DE60203971T2 - Modulare Vorrichtung zum Verteilen und Absaugen von Gasen - Google Patents

Modulare Vorrichtung zum Verteilen und Absaugen von Gasen Download PDF

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Description

  • Diese Erfindung betrifft im Allgemeinen einen Gasinjektor zur Abgabe von Gasen. Im Besonderen betrifft diese Erfindung einen modularen Gasabgabeinjektor und eine Abgasanordnung, die einer im Wesentlichen gleichmäßigen Verteilung der Gase förderlich ist.
  • HINTERGRUND
  • Die Abgabe von Gasen ist ein bedeutender Bearbeitungsschritt in der Herstellung von Halbleitervorrichtungen. Gase werden zur Bearbeitung von Halbleitern unter Verwendung verschiedenster Halbleiterherstellungsgerätschaften abgegeben. Bei einem Beispiel hierfür werden Systeme der chemischen Dampfabscheidung (CVD) zur Abgabe bestimmter Gase eingesetzt, die durch eine thermische Reaktion oder Zersetzung eine Materialschicht, etwa einen Oxidfilm, auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats oder -wafers bilden.
  • Eine in vielen Gerätesystemen für die Halbleiterherstellung wichtige Komponente ist der zur Abgabe des Gases an das Substrat verwendete Injektor. In einem CVD-System, beispielsweise, müssen die Gase so auf dem Substrat verteilt werden, dass die Gase reagieren und einen gewünschten Film oder eine gewünschte Schicht auf dem Substrat bilden. Ein Zweck des Injektors besteht in der Abgabe der Gase an der gewünschten Stelle auf eine regulierte und reproduzierbare Weise. Die regulierte Verteilung der Gase minimiert eine Vormischung oder eine verfrühte Reaktion der Gase und maximiert so die Wahrscheinlichkeit des Erhalts einer im Wesentlichen vollständigen, effizienten und homogenen Reaktion der Gase. Ist der Gasstrom hingegen nicht reguliert, so ist die chemische Reaktion nicht optimal und ergibt einen Film, der keine gleichmäßige Zusammensetzung und/oder Dicke aufweist. Tritt ein solcher Fall ein, so ist die korrekte Funktionsweise des Halbleiters beeinträchtigt oder sogar gar nicht gegeben. Dementsprechend ist es wünschenswert, dass die Konstruktion des Injektors einer regulierten und im Wesentlichen gleichmäßigen Abgabe der Gase förderlich ist.
  • Aufgrund der Wichtigkeit des Injektors wurden zahlreiche Konstruktionsarten entwickelt. Zwei Beispiele für Injektoranordnungen nach dem Stand der Technik sind in den US-Patenten Nr. 6.022.414 und Nr. 6.200.389 beschrieben. Darin ist ein Ein-Körper-Injektor vom länglichen oder linearen Typ mit mehreren Gasauslässen beschrieben, die sich entlang der Länge des Injektors erstrecken. Zudem ist eine Injektoranordnung mit Mehrfach-Injektorköpfen beschrieben, die in einem Materialblock ausgebildet sind. Obwohl sich diese Konstruktion der Injektoren als vorteilhaft erwiesen hat, ist die Herstellung von Ein-Körper-Injektoranordnungen mit Mehrfach-Köpfen kostenintensiv. Die zur Herstellung aufgewandte Zeit ist aufgrund der hintereinander erfolgenden Bearbeitung (durch Drahterodieren) eines jeden Injektors aus einem einzigen Materialblock lang.
  • Hinsichtlich der Durchsatzleistung ist oft die Verwendung von Mehrfach-Injektoren erwünscht. Bei der Verwendung einer Ein-Körper-Injektoranordnung steigt die Herstellungszeit mit der Anzahl der Injektorköpfe. Die lange Dauer der Herstellungszeit und die hohen Kosten ist einem iterativen Aufbau der Injektorgeometrie nicht zuträglich, die das Gesamtergebnis des Prozesses verbessern könnte. Außerdem besteht eine erhöhte Wahrscheinlichkeit, die Gesamtheit der Mehrfach-Injektorköpfe aufgrund eines einzigen Herstellungsfehlers zu gefährden. Dementsprechend besteht Bedarf an einer verbesserten Injektoranordnung, die Herstellung und Zusammenbau vereinfacht.
  • Abgesehen vom Injektor spielt auch ein Abgassystem zum Entfernung der Gase, das typischerweise mit der Injektoranordnung gekoppelt ist, eine bedeutende Rolle bei der Förderung einer gleichmäßigen und/oder regulierten Abgabe von Gasen an das Substrat. Die Industrie ist ständig bemüht, verbesserte Abgassysteme zu entwickeln, insbesondere Systeme, die Gase auf eine im Wesentlichen gleichmäßige Weise entfernen. Mit steigender Anzahl der Injektoren nimmt auch die Komplexität des Abgassystems zu, und es treten Probleme wie etwa der Ausgleich des Abgasstroms auf. Da nun für einen höheren Durchsatz Mehrfach-Injektoren erwünscht sind, besteht auch Bedarf an der Entwicklung verbesserter Abgassysteme.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines verbesserten Injektors für die Abgabe von Gasen. Im Besonderen ist es ein Ziel der Erfindung, einen modularen Gasabgabeinjektor und eine Abgasanordnung bereitzustellen.
  • In einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Injektoranordnung zur Abgabe von Gas an ein Substrat bereit, so wie sie in Anspruch 1 definiert ist. Die Anordnung besteht, gegebenenfalls aus einem oder mehreren Injektorköpfen, die zueinander benachbart und zur Bildung von einem oder mehreren Abgaskanälen zwischen ihnen beabstandet voneinander angeordnet sind. Ein oder mehrere Injektorköpfe sind zueinander benachbart und außerhalb einem oder beider Enden der inneren Injektorköpfe angeordnet und sind von diesen beabstandet, um Abgaskanäle zu bilden. Eine Montageplatte mit einer Vielzahl von Befestigungsöffnungen ist bereitgestellt, um die Injektorköpfe einzeln anzubringen, wobei die Injektorköpfe einzeln von der Injektoranordnung abgenommen oder dieser hinzugefügt werden können. Es kann auch nur ein innerer Injektorkopf bereitgestellt sein; in diesem Fall sind die einzigen Abgaskanäle jene zwischen diesem und dem/den Endinjektorkopf/-köpfen.
  • In einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Injektoranordnung zudem eine Abgasanordnung, die mit der Montageplatte zur Entfernung der Gase aus den Injektorköpfen gekoppelt ist. Besonders vorteilhaft ist, dass die vorliegende Erfindung für das separate Auslassen der Gase aus den inneren Injektorköpfen und den Endinjektoren sorgt. Die ist einer regulierten Entfernung der Gase auch bei einer nicht ausgeglichenen Geometrie des Systems dienlich.
  • In einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Abgasvorrichtung bereitgestellt, die aus einer mit der Montageplatte gekoppelten unteren Abgasplatte besteht. Die untere Abgasplatte weist in sich ausgebildete Abgaskanäle auf, die sich verjüngen und sich im Wesentlichen entlang der gesamten Länge der unteren Abgasplatte erstrecken. Eine obere Abgasplatte ist mit der unteren Abgasplatte verbunden. Die obere Abgasplatte weist in sich ausgebildete Abgasöffnungen auf, die aus einer länglichen Öffnung an einem Basisende, die sich im Wesentlichen entlang der Länge der oberen Abgasplatte erstrecken und in Zweifachöffnungen an der oberen Abgasplatte enden, bestehen und durch diese konturiert sind. Die sich verjüngenden Abgaskanäle und die Abgasöffnungen stehen in Fluidkommunikation mit den Abgaskanälen der Injektoranordnung.
  • In einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst die Abgasanordnung zudem einen äußeren Abgasverteiler, der mit den Endinjektorköpfen in Fluidkommunikation steht, und einen inneren Abgasverteiler, der mit den inneren Injektorköpfen in Fluidkommunikation steht. In einer Ausführungsform umfasst der innere Abgasverteiler eine Platte mit einer darin ausgebildeten Vielzahl an Durchgangsdurchlässen. Eine Vielzahl von Rohren sind bereitgestellt, und ein Rohr ist jeweils mit einem Durchgangsdurchlass gekoppelt. Die Rohre sind mit einer Ausgleicheinheit gekoppelt. Die Ausgleichseinheit weist einen Einlass für jedes der Vielzahl an Rohren und einen einzigen Auslass auf. Dies sorgt für einen ausgeglichenen Abgasstrom, selbst wenn die Injektoranordnung eine ungerade oder eine nicht ausgeglichene Anzahl an Abgaskanälen aufweist.
