DE102019133704A1 - Anlage zur chemischen sic-gasphasenabscheidung - Google Patents

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Abstract

Vorgesehen ist eine Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung mit: einen Ofenkörper, in dem ein Wachstumsraum gebildet ist; und einen Ablagetisch, der im Wachstumsraum positioniert ist und eine Ablagefläche aufweist, auf der ein SiC-Wafer platziert ist, wobei der Ofenkörper ein erstes Loch umfasst, das auf einem oberen Abschnitt positioniert ist, der der Ablagefläche zugewandt ist und durch den ein Rohmaterialgas in den Wachstumsraum eingeleitet wird, ein zweites Loch, das auf einer Seitenwand des Ofenkörpers angeordnet ist und durch das ein Spülgas in den Wachstumsraum strömt, ein drittes Loch, das auf der Seitenwand des Ofenkörpers in einer Position weiter unten als das zweite Loch angeordnet ist und die Gase in den Wachstumsraum abgibt, und einen Vorsprung, der von einem unteren Ende des zweiten Lochs in Richtung des Wachstumsraums vorsteht, um einen Strom des Rohmaterialgases einzustellen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung.
  • Die Priorität wird auf die am 21. Dezember 2018 eingereichte japanische Patentanmeldung Nr. 2018-239879 beansprucht, deren Inhalt hierin durch Verweis aufgenommen wird.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Siliziumkarbid (SiC) weist Eigenschaften auf, bei denen ein dielektrisches Durchbruchfeld um eine Größenordnung größer ist, eine Bandlücke dreimal größer ist und eine Wärmeleitfähigkeit etwa dreimal höher ist als die von Silizium (Si). Da das Siliziumkarbid solche Eigenschaften aufweist, ist die Anwendung auf ein Leistungsgerät, ein Hochfrequenzgerät und ein Hochtemperaturbetriebsgerät zu erwarten. Dementsprechend wurde in den letzten Jahren ein SiC-Epitaxiewafer in der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung verwendet.
  • Der SiC-Epitaxiewafer wird im Allgemeinen unter Verwendung eines SiC-Einkristallwafers (SiC-Wafer) gebildet, der aus einem massiven Einkristall aus SiC, der durch ein Sublimationsverfahren oder dergleichen hergestellt wird, als Substrat verarbeitet wird, auf dem ein SiC-Epitaxialfilm gebildet wird. Insbesondere wird der SiC-Epitaxiewafer durch Aufwachsen eines SiC-Epitaxialfilms, der als aktiver Bereich einer SiC-Halbleitervorrichtung fungiert, durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf dem Substrat hergestellt. In der vorliegenden Beschreibung bezeichnet der SiC-Epitaxiewafer einen Wafer, der nach dem Bilden des SiC-Epitaxialfilms erhalten wird. Der SiC-Wafer bedeutet einen Wafer, der hergestellt wird, bevor der SiC-Epitaxialfilm darauf gebildet wird.
  • Die Leistung einer SiC-Halbleitervorrichtung ändert sich, wenn es Schwankungen der Dicke, der Zusammensetzung und der Konzentration der hinzuzufügenden Verunreinigungen eines SiC-Epitaxialfilms gibt, der durch Wachstum und dergleichen erhalten wird. Dementsprechend ist es notwendig, einen dünnen Film gleichmäßig auf einem zu verarbeitenden Körper wie einem SiC-Wafer zu bilden.
  • Um einen dünnen Film auf einem zu verarbeitenden Körper gleichmäßig zu bilden, ist es wichtig, dass dem zu verarbeitenden Körper ein Rohmaterialgas gleichmäßig zugeführt wird und die Bildung von Ablagerungen, die Defekte auf einem Wafer verursachen, verhindert wird. So wurden verschiedene Studien durchgeführt.
  • So offenbart beispielsweise das Patentdokument 1 eine CVD-Bearbeitungsvorrichtung vom Blechofentyp, die vorübergehend ein Rohmaterialgas in eine Bearbeitungskammer einspeist und das Rohmaterialgas gleichmäßig über ein Duschelement in einen Ofen einspeist. Darüber hinaus wird offenbart, dass eine Einführungsöffnung, die für die Zufuhr des Rohmaterialgases in die Prozesskammer verwendet wird, eine konische Form aufweist, um einen ungleichmäßigen dynamischen Druck des Rohmaterialgases zu reduzieren, das vom Duschelement in den Ofen eingeleitet wird. Die Einlassöffnung mit konischer Form verringert den Durchfluss des in die Prozesskammer zugeführten Rohmaterialgases und verhindert eine Druckänderung in der Prozesskammer. Die im Patentdokument 1 offenbarte CVD(Chemical Vapor Deposition)-Verarbeitungsvorrichtung kann eine Druckänderung in der Verarbeitungskammer verhindern.
  • Darüber hinaus offenbart das Patentdokument 2 auch eine chemische SiC-Gasphasenabscheidung, bei der eine Einführungsöffnung eines Gaseinführungsrohres, das ein Rohmaterialgas in einen Ofenkörper einleitet, eine konische Form aufweist. Das Gaseinführungsrohr mit konischer Form verhindert das Auftreten einer konvektiven Strömung in der Nähe der Einführungsöffnung des Gaseinführungsrohres und verhindert das erneute Anhaften der Ablagerung an einer Stelle in der Nähe des Gaseinführungsrohres, die durch die Gasdiffusion verursacht wird. In einem Fall, in dem die Ablagerung, die wieder am Einführungsrohr befestigt wird, abgezogen und auf einem Wafer befestigt wird, kann es zu einem durch Partikel verursachten Oberflächenfehler des Wafers kommen. Wenn eine Vorrichtung erhalten wird, indem eine Schicht auf einem solchen Oberflächenfehler gebildet wird, ist die Vorrichtung minderwertig. Daher ist es notwendig, den durch Partikel verursachten Defekt der Waferoberfläche zu verhindern.
    • Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung, Erstveröffentlichung Nr. 2009-74180
    • Patentdokument 2: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung, Erstveröffentlichung Nr. 2016-50164
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In den in den Patentdokumenten 1 und 2 offenbarten Anlagen zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung wird eine Zufuhr eines Rohmaterialgases zu einem zu verarbeitenden Körper gleichmäßig durchgeführt, indem ein konvektiver Gasstrom oder ein ungleichmäßiger dynamischer Druck in einer Verarbeitungskammer verhindert wird. Aber auch in diesen Fällen existiert noch ein Gasstrom in der Prozesskammer, es ist schwierig, das Rohmaterialgas ausreichend und gleichmäßig einem SiC-Wafer zuzuführen, und das Gas kann zum Umfang der Seitenwände der Prozesskammer diffundiert werden.
  • Die Erfindung wird unter Berücksichtigung dieser Umstände gemacht, und ein Ziel ist es, eine chemische SiC-Gasphasenabscheidung vorzusehen, die in der Lage ist, ein Rohmaterialgas gleichmäßig auf einen SiC-Wafer zu übertragen.
  • Als Ergebnis intensiver Studien fanden die Erfinder heraus, dass ein Strom eines Rohmaterialgases zu einer SiC-Epitaxiefolie zu einem laminaren Strom werden kann, wenn ein Vorsprung an einer Seitenwand eines Ofenkörpers vorgesehen ist, der einen Wachstumsraum bildet. Das heißt, die vorliegende Erfindung bietet folgende Möglichkeiten, um die Probleme zu lösen.
  • (1) Eine Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß einem ersten Aspekt beinhaltet: einen Ofenkörper, in dem ein Wachstumsraum gebildet ist; und einen Ablagetisch, der im Wachstumsraum positioniert ist und eine Ablagefläche aufweist, auf der ein SiC-Wafer platziert ist, wobei der Ofenkörper ein erstes Loch, das auf einem oberen Abschnitt positioniert ist, der der Ablagefläche zugewandt ist und durch den ein Rohmaterialgas in den Wachstumsraum eingeleitet wird, ein zweites Loch, das auf einer Seitenwand des Ofenkörpers angeordnet ist und durch das ein Spülgas in den Wachstumsraum strömt, ein drittes Loch, das auf der Seitenwand des Ofenkörpers in einer niedrigeren Position als das zweite Loch angeordnet ist und die Gase in den Wachstumsraum abgibt, und einen Vorsprung umfasst, der von einem unteren Ende des zweiten Lochs in Richtung des Wachstumsraums ragt, um einen Strom des Rohmaterialgases einzustellen.
  • Die Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung des ersten Aspekts weist vorzugsweise die folgenden Eigenschaften auf.
  • Darüber hinaus ist auch eine Kombination aus einem oder mehreren der folgenden Merkmale vorzuziehen.
  • (2) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß dem Aspekt kann der Ofenkörper einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt von oben beinhalten, ein Innendurchmesser des ersten Abschnitts kann kleiner als ein Innendurchmesser des dritten Abschnitts sein, der zweite Abschnitt kann den ersten Abschnitt und den dritten Abschnitt miteinander verbinden, das erste Loch kann im ersten Abschnitt positioniert sein, das zweite Loch und der Vorsprung können im zweiten Abschnitt positioniert sein, und das dritte Loch kann im dritten Abschnitt positioniert sein.
  • (3) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung kann der Vorsprung gemäß dem Aspekt ringförmig über einen gesamten Umfang der Seitenwand des Ofenkörpers vorhanden sein.
  • (4) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung kann der Vorsprung gemäß dem Aspekt parallel zur Ablagefläche sein.
  • (5) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß dem Aspekt kann der Vorsprung von der Seitenwand des Ofenkörpers in Richtung des Wachstumsraums ragen, so dass der Vorsprung schräg nach oben in Bezug auf die Ablagefläche geneigt ist.
  • (6) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß dem Aspekt kann ein erstes Ende des Vorsprungs auf der Wachstumsraumseite außerhalb eines Außenumfangs des SiC-Wafers, der auf der Aufstellungsfläche platziert ist, in einer Draufsicht auf die Aufstellungsfläche positioniert sein.
  • (7) In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung kann das zweite Loch entsprechend dem Aspekt über einen gesamten Umfang der Seitenwand des Ofenkörpers positioniert sein.
  • Nach der chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß der Ausführungsform der Erfindung ist es möglich, ein Rohmaterialgas gleichmäßig auf einen SiC-Wafer zu verteilen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines bevorzugten Beispiels einer Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß der Ausführungsform.
    • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Beispiels einer Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung des Standes der Technik.
    • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines weiteren bevorzugten Beispiels der chemischen SiC-Gasphasenabscheidung gemäß der Ausführungsform.
    • 4 ist ein Diagramm, das die Wachstumsgeschwindigkeit eines SiC-Epitaxialfilms in Anlagen zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung von Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 in der Ebene zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird ein Beispiel für eine chemische SiC-Gasphasenabscheidung, auf die die Erfindung angewendet wird, anhand der Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • Die in der folgenden Beschreibung verwendeten Zeichnungen können aus Gründen der Zweckmäßigkeit und des Verständnisses der Eigenschaften der Erfindung mit vergrößerten charakteristischen Teilen dargestellt werden, und die Maßverhältnisse und dergleichen der einzelnen Bestandteile können von den tatsächlichen Werten abweichen. Darüber hinaus sind die in der folgenden Beschreibung dargestellten Materialien, Abmessungen und dergleichen nur Beispiele, die Erfindung ist darauf nicht beschränkt, und diese können in einem Bereich, der den Kern nicht verändert, entsprechend geändert werden. Das heißt, die Positionen, die Zahlen, die Formen, die Materialien, die Konfigurationen und dergleichen können innerhalb eines Bereichs hinzugefügt, weggelassen, ersetzt oder geändert werden, der nicht vom Kern der Erfindung abweicht.
  • < Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung >
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines bevorzugten Beispiels einer Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 gemäß der Ausführungsform beinhaltet einen Ofenkörper 2, der einen Wachstumsraum R darin aufweist, und einen Ablagetisch 3, der im Wachstumsraum R positioniert ist und auf dem ein SiC-Wafer W platziert ist.
  • In der Ausführungsform wird eine Richtung, in der der Ablagetisch 3 im Ofenkörper 2 angeordnet ist, als Abwärtsrichtung und eine Richtung, in der ein erstes Loch 21, das später beschrieben wird, in Bezug auf den Ablagetisch 3 positioniert ist, als Aufwärtsrichtung bezeichnet.
  • (Ablagetisch)
  • Der Ablagetisch 3 beinhaltet vorzugsweise beispielsweise einen Suszeptor 31 und einen Heizmechanismus 32. Der Suszeptor 31 ist ein Träger des SiC-Wafers W. Auf der Oberseite des Suszeptors 31 ist eine Ablagefläche 3A vorgesehen, auf der der SiC-Wafer W platziert werden kann. Der Suszeptor 31 beinhaltet eine rohrförmige Tragwelle, die sich nach unten erstreckt. Die Tragwelle ist beispielsweise mit einem Drehmechanismus verbunden (nicht dargestellt). Der Suszeptor 31 kann sich entsprechend der Drehung der durch den Drehmechanismus gedrehten Tragwelle drehen. Der Heizmechanismus 32 erwärmt den SiC-Wafer W. Der Heizmechanismus 32 kann beispielsweise im Suszeptor 31 vorgesehen werden. Der Heizmechanismus 32 kann beispielsweise ein Heizgerät sein, das so positioniert ist, dass es der Aufstellfläche des SiC-Wafers W zugewandt ist. Der Heizmechanismus 32 wird von außen durch den inneren Abschnitt der Tragwelle elektrifiziert.
  • (Ofenkörper)
  • Der Ofenkörper 2 beinhaltet den Wachstumsraum R darin. Der in 1 dargestellte Ofenkörper 2 beinhaltet einen oberen Abschnitt 26, eine Seitenwand 25 und einen unteren Abschnitt 27. Der Wachstumsraum R ist ein Raum, der von dem oberen Abschnitt 26, der Seitenwand 25 und dem unteren Abschnitt 27 umgeben ist. Die Seitenwand 25 besteht aus einer oberen Seitenwand 25A und einer unteren Seitenwand 25B. Ein Material des Ofenkörpers 2 ist nicht besonders begrenzt und kann z.B. Quarz, Kohlenstoff, SiCbeschichteter Kohlenstoff und dergleichen sein, die entsprechend kombiniert werden können.
  • Darüber hinaus beinhaltet der Ofenkörper 2 ein erstes Loch 21, ein zweites Loch 22 und ein drittes Loch 23. Der Ofenkörper 2 beinhaltet einen Vorsprung 24, der sich an einer unteren Position der zweiten Bohrung befindet. Der Vorsprung 24 ist unmittelbar unter dem zweiten Loch positioniert und befindet sich in einer Position weiter oben als das dritte Loch 23.
  • Erstes Loch
  • Das erste Loch 21 befindet sich an einer Position, die der Ablagefläche 3A des Ablagetisches 3 zugewandt ist, d.h. an einem Abschnitt weiter oben als der Ablagefläche 3A. Das erste Loch 21 wird beispielsweise im oberen Abschnitt 26 des Ofenkörpers 2, wie beispielsweise der Oberseite des Ofenkörpers 2, positioniert. Die Anzahl des ersten Lochs 21 kann optional ausgewählt werden und kann beispielsweise eins, zwei oder mehr sein. Das aus dem ersten Loch 21 zugeführte Rohmaterialgas G reagiert auf dem SiC-Wafer W, der auf der Aufstellfläche 3A platziert ist und einen SiC-Epitaxialfilm auf dem SiC-Wafer W bildet. Der SiC-Epitaxiewaferfilm wird durch Bildung des SiC-Epitaxialfilms auf dem SiC-Wafer W hergestellt. Als Rohmaterialgas G können beispielsweise bekannte Gase auf Si-Basis und Gase auf C-Basis verwendet werden.
  • Das Gas auf Si-Basis ist z.B. Silan (SiH4). Darüber hinaus kann das Gas auf Si-Basis ein Gas sein, das einen chlorhaltigen Si-Rohstoff (chloridbasierter Rohstoff) beinhaltet, der Cl für einen Ätzvorgang beinhaltet, wie beispielsweise SiH2Cl2, SiHCl3 und/oder SiCl4. Darüber hinaus kann das Gas auf Si-Basis beispielsweise ein Gas sein, das durch Zugabe von HCl zu Silan erhalten wird.
  • Das C-basierte Gas ist z.B. Propan (C3H8).
  • Darüber hinaus kann zur Steuerung der Leitfähigkeit des SiC-Epitaxialfilms, der auf den SiC-Wafer W laminiert ist, bei der Zufuhr des Rohmaterialgases G ein Verunreinigungsdotierungsgas zugeführt werden. N2 wird als Verunreinigungsdotierungsgas vorzugsweise in einem Fall verwendet, in dem der Leitfähigkeitstyp auf n-Typ eingestellt ist, und Trimethylaluminium (TMA) vorzugsweise in einem Fall, in dem der Leitfähigkeitstyp auf p-Typ eingestellt ist.
  • Das jeweilige Si-basierte Gas, C-basiertes Gas und Verunreinigungsdotierungsgas können separat und unabhängig geliefert oder gemischt geliefert werden.
  • Eine mittlere Strömungsgeschwindigkeit (Strömungsmenge/Querschnittsfläche des ersten Lochs) des Rohmaterialgases G, die aus dem ersten Loch 21 in den Wachstumsraum R zugeführt wird, kann optional gewählt werden und beträgt vorzugsweise 0,001 m/s bis 100 m/s, vorzugsweise 0,005 m/s bis 50 m/s und noch bevorzugter 0,01 m/s bis 10 m/s.
