DE112010002199T5 - Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung - Google Patents
Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE112010002199T5 DE112010002199T5 DE112010002199T DE112010002199T DE112010002199T5 DE 112010002199 T5 DE112010002199 T5 DE 112010002199T5 DE 112010002199 T DE112010002199 T DE 112010002199T DE 112010002199 T DE112010002199 T DE 112010002199T DE 112010002199 T5 DE112010002199 T5 DE 112010002199T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- reactive gas
- reactive
- module
- showerhead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 328
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 18
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
Abstract
Es wird ein Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung mit einem Effekt, der die Länge von Injektionsröhren für ein Reaktivgas verkürzt, präsentiert. Die Injektionsröhren erstrecken sich von dem Boden eines Brausekopfmoduls für Reaktivgas und zwei verschiedene Arten von Reaktivgasen werden mit einem Injektionsunterstützungsgas in einem reaktiven Brausekopfmodul gemischt, um so das gemischte Gas einzublasen. Der Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung umfasst das Brausekopfmodul für Reaktivgas über einem Kühlmantel und ein Brausekopfmodul für Spülgas über dem Brausekopfmodul für Reaktivgas. Die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas passieren durch den Kühlmantel, der unterhalb des Brausekopfmoduls für Reaktivgas angeordnet ist, und die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Spülgas passieren durch das Brausekopfmodul für Reaktivgas, das unter dem Brausekopfmodul für Spülgas angeordnet ist, wodurch dem Spülgas ermöglicht wird in einen Spülgasumverteilungsraum zu strömen, der über dem Kühlmantel definiert ist.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Duschkopf bzw. einen Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung bzw. eine Vakuumfilmabscheidungsvorrichtung, insbesondere einen Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung, die während eines Schichtabscheidungsprozesses, wie etwa chemische Dampfabscheidung, ein Prozessgas gleichmäßig und stabil auf ein Substrat speist und somit die Qualität der gebildeten Schicht verbessert und die unerwünschte Abscheidung von Partikeln verhindert.
- Technischer Hintergrund
- Als Antwort auf die fortlaufende Hochintegration von Halbleitervorrichtungen wird das Verlangen stärker Prozessparameter während der Fabrikation von Halbleitervorrichtungen, einschließlich eines Schichtabscheidungsprozesses, präziser zu steuern. Viele Versuche werden unternommen, um Prozesszuverlässigkeit zwischen und innerhalb von Substraten zu erreichen.
- Insbesondere sind Studien im Gange, um die Prozesszuverlässigkeit bei einer Vorrichtung zu erhöhen, die einen Brausekopf zum Speisen eines Prozessgases während chemischer Dampfabscheidung verwendet, bei der ein Film auf ein Substrat durch eine chemische Oberflächenreaktion abgeschieden wird. Unlängst wurde in dem
koreanischen Patent No. 0849929 - Bezogen auf das zitierte Dokument 1 werden ein reaktives Gas und ein Injektionsunterstützungsgas in einem Brausekopf gemischt und auf ein Substrat eingeblasen, bzw. injiziert. Zusätzlich ist es möglich Rückdiffusion des reaktiven Gases in Richtung des Brausekopfs und eine ungewollte Abscheidung von Partikeln, die aus der Reaktion des reaktiven Gases und/oder Nebenproduktgasen an dem Boden des Brausekopfs resultieren, zu minimieren, was durch getrenntes Einblasen eines Spülgases in Richtung des Substrats ermöglicht wird. Zusätzlich ist es auch möglich ringförmige Kontamination am Ausgang der Reaktivgasinjektionsröhren zu unterdrücken indem das Spülgas, während es den Endausgang der Reaktivgasinjektionsröhren umgibt, eingeblasen wird.
- Hier bezieht sich das Reaktivgas auf ein Quellgas, das eine Komponente einer Schicht, die abgeschieden werden soll, enthält. Das Injektionsunterstützungsgas bezieht sich auf eine Art von Gas, die verwendet wird, um die Injektionsgeschwindigkeit des Reaktivgases einzustellen, indem es im Inneren des Brausekopfs mit dem Reaktivgas gemischt wird, was generell Schutzgase einschließt, die unwahrscheinlich eine chemische Reaktion mit dem Reaktivgas erfahren. Zusätzlich bezieht sich das Spülgas auf ein Gas, das verwendet wird, um die Gesamtflussrate einzustellen und die untere Fläche des Brausekopfs davor schützt, kontaminiert zu werden. Das Spülgas ist nicht notwendigerweise auf Schutzgas beschränkt und kann auch ein anderes Gas sein. Beispiele für das Spülgas sind Ar, N2, O2, He, H2, NH3, AsH3, PH3, oder dergleichen und sie können eine chemische Komponente der abzuscheidenden Schicht umfassen, aber sie zersetzen sich selten in dem Brausekopf oder lassen selten Abscheidungen zurück.
- Das Spülgas muss sehr gleichmäßig eingeblasen werden. Ansonsten könnte ungewollte Partikelabscheidung auf einigen Abschnitten des Brausekopfs resultieren und eine ungleichmäßige Abscheidung verursachen. Daher ist es sehr wichtig das Spülgas gleichmäßig einzublasen.
