CN107017160A - 基板液处理装置和基板液处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置（B1、D1）朝向水平方向地向外侧打开的位置（A1、C1）。

Description

基板液处理装置和基板液处理方法
技术领域
本发明涉及一种使多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行液处理的基板液处理装置以及基板液处理方法。
背景技术
在制造半导体部件、平板显示器等时，使用基板液处理装置，利用清洗液、蚀刻液等处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施各种液处理。
例如，在专利文献1中公开的基板液处理装置中，在处理槽的底部设有两个处理液供给喷嘴，从处理液供给喷嘴向处理槽的内部供给处理液。
在该基板液处理装置中，多个基板以铅垂立起的姿势沿水平方向隔开间隔地排列的状态浸渍于储存有处理液的处理槽。处理液供给喷嘴向基板的排列方向延伸，用于喷出处理液的喷出口沿着基板的排列方向隔开间隔地设置。喷出口由具有圆形开口的贯通孔形成。两个处理液供给喷嘴使各自的喷出口朝向基板的中央侧并向内侧斜上方倾斜。
并且，在基板液处理装置中，从两个处理液供给喷嘴的喷出口向基板的中央喷出处理液，从而在处理槽的内部形成沿着基板的表面流动的处理液的上升流，利用上升的处理液对基板的表面进行液处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012－15490号公报
发明内容
发明要解决的问题
在所述以往的基板液处理装置中，两个处理液供给喷嘴的喷出口由向基板的中央侧倾斜的贯通孔形成，因此从处理液供给喷嘴喷出的处理液的指向性非常高。
因此，从处理液供给喷嘴喷出的大部分处理液向基板的中央侧呈倾斜状流动，从两个处理液供给喷嘴喷出的处理液彼此在基板的中央部发生碰撞。由此，在处理槽的内部，因处理液的流速的差而产生涡流，出现处理液滞留的部分。结果，在所述以往的基板液处理装置中，有可能无法均匀地对基板的表面进行液处理。
用于解决问题的方案
因此，本发明是一种基板液处理装置，该基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置朝向水平方向地向外侧打开的位置。
另外，本发明是一种基板液处理装置，该基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述多个基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面与所述第2侧面之间的开口角度被设为打开180度以上的角度的状态。
另外，在所述管体的内部收纳有用于供给所述处理液的内管，用于从所述内管向所述管体供给所述处理液的供给口被形成为与形成于所述管体的所述喷出口朝向相反的方向。
另外，在排列的所述多个基板之间均配置有所述喷出口，并且在并列设置的所述喷出口之间均配置有所述供给口。
另外，在所述管体的内部收纳有用于供给所述处理液的内管，使所述内管的外周面比所述第1侧面和/或所述第2侧面向外侧突出。
另外，在所述处理槽的内部，将多个所述处理液供给喷嘴配置为各自的所述喷出口的所述第1侧面和所述第2侧面之间的中央部处的所述处理液的喷出方向彼此平行而不交叉。
另外，在所述处理槽的内部，将多个所述处理液供给喷嘴配置在为了将所述基板以排列的状态保持而设置的多个基板保持体之间。
另外，将所述基板保持体的侧面形成为与所述喷出口的所述第1侧面和所述第2侧面之间的中央部处的所述处理液的喷出方向平行而不交叉。
另外，还具有气泡供给部，该气泡供给部用于在所述处理槽的内部从所述基板的下方供给气泡。
另外，所述气泡供给部将气泡与处理液一起从所述处理液供给喷嘴喷出。
另外，所述气泡在从所述处理液供给喷嘴喷出的处理液的流动压力的作用下成为液体状。
另外，所述气泡是通过使处理液沸腾而生成的。
另外，所述气泡是通过控制处理液的流动压力、处理液的温度、处理液的浓度中的至少任一者而生成的。
另外，在所述处理槽的外部设置大气压传感器，根据从所述大气压传感器获得的信号，对生成所述气泡的处理液的温度、处理液的浓度进行校正。
另外，本发明是一种基板液处理方法，将多个基板以排列的状态浸渍于被储存于处理槽的处理液，从在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方的处理液供给喷嘴供给所述处理液，对所述基板进行液处理，在该基板液处理方法中，将所述处理液从所述处理液供给喷嘴以从所述处理液供给喷嘴的中心还向径向外侧扩散的方式喷出。
另外，本发明是一种基板液处理方法，将多个基板以排列的状态浸渍于被储存于处理槽的处理液，从在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方的处理液供给喷嘴供给所述处理液，对所述基板进行液处理，在该基板液处理方法中，将所述处理液从所述处理液供给喷嘴以从所述处理液供给喷嘴的中心还向180度以上的外侧扩散的方式喷出。
另外，从所述基板的下方供给气泡。
发明的效果
采用本发明，能够抑制在处理槽的内部产生处理液的涡流、滞留，能够利用处理液对基板均匀地进行液处理。