  • Außerdem stellt die Erfindung ein Verfahren für die Abgabe von Gas an ein Substrat so wie in Anspruch 22 definiert bereit.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Weitere Ziele und Vorteile der Erfindung treten beim Lesen der detaillierten Beschreibung der Erfindung und der beigefügten Ansprüche, die nachstehend formuliert sind, unter Bezugnahme auf die Zeichnungen deutlich hervor, in denen:
  • 1 eine Querschnittsansicht der Umsetzung einer Ausführungsform der modularen Injektoranordnung für Chemikalien der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 eine Abbildung einer vereinfachten Ansicht der Anordnung der Umsetzung einer Ausführungsform eines einfachen modularen Injektorkopfs gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
  • 3 eine Teilexplosionsansicht im Querschnitt der Mehrfach-Injektorköpfe und eines Endinjektors aus 1 ist;
  • 4 eine Unteransicht einer Injektoranordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht;
  • 5 eine Vorderansicht von oben der Umsetzung einer Montageplatte der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 eine Vorderansicht von oben der Umsetzung einer ersten (unteren) Abgasplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 7 eine Vorderansicht von oben der Umsetzung einer zweiten (oberen) Abgasplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8 eine Querschnittansicht der zweiten Abgasplatte entlang der Linie A-A' aus 7 darstellt;
  • 9 eine Draufsicht auf die Unterseite der zweiten Abgasplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
  • 10 eine perspektivische Draufsicht auf eine Injektor- und Abgasanordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 11 einen vereinfachten Seitenaufriss einer Umsetzung eines äußeren Abgasverteilers der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • die 12 und 13 einen Seitenaufriss bzw. eine Seitendraufsicht einer inneren Abgasverteileranordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigen;
  • die 14A und 14B Drauf- bzw. Seitendraufsichten einer Umsetzung einer Bodenplatte der inneren Abgasverteileranordnung sind;
  • 14C eine Querschnittsansicht entlang der Linie 14C-14C aus 14A ist;
  • 15 die Ansicht einer Anordnung einer Umsetzung eines oberen Verteilers der inneren Abgasverteileranordnung veranschaulicht;
  • 16A eine Draufsicht einer Bodenplatte des oberen Verteilers aus 15 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
  • 16B eine Querschnittsansicht der Bodenplatte entlang der Linie 16B-16B aus 16A ist;
  • 17A eine Draufsicht auf eine obere Platte des oberen Verteilers aus 15 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 17B eine Querschnittsansicht der Bodenplatte entlang der Linie 17B-17B aus 17A ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Im Allgemeinen stellt die Erfindung ein modulares Chemikalien- oder Gasinjektor- und Abgassystem bereit, die imstande sind, entlang einer Länge, im Besonderen entlang der Länge des Injektors, eine Gasverteilung bereitzustellen, und sorgt dafür, dass eine Vielzahl von Injektorköpfen zusammenwirken, um die Injektor- und Abgasanordnung zu bilden, die die Unzulänglichkeiten des Stands der Technik beseitigen. Die Injektoranordnung der vorliegenden Erfindung besteht aus einer Vielzahl von Injektorköpfen, die zur Bildung der Anordnung zusammenwirken, um eine oder mehrere gasförmige Chemikalien an einen Halbleiterwafer oder ein Substrat während der Bearbeitung dessen abzugeben. Die Injektorköpfe der vorliegenden Erfindung umfassen einen oder mehrere axial ausgerichtete Durchlässe zur Abgabe eines oder mehrerer Gase über einen oder mehrere Verteilungskanäle an eine Abgabeoberfläche. Die Anordnung umfasst weiters zumindest zwei Injektorköpfe, die an gegenüberliegenden Seiten der Anordnung bereitgestellt sind. Die Endinjektorköpfe verfügen auch über einen oder mehrere axial ausgerichtete Durchlässe zur Abgabe eines oder mehrerer Gase über einen oder mehrere Verteilungskanäle an eine Abgabeoberfläche. Außerdem umfasst die Anordnung eine Montageplatte, an der die Vielzahl an Injektorköpfen befestigt ist, um für die Positionierung und das Zusammenwirken der einzelnen Injektoren zu sorgen. Ein Abgassystem ist mit der Montageplatte zur Entfernung der vom Injektor abgegebenen Gase gekoppelt.
  • Noch spezifischer veranschaulicht 1 ein schematisches Diagramm einer Querschnittsansicht einer Ausführungsform der modularen Injektoranordnung 120 der vorliegenden Erfindung. In der in 1 dargestellten Ausführungsform umfasst die Anordnung 120 insgesamt sechs einzelne Injektorköpfe 122a–d und 124a–b; Fachleuten auf dem Gebiet der Erfindung sollte jedoch bewusst sein, dass die Anordnung 120 mit jeder beliebigen Anzahl an Injektoren konzipiert sein kann, um die gewünschte Abgabe von Chemikalien an ein Substrat 121 (3), das in der Nähe der Injektoranordnung 120 angeordnet ist, zu erzielen. Die sechs Injektorköpfe umfassen innere Injektorköpfe 122a–d und Endinjektorköpfe 124a–b, die an jedem distalen Ende der Anordnung entlang der X-Achse positioniert sind. Alle Injektorköpfe 122a–d und 124a–b sind an einer Montageplatte 126 angeordnet und befestigt. Die Montageplatte 126 ist ausreichend steif, um das Gewicht der Injektorköpfe tragen und die Positionierung aufrechterhalten zu können. Die Montagplatte 126 ist mit einem Abgassystem 130 gekoppelt, welches nachstehend detaillierter beschrieben wird. Auch wenn kein System, etwa ein CVD-System, abgebildet ist, so sind die gesamte Injektor- und Abgasanordnung im Allgemeinen in einem solchen, beispielsweise in einem vom Typ der in den US-Patenten Nr. 6.022.414, Nr. 6.200.389 und Nr. 2001/004881 beschrieben ist, untergebracht.
  • In einer Ausführungsform sind die inneren Injektorköpfe 122a–d und die Endinjektorköpfe 124a–b (manchmal kollektiv als "Injektoren" bezeichnet) so angeordnet, dass Abgaskanäle 134a–e zwischen jedem Endinjektor und einem benachbarten Injektor sowie zwischen jedem benachbarten Injektor gebildet werden. Beispielsweise ist ein erster Abgaskanal 134a zwischen einem ersten Endinjektor 124a und einem ersten Injektor 122a ausgebildet. Ein zweiter Abgaskanal 134b ist zwischen dem ersten Injektor 122a und einem zweiten Injektor 122b ausgebildet. Ein dritter Abgaskanal 134c ist zwischen dem zweiten und dritten Injektor 122b und 122c ausgebildet. Ein vierter Abgaskanal 134d ist zwischen dem dritten und vierten Injektor 122c und 122d ausgebildet. Ein fünfter Abgaskanal 134e ist zwischen dem vierten Injektor 122d und dem zweiten Endinjektor 124b ausgebildet. Die Injektorköpfe 122 und die Endinjektoren 124 sind so konfiguriert und positioniert, dass sich die Abgaskanäle der Höhe der Injektoren nach entlang einer Y-Achse und in die Montagplatte 126 hinein erstrecken. Die inneren Injektorköpfe und die Endinjektorköpfe sind an der Montageplatte befestigt, sodass jeder der Abgaskanäle 134 mit entsprechenden in der Montageplatte 126 und im Abgassystem oder -anordnung 130, die nachstehend detaillierter beschrieben ist, ausgebildeten Abgasschlitzen 132 ausgerichtet ist.
