JPH10242100A - 半導体製造装置の洗浄装置 - Google Patents
半導体製造装置の洗浄装置Info
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- JPH10242100A JPH10242100A JP4621597A JP4621597A JPH10242100A JP H10242100 A JPH10242100 A JP H10242100A JP 4621597 A JP4621597 A JP 4621597A JP 4621597 A JP4621597 A JP 4621597A JP H10242100 A JPH10242100 A JP H10242100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシン
グ：化学的機械研磨）後に精密洗浄を行う。 【解決手段】洗浄液供給管１１を太管１２、細管１３の
２重構造として、太管１２、細管１３に、夫々、ノズル
１４−１〜１４−ｎ、１５−１〜１５−ｎを取り付け、
低圧、高圧の洗浄液を供給する。
グ：化学的機械研磨）後に精密洗浄を行う。 【解決手段】洗浄液供給管１１を太管１２、細管１３の
２重構造として、太管１２、細管１３に、夫々、ノズル
１４−１〜１４−ｎ、１５−１〜１５−ｎを取り付け、
低圧、高圧の洗浄液を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
洗浄装置に関し、特に精密洗浄を行う技術に関する。
洗浄装置に関し、特に精密洗浄を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＳＩ（大規模集積回路）で
は、高速・大容量化に伴ってトランジスタなどの素子数
が増大し、それに伴って配線の微細化と多層化が図られ
ている。多層化する場合、図９（Ａ）に示すように、半
導体層１上に配線層２を形成し、その上に層間絶縁膜３
を形成し、この工程が順次繰り返される。このとき、配
線層２により層間絶縁膜３に凹凸ができてしまうため、
層間絶縁膜３を研磨して図９（Ｂ）に示すように平坦化
する必要がある。
は、高速・大容量化に伴ってトランジスタなどの素子数
が増大し、それに伴って配線の微細化と多層化が図られ
ている。多層化する場合、図９（Ａ）に示すように、半
導体層１上に配線層２を形成し、その上に層間絶縁膜３
を形成し、この工程が順次繰り返される。このとき、配
線層２により層間絶縁膜３に凹凸ができてしまうため、
層間絶縁膜３を研磨して図９（Ｂ）に示すように平坦化
する必要がある。
【０００３】従来は、機械的研磨による装置が使用され
ていた。ところで、ＬＳＩの大規模集積化が進むにつれ
てパターンも微細化し、高精度に平坦化しなければ半導
体層１、配線層２のパターンを形成するときに用いられ
るステッパの焦点を合わせることができず、微細化を図
れないため、高精度に平坦化する技術が必要となってき
た。
ていた。ところで、ＬＳＩの大規模集積化が進むにつれ
てパターンも微細化し、高精度に平坦化しなければ半導
体層１、配線層２のパターンを形成するときに用いられ
るステッパの焦点を合わせることができず、微細化を図
れないため、高精度に平坦化する技術が必要となってき
た。
【０００４】近年、かかる研磨装置として、ＣＭＰ（ケ
ミカル・メカニカル・ポリッシング：化学的機械研磨）
装置が注目されつつある。図１０は、かかるＣＭＰ装置
の概略を示す。このＣＭＰ装置では、図１０に示すよう
に、層間絶縁膜３が形成された面を下にしてウェハ４を
研磨ヘッド５に吸着し、ウェハ４をプラテン（研磨定
盤）６に押し当てて、研磨ヘッド５及びプラテン６を回
転し、スラリ８を研磨パッド７に滴下する。
ミカル・メカニカル・ポリッシング：化学的機械研磨）
装置が注目されつつある。図１０は、かかるＣＭＰ装置
の概略を示す。このＣＭＰ装置では、図１０に示すよう
に、層間絶縁膜３が形成された面を下にしてウェハ４を
研磨ヘッド５に吸着し、ウェハ４をプラテン（研磨定
盤）６に押し当てて、研磨ヘッド５及びプラテン６を回
転し、スラリ８を研磨パッド７に滴下する。
【０００５】このプラテン６には発泡ポリウレタン製の
研磨パッド７を貼付されており、このスラリ８は化学研