  • Zweites Loch
  • Das zweite Loch 22 befindet sich an der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2. Das in 2 dargestellte zweite Loch 22 ist über den gesamten Umfang der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 vorgesehen. Das zweite Loch 22 trennt die Seitenwand 25 in die obere Seitenwand 25A und die untere Seitenwand 25B. Das zweite Loch 22 führt ein Spülgas p in den Wachstumsraum R ein. Das zweite Loch 22 kann in einer Draufsicht ein einziges kontinuierliches ringförmiges Loch oder eine Vielzahl von diskontinuierlichen ringförmigen Löchern sein. Die obere Seitenwand 25A kann mit einem anderen Element (nicht dargestellt) verklebt werden, das sich um den Ofenkörper 2 herum befindet.
  • Das Spülgas p ist ein Gas, das kein Si oder C enthält. Das Spülgas p ist beispielsweise ein Inertgas (Edelgas) wie Ar oder He. Das Spülgas p ist ein Gas, das der Umgebung des Ofenkörpers 2 zugeführt wird und ein Wärmedämmmaterial und eine Heizung schützt, die um den Ofenkörper 2 herum angeordnet sind. Das Spülgas p strömt aus der Umgebung des Ofenkörpers 2 in Richtung Wachstumsraum R.
  • Drittes Loch
  • Das dritte Loch 23 befindet sich an der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2. Das dritte Loch 23 ist an einem Abschnitt weiter unten als die Ablagefläche 3A des Ablagetisches 3 im Ofenkörper 2 positioniert. Das dritte Loch 23 ist eine Auslassöffnung, die das Gas im Wachstumsraum R ableitet. Das dritte Loch 23 leitet beispielsweise das Spülgas und das nicht reagierte Gas nach dem Durchlaufen des SiC-Wafers W ab. Das dritte Loch 23 kann eine Vakuumansaugung durchführen und den Druck im Ofengehäuse 2 entsprechend anpassen. Die Anzahl des dritten Lochs 23 kann eins sein, und eine Vielzahl der dritten Löcher kann in dem Ofenkörper 2 gebildet werden, um die Symmetrie der Gasflusswege in dem Ofenkörper 2 zu erhöhen und die Gleichmäßigkeit des Epitaxialfilms in der Ebene zu erhöhen.
  • {Vorsprung}
  • Der Vorsprung 24 ist an einem unteren Ende des zweiten Lochs 22 positioniert. Der Vorsprung 24 steht von einer Innenfläche der Seitenwand 25 zum Wachstumsraum R vor. Der in 1 dargestellte Vorsprung 24 steht von der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 in Bezug auf die Ablagefläche 3A schräg nach oben zur Mitte hin vor. Darüber hinaus ist der in 1 dargestellte Vorsprung 24 ringförmig über den gesamten Umfang der Seitenwand 25 in einer Draufsicht angeordnet. Eine Dicke des Vorsprungs 24 kann konstant sein. Der Vorsprung 24 steuert einen Durchfluss des Spülgases p, das aus dem zweiten Loch 22 strömt. Die Strömungsrichtung des Spülgases p ist hauptsächlich eine Richtung entlang des Vorsprungs 24. Die Strömung des Spülgases p beinhaltet eine Strömung, die entlang der oberen Seitenwand 25A nach oben strömt. Das Spülgas p steuert den Durchfluss des Rohmaterialgases G, das aus dem ersten Loch 21 zugeführt wird.
  • Darüber hinaus darf der Vorsprung 24 in Bezug auf die Aufstellfläche 3A nicht schräg nach oben zum Wachstumsraum R von der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 vorstehen. So kann beispielsweise der Vorsprung 24 parallel zur Ablagefläche 3A sein.
  • Bezüglich der Richtung des Vorsprungs 24 ist ein Winkel θ des Vorsprungs 24 in Bezug auf eine vertikale Richtung vorzugsweise 30° bis 150°. θ ist aus der Sicht der Konvergenz des Rohmaterialgases in der Mittelachse eher 45° bis 135°. Noch bevorzugter ist θ 90° bis 135°, um den Durchfluss des Rohmaterialgases G zur oberen Seitenwand 25A zu verhindern, der durch eine konvektive Strömung verursacht wird.
  • Ein erstes Ende 24a des Vorsprungs 24 auf der Wachstumsraum-R-Seite ist beispielsweise auf der Außenseite des Außenumfangs des SiC-Wafers W, der auf der Ablagefläche 3A platziert ist, in einer Draufsicht auf der Ablagefläche 3A positioniert. Das erste Ende 24a des Vorsprungs 24 auf der Wachstumsraum-R-Seite ist vorzugsweise auf der Außenseite der Ablagefläche 3A in einer Draufsicht auf der Ablagefläche 3A positioniert. Das Rohmaterialgas G strömt aus dem ersten Loch 21 in Richtung des Ablagetisches 3. In einem Fall, in dem das erste Ende 24a des Vorsprungs 24 auf der Innenseite des Außenumfangs des SiC-Wafers W vorsteht, kann dies zu Turbulenzen einer Strömung des Rohmaterialgases G führen.