  • Mit Bezug auf die 2 und 3 umfasst jeder Injektorkopf 122a–d einen oder mehrere längliche Durchlässe 150, die sich entlang der Länge des Injektors entlang der Z-Achse (in 1 als sich in das Blatt hinein erstreckend dargestellt) erstrecken. Ein Verteilungskanal 152 erstreckt sich von jedem der länglichen Durchlässe 150 zu einer Chemikalienabgabeoberfläche 154 hin. Die Verteilungskanäle 152, die sich von jedem der länglichen Durchlässen 150 aus erstrecken, laufen in einem Bereich 156 zusammen, der innerhalb der Abgabeoberfläche 154 definiert ist. Der Bereich 156 kann, so wie in den 1 und 3 dargestellt, vertieft sein. Alternativ dazu kann der Bereich 156 flach oder sogar konkav sein. Die Verteilungskanäle 152, die Bereiche 156 und die Abgabeoberfläche 154 können sich der Länge der Injektorköpfe 122 nach erstrecken. In einer alternativen Ausführungsform sind der eine oder die mehreren länglichen Durchlässe 150 und/oder die Verteilungskanäle 152 an ihren Enden verschlossen (beispielsweise blockiert, verstopft und/oder gefüllt), um zu verhindern, dass einer oder mehrere Reaktionsteilnehmer entlang der gesamten Länge des In jektors gegenwärtig sind. Dies schränkt die Ausdehnung des Reaktionsvorgangs am Abgabebereich auf die Gesamtlänge des Injektors ein und minimiert das Auftreten eines Reaktionsvorgangs an den Rändern des Wafers 121.
  • Um die Injektoranordnung mit Gas zu versorgen, sind mit Bezug auf 2 Gaseinlassendkappen 160 und 162 mit jedem Ende der Injektoren gekoppelt, um die Zufuhr von gasförmigen Chemikalien zu den länglichen Durchlässen 150 zu ermöglichen. Die Endkappen 160 und 162 enthalten jeweils eine oder mehrere Öffnungen 163, die einem jeden der Durchlässe 150 entsprechen. Die Endkappen sind an den Gaszufuhreinlässen (nicht dargestellt) angebracht, um durch die Öffnungen 163 Gas in die Durchlässe 150 zu leiten. Hier ist es wichtig festzuhalten, dass die Öffnungen 163 nicht an jeder Endkappe 160 und 162 das gleiche Muster aufweisen müssen, und Gas kann den Durchlässen 150 an einem oder an beiden Enden des Injektors zugeführt werden, je nach Anordnung der Öffnungen 163 in jeder Endkappe. Beispielsweise weist, in 2 dargestellt, die Endkappe 160 zwei Öffnungen 163 auf, die mit den Durchlässen 150b und 150c ausgerichtet sind, während die Endkappe 162 eine Öffnung 163 besitzt, die mit dem Durchlass 150a ausgerichtet ist. Dichtungen 164 sind zwischen den Injektorköpfen und einer jeden Endkappe 160, 162 zur Bereitstellung eines luftdichten Abschlusses angeordnet. Bei der Dichtung 164 kann es sich um ein Hartlötmaterial handeln, welches während des Hartlötvorgangs schmilzt, um einen einheitlichen Körper zu bilden, an dem die Endkappen 160, 162 am Injektorkopf angelötet sind. Alternativ dazu können die Endkappen 160, 162 durch eine Schraube, einen Bolzen, Stifte oder im Wesentlichen durch jedes andere Mittel zum Befestigen von Metallelementen am Injektorkopf angebracht sein.
  • Zum Aufbringen einer Schicht oder eines Films eines Materials auf das Substrat 121 werden Reaktionsgase durch die Durchlässe und Verteilungskanäle zur Gasabgabeoberfläche 154 geleitet. Es ist besonders vorteilhaft, wenn die Gase in jedem der Durchlässe 150 und Kanäle 152 getrennt geführt werden. Dies minimiert das Vorvermischen oder Vorreagieren der Gase. Treten die Gase in den Bereich 156 ein, so mischen sich die Gase und reagieren in der Zone der Gasabgabeoberfläche 154 und bringen eine Materialschicht auf die Oberfläche des Substrats 121 auf. Wird bei spielsweise ein Siliciumdioxidfilm aufgebracht werden, so werden Silan und Sauerstoff oder alternativ dazu TEOS und Ozon gegebenenfalls unabhängig voneinander in jedem der Durchlässe geführt. Zudem kann ein Spülgas, wie etwa Stickstoff und dergleichen, separat in einem oder mehreren der Durchlässe 150 transportiert werden. Das Spülgas kann zur Isolierung eines Auftragsbereichs von benachbarten Bereichen verwendet werden und kann zudem zur Verhinderung des Vorreagierens der Reaktionsgase beitragen. Alternativ dazu können ein oder mehrere Durchlässe 150 konzipiert sein, um eine Ätzmittelspezies zu transportieren und so die Entstehung von Ablagerungen innerhalb der Injektoranordnung 120 zu minimieren.
  • Die Abgabeoberfläche 154 erstreckt sich in vom vertieften Bereich in beiden Richtungen zu den Außenrändern 158a–b des Injektorkopfs aus und stellen dadurch eine vergrößerte Oberfläche bereit, wodurch das Produkt oder Substrat 121 (wie etwa ein Siliciumwafer) verstärkt dem Gas ausgesetzt ist und somit für eine stärkere chemische Reaktion gesorgt ist. Die länglichen Durchlässe 150 umfassen gegebenenfalls Dosierrohre 172, die zur Bereitstellung einer gleichmäßigen Verteilung der Gase durch die länglichen Durchlässe hindurch beitragen. In einer Ausführungsform umfassen die Injektoren einen oder mehrere längliche Durchlässe 174, die im Inneren des Injektors ausgebildet sind und sich entlang der Länge des Injektors erstrecken, um die Zirkulation eines Kühlfluids zur Regelung der Temperatur des Injektors zu ermöglichen.
  • In einer Ausführungsform sind die Endinjektorköpfe 124a–b so konfiguriert, dass sie während des Auftrags ein Spülgas führen. Die Strömung des Spülgases wirkt vorzugsweise als Inertgasbarriere oder Halbdichtung 176 zwischen dem Bereich unterhalb der Endinjektorköpfe 124a–b und dem Substrat 121, um die Verflüchtigung der Gase aus dem Auftragsbereich und hin zu anderen Abschnitten der CVD-Vorrichtung (nicht dargestellt) oder der Umgebung im Wesentlichen zu verhindern. Die Endinjektoren 124a, b umfassen zudem eine Materiallänge, die in die Richtung der Substratoberfläche vorsteht, wodurch ein Bereich eines schmalen Spalts rund um den Umfang der Injektoranordnung herum zwischen diesem Vorsprung und dem Substrat gebildet wird und so eine "Halbdichtung" entseht. Diese Halbdichtung trägt zur Mini mierung der Diffusion der Reaktandenspezies außerhalb des gewünschten Arbeitsbereichs bei. In einer anderen Ausführungsform sind die Endinjektorköpfe 124 gegebenenfalls so konfiguriert, dass sie eine Ätzmittelspezies transportieren, um die Entstehung von Ablagerungen innerhalb der Injektoranordnung 120 zu minimieren.
  • Wie oben beschrieben wurde, stellt die vorliegende Erfindung eine modulare Injektoranordnung 120 bereit. Jeder der Injektorköpfe ist ein separates Teil, und diese werden einzeln angeordnet und montiert, um die Anordnung 120 zu bilden. Dies sorgt für große Flexibilität. Einzelne Injektorköpfe 122, 124 können ausgetauscht oder überhaupt entfernt werden. Zusätzliche Injektorköpfe 122, 124 können hinzugefügt werden. Verschiedene Typen von Injektorköpfen 122, 124 können eingesetzt werden, um unterschiedliche Auftragstrukturen zu bilden. Dies ermöglicht die Modifikation, die Optimierung und/oder die spezielle Anpassung der Kammergeometrie des Systems auf verschiedene Anwendungen. Die Injektoren 122a–d können durch einen Injektor ersetzt werden, der die gesamte Fläche überspannt, die zuvor von den Injektoren 122a–d eingenommen wurde, wodurch ein Injektor entsteht, der ein stark verlängerte Gasabgabeoberfläche 154 aufweist. So können chemische Zusammensetzungen und Reaktionen herangezogen werden, die eine größere Verweildauer innerhalb des Prozessreaktors benötigen.
