DE102011080634A1

DE102011080634A1 - Suszeptor und Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung mit dem Suszeptor

Info

Publication number: DE102011080634A1
Application number: DE102011080634A
Authority: DE
Inventors: Won Shin LEE
Original assignee: Samsung LED Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2010-08-09
Filing date: 2011-08-09
Publication date: 2012-02-09
Also published as: CN102373442A; KR20120014361A; US20120031338A1

Abstract

Ein Suszeptor und eine Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) werden bereitgestellt. Der Suszeptor umfasst einen Hauptkörper, der so gestaltet ist, dass er eine Halterungseinheit mit einer unebenen Fläche umfasst, und eine Substratträgereinheit, die gestaltet ist, um auf der Halterungseinheit platziert zu werden. Eine untere Fläche der Substratträgereinheit weist eine Form auf, die einer Form der Halterungseinheit entspricht, und die Halterungseinheit umfasst eine Gasentladungsöffnung zum Entladen des Gases zu der Substratträgereinheit. Dementsprechend ist es möglich, dass eine exakte Positionierung der Substratträgereinheit nicht erforderlich ist, wenn die Substratträgereinheit zurückgeführt wird. Darüber hinaus kann ein Aufdampfen sicher durchgeführt werden.

Description

Hintergrund
Gebiet
Beispielhafte Ausführungsformen der folgenden Beschreibung beziehen sich auf einen Suszeptor und eine Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) mit dem Suszeptor.
Beschreibung der verwandten Technik
Eine lichtemittierende Diode (LED) ist ein Halbleiterbauelement, das einen elektrischen Strom in Licht umwandelt. Herstellungsverfahren für die LED umfassen ein Epi-Wafer-Herstellungsverfahren, ein Chipherstellungsverfahren, ein Packverfahren und ein Modularisierungsverfahren.
In dem Epi-Wafer-Herstellungsverfahren wird ein Epi-Wafer durch Züchten eines GaN-basierten Kristalls auf einem Substrat unter Verwendung einer Vorrichtung für metallorganische Gasphasenabscheidung (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) hergestellt.
Im Allgemeinen wird das Substrat von einer Satellitenscheibe getragen, die an einem Suszeptor der MOCVD-Vorrichtung angebracht ist.
Wenn es von dem Suszeptor getrennt wird, kann das Substrat von einem Roboterarm abgehoben werden. Wenn der Roboterarm das Substrat direkt abhebt, kann das Substrat jedoch aufgrund einer plötzlichen Temperaturänderung beschädigt werden. Daher wird das Substrat üblicherweise zusammen mit der Satellitenscheibe versetzt.
Anschließend wird die Satellitenscheibe von dem Substrat getrennt und zu dem Suszeptor zurückgeführt. Hier muss die Satellitenscheibe beim Zurückführen zu dem Suszeptor an einer korrekten Position auf dem Suszeptor platziert werden.
Übersicht
Nach beispielhaften Ausführungsformen kann ein Suszeptor für eine Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) bereitgestellt werden, der in der Lage ist, eine Substratträgereinheit wie eine Satellitenscheibe, die zu dem Suszeptor zurückgeführt wird, effizient zu positionieren.
Nach beispielhaften Ausführungsformen kann außerdem ein Suszeptor für eine CVD-Vorrichtung bereitgestellt werden, der in der Lage ist, eine Substratträgereinheit, die zu dem Suszeptor zurückgeführt wird, ohne Verwendung eines Stifts zu positionieren.
Der vorangehende bzw. andere Aspekte werden erreicht, indem ein Suszeptor, der einen Hauptkörper umfasst, der so gestaltet ist, dass er eine Halterungseinheit mit einer unebenen Fläche umfasst; und eine Substratträgereinheit, die gestaltet ist, um auf der Halterungseinheit platziert zu werden, bereitgestellt werden, wobei eine untere Fläche der Substratträgereinheit eine Form aufweist, die einer Form der Halterungseinheit entspricht, und die Halterungseinheit eine Gasentladungsöffnung zum Entladen des Gases zu der Substratträgereinheit aufweist.
