DE60317147T2

DE60317147T2 - Plasmabearbeitungsvorrichtung

Info

Publication number: DE60317147T2
Application number: DE60317147T
Authority: DE
Inventors: Kazuto Yoshida
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2002-08-09
Filing date: 2003-08-08
Publication date: 2008-08-07
Anticipated expiration: 2023-08-09
Also published as: EP1398820B1; US7806078B2; JP2004072002A; KR20040014317A; EP1398820A3; DE60317147D1; US20070090032A1; US20040026038A1; KR100790649B1; TWI264062B; JP3861036B2; EP1398820A2; TW200402775A

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die Erfindung betrifft eine Plasmabehandlungsvorrichtung zum Bilden eines Films auf der Oberfläche eines Substrats durch Dampfablagerung.
STAND DER TECHNIK
Derzeit ist zur Herstellung eines Halbleiters die Bildung eines Films unter Verwendung eines Plasma-CVD-(Chemical-Vapor-Deposition)-Systems bekannt. Das Plasma-CVD-System ist ein System, bei welchem ein Quellengas zum Bilden eines Films in eine Filmbildungskammer innerhalb eines Behälters eingeführt wird, Hochfrequenzwellen mittels einer Hochfrequenzantenne gesendet werden, um das Quellengas in den Plasmazustand zu überführen und angeregte aktive Atome in dem Plasma chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrates begünstigen, um die Filmbildung durchzuführen.
Bei dem Plasma-CVD-System werden ein Hilfsgas und ein Reinigungsgas zum Ausführen einer Reinigung zusammen mit dem Quellengas, das das Material des Filmes werden wird, eingeführt. Deshalb sind Rohrleitungen zum Einführen einer Vielzahl von Gasen mit dem Behälter verbunden. Eine Vielzahl von Gasdüsen ist in der Umfangsrichtung des Behälters, der eine zylindrische Form besitzt, vorgesehen.
Bei dem konventionellen Plasma-CVD-System ist die Vielzahl der Gasdüsen in dem Behälter derart zur Verfügung gestellt, daß mehrere Arten von Gasdüsen für die verschiedenen Arten von Gasen vorhanden sind und mehrere Gasdüsen jedes Typs vorhanden sind. Um ein Vertauschen der verschiedenen Gase zu vermeiden, werden deshalb die gleiche Anzahl von Rohrleitungen wie die Anzahl der Gasdüsen für jede der Arten von Gasen verbunden. Als Resultat davon ist das Rohrleitungssystem kompliziert, was die Konfiguration des Behälters kompliziert macht und ggf. das Herstellen und das Auseinandernehmen des Behälters schwierig macht.
Um unter diesen Umständen eine Gasleckage zu verhindern, ist viel Arbeit und viel Zeit für die Inspektion der Schweißzonen der Rohrleitungen oder für das Testen der Verbindung des Rohrleitungssystems notwendig. Abhängig von individuellen Unterschieden in den Rohrleitungen unterscheiden sich die Gasflußrate oder der Druckverlust, was Ungleichgewichte in den Beträgen des zugeführten Gases hervorrufen kann.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Plasmabehandlungsvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine solche Vorrichtung ist in den Dokumenten WO 97/032223 und US 5,792,272 beschrieben.
Die Dokumente WO 97/032223 und US 5,792,272 beschreiben einen Plasmabehandlungsreaktor mit einer Behandlungskammer, umfassend eine Plasmakammer, eine Verarbeitungskammer, Gaseinspritzdüsen und Nuten, die in die Wände der Plasma- und Bearbeitungskammern eingelassen sind, was das Hindurchtreten von Gas in die Behandlungskammer durch die Umfangsnut und durch die Düsen erlaubt. Genauer gesagt sind die Nuten in einem Verteilerelement mit einer solchen Form ausgebildet, daß verschiedene Dichtungen durch die Wand der Kammer notwendig sind.
Das Dokument EP 1 103 632 beschreibt ebenfalls eine Plasmabehandlungsvorrichtung mit einer Behandlungskammer mit in die Wände der Behandlungskammer eingelassenen Nuten, welche das Hindurchtreten des Behandlungsgases in die Behandlungskammer über Düsen erlauben.
Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht der oben erwähnten Probleme bei den älteren Verfahren gemacht. Es ist das Ziel der Erfindung, eine Plasmabehandlungsvorrichtung anzugeben, die die Konfiguration des Behälters vereinfachen kann, ohne die Rohrleitungen für Gase zu komplizieren.
Die Erfindung ist weiter definiert durch den kennzeichnenden Teil von Anspruch 1.
Die Plasma-CVD-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Konfiguration des Behälters vereinfachen, ohne die Gasrohrleitungen zu komplizieren.
Aufgrund dieser Eigenschaften, kann der Behälter vereinfacht und teilbar gemacht werden, ohne eine Gasleitung für jede der Behandlungsgasdüsen zur Verfügung stellen zu müssen.
Folglich kann die Plasma-CVD-Vorrichtung die Konfiguration des Behälters vereinfachen, ohne die Gasleitungen zu komplizieren. Ferner ist der Behälter leicht zusammen- und auseinanderzubauen, und seine Wartungsfreundlichkeit und Inspektionsfreundlichkeit kann verbessert werden. Ferner ist eine Gasleckage unwahrscheinlich, selbst wenn ein einfaches Dichtungsringelement verwendet wird.
Bei der Plasmabehandlungsvorrichtung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung kann die Einführungsnut über eine Länge von ungefähr einer Hälfte eines Umfangs in einer Umfangsrichtung des Behälters ausgebildet sein, die Behandlungsgaseinführmittel können in Verbindung mit einem Abschnitt auf halbem Wege der Einführungsnut verbunden sein und die Verbindungsmittel können mit gegenüberliegenden Enden der Einführungsnut in Verbindung sein. Aufgrund dieser Eigenschaft können die Behandlungsgase gleichförmig zugeführt werden.
Bei der Plasmabehandlungsvorrichtung gemäß dem zweiten oder dritten Aspekt der Erfindung können die umlaufende Nut, die Einführungsnut, ein Abschnitt der Verbindung der Behandlungsgasdüse und der umlaufenden Nut, ein Abschnitt der Verbindung zwischen den Behandlungsgaseinführmitteln und der Einführungsnut sowie die Verbindungsmittel zum Herstellen einer Verbindung zwischen der umlaufenden Nut und der Einführungsnut jeweils durch spanabhebende Bearbeitung gebildet sein. Gemäß dieser Eigenschaft kann die maschinelle Herstellung leicht ausgeführt werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Erfindung wird mittels der nachfolgend gegebenen detaillierten Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur als Beispiel gegeben und daher für die vorliegende Erfindung nicht limitierend sind, vollständiger verstanden werden, wobei:
1 eine schematische Seitenansicht einer Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist,
2 eine Schnittansicht wesentlicher Teile eines Behälters ist, die die tatsächliche Lage der Gasleitungen zeigt,
3 eine Ansicht entlang der Linie III-III der 2 ist,
4 eine Ansicht entlang der Linie IV-IV von 2 ist,
5 eine Ansicht entlang der Linie V-V von 2 ist und
6 eine Konzeptionszeichnung ist, die die Situation des Verbindens der Gasleitungen zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die in keiner Weise die Erfindung beschränken, beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, ist ein zylindrischer Aluminiumbehälter 2 auf einer Basis 1 vorgesehen, und eine Filmbildungskammer 3 ist als Behandlungskammer innerhalb des Behälters 2 definiert. Ein ringförmiges RF-Eintrittsfenster 4 ist an der Oberseite des Behälters 2 vorgesehen. Die Filmbildungskammer 3 im Zentrum des Behälters 2 ist mit einer Trägerständervorrichtung 5 ausgestattet. Die Trägerständervorrichtung 5 besitzt einen Lagerabschnitt 9, der ein Substrat 6 eines Halbleiters elektrostatisch anzieht und festhält. Ein mit einem elektrostatischen Spannträgermechanismus ausgestatteter Haltemechanismus 7 ist unterhalb des Lagerabschnittes 9 vorgesehen.
