KR20120014361A - 서셉터 및 이를 포함하는 화학증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서셉터 및 이를 포함하는 화학증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 서셉터는 비평탄면의 안착부가 구비되는 메인 바디; 및 상기 안착부에 안착되는 기판 지지부; 를 포함하고, 상기 기판 지지부의 저면은 상기 안착부와 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 안착부에는 상기 기판 지지부에 가스를 배출하는 가스배출공이 형성된다.
따라서, 본 발명에 의하면, 상기 기판 지지부의 반송 시에 위치 맞춤의 요구 정도가 완화되며, 안정적인 증착 공정를 실현할 수 있는 장점이 있다.

Description

서셉터 및 이를 포함하는 화학증착장치{Susceptor and Apparatus for CVD comprising the susceptor}
본 발명은 서셉터 및 이를 포함하는 화학증착장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자이다. 상기 발광 다이오드의 제조공정에는 에피웨이퍼(epi wafer) 제조공정, 칩(chip) 제조공정, 패키징(packaging), 모듈(module)화 공정이 포함된다.
상기 에피웨이퍼 제조공정은, 유기금속 화학증착장치(MOCVD)를 이용하여 기판 위에 GaN계 결정을 성장시켜서 에피웨이퍼를 만드는 공정이다.
일반적으로, 상기 기판은 상기 화학 증착 장비의 서셉터에 설치된 기판 지지부(Satellite Disk)에 의해 지지된다.
또한, 상기 기판은 로봇암에 의해 상기 서셉터에서 분리될 수 있다. 다만, 상기 기판을 로봇암으로 직접 들어올리면 급격한 온도차에 의해 기판이 파손될 위험이 있으므로, 상기 기판을 상기 기판 지지부와 함께 통째로 이송하는 것이 일반적이다.
상기 기판 지지부는 상기 기판과 분리된 후에, 상기 서셉터로 반송된다. 상기 서셉터로 반송된 상기 기판 지지부는 상기 서셉터의 지정된 위치에 정확하게 안착되는 것이 요구된다.
본 발명의 목적은, 기판 지지부가 서셉터에 반송되는 과정에서, 기판 지지부의 위치 설정을 쉽게 할 수 있는 화학증착장치용 서셉터를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 기판 지지부가 서셉터에 반송되는 과정에서, 핀을 사용하지 않고 기판 지지부의 위치 설정을 할 수 있는 화학증착장치용 서셉터를 제공하는 것에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 서셉터는, 비평탄면의 안착부가 구비되는 메인 바디; 및 상기 안착부에 안착되는 기판 지지부; 를 포함하고, 상기 기판 지지부의 저면은 상기 안착부와 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 안착부에는 상기 기판 지지부에 가스를 배출하는 가스배출공이 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 의한 화학증착장치는, 반응가스가 공급되는 반응챔버; 및 상기 반응챔버에 회전가능하게 설치되는 메인 바디와, 상기 메인 바디에 착탈 가능하게 결합되는 기판 지지부로 구성되는 서셉터를 포함하고, 상기 메인 바디에는 경사면을 포함하는 안착부가 구비되며, 상기 기판 지지부에는 상기 경사면에 대응되는 경사면이 구비된다.
본 발명에 의하면, 기판 지지부의 반송시에 상기 기판 지지부의 정밀한 위치 정립이 요구되지 않는 장점이 있다.
또한, 기판 지지부가 핀과의 마찰로 인하여 변형되지 않고, 안정적인 증착 공정를 실현할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 단면도.
도 3은 도 2에서 기판 지지부가 분리된 모습을 나타내는 화학증착장치용 서셉터의 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지부의 저면 사시도.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 단면도.
도 6은 도 5에서 기판 지지부가 분리된 모습을 나타내는 화학증착장치용 서셉터의 단면도.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 기판 지지부의 저면 사시도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상이 그와 같은 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 사상을 실시예를 이루는 구성요소의 부가, 변경 및 삭제 등에 의해서 다르게 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상에 포함되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 단면도이며, 도 3은 도 2에서 기판 지지부가 분리된 모습을 나타내는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지부의 저면 사시도이다.
도 1 내지 도 4을 참조하면, 본 실시예에 의한 화학증착장치(1)에는, 화학 반응이 일어나는 공간을 제공하는 반응챔버(10)와, 적어도 하나의 기판(미도시)이 장착될 수 있는 서셉터(20)와, 상기 서셉터(20)를 가열하기 위한 가열원(30)과, 기판 지지부(22)를 이송하기 위한 이송 유닛(40)이 포함된다.