Der vorangehende bzw. andere Aspekte werden erreicht, indem eine Vorrichtung für eine CVD, die eine Reaktionskammer umfasst, die gestaltet ist, um mit einem Reaktionsgas versorgt zu werden; und ein Suszeptor bereitgestellt werden, der so gestaltet ist, dass er einen Hauptkörper, der drehbar an der Reaktionskammer angebracht ist, und eine Substratträgereinheit umfasst, die abnehmbar mit dem Hauptkörper verbunden ist, wobei der Hauptkörper mit einer Halterungseinheit ausgestattet ist, die eine geneigte Fläche umfasst, und die Substratträgereinheit mit einer geneigten Fläche ausgestattet ist, die der geneigten Fläche der Halterungseinheit entspricht.
Zusätzliche Aspekte, Merkmale bzw. Vorteile von beispielhaften Ausführungsformen werden zum Teil in der folgenden Beschreibung erläutert und werden zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich bzw. sind durch Ausführung der Offenlegung erfahrbar.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Diese bzw. andere Aspekte und Vorteile werden aus der folgenden Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen zusammen mit den beigefügten Zeichnungen deutlich und besser zu würdigen, für die gilt:
1 stellt eine Draufsicht auf einen Suszeptor für eine Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) nach beispielhaften Ausführungsformen dar;
2 stellt einen Querschnitt durch den Suszeptor für die CVD-Vorrichtung dar;
3 erläutert einen Querschnitt durch den in 2 dargestellten Suszeptor, von dem eine Substratträgereinheit getrennt ist;
4 stellt eine perspektivische Ansicht der Substratträgereinheit von unten dar;
5 stellt einen Querschnitt durch einen Suszeptor für eine CVD-Vorrichtung nach anderen beispielhaften Ausführungsformen dar;
6 erläutert einen Querschnitt durch den in 5 dargestellten Suszeptor, von dem eine Substratträgereinheit getrennt ist; und
7 stellt eine perspektivische Ansicht der Substratträgereinheit von unten dar.
Ausführliche Beschreibung
Es wird nun ausführlich auf beispielhafte Ausführungsformen Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt werden, wobei sich gleiche Bezugszeichen überall auf gleiche Elemente beziehen. Beispielhafte Ausführungsformen werden unten beschrieben, um die vorliegende Offenlegung mit Bezug auf die Abbildungen zu erläutern.
1 stellt eine Draufsicht auf einen Suszeptor 20 für eine Vorrichtung 1 für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) nach beispielhaften Ausführungsformen dar. 2 stellt einen Querschnitt durch den Suszeptor 20 für die CVD-Vorrichtung 1 dar. 3 erläutert einen Querschnitt durch den in 2 dargestellten Suszeptor 20, von dem eine Substratträgereinheit 22 getrennt ist. 4 stellt eine perspektivische Ansicht der Substratträgereinheit 22 von unten dar.
Mit Bezug auf 1 bis 4 kann die CVD-Vorrichtung 1 eine Reaktionskammer 10 zum Bereitstellen eines Raums, in dem eine chemische Reaktion durchgeführt wird, den Suszeptor 20 zum Anbringen zumindest eines (nicht abgebildeten) Substrats, eine Wärmequelle 30 zum Erwärmen des Suszeptors 20 und eine Versetzungseinheit 40 zum Versetzen der Substratträgereinheit 22 umfassen.
Die Reaktionskammer 10 umfasst einen Einlass 11, um das Hindurchführen der Substratträgereinheit 22 zu ermöglichen, eine Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 zum Zuführen eines Reaktionsgases und einen Auslass 13 zum Entladen eines nach der chemischen Reaktion zwischen dem Reaktionsgas und dem Substrat verbleibenden Abgases.