-
1 zeigt die Konfiguration eines Brausekopfs, die in dem zitierten Dokument 1 offenbart ist. Wie in der Abbildung gezeigt, sind zwei Brausekopfmodule für Reaktivgas, bzw. Reaktivgasbrausekopfmodule110 und120 , ein Brausekopfmodul für Spülgas130 und ein Kühlmantel140 nacheinander von oben nach unten gestapelt.2 zeigt eine Detailansicht der Umgebung von Führungsröhren131 und141 , durch die Reaktivgasinjektionsröhren111 , die sich von dem Brausekopfmodul für Reaktivgas110 erstrecken, durch den Kühlmantel140 passieren. Wie in der Abbildung gezeigt ist es schwer, dass das Spülgas gleichmäßig zu den Führungsröhren141 und142 durch bloßes Anordnen eines Spülgasinjektionslochs132 oder einem Spülgasausgang133 mit Führungsröhren142 oder141 , jeweils an dem Kühlmantel140 angebracht, zu verteilen, wenn im Wesentlichen kein Raum zwischen dem Brausekopfmodul für Spülgas130 , bzw. dem Spülgasbrausekopfmodul130 und dem Kühlmantel140 ist. - Um das obige Problem zu lösen, schlägt die
koreanische Patentanmeldungsveröffentlichung No. 10-2007-0112354 2 bezeichnet) einen Spülgasumverteilungsraum143 vor mit einer vorbestimmten Dicke, angezeigt durch „h,” zwischen dem Brausekopfmodul für Spülgas130 und dem Kühlmantel140 , wie in3 und4 gezeigt. Jedoch, gemäß dem zitierten Dokument2 , muss die Länge (l1 in3 ) der Reaktivgasinjektionsröhren111 und121 , die mit den Böden der Brausekopfmodule für Reaktivgas110 und120 verbunden sind, größer sein als die Höhe (Δ1 in3 ) des Brausekopfmoduls für Spülgas130 . Da einige Brausekopfmodule für Reaktivgas110 und120 nacheinander auf dem Brausekopfmodul für Spülgas130 gestapelt sind, steigt die Länge der Reaktivgasinjektionsröhren111 und121 , die mit dem Boden der Brausekopfmodule für Reaktivgas110 und120 verbunden sind, weiter. - Die Anwesenheit von Δ1, das grundsätzlich umfasst sein muss, kann Nachteile verursachen, wie etwa ein Verdrehen der Röhren oder Schwierigkeit in der Montage während des Fabrikationsprozesses oder Wartungen des Brausekopfs. Da die Länge der Reaktivgasinjektionsröhren
111 und121 erhöht ist, kann ein Problem mit dem Zurücklegen einer längeren Strecke von den Brausekopfmodulen für Reaktivgas110 und120 zu dem Boden des Kühlmantels140 resultieren. In einem Beispiel kann es ein großes Druckgefälle schwierig machen das Reaktivgas effizient auf das Substrat zu speisen. Zusätzlich, wenn mehrere Schichten einer Schicht bzw. eines Films aufgetragen werden, kann ein Reaktivgas während des vorhergehenden Schritts in dem Brausekopf bei dem nächsten Schritt verweilen. - Zusätzlich, für den Fall, dass die Art des Reaktivgases, das in die Reaktionskammer (nicht gezeigt) eingeführt werden soll, geändert werden muss, geschieht dies in konventionellen Vakuumschichtabscheidungsvorrichtungen für gewöhnlich durch die Manipulation von Ventilen. Also wurde ein Schaltverfahren verwendet. Jedoch gibt es eine Möglichkeit, dass das geänderte Prozessgas zurück in Richtung der ehemaligen Prozessgasleitung fließt. So lange verschiedene Arten von Prozessgasen üblicherweise in einer Prozessgasspeisungsröhre verwendet werden, existiert das Problem der Kontamination immer noch. Daher ist es vorzuziehen, dass eine bestimmte Prozessgasspeisungsleitung für eine Art von Prozessgas verwendet wird.
- Wenn Prozessgase mit unterschiedlichen Eigenschaften innerhalb des Brausekopfs, der dazu dient das Prozessgas gleichmäßig auf das Substrat einzublasen, gemischt werden, zum Beispiel, wenn Tri-Methyl-Gallium(TMG)-Prozessgas als Galliumquelle verwendet wird und ein NH3-Prozessgas als eine N-Quelle verwendet wird und diese innerhalb des Brausekopfs während des Prozesses des Abscheidens einer GaN-Schicht für eine LED durch MOCVD gemischt werden, kann eine unbeabsichtigte Gasreaktion innerhalb des Brausekopfs auftreten und dabei Partikel bilden.
- Daher wird in solch einem Fall üblicherweise ein Nachmischverfahren verwendet, d. h. verschiedene Prozessgase passieren durch den Brausekopf ohne zusammengemischt zu werden und werden zwischen dem Brausekopf und dem Substrat zusammengemischt.
-
1 , die die Konfiguration des zitierten Dokuments 1 zeigt, zeigt eine verwandte Technik. Das heißt, ein erstes reaktives Gas, das in das Innere des Brausekopfmoduls für Reaktivgas110 durch einen Einlass112 eingeführt wurde, wird mit einem Injektionsunterstützungsgas, das durch einen anderen Einlass113 in das Innere eingeführt wurde, gemischt, um die Injektionsgeschwindigkeit des Reaktivgases zu regulieren. Das gemischte Gas passiert durch Führungsröhren122 entlang dem Inneren der Reaktivgasinjektionsröhren111 und passiert dabei durch das Innere des darunterliegenden Brausekopfmoduls für Reaktivgas120 . Das erste gemischte Gas wird dann in Richtung des Substrats (nicht gezeigt), das in der Reaktionskammer platziert ist, eingeblasen, ohne dass es mit dem zweiten Reaktivgas innerhalb des Brausekopfs gemischt wird. - In dieser Konfiguration jedoch kann ein Erhöhen der Anzahl der Reaktivgase, die die Elemente der Schicht bzw. des Films darstellen, in einer komplizierten Struktur des Brausekopfs resultieren.
1 zeigt, dass die zwei Brausekopfmodule für Reaktivgase110 und120 in vertikaler Richtung gestapelt sind. Jedoch kann ein stetiges Erhöhen der Anzahl der Brausekopfmodule für Reaktivgas als Reaktion auf ein Erhöhen der Arten der Reaktivgase ein Problem aufgrund des begrenzten Raums, der im Inneren der Reaktionskammer vorgesehen ist, verursachen. - Offenbarung
- Technisches Problem
- Entsprechend wurde die vorliegende Erfindung unter Beachtung der obigen Probleme gemacht, die im Stand der Technik existieren, und ist zugedacht, um einen Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung bereitzustellen, wobei ein Brausekopfmodul für Reaktivgas oberhalb eines Kühlmantels angeordnet ist, während ein Spülgasumverteilungsraum zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Kühlmantel definiert ist, ein Brausekopfmodul für Spülgas oberhalb des Brausekopfmoduls für Reaktivgas angeordnet ist, so dass die Länge von Reaktivgasinjektionsröhren, die von dem Boden des Brausekopfmoduls für Reaktivgas verbunden sind, verringert werden kann, und dabei Probleme, wie etwa Verdrehen der Röhren oder Schwierigkeit in der Montage während des Fabrikationsprozesses oder bei Wartungen des Brausekopfs überwunden werden. Es ist auch möglich die Probleme eines Druckverlusts, der durch eine erhöhte Länge der Reaktivgasinjektionsröhren verursacht werden, Schwierigkeit das Reaktivgas richtig zu speisen und Zurückhalten des Reaktivgases in dem vorhergehenden Prozess innerhalb des Brausekopfs, wenn mehrere Schichten einer Schicht abgeschieden werden, auszuräumen.