  • Eine Größe des Vorsprungs 24 kann entsprechend einer Größe des Wafers W, der auf dem Ablagetisch 3 platziert ist, passend gewählt werden. Ein Innendurchmesser des Vorsprungs 24 wird entsprechend gewählt, um den Strömungsweg des Rohmaterialgases vorzugsweise zu steuern. Wenn der Innendurchmesser des Vorsprungs 24 klein ist, kann das Rohmaterialgas effektiv in der Mitte angesammelt werden. Dementsprechend kann ein Wert von (Innendurchmesser des Vorsprungs 24)/(Durchmesser des Wafers W) auf gleich oder weniger als 4, vorzugsweise gleich oder weniger als 3 und bevorzugter gleich oder weniger als 2 eingestellt werden. Da der Innendurchmesser des Vorsprungs 24 klein ist, kann die Wirkung der Ansammlung des Gases in der Mitte des Rohmaterialgases verstärkt werden, aber es ist nicht wünschenswert, dass der Innendurchmesser des Vorsprungs 24 zu klein ist, da das Gas in der Mitte übermäßig angesammelt wird. Dementsprechend kann der Wert von (Innendurchmesser des Vorsprungs 24)/(Durchmesser des Wafers W) gleich oder mehr als 1/2, vorzugsweise gleich oder mehr als 3/4 und bevorzugter gleich oder mehr als 1 sein. Durch Einstellen des Innendurchmessers des Vorsprungs 24 in dem vorstehend beschriebenen Bereich ist es möglich, den Fließweg des Rohmaterialgases angemessen zu steuern. Der Innendurchmesser des hier beschriebenen Vorsprungs 24 ist ein Wert, der durch Subtraktion der Größe des Vorsprungs 24 in radialer Richtung vom Innendurchmesser des Ofenkörpers erhalten wird und einen in 1 dargestellten Abstand L angibt.
  • Eine in 2 dargestellte Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 100 des Standes der Technik beinhaltet den Ofenkörper 2 und den Ablagetisch 3. Die in 2 dargestellte Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 100 unterscheidet sich von der in 1 dargestellten Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 dadurch, dass das zweite Loch 22 und der Vorsprung 24 nicht enthalten sind. Die anderen Konfigurationen sind die gleichen wie in der in 1 dargestellten Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1, und es werden die gleichen Referenznummern verwendet, so dass die Beschreibung entfällt.
  • In der in 2 dargestellten Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 100 wird das Rohmaterialgas G aus dem ersten Loch 21 zugeführt. Das Rohmaterialgas G wird vom ersten Loch 21 zu einem Umfang einer Seitenwand 125 diffundiert. Das heißt, das Rohmaterialgas G wurde beim Eintreffen des Rohmaterialgases auf dem SiC-Wafer W diffundiert. Dementsprechend wird das Rohmaterialgas G dem SiC-Wafer W nicht effizient zugeführt.
  • Andererseits wird in der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 gemäß der in 1 dargestellten Ausführungsform das Spülgas p, dessen Richtung gesteuert wird, aus dem zweiten Loch 22 in den Wachstumsraum R zugeführt. Das Spülgas p kann das Rohmaterialgas in die Nähe des Zentrums konvergieren, obwohl das Spülgas p in der in 2 dargestellten Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 100 an den Umfang der Seitenwand 125 diffundiert wird.
  • Wenn das Rohmaterialgas G in die Nähe des Zentrums des Wachstumsraums R konvergiert, wird der Durchfluss des Rohmaterialgas G in vertikaler Richtung gesteuert. In 1 sind in der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 der obere Teil 26 und der untere Teil 27 parallel angeordnet. Dementsprechend ist die vertikale Richtung eine Richtung orthogonal zum oberen Abschnitt 26 und zum unteren Abschnitt 27. Das heißt, die Strömung des Rohmaterialgases G wird zu einer laminaren Strömung. Wenn die Menge der Komponente des Rohmaterialgases G, die zur Seitenwand 25 diffundiert wird, verringert wird, wird das Rohmaterialgas G effizient dem SiC-Wafer W zugeführt. Darüber hinaus ist es möglich, das Rohmaterialgas G dem SiC-Wafer W gleichmäßig zuzuführen.
  • Da das Spülgas p ein Inertgas ist, erzeugt das Spülgas zudem keine Ablagerungen durch Reaktion mit dem Rohmaterialgas G im Ofenkörper 2. Dementsprechend wird beim Durchströmen des Spülgases p entlang der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 die Bildung von Ablagerungen verhindert, die durch das Rohmaterialgas an der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 verursacht werden.
  • Im Allgemeinen hat in den Anlagen zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 und 100, in denen wie in 1 oder 2 dargestellt der SiC-Wafer W auf dem unteren Teil des Ofens positioniert ist, die Umgebung des SiC-Wafers W die höchste Temperatur. Infolgedessen existiert in den Ofenkörpern 2 und 102 ein Temperaturgradient. Aufgrund des Temperaturgradienten in den Ofenkörpern 2 und 102 erfolgt die konvektive Strömung durch das Rohmaterialgas G, das vorübergehend in der Nähe des SiC-Wafers W angekommen ist.
  • In der in 2 dargestellten chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 100 strömt das Rohmaterialgas G, das nicht zum Wachstum des SiC-Epitaxialfilms beigetragen hat, durch den konvektiven Strom zum oberen Teil der Seitenwand 125. Das Rohmaterialgas G wird am oberen Teil der Seitenwand 125 im Ofenkörper 102 angeklebt. Im Ofenkörper 102 bilden sich die Ablagerungen durch die Abscheidung des Rohmaterialgases G. Die Ablagerungen sind ein Grund für die Erzeugung von Partikeln auf dem SiC-Epitaxiewafer. Die an der Oberfläche des zu verarbeitenden Körpers gebundenen Partikel verursachen einen Kristalldefekt.
  • Der Vorsprung 24 verhindert auch den konvektiven Fluss des nach oben strömenden Rohmaterialgases G. Dadurch wird die Bildung von Ablagerungen an der oberen Seitenwand 25A des Ofenkörpers 2 verhindert. Wenn die Menge der Ablagerungen, die die Partikel verursachen, verringert wird, wird die Qualität des SiC-Epitaxiewafers verbessert.
  • Optional wird eine mittlere Strömungsgeschwindigkeit des in den Wachstumsraum R strömenden Spülgases gewählt, und ein Wert von (Strömungsmenge/Querschnittsfläche des zweiten Lochs) beträgt beispielsweise 0,1 m/s bis 100 m/s. Die mittlere Strömungsgeschwindigkeit des Spülgases p beträgt vorzugsweise 0,2 m/s bis 50 m/s und vorzugsweise 0,5 m/s bis 30 m/s.