상세히, 상기 반응챔버(10)에는, 상기 기판 지지부(22)가 출입할 수 있는 출입구(11)와, 반응가스를 공급하기 위한 반응가스 공급부(12)와, 상기 기판과 화학적 반응이 종료된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(13)가 구비된다.
상기 반응챔버(10)는 소정 크기의 내부 공간을 제공하는 원통형의 구조물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반응챔버(10)는 내마모성 및 내부식성이 우수한 금속재질로 이루어질 수 있고, 상기 반응챔버(10)의 내주면에는 고온에 견딜 수 있도록 단열재가 구비될 수 있다.
상기 반응가스 공급부(12)는 상기 반응챔버(10)의 상단부에 구비될 수 있다. 상기 반응가스 공급부(12)는 상기 반응챔버(10)의 상단부에서 하방으로 연장된다. 상기 반응가스 공급부(12)의 하단은 상기 메인 바디(21) 중심부에 인접한 지점까지 연장될 수 있다.
상기 반응가스 공급부(12)의 내부에는 상기 반응가스가 유동될 수 있는 관이 형성된다. 상기 반응가스에는 Mo, NH3, H2, N2 등이 포함될 수 있다. 상기 반응가스는, 상기 반응가스 공급부(12)의 내부에서 수직방향으로 유동되다가, 상기 반응가스 공급부(12)의 하단부에서 수평방향으로 꺽일 수 있다. 이에 따라, 상기 반응 가스는 상기 반응가스 공급부(12)에서 수평방향으로 배출되어, 상기 메인 바디(21)의 상부에서 수평방향으로 유동될 수 있다.
상기 반응가스 공급부(12)를 통해 유입된 반응가스와 기판 사이에 화학 반응이 이루어져 에피택셜층이 상기 기판의 상면(222)에 증착 및 성장될 수 있다.
상기 서셉터(20)에는 메인 바디(21)와, 상기 메인 바디(21)에 착탈 가능하게 구비되는 기판 지지부(22)가 포함된다.
상기 메인 바디(21)는, 카본(carbon) 또는 탄화규소(SiO)가 코팅된 흑연(graphite)으로 구성될 수 있고, 상기 반응챔버(10) 내에서 용이하게 회전될 수 있도록 디스크 형태를 가질 수 있다.
상기 메인 바디(21)의 상부면에는 상기 기판 지지부(22)가 안착될 수 있는 안착부(23)가 형성된다. 상기 안착부(23)는 상기 메인 바디(21)의 중심을 기준으로 원주방향으로 일정 간격을 두고 동일면 상에 복수개 구비될 수 있다.
상기 안착부(23)는, 상기 기판 지지부(22)의 반송시에 상기 기판 지지부(22)가 상기 메인 바디(21)에서 이탈되는 것을 방지하기 위해 비평탄면으로 형성된다. 상세히, 상기 안착부(23)는 상기 메인 바디(21)의 상부면에서 돌출되어 형성될 수 있다. 일례로, 상기 안착부(23)는 원뿔형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 안착부(23)의 중심에는 뽀족한 첨점(231)이 형성될 수 있고, 상기 첨점(231)의 주변에는 경사면이 형성될 수 있다. 상기 경사면은 상기 첨점(231)에서 주변으로 갈수록 하향 경사지게 형성될 수 있다.
상기 안착부(23)에는 가스가 배출되는 가스배출공(232)이 형성된다. 상세히, 상기 가스배출공(232)은 상기 안착부(23)의 경사면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 가스배출공(232)은 적어도 3개 이상 형성될 수 있다. 상기 가스배출공(232)을 통해 배출되는 가스는, 상방으로 배출될 수 있다. 상기 가스는 상기 기판 지지부(22)를 지지할 수 있다. 상기 가스는 상기 기판 지지부(22)의 저면에 의해 방향이 꺽이고, 상기 기판 지지부(22)의 측방으로 배출될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 지지부(22)는 상기 메인 바디(21)에서 소정 간격 이격된다. 즉, 상기 기판 지지부(22) 및 상기 메인 바디(21) 사이에 소정 간격을 갖는 갭(G)이 형성된다. 상기 기판 지지부(22) 및 상기 메인 바디(21) 사이의 간격은 일정하게 유지될 수 있다. 이는, 상기 기판 지지부(22)의 무게 및 상기 가스가 상기 기판 지지부(22)를 미는 힘이 평형을 이룰 수 있기 때문이다.
상기 가스배출공(232)을 통하여 배출되는 가스는 기판 상의 결정 성장에 영향을 미치지 않는 것이 바람직하다. 일례로, 상기 가스는 질소 또는 수소가 될 수 있다.
