KR101525504B1 - 기판 지지부의 중앙을 관통하는 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치 - Google Patents

기판 지지부의 중앙을 관통하는 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 배치식 에피택셜층 형성장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치는 복수개의 기판 상에 에피택셜층을 형성하기 위한 배치식 에피택셜층 형성장치로서, 상기 에피택셜층이 형성되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부; 및 상기 챔버 내측에 상기 기판 지지부의 중앙을 관통하도록 배치되며 상기 복수개의 기판에 대하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 지지부의 중앙을 관통하는 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치{BATCH TYPE APPARATUS FOR FORMING EPITAXIAL LAYER INCLDING A GAS SUPPLY UNIT PASSING THROUGH A SUBSTRATE SUPPORT}
본 발명은 배치식 에피택셜층 형성장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수개의 기판 상에 균일하게 에피택셜층을 형성시킬 수 있는 기판 지지부의 중앙을 관통하는 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 널리 이용되어 왔다. 특히, 백열등, 형광등 등의 재래식 조명과 달리 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 효율이 높아 최고 90%까지 에너지를 절감할 수 있다는 사실이 알려지면서, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 소자로서 널리 각광받고 있다.
이러한 LED 소자의 제조공정은 크게 에피 공정, 칩 공정, 패키지 공정으로 분류될 수 있다. 에피 공정은 기판 상에 화합물 반도체를 에피택셜 성장(epitaxial growth)시키는 공정을 말하고, 칩 공정은 에피택셜 성장된 기판의 각 부분에 전극을 형성하여 에피 칩을 제조하는 공정을 말하며, 패키지 공정은 이렇게 제조된 에피 칩에 리드(Lead)를 연결하고 빛이 최대한 외부로 방출되도록 패키징하는 공정을 말한다.
이러한 공정 중에서도 에피 공정은 LED 소자의 발광 효율을 결정하는 가장 핵심적인 공정이라 할 수 있다. 이는 기판 상에 화합물 반도체가 에피택셜 성장되지 않는 경우, 결정 내부에 결함이 발생하고 이러한 결함은 비발광 센터(nonradiative center)로 작용하여, LED 소자의 발광 효율을 저하시키기 때문이다.
이러한 에피 공정, 즉 기판 상에 에피택셜층을 형성시키는 공정에는 LPE(Liquid Phase Epitaxy), VPE(Vapor Phase Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법 등이 사용되고 있는데, 이 중에서도 특히 유기금속 화학기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 또는 하이드라이드 기상 에피택시법(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE)이 주로 사용되고 있다.
종래의 MOCVD 방법 및 HVPE 방법을 이용하여 복수개의 기판 상에 에피택셜층을 형성시키는 경우 통상 반응 챔버의 하부 또는 일측면에서 공정 가스가 공급되고 있다. 그러나, 이와 같은 경우 복수개의 기판 상에 일정하게 공정 가스가 공급될 수 없으므로 복수개의 기판 상에 균일한 에피택셜층이 형성되지 못하는 문제점이 있었다. 이에 따라, 동일한 품질을 가지는 고효율 LED 소자를 대량으로 생산할 수 없어 공정의 생산성과 효율성이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 복수개의 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 동안, 챔버 내부의 벽 또는 공급관 등에 증착 물질이 고착되어, 챔버 내부 구성요소의 유지 관리가 용이하지 못한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 복수개의 기판 상에 균일하게 에피택셜층을 형성시킬 수 있는 배치식 에피택셜층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치는 복수개의 기판 상에 에피택셜층을 형성하기 위한 배치식 에피택셜층 형성장치로서, 상기 에피택셜층이 형성되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부; 및 상기 챔버 내측에 상기 기판 지지부의 중앙을 관통하도록 배치되며 상기 복수개의 기판에 대하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 복수개의 기판 상에 균일하게 에피택셜층을 형성시킬 수 있는 배치식 에피택셜층 형성장치가 제공된다.