  • Spezifischer noch sind die modularen Eigenschaften der vorliegenden Erfindung in den 4 und 5 detailliert dargestellt. Im Allgemeinen ist die Injektoranordnung 120 an der Montageplatte 126 angebracht. Wie zuvor bereits beschrieben, ermöglicht die Erfindung den besonderen Vorteils der unabhängigen Befestigung der einzelnen Injektorköpfe 122, 124 an die Montageplatte 126. In einer Ausführungsform ist, wie in 5 dargestellt, die Montageplatte 126 aus einer Seitenwand 131 mit einem Flansch 133, der eine obere Oberfläche bildet und ein vertieftes Becken mit einer Bodenoberfläche 135 aufweist, gebildet. Innerhalb der Bodenoberfläche 135 sind ein oder mehrere Abgasschlitze 132 und eine Vielzahl an Befestigungsöffnungen 178 ausgebildet. Die Abgasschlitze 132 erstrecken sich im Wesentlichen entlang der Länge der Befestigungsplatte 126 entlang der Z-Achse und sind mit jedem der Abgaskanäle 134 der Injektoranordnung 120 in Fluidkommunikation stehend fluchtend ausgerichtet. Die Befestigungsöffnungen 178 sind zur Befestigung der Injektorköpfe 122, 124 und der nachstehend beschriebenen Abgasplatten an der Montageplatte 126 auf der gesamten Bodenoberfläche 135 verteilt angeordnet. Obwohl hier eine Ausführungsform der Montageplatte 126 erörtert wurde, versteht es sich für Fachleute auf dem Gebiet der Erfindung, dass die Montageplatte 126 auch andere Formen aufweisen kann, wie etwa die einer flachen Platte mit Abgasschlitzen und Befestigungsöffnungen, ohne dadurch den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Eine Abgasanordnung 130, die in ihren Einzelheiten in den 6 bis 10 dargestellt ist, ist mit der Montageplatte 126 gekoppelt. Die Abgasanordnung 130 besteht aus einer unteren Abgasplatte 140, einer oberen Abgasplatte 142, einem äußeren Abgasverteiler 146 und einer inneren Abgasverteileranordnung 148. Im Allgemeinen bilden die untere und die obere Abgasplatte 140, 142 eine direkte Übergangsstelle mit den Abgaskanälen 134 der Injektoren, im die Gase aus der Injektoranordnung zu entfernen, während der äußere und der innere Abgasverteiler 146, 148 zum Ausgleichen des Abgasstroms von den Enden und der Mitte der Injektoranordnung dienen, um einen regulierten und im Wesentlichen gleichmäßigen Ausstoß der Gase zu erzielen.
  • Die untere Abgasplatte 140 wird mit Bezug auf 6 und einer in 1 dargestellten Querschnittsansicht veranschaulicht. Im Allgemeinen besteht die untere Abgasplatte 140 aus einem Element 141, durch welches hindurch ein oder mehrere sich konisch verbreiternde Abgaskanäle 136 ausgebildet sind. Diese sich konisch verjüngenden Abgaskanäle 136 sind länglich und erstrecken sich im Wesentlichen entlang der Länge der unteren Abgasplatte 140 entlang der Z-Achse. Für jeden Abgasschlitz 134 der Injektoranordnung 120 ist ein sich verjüngender Abgaskanal 136 bereitgestellt. Die untere Abgasplatte 140 ist in der Montageplatte 126 befestigt und in Bezug auf die Injektorköpfe so positioniert, dass die verjüngten Abgaskanäle 136 (siehe 1) mit den in der Montageplatte 126 ausgebildeten Abgaskanäle 132 und den zwischen benachbarten Injektorköpfen 122, 124 gebildeten Abgasschlitzen 134 fluchtend ausgerichtet sind. Die verjüngten Abgaskanäle 136 sind im Allgemeinen an der an die Montageplatte 126 angrenzenden Basis schmäler, verlaufen im Wesentlichen linear konisch, um an der an die obere Abgasplatte 142 angrenzenden Spitze breiter zu sein. In einer alternativen Ausführungsform verjüngen sich die verjüngten Abgaskanäle 136 gegebenenfalls auf profilierte anstatt auf lineare Weise. Beispielsweise kann eine breitere profilierte Öffnung am oberen Ende des Kanals 136 angeordnet sein. In einigen Anwendungen kann es von Vorteil sein, an den Enden des Injektors eine stärkere Schräge bereitzustellen, um eine ungleichen Auftrag auf dem Substrat in der Nähe der Ränder, die unterhalb des Injektors quer verlaufen, zu verhindern.
  • Die verjüngten Abgaskanäle 136 der unteren Abgasplatte 140 sind auch mit den Abgasöffnungen 210 der oberen Abgasplatte 142, die zur unteren Abgasgasplatte benachbart angeordnet und mit dieser gekoppelt ist, ausgerichtet. Dies sorgt für einen im Wesentlichen kontinuierlichen Abgasströmungsweg, der von der Gasabgabeoberfläche 154 und durch die untere und die obere Abgasplatte verläuft. Die obere Abgasplatte 142 ist auf der unteren Platte 140 positioniert und in dieser Position an der Montageplatte 126 angebracht. Die Befestigungsöffnungen sind so konzipiert, dass sie Bolzen, Nieten, Stifte oder im Wesentlichen jedes beliebige andere Mittel zum Befestigen der oberen und der unteren Abgasplatte an der Montagplatte aufnehmen können.
  • Von besonderem Vorteil ist, dass die vorliegende Erfindung für die Entfernung der Gase auf regulierte und/oder im Wesentlichen gleichmäßige Weise sorgt. Im Speziellen sorgt die vorliegende Erfindung für den Ausstoß der Gase von einer "linienförmigen Quelle" zu einer "punktförmigen Quelle" hin; d.h. Gase werden entlang der Länge der Injektoren (also der linienförmigen Quelle) über die Abgaskanäle 134 und durch die oberen und unteren Abgasplatten 140 und 142 hindurch zu den Auslassöffnungen 210 (also der punktförmige Quelle) in der Oberseite der oberen Abgasplatte 142 ausgestoßen.
  • Dieses Merkmal wird unter Bezugnahme auf die 1 und 7 bis 9 detaillierter beschrieben. Wie zuvor erörtert verbreitern sich die Abgaskanäle 136 in der unteren Abgasplatte 140 konisch, was ein größeres Volumen für den Gasausstoß bereitstellt.
  • Die obere Abgasplatte 142 umfasst eine oder mehrere Abgasöffnungen 210, die in der zweiten Abgasplatte 142 ausgebildet sind und sich durch diese hindurch erstrecken. Die Öffnung 210 weist keine einheitliche Form auf. Wie der Querschnittsansicht aus 8 zu entnehmen ist, der der Länge der Injektoranordnung 120 nach verläuft, weist die Öffnung 210a an ihrer Basis ein breites, längliches offenes Ende 213 auf, das sich im Wesentlichen entlang der Länge der oberen Abgasplatte entlang der Z-Achse verläuft, sich dann nach innen verjüngt, um in vorzugsweise zwei (d.h. Zweifach-)Öffnungen 210a1 und 210a2, die enger sind, an der oberen Oberfläche 212 der oberen Abgasplatte 142 zu münden. Es sind zwar zwei Öffnungen dargestellt, doch können in einer alternativen Ausführungsform auch nur eine oder mehr als zwei Öffnungen eingesetzt werden. Um einen im Wesentlichen gleichmäßigen Strom des Abgases zu fördern, sind die Zweifachabgasöffnungen 210a1 und 210a2 so angeordnet, dass für jede Öffnung zwei innere Hohlräume 216a und 216b ausgebildet sind, die durch einen Mittelabschnitt 220 getrennt sind. Jeder der Hohlräume 216a und 216b ist so verjüngt, dass die Länge L an den breiten Enden 213 einer jeden Abgasöffnung im Wesentlichen der Hälfte der Länge der verjüngten Abgaskanäle 136 der ersten Abgasplatte 140 entspricht. In einer bevorzugten Ausführungsform beträgt das Verhältnis der Maße der Höhe des Abgaswegs von der Waferoberfläche hin zum Anfangspunkt des Zweifachauslasses in der oberen Abgasplatte zur Breite etwa 0,6 oder mehr.
  • In der oberen Abgasplatte 142 sind Befestigungsöffnungen 178 ausgebildet, um die obere Abgasplatte zu fixieren und mit der unteren Abgasplatte 140 und der Montageplatte 126 auszurichten, um die korrekte Ausrichtung aller Abgasschlitze und -kanäle sowie eine luftdichte Dichtung zwischen der gesamten Anordnung zu gewährleisten. Rund um jede Abgasöffnung 210 sind Abgasrohr-Befestigungsöffnungen 214 ausgebildet, um die Befestigung der (nachstehend beschriebenen) Abgasrohre an der oberen Abgasplatte 142 zu ermöglichen und so einen luftdichten Abschluss bereitzustellen.
  • Von besonderem Vorteil ist die Tatsache, dass das Abgassystem 130 der vorliegenden Erfindung weiters Mittel zum Ausgleichen der Strömung des Abgases von den Injektorköpfen 122a–d und den Endinjektorköpfen 124a–b umfasst. Die Bereitstellung von Ausgleichsmitteln für den Abgasstrom sorgt für größere Flexibilität und Wahlmöglichkeit beim Design der Injektoranordnung 120. Beispielsweise ermöglicht die Bereitstellung von unabhängigen Abgasverteilern für die inneren und äußeren Bereiche der Injektoranordnung, dass die Injektoranordnung eine unausgeglichene und ungleiche Anzahl an Injektoren oder Abgaskanälen (wie in 1 gezeigt, in der fünf Abgaskanäle 134a bis 134e bereitgestellt sind) verwendet.
  • Noch spezifischer umfasst das Abgassystem 130 in einem Beispiel für eine Ausführungsform zudem einen äußeren Abgasverteiler 146 und eine innere Abgasverteileranordnung 148, so wie in den 10 bis 17 detailliert dargestellt ist. Im Allgemeinen umfasst der äußere Abgasverteiler 146 zwei Platten 230, von denen sich jede allgemein im Wesentlichen entlang der Länge der Injektoranordnung 120 erstreckt und zwei Durchgangsdurchlässe 232 aufweist, wobei an jedem Ende der Platte 230 ein Durchgangsdurchlass ausgebildet ist. Ein U-förmiges Rohr 234 ist an jeden Durchlass 232 an der Platte 230 angeschlossen. Am U-förmigen Rohr 234 ist vorzugsweise an der Spitze des gebogenen Abschnitts ein geeignetes Verbindungsstück 235, beispielsweise ein Fischmaulflansch, angebracht, um das Rohr und die Platte an eine gemeinsame äußere Abgasleitung 237 anzuschließen.
  • Der äußere Abgasverteiler 146 steht mit beiden Injektorköpfen 124a–b in Fluidkommunikation und stellt den letzten Abgasströmungsweg für die durch die äußersten Abgaskanäle in der Injektoranordnung (d.h. die Abgaskanäle 134a und 134 in dem in den Figuren dargestellten Beispiel für eine Ausführungsform) strömenden Gase. Im Speziellen ist jede Platte 230 an der oberen Abgasplatte 142 angebracht, sodass die Durchgangsdurchlässe 232 an jedem Ende der Platte 230 in Längsrichtung mit den Zweifachauslassöffnungen 210a1 und 210a2 ausgerichtet sind, die den Abgaskanälen der äußersten oder End-Injektorköpfen 124a–b und der am Rand angeordneten Hälfte der Injektoren 122a, 122d entsprechen. Da zwei Endinjektoren 124a und 124b, die an gegenüberliegenden Enden der Injektoranordnung 120 angeordnet sind, gegenwärtig sind, umfasst der äußere Abgasverteiler 146 zwei entsprechende Platten- 230 und Rohr- 234 Anordnungen, die an gegenüberliegenden Enden der oberen Abgasplatte 142 angeordnet sind. Die zwei Platten- 230 und Rohr- 234 Anordnungen sind gemeinsam über ein T-Verbindungsstück 238 an der äußeren Abgasleitung 237 angeschlossen. Zur Entfernung der Gase aus den Injektorköpfen 124a, b und den randseitigen Injektoren 122a, d strömen die Gase durch die äußersten Abgaskanäle 134a und 134e und durch die entsprechenden äußersten Abgasschlitze 132 in der Montageplatte nach oben, durch die entsprechenden äußersten Abgaskanäle in der unteren und der oberen Abgasplatte 136a bzw. 136e und 210a bzw. 210b, durch die Durchlässe 232 und Rohre 234 im äußeren Abgasverteiler und durch die Abgasleitung 237 hinaus, um letztendlich die gemeinsame Hauptabgasleitung 236 zu erreichen.
  • Von besonderem Vorteil ist, dass die vorliegende Erfindung das getrennte Entleeren der inneren und der äußersten Abgaskanäle der Injektoranordnung vorsieht. Um die inneren Kanäle (beispielsweise die im Beispiel für eine Ausführungsform dargestellten Abgaskanäle 134b, 134c und 134d) zu entleeren, wird die innere Abgasverteileranordnung 148 verwendet. Die innere Abgasverteileranordnung 148 ist in den 12 bis 17 detaillierter dargestellt. Der innere Abgasverteiler umfasst eine Platte 240, die sich allgemein im Wesentlichen entlang der Länge der Injektoranordnung 120 erstreckt. Innerhalb der Platte 240 sind eine Vielzahl an Durchgangsdurchlässen 242 ausgebildet. Wie 12 zu entnehmen ist, sind die Durchgangsdurchlässe 242 in Zweierpaaren bereitgestellt, wobei jeder Durchlass als Teil eines Paars in Längsrichtung an gegenüberliegenden Enden der Platte 240 angeordnet ist. Ein Rohr 244 ist an jedem der Durchlässe 242 an der Platte 240 angeschlossen, das die jeweiligen Durchlässe an eine Ausgleichseinheit 246 anschließt.
  • Ähnlich wie der äußere Abgasverteiler 146 steht der innere Abgasverteiler 148 in Fluidkommunikation mit der inneren Hälfte der Injektorköpfe 122a–d und der Gesamtheit der inneren Injektoren 122b, c und stellt den letzen Abgasströmungsweg für die durch die inneren Abgaskanäle in der Injektoranordnung 120 (d.h. die im Beispiel für eine Ausführungsform dargestellten Abgaskanäle 134b, 134c und 134d) strömenden Gase bereit. Spezifisch ist die Platte 240 an der oberen Abgasplatte 142 angebracht, sodass die Durchgangsdurchlässe 242 an jedem Ende der Platte 240 in Längsrichtung mit den Zweifachauslassöffnungen 210b bis 210d ausgerichtet sind, die den Abgaskanälen der inneren Injektorköpfe 122b, 122c und 122d entsprechen. Auch wenn im Beispiel für eine Ausführungsform drei innere Injektorköpfe mit zwei (d.h. Zweifach-)Auslassöffnungen für jeden Injektor dargestellt und somit sechs Durchgangsdurchlässe 242 in der Platte 240 bereitgestellt sind, so versteht es sich für Fachleute auf dem Gebiet der Erfindung, dass andere Konfigurationen möglich sind, ohne dadurch vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen.
  • Um das System zu entleeren, strömen Gase aus den inneren Abgaskanälen 134b, 134c und 134d durch die entsprechenden inneren Abgasschlitze 132 in der Abgasplatte 126 nach oben, durch die entsprechenden inneren Abgaskanäle in der unteren und der oberen Abgasplatte 136b, 136c bzw. 136d und 210b, 210c bzw. 210d und durch die Durchlässe 242 hinaus und in die Rohre 244 hinein. Am anderen Ende sind die Rohre 244 an die Ausgleichseinheit 246 angeschlossen. Von besonderem Vorteil ist, dass die Ausgleichseinheit 246 für eine im Wesentlichen gleichmäßige Strömung des Abgases sorgt, auch wenn eine ungerade Anzahl an Abgaskanälen verwendet wird.