Eine Gleichstromenergiequelle 21 und eine vorspannungsanwendende Hochfrequenzenergiequelle 22 sind mit dem Haltemechanismus 7 der Trägerständervorrichtung 5 verbunden, um Niedrigfrequenzwellen in dem Lagerabschnitt 9 zu erzeugen und auch eine elektrostatische Kraft darin herzustellen. Die Trägerständervorrichtung 5 kann sich als Ganzes nach oben und nach unten bewegen, so daß ihre Höhe in der vertikalen Richtung auf eine optimale Höhe eingestellt werden kann.
An dem RF-Eingangsfenster 4 ist eine Hochfrequenzantenne 13 von zum Beispiel kreisringförmiger Form angeordnet. Eine plasmaerzeugende Hochfrequenzenergiequelle 15 ist mit der Hochfrequenzantenne 13 über ein Anpaßinstrument 14 verbunden. Durch Zuführen elektrischer Energie zu der Hochfrequenzantenne 13 werden elektromagnetische Wellen in die Filmbildungskammer 3 des Behälters 2 gesendet. Die in den Behälter 2 gesendeten elektromagnetischen Wellen ionisieren Gase in der Filmbildungskammer 3, um ein Plasma zu erzeugen.
Der Behälter 2 ist mit Gaszuführdüsen 16 als Behandlungsgasdüsen zum Zuführen eines Quellengases wie zum Beispiel einem Silan (zum Beispiel SiH₄) versehen. Das Quellengas, das zu einem filmbildenden Material werden wird (zum Beispiel Si), wird über die Gaszuführdüsen 16 in die Filmbildungskammer 3 eingeleitet.
Der Behälter 2 ist ferner mit Hilfsgaszuführdüsen 17 als Behandlungsgasdüsen zum Zuführen eines Inertgases (Edelgases) wie zum Beispiel Argon oder Helium oder eines Hilfsgases wie zum Beispiel Sauerstoff oder Wasserstoff versehen. Ferner ist der Behälter 2 mit Reinigungsgasdüsen 19 als Behandlungsgasdüsen zum Zuführen eines fluorbasierten Gases oder eines chlorbasierten Gases (Reinigungsgas), das eine Reinigung ausführt, versehen.
Ein Ausstoßanschluß 18, der mit einem (nicht gezeigten) Unterdruckpumpsystem zum Auspumpen der Innenseite des Behälters 2 verbunden ist, ist in der Basis 1 vorgesehen. Ferner ist ein Eintragungs-/Austragungsanschluß für das Substrat 6 in dem Behälter vorgesehen, obwohl er nicht gezeigt ist, zum Einbringen des Substrates 6 aus einer (nicht gezeigten) Transportkammer in den Behälter 2 und Austragen des Substrates 6 aus dem Behälter 2 in die Transportkammer.
Bei der oben beschriebenen Plasma-CVD-Vorrichtung wird das Substrat 6 auf dem Lagerabschnitt 9 der Trägerständervorrichtung 5 plaziert und elektrostatisch davon angezogen. Das Quellengas wird mit einer vorbestimmten Flußrate durch die Gaszuführdüsen 16 in die Filmbildungskammer 3 eingeleitet, während das Hilfsgas mit einer vorbestimmten Flußrate durch die Hilfsgaszuführdüsen 17 in die Filmbildungskammer 3 eingeleitet wird. Das Innere der Filmbildungskammer 3 wird auf einen vorbestimmten Druck eingestellt, der an die Filmbildungsbedingungen angepaßt ist.
Dann wird elektrische Energie aus der Hochfrequenzenergiequelle 15 zu der Hochfrequenzantenne 13 geleitet, um Hochfrequenzwellen zu erzeugen. Auf der anderen Seite wird elektrische Energie von der Gleichspannungsenergiequelle 21 zu dem Lagerabschnitt 9 geleitet, um Niedrigfrequenzwellen zu erzeugen.
Durch diese Mittel entlädt das Quellengas innerhalb der Filmbildungskammer 3 und kommt teilweise in einen Plasmazustand. Das Plasma kollidiert mit anderen neutralen Molekülen in dem Quellengas, was die neutralen Moleküle weiter ionisiert oder anregt. Die so gebildeten aktiven Partikel werden von der Oberfläche des Substrates 6 angezogen, um eine chemische Reaktion mit hoher Effizienz hervorzurufen, wodurch darauf ein CVD-Film abgelagert wird.
Wenn die Filmbildung auf dem Substrat 6 wiederholt durchgeführt wird, haftet das filmbildende Material an der inneren Wand der Filmbildungskammer 3, nämlich der Wandoberfläche des Behälters 2 oder der Oberfläche des RF-Eintrittsfensters 4, an und lagert sich dort ab. In diesem Fall wird das Plasma erzeugt, wobei das Reinigungsgas durch die Reinigungsgasdüsen 19 zugeführt wird, um das filmbildende Material wegzuätzen.
Die Arten von Gasdüsen der oben beschriebenen Ausführungsform dienen nur der Illustration und alle Arten von Gasdüsen, einschließlich Einzeltypen oder einer Vielzahl von Typen können vorgesehen werden.
Die Konfiguration der Gasleitungen wird konkret mit Bezug auf die 2 bis 6 beschrieben. Wie in 2 gezeigt, ist der Behälter 2, der die filmbildende Kammer 3 definiert, in einen oberen Behälter 31 und einen unteren Behälter 32 geteilt, die mechanisch über Bolzen 33 verbunden sind. Wie in den 2 und 3 gezeigt, sind in dem unteren Behälter 32 Einführungsnuten 34, 35 und 36 gebildet, die jeweils über die Länge von ungefähr der Hälfte eines Umfangs in der Umfangsrichtung des Behälters 2 ausgebildet sind. Die Einführungsnuten 34, 35 und 36 dienen als Kanäle für die Gase.
Eine Quellengasleitung 37 ist als Behandlungsgaseinführungsmittel mit einem Abschnitt auf halbem Wege der Einführungsnut 34 verbunden. Eine Hilfsgasleitung 38 ist als Behandlungsgaseinführungsmittel mit einem Abschnitt auf halbem Wege der Einführungsnut 35 verbunden. Eine Reinigungsgasleitung 39 ist als Behandlungsgaseinführungsmittel mit einem Abschnitt auf halbem Wege der Einführungsnut 36 verbunden.
Wie in 2 gezeigt, sind die Einführungsnuten 34, 35 und 36 und die Quellengasleitung 37, die Hilfsgasleitung 38 und die Reinigungsgasleitung 39 in Verbindung miteinander über verschiedene vertikale Kanäle 41 und horizontale Kanäle 42 verbunden. Die Einführungsnuten 34, 35 und 36, die vertikalen Kanäle 41 und die horizontalen Kanäle 42 sind durch spanabhebende Bearbeitung ausgeformt. Die horizontalen Kanäle 42 sind jeweils durch spanabhebende Bearbeitung beginnend an der Umfangsoberfläche des unteren Behälters 32 ausgearbeitet, und ein Oberflächenabschnitt entlang des Umfangs des horizontalen Kanals 42 ist mit einem Blindstopfen verschlossen. Die vertikalen Kanäle 41 sind durch spanabhebende Bearbeitung, beginnend an der unteren Oberfläche des unteren Behälters 32, ausgearbeitet und in Verbindung mit den horizontalen Kanälen 42 gebracht. Die Quellengasleitung 37, die Hilfsgasleitung 38 und die Reinigungsgasleitung 39 sind mit unteren Oberflächenabschnitten der vertikalen Kanäle 41 verbunden.
Die Ausbildung der Kanäle durch spanabhebende Bearbeitung ermöglicht eine einfache Bearbeitung, um den Behälter 2 auszubilden.
Die unteren Enden der unteren Verbindungspfade 43, 44 und 45 stehen als Verbindungsmittel mit beiden Enden der Einführungsnuten 34, 35 bzw. 36 in Verbindung.
Die Einführungsnuten 34, 35 und 36 können in einer umlaufenden Form in der gesamten Umfangsrichtung des Behälters 2 vorgesehen sein, und die unteren Verbindungspfade 43, 44 und 45 können als Verbindungsmittel an drei oder mehr Stellen mit gleichem Abstand vorgesehen sein.
Wie in den 2 und 4 gezeigt, sind andererseits die umlaufenden Nuten 46, 47 und 48, die in der Umfangsrichtung des Behälters 2 ausgebildet sind, in dem oberen Behälter 31 ausgebildet. Die umlaufenden Nuten 46, 47 und 48 dienen als Kanäle für Gase. Die oberen Enden der oberen Kommunikationspfade 51, 52 und 53 stehen als Verbindungsmittel mit den umlaufenden Nuten 46, 47 bzw. 48 in Verbindung.