磨液であり、しかもシリカ（SiO2) の微粉末が主成分と
して含まれている。このスラリ８によりウェハ４表面が
研磨される。研磨後、ウェハ４の表面は洗浄装置によっ
て洗浄される。図１１及び図１２は、従来の半導体製造
装置の洗浄装置の概略を示す。
研磨パッド７を貼付されており、このスラリ８は化学研
磨液であり、しかもシリカ（SiO2) の微粉末が主成分と
して含まれている。このスラリ８によりウェハ４表面が
研磨される。研磨後、ウェハ４の表面は洗浄装置によっ
て洗浄される。図１１及び図１２は、従来の半導体製造
装置の洗浄装置の概略を示す。
【０００６】従来の洗浄装置では、ウェハ４を回転させ
ながらウェハ４の表面にブラシ９を接触させ、ブラシ９
を回転させながら洗浄液を滴下し、ウェハ４の表面を洗
浄するようにしている。
ながらウェハ４の表面にブラシ９を接触させ、ブラシ９
を回転させながら洗浄液を滴下し、ウェハ４の表面を洗
浄するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、研磨の高精
度化に伴って洗浄も、より精密に行う必要がある。従来
の半導体製造装置の洗浄装置では、図１１及び図１２に
示すようにブラシ９を接触させて洗浄するため、ウェハ
４表面にブラシ９の付着物が付着してしまう。
度化に伴って洗浄も、より精密に行う必要がある。従来
の半導体製造装置の洗浄装置では、図１１及び図１２に
示すようにブラシ９を接触させて洗浄するため、ウェハ
４表面にブラシ９の付着物が付着してしまう。
【０００８】また、ブラシ９の耐久性、管理等にも問題
があり、精密洗浄を行うのが難しかった。本発明はこの
ような従来の課題に鑑みてなされたもので、より精密な
洗浄が可能な半導体製造装置の洗浄装置を提供すること
を目的とする。
があり、精密洗浄を行うのが難しかった。本発明はこの
ような従来の課題に鑑みてなされたもので、より精密な
洗浄が可能な半導体製造装置の洗浄装置を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１の発
明にかかる半導体製造装置の洗浄装置は、半導体ウェハ
の表面を洗浄する半導体製造装置の洗浄装置において、
前記半導体ウェハ表面に洗浄液を吹きつけて非接触で半
導体ウェハ表面を洗浄する洗浄手段を備えて構成されて
いる。
明にかかる半導体製造装置の洗浄装置は、半導体ウェハ
の表面を洗浄する半導体製造装置の洗浄装置において、
前記半導体ウェハ表面に洗浄液を吹きつけて非接触で半
導体ウェハ表面を洗浄する洗浄手段を備えて構成されて
いる。
【００１０】かかる構成によれば、非接触で半導体ウェ
ハ表面が洗浄されるため、従来のようなブラシを使った
場合のブラシ付着物は付着しない。請求項２の発明にか
かる半導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、
加圧した洗浄液を供給する筒状の洗浄液供給管と、該洗
浄液供給管の外周に取り付けられて洗浄液供給管に供給
された洗浄液を半導体ウェハ表面に向けて噴射する複数
のノズルと、を備えて構成されている。
ハ表面が洗浄されるため、従来のようなブラシを使った
場合のブラシ付着物は付着しない。請求項２の発明にか
かる半導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、
加圧した洗浄液を供給する筒状の洗浄液供給管と、該洗
浄液供給管の外周に取り付けられて洗浄液供給管に供給
された洗浄液を半導体ウェハ表面に向けて噴射する複数
のノズルと、を備えて構成されている。
【００１１】かかる構成によれば、加圧された洗浄液は
筒状の洗浄液供給管からノズルを介して半導体表面に噴
射される。請求項３の発明にかかる半導体製造装置の洗
浄装置では、前記洗浄手段は、複数のノズルを洗浄液供
給管の全周に取り付け、洗浄液供給管を回転するように
構成されている。
筒状の洗浄液供給管からノズルを介して半導体表面に噴
射される。請求項３の発明にかかる半導体製造装置の洗
浄装置では、前記洗浄手段は、複数のノズルを洗浄液供
給管の全周に取り付け、洗浄液供給管を回転するように
構成されている。
【００１２】かかる構成によれば、洗浄液供給管が回転
し、ノズルが半導体ウェハ表面に向くに従って洗浄液の