  • Die Ausgleichseinheit 246 ist in den 15 bis 17B detaillierter dargestellt. Im Allgemeinen umfasst die Ausgleichseinheit 246 eine obere Platte 250, eine Bodenplatte 252 und eine mittlere Lage oder Hartlötfolie 254. Innerhalb der Bodenplatte 252 ist eine Vielzahl an konkaven Kanälen 255 ausgebildet, die insbesondere in den 16A und 16B zu sehen sind. Für jedes Rohr 244 ist ein konkaver Kanal 255 ausgebildet. Jeder konkave Kanal 255 weist einen an einem Ende angeordneten Einlass 256 auf, an dem das entsprechende Rohr an die Ausgleichseinheit 246 angeschlossen ist. Jeder der konkaven Kanäle 255 erstreckt sich in Richtung Mittelpunkt der Einheit 246 nach innen, wo die gegenüberliegenden Enden der Kanäle 255 in einem Mittelbereich 258, der über eine Auslassöffnung 258 verfügt, zusammenlaufen. Die Auslassöffnung 259 ist über einen Flansch 262 an eine innere Abgasleitung 260 angeschlossen. Die innere Abgasleitung ist in diesem Beispiel über ein Ventil 300 an der Hauptabgasleitung angeschlossen.
  • Wie den 17A und 17B zu entnehmen ist, umfasst auch die obere Platte 250 eine Vielzahl an konkaven Kanälen 256, die nach innen in Richtung Mittelpunkt der Einheit verlaufen und in einem vertieften Mittelbereich 268 zusammenlaufen. Die konkaven Kanäle 265 und der Mittelbereich in der oberen Platte sind Spiegelbilder der konkaven Kanäle 255 in der Bodenplatte 252, mit der Ausnahme, dass kein Ein- oder Auslass vorliegt. Sind nun die obere Platte 250 und die Bodenplatte 252 versiegelt, so ist darin eine Vielzahl von Kanälen mit einer Vielzahl von Einlässen 256 und einem einzigen zentralen Auslass 258 in der Bodenoberfläche der Ausgleichseinheit 246 ausgebildet.
  • Die Kanäle in der Ausgleichseinheit 246 stehen in Fluidkommunikation mit dem Abgasstrom aus den inneren Injektorköpfen 122. Wie zuvor bereits beschrieben, tritt dieses Abgas in die Rohre 244 ein. Jedes Rohr 244 ist an einem Einlass 256 in der Bodenplatte 244 angeschlossen. Das Gas tritt in den Einlass 256 ein und strömt durch den Kanal und den zentralen Auslass 258 und die Öffnung 259 hindurch. Gas aus allen der Vielzahl von Einlässen 256 wird zu einem einzigen zentralen Auslass 258 transportiert, der den Gasstrom aus jedem der entsprechenden Rohre ausgleicht, und aufgrund der Fluidkommunikation gleicht er so den Gasstrom aus jedem der Abgaskanäle 134 in der Injektoranordnung aus. In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Abgasrohre 244 alle gleich lang und von gleicher Form, und die Ausgleichseinheit 246 sorgt dafür, dass jeder Abgasweg von den inneren Öffnungen 210 zum letzten Auslass 259 die gleiche Länge aufweist. Zusätzlich zum zuvor angesprochenen Ausgleich der inneren und äußeren Abgaswege ermöglicht die Verwendung des Ventils 300 einen zweiten Betriebsmodus des Injektors 120. Durch das Schließen des Ventils 300 kann ein Gas, das zum Beseitigen von Nebenprodukten der Reaktion imstande ist, über den Fischmaulflansch 301 in das innere Abgasrohr eingeführt werden. Da das Ventil, das die innere Abgasleitung mit der Hauptabgasleitung verbindet, geschlossen ist, wird das Reinigungsgas zurück durch den innere Abgasausgleichsvorrichtung und weiter über die multiplen inneren Abgaswege in die Prozesskammer geführt. Die Ausgleichseinheit verteilt das Reinigungsgas gleichmäßig auf jeden Abgasweg auf, der in die Prozesskammer führt. Die Abfälle des mit den Auftrags-Nebenprodukten reagierenden Reinigungsgases werden allesamt über die beiden äußeren Abgaswege ausgestoßen.
  • Zusammenfassend umfasst die modulare Injektor- und Abgasanordnung der vorliegenden Erfindung einen einzigen länglichen Körper, der mit länglichen Durchlässen und Kanälen ausgestattet ist. In einer Ausführungsform werden die länglichen Durchlässe, die Verteilungskanäle und die vertieften Bereiche mittels Bearbeiten durch Drahterodieren hergestellt. Gaseinlass-Endkappeninjektoren werden dann beispielsweise durch Hartlöten, Verschrauben oder andere Mittel an der Injektoranordnung angebracht, um den Injektorkörper an sich auszubilden. Dosierrohre können eingebaut sein, die separate chemische Substanzen von den einzelnen Einlässen an der Oberseite des Injektorkörpers aus führen und verteilen, um für eine gleichmäßige Verteilung innerhalb der Kanäle zu sorgen, wonach sie dann zur Abgabeoberfläche geleitet werden. Eine Vielzahl solcher Injektoren ist, an einer Montageplatte angeschraubt, die die Vielzahl von Injektoren in Bezug aufeinander positioniert. Die Abgaswege werden durch nebeneinander angeordnete Injektoren, die durch einen bestimmten Abstand getrennt sind, ausgebildet. Die Montageplatte weist Abgasschlitze auf, die mit dem verjüngten Abgaskanal ausgerichtet sind. Zusätzliche Abgasrohrleitungen oder -kanäle werden an die Oberseite der Montageplatte und dann an die Abgasanordnung angeschraubt, um die Abgasnebenprodukte aus dem Auftragsbereich auszustoßen. Die Montageplatte mit den Injektoren wird dann an der CVD-Kammer angebracht, wodurch die Injektorabgabeoberflächen die innere Oberfläche der Prozesskammer bilden.
  • Die modularen Injektoren der vorliegenden Erfindung sind gegenüber den Multiblockinjektoren nach dem Stand der Technik vorteilhaft. Bei der Herstellung der modularen Injektoren können die Drahterodierungsschritte mithilfe mehrerer Werkzeugmaschinen parallel ausgeführt werden. Dies führt zu einer deutlichen Senkung des Zeitaufwands der Herstellung. Der modulare Aspekt ermöglicht zudem den Ersatz einzelner Teile, falls diese beschädigt sind. Modulare Injektoren erlauben auch die Veränderung von Einzelheiten der Gestalt der Injektoroberfläche, ohne dafür Zeit und Kosten aufzuwenden, die solche Änderungen bei einer Einheit erfordern würden. Das Hartlöten der Endkappen der Injektorkörper hängt von weit weniger Merkmalen pro Injektor ab, wodurch ein erfolgreicher Hartlötvorgang wahrscheinlicher ist und sowohl Abfall als auch Kosten geringer sind. Aufgrund der geringeren Größe und Gewichts sind Herstellung und Handhabe der einzelnen Injektoren vor dem Zusammenbau der Anordnung einfacher. Das Elektropolieren der in Kontakt mit den Reaktionsgasen kommenden Oberflächen ist auf den vollständig ausgesetzten kleineren und leichteren Injektoren einfacher auszuführen. Zudem sind die durch Fehler, Schäden, Versagen oder andere Schwierigkeiten bedingten Abfallkosten deutlich geringer.
  • Die einzelnen Injektoren sind an einer Kontaktflächenplatte (nicht dargestellt) angebracht, die für die Gas-, Wasser- und Stickstoffzufuhr sorgt und die Abgaswegbreite bestimmt. Die Endkappen der einzelnen Injektoren greifen ineinander ein, um einen Gasaustritt an den Enden der Injektoren zu verhindern und stellen die Halbdichtung bereit. Da jeder Injektor über eigene Verteiler verfügt, kann jeder Injektor je nach Prozessbedarf unterschiedliche chemische Bestandteile führen. Die untere Abgasplatte kann eine modifizierte Auslassform aufweisen, um die Gasgeschwindigkeit des Strömungsfeldmusters bei der Abscheidung zu beeinflussen. Die Endinjektoren stellen einen an die beiden Enden des Reaktionsspeziesbereich angrenzenden Inertgasbereich sowie die Halbdichtung an jedem distalen Ende der Anordnung 120 bereit. Die Geometrie der Injektorkanäle, Bereiche, Abgabeoberflächen und Profile können zur Optimierung der Auftragsraten, der Verbesserung der Verwendungseffizienz der Chemikalien und der Verbesserung der Gasströmungswege variiert werden. Die Abgaskanäle, -schlitze, -öffnungen und -rohre verbessern den gleichmäßigen Abgasstrom im Inneren der Kammer.
  • Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen für Fachleute auf dem Gebiet der Erfindung aus der genauen Lektüre der Offenbarung der vorliegenden Erfindung hervor. Die obige Beschreibung spezifischer Ausführungsformen und Beispiele der Erfindung wurde zum Zweck der Veranschaulichung und Beschreibung verfasst, und obwohl die Erfindung durch bestimmte der vorangegangenen Beispiele veranschaulicht wurde, ist sie nicht durch diese eingeschränkt. Diese Beispiele sind nicht erschöpfend und schränken die Erfindung nicht auf exakt diese offenbarten Formen ein, und es ist offensichtlich, dass im Lichte der obigen Lehre zahlreiche Modifikationen, Ausführungsformen und Variationen möglich sind.

Claims (24)

  1. Injektoranordnung (120) zur Abgabe von Gas an ein Substrat, umfassend Injektoren (122, 124), die zueinander benachbart und zur Bildung von einem oder mehreren Abgaskanälen (134) zwischen ihnen beabstandet voneinander angeordnet sind, und gekennzeichnet durch eine Montageplatte (126) zur Befestigung der Injektoren, wobei jeder Injektor einzeln an der Montagelatte (126) anbringbar oder von dieser abnehmbar ist und die Montageplatte (126) mit einem oder mehreren Abgasschlitzen (132), die in Fluidkommunikation mit dem entsprechenden einen oder mehreren Abgaskanälen (134) zwischen den Injektoren stehen, ausgestattet ist.
  2. Injektoranordnung nach Anspruch 1, worin die Injektoren Folgendes umfassen: ein einzelnes längliches Element mit Endflächen und eine längliche äußere Gasabgabeoberfläche, wobei sich die Gasabgabeoberfläche (154) entlang der Länge des Elements, das dem Substrat bei der Verwendung direkt gegenüberliegt, erstreckt; einen länglichen Durchlass (150), der im länglichen Element ausgebildet ist und sich zwischen den Endflächen zur Aufnahme eines Gases erstreckt; und einen schmalen, länglichen Verteilungsschlitz (152), der im einzelnen länglichen Element ausgebildet ist und sich zwischen dem länglichen Durchlass (150) und der Gasabgabeoberfläche (154) zur Abgabe eines Gases entlang der Gasabgabeoberfläche erstreckt.
  3. Injektoranordnung nach Anspruch 2, worin die Gasabgabeoberfläche (154) einen vertieften Mittelbereich (156) umfasst.
  4. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin sich der Abgasschlitz (132) im Wesentlichen entlang der Länge der Montageplatte (126) erstreckt und mit dem entsprechenden Abgaskanal (134) fluchtend ausgerichtet ist.
  5. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die Injektoren Injektoren vom selben Typ umfassen.
  6. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin die Injektoren Injektoren (122, 124) von unterschiedlichem Typ umfassen.
  7. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, umfassend eine Abgasanordnung (130), die mit der Montageplatte (126) gekoppelt ist, zur Entfernung von Gases aus den Injektoren.
  8. Injektoranordnung nach Anspruch 7, worin die Abgasanordnung (130) Folgendes umfasst: eine mit der Montageplatte (126) gekoppelte untere Abgasplatte (140), wobei die untere Abgasplatte mit einem Abgaskanal (136) ausgestattet ist, der in Fluidkommunikation mit dem Abgasschlitz (132) in der Montageplatte (126) steht; und eine mit der unteren Abgasplatte (140) gekoppelte obere Abgasplatte (142), wobei die obere Abgasplatte mit einer Abgasöffnung (210) ausgestattet ist, die in Fluidkommunikation mit dem Abgaskanal (136) in der unteren Abgasplatte steht.
  9. Injektoranordnung nach Anspruch 8, worin sich der Abgaskanal (136) in der unteren Abgasplatte (140) im Wesentlichen entlang der Länge der unteren Abgasplatte (140) erstreckt und mit dem Abgasschlitz (132) in der Montageplatte (126) fluchtend ausgerichtet ist.
  10. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, worin sich der Abgaskanal (136) in der unteren Abgasplatte (140) entlang der Höhe der unteren Abgasplatte verjüngt.
  11. Injektoranordnung nach Anspruch 10, worin der Abgaskanal (136) in der unteren Abgasplatte (140) an der oberen Oberfläche der unteren Abgasplatte breiter und an der unteren Oberfläche der unteren Abgasplatte schmaler ist.
  12. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, worin die Abgasöffnung (210) eine längliches Loch (213) an einer Basis umfasst, das sich im Wesentlichen entlang der Länge der oberen Abgasplatte (142) erstreckt, wobei sich das längliche Loch nach innen verjüngt und in einer oberen Öffnung (210a) an der oberen Oberfläche der oberen Abgasplatte (142) mündet.
  13. Injektoranordnung nach Anspruch 12, worin das längliche Loch (213) in einer Vielzahl von oberen Öffnungen (210a) an der oberen Oberfläche der oberen Abgasplatte (142) mündet.
  14. Injektoranordnung nach Anspruch 13, worin das längliche Loch (213) in zwei oberen Öffnungen (210a) an der oberen Oberfläche der oberen Abgasplatte (142) mündet.
  15. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 14, in der die Injektoren eine Vielzahl von inneren Injektoren (122) umfassen, die benachbart und zur Definierung von einem oder mehreren ersten Abgaskanal/-kanälen (134b–d) zwischen ihnen beabstandet angeordnet sind; und einen oder mehreren Endinjektor(en) (124) umfassen, die zu einem der beiden Enden der inneren Injektoren (122) benachbart und zur Definierung von einem oder mehreren zweiten Abgaskanal/-kanälen (134a, e) zwischen ihnen beabstandet angeordnet sind; und die Abgasanordnung (130) Folgendes umfasst: eine innere Abgasverteileranordnung (148), die in Fluidkommunikation mit dem/den ersten Abgaskanal/-kanälen (134b–d) steht; und eine äußere Abgasverteileranordnung (146), die in Fluidkommunikation mit dem/den zweiten Abgaskanal/-kanälen (134a, e) steht.
  16. Injektoranordnung nach Anspruch 15, worin eine luftdichte Dichtung zwischen dem/den Endinjektor(en) und einem oder mehreren inneren Injektor(en) bereitgestellt ist.
  17. Injektoranordnung nach einem der Ansprüche 15 oder 16, worin die innere Abgasverteileranordnung (148) Folgendes umfasst: eine Platte (240), die mit einer Vielzahl an darin ausgebildeten Durchgangsdurchlässen (242) ausgestattet ist; eine Vielzahl an Rohren (244), wobei jedes Rohr mit einem der Durchgangsdurchlässe (242) gekoppelt ist; und eine Ausgleichseinheit (246) mit einer Vielzahl an Einlässen (256), einen für jedes der Rohre (244), und mit einem einzelnen Auslass (259).
  18. Injektoranordnung nach Anspruch 17, worin die Ausgleichseinheit (246) mit Kanälen ausgestattet ist, die die Einlässe (256) mit dem einzelnen Auslass (259) verbinden.
  19. Injektoranordnung nach Anspruch 18, worin die Ausgleichseinheit (246) eine untere Platte (252) umfasst, die mit einer Vielzahl von sich nach innen hin zu einem Mittelbereich (258) der unteren Platte erstreckenden konkaven Kanälen (255) ausgestattet ist, welche an ihren Enden jeweils einen Einlass (256) aufweisen; und eine obere Platte (250) umfasst, die mit einer Vielzahl von sich nach innen hin zu einem Mittelbereich (268) der oberen Platte (250) erstreckenden konkaven Kanälen (256) ausgestattet ist; worin die konkaven Kanäle (255, 256) und die Mittelbereiche (258, 268) in der unteren und der oberen Platte (250, 252) Spiegelbilder sind und jene Kanäle bilden, die die Einlässe (256) und den einzelnen Auslass (259) verbinden.