  • In der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 steuert gemäß der Ausführungsform das inerte Spülgas p, in dem die Richtung durch den Vorsprung 24 gesteuert wird, den Durchfluss des Rohmaterialgases G. Dadurch ist es möglich, das Rohmaterialgas G dem SiC-Wafer W effizient zuzuführen. Darüber hinaus verhindert das Spülgas p auch das Anhaften von Ablagerungen an der oberen Seitenwand 25A.
  • Vorstehend wurde die erste Ausführungsform ausführlich beschrieben, aber die Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach der ersten Ausführungsform ist nicht auf die Beispiele beschränkt, und verschiedene Modifikationen und Änderungen können in einem Bereich des Kerns der Erfindung durchgeführt werden.
  • So kann beispielsweise das zweite Loch 22 eine durchgehende Öffnung über den gesamten Umfang der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 sein oder eine Vielzahl von Öffnungen, die nicht miteinander verbunden sind. In einem Fall, in dem das zweite Loch 22 die durchgehende Öffnung ist, die sich über den gesamten Umfang der Seitenwand 25 des Ofenkörpers 2 befindet, z.B. wird der obere Abschnitt (Kombination aus dem oberen Abschnitt 26 und der oberen Seitenwand 25A) des Ofenkörpers 2 durch ein Stützelement aufgehängt (nicht dargestellt), und der untere Abschnitt (Kombination aus der unteren Seitenwand 25B und dem unteren Abschnitt 27) des Ofenkörpers 2 kann auf ein Aufstellungselement (nicht dargestellt) aufgelegt werden. Auf diese Weise können der obere Teil und der untere Teil des Ofenkörpers 2 in einem konstanten Abstand gehalten werden. In einem Fall, in dem das zweite Loch 22 als eine Vielzahl von Öffnungen vorgesehen ist, ist die Anzahl der zweiten Löcher 22, die das Spülgas p einleiten, nicht besonders begrenzt, und eine große Anzahl davon ist vorzuziehen.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel beschrieben, in dem das zweite Loch 22 eine Vielzahl von Öffnungen ist. Darüber hinaus werden die zweiten Löcher 22 vorzugsweise in regelmäßigen Abständen unter dem Gesichtspunkt der Symmetrie der Gasflusswege positioniert.
  • Eine Größe oder eine Form des zweiten Lochs 22 ist nicht besonders begrenzt, und beispielsweise kann eine Öffnungsform in einer Seitenansicht ein Quadrat, ein im Wesentlichen quadratisches, ein rechteckiges, ein Kreis oder dergleichen sein. Die zweiten Löcher 22 können in regelmäßigen Abständen oder mit der vorgegebenen Anordnung versehen werden und können beispielsweise ringförmig in einer Draufsicht angeordnet werden. Die zweiten Löcher 22 können in einer Draufsicht eine diskontinuierliche Ringform aufweisen. Die Form davon kann ein ringförmiges Loch sein, in dem sich eine Höhe in vertikaler Richtung von der Außenseite zur Innenseite des Ofens ändert und die Oberseite und die Unterseite gekrümmte Oberflächen sind. Die Höhe des zweiten Lochs 22 kann beispielsweise gleich oder größer als 1 mm sein. Seine Höhe ist vorzugsweise gleich oder größer als 1,5 mm und noch bevorzugter gleich oder größer als 2 mm. Darüber hinaus kann die Höhe des zweiten Lochs 22 beispielsweise gleich oder kleiner als 100 mm sein. Die Höhe ist bevorzugter gleich oder kleiner als 50 mm und noch bevorzugter gleich oder kleiner als 30 mm. Wenn die zweiten Löcher 22 ringförmig angeordnet sind, kann eine Breite und/oder Länge des Rings entsprechend gewählt werden. Darüber hinaus kann ein Öffnungsverhältnis des zweiten Lochs 22 in Umfangsrichtung 1 (100%) betragen, und es ist vorzuziehen, dass das Öffnungsverhältnis nahezu 1 ist, wobei das Öffnungsverhältnis des zweiten Lochs 22 in Umfangsrichtung auf gleich oder mehr als 0,3 eingestellt ist, um den Durchfluss des Rohmaterialgases G zu steuern. Das Öffnungsverhältnis des zweiten Lochs 22 in Umfangsrichtung bedeutet hier ein Öffnungsverhältnis des Ofenkörpers 2 in vertikaler Richtung in Höhe des Ofenkörpers 2, in dem die zweiten Löcher 22 positioniert sind. In einem Fall, in dem die Höhen der zweiten Löcher gleich sind, bedeutet das Öffnungsverhältnis von 1 beispielsweise, dass das zweite Loch über den gesamten Umfang geöffnet wird, und das Öffnungsverhältnis von 0,5 bedeutet, dass die Löcher mit dem Volumen von 50% geöffnet werden, verglichen mit dem des zweiten Lochs, das das Öffnungsverhältnis von 1 aufweist.
  • Die Höhe, in der das zweite Loch 22 positioniert ist, wird vorzugsweise an einer Position positioniert, die höher ist als die Ablagefläche 3A.
  • Der Vorsprung 24 kann kein durchgehendes ringförmiges Element sein, das sich über die Seitenwand 25 erstreckt. Der Vorsprung 24 kann eine Vielzahl von Elementen sein, die unter dem/den zweiten Loch/Löchern 22 angeordnet sind. In einem Fall, in dem der Vorsprung 24 über den gesamten Umfang der Seitenwand 25 vorhanden ist, kann das Rohmaterialgas G an jeder beliebigen Stelle in Umfangsrichtung im Ofenkörper 2 in Richtung Mitte des Ofenkörpers 2 konvergiert und ein Aufströmen des Rohmaterialgases G zur oberen Seitenwand 25A verhindert werden.
