CN104471677A - 用于供给多种气体的供气单元及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于供给多种气体的供气单元。根据本发明的一实施例，提供一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于供给多种气体的供气单元及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED：Light Emitting Diode)作为将电流转换成光的半导体发光元件，作为包括信息通信设备在内的电子装置的显示图像用光源被广泛应用。特别是，与白炽灯、荧光灯等传统照明不同，其将电能转换成光能的效率高，最高可以节省90％能量，随着周知该事实，作为能够代替荧光灯或白炽灯泡的元件而受人瞩目。
这种LED元件的制造工艺大致可以分为外延工艺、芯片工艺、封装工艺。外延工艺是指使化合物半导体在基板上外延生长(epitaxial growth)的工艺，芯片工艺是指在经过外延生长的基板的各部分形成电极以制造外延芯片的工艺，封装工艺是指通过将引线(Lead)连接到这样制造的外延芯片上从而尽可能将光发射到外部的进行封装的工艺。
可以说，在这些工艺中外延工艺是决定LED元件的发光效率的最核心工艺。这是因为，当化合物半导体未在基板上外延生长时，结晶内部出现缺陷，而这种缺陷充当非发光中心(nonradiative center)，从而降低LED元件的发光效率。
在进行这种外延工艺、即在基板上形成沉积膜的工艺时采用液相外延(LPE：Liquid Phase Epitaxy)、气相外延(VPE：Vapor Phase Epitaxy)、分子束外延(MBE：Molecular Beam Epitaxy)、化学气相沉积(CVD：Chemical VaporDeposition)法等，其中，主要采用有机金属化学气相沉积法(MOCVD：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)或氢化物气相外延法(HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy)。
当利用现有的MOCVD方法以及HVPE方法在多个基板上形成沉积膜时，一般是从反应腔室的下部或一侧面供给工艺气体。但是，此时由于无法向多个基板供给恒定的工艺气体，导致无法在多个基板上形成均匀的沉积膜。由此，无法大批量生产具有相同质量的高效率LED元件，从而降低工艺生产率和效率。
此外，为了进行这种工艺而使用用于供给源气体的多个喷嘴，而此时必须解决喷嘴被堵塞的问题。
发明内容
技术问题
本发明为了解决如上所述的现有技术的所有问题而提出，目的在于提供一种供气单元及其制造方法，所述供气单元能够在多个基板上均匀地形成沉积膜的同时解决供气部位被堵塞的问题。
解决问题的手段
为了实现上述目的，根据本发明的一实施例，提供一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。
发明效果
根据本发明，提供一种能够在多个基板上均匀地形成沉积膜的供气单元及其制造方法。
此外，根据本发明，提供一种防止供给工艺气体的部位被堵塞的供气单元及其制造方法。
附图说明
图1是示出本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置的结构的剖视图。
图2是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的制造方法的示意图。
图3是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的结构的剖视图。
图4是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的制造方法的示意图。
图5是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的结构的剖视图。
具体实施方式
有关后述的本发明的详细说明，参照例示出能够实施本发明的特定实施例的附图。通过对这些实施例的详细说明，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的各种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定本发明，准确地说，本发明的范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包括与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。附图中类似的附图标记在多个方面表示相同或类似的功能。
下面参照附图来详细说明本发明的结构。
图1是示出本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置的结构的剖视图。
首先，对装载于沉积膜形成装置100上的基板(未图示)的材质没有特别的限制，可以装载玻璃、塑料、聚合物、硅晶片、不锈钢、蓝宝石等各种材质的基板。下面以在发光二极管领域所使用的圆形蓝宝石基板作为示例进行说明。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括腔室110。腔室110构成为在工艺进行过程中实际内部空间被密闭，能够提供用于在多个基板上形成沉积膜的空间。这种腔室110保持最佳的工艺条件，可以被制造成方形或圆形。优选为腔室110的材质由石英(quartz)玻璃构成，但并非限定于此。
通常，在基板上形成沉积膜的工艺，向腔室110内部供给沉积物质之后，将腔室110的内部温度加热至约800℃至1200℃而实现。这样，被供给的沉积物质供给至基板以参与沉积膜的形成。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括加热器(未图示)。加热器设置在腔室110外部，可以向多个基板施加沉积工艺所需的热量。为了使沉积膜在基板上顺利生长，加热器可以将基板温度加热至1200℃以上。为了加热基板，也可以采用利用卤素灯的加热方法或诱导加热方法，但是优选为采用电阻加热方法。电阻加热(resistance heating)方法是利用电阻来进行加热的方法，是在金属电阻或碳化硅等非金属电阻中流通电流以产生热量的方法。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括基板支撑单元130。基板支撑单元130由多个基板支撑板131构成，优选基板支撑板131一层一层排列设置。这样，当基板支撑单元130由多个基板支撑板131构成时，多个基板支撑板131可以通过间隔保持部件135以彼此保持规定间隔的方式排列固定。基板支撑板131的数量可以根据本发明的目的而进行各种变更。优选为基板支撑板131以及间隔保持部件135由石英玻璃构成，但并非限定于此。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括供气单元140。供气单元140可以向腔室110内部供给形成沉积膜所需的工艺气体。供气单元140可以由石英(quartz)形成。
