地处理基板W。
另外，图1～图19所示的基板处理装置100中，流体供给部130是与基板W的主面的法线方向平行地配置，但本实施方式并不限定于此。流体供给部130也可沿与基板W的主面的法线方向正交的方向延伸。
接下来，参照图20(a)及图20(b)来说明本实施方式的基板处理装置100。图20(a)是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意性的俯视图，图20(b)是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意性的侧面图。此处，流体供给部130是沿与基板W的排列方向交叉的方向延伸。
在图20(a)及图20(b)所示的基板处理装置100的处理槽110，与参照图10～图16而上述的基板处理装置100同样地，配置有流体供给部130及液体供给部168。此处，流体供给部130是沿与基板W的排列方向交叉的方向延伸。流体供给部130位于多个基板W中的邻接的两个基板之间。流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。
此处，第一流体供给部132及第二流体供给部134向处理槽110供给气体。第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b，第二流体供给部134包含流体供给管134a、流体供给管134b。另外，第一流体供给部132包含流体供给管132a、流体供给管132b以外的流体供给管，第二流体供给部134包含流体供给管134a、流体供给管134b以外的流体供给管，但在图20(a)及图20(b)中，仅表示了流体供给管132a、流体供给管132b、流体供给管134a、流体供给管134b。流体供给管132a、流体供给管132b以及流体供给管134a、流体供给管134b从喷出口向处理槽110喷出气体。
液体供给部168向处理槽110供给液体。液体供给部168包含液体供给管168a、液体供给管168b、液体供给管168c、液体供给管168d。液体供给管168a、液体供给管168b、液体供给管168c、液体供给管168d从喷出口向处理槽110喷出液体。
第一流体供给部132的流体供给管132a、流体供给管132b是沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列。同样地，第二流体供给部134的流体供给管134a、流体供给管134b是在未配置流体供给管132a、流体供给管132b的位置且沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列。例如，第一流体供给部132的流体供给管是以下述方式而设，即，在俯视时配置于基板W2与基板W3之间，且对基板W2及基板W3供给气体。另一方面，第二流体供给部134的流体供给管是以下述方式而设，即，在俯视时设于基板W1与基板W2之间，且对基板W1及基板W2供给气体。
另一方面，液体供给管168a、液体供给管168b、液体供给管168c、液体供给管168d是以下述方式而设，即，在俯视时，在基板W之间逐个地配置，且对基板W之间供给处理液。例如，液体供给部168的液体供给管是在俯视时，在基板W1与基板W2之间配置一个，同样地，在俯视时设于基板W2与基板W3之间。
本实施方式的基板处理装置100中，在仅有第一流体供给部132及第二流体供给部134中的其中一个供给气体的情况下，对基板W的两个主面中的其中一个供给气体。例如，在第一流体供给部132供给气体的情况下，基板W1的+Y方向侧的主面、基板W2的-Y方向侧的主面和基板W3的+Y方向侧的主面与气体接触。相反地，在第二流体供给部134供给气体的情况下，基板W1的-Y方向侧的主面、基板W2的+Y方向侧的主面、基板W3的-Y方向侧的主面和基板W4的+Y方向侧的主面与气体接触。
而且，液体供给部168的液体供给管168a、液体供给管168b、液体供给管168c、液体供给管168d无论在哪种情况下，均供给液体。因此，对基板W分别供给液体及气体这两者，从而能够有效地处理基板W。
另外，在参照图20(a)及图20(b)而上述的说明中，对于处理槽110，由液体供给部168供给液体，另一方面，由流体供给部130供给气体，但本实施方式并不限定于此。也可为：对于处理槽110，由气体供给部供给气体，另一方面，由流体供给部130供给液体。此时，流体供给部130如参照图1而上述的，也可变更液体的供给。
而且，在参照图20(a)及图20(b)而上述的说明中，对于处理槽110，由液体供给部168供给液体，另一方面，由第一流体供给部132及第二流体供给部134供给气体，但本实施方式并不限定于此。也可为：对于处理槽110，由气体供给部供给气体，另一方面，由第一流体供给部132及第二流体供给部134供给液体。此时，第一流体供给部132及第二流体供给部134如参照图17及图18(a)～图18(c)而上述的，也可变更液体的流量。
接下来，参照图21(a)及图21(b)来说明本实施方式的基板处理装置100。图21(a)是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意性的俯视图，图21(b)是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意性的侧面图。
此处，邻接而相对的基板W的主面Wa彼此相对，邻接而相对的基板W的主面Wb彼此相对。
在图21(a)所示的基板处理装置100的处理槽110，与图19所示的基板处理装置100同样地，配置有流体供给部130及气体供给部158。流体供给部130包含第一流体供给部132及第二流体供给部134。
此处，第一流体供给部132向处理槽110供给液体。第一流体供给部132包含流体供给管132a，第二流体供给部134包含流体供给管134a。另外，第一流体供给部132包含流体供给管132a以外的流体供给管，第二流体供给部134包含流体供给管134a以外的流体供给管，但在图21(a)中，仅示出了流体供给管132a、流体供给管134a。流体供给管132a及流体供给管134a从喷出口向处理槽110喷出气体。
气体供给部158向处理槽110供给气体。气体供给部158包含气体供给管158a、气体供给管158b。从气体供给管158a、气体供给管158b、喷出口向处理槽110喷出气体。