상기 메인 바디(21)의 하부면에는 회전축(210)이 결합될 수 있다. 상기 회전축(210)은 모터 등의 구동원이 결합될 수 있고, 상기 메인 바디(21)는 상기 회전축(210)과 일체로 회전할 수 있다.
상기 메인 바디(21)의 내부에는 상기 가스배출공(232)을 통하여 배출되는 가스를 공급하기 위한 가스 공급관(24)이 설치된다. 상기 가스 공급관(24)은 상기 반응챔버(10) 외부의 가스 공급원(미도시)로부터 상기 가스배출공(232)으로 상기 가스를 공급한다. 상기 메인 바디(21)가 회전으로 인하여 상기 가스 공급관(24)이 꼬이는 것을 방지하기 위해, 도 2와 같이 상기 가스 공급관(24)은 상기 회전축(210)을 통하여 외부의 가스 공급원과 연결될 수 있다.
한편, 상기 기판 지지부(22)는 상기 안착부(23)에 안착된다. 상기 기판 지지부(22)는 상기 메인 바디(21)와 같이 탄화 규소(SiO)로 코팅된 탄소 재질일 수 있다. 또한, 상기 기판 지지부(22)는 상기 메인 바디(21) 상에서 용이하게 회전될 수 있도록 디스크 형상으로 형성될 수 있다.
상기 기판 지지부(22)의 상면(222)에는 상기 기판이 안착될 수 있다. 상기 기판 지지부(22)의 상면(222)은 평평하게 형성될 수 있다. 상기 기판은 특별히 제한되지 않고, 사파이어 또는 스피널(MgAl2O4) 같은 절연성 기판 또는 SiC, Si, ZnO, GaAs, GaN 등의 반도체 기판, 도전성 기판을 사용할 수 있다. 다만, 본 실시예와 같이 수평구조의 반도체 발광소자를 제조하는 경우에는 사파이어 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 기판 및 반응기체 사이에 화학 반응이 이루어져 상기 기판상에 GaN계 결정이 성장될 수 있다.
상기 기판 지지부(22)는, 상기 갭(G)을 유동하는 가스의 점성에 의하여 상기 메인 바디(21) 상에서 회전할 수 있다. 상기 가스배출공(232)은 상기 기판 지지부(22)의 회전을 용이하게 하기 위해 상기 가스를 경사진 방향으로 배출할 수 있다.
따라서, 상기 기판은 상기 기판 지지부(22)의 자전함과 동시에 상기 메인 바디(21)의 회전에 의해 공전하여, 보다 균일하게 결정을 성장할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지부(22)는 상기 메인 바디(21)와 소정 간격 이격되어 자전하므로, 마찰로 인하여 손상 및 변형되는 것을 방지할 수 있고, 안정적인 증착공정을 실행할 수 있다.
상기 기판 지지부(22)의 저면은 상기 안착부(23)와 대응되는 형상으로 함몰된다. 상기 기판 지지부(22)의 저면은 상기 안착부(23)와 같이 원뿔형상으로 함몰될 수 있다. 상세히, 상기 기판 지지부(22)의 저면에는, 함몰부(224)와, 중심점(225)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 중심점(225)의 주변에는 경사면이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 안착부(23)는 상기 기판 지지부(22)에 삽입될 수 있다.
따라서, 상기 기판 지지부(22)가 상기 안착부(23)에 반송될 때, 상기 기판 지지부(22)의 안착 위치가 상기 안착부(23)의 중심부에서 어느 정도 어긋나 있어도, 상기 기판 지지부(22)의 위치가 보정될 수 있다. 또한, 기판 지지부(22)는 상기 가스배출공(232)에서 배출되는 가스에 의해 상기 안착부(23)에서 소정 간격 이격되는 특징에 의해, 상기 기판 지지부(22)의 위치 보정이 더욱 용이하게 이루어질 수 있다. 즉, 상기 기판 지지부(22) 및 상기 안착부(23)가 서로 대응되는 형상으로 형성되는 특징 및 상기 가스에 의해 상기 기판 지지부(22)가 부상되는 특징에 의해 상기 기판 지지부(22)의 반송 시에 위치 맞춤의 요구 정도가 완화되며, 반송시의 오류 발생율이 경감될 수 있다.
한편, 상기 가열원(30)은 상기 반응챔버(10) 내부에 열을 제공한다. 즉, 상기 가열원(30)은 상기 서셉터(100)의 근방에 배치되어 상기 기판을 가열하기 위한 열을 상기 서셉터(20)에 제공한다. 이러한 가열원(30)은 전기히터, 고주파유도, 적외선방사, 레이저 가운데 어느 하나일 수 있다.