Die oberen Kommunikationspfade 51, 52 und 53 sind in Übereinstimmung mit den unteren Kommunikationspfaden 43, 44 und 45 vorgesehen. Die oberen Kommunikationspfade 51, 52 und 53 sind durch spanabhebende Bearbeitung, beginnend an der unteren Oberfläche des oberen Behälters 31 in der vertikalen Richtung ausgebildet und ihre oberen Enden stehen mit den umlaufenden Nuten 46, 47 und 48 in Verbindung. Die unteren Enden der Kommunikationspfade 51, 52 und 53 sind mit den oberen Enden der unteren Kommunikationspfade 43, 44 und 45 verbunden.
Die umlaufende Nut 46 ist angebohrt, so daß eine Vielzahl der Gaszuführdüsen 16 mit gleichem Abstand in der Umfangsrichtung damit verbunden ist. Die umlaufende Nut 47 ist angebohrt, so daß eine Vielzahl der Hilfsgaszuführdüsen 17 mit gleichem Abstand in der Umfangsrichtung damit verbunden ist. Die umlaufende Nut 48 ist angebohrt, so daß eine Vielzahl der Reinigungsgasdüsen 19 damit mit gleichem Abstand in der Umfangsrichtung verbunden ist.
Wie in 6 gezeigt, wird das Quellengas über die Quellengasleitung 37 der Einführungsnut 34 von gegenüberliegenden Enden der Einführungsnut 34 zu der umlaufenden Nut 46 durch die unteren Kommunikationspfade 43 und die oberen Kommunikationspfade 41 zugeführt, worauf das Quellengas den Gaszuführdüsen 16 durch die umlaufende Nut 46 zugeführt wird.
Das von der Hilfsgasleitung 48 der Einführungsnut 45 zugeführte Hilfsgas wird von gegenüberliegenden Enden der Einführungsnut 35 der umlaufenden Nut 47 über die unteren Kommunikationspfade 44 und die oberen Kommunikationspfade 52 zugeführt, worauf das Hilfsgas den Hilfsgaszuführdüsen 17 über die umlaufende Nut 47 zugeführt wird.
Ferner wird das Reinigungsgas, das der Einführungsnut 46 von der Reinigungsgasleitung 49 zugeführt wird, von gegenüberliegenden Enden der Einführungsnut 36 der umlaufenden Nut 48 durch die unteren Kommunikationspfade 45 und die oberen Kommunikationspfade 53 zugeführt, worauf das Reinigungsgas den Reinigungsgasdüsen 19 durch die umlaufende Nut 48 zugeführt wird.
Wie in den 2 und 5 gezeigt, ist ein Dichtungsring 55 an der Verbindung zwischen dem oberen Behälter 31 und dem unteren Behälter 32 vorgesehen. Der Dichtungsring 55 ist an der Seite gegenüber der Filmbildungskammer 3 (das heißt auswärts der Filmbildungskammer 3) angeordnet, wobei die Verbindungsmittel, die aus den unteren Verbindungspfaden 43, 44 und 45 und den oberen Verbindungspfaden 51, 52 und 53 bestehen, zwischen dem Dichtungsring 55 und der Filmbildungskammer 43 angeordnet sind. Behandlungen, wie eine Filmbildung, werden durchgeführt, während das Innere der Filmbildungskammer 3 in einem Unterdruckzustand gehalten wird. Aufgrund einer Druckdifferenz können deshalb Gase selbst dann nicht zur Außenseite des Behälters 2 gelangen, wenn die Gase austreten und der Dichtungsring 55 nicht funktionieren sollte.
Bei der oben beschriebenen Plasma-CVD-Vorrichtung sind deshalb die Kanäle für verschiedene Arten von Gasen innerhalb des Behälters 2 durch die Nuten gebildet, und die durch die Quellengasleitung 37, die Hilfsgasleitung 38 und die Reinigungsgasleitung 39 eingeführten Gase werden gleichmäßig an die verschiedenen Gaszuführdüsen 16, die verschiedenen Hilfsgasdüsen 17 und die verschiedenen Reinigungsgasdüsen 19 verteilt.
Diese Konfiguration macht die Notwendigkeit des Vorsehens von Rohrleitungen für jede der Vielzahl von Gaszuführdüsen 16, Hilfsgaszuführdüsen 17 und Reinigungsgasdüsen 19 hinfällig. Demzufolge besitzt der Behälter 2 eine einfache Struktur, so daß seine Wartungsfreundlichkeit steigt, sein Zusammen- und Auseinanderbau vereinfacht werden und sich seine Inspektionsfreundlichkeit verbessert.
Daneben werden die Gase von gegenüberliegenden Enden der Einführungsnuten 34, 35 und 36 den umlaufenden Nuten 46, 47 und 48 zugeführt. Deshalb werden die Gase gleichmäßig auf die verschiedenen Gaszuführdüsen 16, die verschiedenen Hilfsgasdüsen 17 und die verschiedenen Reinigungsgasdüsen 19 verteilt. Als ein Resultat sind die Flüsse der Gase und die Druckverluste gleichmäßig und ideal verteilt, so daß das Auftreten von Unterschieden zwischen den verschiedenen Leitungen etc. unterdrückt werden kann.
Zusätzlich sind die Kanäle für die Gase nicht der Atmosphäre ausgesetzt. Deshalb gibt es kein Risiko von Leckagen, keine Mischung der verschiedenen Arten von Gasen und die Sicherheit ist erhöht.
Daneben reicht eine einfache Dichtung für Dichtungszwecke aus. Selbst wenn die Dichtung versagen sollte, ist das Austreten von Gasen zur Außenseite des Behälters 2 unwahrscheinlich.
Zusätzlich ist der Behälter 2 in den oberen Behälter 31 und den unteren Behälter 32 geteilt. Die umlaufenden Nuten 46, 47 und 48 und die Gaszuführdüsen 16, Hilfsgaszuführdüsen 17 und Reinigungsgasdüsen 19 sind in dem oberen Behälter 31 vorgesehen. Deshalb reicht es, wenn zum Beispiel die Anordnung der Düsen geändert werden soll, aus, den oberen Behälter 31 zu ersetzen, so daß die Eigenschaften der allgemeinen Anwendbarkeit des Behälters 2 verbessert werden.
Diese Eigenschaften resultieren in der Zur-Verfügung-Stellung einer Plasma-CVD-Vorrichtung, bei welcher die Konfiguration des Behälters 2 vereinfacht ist, ohne die Leitungen für die Gase zu komplizieren.
Bei einem Plasma-CVD-System sind Temperatursteuermittel außerhalb eines Behälters 2 vorgesehen, um eine Temperatursteuerung der Filmbildung auszuführen, während Temperaturänderungen unterdrückt werden. Für diesen Zweck ist es allgemeine Praxis, elektrische Heiz-/Kühlmittel, Kühlmittelleitungen und, falls gewünscht, ein wärmeisolierendes Material zur Verfügung zu stellen, um so einen Behälter 2 zu konstruieren, der minimal hinsichtlich der Temperatur variiert.
Bei der oberen Plasma-CVD-Vorrichtung sind die Kanäle für die verschiedenen Arten von Gasen innerhalb des Behälters 2 durch die Nuten gebildet, und die Wanddicke des Behälters 2 (oberer Behälter 31, unterer Behälter 32) ist erhöht. Deshalb kann die Zeitkonstante der Temperatur vermindert werden, um die Wärmekapazität zu erhöhen.
Demzufolge ist es nicht notwendig, einen Heizer mit großer Kapazität oder eine kühlende Struktur zur Verfügung zu stellen, um Temperaturänderung zu unterdrücken. Auch ist kein Temperatursteuerelement von Nöten. Gleichwohl kann eine Steuerung der Idealtemperatur ausgeübt werden.
Die vorliegende Erfindung kann so verwirklicht werden, daß die Nuten zumindest in dem Behälter 2 ausgebildet sind, wodurch die Kanäle für die Gase zur Verfügung gestellt werden, um Rohrleitungen überflüssig zu machen. Solange die Kanäle für die Gase von den Nuten gebildet werden, muß der Behälter 2 nicht geteilt werden. Alternativ können die Nuten durch Verwendung von Formen während des Gießens ausgebildet werden, ohne daß es spanabhebender Bearbeitung bedürfte.