现有的沉积膜形成装置中，供气单元从腔室110的下部或一侧面供给工艺气体，因此向距离供气单元较近位置的基板与距离供气单元较远位置的基板所供给的工艺气体量不可避免地发生差异。这种差异最终导致沉积膜厚度等的差异，因此成为无法在多个基板上形成具有相同质量及规格的沉积膜的原因。
为了解决这种问题，本发明的结构上的特征在于，供气单元140被设置成贯通基板支撑板131的中心。也就是说，结构上的特征在于，供气单元140贯通形成在基板支撑板131中心的中心贯通孔(未图示)，并在基板支撑板131的中心部向被基板支撑板131支撑的多个基板供给工艺气体。通过采用这种结构，本发明能够向多个基板均匀地供给工艺气体，从而能够在多个基板上形成具有相同质量及规格的沉积膜。对于供气单元140的具体结构及其制造方法在后面进行说明。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括挡板单元150。挡板单元150位于基板支撑单元130的下部，能够隔绝腔室110内产生的热量向外部流出，特别是通过下部支撑架160可以隔绝热量向外部流出。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括下部支撑架160。下部支撑架160设置在腔室110下部，可以在进行沉积工艺的过程中支撑基板支撑单元130和挡板单元150。在下部支撑架160的中心可以形成有用于贯通供气单元140的贯通孔(未图示)。在下部支撑架160的相互对置的两侧可以形成有用于向外部排出工艺气体的排气口(未图示)。
可以在下部支撑架160的下方设置旋转单元120。旋转单元120可以使基板支撑单元130以及/或供气单元140旋转。通过旋转单元120旋转基板支撑单元130以及/或供气单元140，能够向位于基板支撑板131上的基板均匀地供给工艺气体。
可以在下部支撑架160的下方一侧设置旋转动力供给单元170。旋转动力供给单元170可以是电机，旋转动力供给单元170可以通过传送带等动力传输单元(未图示)与旋转单元120连接，以使旋转单元120旋转。
本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置100可以包括热电偶180。热电偶180可以插入于下部支撑架160的一侧。热电偶180可以与温度控制单元(未图示)连接，通过检测腔室110内部的温度，以控制基板温度。
下面，对本发明的一实施例涉及的供气单元140及其制造方法进行详细说明。
图2是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元140的制造方法的示意图，图3是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元140结构的剖视图。
本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元140可以呈双管状，即，由外管141和位于外管141内部的至少一个内管142构成的双管状。内管142可以设置成与外管141的规定部位连接。外管141及内管142均可以是由石英(quartz)构成的管状。第一工艺气体以及第二工艺气体可以分别在内管141以及外管142内流通。例如，外管142可以是GaCl气体和HCI气体(第二工艺气体)流通的通道，内管142可以是NH3气体(第一工艺气体)流通的通道。NH3气体与GaCl气体、NH3气体与HCl气体容易发生反应，而根据本实施例，直到喷射工艺气体之前，容易发生反应的第一以及第二工艺气体可以以彼此隔离的状态保持在内管142与外管141中。由此，避免在供气单元140内发生由工艺气体引起的反应，从而防止反应物堵塞喷射工艺气体的部位的问题。
在供气单元140可以形成有多个第一气体喷射口143以及多个第二气体喷射口144。第一气体喷射口143可以喷射通过内管142供给的第一工艺气体，第二气体喷射口144可以喷射通过外管141供给的第二工艺气体。形成有第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144的位置可以与多个基板支撑板131的各个位置对应。此外，根据所形成的位置，第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144的尺寸可以不同。优选为，第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144所形成的位置距离供气源越远(即沿着第一以及第二工艺气体流通的方向)，第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144的尺寸越大。由此，可以分别向位于基板支撑板131上的基板10均匀地供给工艺气体。说明本发明的一实施例涉及的供气单元140的制造方法如下。
如图2(a)所示，准备外管141。然后，如图2(b)所示，可以在外管141内的规定部位接合所需数量的内管142。虽然本实施例中示出内管142的数量为四个，但是并非限定于此。可以以多种方式将内管142接合于外管141上，例如可以通过焊接方式进行接合。
然后，如图2(c)所示，可以在外管141内接合有内管142的部位形成用于连通内管142与外部的第一气体喷射口143。由此，在内管142流通的气体可以通过第一气体喷射口143向外部喷射。第一气体喷射口143的数量并不特别限制，可以根据本发明的目的而进行各种变更。然后，如图2(d)所示，可以在外管141与内管142不连接的部位(前面说明的规定部位以外的部位)形成用于连通外管141与外部的第二气体喷射口144。由此，在外管141流通的气体可以通过第二气体喷射口144向外部喷射。为了形成第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144，可以采用利用钻孔机等的各种方式。
然后，为了避免流通于供气单元140内部的工艺气体从除了第一气体喷射口143以及第二气体喷射口144以外的其他部位排出，如图2(e)所示，可以盖上用于封闭外管141以及内管142一端的端盖145。此外，如图2(f)所示，根据需要，可以在端盖145上盖上半球形状的罩体146。
图4是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元240的制造方法的示意图，图5是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元240结构的剖视图。