상기 이송유닛(40)에는 상기 기판 지지부(22)를 파지할 수 있는 파지부(41)와, 상기 파지부(41)에서 연장되는 연장부(42)가 포함된다. 상기 이송유닛(40)은 로봇암과 같이 자동으로 제어되는 장치일 수 있다. 상기 이송유닛(40)은 상기 기판 및 기판 지지부(22)를 상기 반응챔버(10)의 외부로 이송할 수 있고, 상기 기판과 분리된 기판 지지부(22)를 상기 반응챔버(10) 내부로 반송할 수 있다.
이하에서는 본 실시예에 의한 작용을 설명한다.
상기 기판의 표면에 GaN계 에피택셜층을 성장시켜 증착하고자 하는 경우, 먼저 증착 대상물인 상기 기판을 상기 기판 지지부(22)에 올려놓는다.
이 상태에서, 상기 메인 바디(21)는 상기 회전축(210)의 구동력에 의해 일방향으로 회전되고, 상기 기판 지지부(22)는 상기 가스배출공(232)을 통하여 배출되는 가스의 점성에 의해 자전된다.
또한, 상기 반응가스 공급부(12)는 트리메틸갈륨(TMGa) 등의 소스 가스(source gas) 및 암모니아 등의 캐리어 가스(carrier gas)가 혼합된 반응가스를 상기 반응챔버(10)에 공급하고, 상기 가열원(30)은 상기 반응챔버(10)에 열을 제공한다.
이에 따라, 상기 기판의 표면에는 상기 반응가스가 고르게 접촉하여 질화물이 성장된 박막, 즉 반도체 에피택셜층이 균일하게 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 이송 유닛(40)의 파지부(41)는, 상기 안착부(23)에 안착된 상기 기판 지지부(22)를 파지하여, 상기 기판 및 상기 기판 지지부(22)를 함께 이송할 수 있다. 상기 기판 지지부(22)는 상기 안착부(23)에서 소정 간격 이격되어 있으므로, 상기 이송 유닛(40)은 상기 기판 지지부(22)를 용이하게 이송할 수 있다.
상기 기판 지지부(22)를 상기 반응챔버(10) 외부로 이송하고, 상기 기판이 상기 기판 지지부(22)에서 분리된다.
그 다음에, 상기 기판 지지부(22)는 상기 안착부(23)로 반송될 수 있다. 상기 안착부(23)는 돌출 형성되고, 상기 기판 지지부(22)는 상기 안착부(23)의 형상에 대응하는 형상으로 함몰 형성되며, 상기 가스배출공(232)에서 배출되는 가스에 의해 상기 기판 지지부(22)가 부상되므로, 상기 기판 지지부(22)는 반송된 위치가 상기 안착부(23)의 중심에서 어느 정도 어긋나 있어도 상기 기판 지지부(22)의 위치는 보정될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 일 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는 상기 일 실시예와 기판 지지부 및 안착부의 형상에 있어서 차이점이 있을 뿐이고, 다른 특징에 대해서는 상기 일 실시예와 동일하므로, 기판 지지부 및 안착부의 형상에 관한 특징 이외에는 상기 일 실시예의 내용을 원용하도록 한다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 화학증착장치용 서셉터의 단면도이고, 도 6은 도 5에서 기판 지지부가 분리된 모습을 나타내는 화학증착장치용 서셉터의 단면도이며, 도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 기판 지지부의 저면 사시도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 실시예에 의한 안착부(26)는 상기 메인 바디(21)의 상부면에서 함몰되어 형성될 수 있다. 일례로, 상기 안착부(23)는 깔데기 형상으로 함몰 형성될 수 있다. 즉, 상기 안착부(23)의 상부는 폭이 넓고, 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 안착부(26)의 중심에는 최저점(261)이 형성될 수 있고, 상기 최저점(261)의 주변에는 경사면이 형성될 수 있다. 상기 경사면은 상기 최저점(261)에서 주변으로 갈수록 상향 경사지게 형성될 수 있다.
상기 안착부(26)에는 가스가 배출되는 가스배출공(262)이 형성된다. 상세히, 상기 가스배출공(262)은 상기 안착부(26)의 경사면에 형성될 수 있다.
본 실시예에 의한 기판 지지부(28)의 상면(282)에는 상기 기판이 안착될 수 있다. 상기 기판 지지부(28)의 상면(282)은 평평하게 형성될 수 있다.
상기 기판 지지부(28)의 저면은 상기 안착부(26)와 대응되는 형상으로 돌출된다. 상기 기판 지지부(28)의 저면은 상기 안착부(23)에 삽입될 수 있는 원뿔형상으로 돌출될 수 있다. 상세히, 상기 기판 지지부(28)의 저면에는, 돌출부(283)와, 중심점(285)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 중심점(285)의 주변에는 경사면이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 지지부(28)는 상기 안착부(26)에 삽입될 수 있다.
따라서, 상기 기판 지지부(28) 및 상기 안착부(26)가 서로 대응되는 형상으로 형성되는 특징 및 상기 가스에 의해 상기 기판 지지부(28)가 부상되는 특징에 의해 상기 기판 지지부(28)의 반송 시에 위치 맞춤의 요구 정도가 완화되며, 반송시의 오류 발생율이 경감될 수 있다.
1 : 화학증착장치 10 : 반응챔버
20 : 서셉터 21 : 메인 바디
22, 28 : 기판 지지부 23, 26 : 안착부
30 : 가열원 40 : 이송유닛
232, 262 : 가스배출공

Claims (16)

  1. 비평탄면의 안착부가 구비되는 메인 바디; 및
    상기 안착부에 안착되는 기판 지지부;
    를 포함하고,
    상기 기판 지지부의 저면은 상기 안착부와 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 안착부에는 상기 기판 지지부에 가스를 배출하는 가스배출공이 형성되는 서셉터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안착부는 원뿔형상으로 돌출되는 부분 또는 함몰 형성되는 부분을 포함하는 서셉터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 안착부는 경사면을 포함하고, 상기 가스배출공은 상기 경사면에 형성되는 서셉터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는, 상기 가스에 의해 상기 메인 바디에서 이격되는 서셉터.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 지지부 및 상기 메인 바디 사이에는 상기 가스가 유동할 수 있는 갭이 형성되는 서셉터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 배출공에서 가스를 경사진 방향으로 배출되고, 상기 기판 지지부는 상기 가스의 점성에 의해 자전하는 서셉터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 질소 또는 수소인 것을 특징으로 하는 서셉터.
  8. 반응가스가 공급되는 반응챔버; 및
    상기 반응챔버에 회전가능하게 설치되는 메인 바디와, 상기 메인 바디에 착탈 가능하게 결합되는 기판 지지부로 구성되는 서셉터를 포함하고,
    상기 메인 바디에는 경사면을 포함하는 안착부가 구비되며, 상기 기판 지지부에는 상기 경사면에 대응되는 경사면이 구비되는 화학증착장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 메인 바디에 구비되고, 상기 기판 지지부를 부상시키기 위한 가스를 공급하는 가스 공급관;
    상기 반응 챔버에 열을 제공하는 가열원; 및
    상기 기판 지지부를 이송하는 이송 유닛을 더 포함하는 화학증착장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 안착부는 돌출 형성되는 부분을 포함하고, 상기 기판 지지부에는 함몰부가 형성되는 화학증착장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 안착부는 원뿔형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학증착장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 안착부는 함몰 형성되는 부분을 포함하고, 상기 기판 지지부에는 돌출부가 형성되는 화학증착장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 돌출부는 원뿔형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학증착장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 안착부의 경사면에는 상기 가스 공급관과 연통되는 가스배출공이 형성되는 화학증착장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는, 상기 가스에 의해 상기 메인 바디에서 이격되는 화학증착장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 서셉터는 탄화 규소(SiO)에 의해 코팅된 탄소 재질인 것을 특징으로 하는 화학증착장치.



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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170089411A (ko) * 2016-01-26 2017-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법, 및 비일시적 컴퓨터 가독 기억 매체

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104046962B (zh) * 2014-06-04 2016-07-06 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种轴向气力驱动行星旋转装置
CN104409402B (zh) * 2014-12-30 2018-06-19 厦门市三安光电科技有限公司 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
DE102016115614A1 (de) * 2016-08-23 2018-03-01 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
DE102020105753A1 (de) 2020-03-04 2021-09-09 Aixtron Se Auf einer Unterseite mit einer Vielzahl von Strukturelementen versehener Substrathalter für einen CVD-Reaktor
CN112760617B (zh) * 2020-12-30 2023-04-07 上海埃延半导体有限公司 化学气相沉积用的非金属反应腔及其使用方法
CN115537769B (zh) * 2022-12-01 2023-07-07 浙江晶越半导体有限公司 一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2596070A1 (fr) * 1986-03-21 1987-09-25 Labo Electronique Physique Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170089411A (ko) * 2016-01-26 2017-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법, 및 비일시적 컴퓨터 가독 기억 매체

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