附图说明
图1是表示基板液处理装置的俯视说明图。
图2是表示实施例1的蚀刻处理装置的说明图。
图3是表示处理槽的主视图。
图4是表示处理槽的俯视图。
图5是表示处理槽的放大主剖视图。
图6的(a)是表示处理液供给喷嘴的放大主剖视图，图6的(b)是放大侧剖视图。
图7是表示其他处理液供给喷嘴的放大主剖视图。
图8是表示实施例2的蚀刻处理装置的说明图。
图9是表示实施例3的蚀刻处理装置的说明图。
图10是表示实施例4的蚀刻处理装置的说明图。
图11是表示变形例的蚀刻处理装置的说明图。
图12是表示变形例的蚀刻处理装置的说明图。
附图标记说明
1、基板液处理装置；8、基板；34、处理槽；49、处理液供给喷嘴；74、管体；76、喷出口；78、第1侧面；79、第2侧面。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的基板液处理装置和基板液处理方法的具体结构。
如图1所示，基板液处理装置1具有载体输入输出部2、批形成部3、批载置部4、批输送部5、批处理部6、控制部7。
载体输入输出部2用于进行载体9的输入及输出，多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地收纳于该载体9。
在该载体输入输出部2设有供多个载体9载置的载体台10、用于进行载体9的输送的载体输送机构11、用于临时保管载体9的载体座12、13以及供载体9载置的载体载置台14。这里，载体座12用于在利用批处理部6对作为产品的基板8进行处理之前临时保管该基板8。另外，载体座13用于在利用批处理部6对作为产品的基板8进行处理之后临时保管该基板8。
并且，载体输入输出部2利用载体输送机构11将从外部输入至载体台10的载体9向载体座12、载体载置台14输送。另外，载体输入输出部2利用载体输送机构11将载置于载体载置台14的载体9向载体座13、载体台10输送。输送至载体台10的载体9被向外部输出。
批形成部3用于形成将收纳于一个或多个载体9的基板8组合起来同时处理的包括多张(例如50张)基板8的批。其中，在形成批时，可以以基板8的表面的形成有图案的面彼此相对的方式形成批，另外，也可以以基板8的表面的形成有图案的面全部朝向一侧的方式形成批。
在该批形成部3设有用于输送多张基板8的基板输送机构15。另外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途将基板8的姿势从水平姿势变更为铅垂姿势以及从铅垂姿势变更为水平姿势。
并且，批形成部3利用基板输送机构15从载置于载体载置台14的载体9向批载置部4输送基板8，将形成批的基板8载置于批载置部4。另外，批形成部3利用基板输送机构15将载置于批载置部4的批向载置于载体载置台14的载体9输送。另外，基板输送机构15具有作为用于支承多张基板8的基板支承部的用于支承处理前(利用批输送部5输送前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用批输送部5输送后)的基板8的处理后基板支承部共两种。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附于处理后的基板8等。
批载置部4利用批载置台16暂时载置(待机)利用批输送部5在批形成部3与批处理部6之间输送的批。
在该批载置部4设有供处理前(利用批输送部5输送前)的批载置的输入侧批载置台17和供处理后(利用批输送部5输送后)的批载置的输出侧批载置台18。与一批相应的量的多张基板8以铅垂姿势沿前后排列地载置于输入侧批载置台17和输出侧批载置台18。
并且，在批载置部4，利用批形成部3形成的批被载置于输入侧批载置台17，该批借助批输送部5被向批处理部6输送。另外，在批载置部4，从批处理部6借助批输送部5输出的批被载置于输出侧批载置台18，该批被向批形成部3输送。
批输送部5用于在批载置部4与批处理部6之间、批处理部6的内部之间进行批的输送。
在该批输送部5设有用于进行批的输送的批输送机构19。批输送机构19由沿着批载置部4和批处理部6配置的轨20以及一边保持多张基板8一边沿着轨20移动的移动体21构成。在移动体21以进退自如的方式设有基板保持体22，所述基板保持体22用于保持以铅垂姿势沿前后排列的多张基板8。
并且，批输送部5利用批输送机构19的基板保持体22接收载置于输入侧批载置台17的批，将该批交接至批处理部6。并且，批输送部5利用批输送机构19的基板保持体22接收经批处理部6处理后的批，将该批交接至输出侧批载置台18。而且，批输送部5利用批输送机构19在批处理部6的内部进行批的输送。