Während die vorliegende Erfindung in der vorstehenden Weise beschrieben wurde, sollte verstanden werden, daß die Erfindung dadurch nicht beschränkt ist, sondern in verschiedenen anderen Weisen gewandelt werden kann. Solche Abwandlungen sind nicht als Verlassen der Reichweite der Erfindung zu verstehen, und all diese Modifikationen, die für den Fachmann offensichtlich sind, sollen durch die Reichweite der nachfolgenden Ansprüche erfaßt werden.

Claims

Plasmabehandlungsvorrichtung, welche ein Behandlungsgas in eine Behandlungskammer (3) durch eine Behandlungsgasdüse (16, 17, 19) einführt und in der Behandlungskammer ein Plasma erzeugt, um eine Oberfläche eines Substrates (6) mit in der Behandlungskammer angeregten und aktivierten Atomen und Molekülen zu behandeln, umfassend einen Behälter (2), der die Behandlungskammer definiert, wobei der Behälter in einen oberen Behälter (31) und einen unteren Behälter (32) geteilt ist, eine umlaufende Nut (46, 47, 48), um das Passieren des Behandlungsgases zu erlauben, wobei die Behandlungsgasdüse mit der umlaufenden Nut verbunden ist, eine Einführungsnut (34, 35, 36), die in dem unteren Behälter gebildet ist, um das Passieren des Behandlungsgases zu erlauben, Behandlungsgaseinführungsmittel (37, 38, 39), die mit der Einführungsnut verbunden sind, und Verbindungsmittel (43, 44, 45, 51, 52, 53), um die umlaufende Nut und die Einführungsnut an einer Vielzahl von Stellen miteinander in Verbindung zu bringen, wobei die Behandlungskammer dadurch gekennzeichnet ist, daß die umlaufende Nut (46, 47, 48) in dem oberen Behälter (31) gebildet ist und daß ein einzelnes Dichtungsringelement (55) an einer Verbindung zwischen dem oberen Behälter (31) und dem unteren Behälter (32) vorgesehen und nur an einer der Behandlungskammer (3) gegenüberliegenden Seite vorgesehen ist, wobei das Verbindungsmittel (43, 44, 45, 51, 52, 53) für die Verbindung zwischen der umlaufenden Nut (46, 47, 48) und der Einführungsnut (34, 35, 36) zwischen dem Dichtringelement (55) und der Behandlungskammer (3) angeordnet ist.
Plasmabehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einführungsnut (34, 35, 36) über eine Länge von ungefähr einer Hälfte eines Umfangs in einer Umfangsrichtung des Behälters (2) gebildet ist, wobei die Behandlungsgaseinführmittel (37, 38, 39) in Verbindung mit einem Abschnitt auf halbem Wege der Einführungsnut (34, 35, 36) sind und wobei die Verbindungsmittel (43, 44, 45, 51, 52, 53) mit gegenüberliegenden Enden der Einführungsnut (34, 35, 36) in Verbindung sind.
Plasmabehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die umlaufende Nut (46, 47, 48), die Einführungsnut (34, 35, 36), ein Verbindungsabschnitt zwischen der Behandlungsgasdüse und der umlaufenden Nut, ein Verbindungsabschnitt zwischen den Behandlungsgaseinführungsmitteln und der Einführungsnut und die Verbindungsmittel (43, 44, 45, 51, 52, 53) zum Herstellen einer Verbindung zwischen der umlaufenden Nut (46, 47, 48) und der Einführungsnut (34, 35, 36) jeweils durch spanabhebende Bearbeitung geformt sind.
Plasmabehandlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner Mittel zum mechanischen Verbinden des oberen Behälters (31) und des unteren Behälters (32) umfaßt.
Plasmabehandlungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum mechanischen Verbinden des oberen Behälters (31) und des unteren Behälters (32) einen Bolzen (33) umfassen.
Plasmabehandlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, um den Druck innerhalb der Behandlungskammer (3) unter dem Druck außerhalb der Behandlungskammer zu halten, um Gase daran zu hindern, aus der Behandlungskammer auszutreten, selbst wenn das einzelne Dichtringelement (55) versagt.