Die Reaktionskammer 10 kann eine zylindrische Struktur sein, die einen Innenraum mit einer vorgegebenen Größe bereitstellt. Darüber hinaus kann die Reaktionskammer 10 aus einem Metall bestehen, das hochabriebfest und -korrosionsbeständig ist. Ein Isolator kann an einem Innenumfang der Reaktionskammer 10 bereitgestellt werden, so dass die Reaktionskammer 10 gegen hohe Temperatur beständig ist.
Die Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 kann an einem oberen Ende der Reaktionskammer 10 angeordnet sein. Die Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 kann sich von dem oberen Ende der Reaktionskammer 10 nach unten erstrecken. Ein unteres Ende der Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 kann sich nach oben bis zu einer Stelle nahe der Mitte eines Hauptkörpers 21 des Suszeptors 20 erstrecken.
Ein Rohr kann in der Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 bereitgestellt werden, um das Durchströmen des Reaktionsgases zu ermöglichen. Das Reaktionsgas kann Mo, NH₃, H₂, N₂ und dergleichen umfassen. Das Reaktionsgas kann in vertikaler Richtung in der Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 strömen und am unteren Ende der Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 in eine horizontale Richtung umbiegen. Dementsprechend kann das Reaktionsgas in horizontaler Richtung aus der Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 entladen werden und anschließend in horizontaler Richtung in einen oberen Abschnitt des Hauptkörpers 21 strömen.
Während das durch die Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 einströmende Reaktionsgas mit dem Substrat reagiert, kann eine Epitaxieschicht auf einer oberen Fläche des Substrats aufgedampft und gezüchtet werden.
Der Suszeptor 20 kann den Hauptkörper 21 und die Substratträgereinheit 22 umfassen, die abnehmbar mit dem Hauptkörper 21 verbunden ist.
Der Hauptkörper 21 kann aus mit Kohlenstoff bzw. Siliciumcarbid (SiC) beschichtetem Graphit bestehen. Der Hauptkörper 21 kann eine Scheibenform aufweisen, um in der Reaktionskammer 10 leicht drehbar zu sein.
Eine obere Fläche des Hauptkörpers 21 kann eine Halterungseinheit 23 umfassen, auf der die Substratträgereinheit 22 platziert ist. Eine Vielzahl von Halterungseinheiten 23 kann in gleichmäßigen Abständen koplanar in einer Umfangsrichtung in Bezug auf eine Mitte des Hauptkörpers 21 angeordnet sein.
Die Halterungseinheit 23 kann eine unebene Fläche umfassen, um ein Ausweichen der Substratträgereinheit 22 von dem Hauptkörper 21 während eines Zurückführens der Substratträgereinheit 22 zu minimieren. Genauer gesagt, kann die Halterungseinheit 23 von der oberen Fläche des Hauptkörpers 21 vorstehen. Die Halterungseinheit 23 kann zum Beispiel eine konische Form aufweisen. Dementsprechend kann eine Spitze 231 in einer Mitte der Halterungseinheit 23 ausgebildet sein, während um die Spitze 231 eine geneigte Fläche ausgebildet ist. Die geneigte Fläche kann nach unten in einer Richtung von der Spitze 231 zu einem Rand geneigt sein.
Die Halterungseinheit 23 kann eine Gasentladungsöffnung 232 umfassen, die zum Entladen von Gas eingerichtet ist. Die Gasentladungsöffnung 232 kann auf der geneigten Fläche der Halterungseinheit 23 angeordnet sein. Die Gasentladungsöffnung 232 kann zumindest in einer Anzahl von drei vorhanden sein. Durch die Gasentladungsöffnung 232 kann Gas in einer Richtung nach oben entladen werden. Daher kann das Gas die Substratträgereinheit 22 vertikal stützen. Das Gas kann durch eine untere Fläche der Substratträgereinheit 22 umgelenkt werden und daher zu einer Seite der Substratträgereinheit 22 entladen werden. Daher kann die Substratträgereinheit 22 durch einen vorgegebenen Zwischenraum von dem Hauptkörper 21 getrennt sein. Das heißt, ein vorgegebener Abstand G ist zwischen der Substratträgereinheit 22 und dem Hauptkörper 21 ausgebildet. Der Abstand G kann fortwährend beibehalten werden, da sich das Gewicht der Substratträgereinheit 22 und eine Stützkraft des Gases, das die Substratträgereinheit 22 stützt, im Gleichgewicht befinden.
Das durch die Gasentladungsöffnung 232 entladene Gas wirkt sich beispielhaft nicht auf das Kristallwachstum auf dem Substrat aus. In Anbetracht dessen kann es sich bei dem Gas um Stickstoff oder um Wasserstoff handeln.
Eine Drehwelle 210 kann mit einer unteren Fläche des Hauptkörpers 21 verbunden sein. Eine Antriebsquelle wie ein Motor kann mit der Drehwelle 210 verbunden sein. Der Hauptkörper 21 kann integral mit der Drehwelle 210 gedreht werden.
Der Hauptkörper 21 kann eine Gaszufuhrleitung 24 umfassen, die darin angeordnet ist, um das durch die Gasentladungsöffnung 232 entladene Gas zuzuführen. Die Gaszufuhrleitung 24 kann das Gas von einer (nicht abgebildeten) externen Gasquelle, die an der Außenseite der Reaktionskammer 10 bereitgestellt wird, der Gasentladungsöffnung 232 zuführen. Wie in 2 dargestellt, kann die Gaszufuhrleitung 24 mit der externen Gasquelle durch die Drehwelle 210 verbunden sein, um ein durch die Drehung des Hauptkörpers 21 verursachtes Verdrehen der Gaszufuhrleitung 24 zu verhindern.
Die Substratträgereinheit 22 kann auf der Halterungseinheit 23 platziert sein. Auf dieselbe Weise wie der Hauptkörper 21 kann die Substratträgereinheit 22 aus mit SiC beschichtetem Kohlenstoff bestehen. Darüber hinaus kann die Substratträgereinheit 22 eine Scheibenform aufweisen, damit sie leicht auf dem Hauptkörper 21 drehbar ist.
Das Substrat kann auf einer oberen Fläche 222 der Substratträgereinheit 22 platziert sein. Die obere Fläche 222 kann eben sein. Die Materialien des Substrats sind nicht genau festgelegt. Daher können ein aus Saphir bzw. Spinell (MgAl₂O₄) bestehendes dielektrisches Substrat, ein aus SiC, Si, ZnO, GaAs bzw. GaN bestehendes Halbleitersubstrat und ein leitfähiges Substrat als Substrat verwendet werden. Es ist jedoch beispielhaft, bei der Herstellung einer horizontalen Halbleiter-LED wie bei den vorliegenden Ausführungsformen ein Saphirsubstrat zu verwenden. Entsprechend einer chemischen Reaktion zwischen dem Substrat und dem Reaktionsgas kann ein GaN-basierter Kristall auf dem Substrat wachsen.
Die Substratträgereinheit 22 kann durch Viskosität des durch den Abstand G strömenden Gases auf dem Hauptkörper 21 gedreht werden. Die Gasentladungsöffnung 232 kann das Gas in einer schrägen Richtung entladen, um die Drehung der Substratträgereinheit 22 zu erleichtern.
Dementsprechend wird das Substrat durch die Drehung der Substratträgereinheit 22 gedreht und gleichzeitig durch die Drehung des Hauptkörpers 21 gedreht. Infolgedessen kann der Kristall gleichmäßiger wachsen. Da die Substratträgereinheit 22 sich in dem vorgegebenen Abstand G von dem Hauptkörper 21 dreht, können eine Beschädigung und Verformung dieser Teile durch Reibung verhindert werden und gleichzeitig eine stabile Aufdampfung erzielt werden.