批处理部6将以铅垂姿势沿前后排列的多张基板8作为一批对其进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该批处理部6排列设置有用于进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、用于进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、用于进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及两台用于进行基板8的蚀刻处理的蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23在处理槽27以升降自如的方式设有基板升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。与一批相应的量的多张基板8以铅垂姿势沿前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从批输送机构19的基板保持体22接收批，利用基板升降机构28使该批升降，从而利用供给至处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23从基板升降机构28向批输送机构19的基板保持体22交接批。
基板保持体清洗处理装置24能够向处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向批输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后，供给干燥气体，从而进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31以升降自如的方式设有基板升降机构32、33。在清洗用的处理槽30储存有清洗用的处理液(SC－1等)。在冲洗用的处理槽31储存有冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35以升降自如的方式设有基板升降机构36、37。在蚀刻用的处理槽34储存有蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35储存有冲洗用的处理液(纯水等)。
所述清洗处理装置25和蚀刻处理装置26为同样的结构。对蚀刻处理装置26进行说明，与一批相应的量的多张基板8以铅垂姿势沿前后排列地保持于基板升降机构36、37。蚀刻处理装置26利用基板升降机构36从批输送机构19的基板保持体22接收批，利用基板升降机构36使该批升降从而使该批浸渍于处理槽34的蚀刻用的处理液，进而进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26从基板升降机构36向批输送机构19的基板保持体22交接批。另外，蚀刻处理装置26利用基板升降机构37从批输送机构19的基板保持体22接收批，利用基板升降机构37使该批升降从而使该批浸渍于处理槽35的冲洗用的处理液，进而进行基板8的冲洗处理。之后，蚀刻处理装置26从基板升降机构37向批输送机构19的基板保持体22交接批。
控制部7用于控制基板液处理装置1的各部(载体输入输出部2、批形成部3、批载置部4、批输送部5、批处理部6等)的动作。
该控制部7例如是计算机，包括计算机可读取的存储介质38。在存储介质38存储有用于控制在基板液处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部7通过读出并执行存储于存储介质38的程序来控制基板液处理装置1的动作。另外，程序是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其他存储介质安装于控制部7的存储介质38的程序。作为计算机可读取的存储介质38，具有例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
[实施例1]
在所述基板液处理装置1的蚀刻处理装置26中，将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液用作处理液(蚀刻液)对基板8进行液处理(蚀刻处理)。
如图2所示，蚀刻处理装置26具有：液处理部39，其用于储存含有规定浓度的磷酸水溶液的处理液并且对基板8进行处理；处理液供给部40，其用于向液处理部39供给处理液；纯水供给部41，其用于供给稀释处理液的纯水；处理液循环部42，其用于使储存于液处理部39的处理液循环；以及处理液排出部43，其用于从液处理部39排出处理液。
液处理部39在上部开放的处理槽34的上部周围形成有上部开放的外槽44，将处理液储存于处理槽34和外槽44。处理槽34储存用于对基板8进行液处理的处理液，利用基板升降机构36使基板8浸渍于该处理液来对基板8进行液处理。外槽44用于储存从处理槽34溢出的处理液，并且通过处理液循环部42向处理槽34供给处理液。另外，多个基板8以铅垂立起的姿势沿水平方向隔开间隔地排列的状态保持于基板升降机构36。
处理液供给部40用于向液处理部39供给与处理液不同浓度(比处理液低的浓度)的药剂(磷酸)的水溶液。该处理液供给部40将用于供给规定浓度和规定温度的磷酸水溶液的水溶液供给源45经由流量调整器46与液处理部39的外槽44连接。流量调整器46与控制部7连接，利用控制部7进行开闭控制以及流量控制。
纯水供给部41用于供给纯水，该纯水用于补充处理液的因加热(沸腾)而蒸发掉的水分。该纯水供给部41将用于供给规定温度的纯水的纯水供给源47经由流量调整器48与液处理部39的外槽44连接。流量调整器48与控制部7连接，利用控制部7进行开闭控制以及流量控制。
处理液循环部42在处理槽34的内部将处理液供给喷嘴49配置于比利用基板升降机构36保持的基板8靠下方的位置，并且在液处理部39的外槽44的底部与处理液供给喷嘴49之间形成循环流路50。在循环流路50依次设有泵51、过滤器52、加热器53。泵51以及加热器53与控制部7连接，利用控制部7进行驱动控制。另外，处理液循环部42通过驱动泵51来使处理液从外槽44向处理槽34循环。此时，利用加热器53将处理液加热至规定温度。
另外，处理液循环部42在循环流路50的中途(比加热器53靠下游侧)与外槽44之间形成有浓度测量流路54。在浓度测量流路54依次设有上游侧开闭阀55、浓度传感器56(浓度测量部)、下游侧开闭阀57。在上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间连接有供给用于对浓度传感器56进行清洗的清洗流体(在此，为常温的纯水)的清洗流体供给部58。该清洗流体供给部58将用于供给清洗流体的清洗流体供给源59经由供给开闭阀60连接在上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间。另外，在浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间连接有用于排出清洗流体的清洗流体排出部61。该清洗流体排出部61将与外部的排液管连通的排出流路62连接在浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间，并且在排出流路62设有排出开闭阀63。上游侧开闭阀55、下游侧开闭阀57、供给开闭阀60以及排出开闭阀63与控制部7连接，利用控制部7进行开闭控制。另外，浓度传感器56与控制部7连接，按照来自控制部7的指示测量在浓度测量流路54流动的处理液的浓度并向控制部7通知。另外，清洗流体排出部61主要排出清洗流体，但也排出滞留于浓度测量流路54的处理液。
处理液排出部43将与外部的排液管连通的排液流路64与液处理部39的处理槽34的底部连接，在排液流路64设有开闭阀65。开闭阀65与控制部7连接，利用控制部7进行开闭控制。
如图3～图5所示，在该蚀刻处理装置26中，利用基板升降机构36使多个基板8以排列的状态浸渍于被储存于处理槽34的处理液。处理液被从处理液供给喷嘴49向处理槽34的底部(比基板8靠下方)供给，沿着基板8的表面上升。由此，在蚀刻处理装置26中，利用处理液对基板8的表面进行液处理。
这里，基板升降机构36在沿铅垂方向延伸的臂66的下端借助连结板68安装有4个沿水平方向延伸的基板保持体67。在臂66连接有升降驱动部69。升降驱动部69与控制部7连接，利用控制部7进行升降驱动控制。
基板保持体67沿着水平方向(与基板8的排列方向正交的方向：基板8的面方向)隔开间隔地配置有4个。在各基板保持体67的上部沿水平方向隔开间隔地形成有基板保持槽70。并且，利用4个基板保持体67的基板保持槽70从下侧保持一张基板8的外周端缘，从而多个基板8被保持为以铅垂立起的姿势沿水平方向隔开间隔地排列的状态。将各基板保持体67的下端71设为朝向下方变尖的尖锐形状，并且将左右的侧面72、73设为铅垂状的平坦面形状。
另外，处理液供给喷嘴49在处理槽34的内部的比利用基板保持体67保持的基板8靠下方的位置沿水平方向(与基板8的排列方向正交的方向)隔开间隔地配置有3个。各处理液供给喷嘴49具有沿着基板8的排列方向延伸的圆筒状的管体74以及收纳于管体74的内部的圆筒状的内管75。
如图6所示，在管体74的上部沿基板8的排列方向隔开间隔地形成有用于向处理槽34喷出处理液的喷出口76(向上喷出)。在内管75的下部沿基板8的排列方向隔开间隔地形成有用于向管体74供给处理液的供给口77(向下喷出)。将管体74的喷出口76和内管75的供给口77形成为朝向相反的方向。喷出口76形成在利用基板升降机构36以排列的方式保持的两张基板8之间(以排列的方式形成于基板保持体67的两个基板保持槽70之间)。另外，供给口77形成在以排列的方式形成于管体74的两个喷出口76之间。
喷出口76具有沿与基板8的排列方向正交的基板8的面方向(水平方向)隔开间隔地形成的第1侧面78以及第2侧面79、沿基板8的排列方向隔开间隔地形成在该第1侧面78和第2侧面79之间的第3侧面80以及第4侧面81。另外，第3侧面80与第4侧面81平行地配置。另外，使内管75的外周面上部比第1侧面78以及第2侧面79向上方突出。
在此，如图6的(a)所示，在正面剖视时将第1侧面78的外侧端缘的位置设为A1，将内侧端缘的位置设为B1，将管体74的中心位置设为O。另外，利用单点划线表示将管体74的中心位置O和第1侧面78的内侧端缘的位置B1沿着管体74的径向连结的假想线，利用双点划线表示从管体74的中心位置O朝向第1侧面78的外侧端缘的位置A1的假想线。此外，将所述单点划线朝着管体74的径向假想地延伸而得的位置(所述单点划线与管体74的外周的交点)设为B2。将第1侧面78的外侧端缘设在比所述位置B2朝向基板8的面方向(水平方向)向外侧打开的位置A1。
同样地，如图6的(a)所示，在正面剖视时将第2侧面79的外侧端缘的位置设为C1，将内侧端缘的位置设为D1。另外，利用单点划线表示从管体74的中心位置O沿着管体74的径向地使第2侧面79的内侧端缘的位置D1延伸的假想线，利用双点划线表示从管体74的中心位置O朝向第2侧面79的外侧端缘的位置C1的假想线。此外，将从管体74的中心位置O沿着管体74的径向地使第2侧面79的内侧端缘的位置D1假想地延伸而得的位置(单点划线与管体74的外周的交点)设为D2。将第2侧面79的外侧端缘设在比从管体74的中心位置O沿着径向地使内侧端缘的位置D1假想地延伸而得的位置D2朝向基板8的面方向(水平方向)向外侧打开的位置C1。另外，如图6的(a)所示，连结位置A1、位置O和位置C1的内角大于连结位置B1、位置O和位置D1的内角。
在该处理液供给喷嘴49，内管75连结于循环流路50，如图6的(b)所示，处理液从内管75的供给口77朝向下方供给至管体74的内部(形成在内管75的外周与管体74的内周之间的中空部)。处理液从供给口77沿着管体74的内周和内管75的外周向基板8的排列方向、与基板8的排列方向正交的上方向扩散流动，从喷出口76朝向铅垂上方喷出。此时，第1侧面78和第2侧面79分别朝向基板8的面方向(水平方向)向外侧打开，因此处理液从喷出口76向基板8的面方向(水平方向)扩散并喷出。由此，喷出口76的中央部处的处理液的流速与喷出口76的端部(第1侧面78、第2侧面79的附近)处的处理液的流速之间的速度差较小，能够从喷出口76向铅垂上方均匀地喷出处理液。另外，在所述处理液供给喷嘴49，使第1侧面78和第2侧面79这两面朝向基板8的面方向(水平方向)向外侧打开，但并不限定于此，也可以仅使第1侧面78和第2侧面79中的任一者朝向基板8的面方向(水平方向)向外侧打开。
对于喷出口76，可以如图6的(a)和图7的(a)所示那样第1侧面78和第2侧面79的开口角度(假想使第1侧面78与第2侧面79交叉时的角度)小于180度，也可以如图7的(b)所示那样第1侧面78和第2侧面79的开口角度为180度，而且，还可以如图7的(c)所示那样第1侧面78和第2侧面79的开口角度大于180度。通过使第1侧面78和第2侧面79打开180度以上的角度，能够使在喷出口76的附近喷出的处理液朝向基板8的面方向(水平方向)良好地扩散。另外，通过将第1侧面78和第2侧面79的开口角度设为180度，能够容易地形成喷出口76。
特别是，在所述处理液供给喷嘴49，将内管75的供给口77形成为与管体74的喷出口76朝向相反的方向，因此，能够使处理液在管体74的内部(形成在内管75的外周与管体74的内周之间的中空部)朝向基板8的面方向(水平方向)分散，能够使处理液的流速进一步均匀化。另外，在所述处理液供给喷嘴49，在多个喷出口76之间形成有供给口77，因此能够使处理液在管体74的内部(形成在内管75的外周与管体74的内周之间的中空部)还沿着基板8的排列方向分散，能够进一步使处理液的流速均匀化。另外，在所述处理液供给喷嘴49，使内管75比第1侧面78、第2侧面79向外侧突出，也能使从喷出口76喷出的处理液的流速均匀化。
另外，所述处理液供给喷嘴49配置在用于保持基板8的基板保持体67之间，在俯视时基板保持体67不在喷出口76的中央(第1侧面78与第2侧面之间的中央部)处的处理液的喷出方向(这里为铅垂向上)上。由此，能够防止从喷出口76喷出的处理液与基板保持体67发生碰撞而使处理液的上升流紊乱，能够使处理液在处理槽34的内部均匀地上升。另外，将基板保持体67的侧面72、73形成为在俯视时与喷出口76的中央(第1侧面78与第2侧面之间的中央部)处的处理液的喷出方向(铅垂方向)平行而不交叉、将基板保持体67的下端部形成为朝向下方变尖的尖锐状，由此，也能够防止基板保持体67使处理液的上升流紊乱。另外，3个处理液供给喷嘴49配置为在俯视时各自的喷出口76的中央(第1侧面78与第2侧面之间的中央部)处的处理液的喷出方向(铅垂向上)互不交叉。由此，能够防止从各处理液供给喷嘴49的喷出口76喷出的处理液彼此发生碰撞而使处理液的上升流紊乱，能够使处理液在处理槽34的内部均匀地上升。
基板液处理装置1构成为如以上说明的那样，利用控制部7按照存储于存储介质38的基板液处理程序等控制各部(载体输入输出部2、批形成部3、批载置部4、批输送部5、批处理部6等)的动作，从而对基板8进行处理。
在利用该基板液处理装置1对基板8进行蚀刻处理的情况下，利用蚀刻处理装置26的处理液供给部40向液处理部39供给规定浓度和规定温度的磷酸水溶液，利用处理液循环部42进行加热以便成为规定浓度和规定温度，生成处理液，将处理液储存于液处理部39。此时，因加热而水分蒸发从而处理液的浓度增大，因此，利用纯水供给部41向液处理部39供给与因加热而蒸发的水分的量相应的量的纯水，利用纯水将处理液稀释。之后，利用基板升降机构36使基板8浸渍于储存有规定浓度和规定温度的处理液的处理槽34，从而利用处理液对基板8进行蚀刻处理(液处理)。
之后，控制部7利用内置的计时器测量使基板8浸渍于处理液的时间，在经过规定时间以上时结束基板8的液处理。
在进行基板8的液处理时，从处理液供给喷嘴49向处理槽34的底部供给处理液。处理液从处理液供给喷嘴49的喷出口76喷出，在排列好的基板8之间沿着基板8上升。在所述基板液处理装置1中，喷出口76向外侧打开，因此也能够使处理液从处理液供给喷嘴49的中心向径向外侧扩散地喷出。特别是，在所述处理液供给喷嘴49，将喷出口76形成为打开180度以上的角度，从而还能够使处理液从处理液供给喷嘴49的中心向180度以上的外侧扩散地喷出。因此，喷出口76的中央部处的处理液的流速与喷出口76的端部(第1侧面78、第2侧面79的附近)处的处理液的流速之间的速度差较小，能够从喷出口76向铅垂上方均匀地喷出处理液。由此，在所述基板液处理装置1中，能够使沿着基板8流动的上升流以均匀的速度流动，能够利用处理液对基板8的表面均匀地进行处理。
另外，在所述基板液处理装置1中，能够使从处理液供给喷嘴49喷出的处理液的流速均匀化，因此能够增大从处理液供给喷嘴49喷出的处理液的流量。由此，在所述基板液处理装置1中，能够加快(缩短)利用循环流路50置换处理槽34的内部的处理液的速度(时间)，能够缩短基板8的处理时间，提高基板液处理装置1的吞吐量。并且，在所述基板液处理装置1中，能够使从处理液供给喷嘴49喷出的处理液的流速均匀化，因此能够使处理液供给喷嘴49靠近基板8，能够使处理槽34小型化进而使基板液处理装置1小型化。
在所述基板液处理装置1中，能够如所述那样使沿着基板8流动的上升流以均匀的速度流动。而且，通过加快在处理槽34的内部上升的处理液的流速，能够对基板8的表面均匀地进行处理。在有可能在处理槽34的内部产生处理液滞留的部分的情况下，若在处理槽34的内部局部地产生处理液的滞留，则有可能无法利用处理液对基板8的表面均匀地进行处理。为了解决这样的问题，也可以在处理槽34的内部从基板8的下方供给气泡。若从基板8的下方供给气泡，则气泡与处理液一起从基板8的下方向上方上升。气泡由于浮力的作用以比处理液的上升快的速度上升。而且，气泡并非向上方呈直线状地上升，而是在处理液内的阻力的作用下一边无规则地浮游、扩散一边上升。由此，即使在处理槽34的内部上升的处理液的流速较低的情况下，也能够消除在处理槽34的内部局部地产生的处理液的滞留，能够利用处理液对基板8的表面均匀地进行处理。
气泡能够通过利用处理液循环部42的加热器53对从处理液供给喷嘴49喷出的处理液进行加热使其沸腾而产生。因此，在所述基板液处理装置1中，还能够使处理液循环部42作为用于从基板8的下方供给气泡的气泡供给部发挥作用。这样，在对处理液进行加热而产生气泡的情况下，可以不另外设置气泡供给部。
气泡例如能够通过利用设于循环流路50的加热器53以沸点以上的温度对处理液进行加热而产生。在该情况下，气泡经由循环流路50的比加热器53靠下游侧的部分从处理液供给喷嘴49向基板8的下方供给。因此，作为处理液供给喷嘴49、循环流路50的材料，若使用石英玻璃等则有可能因气泡而破损。因此，优选的是，气泡以在到达处理液供给喷嘴49之前呈液体状并且在从处理液供给喷嘴49喷出时气化为气体状的方式产生。处理液在循环流路50的内部流动，因此因该流动，压力(流动压力)相比处理槽34的内部压力而言上升。因此，即使以相同的温度对处理液进行加热，也能够是，在比处理槽34的内部压力高的流动压力的作用下处理液成为液体状，在比流动压力低的处理槽34的内部压力的作用下处理液的一部分气化而产生气泡。因而，能够利用加热器53以低于沸点的温度对处理液进行加热，使处理液以保持液体状的状态从处理液供给喷嘴49喷出，在喷出时在处理槽34内的处理液的内部产生气泡。对于对处理液进行加热的温度，由于循环流路50的内部压力(流动压力)根据处理液的种类、浓度、流速等的不同而发生变化，因此通过进行使处理液的种类、浓度、流速等适当地变化的预备实验来决定最合适的温度。另外，气泡能够通过利用加热器53以沸点以上的温度对处理液进行加热而产生，但并不限定于变更对处理液进行加热的温度的方法。例如，也可以是，不改变加热器53的温度，而是在利用纯水供给部41向液处理部39供给与因加热而蒸发的水分的量相应的量的纯水时增大纯水的供给量，而使处理液的浓度降低、沸点降低，从而产生气泡。气泡能够通过控制处理液的流动压力、处理液的温度、处理液的浓度中的至少任一者而生成。此时，处理液的沸点因大气压的变动而发生变化，因此，在处理槽34的外部设置用于测量大气压的大气压传感器S并根据测量到的大气压(来自大气压传感器S的信号)来校正对处理液进行加热的温度、处理液的浓度，从而即使因大气压的变动而处理液的沸点发生变化也能够将循环流路50的内部压力(流动压力)设为比处理槽34的内部压力高的流动压力，能够得到液体状的处理液，能够稳定地产生气泡，能够防止石英玻璃等的因气泡导致的破损。优选在处理液喷出喷嘴49的喷出口76的附近产生气泡，但在所述包括双层管的处理液喷出喷嘴49的情况下，也可以在内管75的供给口77的附近产生气泡。另外，利用设于循环流路50的加热器53以沸点以上的温度对处理液进行加热，在到达处理液供给喷嘴49之前呈液体状并且在从处理液供给喷嘴49喷出时气化为气体状从而产生气泡，产生这样气泡的方法并不受形成于本发明的处理液供给喷嘴49的喷出口76的形状的情况限定。
在所述实施例1的蚀刻处理装置26中，通过对处理液进行加热而产生气泡，但气泡的产生方法并不限定于此。以下，说明产生气泡的其他方法。另外，在以下的说明中，对与所述实施例1的蚀刻装置26同样的结构的部分标注同一附图标记并省略说明。
[实施例2]
在图8所示的蚀刻处理装置82中，在处理液循环部42的循环流路50的下游侧的中途部设有气泡供给部83。在该气泡供给部83中，用于供给要成为气泡的气体(例如氮气等非活性气体)的气体供给源84经由流量调整器85与循环流路50连接。从气体供给源84供给来的气体直接变成气泡经由循环流路50与处理液一起从处理液供给喷嘴49向基板8的下方供给。在该情况下，气泡经过循环流路50，因此期望在比设于循环流路50的泵51、过滤器52、加热器53靠下游侧的位置且尽可能在处理液供给喷嘴49的附近连接气泡供给部83。在所述包括双层管的处理液喷出喷嘴49的情况下，也可以在内管75直接连结气泡供给部83。另外，气泡与处理液一起在循环流路50、处理槽34的内部流动，因此期望供给加热至不会使处理液的温度降低的温度的气体，并且期望供给不与处理液反应、不溶解于处理液的种类的气体。
[实施例3]
在图9所示的蚀刻处理装置86中，在处理液循环部42的循环流路50的上游侧的中途部设有气泡供给部87。气泡供给部87的用于供给由于加热(沸腾)而变成气泡的液体(例如酒精)的液体供给源88经由流量调整器89与循环流路50连接。从液体供给源88供给来的液体被设于循环流路50的加热器53加热而沸腾从而气化，变成气泡与处理液一起经由循环流路50从处理液供给喷嘴49向基板8的下方供给。在该情况下，也是气泡与处理液一起在循环流路50、处理槽34的内部流动，因此期望供给不与处理液反应、不溶解于处理液的种类的液体。在该情况下，能够利用设于循环流路50的用于对处理液进行加热的加热器53对液体以及处理液进行加热，但也可以是，在气泡供给部87另外设置用于对液体进行加热的加热器，在比设于循环流路50的泵51、过滤器52、加热器53靠下游侧的位置且尽可能在处理液供给喷嘴49的附近连接气泡供给部87。在该情况下，对于对液体进行加热的温度，由于循环流路50的内部压力(流动压力)根据液体的种类、浓度、流速等的不同而发生变化，因此也通过进行使液体的种类、浓度、流速等适当地变化的预备实验来决定最合适的温度。另外，液体的沸点因大气压的变动而发生变化，因此也可以在处理槽34的外部设置用于测量大气压的大气压传感器S并根据测量到的大气压(来自大气压传感器S的信号)来校正对液体进行加热的温度。
[实施例4]
在所述实施例2、3的蚀刻装置82、86中，从处理液供给喷嘴49的喷出口76供给气泡，但并不限定于此，也可以从与处理液供给喷嘴49的喷出口76不同的位置供给气泡。
例如，图10所示的蚀刻处理装置90的气泡供给部91在处理槽34的内部且是在处理液供给喷嘴49的下方配置有气泡供给喷嘴92，用于供给要成为气泡的气体(例如氮气等非活性气体)的气体供给源93经由流量调整器94与气泡供给喷嘴92连接。气泡供给喷嘴92与处理液供给喷嘴49同样地在以排列的方式保持于基板支承体67的两张基板8之间形成有气泡的喷出口。从气体供给源93供给来的气体直接变成气泡与处理液分开地从气泡供给喷嘴92向基板8的下方供给。气泡与处理液一起在处理槽34的内部流动，因此期望供给加热至不会使处理液的温度降低的温度的气体，并且期望供给不与处理液反应、不溶解于处理液的种类的气体。优选的是，气泡供给喷嘴92配置在比处理液供给喷嘴49的喷出口76靠下方的位置以便不妨碍处理液的上升。另外，更优选的是，气泡供给喷嘴92配置于在俯视时偏离处理液供给喷嘴49、基板支承体67的位置以便喷出的气泡的上升不会被处理液供给喷嘴49、基板支承体67妨碍。另外，气泡供给喷嘴92既可以与处理液供给喷嘴49相对独立，也可以与处理液供给喷嘴49成为一体。另外，气泡供给部91与所述实施例3的气泡供给部87同样地也能够使用由于加热(沸腾)而变成气泡的液体(例如酒精)。
[变形例]
所述说明表示实施本发明的情况的形态，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行变形。
例如，如图4所示，处理液供给喷嘴49在以排列的方式保持于基板支承体67的两张基板8之间均形成有喷出口76。在利用批形成部3以基板8的表面形成有图案的面全部朝向同一方向的方式形成批的情况下，从各喷出口76喷出的处理液、气泡沿着各基板8的图案形成面(被处理面)流动，因此优选。但是，在利用批形成部3以基板8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批的情况下，处理液、气泡会不必要地在基板8的图案形成面的背面流动。因此，也可以是在图11所示的处理液供给喷嘴95中，在以排列的方式保持于基板支承体67的两张基板8之间每隔两张基板8形成一个喷出口96，向相对的基板8的图案形成面(被处理面)喷出处理液、气泡。
另外，在图4所示的基板升降机构34中，臂66、连结板68与基板8之间的间隔大于基板8彼此之间的间隔，因此，沿着最靠近臂66、连结板68的基板8的表面流动的处理液、气泡的状态和沿着除该基板8以外的基板8的表面流动的处理液、气泡的状态不同。因此，也可以如图12所示那样，在与位于最外端的基板8相对的位置隔开与基板8之间的间隔相同的间隔地设置与基板8同一形状的遮蔽板97。由此，能够将处理液、气泡以同等的状态向全部基板8供给。
另外，在所述说明中，对将本发明应用于基板液处理装置1的蚀刻处理装置26的情况进行了说明，但并不限定于此，也能够将本发明应用于清洗处理装置25等利用处理液对基板8进行处理的装置。