与上述实施例相同地，本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元240可以由外管241与内管242构成。但是，与上述实施例不同，本实施例涉及的供气单元240可以不采用在外管241直接接合内管242的方式。在本实施例中，外管241以及内管242也均可以由石英形成。内管242可以是第一工艺气体(NH3气体)流通的通道，外管141可以是第二工艺气体(GaCI气体和HCI气体)流通的通道。因此，与上述实施例相同地，避免在供气单元240内发生由工艺气体引起的反应，从而防止堵塞用于喷射工艺气体的部位的现象。
此外，在供气单元240可以形成有多个第一气体喷射口244′与多个第二气体喷射口244。第一气体喷射口244′可以喷射通过内管242供给的第一工艺气体，第二气体喷射口244可以喷射通过外管241供给的第二工艺气体。只是，在本实施中，通过内管242供给的第一工艺气体由第三气体喷射口243喷射，被喷射的第一工艺气体通过通道245由第一气体喷射口244′喷射，这一点与上述实施例不同。除此之外，第一气体喷射口244′及第二气体喷射口244所形成的位置以及第一气体喷射口244′及第二气体喷射口244的尺寸相关的结构可以与上述实施例相同。下面说明供气单元240的制造方法。
如图4(a)所示，准备外管241以及内管242。然后，如图4(b)所示，可以在外管241形成第一气体喷射口244′及第二气体喷射口244，在内管242形成第三气体喷射口243。在外管241可以每隔规定高度沿着外周方向以相同间隔形成第一气体喷射口244′及第二气体喷射口244，在内管242可以每隔规定高度形成一列第三气体喷射口243。外管241的第一气体喷射口244′与内管242的第三气体喷射口243如下所述地彼此连接，因此，优选为，第一气体喷射口244′与第三气体喷射口243所形成的高度相同。
若在外管241形成第一气体喷射口244′及第二气体喷射口244，而在内管242形成第三气体喷射口243时，如图4(c)所述，可以在形成于外管241上的第一气体喷射口244′与形成于内管242上的第三气体喷射口243之间形成通道245。图4(d)示出所有的内管242位于外管241内部，内管242的第三气体喷射口243与外管241的第一气体喷射口244′连接的状态。
若第一气体喷射口244′与第三气体喷射口243均通过通道245连接时，为了避免流通于供气单元240内部的工艺气体从除了第一气体喷射口244′以及第二气体喷射口244以外的其他部位排出，如图4(e)所示，可以盖上用于封闭外管241以及内管242一端的端盖246。此外，如图4(f)所示，根据需要，可以在端盖246上盖上半球形状的罩体247。
如上所述，本发明通过优选实施例进行了说明，但是本发明并非限定于上述实施例，所属领域的技术人员可以在不超出本发明精神的范围内进行各种变形以及变更。应理解为，这种变形例以及变更例包含在本发明以及权利要求范围内。
附图标记
140、240：供气单元
141、241：外管
142、242：内管
143、244′：第一气体喷射口
144、244：第二气体喷射口
243：第三气体喷射口
245：通道
Claims (15)
1.一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，
包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，
供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，
供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。
2.根据权利要求1所述的供气单元，其特征在于，
所述内管与所述外管的规定部位连接，
所述第一气体喷射口形成为，在所述规定部位贯通所述外管与所述内管，
所述第二气体喷射口形成在所述外管的所述规定部位以外的部位。
3.根据权利要求1所述的供气单元，其特征在于，
在所述内管形成有多个第三气体喷射口，
在所述第一气体喷射口与所述第三气体喷射口之间形成有通道。
4.根据权利要求2或3所述的供气单元，其特征在于，
形成有所述多个第一气体喷射口以及所述多个第二气体喷射口的位置对应于被所述工艺气体处理的基板所处的位置。
5.根据权利要求2或3所述的供气单元，其特征在于，
所述第一工艺气体与所述第二工艺气体互不相同。
6.根据权利要求5所述的供气单元，其特征在于，
所述第一工艺气体为NH3气体，所述第二工艺气体为HCl气体和GaCl气体。
7.根据权利要求2或3所述的供气单元，其特征在于，
所述第一气体喷射口或所述第二气体喷射口的尺寸根据所形成的位置而不同。
8.根据权利要求7所述的供气单元，其特征在于，
所述第一气体喷射口或所述第二气体喷射口的尺寸沿着所述第一工艺气体或所述第二工艺气体流通的方向而递增。
9.根据权利要求2或3所述的供气单元，其特征在于，
所述外管以及所述内管由石英形成。
10.一种供气单元的制造方法，所述供气单元用于供给多种气体，该方法包括如下步骤：
在外管的规定部位接合至少一个内管；
在所述规定部位形成贯通所述外管和所述内管的第一气体喷射口；
在所述外管的所述规定部位以外的部位形成第二气体喷射口；以及
在所述外管以及所述内管的一端盖住端盖。
11.根据权利要求10所述的供气单元的制造方法，其特征在于，
通过焊接将所述内管接合于所述外管的所述规定部位。
12.根据权利要求10所述的供气单元的制造方法，其特征在于，
利用钻孔机形成所述第一气体喷射口以及所述第二气体喷射口。
13.一种供气单元的制造方法，所述供气单元用于供给多种气体，该方法包括如下步骤：
在外管形成第一气体喷射口以及第二气体喷射口；
在内管形成第三气体喷射口；
在所述外管的内部固定至少一个所述内管，并在所述第一气体喷射口与所述第三气体喷射口之间形成通道；以及
在所述外管以及所述内管的一端盖住端盖。
14.根据权利要求13所述的供气单元的制造方法，其特征在于，
在所述第一气体喷射口与所述第三气体喷射口之间形成通道时采用焊接方式。
15.根据权利要求13所述的供气单元的制造方法，其特征在于，
利用钻孔机形成所述第一气体喷射口、所述第二气体喷射口以及所述第三气体喷射口。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107017160A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-08-04 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
| CN107709607A (zh) * | 2015-07-10 | 2018-02-16 | 三菱综合材料株式会社 | 化学蒸镀装置及化学蒸镀方法 |
| CN112981370A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3093368B1 (en) * | 2014-01-10 | 2021-11-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical vapor deposition device, and chemical vapor deposition method |