Die untere Fläche der Substratträgereinheit 22 kann in einer Form, die der Halterungseinheit 23 entspricht, vertieft sein. Daher kann die untere Fläche der Substratträgereinheit 22 in der konischen Form, die der Halterungseinheit 23 entspricht, vertieft sein. Genauer gesagt, kann die untere Fläche der Substratträgereinheit 22 einen vertieften Abschnitt 224 und einen Mittelpunkt 225 umfassen. Darüber hinaus kann um den Mittelpunkt 225 eine geneigte Fläche ausgebildet sein. Dementsprechend kann die Halterungseinheit 23 in der Substratträgereinheit 22 aufgenommen werden.
Entsprechend der obigen Gestaltung kann, selbst wenn die zu der Halterungseinheit 23 zurückgeführte Substratträgereinheit 22 in einer falschen Position platziert wird, die etwas von der Mitte der Halterungseinheit 23 abweicht, die falsche Position korrigiert werden. Da die Substratträgereinheit 22 durch einen vorgegebenen Zwischenraum durch das aus der Gasentladungsöffnung 232 entladene Gas von der Halterungseinheit 23 getrennt ist, kann darüber hinaus die Positionskorrektur der Substratträgereinheit 22 vorteilhafter erreicht werden. Mit anderen Worten, da die Substratträgereinheit 22 und die Halterungseinheit 23 einander entsprechende Formen aufweisen und da die Substratträgereinheit 22 durch das Gas in einen Schwebezustand gebracht wird, kann das Positionieren der Substratträgereinheit 22, die zurückgeführt wird, einfacher durchgeführt werden und so eine Fehlerrate während des Zurückführens der Substratträgereinheit 22 verringert werden.
Die Wärmequelle 30 führt einem Innern der Reaktionskammer 10 Wärme zu. Im Besonderen ist die Wärmequelle 30 in der Nähe des Suszeptors 20 angeordnet, um den Suszeptor 20 mit der Wärme zum Erwärmen des Substrats zu versorgen. Als Wärmequelle 30 kann ein elektrischer Heizkörper, eine Hochfrequenz-Induktionsheizung, eine Infrarotstrahlungsheizung bzw. ein Laserheizgerät verwendet werden.
Die Versetzungseinheit 40 kann einen Greifabschnitt 41 zum Greifen der Substratträgereinheit 22 und einen Verlängerungsabschnitt 42 umfassen, der sich von dem Greifabschnitt 41 erstreckt. Die Versetzungseinheit 40 kann wie ein Roboterarm automatisch gesteuert werden. Die Versetzungseinheit 40 kann das Substrat zusammen mit der Substratträgereinheit 22 von der Reaktionskammer 10 nach außen versetzen bzw. die von dem Substrat getrennte Substratträgereinheit 22 in die Reaktionskammer 10 zurückführen.
Im Folgenden wird ein Betrieb der beispielhaften Ausführungsformen beschrieben.
Wenn die GaN-basierte Epitaxieschicht gezüchtet wird und auf einer Fläche des Substrats aufgedampft wird, wird ein Objekt der Aufdampfung, das heißt das Substrat, auf der Substratträgereinheit 22 platziert.
In diesem Fall kann der Hauptkörper 21 durch eine Antriebskraft der Drehwelle 210 in eine Richtung gedreht werden. Die Substratträgereinheit 22 wird durch die Viskosität des durch die Gasentladungsöffnung 232 entladenen Gases gedreht.
Darüber hinaus kann die Reaktionsgas-Zuführungseinheit 12 das Reaktionsgas, das ein Quellgas wie Trimethylgallium (TMGa) und ein Trägergas wie Ammoniak in gemischter Form enthält, zuführen. Die Wärmequelle 30 kann der Reaktionskammer 10 Wärme zuführen.
Dementsprechend wird das Reaktionsgas in gleichmäßigen Kontakt mit der Oberfläche des Substrats gebracht, wodurch ein dünner Film gleichmäßig ausgebildet wird, auf dem ein Nitrid, das heißt die Halbleiter-Epitaxieschicht gezüchtet wird.