第一流体供给部132的流体供给管以及第二流体供给部134的流体供给管中的任一者沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列。而且，第一流体供给部132的流体供给管沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔三个地排列，第二流体供给部134的流体供给管沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔三个地排列。例如，第一流体供给部132的流体供给管是以下述方式而设，即，在俯视时，配置于基板W1与基板W2之间，且对基板W1的主面Wa及基板W2的主面Wa供给气体。另一方面，第二流体供给部134的流体供给管是以下述方式而设，即，在俯视时设于基板W3与基板W4之间，且对基板W3的主面Wa及基板W4的主面Wa供给气体。
另一方面，气体供给部158的气体供给管是以下述方式而设，即，沿着基板W的排列方向(Y方向)而每隔一个地排列，且对基板W之间供给气体。例如，气体供给部158的气体供给管158a是在俯视时，在基板W1与基板W2之间配置一个，同样地，气体供给管158b是在俯视时设于基板W3与基板W4之间。
本实施方式的基板处理装置100中，第一流体供给部132及第二流体供给部134供给不同流量的液体，对邻接的基板W的主面Wa供给液体。例如，在来自第一流体供给部132的液体流量多于来自第二流体供给部134的液体流量的情况下，可充分处理基板W1的主面Wa及基板W2的主面Wa。相反地，在来自第二流体供给部134的液体流量多于来自第一流体供给部132的液体流量的情况下，可充分处理基板W3的主面Wa及基板W4的主面Wa。
而且，气体供给部158的气体供给管158a、气体供给管158b、气体供给管158c、气体供给管158d无论在哪种情况下均供给气体。因此，对于基板W分别供给液体及气体这两者，从而能够有效地处理基板W的主面Wa。
另外，参照图21(a)及图21(b)而上述的说明中，对于处理槽110，由气体供给部158供给气体，另一方面，由第一流体供给部132及第二流体供给部134供给液体，但本实施方式并不限定于此。也可为：对于处理槽110，由液体供给部供给液体，另一方面，由第一流体供给部132及第二流体供给部134供给气体。
另外，优选如图20(a)及图20(b)与图21(a)及图21(b)所示，对于基板W各自的至少一部分，供给液体及气体。由此，能够充分处理基板W的各个。
另外，在将多个基板W排列成一列而进行基板W的处理的情况下，排列成一列的基板W中的、配置于端部的基板W跟其他基板相比，有时得不到均匀处理。因此，优选设置整流板，所述整流板与排列成一列的基板W中的、配置于端部的基板W相向。
接下来，参照图22(a)～图22(c)来说明具备安装有整流板190的处理槽110的基板处理装置100。图22(a)是本实施方式的基板处理装置100中的处理槽110的示意图。图22(b)及图22(c)是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图22(a)所示，在基板处理装置100中，在处理槽110安装有整流板190。整流板190被安装于处理槽110的底部。整流板190是沿着铅垂上方(Z方向)延伸的板。在整流板190，设有与基板保持部120的保持棒124对应的三个凹部。
如图22(b)所示，基板保持部120在处理槽110的上方保持基板W。由基板保持部120所保持的多个基板W排列成一列。
如图22(c)所示，基板保持部120在保持有基板W的状态下，下降至处理槽110为止。由此，在基板处理装置100中，排列成一列的多个基板W被浸渍于处理槽110中。基板保持部120的保持棒124进入整流板190的凹部内。因此，基板保持部120在保持有基板W的状态下，下降至处理槽110为止时，整流板190与排列成一列的基板W中的其中一端部的基板W相向。因此，对于排列成一列的基板W中的其中一端部的基板W，也能够与其他基板同样地进行处理。
另外，图22(a)～图22(c)所示的基板处理装置100中，整流板190被安装于处理槽110，但本实施方式并不限定于此。整流板190也可被安装于基板保持部120。
接下来，参照图23，对整流板190被安装于基板保持部120的本实施方式的基板处理装置100中的基板保持部120进行说明。图23是基板保持部120的示意图。
基板保持部120包含本体板122与保持棒124。在保持棒124，多个基板W沿着Y方向排列成一列而受到支撑。在保持棒124中的+Y方向侧的端部，安装有整流板190。整流板190与多个基板W中的+Y方向侧的基板W相向。整流板190的直径、形状、厚度优选与基板W大致相等。例如，在基板W为薄的圆形状的情况下，优选整流板190也为薄的圆形状。
而且，由基板保持部120所保持的基板W的数量有时少于最大可保持片数。此时，优选整流板190可沿着保持棒124而在Y方向上移动。
另外，在参照图1至图23而上述的基板处理装置100中，流体供给部130被配置于处理槽110的底部，向蓄存于处理槽110中的处理液内供给流体，但本实施方式并不限定于此。流体供给部130也可配置于处理槽110的侧方。或者，流体供给部130也可配置于比蓄存于处理槽110中的处理液的高度高的位置，未被处理液覆盖地向处理槽110供给流体。
另外，图1至图23所示的基板处理装置100是同时处理多个基板W的批量(batch)型，但本实施方式并不限定于此。基板处理装置100也可为逐片地处理基板W的单片型。
以上，一边参照附图一边说明本发明的实施方式。但是，本发明并不限于所述实施方式，可在不脱离其主旨的范围内以各种方式来实施。而且，通过将所述实施方式中揭示的多个构成元件适当组合，可形成各种发明。例如，也可从实施方式所示的所有构成元件中删除若干个构成元件。进而，也可将跨及不同实施方式的构成元件适当组合。为了便于理解，附图将各个构成元件示意性地示于主体，为了方便附图制作，图示的各构成元件的厚度、长度、个数、间隔等也有时与实际不同。而且，所述实施方式中所示的各构成元件的材质、形状、尺寸等为一例，并无特别限定，可在实质上不偏离本发明的效果的范围内进行各种变更。
[工业上的可利用性]
本发明适合用于对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包括：
处理槽，蓄存用于处理基板的处理液；
基板保持部，在所述处理槽的所述处理液内保持所述基板；
流体供给部，向所述处理槽供给流体；以及
控制部，控制所述流体供给部，