Claims (17)

1.一种基板液处理装置，其特征在于，
该基板液处理装置具有：
处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及
处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，
所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置朝向水平方向地向外侧打开的位置。
2.一种基板液处理装置，其特征在于，
该基板液处理装置具有：
处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及
处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述多个基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，
所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面与所述第2侧面之间的开口角度被设为打开180度以上的角度的状态。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述管体的内部收纳有用于供给所述处理液的内管，用于从所述内管向所述管体供给所述处理液的供给口被形成为与形成于所述管体的所述喷出口朝向相反的方向。
4.根据权利要求3所述的基板液处理装置，其特征在于，
在排列的所述多个基板之间均配置有所述喷出口，并且在并列设置的所述喷出口之间均配置有所述供给口。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述管体的内部收纳有用于供给所述处理液的内管，所述内管的外周面比所述第1侧面和/或所述第2侧面向外侧突出。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述处理槽的内部，将多个所述处理液供给喷嘴配置为各自的所述喷出口的所述第1侧面和所述第2侧面之间的中央部处的所述处理液的喷出方向彼此平行而不交叉。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述处理槽的内部，将多个所述处理液供给喷嘴配置在为了将所述基板以排列的状态保持而设置的多个基板保持体之间。
8.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
将所述基板保持体的侧面形成为与所述喷出口的所述第1侧面和所述第2侧面之间的中央部处的所述处理液的喷出方向平行而不交叉。
9.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
该基板液处理装置还具有气泡供给部，该气泡供给部用于在所述处理槽的内部从所述基板的下方供给气泡。
10.根据权利要求9所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述气泡供给部将气泡与处理液一起从所述处理液供给喷嘴喷出。
11.根据权利要求9或10所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述气泡在从所述处理液供给喷嘴喷出的处理液的流动压力的作用下成为液体状。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述气泡是通过使处理液沸腾而生成的。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述气泡是通过控制处理液的流动压力、处理液的温度、处理液的浓度中的至少任一者而生成的。
14.根据权利要求13所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述处理槽的外部设置大气压传感器，根据从所述大气压传感器获得的信号，对生成所述气泡的处理液的温度、处理液的浓度进行校正。
15.一种基板液处理方法，在该基板液处理方法中，将多个基板以排列的状态浸渍于被储存于处理槽的处理液，从在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方的处理液供给喷嘴供给所述处理液，对所述基板进行液处理，其特征在于，
将所述处理液从所述处理液供给喷嘴以比从所述处理液供给喷嘴的中心沿径向喷射的状态还向外侧扩散的方式喷出。
16.一种基板液处理方法，在该基板液处理方法中，将多个基板以排列的状态浸渍于被储存于处理槽的处理液，从在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方的处理液供给喷嘴供给所述处理液，对所述基板进行液处理，
其特征在于，
将所述处理液从所述处理液供给喷嘴以比从所述处理液供给喷嘴的中心沿径向喷射的状态向外侧扩散成180度以上的方式喷出。
17.根据权利要求15或16所述的基板液处理方法，其特征在于，
从所述基板的下方供给气泡。
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