- Die vorliegende Erfindung ist auch zugedacht, um einen Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung bereitzustellen, bei der Reaktivgase innerhalb eines Brausekopfmoduls für Reaktivgas zusammengemischt werden, so lange sie ähnliche Eigenschaften haben, so dass sie keine chemische Reaktion eingehen und somit selten Partikel innerhalb des Brausekopfmoduls für Reaktivgas bilden. Als ein Ergebnis kann dies die Anzahl der Brausekopfmodule für Reaktivgas gering halten, obwohl die Arten an Reaktivgasen ansteigt und dadurch können Probleme im Zusammenhang mit der Gesamtkonfiguration und der Montage des Brausekopfs und das Problem, das aus dem begrenzten Raum innerhalb der Reaktionskammer resultiert, gelöst werden.
- Technische Losung
- In einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung einen Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung bereit, umfassend ein Brausekopfmodul für Reaktivgas, das einen Einlass hat durch den ein Reaktivgas in mehrere Injektionsröhren eingeführt wird, durch die das Reaktivgas einblast wird, ein Brausekopfmodul für Spülgas, das einen Einlass hat, durch den ein Spülgas in mehrere Injektionsröhren eingeführt wird, durch die das Spülgas eingeblasen wird, einen Kühlmantel, der einen Einlass und einen Auslass hat, durch die jeweils ein Kühlmittel eingeführt und abgeführt wird, und einen Spülgasumverteilungsraum, der oberhalb des Kühlmantels definiert ist. Das Brausekopfmodul für Reaktivgas ist oberhalb des Kühlmantels angeordnet, das Brausekopfmodul für Spülgas ist oberhalb des Brausekopfmoduls für Reaktivgas angeordnet, die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas erstrecken sich durch den darunter befindlichen Kühlmantel und die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Spülgas erstrecken sich durch das darunter befindliche Brausekopfmodul für Reaktivgas. Das Spülgas, das von den Spülgasinjektionslöchern eingeblasen wurde, wird in den Spülgasumverteilungsraum, der oberhalb des Kühlmantels definiert ist, eingeführt indem es durch das Brausekopfmodul für Reaktivgas passiert. Das Reaktivgas und das Spülgas werden in Richtung des Substrats eingeblasen, nachdem sie durch den Kühlmantel passiert sind ohne dabei mit dem Kühlmittel in dem Kühlmantel in Kontakt zu kommen.
- Die vorliegende Erfindung ist auch dadurch charakterisiert, dass ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas weiter zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Brausekopfmodul für Spülgas angeordnet ist, wobei sich Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas, das sich an oberer Position befindet, durch das untere Brausekopfmodul für Reaktivgas und den Kühlmantel erstrecken.
- Die vorliegende Erfindung ist dadurch charakterisiert, dass ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas weiter über dem Brausekopfmodul für Spülgas angeordnet ist, wobei sich Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas, das sich an oberer Position befindet, nacheinander durch das Brausekopfmodul für Spülgas, das Brausekopfmodul für Reaktivgas und den Kühlmantel erstrecken.
- Die vorliegende Erfindung ist auch dadurch charakterisiert, dass das Brausekopfmodul für Reaktivgas erste und zweite Zwischenplatten zwischen oberen und unteren Platten hat, wobei mehrere Reaktivgase in einen Raum zwischen der oberen Platte und der ersten Zwischenplatte durch mehrere Einlässe eingeführt werden, ein Einführungsunterstützungsgas in einen Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte durch einen Einlass eingeführt wird und die mehreren Reaktivgase mit dem Injektions- bzw. Einführungsunterstützungsgas innerhalb der Mischkammer, die ein Raum zwischen der zweiten Zwischenplatte und der unteren Platte ist, zusammengemischt werden und dabei ein Mischgas bilden.
- Außerdem ist die vorliegende Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass das Brausekopfmodul für Reaktivgas erste bis dritte Zwischenplatten zwischen oberen und unteren Platten aufweist, wobei ein Reaktivgas in einen Raum zwischen der oberen Platte und der ersten Zwischenplatte eingeführt wird, ein anderes Reaktivgas von einer anderen Art in einen Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte eingeführt wird, ein Injektionsunterstützungsgas in einen Raum zwischen der zweiten und der dritten Zwischenplatte durch einen dritten Einlass eingeführt wird und die mehreren Reaktivgase mit dem Injektionsunterstützungsgas innerhalb der Mischkammer, was ein Raum zwischen der dritten Zwischenplatte und der unteren Platte ist, zusammengemischt werden und dabei ein Mischgas bilden.
- Vorteilhafte Effekte
- Wie oben beschrieben ist das Brausekopfmodul für Reaktivgas über dem Kühlmantel angeordnet, das Brausekopfmodul für Spülgas ist über dem Brausekopfmodul für Reaktivgas angeordnet und die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas erstrecken sich durch den darunter befindlichen Kühlmantel, so dass das Spülgas in den Spülgasumverteilungsraum zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Kühlmantel eingeführt wird. Die Länge der Reaktionsinjektionsröhren, die von dem Boden des Brausekopfmoduls für Reaktivgas verbunden sind, kann daher verkürzt werden. Folglich ist es möglich, Probleme auszuräumen, wie etwa ein Verdrehen der Röhren oder Schwierigkeit in der Montage während des Fabrikationsprozesses oder bei Wartungen des Brausekopfs. Es ist auch möglich die Probleme eines Druckverlusts, die durch eine erhöhte Länge der Reaktivgasinjektionsröhren verursacht werden, Schwierigkeit das Reaktivgas richtig zu speisen und Zurückhalten des Reaktivgases in dem vorhergehenden Prozess innerhalb des Brausekopfs, wenn mehrere Schichten einer Schicht bzw. eines Films abgeschieden werden, auszuräumen.