  • Wenn der Vorsprung 24 aus einer Vielzahl von Elementen gebildet ist, ist die Anzahl der Vorsprünge 24 nicht besonders begrenzt, und eine große Anzahl davon ist vorzuziehen. Die Vielzahl der Elemente kann in gleicher Höhe an der Seitenwand 25 angeordnet sein.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines bevorzugten Beispiels einer Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1' gemäß einer zweiten Ausführungsform. Eine Struktur eines Ofenkörpers 4 der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1' gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von derjenigen der Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1 gemäß der ersten Ausführungsform. Die anderen Konfigurationen sind gleich und es werden die gleichen Referenznummern verwendet, weshalb die Beschreibung weggelassen wird.
  • Der Ofenkörper 4 der in 3 dargestellten Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1' beinhaltet einen ersten Abschnitt 4A, einen zweiten Abschnitt 4B und einen dritten Abschnitt 4C in der Reihenfolge von oben. Ein Innendurchmesser des ersten Abschnitts 4A ist kleiner als ein Innendurchmesser des dritten Abschnitts 4C. Der „Innendurchmesser“ bedeutet hier einen Durchmesser einer Innenfläche des Ofenkörpers 4 auf der Wachstumsraum-R-Seite in einem Fall, in dem der Ofenkörper 4 in horizontaler Richtung geschnitten ist. Der zweite Abschnitt 4B ist ein Abschnitt, der den ersten Abschnitt 4A und den dritten Abschnitt 4C miteinander verbindet. Die Ecken E1 und E2 sind jeweils an einem Verbindungspunkt zwischen dem ersten Abschnitt 4A und dem zweiten Abschnitt 4B und einem Verbindungspunkt zwischen dem zweiten Abschnitt 4B und dem dritten Abschnitt 4C ausgebildet. Die Ecke E1, die nach innen in den Wachstumsraum R ragt, ist ein Abschnitt, an dem die Ablagerungen leicht befestigt werden können.
  • Darüber hinaus beinhaltet der Ofenkörper 4 ein erstes Loch 41, ein zweites Loch 42, ein drittes Loch 43 und einen Vorsprung 44. Das Rohmaterialgas G wird aus dem ersten Loch 41 zugeführt, das Spülgas p aus dem zweiten Loch 42 und das im Wachstumsraum R enthaltene Gas aus dem dritten Loch 43. Das erste Loch 41 ist am ersten Abschnitt 4A positioniert, das zweite Loch 42 am zweiten Abschnitt 4B und das dritte Loch 43 am dritten Abschnitt 4C. Wenn der Innendurchmesser des ersten Abschnitts 4A des Ofenkörpers 4 kleiner ist als der Innendurchmesser des dritten Abschnitts 4C, wird das Rohmaterialgas G in der Nähe des ersten Abschnitts kaum diffundiert. Dementsprechend wird im Ofenkörper 4 das Rohmaterialgas in der Nähe des Zentrums leicht konvergiert. Darüber hinaus kann im Ofenkörper 4 die Menge des Rohmaterialgases, die durch die konvektive Strömung nach oben strömt, verhindert werden.
  • Das Spülgas p strömt aus dem zweiten Loch 42. Die Richtung des Spülgases p wird durch den Vorsprung 44 gesteuert und es kann verhindert werden, dass Rohmaterialgas G nach oben strömt. Wie vorstehend beschrieben, ist die Ecke E1 ein Abschnitt, an dem Ablagerungen leicht befestigt werden können. Das Abschälen der an dem Abschnitt befestigten Ablagerungen verursacht Partikel. Wenn die Menge der Ablagerungen, die die Partikel verursachen, verringert wird, verbessert sich die Qualität des SiC-Epitaxiewafers.
  • Die spezifischen Konfigurationen des ersten Lochs 41, des zweiten Lochs 42, des dritten Lochs 43 und des Vorsprungs 44 im Ofenkörper 4 können die gleichen sein wie die des ersten Lochs 21, des zweiten Lochs 22, des dritten Lochs 23 und des Vorsprungs 24 im Ofenkörper 2. Die Richtung des Vorsprungs 44 ist die gleiche wie die Konfiguration des Vorsprungs 24.
  • Das heißt, ein Winkel θ des Vorsprungs 44 in vertikaler Richtung ist derselbe wie der Winkel θ des Vorsprungs 24 in vertikaler Richtung.
  • Beispiele
  • (Beispiel 1)
  • Die Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung 1' mit der in 3 gezeigten Konfiguration wurde durch Simulation reproduziert, und es wurde eine Wachstumsgeschwindigkeit des SiC-Epitaxialfilms erreicht. In der Simulation wurde Fluent von ANSYS Inc. verwendet. Es wurde bestätigt, dass die Simulation eine hohe Korrelation mit einem tatsächlichen experimentellen Ergebnis aufweist.
  • Die spezifischen Bedingungen der Simulation waren wie folgt.
    Temperatur des Ofenkörpers 2: Die maximale Temperatur ist gleich oder höher als 1400°C.
    Temperatur des Wafers W: ca. 1600°C
    Durchflussmenge Spülgas p/ Durchflussmenge Rohmaterialgas G: 1,3
    Maximale Durchflussrate des Rohmaterialgases: ca. 20 m/s Vorsprungsrichtung des Vorsprunges 44: parallel zur Ablagefläche 3A des Ablagetisches 3
    Wafer-Durchmesser B: 200 mm
    Innendurchmesser L des Vorsprungs 44/Waferdurchmesser: 1,4
    Innenradius des Vorsprungs/Höhe des Vorsprungs 44 in vertikaler Richtung aus dem Ablagetisch 3: 4.2
    Öffnungsverhältnis des zweiten Lochs 22 in Umfangsrichtung: 100%
  • (Vergleichsbeispiel 1)
  • Das Vergleichsbeispiel 1 unterscheidet sich von Beispiel 1 dadurch, dass der Vorsprung 44 nicht vorgesehen ist. Die anderen Bedingungen sind die gleichen wie in Beispiel 1.