所述控制部在从对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽开始所述流体的供给，直至对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽结束所述流体的供给为止的期间，控制所述流体供给部，以使所述流体供给部变更所述流体的供给。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中
所述流体供给部包含：
第一流体供给部，配置于所述处理槽内的第一位置，向所述处理槽供给流体；以及
第二流体供给部，配置于所述处理槽内的第二位置，在与所述第一流体供给部供给所述流体的期间不同的期间，向所述处理槽供给流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中
所述控制部控制所述第一流体供给部及所述第二流体供给部，以切换所述第一流体供给部对所述流体的供给以及所述第二流体供给部对所述流体的供给，而将所述第一流体供给部的所述流体及所述第二流体供给部的所述流体中的至少一者供给至所述处理槽。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中
所述第一流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体，
所述第二流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中
所述第一流体供给部具有多个流体供给管，
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中
所述第二流体供给部具有多个流体供给管，
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括：
液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中
所述液体供给部具有多个液体供给管，
所述液体供给部的所述多个液体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，还包括：
液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液，
所述液体供给部包含第一液体供给管及第二液体供给管，
所述第一流体供给部具有多个流体供给管，
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间，
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中
所述第二流体供给部具有多个流体供给管，
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间，
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
11.根据权利要求2所述的基板处理装置，还包括：
液体供给部，在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方，向所述处理槽供给所述处理液，
所述液体供给部包含第一液体供给管及第二液体供给管，
所述第一流体供给部具有多个流体供给管，
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管包含第一流体供给管、第二流体供给管、第三流体供给管及第四流体供给管，
所述第一液体供给管位于所述第一流体供给部的所述第一流体供给管与所述第二流体供给管之间，
所述第二液体供给管位于所述第一流体供给部的所述第三流体供给管与所述第四流体供给管之间。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中
所述第二流体供给部具有多个流体供给管，
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管包含第五流体供给管、第六流体供给管、第七流体供给管及第八流体供给管，
所述第一液体供给管位于所述第二流体供给部的所述第五流体供给管与所述第六流体供给管之间，
所述第二液体供给管位于所述第二流体供给部的所述第七流体供给管与所述第八流体供给管之间。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中
所述第一流体供给部向所述处理槽供给处理液来作为所述流体，
所述第二流体供给部向所述处理槽供给处理液来作为所述流体。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中
所述控制部控制所述流体供给部，以使所述流体供给部在所述处理槽内移动。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中
所述基板是多个排列成一列，
所述流体供给部是沿着与所述基板的排列方向交叉的方向延伸，且位于多个基板中的邻接的两个基板之间。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中
所述流体供给部对所述两个基板供给液体。
17.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中
所述流体供给部是在所述处理槽内，配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方。
18.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括：
整流板，与所述基板的至少一部分相向。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中
所述整流板被安装于所述处理槽或所述基板保持部。
20.一种基板处理方法，包括下述工序：
使基板浸渍于蓄存在处理槽中的处理液内；以及
向所述处理槽供给流体，
所述供给流体的工序包含下述工序，在从对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽开始所述流体的供给，直至对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽结束所述流体的供给为止的期间，变更所述流体的供给。
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