- Außerdem können mehrere Reaktivgase durch mehrere Einlässe eines Brausekopfmoduls für Reaktivgas in ein Brausekopfmodul für Reaktivgas eingeführt werden, so lange diese keine chemische Reaktion eingehen und selten Partikel bilden, auch wenn sie in dem Brausekopfmodul für Reaktivgas zusammengemischt werden. Daher können die Reaktivgase mit ähnlichen Eigenschaften eingeblasen werden, indem sie in einem Brausekopfmodul für Reaktivgas zusammengemischt werden. Als ein Ergebnis kann das die Anzahl der Brausekopfmodule für Reaktivgas minimal halten, obwohl die Arten an Reaktivgasen ansteigt, und dadurch können Probleme im Zusammenhang mit der Gesamtkonfiguration und der Montage des Brausekopfs und das Problem, das aus dem begrenzten Raum innerhalb der Reaktionskammer resultiert, gelöst werden.
- Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die einen Brausekopf nach dem Stand der Technik zeigt; -
2 ist eine Detailansicht des Teils „A” in1 ; -
3 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die einen anderen Typ von Brausekopf nach dem Stand der Technik zeigt; -
4 ist eine Detailansicht des Teils „A” in3 ; -
5 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die einen Brausekopf gemäß einer ersten Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt; -
6 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die einen Brausekopf gemäß einer zweiten Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt; -
7 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die einen Brausekopf gemäß einer dritten Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt; -
8 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die ein Brausekopfmodul für Reaktivgas eines Brausekopfs gemäß einer vierten Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt; -
9 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die eine Variation des Brausekopfmoduls für Reaktivgas des Brausekopfs gemäß der vierten Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt; und -
10 ist eine Querschnittskonfigurationsansicht, die ein Brausekopfmodul für Reaktivgas eines Brausekopfs gemäß einer fünften Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigt. - Bevorzugte Ausführung
- Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungen der vorliegenden Erfindung detailliert mit Bezug zu den beigefügten Zeichnungen beschrieben.
5 zeigt eine erste Ausführung eines Brausekopfs für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, umfassend ein Brausekopfmodul für Spülgas10 , ein Brausekopfmodul für Reaktivgas20 und einen Kühlmantel30 . - Wie in
5 gezeigt, ist der Brausekopf der ersten Ausführung durch nacheinander stapeln eines Brausekopfmoduls für Spülgas10 , eines Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und eines Kühlmantels30 in vertikaler Richtung von oben nach unten konstruiert, unter der Annahme, dass eine Art von Reaktivgas und eine Art von Spülgas verwendet werden sollen. - Das Brausekopfmodul für Spülgas
10 hat eine Zwischenplatte13 zwischen einer oberen Platte11 und einer unteren Platte12 , so dass Spülgas durch einen Einlass14 in den Raum zwischen der oberen Platte11 und der Zwischenplatte13 fließt. Dann betritt das Spülgas über mehrere Löcher13a in der Zwischenplatte13 eine Diffusionskammer15 , die sich zwischen der Zwischenplatte13 und der unteren Platte12 befindet, dann diffundiert das Spülgas in der Diffusionskammer. Als nächstes wird das Spülgas gleichmäßig durch mehrere Spülgasinjektionsröhren16 eingeblasen, die hermetisch mit mehreren Injektionslöchern161 verbunden sind, die in der unteren Platte12 gebildet sind. - Das Brausekopfmodul für Reaktivgas
20 hat erste und zweite Zwischenplatten23 und24 zwischen der oberen und der unteren Platte21 und22 , so dass Reaktivgas in den Raum zwischen der oberen Platte21 und der ersten Zwischenplatte23 durch einen Einlass25 eingeführt wird, ein Injektionsunterstützungsgas in den Raum zwischen der ersten Zwischenplatte23 und der zweiten Zwischenplatte24 eingeführt wird und das Reaktivgas und das Injektionsunterstützungsgas in einer Mischkammer27 zusammengemischt werden, die ein Raum zwischen der zweiten Zwischenplatte24 und der unteren Platte22 ist. - Das Reaktivgas, das den Raum zwischen der oberen Platte
21 und der ersten Zwischenplatte23 betreten hat, wird durch Verbindungsröhren28 , die hermetisch mit der Mischkammer27 über mehrere Löcher, die in der zweiten Zwischenplatte23 gebildet sind, verbunden sind, in die Mischkammer27 eingeführt. In Mischkammer27 werden das Reaktionsgas und das Injektionsunterstützungsgas zusammengemischt, wodurch ein Mischgas gebildet wird. Das Mischgas wird dann gleichmäßig an mehrere Reaktivgasinjektionsröhren29 verteilt, die hermetisch mit mehreren Löchern verbunden sind, die in der Bodenplatte22 gebildet sind. - Der Kühlmantel
30 hält die Temperatur des Brausekopfs in dem richtigen Bereich, zum Beispiel von 150 bis 200°C, um das Reaktivgas von unbeabsichtigter Partikelbildung abzuhalten, die durch thermische Zersetzung bei einer übermäßig hohen Temperaturbedingung in dem Brausekopf verursacht wird. Der Kühlmantel30 umfasst eine obere Platte31 und eine untere Platte32 und mehrere Führungsröhren33 , die hermetisch zwischen der oberen Platte31 und der unteren Platte32 eingefügt sind, durch die die Reaktivgasinjektionsröhren29 passieren können. - Kühlmittel, das durch einen Einlass
34 des Kühlmantels30 eingeführt wurde, wird in dem inneren Raum verteilt, bzw. dispergiert und verlässt schließlich eine Reaktionskammer (nicht gezeigt), nachdem es einen Auslass35 passiert hat. Das Kühlmittel kann aus irgendeinem komprimierten Gas, Wasser oder dergleichen ausgewählt werden, aber es ist sehr wichtig zu garantieren, dass das Kühlmittel nicht von dem Kühlmantel30 in die Reaktionskammer leckt. - Die Injektionsröhren