噴射力は強くなる。さらにノズルは洗浄液供給管の回転
に従ってノズルの噴射角度及び噴射力が可変する。請求
項４の発明にかかる半導体製造装置の洗浄装置では、前
記複数のノズルは、各ノズルの径が異なるように構成さ
れている。
し、ノズルが半導体ウェハ表面に向くに従って洗浄液の
噴射力は強くなる。さらにノズルは洗浄液供給管の回転
に従ってノズルの噴射角度及び噴射力が可変する。請求
項４の発明にかかる半導体製造装置の洗浄装置では、前
記複数のノズルは、各ノズルの径が異なるように構成さ
れている。
【００１３】かかる構成によれば、径が太いノズルから
噴射された洗浄液は弱く、径が細いノズルから噴射され
た洗浄液は強く噴射される。請求項５の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、径の異
なる洗浄液供給管を複数備え、径の大きい洗浄液供給管
の中に径の小さい洗浄液供給管を順次挿入し、各洗浄液
供給管に複数のノズルを取り付けて、各ノズル先端を最
も径の大きい洗浄液供給管の外面まで延ばし、各洗浄液
供給管に異なる圧力で洗浄液を供給するように構成され
ている。
噴射された洗浄液は弱く、径が細いノズルから噴射され
た洗浄液は強く噴射される。請求項５の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、径の異
なる洗浄液供給管を複数備え、径の大きい洗浄液供給管
の中に径の小さい洗浄液供給管を順次挿入し、各洗浄液
供給管に複数のノズルを取り付けて、各ノズル先端を最
も径の大きい洗浄液供給管の外面まで延ばし、各洗浄液
供給管に異なる圧力で洗浄液を供給するように構成され
ている。
【００１４】かかる構成によれば、洗浄液が異なる圧力
で半導体表面に噴射される。請求項６の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、超音波
洗浄を行うように構成されている。かかる構成によれ
ば、洗浄液は超音波振動をして噴射される。
で半導体表面に噴射される。請求項６の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置では、前記洗浄手段は、超音波
洗浄を行うように構成されている。かかる構成によれ
ば、洗浄液は超音波振動をして噴射される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図８に基づいて説明する。尚、図９及び図１０と同一
要素のものについては同一符号を付して説明は省略す
る。本発明の半導体製造装置の洗浄装置は、例えばＣＭ
Ｐ処理後の洗浄に適用される。但し、これに限るもので
はなく、半導体製造装置の洗浄装置であれば、どのよう
なものにも適用することができる。
〜図８に基づいて説明する。尚、図９及び図１０と同一
要素のものについては同一符号を付して説明は省略す
る。本発明の半導体製造装置の洗浄装置は、例えばＣＭ
Ｐ処理後の洗浄に適用される。但し、これに限るもので
はなく、半導体製造装置の洗浄装置であれば、どのよう
なものにも適用することができる。
【００１６】本実施の形態を示す図１において、洗浄手
段としての洗浄液供給管１１は、２重パイプ式スプリン
クラ型ノズル（スクランプルウォッシャノズル）の形状
を有しており、非接触で半導体ウェハ表面を洗浄するよ
うになっている。即ち、洗浄液供給管１１は、径が太い
太管１２と径の細い細管１３とを備えて構成され、太管
１２の中に細管１３が挿入され、この太管１２、細管１
３に、夫々、複数のノズルが取り付けられている。洗浄
液供給管１１は周方向に回転するようになっている。
尚、細管１３の軸を太管１２の軸に一致させてもよい
し、偏心させてもよい。
段としての洗浄液供給管１１は、２重パイプ式スプリン
クラ型ノズル（スクランプルウォッシャノズル）の形状
を有しており、非接触で半導体ウェハ表面を洗浄するよ
うになっている。即ち、洗浄液供給管１１は、径が太い
太管１２と径の細い細管１３とを備えて構成され、太管
１２の中に細管１３が挿入され、この太管１２、細管１
３に、夫々、複数のノズルが取り付けられている。洗浄
液供給管１１は周方向に回転するようになっている。
尚、細管１３の軸を太管１２の軸に一致させてもよい
し、偏心させてもよい。
【００１７】Ａ−Ａ' 断面図である図２に示すように、
細管１３に取り付けられたノズル１５−１〜１５−ｎの
先端は、太管１２の外面まで延び、太管１２に取り付け
られたノズル１４−１〜１４−ｎの先端と共に、太管１
２の外面近傍で開口している。また、図１のＢ−Ｂ’断
面図である図３に示すように、ノズル１４−１〜１４−
ｎ、１５−１〜１５−ｎの先端は、太管１２の外面近傍
でＬ字型に屈曲している。但し、ノズル先端を滑らかに
湾曲させるようにしてもよい。
細管１３に取り付けられたノズル１５−１〜１５−ｎの
先端は、太管１２の外面まで延び、太管１２に取り付け
られたノズル１４−１〜１４−ｎの先端と共に、太管１
２の外面近傍で開口している。また、図１のＢ−Ｂ’断
面図である図３に示すように、ノズル１４−１〜１４−
ｎ、１５−１〜１５−ｎの先端は、太管１２の外面近傍
でＬ字型に屈曲している。但し、ノズル先端を滑らかに
湾曲させるようにしてもよい。
【００１８】ノズル１４−１〜１４−ｎのノズル径は、
ノズル１５−１〜１５−ｎの径よりも太くなっている。
そして、太管１２、細管１３には、夫々、高圧、低圧の
洗浄液が供給され、この洗浄液には超音波が印加され
る。この洗浄液供給管１１は、図５に示すように、ウェ
ハ４の上下に配置される。
ノズル１５−１〜１５−ｎの径よりも太くなっている。
そして、太管１２、細管１３には、夫々、高圧、低圧の
洗浄液が供給され、この洗浄液には超音波が印加され
る。この洗浄液供給管１１は、図５に示すように、ウェ
ハ４の上下に配置される。
【００１９】次にＣＭＰ研磨後の洗浄動作について説明
する。ウェハ４は図４の矢印で示すように回転し、洗浄
液供給管１１も矢印で示すように回転し、ウェハ４には
上下から洗浄液が吹きつけられる。洗浄液供給管１１は
回転し、洗浄液供給管１１の回転に伴ってノズル１４−
１〜１４−ｎ、１５−１〜１５−ｎの各ノズルの噴射角
度及び洗浄液の噴射力が変わる。
する。ウェハ４は図４の矢印で示すように回転し、洗浄
液供給管１１も矢印で示すように回転し、ウェハ４には
上下から洗浄液が吹きつけられる。洗浄液供給管１１は
回転し、洗浄液供給管１１の回転に伴ってノズル１４−
１〜１４−ｎ、１５−１〜１５−ｎの各ノズルの噴射角
度及び洗浄液の噴射力が変わる。
【００２０】太管１２には、低圧で洗浄液が供給され、
ノズル１４−１〜１４−ｎのノズル径が太いので、ノズ
ル１４−１〜１４−ｎから噴射した洗浄液は、ウェハ４
に弱い圧力で吹きつけられる。また、細管１３には洗浄
液が高圧で供給され、ノズル１５−１〜１５−ｎのノズ
ル径も細いので、ノズル１５−１〜１５−ｎから噴射し
た洗浄液は、強い圧力でウェハ４表面に吹きつけられ
る。
ノズル１４−１〜１４−ｎのノズル径が太いので、ノズ
ル１４−１〜１４−ｎから噴射した洗浄液は、ウェハ４
に弱い圧力で吹きつけられる。また、細管１３には洗浄
液が高圧で供給され、ノズル１５−１〜１５−ｎのノズ
ル径も細いので、ノズル１５−１〜１５−ｎから噴射し
た洗浄液は、強い圧力でウェハ４表面に吹きつけられ
る。
【００２１】このように洗浄液の圧力等が可変されて洗
浄液がウェハ４の表面に吹きつけられる。かかる構成に
よれば、ウェハ４は非接触で洗浄され、従来のブラシ洗
浄によるコンタミ、ブラシの耐久性、管理等の問題を解
消することができ、精密洗浄を行うことができる。
浄液がウェハ４の表面に吹きつけられる。かかる構成に
よれば、ウェハ４は非接触で洗浄され、従来のブラシ洗
浄によるコンタミ、ブラシの耐久性、管理等の問題を解
消することができ、精密洗浄を行うことができる。
【００２２】また、洗浄液供給管１１の回転に伴ってウ
ェハ表面に噴射される洗浄液の圧力及び角度が可変し、
しかも洗浄液には超音波が印加されるので、きれいに洗
浄することができる。尚、本実施の形態では、太管１
２、細管１３には、夫々、高圧、低圧の洗浄液を供給す
るようにしたが、その逆にすることもできる。
ェハ表面に噴射される洗浄液の圧力及び角度が可変し、
しかも洗浄液には超音波が印加されるので、きれいに洗
浄することができる。尚、本実施の形態では、太管１
２、細管１３には、夫々、高圧、低圧の洗浄液を供給す
るようにしたが、その逆にすることもできる。
【００２３】また、洗浄液供給管１１を２重構造ではな
く、１つの管で構成してもよいし、あるいは３重構造以
上にしてもよい。また、図６に示すように、洗浄液供給
管１１を三叉、あるいはそれ以上に分岐させて構成する
こともできる。このようにすれば洗浄力も強化される。
また、図７に示すように、２つの洗浄液供給管１１、１
１’を、夫々、支点Ｐ，Ｐ’を中心にして回転するよう
にしてもよい。このようにすれば、ウェハ４の中心部に
も洗浄液が強く噴射され、ウェハ４を均一に洗浄するこ
とができる。
く、１つの管で構成してもよいし、あるいは３重構造以
上にしてもよい。また、図６に示すように、洗浄液供給
管１１を三叉、あるいはそれ以上に分岐させて構成する
こともできる。このようにすれば洗浄力も強化される。
また、図７に示すように、２つの洗浄液供給管１１、１
１’を、夫々、支点Ｐ，Ｐ’を中心にして回転するよう
にしてもよい。このようにすれば、ウェハ４の中心部に
も洗浄液が強く噴射され、ウェハ４を均一に洗浄するこ
とができる。
【００２４】さらに、洗浄液供給管ではなく、図８に示
すように、シャワー装置１６を備え、洗浄液を斜め上か
らウェハ４の表面に噴射するようにしてもよい。
すように、シャワー装置１６を備え、洗浄液を斜め上か
らウェハ４の表面に噴射するようにしてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
かかる半導体製造装置の洗浄装置によれば、非接触で洗
浄するので、ブラシの付着物の付着、ブラシの耐久性、
管理等の従来の問題点を解消することができ、精密洗浄
を行うことができる。請求項２の発明にかかる半導体製
造装置の洗浄装置によれば、非接触で洗浄することがで
きる。
かかる半導体製造装置の洗浄装置によれば、非接触で洗
浄するので、ブラシの付着物の付着、ブラシの耐久性、
管理等の従来の問題点を解消することができ、精密洗浄
を行うことができる。請求項２の発明にかかる半導体製
造装置の洗浄装置によれば、非接触で洗浄することがで
きる。
【００２６】請求項３の発明にかかる半導体製造装置の
洗浄装置によれば、ノズルの噴射角度及び噴射力が可変
するので、半導体ウェハ表面をきれいに洗浄することが
できる。請求項４の発明にかかる半導体製造装置の洗浄
装置によれば、各ノズルの径を変えることにより、噴射
力が可変し、半導体ウェハ表面をきれいに洗浄すること
ができる。
洗浄装置によれば、ノズルの噴射角度及び噴射力が可変
するので、半導体ウェハ表面をきれいに洗浄することが
できる。請求項４の発明にかかる半導体製造装置の洗浄
装置によれば、各ノズルの径を変えることにより、噴射
力が可変し、半導体ウェハ表面をきれいに洗浄すること
ができる。
【００２７】請求項５の発明にかかる半導体製造装置の
洗浄装置によれば、各洗浄液供給管に異なる圧力で洗浄
液を供給されるので、噴射力が可変し、きれいに洗浄す
ることができる。また供給する洗浄液の圧力を各管毎に
任意に変えることもできる。請求項６の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置によれば、超音波洗浄により、
さらに洗浄力が強化される。
洗浄装置によれば、各洗浄液供給管に異なる圧力で洗浄
液を供給されるので、噴射力が可変し、きれいに洗浄す
ることができる。また供給する洗浄液の圧力を各管毎に
任意に変えることもできる。請求項６の発明にかかる半
導体製造装置の洗浄装置によれば、超音波洗浄により、
さらに洗浄力が強化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す洗浄液供給管の斜視
図。
図。
【図２】図１のＡ−Ａ' 線拡大断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線拡大断面図。
【図４】洗浄装置の平面図。
【図５】洗浄装置の側面図。
【図６】別の実施の形態を示す平面図。
【図７】同上平面図。
【図８】同上側面図。
【図９】ＣＭＰの動作説明図。
【図１０】ＣＭＰ装置の斜視図。
【図１１】従来のＣＭＰ装置の洗浄装置の概略図。
【図１２】図１１の側面図。
４ ウェハ １１ 洗浄液供給管 １２ 太管 １３ 細管 １４ ノズル（１４−１〜１４−ｎ） １５ ノズル（１５−１〜１５−ｎ）
Claims (6)
- 【請求項１】半導体ウェハの表面を洗浄する半導体製造
装置の洗浄装置において、 前記半導体ウェハ表面に洗浄液を吹きつけて非接触で半
導体ウェハ表面を洗浄する洗浄手段を備えて構成された
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄装置。 - 【請求項２】前記洗浄手段は、加圧した洗浄液を供給す
る筒状の洗浄液供給管と、 該洗浄液供給管の外周に取り付けられて洗浄液供給管に
供給された洗浄液を半導体ウェハ表面に向けて噴射する
複数のノズルと、を備えて構成されたことを特徴とする
請求項１に記載の半導体製造装置の洗浄装置。 - 【請求項３】前記洗浄手段は、複数のノズルを洗浄液供
給管の全周に取り付け、洗浄液供給管を回転するように
構成されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体製
造装置の洗浄装置。 - 【請求項４】前記複数のノズルは、各ノズルの径が異な
るように構成されたことを特徴とする請求項２又は請求
項３に記載の半導体製造装置の洗浄装置。 - 【請求項５】前記洗浄手段は、径の異なる洗浄液供給管
を複数備え、径の大きい洗浄液供給管の中に径の小さい
洗浄液供給管を順次挿入し、各洗浄液供給管に複数のノ
ズルを取り付けて、各ノズル先端を最も径の大きい洗浄
液供給管の外面まで延ばし、各洗浄液供給管に異なる圧
力で洗浄液を供給するように構成されたことを特徴とす
る請求項２〜請求項４のいずれか１つに記載の半導体製
造装置の洗浄装置。 - 【請求項６】前記洗浄手段は、超音波洗浄を行うように
構成されたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいず
れか１つに記載の半導体製造装置の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04621597A JP3399772B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 半導体製造装置の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04621597A JP3399772B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 半導体製造装置の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242100A true JPH10242100A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3399772B2 JP3399772B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=12740890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04621597A Expired - Fee Related JP3399772B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 半導体製造装置の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399772B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0878831A2 (en) * | 1997-05-15 | 1998-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double side cleaning apparatus for semiconductor substrate |
| KR100420445B1 (ko) * | 2001-03-31 | 2004-03-03 | (주)케이.씨.텍 | 유체를 분사하는 장치 |
| KR100500517B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼용 ｃｍｐ 설비 |
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