| JP6511798B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2019-05-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 化学蒸着装置、化学蒸着方法 |
| JP6358420B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2018-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 減圧式縦型化学蒸着装置及び化学蒸着方法 |
| JP6320824B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-09 | 株式会社東芝 | ガス供給管、およびガス処理装置 |
| CN106414796B (zh) * | 2014-04-09 | 2022-01-11 | 布勒阿尔策瑙股份有限公司 | 真空室的具有气体引导机构的气体分配装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242100A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置の洗浄装置 |
| CN1614746A (zh) * | 2003-11-04 | 2005-05-11 | 三星电子株式会社 | 螺旋谐振器型等离子体处理设备 |
| KR20110103630A (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 주식회사 티지솔라 | 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법 |
| US20120100292A1 (en) * | 2010-04-12 | 2012-04-26 | Semes Co., Ltd. | Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381742B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-04-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Ⅲ-ⅴ족 질화물반도체의 성장방법 및 기상성장장치 |
| JP2003075859A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Miwa Engineering:Kk | スルーホールの形成方法及びスルーホールが形成された基板 |
| JP2006294916A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2006336788A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Calsonic Kansei Corp | 二重管の端末構造及び二重管の端末加工方法 |
| US20090304924A1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-12-10 | Prasad Gadgil | Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films |
| JP5062144B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスインジェクター |
| JP5677988B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2015-02-25 | ソイテック | ガスインジェクタを備えたｃｖｄシステム用のガスインジェクタ |
| KR101205436B1 (ko) * | 2011-01-04 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
-
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-
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- 2013-06-27 TW TW102123022A patent/TW201406979A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242100A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置の洗浄装置 |
| CN1614746A (zh) * | 2003-11-04 | 2005-05-11 | 三星电子株式会社 | 螺旋谐振器型等离子体处理设备 |
| KR20110103630A (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 주식회사 티지솔라 | 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법 |
| US20120100292A1 (en) * | 2010-04-12 | 2012-04-26 | Semes Co., Ltd. | Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107709607A (zh) * | 2015-07-10 | 2018-02-16 | 三菱综合材料株式会社 | 化学蒸镀装置及化学蒸镀方法 |
| CN107017160A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-08-04 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
| CN107017160B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-10-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
| CN112981370A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法 |
| CN112981370B (zh) * | 2019-12-16 | 2023-10-27 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法 |
Also Published As
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