29 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 sind so konfiguriert, dass sie von der unteren Platte32 des Kühlmantels30 hervorstehen, nachdem sie durch das Innere der Führungsröhren33 des Kühlmantels30 passiert sind und dadurch das Reaktivgas in Richtung des Substrats einblasen. Die Injektionsröhren16 des Brausekopfmoduls für Spülgas10 erstrecken sich hinab durch das Brausekopfmodul für Reaktivgas20 und sind dann mit einem Spülgasumverteilungsraum36 zwischen der unteren Platte22 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und der oberen Platte31 des Kühlmantels30 verbunden, so dass das Spülgas noch einmal gleichmäßig in besagtem Spülgasumverteilungsraum36 diffundiert und dann wird das Spülgas in Richtung des Substrat entlang dem Inneren der mehreren Verbindungsröhren37 eingeblasen, die hermetisch zwischen der oberen Platte31 und der unteren Platte32 des Kühlmantels30 genauso wie entlang einer Lücke zwischen der inneren Wand der Führungsröhren33 und der äußeren Wand der Reaktivgasinjektionsröhren29 montiert sind. Die Führungsröhren33 des Kühlmantels30 müssen für die Führung von Reaktivgasinjektionsröhren montiert sein, aber die Verbindungsröhren37 müssen nicht. - Mit der Konfiguration der ersten Ausführung der vorliegenden Erfindung wie oben erläutert, wie in
5 gezeigt, ist der Spülgasumverteilungsraum36 zwischen der unteren Platte22 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und der oberen Platte des Kühlmantels30 bereitgestellt und das Brausekopfmodul für Spülgas10 ist über dem Brausekopfmodul für Reaktivgas20 angeordnet. - Daher ist die Länge der Reaktivgasinjektionsröhren
29 , die durch „l2” angezeigt ist, verglichen mit der Länge („l1”) der konventionellen Reaktivgasinjektionsröhren111 und121 verkürzt. - Da die Länge der Reaktivgasinjektionsröhren
29 verringert ist, ist es möglich die Probleme auszuräumen, wie etwa ein Verdrehen der Röhren oder Schwierigkeit in der Montage während des Fabrikationsprozesses oder bei Wartungen des Brausekopfs. Dies kann auch die Probleme, zum Beispiel Druckverlust, der durch eine erhöhte Länge der Reaktivgasinjektionsröhren29 verursacht wird, Schwierigkeit das Reaktivgas richtig zu speisen oder Zurückhalten des Reaktivgases in dem vorhergehenden Prozess innerhalb des Brausekopfs, wenn mehrere Schichten einer Schicht bzw. eines Films abgeschieden werden, auszuräumen. - Die Enden der Spülgasinjektionsröhren
16 , die mit mehreren der Spülgasinjektionslöchern161 , die in der unteren Platte12 des Brausekopfmoduls für Spülgas gebildet sind, verbunden sind, erstrecken sich, um das Innere des Spülgasumverteilungsraums36 zu erreichen. Jedoch muss die Länge der Spülgasinjektionsröhren16 nicht dem entsprechen. Vielmehr können die Spülgasinjektionsröhren16 eher mit den Führungsröhren20a ausgerichtet sein, die hermetisch in dem unteren Brausekopfmodul für Reaktivgas20 montiert sind. Dieselbe Funktion kann durchgeführt werden, indem die Spülgasinjektionslöcher161 des Brausekopfmoduls für Spülgas10 eher mit den Führungsröhren20a des unteren Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 ausgerichtet werden ohne die zusätzliche Vorbereitung von Spülgasinjektionsröhren16 . - Modus der Erfindung
-
6 zeigt eine zweite Ausführung eines Brausekopfs für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, in der, zusätzlich zu der Konfiguration der oben beschriebenen ersten Ausführung, ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas zusätzlich zwischen dem Brausekopfmodul für Spülgas10 und dem Brausekopfmodul für Reaktivgas20 angeordnet ist, Injektionsröhren49 des oberen Brausekopfmoduls für Reaktivgas40 sich durch Führungsröhren20b des unteren Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und Führungsröhren30a des Kühlmantels30 erstrecken, und die Injektionsröhren16 des Brausekopfmoduls für Spülgas10 sich durch Führungsröhren40a und20a des oberen und des unteren Brausekopfmoduls für Reaktivgas40 und20 erstrecken, gefolgt von Verbunden sein mit dem Spülgasumverteilungsraum36 zwischen der unteren Platte22 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und der oberen Platte31 des Kühlmantels30 . Mit dieser Konfiguration kann das Spülgas gleichmäßig erneut in dem Spülgasumverteilungsraum36 diffundiert werden. Die andere Konfiguration ist ähnlich zu der oben beschriebenen ersten Ausführung. - Die Konfiguration der zweiten Ausführung kann effektiv verwendet werden, wenn Arten von Reaktivgasen in dem Schichtabscheidungsprozess erhöht werden. Ein Reaktivgas, das selbst unter einem beträchtlichen Druckabfall keine Übergabeprobleme bzw. Bereitstellungsprobleme verursacht, wird in das obere Brausekopfmodul für Reaktivgas
40 eingeführt, das relativ längere Injektionsröhren49 aufweist. Im Gegensatz dazu wird ein Reaktivgas, das unerwünschte Einflüsse durch einen Druckabfall erfahren kann, in das untere Brausekopfmodul für Reaktivgas20 eingeführt, das relativ kürzere Injektionsröhren29 aufweist. -
7 zeigt eine dritte Ausführung des Brausekopfs für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, in der, zusätzlich zu der Konfiguration der oben beschriebenen ersten Ausführung, ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas50 über dem Brausekopfmodul für Spülgas10 angeordnet ist und Injektionsröhren59 des oberen Brausekopfmoduls für Reaktivgas50 sich nacheinander jeweils durch Führungsröhren10a ,20a und30a des unteren Brausekopfmoduls für Spülgas10 , des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und des Kühlmantels30 erstrecken. Die andere Konfiguration ist ähnlich zu der oben beschriebenen ersten Ausführung. -
8 zeigt eine vierte Ausführung des Brausekopfs für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, in der, zusätzlich zu der Konfiguration der oben beschriebenen ersten Ausführung, mehrere Reaktivgase in den Raum zwischen der oberen Platte21 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 und der ersten Zwischenplatte23 durch mehrere Einlässe25a und25b eingeführt werden, und ein Injektionsunterstützungsgas in den Raum zwischen der ersten Zwischenplatte23 und der zweiten Zwischenplatte24 durch einen Einlass26 eingeführt wird, wobei dann das Reaktivgas und das Injektionsunterstützungsgas in der Mischkammer27 zusammengemischt werden, die der Raum zwischen der zweiten Zwischenplatte24 und der unteren Platte22 ist. Die andere Konfiguration ist ähnlich zu der in der oben beschriebenen ersten Ausführung. - Mit der Konfiguration der oben beschriebenen vierten Ausführung können mehrere Reaktivgase durch eine Vielzahl der Einlässe