  20. Injektoranordnung nach Anspruch 7, worin die Abgasanordnung (130) eine Ausgleichseinheit (246) zur Bereitstellung eines gleichmäßigen Gasstroms umfasst.
  21. Injektoranordnung nach Anspruch 15, worin die innere Abgasverteileranordnung (148) eine Ausgleichseinheit (246) umfasst, die mit einer Vielzahl von Kanälen ausgestattet ist, welche in Fluidkommunikation mit Abgas aus dem Zwischenraum zwischen den inneren Injektoren (122) stehen.
  22. Verfahren zur Abgabe von Gas an ein Substrat (121) umfassend: das Bereitstellen einer Vielzahl von inneren Injektoren (122), die benachbart zueinander und zur Definierung von einem oder mehreren ersten Abgaskanal/-kanälen (134b–d) zwischen ihnen beabstandet angeordnet sind; das Bereitstellen eines oder mehrerer Endinjektor(en) (124), die zu einem der beiden Enden der inneren Injektoren (122) benachbart und zur Definierung von einem oder mehreren zweiten Abgaskanal/-kanälen (134a, e) zwischen ihnen beabstandet angeordnet sind; wobei die Injektoren (122, 124) an einer Montageplatte (126) befestigt sind, an die sie einzeln anbringbar oder von dieser abnehmbar sind und die Abgasschlitze (132) aufweist, die in Fluidkommunikation mit den Abgaskanälen (134a–e) stehen; die Abgabe von Reaktionsgas an das Substrat (121) über die inneren Injektoren (122) und die Endinjektoren (124); die Entfernung von Abgas aus dem/den ersten Abgaskanal/-kanälen (134b, c, d) über eine innere Abgasverteileranordnung (148); und die Entfernung von Abgas aus dem/den zweiten Abgaskanal/-kanälen (134a, e) über eine äußere Abgasverteileranordnung (146).
  23. Verfahren nach Anspruch 22, worin die Schritte des Entfernens von Abgas das Ausstoßen der Gase aus den Kanälen entlang der Länge einer unteren Oberfläche hin zu Öffnungen an einer oberen Oberfläche der inneren und der äußeren Abgasverteileranordnung umfassen.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 oder 23, worin der Schritt des Entfernens von Abgas aus den ersten Abgaskanälen das Zusammenführen von Abgas aus einer Vielzahl von Einlässen (256) über eine Vielzahl von Kanälen, die in einer Ausgleichseinheit (246) im Inneren der inneren Abgasverteileranordnung (148) bereitgestellt sind, zu einem einzelnen zentralen Auslass (259) umfasst.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016106441A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Aixtron Se Absaughaube in einem CVD-Reaktor

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001283944A1 (en) * 2000-09-22 2002-04-02 Aixtron Ag Gas inlet mechanism for cvd-method and device
US6670071B2 (en) * 2002-01-15 2003-12-30 Quallion Llc Electric storage battery construction and method of manufacture
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) * 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7456429B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
JP4883085B2 (ja) * 2006-06-28 2012-02-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成装置、及び、薄膜形成方法
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US20080166880A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair
WO2008156631A2 (en) * 2007-06-15 2008-12-24 Nanogram Corporation Reactive flow deposition and synthesis of inorganic foils
US9105449B2 (en) * 2007-06-29 2015-08-11 Lam Research Corporation Distributed power arrangements for localizing power delivery
US8528498B2 (en) * 2007-06-29 2013-09-10 Lam Research Corporation Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20100206229A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-19 Alta Devices, Inc. Vapor deposition reactor system
US20100212591A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-26 Alta Devices, Inc. Reactor lid assembly for vapor deposition
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US8470718B2 (en) * 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
JP5648349B2 (ja) * 2009-09-17 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
DE102010050258A1 (de) * 2010-11-02 2012-05-03 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
TR201903701T4 (tr) 2011-03-23 2019-04-22 Pilkington Group Ltd İnce film kaplamaların çöktürülmesi için düzenek ve bu düzeneğin kullanılması için çöktürme usulü.
EP2688850B1 (de) * 2011-03-23 2018-02-21 Pilkington Group Limited Verfahren zur ablagerung von zinkoxidbeschichtungen mittels cvd
US20130143415A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Applied Materials, Inc. Multi-Component Film Deposition
US9267205B1 (en) 2012-05-30 2016-02-23 Alta Devices, Inc. Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor
US12065735B2 (en) * 2013-07-25 2024-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus
US20150360242A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Linear Deposition Apparatus with Modular Assembly
US20150361548A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Injection Assembly in Linear Deposition Apparatus with Bulging Ridges Extending along Bottom Openings
EP2960059B1 (de) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systeme und verfahren zur modulation des durchflusses während der dampfstrahlabscheidung von organischen materialien
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
KR102337807B1 (ko) * 2014-11-14 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10780447B2 (en) * 2016-04-26 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
US11248292B2 (en) 2017-03-14 2022-02-15 Eastman Kodak Company Deposition system with moveable-position web guides
US10895011B2 (en) 2017-03-14 2021-01-19 Eastman Kodak Company Modular thin film deposition system
US20180265977A1 (en) 2017-03-14 2018-09-20 Eastman Kodak Company Deposition system with vacuum pre-loaded deposition head
US10400332B2 (en) * 2017-03-14 2019-09-03 Eastman Kodak Company Deposition system with interlocking deposition heads
US10501848B2 (en) 2017-03-14 2019-12-10 Eastman Kodak Company Deposition system with modular deposition heads
US10584413B2 (en) 2017-03-14 2020-03-10 Eastman Kodak Company Vertical system with vacuum pre-loaded deposition head
US10550476B2 (en) 2017-03-14 2020-02-04 Eastman Kodak Company Heated gas-bearing backer
US10422038B2 (en) 2017-03-14 2019-09-24 Eastman Kodak Company Dual gas bearing substrate positioning system
US10435788B2 (en) 2017-03-14 2019-10-08 Eastman Kodak Deposition system with repeating motion profile
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
KR102462797B1 (ko) * 2018-06-18 2022-11-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 펌프-퍼지 및 전구체 전달을 위한 가스 분배 조립체
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
US11332827B2 (en) * 2019-03-27 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density
US20230097346A1 (en) * 2021-09-30 2023-03-30 Applied Materials, Inc. Flow guide apparatuses for flow uniformity control in process chambers

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US4731995A (en) * 1986-11-05 1988-03-22 Edelbrock Corporation Exhaust manifold and an improved exhaust manifold, intake manifold and engine combination
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH0399747A (ja) * 1989-09-11 1991-04-24 Honda Motor Co Ltd デュアルタイプエキゾーストマニホールドの鋳造方法
US5136975A (en) * 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US6086710A (en) * 1995-04-07 2000-07-11 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
JP3498299B2 (ja) * 1996-01-08 2004-02-16 株式会社ユーメックス 排気マニホールドの構造
DE19643865C2 (de) * 1996-10-30 1999-04-08 Schott Glas Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben
US6352592B1 (en) * 1998-01-16 2002-03-05 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Free floating shield and semiconductor processing system
US5849088A (en) * 1998-01-16 1998-12-15 Watkins-Johnson Company Free floating shield
US6056824A (en) * 1998-01-16 2000-05-02 Silicon Valley Group Thermal Systems Free floating shield and semiconductor processing system
US6063235A (en) * 1998-08-14 2000-05-16 Plasmasil, Llc Gas discharge apparatus for wafer etching systems
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US20020134507A1 (en) * 1999-12-22 2002-09-26 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Gas delivery metering tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016106441A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Aixtron Se Absaughaube in einem CVD-Reaktor

Also Published As

Publication number Publication date
US20050183825A1 (en) 2005-08-25
TW548724B (en) 2003-08-21
EP1283279A2 (de) 2003-02-12
US6890386B2 (en) 2005-05-10
EP1283279A3 (de) 2003-03-05
EP1283279B1 (de) 2005-05-04
CN1397662A (zh) 2003-02-19
JP2003133243A (ja) 2003-05-09
SG104976A1 (en) 2004-07-30
KR20030007175A (ko) 2003-01-23
DE60203971D1 (de) 2005-06-09
US20030037729A1 (en) 2003-02-27

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