  • 4 ist ein Diagramm, das eine Wachstumsgeschwindigkeit in der Ebene zeigt, wenn der SiC-Epitaxialwafer unter den Bedingungen von Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 gewachsen ist. Eine horizontale Achse ist der Abstand eines Messpunktes von der Mitte des SiC-Wafers W, und eine vertikale Achse ist eine Wachstumsgeschwindigkeit des SiC-Epitaxialfilms an der Messstelle. Wie in 4 dargestellt, wird im Falle des Vergleichsbeispiels 1 die Wachstumsgeschwindigkeit des SiC-Epitaxialfilms an der Außenseite des SiC-Wafers W langsam. Andererseits wird in Beispiel 1 die Wachstumsgeschwindigkeit des SiC-Epitaxialfilms in der Ebene des SiC-Wafers W im Wesentlichen eben. Ein Index der Ebenheit des SiC-Epitaxialfilms ist beispielsweise ein Zahlenwert, der durch 100 x {100 - (Minimalwert der Wachstumsgeschwindigkeit)}/(Maximalwert der Wachstumsgeschwindigkeit) erhalten wird. Wenn dieser Zahlenwert niedrig ist, ist die Ebenheit des SiC-Epitaxialfilms hoch. In Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 beträgt dieser Wert 17,9 (%) bzw. 25,5 (%) als Berechnungsergebnis bezogen auf einen Wafer mit einem Radius von 100 mm. Aus diesem Ergebnis lässt sich ableiten, dass die Ebenheit des SiC-Epitaxialfilms unter den Bedingungen von Beispiel 1 höher ist als unter den Bedingungen von Vergleichsbeispiel 1. Das heißt, der Vorsprung 44 trägt zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Trägerkonzentration der SiC-Epitaxialfolie und zum effizienten Wachstum der SiC-Epitaxialfolie bei.
  • Da die chemische SiC-Gasphasenabscheidung gemäß der Erfindung das mindestens eine Loch, welches das Spülgas der Seitenwand des Ofenkörpers zuführt, und den Vorsprung umfasst, der den Gasströmungspfad im Ofenkörper anpasst, ist die Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung für die Herstellung eines hochwertigen SiC-Epitaxialwafers nützlich, bei dem die Ebenenkonzentrationsgleichmäßigkeit des Wafers hoch ist.
  • Die vorliegende Erfindung kann eine Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung bereitstellen, die in der Lage ist, ein Rohmaterialgas gleichmäßig auf einen SiC-Wafer zu verteilen, der auf einem Ablagetisch platziert wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 1', 100:
    Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung
    2, 4, 102:
    Ofenkörper
    4A:
    erster Abschnitt
    4B:
    zweiter Abschnitt
    4C:
    dritter Abschnitt
    3:
    Ablagetisch
    3A:
    Ablagefläche
    31:
    Suszeptor
    32:
    Heizungsmechanismus
    21, 41:
    erstes Loch
    22, 42:
    zweites Loch
    23, 43:
    drittes Loch
    24, 44:
    Vorsprung
    24a:
    erstes Ende auf der Wachstumsraumseite
    25, 125:
    Seitenwand
    25A:
    obere Seitenwand
    25B:
    untere Seitenwand
    26:
    oberer Abschnitt
    27:
    unterer Abschnitt
    L:
    Innendurchmesser des Vorsprungs
    R:
    Wachstumsraum
    W:
    SiC-Wafer (Wafer)
    G:
    Rohmaterialgas
    p:
    Spülgas
    E1, E2:
    Ecke
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018239879 [0002]

Claims (7)

  1. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung, umfassend: einen Ofenkörper, in dem ein Wachstumsraum gebildet ist; und einen Ablagetisch, der im Wachstumsraum positioniert ist und eine Ablagefläche aufweist, auf der ein SiC-Wafer platziert ist, wobei der Ofenkörper ein erstes Loch, das auf einem oberen Abschnitt positioniert ist, der der Ablagefläche zugewandt ist und durch das ein Rohmaterialgas in den Wachstumsraum eingeleitet wird, ein zweites Loch, das auf einer Seitenwand des Ofenkörpers positioniert ist und durch das ein Spülgas in den Wachstumsraum strömt, ein drittes Loch, das an der Seitenwand des Ofenkörpers in einer niedrigeren Position als das zweite Loch angeordnet ist und die Gase im Wachstumsraum ableitet, und einen Vorsprung umfasst, der von einem unteren Ende des zweiten Lochs zum Wachstumsraum hin vorsteht, um einen Strom des Rohmaterialgases einzustellen.
  2. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach Anspruch 1, wobei der Ofenkörper von oben einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt beinhaltet, ein Innendurchmesser des ersten Abschnitts kleiner ist als ein Innendurchmesser des dritten Abschnitts, der zweite Abschnitt den ersten Abschnitt und den dritten Abschnitt miteinander verbindet, das erste Loch im ersten Abschnitt positioniert ist, das zweite Loch und der Vorsprung im zweiten Abschnitt positioniert sind und das dritte Loch im dritten Abschnitt positioniert ist.
  3. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Vorsprung in einer Ringform über einen gesamten Umfang der Seitenwand des Ofenkörpers vorliegt.
  4. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Vorsprung parallel zur Ablagefläche ist.
  5. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Vorsprung von der Seitenwand des Ofenkörpers in Richtung des Wachstumsraums vorsteht, so dass der Vorsprung in Bezug auf die Ablagefläche schräg nach oben geneigt ist.
  6. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei in einer Draufsicht auf die Ablagefläche ein erstes Ende des Vorsprungs auf der Wachstumsraumseite außerhalb eines Außenumfangs des auf der Ablagefläche platzierten SiC-Wafers positioniert ist.
  7. Anlage zur chemischen SiC-Gasphasenabscheidung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das zweite Loch über einen gesamten Umfang der Seitenwand des Ofenkörpers positioniert ist.
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