25a und25b eingeführt werden. Daher ist es möglich Probleme, die mit einer unnötigen Erhöhung der Anzahl von Brausekopfmodulen für Reaktivgas20 verbunden sind, und Probleme, die aus dem begrenzten Raum in der Reaktionskammer resultieren, auszuräumen. - Hier ist es wünschenswert, dass die Reaktivgase, die durch die Einlässe
25a und25b des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 eingeführt werden, von ähnlicher Art sind und selten Partikel bilden, wenn sie zusammengemischt werden. Dann werden solche Reaktivgase eingeblasen, indem sie in einem Brausekopfmodul für Reaktivgas20 zusammengemischt werden. -
9 zeigt eine Variation der vierten Ausführung der vorliegenden Erfindung, bei der das Brausekopfmodul für Reaktivgas20 erste und zweite Zwischenplatten23 und24 zwischen der oberen Platte21 und der unteren Platte22 aufweist. Mit dieser Konfiguration wird ein Injektionsunterstützungsgas durch einen Einlass26 in den Raum zwischen der oberen Platte21 und der ersten Zwischenplatte23 eingeführt, und mehrere Reaktivgase werden durch eine Vielzahl der Einlässe25a und25b in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte23 und24 eingeführt. Dann werden die Reaktivgase und das Injektionsunterstützungsgas in der Mischkammer27 zusammengemischt, die der Raum zwischen der zweiten Zwischenplatte24 und der unteren Platte22 ist, wodurch ein Mischgas gebildet wird. - In dem Brausekopfmodul für Reaktivgas
20 , wie diesem, ist es offensichtlich das die vertikale Position eines Raums, in den die Reaktivgase eingeführt werden, und die vertikale Position eines Raums, in den das Injektionsunterstützungsgas eingeführt wird, gegenseitig ausgetauscht werden kann. -
10 zeigt eine fünfte Ausführung des Brausekopfs für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, in der, zusätzlich zu der Konfiguration der oben beschriebenen ersten Ausführung, erste bis dritte Zwischenplatten23a ,23b und23c zwischen der oberen Platte21 und der unteren Platte22 des Brausekopfmoduls für Reaktivgas20 gebildet werden, so dass eine Art von Reaktivgas in den Raum zwischen der oberen Platte21 und der ersten Zwischenplatte23a durch einen Einlass26a eingeführt wird, ein anderes Reaktivgas einer anderen Art in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte23a und23b durch einen Einlass26b eingeführt wird und das Injektionsunterstützungsgas in den Raum zwischen der zweiten und der dritten Zwischenplatte23b und23c durch einen Einlass26c eingeführt wird. Dann werden die zwei Arten von Reaktivgasen und das Injektionsunterstützungsgas in der Mischkammer27 zusammengemischt, die der Raum zwischen der dritten Zwischenplatte23c und der unteren Platte22 ist. - Zusätzlich wird ein Reaktivgas, das den Raum zwischen der oberen Platte
21 und der ersten Zwischenplatte23a betreten hat, durch Verbindungsröhren28a , deren Enden jeweils mit einem Loch in der ersten Zwischenplatte23a und einem Loch in der dritten Zwischenplatte23c versiegelt sind, in die Mischkammer27 eingeführt. Das Spülgas, das den Raum zwischen der zweiten und der dritten Zwischenplatte23b und23c betreten hat, wird durch mehrere Löcher24a in der dritten Zwischenplatte23c in die Mischkammer27 eingeführt. Mit dieser Konfiguration werden die zwei Arten von Reaktivgasen und das Injektionsunterstützungsgas in der Mischkammer27 zusammengemischt, wodurch ein Mischgas gebildet wird. Die andere Konfiguration ist ähnlich zu der oben beschriebenen ersten Ausführung. - Die fünfte Ausführung der vorliegenden Erfindung kann dieselben Funktionen ausführen, wie die oben beschriebene vierte Ausführung. In dem Brausekopfmodul für Reaktivgas
20 ist es offensichtlich, dass die vertikale Position eines Raums, in den die Reaktivgase eingeführt werden, und die vertikale Position eines Raums, in den das Injektionsunterstützungsgas eingeführt wird, gegenseitig ausgetauscht werden kann, wie in8 und9 gezeigt. - Während die vorliegende Erfindung mit Bezug zu einigen exemplarischen Ausführungen davon gezeigt und beschrieben wurde, ist für Fachleute offensichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne den Schutzbereich oder das Wesen der Erfindung zu verlassen, wie in den angefügten Ansprüchen definiert. Es ist klar, dass solche Ausführungen in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung fallen sollen.
- Industrielle Anwendbarkeit
- Die vorliegende Erfindung macht es möglich die untere Fläche des Brausekopfs davor zu schützen, kontaminiert zu werden, wenn Mehrkomponentenschichten bzw. -filme über chemische Dampfabscheidung abgeschieden werden, während eine einfache Einstellung der Zusammensetzungen erlaubt wird. Daher werden die Stabilität, Reproduzierbarkeit und Produktivität des Schichtabscheidungsprozesses signifikant verbessert. Daher kann die Technologie der vorliegenden Erfindung weitreichend verwendet werden, um energiebezogene Vorrichtungen, wie etwa LEDs oder Solarzellen herzustellen, die beide auf zusammengesetzten Mehrkomponentenhalbleitern basieren. Sie kann auch effektiv verwendet werden, um eine relativ dicke piezoelektrische Schicht aus einem PZT-Material für einen Tintenstrahldruckkopf herzustellen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- KR 0849929 [0003]
- KR 10-2007-0112354 [0008]
Claims (7)
- Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung, umfassend: ein Brausekopfmodul für Reaktivgas mit einem Einlass, durch den ein Reaktivgas eingeführt wird, und mit mehreren Injektionsröhren, durch die das Reaktivgas eingeblasen wird; ein Brausekopfmodul für Spülgas mit einem Einlass, durch den ein Spülgas eingeführt wird, und mit mehreren Injektionsröhren, durch die das Spülgas eingeblasen wird; und einen Kühlmantel mit einem Einlass und einem Auslass, um ein Einströmen und ein Ausströmen eines Kühlmittels zu erlauben; und einen Spülgasumverteilungsraum zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Kühlmantel, wobei das Brausekopfmodul für Reaktivgas über dem Kühlmantel angeordnet ist, das Brausekopfmodul für Spülgas über dem Brausekopfmodul für Reaktivgas angeordnet ist, sich die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas durch den darunterliegenden Kühlmantel erstrecken und sich die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Spülgas durch das Brausekopfmodul für Reaktivgas, das sich in unterer Position befindet, erstrecken, wodurch das Spülgas in besagten Spülgasumverteilungsraum eingeführt wird.
- Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung, umfassend: ein Brausekopfmodul für Reaktivgas mit einem Einlass, durch den ein Reaktivgas eingeführt wird, und mit mehreren Injektionsröhren, durch die das Reaktivgas eingeblasen wird; ein Brausekopfmodul für Spülgas mit einem Einlass, durch den ein Spülgas eingeführt wird, und mit mehreren Injektionslöchern, durch die das Spülgas eingeblasen wird; einen Kühlmantel mit einem Einlass und einem Auslass, um ein Einströmen und ein Ausströmen eines Kühlmittels zu erlauben; und einen Spülgasumverteilungsraum zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Kühlmantel, wobei das Brausekopfmodul für Reaktivgas über dem Kühlmantel angeordnet ist, das Brausekopfmodul für Spülgas über dem Brausekopfmodul für Reaktivgas angeordnet ist, sich die Injektionsröhren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas durch den Kühlmantel, der sich in unterer Position befindet, erstrecken, wobei das Spülgas, das von den Spülgasinjektionslöchern eingeblasen wurde, in besagten Spülgasumverteilungsraum eingeführt wird, entlang eines Inneren von Führungsröhren, die durch hermetisches Durchdringen eines Inneren des Brausekopfmoduls für Reaktivgas, das sich an unterer Position befindet, montiert sind.
- Brausekopf gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas weiter zwischen dem Brausekopfmodul für Reaktivgas und dem Brausekopfmodul für Spülgas angeordnet ist, wobei sich Injektionsröhren des oberen Brausekopfmoduls für Reaktivgas nacheinander durch das untere Brausekopfmodul für Reaktivgas und den Kühlmantel erstrecken.
- Brausekopf gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein anderes Brausekopfmodul für Reaktivgas weiter über dem Brausekopfmodul für Spülgas angeordnet ist, wobei sich Injektionsröhren eines anderen Brausekopfmoduls für Reaktivgas nacheinander durch das Brausekopfmodul für Spülgas, das Brausekopfmodul für Reaktivgas und den Kühlmantel erstrecken.
- Brausekopf gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Brausekopfmodul für Reaktivgas erste und zweite Zwischenplatten zwischen oberen und unteren Platten aufweist, wobei mehrere Reaktivgase durch mehrere Einlässe in einen Raum zwischen der oberen Platte und der ersten Zwischenplatte eingeführt werden, ein Injektionsunterstützungsgas durch einen Einlass in einen Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte eingeführt wird, und die mehreren Reaktivgase und das Injektionsunterstützungsgas in einer Mischkammer zwischen der zweiten Zwischenplatte und der unteren Platte zusammengemischt werden, wodurch ein Mischgas gebildet wird.
- Brausekopf gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Brausekopfmodul für Reaktivgas erste und zweite Zwischenplatten zwischen oberen und unteren Platten aufweist, wobei ein Injektionsunterstützungsgas durch einen Einlass in einen Raum zwischen der oberen Platte und der ersten Zwischenplatte eingeführt wird, mehrere Reaktivgase durch mehrere Einlässe in einen Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte eingeführt werden, und die mehreren Reaktivgase und das Injektionsunterstützungsgas in einer Mischkammer zwischen der zweiten Zwischenplatte und der unteren Platte zusammengemischt werden, wodurch ein Mischgas gebildet wird.
- Brausekopf gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Brausekopfmodul für Reaktivgas erste bis dritte Zwischenplatten zwischen der oberen und unteren Platte aufweist, wobei eine Art von Reaktivgas durch einen Einlass in einen Raum zwischen der oberen Platte und der ersten Zwischenplatte eingeführt wird, ein anderes Reaktivgas einer anderen Art durch einen anderen Einlass in einen Raum zwischen der ersten und der zweiten Zwischenplatte eingeführt wird, ein Injektionsunterstützungsgas durch einen Einlass in einen Raum zwischen der zweiten und der dritten Zwischenplatte eingeführt wird, und die mehreren Reaktivgase und das Injektionsunterstützungsgas in der Mischkammer zwischen der dritten Zwischenplatte und der unteren Platte zusammengemischt werden, wodurch ein Mischgas gebildet wird.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090048290A KR101064210B1 (ko) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
KR10-2009-0048290 | 2009-06-01 | ||
PCT/KR2010/003024 WO2010140778A2 (ko) | 2009-06-01 | 2010-05-13 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112010002199T5 true DE112010002199T5 (de) | 2012-07-05 |
DE112010002199B4 DE112010002199B4 (de) | 2015-02-26 |
Family
ID=41332832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112010002199.6T Active DE112010002199B4 (de) | 2009-06-01 | 2010-05-13 | Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9315897B2 (de) |
KR (1) | KR101064210B1 (de) |
DE (1) | DE112010002199B4 (de) |
WO (1) | WO2010140778A2 (de) |
Families Citing this family (319)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9449859B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
JP4840832B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-12-21 | シャープ株式会社 | 気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法 |
KR20130115330A (ko) * | 2011-05-24 | 2013-10-21 | 한국생산기술연구원 | 다층 샤워헤드 및 그 밀봉방법 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
DE102011056589A1 (de) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Aixtron Se | Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US20130145989A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-13 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing tool showerhead |
WO2013163192A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Gas reclamation and abatement system for high volume epitaxial silicon deposition system |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9132436B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US9244368B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Particle control near reticle and optics using showerhead |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9982343B2 (en) * | 2012-12-14 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing plasma to a process chamber |
US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
JP6199619B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-09-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
WO2014209017A1 (ko) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 한국생산기술연구원 | 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 |
KR101542599B1 (ko) | 2013-06-26 | 2015-08-06 | 한국생산기술연구원 | 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 |
JP6153401B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN110724938B (zh) * | 2014-05-16 | 2022-02-22 | 应用材料公司 | 喷头设计 |
US10858737B2 (en) * | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
JP6193284B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | 流路構造、吸排気部材、及び処理装置 |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