또한, 챔버 내부 구성요소의 유지 관리가 용이한 배치식 에피택셜층 형성장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치 내에 사용되는 기판 지지판의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치 내에 사용되는 하부 지지대의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치에 사용되는 가스 공급부의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치에 사용되는 가스 공급부의 구조를 나타내는 단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현 될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일 또는 유사한 기능을 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치의 구성을 나타내는 사시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치 내에 사용되는 기판 지지판의 구성을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치 내에 사용되는 하부지지대의 구성을 나타내는 도면이다.
먼저, 배치식 에피택셜층 형성장치(100)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸, 사파이어 등 다양한 재질의 기판(10)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 발광 다이오드 분야에서 사용되는 원형의 사파이어 기판을 상정하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 챔버(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(110)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 복수개의 기판(10) 상에 에피택셜층이 형성되기 위한 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 챔버(110)는 최적의 공정 조건을 유지하도록 구성되며, 형태는 사각형 또는 원형의 형태로 제조될 수 있다. 챔버(110)의 재질은 석영(quartz) 유리로 구성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
일반적으로 기판(10) 상에 에피택셜층을 형성하기 위한 공정은 증착 물질을 챔버(110) 내부로 공급하고 챔버(110) 내부를 약 800℃에서 1200℃의 온도까지 가열함으로써 이루어진다. 이렇게 공급된 증착 물질은 기판(10)으로 공급되어 에피택셜층의 형성에 관여하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 히터(미도시함)를 포함하여 구성될 수 있다. 히터는 챔버(110)의 외부에 설치되어 복수개의 기판(10)에 에피택셜 공정에서 필요한 열을 인가하는 기능을 수행할 수 있다. 기판(10) 상에서 원활한 에피택셜 성장이 이루어지기 위하여 히터는 기판(10)을 약 1200℃ 이상의 온도까지 가열할 수 있다. 기판(10)을 가열하기 위하여 할로겐 램프를 이용한 가열 방식 또는 유도 가열 방식을 이용할 수도 있으나 바람직하게는 저항 가열 방식을 이용할 수 있다. 저항 가열(resistance heating) 방식이란 전기저항을 이용하여 가열하는 방식으로서, 금속저항 또는 탄화규소와 같은 비금속저항에 전류를 흘려서 열을 발생시키는 방식을 일컫는다. 이처럼 저항 가열 방식을 이용하여 기판(10)을 가열하는 경우, 후술할 기판 홀더(133)는 석영(quartz), 비정질 카본(amorphous carbon), 다이아몬드성 카본(diamondlike carbon), 유리성 카본(glasslike carbon), 그래파이트(graphite), 탄화규소(SiC)로 코팅된 그래파이트, 또는 탄화규소로 구성될 수 있으며, 바람직하게는 기판 홀더(133) 및 간격 유지 부재(135)는 석영으로 구성될 수 있다. 상기 재료로 기판 홀더(133) 및 간격 유지 부재(135)를 구성하는 것에 의하여, 기판(10)으로의 열 전달이 용이하게 이루어지도록 할 수 있다. 그리고, 기판 홀더(133) 외에 간격 유지 부재(135)도 상기 재료로 구성되도록 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 기판 지지부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 기판 지지부(130)는 복수개의 기판 지지판(131)으로 구성되고, 기판 지지판(131)은 층으로 배열 설치되는 것이 바람직하다. 이처럼 기판 지지부(130)가 복수개의 기판 지지판(131)으로 구성되는 경우 복수개의 기판 지지판(131)은 간격 유지 부재(135)에 의하여 서로 일정한 간격을 갖도록 배열되어 고정될 수 있다. 기판 지지판(131)의 개수는 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 기판 지지판(131) 및 간격 유지 부재(135)는 석영 유리로 구성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
후술할 가스 공급부(140)가 기판 지지판(131)의 중앙을 관통할 수 있도록 기판 지지판(131)의 중앙에는 중앙 관통홀(134)이 형성될 수 있다. 중앙 관통홀(134)의 직경은 가스 공급부(140)의 직경 보다 다소 크게 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 기판 지지판(131)의 한 쪽에는 후술할 써모커플(180)이 위치하기 위한 홈(136)이 형성될 수 있다.
또한, 기판 지지판(131)에는 복수개의 기판 홀더(133)가 설치될 수 있다. 기판 홀더(133)는 에피택셜 공정이 진행되는 동안 기판(10)을 지지하여 기판(10)의 변형을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 각각의 기판 지지부(130)에 설치되는 기판 홀더(133)의 개수는 각각의 기판 지지부(130)에 배치되는 기판(10)의 개수와 동일할 수 있다.
공정 가스가 기판(10)에 균일하게 공급되도록 하기 위하여, 기판 홀더(133)는 기판(10)의 회전이 이루어지도록 하는 기능을 구비할 수 있다. 이를 위하여, 공지의 여러 가지 회전 구동 수단이 기판 홀더(133)에 채용될 수 있다. 또한, 기판 홀더(133)는 원활한 회전을 위하여 원판의 형상을 가지는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 가스 공급부(140)를 포함하여 구성될 수 있다. 가스 공급부(140)는 챔버(110) 내부로 에피택셜층 형성을 위해 필요한 공정 가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있다.
종래의 배치식 에피택셜층 형성장치에서 가스 공급부는 챔버(110)의 하부 또는 일측면에서 공정 가스를 공급하기 때문에, 가스 공급부와 가까이 위치된 기판(10)과 멀리 위치된 기판(10) 사이에는 공급되는 공정 가스의 양의 차이가 발생할 수 밖에 없었다. 이러한 차이는 결과적으로 에피택셜층 두께 등의 차이를 야기하게 되므로 복수개의 기판(10) 상에 동일한 품질 및 규격을 가지는 에피택셜층을 형성하지 못하게 되는 원인이 되었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 가스 공급부(140)가 기판 지지판(131)의 중앙을 관통하도록 배치되는 것을 구성상의 특징으로 한다. 다시 말하면, 가스 공급부(140)가 기판 지지판(131)의 중앙에 형성된 중앙 관통홀(134)을 관통하여 기판 지지판(131)의 중심부에서 기판 지지판(131)에 의하여 지지되고 있는 복수개의 기판(10)을 향하여 공정 가스를 공급하는 것을 구성상의 특징으로 한다. 이러한 구성을 채용함으로써 본 발명에서는 복수개의 기판(10) 상에 균일하게 공정 가스를 공급할 수 있게 되기 때문에 복수개의 기판(10) 상에 동일한 품질 및 규격을 가지는 에피택셜층을 형성할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 배플부(150)를 포함하여 구성될 수 있다. 배플부(150)는 기판 지지부(130)의 하부에 위치하여, 챔버(110) 내에서 발생한 열이 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있으며, 특히 하부 지지대(160)를 통해 열이 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 하부 지지대(160)를 포함하여 구성될 수 있다. 하부 지지대(160)는 챔버(110) 하부에 설치되어 에피택셜 공정이 이루어지는 동안 기판 지지부(130)와 배플부(150)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 하부 지지대(160)의 중앙에는 가스 공급부(140)가 관통하도록 하기 위한 중앙 관통홀(162)이 형성될 수 있다. 하부 지지대(160) 상의 서로 마주보는 양측에는 공정 가스를 외부로 배기하기 위한 배기구(161)가 형성될 수 있다(도 4에서는 하나의 배기구(161)만 표시되어 있음). 하부지지대(160)의 한쪽에는 써모커플(180)이 삽입될 수 있는 써모커플 삽입구(163)가 형성될 수 있다.
하부 지지대(160)의 아래에는 회전부(120)가 위치하도록 구성될 수 있다. 회전부(120)는 기판 지지부(130) 및/또는 가스 공급부(140)의 회전이 가능하도록 할 수 있다. 회전부(120)가 기판 지지부(130) 및/또는 가스 공급부(140)를 회전시키는 것에 의해, 공정 가스가 기판 지지판(131) 상에 위치하는 기판(10)에 균일하게 공급되도록 할 수 있다.
하부 지지대(160)의 아래의 일 측에는 회전 동력 공급 수단(170)이 위치하도록 구성될 수 있다. 회전 동력 공급 수단(170)은 모터일 수 있으며, 회전 동력 공급 수단(170)은 벨트와 같은 동력 전달 수단을 통하여 회전부(120)와 연결되어 회전부(120)를 회전시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)는 써모커플(180)을 포함하여 구성될 수 있다. 써모커플(180)은 온도 제어부(미도시)에 연결되고 챔버(110) 내부의 온도를 측정하여 기판(10)의 온도를 제어할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치(100)에 사용되는 가스 공급부(140)의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치에 사용되는 가스 공급부의 구조를 나타내는 사시도이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치에 사용되는 가스 공급부의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 가스 공급부(140)는 외관(141)과 내관(142)으로 이루어지는 이중 관 구조로 구성될 수 있다. 본 실시예에서 내관(142)의 개수가 4개인 것을 예시하고 있지만, 이에 한정될 것은 아니고 이용되는 목적과 상황에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 가스 공급부(140)는 복수개의 가스 분사구(143, 145)를 포함하여 구성될 수 있다. 복수개의 가스 분사부(143, 145)는 제1 및 제2 공정 가스를 분사하는 기능을 수행할 수 있다. 복수개의 가스 분사부(143, 145)의 위치는 각각의 기판 지지판(131)의 위치에 대응되도록 형성될 수 있다. 가스 분사구(143, 145)는 높은 고온 강도를 가지는 물질로 구성될 수 있다. 가스 분사구의 개수는 특별하게 한정되지 아니하며 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
여기서 복수개의 가스 분사부(143, 145)는 가스 공급부(140)의 내관(142)과 연결되는 복수개의 제1 가스 분사부(143) 및 가스 공급부(140)의 외관(141)과 연결되는 복수개의 제2 가스 분사부(145)를 포함하는 의미로 볼 수 있다. 본 실시예에서는 제1 가스 분사부(143)는 내관(142) 외벽에 형성된 노즐 형태로서 노즐의 단부에 형성된 홀에서 공정 가스를 분사할 수 있다. 제1 가스 분사부(143)는 외관(141)에 형성된 홀(144)을 관통할 수 있으며, 공정 가스가 분사되는 제1 가스 분사부(143)의 단부는 외관(141)의 외부에 노출되게 할 수 있다. 그리고, 제2 가스 분사부(145)는 외관(141)에 형성된 홀 형태로서, 제2 가스 분사부(145)를 통해 외관(141)에 공급된 공정 가스가 외부로 분사될 수 있다. 하지만, 제1 및 제2 가스 분사부(143, 145)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형이 가능하다..
복수개의 제1 가스 분사부(143)에서는 서로 동일한 양의 공정 가스가 분사되도록 제어될 수 있다. 이를 위하여 공지의 여러 가지 가스 공급 제어 시스템이 제1 가스 분사부(143)에 채용될 수 있다. 복수개의 제1 가스 분사부(143)에서 동일한 양의 공정 가스가 분사됨에 따라 공정 가스가 임의의 기판(10)에 편중되게 공급되는 것을 방지할 수 있게 된다. 결과적으로 복수개의 기판(10) 상에 보다 균일하게 공정 가스를 공급할 수 있게 된다. 이러한 점은 제2 가스 분사부(145)에 대해서도 마찬가지일 수 있다.
한편, 복수개의 기판(10) 상에 공급되는 공정 가스는 기판(10) 상에 형성하려는 에피택셜층의 종류 또는 그 형성 방법에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, MOCVD법을 이용하여 복수개의 기판(10) 상에 에피택셜 질화갈륨(GaN)층을 형성시키기 위해서는, TMG(trimethylgallium), TEG(triethylgallium), NH3 가스 등이 공정 가스로 이용될 수 있다. 또한, HVPE법을 이용하여 복수개의 기판(10) 상에 에피택셜 질화갈륨(GaN)층을 형성시키기 위해서는 Ga 금속과 HCl 가스가 반응하여 생성된 GaCl 가스, NH3 가스, H2 등이 공정 가스로 이용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 에피택셜층 형성장치에 사용되는 가스 공급부(140)는 제1 가스 분사부(143)에서 분사하는 공정 가스와 제2 가스 분사부(145)에서 분사하는 공정 가스를 서로 다르게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, MOCVD법을 이용하여 복수개의 기판(10) 상에 에피택셜 질화갈륨 층을 형성시키기 위해서, 제1 가스 분사부(143)에서는 TMG 가스 또는 TEG 가스를 분사하고, 제2 가스 분사부(145)에서는 NH3 가스를 분사하도록 할 수 있다. 본 발명의 가스 공급부(140)에 의하면, 복수의 공정 가스 각각이 제1 가스 분사부(143)와 제2 가스 분사부(145)를 통하여 분사되기 때문에, 공정 가스가 기판에 이르기 전 가스 공급부(140) 내에서 서로 반응하여 가스 공급부(140) 내벽에 증착 물질이 피착되도록 하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
100: 배치식 에피택셜층 형성장치
110: 챔버
120: 회전부
130: 기판 지지부
140: 가스 공급부
150: 배플부
160: 하부 지지대
170: 회전 동력 공급 수단
180: 써모커플

Claims (17)

  1. 복수개의 기판 상에 에피택셜층을 형성하기 위한 배치식 에피택셜층 형성장치로서,
    상기 에피택셜층이 형성되는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부; 및
    상기 챔버 내측에 상기 기판 지지부의 중앙을 관통하도록 배치되며 상기 복수개의 기판에 대하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부
    를 포함하고,
    상기 기판 지지부는 서로 배치되는 높이가 다른 복수개의 기판 지지판을 포함하며,
    상기 가스 공급부에는 공정 가스를 분사하는 복수개의 가스 분사부가 형성되고, 상기 복수개의 가스 분사부가 형성된 위치는 상기 복수개의 기판 지지판 각각의 높이에 대응하고,
    상기 가스 공급부는 외관과, 상기 외관의 내주면을 따라 배치된 복수개의 내관을 포함하며,
    상기 복수개의 가스 분사부는 상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는 복수개의 제1 가스 분사부 - 상기 제1 가스 분사부는 상기 내관 외벽에 형성된 노즐 형태로서 상기 외관에 형성된 홀을 관통하고, 상기 제1 가스 분사부의 단부는 외관의 외부에 노출됨 - 와, 상기 외관을 통해 공급되는 공정가스를 분사하는 복수개의 제2 가스 분사부 - 상기 제2 가스 분사부는 상기 외관에 형성된 홀 형태임 - 를 포함하고,
    상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스와 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스의 종류가 서로 다른 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
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  11. 제1항에 있어서,
    상기 각각의 기판 지지판에는 상기 기판이 안착되는 복수개의 기판 홀더가 설치되는 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 재질은 석영(quartz), 비정질 카본(amorphous carbon), 다이아몬드성 카본(diamondlike carbon), 유리성 카본(glasslike carbon), 그래파이트(Graphite), 탄화규소(SiC) 및 탄화규소로 코팅된 그래파이트 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 기판은 각각 독립적으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 챔버의 외측에 배치되고 복수개의 기판에 열을 인가하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는 저항 가열 방식 히터인 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 하부에 위치하는 하부지지대를 더 포함하고,
    상기 하부지지대에는 상기 복수개의 기판에 공급된 공급 가스를 배기하기 위한 배기구가 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치.
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