Als Nächstes kann der Greifabschnitt 41 der Versetzungseinheit 40 die auf der Halterungseinheit 23 platzierte Substratträgereinheit 22 greifen und das Substrat und die Substratträgereinheit 22 gemeinsam versetzen. Da die Substratträgereinheit 22 durch den vorgegebenen Zwischenraum von der Halterungseinheit 23 getrennt ist, kann die Versetzungseinheit 40 die Substratträgereinheit 22 effizient versetzen.
Nachdem die Substratträgereinheit 22 aus der Reaktionskammer 10 nach außen versetzt worden ist, wird das Substrat von der Substratträgereinheit 22 getrennt.
Als Nächstes kann die Substratträgereinheit 22 zu der Halterungseinheit 23 zurückgeführt werden. Die Halterungseinheit 23 steht hervor, während die Substratträgereinheit 22 in einer Form vertieft ist, die der Form der Halterungseinheit 23 entspricht. Die Substratträgereinheit 22 wird durch das durch die Gasentladungsöffnung 232 entladene Gas in einen Schwebezustand gebracht. Daher kann, selbst wenn die Substratträgereinheit 22 in eine falsche Position zurückgeführt wird, die von der Mitte der Halterungseinheit 23 abweicht, die falsche Position der Substratträgereinheit 22 korrigiert werden.
Im Folgenden werden weitere beispielhafte Ausführungsformen beschrieben. Während nur Gestaltungen einer Substratträgereinheit und einer Halterungseinheit unterschiedlich sind, sind die anderen Merkmale der vorliegenden Ausführungsformen dieselben wie diejenigen der vorhergehenden Ausführungsformen und werden nicht wiederholt beschrieben.
5 stellt einen Querschnitt durch einen Suszeptor für eine CVD-Vorrichtung nach anderen beispielhaften Ausführungsformen dar. 6 erläutert einen Querschnitt durch den in 5 dargestellten Suszeptor, von dem eine Substratträgereinheit getrennt ist. 7 stellt eine perspektivische Ansicht der Substratträgereinheit von unten dar.
Mit Bezug auf 5 bis 7 kann eine Halterungseinheit 26 der vorliegenden beispielhaften Ausführungsformen von einer oberen Fläche des Hauptkörpers 21 vertieft sein. Die Halterungseinheit 26 kann zum Beispiel in einer Trichterform mit einem breiten oberen Abschnitt und einem schmalen unteren Abschnitt konisch vertieft sein. Dementsprechend kann ein unterster Punkt 261 in einer Mitte der Halterungseinheit 26 ausgebildet sein. Eine geneigte Fläche kann um den untersten Punkt 261 ausgebildet sein. Die geneigte Fläche kann von dem untersten Punkt 261 zu einem Rand nach oben geneigt sein.
Eine Gasentladungsöffnung 262 kann auf der Halterungseinheit 26 zum Entladen von Gas ausgebildet sein. Genauer gesagt, kann die Gasentladungsöffnung 262 auf der geneigten Fläche der Halterungseinheit 26 ausgebildet sein.
Das Substrat kann auf einer oberen Fläche 282 einer Substratträgereinheit 28 nach den vorliegenden beispielhaften Ausführungsformen platziert sein. Die obere Fläche 282 kann eben sein.
Eine untere Fläche der Substratträgereinheit 28 kann in einer Form, die der Halterungseinheit 26 entspricht, vorstehen. Das heißt, die untere Fläche kann so in einer konischen Form vorstehen, dass sie in der Halterungseinheit 26 aufgenommen wird. Genauer gesagt, die untere Fläche der Substratträgereinheit 28 kann einen vorstehenden Abschnitt 283 und einen Mittelpunkt 285 umfassen. Darüber hinaus kann um den Mittelpunkt 285 eine geneigte Fläche ausgebildet sein. Dementsprechend kann die Substratträgereinheit 28 in der Halterungseinheit 26 aufgenommen werden.
Da die Substratträgereinheit 28 und die Halterungseinheit 26 einander entsprechende Formen aufweisen und da die Substratträgereinheit 28 durch das Gas in einen Schwebezustand gebracht wird, kann folglich das Positionieren der Substratträgereinheit 28, die zurückgeführt wird, einfacher durchgeführt werden und so eine Fehlerrate während des Zurückführers der Substratträgereinheit 28 verringert werden.
Nach den beispielhaften Ausführungsformen ist es möglich, dass, wenn eine Substratträgereinheit zurückgeführt wird, eine exakte Positionierung der Substratträgereinheit nicht erforderlich ist.
Darüber hinaus kann verhindert werden, dass die Substratträgereinheit durch Reibung an einem Stift beschädigt wird. Daher kann ein Aufdampfen sicher durchgeführt werden.
Wenngleich beispielhafte Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden sind, wäre für einen Kenner der Technik zu erkennen, dass Änderungen an diesen beispielhaften Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne vom Prinzip und der Wesensart der Offenlegung abzuweichen, deren Umfang in den Ansprüchen und ihren Äquivalenten definiert wird.

Claims

Suszeptor, der umfasst: einen Hauptkörper, der so gestaltet ist, dass er eine Halterungseinheit mit einer unebenen Fläche umfasst; und eine Substratträgereinheit, die gestaltet ist, um auf der Halterungseinheit platziert zu werden, wobei eine untere Fläche der Substratträgereinheit eine Form aufweist, die einer Form der Halterungseinheit entspricht, und die Halterungseinheit eine Gasentladungsöffnung zum Entladen des Gases zu der Substratträgereinheit umfasst.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei die Halterungseinheit einen konisch vorstehenden Abschnitt bzw. vertieften Abschnitt umfasst.
Suszeptor nach Anspruch 2, wobei die Halterungseinheit eine geneigte Fläche umfasst und die Gasentladungsöffnung auf der geneigten Fläche ausgebildet ist.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei die Substratträgereinheit durch das Gas von dem Hauptkörper getrennt wird.
Suszeptor nach Anspruch 4, wobei zwischen der Substratträgereinheit und dem Hauptkörper ein Abstand ausgebildet ist, um ein Durchströmen des Gases zu ermöglichen.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das Gas in einer schrägen Richtung aus der Gasentladungsöffnung entladen wird und sich die Substratträgereinheit aufgrund von Viskosität des Gases dreht.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das Gas Stickstoff bzw. Wasserstoff ist.
Vorrichtung für chemische Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD), die umfasst: eine Reaktionskammer, die gestaltet ist, um mit einem Reaktionsgas versorgt zu werden; und einen Suszeptor, der so gestaltet ist, dass er einen Hauptkörper, der drehbar an der Reaktionskammer angebracht ist, und eine Substratträgereinheit umfasst, die abnehmbar mit dem Hauptkörper verbunden ist, wobei der Hauptkörper mit einer Halterungseinheit ausgestattet ist, die eine geneigte Fläche umfasst, und die Substratträgereinheit mit einer geneigten Fläche ausgestattet ist, die der geneigten Fläche der Halterungseinheit entspricht.
Vorrichtung nach Anspruch 8, die des Weiteren umfasst: eine Gaszufuhrleitung, die an dem Hauptkörper bereitgestellt wird, um Gas zuzuführen, um die Substratträgereinheit in einen Schwebezustand zu bringen; eine Wärmequelle zum Zuführen von Wärme zu der Reaktionskammer; und eine Versetzungseinheit zum Versetzen der Substratträgereinheit.
Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Halterungseinheit einen vorstehenden Abschnitt umfasst und die Substratträgereinheit einen vertieften Abschnitt umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Halterungseinheit eine konische Form hat.
Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Halterungseinheit einen vertieften Abschnitt umfasst, und die Substratträgereinheit einen vorstehenden Abschnitt umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der vorstehende Abschnitt eine konische Form hat.
Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die geneigte Fläche der Halterungseinheit eine Gasentladungsöffnung umfasst, die in Fluidverbindung mit der Gaszufuhrleitung steht.
Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Substratträgereinheit durch das Gas von dem Hauptkörper getrennt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Suszeptor aus mit Siliciumcarbid (SiC) beschichtetem Graphit besteht.