CN107326341B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-10-25 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US20190032211A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic gas distribution plate |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US11015247B2 (en) * | 2017-12-08 | 2021-05-25 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
FI128427B (en) * | 2018-04-12 | 2020-05-15 | Beneq Oy | Nozzle head and device |
US10943768B2 (en) * | 2018-04-20 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Modular high-frequency source with integrated gas distribution |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102516885B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-03-30 | 삼성전자주식회사 | 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102576220B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
SG11202107817XA (en) * | 2019-03-11 | 2021-09-29 | Applied Materials Inc | Lid assembly apparatus and methods for substrate processing chambers |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20210150978A (ko) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워 플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US20230235458A1 (en) * | 2020-07-24 | 2023-07-27 | Lam Research Corporation | Showerhead with reduced interior volumes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
DE102021114868A1 (de) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Aixtron Se | Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070112354A (ko) | 2007-09-21 | 2007-11-23 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
KR100849929B1 (ko) | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
JP3649267B2 (ja) * | 1996-10-11 | 2005-05-18 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド |
GB9712400D0 (en) * | 1997-06-16 | 1997-08-13 | Trikon Equip Ltd | Shower head |
JP2003124125A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
US7199061B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Pecvd silicon oxide thin film deposition |
JP4306403B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2009-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
KR100513920B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2005-09-08 | 주식회사 시스넥스 | 화학기상증착 반응기 |
KR100731164B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
DE102005055468A1 (de) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
JP4344949B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法 |
KR100682077B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2007-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | 중성화빔을 이용한 표면처리장치 및 방법 |
KR101004927B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-12-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Cvd용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
EP3471130A1 (de) * | 2008-12-04 | 2019-04-17 | Veeco Instruments Inc. | Stromeinlasselemente zur chemischen gasphasenabscheidung und verfahren |
WO2010101369A2 (ko) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 주성엔지니어링㈜ | 가스 분배 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
KR101062462B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-09-05 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치 |
US20110117728A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean |
US20120000490A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for enhanced processing chamber cleaning |
-
2009
- 2009-06-01 KR KR1020090048290A patent/KR101064210B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-05-13 DE DE112010002199.6T patent/DE112010002199B4/de active Active
- 2010-05-13 WO PCT/KR2010/003024 patent/WO2010140778A2/ko active Application Filing
- 2010-05-13 US US13/375,434 patent/US9315897B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100849929B1 (ko) | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
KR20070112354A (ko) | 2007-09-21 | 2007-11-23 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9315897B2 (en) | 2016-04-19 |
US20120067971A1 (en) | 2012-03-22 |
KR20090075649A (ko) | 2009-07-08 |
WO2010140778A2 (ko) | 2010-12-09 |
KR101064210B1 (ko) | 2011-09-14 |
DE112010002199B4 (de) | 2015-02-26 |
WO2010140778A3 (ko) | 2011-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112010002199B4 (de) | Brausekopf für eine Vakuumschichtabscheidungsvorrichtung | |
DE112007000933B4 (de) | Katalytische, chemische Gasphasenabscheidungsvorrichtung | |
DE112007002179B4 (de) | Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung mit einem Brausekopf, zum positiven Regulieren der Injektionsgeschwindigkeit von reaktiven Gasen und Verfahren dafür | |
DE69630484T2 (de) | Reaktivgasinjektor für Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung | |
DE60317147T2 (de) | Plasmabearbeitungsvorrichtung | |
DE102014201554A1 (de) | Dampfphasenepitaxievorrichtung und Dampfphasenepitaxieverfahren | |
DE112010004736B4 (de) | Aufnahmefür cvd und verfahren zur herstellung eines films unterverwendung derselben | |
DE69533268T2 (de) | Vorrichtung zur Züchtung einer Verbindungshalbleiterschicht | |
EP1618227B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleiterschichten mit zwei prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist | |
DE112006000464T5 (de) | Chemischer Bedampfungs-Reaktor mit einer Vielzahl von Einlässen | |
DE112007000898T5 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung | |
DE112014001586B4 (de) | Vorrichtung zur Bearbeitung von zwei oder mehreren Substraten in einem Batch-Prozess | |
DE112013002823T5 (de) | Gaseinspritzkomponenten für Abscheidungssysteme, Abscheidungssysteme mit derartigen Komponenten und dazugehörige Verfahren | |
DE112004001308T5 (de) | Chemischer Bedampfungs-Reaktor | |
DE102008055582A1 (de) | MOCVD-Reaktor mit zylindrischem Gaseinlassorgan | |
DE112012001864T5 (de) | Halbleitersubstratbearbeitungssystem | |
DE102008036642A1 (de) | Sprühkopf und CVD-Vorrichtung, welche diesen aufweist | |
DE10222114A1 (de) | Verfahren und System zur Herstellung eines III-V-Verbindungshalbleiters sowie III-V-Verbindungshalbleiter | |
WO2011023512A1 (de) | Cvd-verfahren und cvd-reaktor | |
EP2470685A1 (de) | Cvd-reaktor und verfahren zum abscheiden einer schicht | |
DE112011102504T5 (de) | Verbesserter Reaktor zur chemischen Gasphasenabscheidung | |
DE102011002145B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum großflächigen Abscheiden von Halbleiterschichten mit gasgetrennter HCI-Einspeisung | |
DE112010000724T5 (de) | Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Plasma-CVD-Filmbildungsverfahren | |
DE112015003176T5 (de) | Düsenkopf, Vorrichtung und Verfahren, die dazu geeignet sind, eine Oberfläche eines Substrats aufeinanderfolgenden Oberflächenreaktionen zu unterziehen | |
DE102012221945A1 (de) | Abscheidungsmaske und Abscheidungsvorrichtung, die diese aufweist |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20111130 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |