TW548724B - Modular injector and exhaust assembly - Google Patents
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Description
548724 A7 ______B7 五、發明説明(j 發明部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明大體係有關用以移送氣體之氣體注射器。更明 石萑言之,本發明係有關模 組式氣體移送注射器及排氣總成,此大爲提高氣體之均勻 分佈。 發明背景 氣體之移送爲製造半導體裝置之一重要處理步驟。移 送氣體來處理半導體,使用多種半導體製造裝備。在一例 中,使用化學物蒸氣沉積(C V D )系統,以輸送一些氣 體,此經由熱反應或分解,沉積一層材料,如氧化物薄膜 於半導體基體或晶圓之表面上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多種半導體製造裝備系統中之一重要組成件爲注射器 ,用以移送氣體至基體。在例如C V D系統,氣體需分佈 於基體上,俾氣體反應及沉積所需之薄膜或層於基體之表 面上。注射器之一用途爲以有控制及可再生之方式,輸送 氣體至所需之位置。氣體之有控制之分佈減少氣體之預先 混合及先行反應至最低程度,並從而增加氣體大致完全, 有效,及均勻反應之機會。如氣體流不加控制,則化學反 應並非最佳,且結果可能爲非均勻組成份及/或厚度之薄 膜。當發生如此時,半導體之適當功能受損,且可甚至失 敗。故此,注射器設計需以有控制及大致均勻之方式促進 氣體之輸送。 基於注射器之重要性,已發展出多種設計。先行技藝 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 548724 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(2> 注射器總成之二例說明於美專利6 , 0 2 2, 2 1 4及 6 , 200,389號,二者列作參考。其中說明一種長 或線式注射器之單個體,具有多個氣體出口沿注射器之長 度上延伸。而且,說明一種注射器總成,具有多個注射頭 構製於一個材料塊內。雖此等注射器顯示爲一有利之設計 ,但先行技藝多頭單個體注射器總成之製造價昂。製造時 間長,因爲每一注射器以相同之單個材料條依次機器加工 (使用線E D Μ )製成。 爲產出,當需使用多個注射器。當使用一單個體注射 器總成時,當注射器之數目增加時,製造時間亦增加。長 製造時間及高成本妨礙注射器構形之設計重複,此可改善 整個處理結果。而且,在每一連續製造步驟之期間中,單 個製造誤差有罝全部多個注射頭於危險中之增加可能。故 此,需要一種改良之注射器總成,此促使製造及組合更爲 谷易。 除注射器外,排氣系統在加強氣體之大致均勻及/或 有控制之移送至基體上,亦擔任重要任務,此系統普通連 接至注射器總成,用以移去氣體。在工業上有不斷之努力 ,以發展更佳之排氣系統,尤其是以大致均勻之方式移去 氣體之系統。隨注射器之數目之增加,排氣系統之複雜性 亦增加,且發生諸如排氣流之平衡等問題。由於需要多個 注射器來增加產出,故亦需要發展改良之排氣系統。 發明槪要 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 装- -訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -5- 548724 A7 _ _ B7 五、發明説明(3> 本發明之~目的在提供一種改良之注射器,用以移送 氣體。更明確言之,本發明之一目的在提供一種模組式氣 體移送注射器及排氣總成。 一方面,本發明提共一種用以移送氣體至一基體上之 注射器總成,包含一或更多內注射頭,相鄰並分開設置, 以形成至少一排氣槽道於其間。一或更多端注射頭,與一 或更多注射頭相鄰設置,並在其外側,並分開設置,以形 成一排氣槽道於其間。設置一安裝板,具有多個固定孔, 用以個別固定注射器及端注射頭,其中,注射器及端注射 頭可個別移離或加進注射器總成中。 在本發明之另一方面,注射器總成另包含一排氣總成 ,連接至安裝板,用以移去注射頭之氣體。特別有利者, 本發明使內注射頭及端注射頭分開排氣。此改善有控制之 排氣,即使該系統之構形不平衡時亦然。 在本發明之另一方面,設置一排氣總成,包含一下排 氣板,連接於安裝板。下排氣板具有張開之槽道構製於其 中,此沿下排氣板之大致長度上延伸。一上排氣板連接於 下排氣板。上排氣板具有排氣口構製於其中,此等構製成 並包含一長開口在底端上,沿上排氣板之大致長度上延伸 ,並在上排氣板之頂表面處終止成雙埠口。張開之排氣槽 道及排氣埠口與注射器總成中之棑氣槽道在流體上相通。 在本發明之又另一方面,排氣總成另包含一外排氣岐 管總成,在流體上與端注射頭相通;及一內排氣岐管總成 ,在流體上與內注射頭相通。在一實施例,內排氣岐管包 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -6- 548724 A7 B7 五、發明説明(j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 含一板,具有多個通道構製於其中。設有多個管,及每一 管連接一通道。管連接至一平衡單位。平衡單位具有多個 入口各用於一管及一單個出口。此提供平衡之排氣流,即 使注射器總成具有非偶數或非平衡數目之排氣槽道時亦然 0 附圖簡述 於閱讀以下所提供之本發明詳細說明及後附申請專利 範圍,並參考附圖後,可明瞭本發明之其他目的及優點, 在附圖中: 圖1顯示本發明之模組式化學物注射器總成之一實施 例之斷面圖; 圖2顯不本發明之一實施例之一單個模組式注射頭之 簡單組合圖; 圖3顯示圖1之多個注射頭及一端注射器之部份分解 斷面圖; 圖4顯示本發明之一實施例之注射器總成之底透視圖 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 圖5顯示本發明之安裝板之一實施之頂立視圖; 圖6顯不本發明之一實施例之一第一(下)排氣板之 實施之頂立視圖; 圖7顯不本發明之一實施例之一第二(頂)排氣板之 實施之頂立視圖; 圖8顯示沿圖7之線A - A ‘上所取之第二排氣板之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 548724 A7 B7 五、發明説明( 斷面圖; 圖9爲本發明之一實施例之第二排氣板之底平面圖; 圖1 0爲本發明之另一實施例之注射器及排氣總成之 頂透視圖, 圖1 1爲本發明之外排氣岐管之實施之簡單側視圖; 圖1 2及1 3爲本發明之一實施例之內排氣岐管之側 立視及側平面圖; 圖1 4 A及1 4 B顯示內排氣岐管總成之底平面之頂 及側平面圖; 圖1 4 C顯示沿圖1 4 A之線1 4 C 一 1 4 C所取之 斷面圖; 圖1 5顯示內排氣岐管總成之頂岐管之實施之組合圖 ? 圖16A爲本發明之一實施例之圖15之頂岐管之底 板之頂平面圖; 圖1 6 B顯示沿圖1 6 A之線1 6 B - 1 6 B上所取 之底板之斷面_ ; 圖1 7 A顯示本發明之一實施例之圖1 5之頂岐管之 頂板之頂平面圖;及 圖1 7 B顯示沿圖1 7 A之線1 7 B — 1 7 B上所取 之頂板之斷面圖。 主要元件對照表個數 1 2 0模組式注射器總成2 裝 訂 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 548724 經濟部智慧財產局Μ工涓費合作社印製 A7 B7五、發明説明(d 1 2 1基體 1 2 2注射頭 1 2 6安裝板 1 3 0排氣系統 1 3 2排氣槽 1 3 4排氣槽道 1 4 0排氣板 1 4 6排氣岐管 1 5 0通道 1 5 2分佈槽道 1 5 4移送表面 1 6 0氣體入口端蓋 1 6 3 開口 1 6 4密封 1 7 2計量管 1 7 8固定孔 2 1 0排氣口 2 3 4 U形管 2 3 5連接器 2 4 6平行單位 2 5 ◦頂板 2 5 2底板 2 5 5凹槽 2 6 0排氣管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -9- 548724 A7 B7 五、發明説明(7) 2 6 2凸緣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明之詳細說明 一般言之,本發明提供模組式化學物或氣體注射器及 排氣總成,能使氣體沿一長度,尤其是注射器之長度上分 佈,並使多個個別注射器合作,以形成注射器及排氣總成 ,此應付先行技藝之缺點。本發明之注射器總成由多個注 射頭構成,合作形成總成,俾在製程期間中,移送一或更 多氣體化學物至半導體晶圓或基體。本發明之注射頭包含 一或更多軸向對齊之通道,用以移送一或更多氣體通過一 或更多分佈通道至一移送表面。該總成另包含至少二端注 射頭,各置於總成之相對端。端注射頭亦包含一或更多軸 向對齊之通道,用以移送一或更多氣體通過一或更多槽道 至移送表面。在一實施例,總成另包含一安裝板,多個注 射頭固定於其上,使各個別注射器固定及合作。一排氣系 統連接安裝板,以排放或移去由注射器所移送之氣體。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 更明確言之,圖1顯示本發明之模組式注射器總成 1 2 0之一實施例之斷面槪要圖。在圖1所示之實施例中 ,總成1 2 0包含總共6個個別注射頭1 2 2 a — d及 1 2 4 a - b ;然而,精於本藝之人士明瞭該總成1 2 〇 可構_具有任何數目之注射器,以提供所需之化學物移送 至接近注射器總成1 2 〇所置之基體1 2 1 (圖3 )。六 注射頭包含內注射頭1 2 2 a - d及端注射頭1 2 4 a -b,沿X軸線置於總成之每一末端處。所有注射頭 -10- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 548724 A7 B7 五、發明説明(d 1 2 2 a - d及1 2 4 a — b置於並固定於一*安裝板 1 2 6上。安裝板1 2 6充分堅固,以支持及維持注射頭 之重量固定。安裝板1 2 6連接至一排氣系統3 0,以下 詳細說明之。雖未顯示,但整個注射器及排氣總成通常置 於一系統,諸如C V D系統內,例如美專利 6,〇22, 4 1 4 ; 6 , 2 0 0, 389 號;以及美序 號0 9 / 7 5 7 , 5 4 2所述之型式,其整個說明列作參 考。 在一實施例,內注射頭1 2 2 a - d及端注射頭a -b (有時總稱爲”注射器”)設置情形爲,排氣槽道 1 3 4 a - e構製於每一端注射器及一相鄰注射器之間, 及每一相鄰注射器之間。例如,一第一排氣槽道1 3 4 a 構製於一第一端注射器1 2 4 a及一第一注射器1 2 2 a 之間。一第二排氣槽道1 3 4 b構製於第一注射器 1 2 2 a及一第二注射器1 2 2 b之間。~第三排氣槽道 1 3 4 c構製於第二及第三注射器1 2 2 b及1 2 2 c之 經濟部智慧財產^7M工消費合作社印製 間。一第四排氣槽道1 3 4 d構製於第三及第四注射器 1 2 2 c及1 2 2 d之間。一第五排氣槽道1 3 4 e構製 於弟四注射益1 2 2 ci及弟一^贿注射器1 2 4 b之間^注 射頭1 2 2及注射器1 2 4構造及設置情形爲,棑氣槽道 沿Y軸線延伸於注射器之高度,並進入安裝板1 2 6中。 內注射頭及端注射頭固定於安裝板1 2 6 ,俾排氣槽道 1 3 4與安裝板1 2 6及排氣系統或總成1 3 〇中所構製 之排氣槽1 3 2相對應,如以下詳細說明。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548724 A7 B7 五、發明説明(d 參考圖2及3,每一注射頭1 2 2 a - d包含一或更 多長通道1 5 0,此等沿Z軸線(顯示進入圖1之紙張中 )延伸於注射器之長度上。一分佈槽道1 5 2自每一長通 道1 5 0延伸進入化學物移送表面1 5 4。自每一長通道 1 5 0延伸之每一分佈槽道1 5 2收歛於移送表面1 5 4 內所界定之一區域1 5 6。區域1 5 6可凹入,如顯示於 圖1及3。或且,區域156可爲平面或甚至凸出。分佈 槽道152,區域156,及移送表面154可延伸於注 射頭1 2 2之長度上。在另一實施例,一或更多長通道 1 5 0及/或分佈槽道1 5 2可在其末端處加以限制(諸 如堵住,塞住,及/或塡住),以防止一或更多反應劑跨 越注射器之整個長度。此限制在沉積區處之反應製程跨越 至注射器之總長度內,並減少發生反應製程通過晶圓 1 2 1之邊緣至最低程度。 再參考圖2,爲提供氣體至注射器總成1 2 0,氣體 入口端蓋1 6 0及1 6 2連接至注射器之每一端,俾使氣 體化學物可供應至長通道1 5 0中。端蓋1 6 0及1 6 2 各包含一或更多開口 1 6 3,此等與通道1 5 0之任一相 對應。端蓋固定於氣體供應入口(未顯示),以移送氣體 通過開口 16 3,並進入通道150中。應注意每一端蓋 1 6 0或1 6 2處之開口 1 6 3無需爲相同組態,且氣體 可在注射器之任一端或二端處輸送進入通道1 5 0中,視 每一端蓋中之開口 1 6 3之設置而定。例如,如顯示於圖 2,端蓋160具有二開口 163對齊通道150b及 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12- 548724 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(如1 5 0 c,及έ而蓋1 6 2具有一開口 1 6 3對齊通道 1 5 0 a。密封件1 6 4置於注射頭及每一端蓋1 6 〇, 1 6 2之間,以提供氣密密封。密封件1 6 4可爲銅材料 ,因此,在硬焊處理期間中,銅材料熔化,以形成一單個 體,在此,端蓋1 6 0,1 6 2硬焊於注射頭上。或且, 端蓋1 6 0,1 6 2可由鉚釘,螺栓,銷,或用以固定金 屬元件之大致任何其他裝置固定於注射頭上。 爲沉積一材料層或薄膜於基體1 2 1上,反應劑氣體 輸送通通道及分佈槽道而至氣體移送表面1 5 4。特別有 利者,氣體可分開輸送於每一通道 1 5 0及槽道1 5 2中。此減少氣體之預先混合及/ 或預先反應至最低程度。當氣體進入區域1 5 6中時,各 氣體混合,並在氣體移送表面154之區域中反應,並沉 積一材料層於基體1 2 1之表面上。當沉積例如二氧化矽 薄膜時,矽烷及氧,或TEOS及臭氧可分別輸送於每一 通道1 5 0中。而且,洗滌氣體,諸如氮等可分開輸送於 一或更多通道1 5 0中。洗滌氣體可用以隔離一沉積區及 相鄰區,且亦可協助防止反應氣體之預先反應。或且,一 或更多通道1 5 0亦可構製用以移送一蝕刻劑族群,以減 少沉積物積聚於注射器總成1 2 0內。 移送表面1 5 4自凹下區向二方向伸出至注射頭之外 邊緣1 5 8 a - b ,提供增加之表面積,及因而增加氣體 曝露於露出之產品或基體1 2 1 (諸如矽晶圓)上,提供 更大之化學反應。長通道150可包含計量管172,此 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 548724 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明(A 協助提供氣體均勻分佈通過長通道。在一實施例,注射器 包含一或更多額外長通道1 7 4,構製於注射器內,並延 伸於注射器之長度上,以供冷卻流體循環,俾控制注射器 之溫度。 在一實施例,端注射頭1 2 4 a - b構造用以在沉積 之期間中移送洗滌氣體。洗滌氣體流宜用以形成惰性氣體 障壁或半密封1 7 6於端注射頭1 2 4 a - b下方區域及 基體1 2 1間,以大致防止反應劑氣體逸出沉積區,並進 入C V D裝置(未顯示)之其他部份或周圍環境中。端注 射器1 2 4 a,b亦包含一段材料向基體表面凸出,製造 一狹窄之肅淸區包圍注射器總成之周邊,在此凸出部及基 體之間,製造一”半密封”。此半密封協助減少所需製程 區外之反應劑族類之擴散至最低程度。在另一實施例,端 注射頭1 2 4可構造用以移送一蝕刻劑族群,以減少注射 器總成1 2 0內沉積物之積聚至最低程度。 如上述,本發明提供一模組式注射器總成1 2 0。注 射頭各爲分開件,此等安排及個別安裝,以形成總成 1 2 0。此提供大彈性。個別注射頭1 2 2,1 2 4可一 起更換或移去。可加進額外之注射頭122, 124。可 使用不同型式之注射頭122, 124,以製造不同之沉 積組態。如此可依不同之應用,修改,最佳化,及/或更 改裝備系統之室構形。注射器1 2 2 a - d可由跨越前注 射器1 2 2 a - d所佔之整個區域之一個注射器取代,製 造具有大爲加長之氣體移送表面1 5 4之一注射器。如此 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ΓηΓ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 線 548724 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(也 可Μ吏Μ要在製程反應器內遠較爲大之駐留時間之化學及 反應。 胃Β月確言之,本發明之模組特色更詳細顯示於圖4及 5 ° —般言之,注射器總成1 2 0固定於安裝板1 2 6。 如以上所述,特別有利者,本發明使每一注射頭1 2 2, 1 2 4個別女裝於安裝板1 2 6上。在一實施例,如顯示 於圖5,安裝板1 2 6爲側壁1 3 1所製,具有一凸緣 1 3 3形成一上表面,並具有一凹槽,具有一底表面 1 3 5 ° —或更多排氣槽1 3 2及多個固定孔1 78構製 於底表面1 3 5內。排氣槽1 3 2沿Ζ軸線延伸於大致安 裝板1 2 6之長度,並對齊注射器總成1 2 0之每一排氣 槽13 4,並與其相通。固定孔17 8設置穿過底表面 1 3 5,用以固定注射頭1 22,1 24及以下所述之排 氣板於安裝板1 2 6上。雖已顯示安裝板1 2 6之一實施 ,但精於本藝之人士應明暸安裝板1 2 6可採取其他形狀 ,諸如具有排氣槽及固定孔之平坦板,而不脫離本發明之 範圍。 一排氣總成1 3 0連接至安裝板1 2 6 ,更詳細顯示 於圖6至1 0。排氣總成1 3 0由一下排氣板1 4 0,一 上排氣板1 4 2,一外排氣岐管1 4 6,及一內排氣岐管 148構成。一般言之,下及上排氣板140及142用 以直接配接注射器之排氣槽道1 3 4,以移去注射器總成 中之氣體,及外及內排氣岐管1 4 6及1 4 8用以平衡來 自注射器總成之末端及中心之排氣流,以促進有控制及大 I辦衣 I I 訂 I I I I線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -15- 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 548724 A7 ____ B7__________ 五、發明説明(h 致均勻之氣體排出。 參考圖6 ,詳細顯示下排氣板1 4 0,及斷面圖顯示 於圖1。一般言之,下排氣板1 4 0由一構件1 4 1構成 ,具有一或更多向外張開之排氣槽道1 3 6構製穿過其中 。張開之排氣槽道1 3 6爲長形,並沿Z軸線大致延伸於 下排氣板1 4 0之長度上。一張開之排氣槽道1 3 6提供 給注射器總成1 2 0之每一排氣槽1 3 4。下排氣板 140固定於安裝板126內,且與注射頭一起設置,俾 張開之排氣槽道1 3 6 (閱圖1 )對齊安裝板1 2 6中所 構製之排氣槽道1 3 2及相鄰注射頭1 2 2,1 2 4間所 形成之排氣槽1 3 4。張開之排氣槽道1 3 6在鄰接安裝 板1 2 6之底部處大體較窄,及然後以大致線性方式向外 張開,在鄰近上排氣板1 4 2之頂部處較寬。在另一實施 例中,張開之排氣槽道1 3 6可依一輪廓方式,而非線性 方式張開。例如,較寬輪廓之開口可置於槽道1 3 6之上 端。在一些應用中,宜在注射器之末端處具有較高之拉伸 ,以降低在注射器下方橫邊緣附近不均勻沉積於基體上。 下排氣板1 4 0之張開之槽道1 3 6另對齊上排氣板 1 4 2之排氣口 2 1 0,此鄰接下排氣板1 4 0連接。此 提供一大致連續之排氣流徑路自氣體移送表面1 5 4,並 通過下及上排氣板出去。上排氣板1 4 2置於下排氣板 1 4 0上,並固定於安裝板1 2 6。構製固定孔,以接受 螺栓,鉚釘,銷,或用以固定上及下排氣板於安裝板之大 致任何其他裝置。 ---------t-------IT------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 548724 A7 B7
五、發明説明(A 特別有利者,本發明以有控制及/或大致均句之方式 移去氣體。明確言之,本發明使氣體自一 ”線源,,排放至 一”點源”;即是氣沿注射器之長度上(即線源)排放通 過排氣槽道134,通過下及上排氣板140及142至 上排氣板1 4 2之頂部中之出口 2 1 0 (即點源)。 參考圖1,及7至9,更詳細說明此特色。如上述, 下排氣板1 4 0中之排氣槽道1 3 6向外張開,此對排氣 提供較大之容量。上排氣板1 4 2包含一或更多排氣口 2 1 0構製於並延伸穿過第二排氣板1 4 2。排氣口 2 1 0並非均勻形狀。如圖8之斷面圖(此延伸於注射器 總成1 2 0之長度)所示,排氣口2 1 0 a具有一寬長之 開口端2 1 3在其底端,此沿Z軸線延伸大致於上排氣板 之長度,及然後向內收縮,以終止於上排氣板1 4 2之頂 表面2 1 2處之宜二(即雙)個較窄之排氣口 2 1 0 a 1 及2 1 0 a 2。雖顯示二排氣□,但在其他實施例,可使 用僅一個或二個以上之排氣口。爲促進大致均勻之排氣流 ,設置雙排氣口21〇31及210a2,俾二內穴 216a及216b各有一排氣口,由一中心部份220 分開,及凹穴216a及216b各張開,俾在每一排氣 口之寬端2 1 3處之長度L大致等於第一排氣板1 4 0之 張開之排氣槽道1 3 6之長度之一半。在一較宜之實施例 ,自晶圓表面至上排氣板之雙出口之開始之排氣徑路之高 度與寬度之高寬比約爲0.6或更大。 固定孔1 7 8構製於上排氣板1 4 2中,以固定及對 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -17- 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 548724 A7 B7
五、發明説明(A 齊上排氣板及下排氣板1 4 0及安裝板,俾確保對齊所有 排氣槽及槽道,並另確保整個總成間之氣密密封。排氣管 安裝孔214構製於每一排氣口210周圍,俾可固定排 氣管(說明於下)於上排氣板1 4 2,形成氣密密封。 特別有利者,本發明之排氣系統另含有裝置,用以平 衡來自注射頭1 2 2 a - d及注射頭1 2 2 a - b之排氣 流。設置用以平衡排氣流之裝置提高注射器總成1 2 0設 計之更大彈性及選擇。例如,對注射器總成之內及外區域 設置獨立之排氣岐管使注射器總成可使用不平衡或不均勻 數目之注射器或排氣槽道(諸如圖1所示,在此,有五個 排氣槽道134a至134e)。 ' 更明確言之,在一示範實施例中,排氣系統1 3 0另 包含一外排氣岐管1 4 6及一內排氣岐管總成1 4 8,如 詳細顯示於圖1 0至1 7。一般言之,外排氣岐管1 4 6 包含二板2 3 0,各大體延伸於注射器總成1 2 0之大致 長度上,並具有二通道2 3 2,板2 3 0之二端各構製一 通道。一U形管2 3 4連接至板2 3 0上之每一通道 232。一適當之連接器235,諸如一魚口凸緣連接至 U形管,宜在彎曲部份之頂部處,用以連接該管及板至一 公共外排氣管237。 外排氣岐管1 4 6與端注射頭1 2 4 a - b二者在流 體上相通,並提供最後排氣流徑路,供氣體通過注射器總 成1 2 0中之最外排氣槽道(即是,圖中所示之圖解示範 實施例中之排氣槽道1 3 4 a及1 3 4 e )。明確言之, ---------^------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧΜ7公釐) -18- 548724 A7 B7 五、發明説明(1)5 每一板2 3 0固定於上排氣板1 4 2,俾在板2 3 0之每 一端處之通道2 3 2縱向對齊雙出口 2 1 0 a 1及 2 1 0 a 2,此等與最外或端注射頭1 2 4 a — b及注射 器1 2 2 a,d之外半部之排氣槽道相對應。由於有二端 注射器1 2 4 a及1 2 4 b置於注射總成1 2 0之相對端 ,故外排氣岐管1 4 6包含二對應之板2 3 0及管2 3 4 總成,置於上排氣板1 4 2之相對端。二板2 3 0及管 2 3 4總成經一 T連接器2 3 8 —起連接至外排氣管 2 3 7。如此,爲移去端注射頭1 2 4 a - b及注射器 1 2 2 a,d外側之氣體,氣體流過最外排氣槽道 134a及134e,向上流過安裝板126中之對應之 最外排氣槽1 3 2,通過下及上排氣板中之對應最外排氣 槽道136a及136e及210a及210e,並流出 外排氣岐管之通道2 3 2及管2 3 4,流出外排氣管 2 3 7,及最後到達公共主排氣導管2 3 6。 大有利者,本發明使注射器總成之內及最外排氣槽道 分開排氣。爲內槽道排氣(例如,圖解示範實施例中所示 之排氣槽道134b, 134c,及134d),使用內 排氣岐管總成1 4 8。內排氣岐管總成1 4 8更特別參考 圖12至17顯示。內排氣岐管包含一板240,此大體 延伸於注射器總成 1 2 0之大致長度上。多個通道2 4 2構製於板 240內。如顯示於圖12,通道242成對設置,一對 中之每一通道沿縱向設置於板2 4 0之相對端。一管 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 548724 A7 ___B7___ 五、發明説明(士 244連接至板240上之每一通道242,此連接各別 通道至一平衡單位2 4 6。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與外排氣岐管1 4 6同樣,內排氣岐管1 4 8與內注 射頭122a — d之內半部及全部內注射器122b,c 在流體上相通,並提供最後排氣流徑路給通過注射器總成 1 2 0中之內排氣槽道(即在圖示之圖解示範實施例中, 排氣槽道134b,134c及134d)之氣體。明確 言之,板240固定於上排氣板142,俾在板240之 每端處之通道2 4 2縱向對齊與內注射頭1 2 2 b, 122c,及122d之排氣槽道相對應之雙出口 2 1 0 a及2 1 0 b。雖圖解之實施例顯示三內主射頭, 每一注射器具有二(即雙)出口,從而提供六通道2 4 2 於板2 4 2中,但精於本藝之人士明瞭可使用其他構造, 而不脫離本發明之範圍。 爲系統排氣,氣體流過內排氣槽道1 3 4 b , 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 134c及134d,向上通過安裝板126中之對應內 排氣槽1 3 2,通過下及上排氣板之對應內排氣槽道 13 6b, 136c 及 136d,及 210b, 210c ,及210d,並流出通道242,及進入管244中。 管2 4 4在另一端連接至平衡單位2 4 6。特別有利者, 平衡單位2 4 6促進排氣之大致均勻流,即使當使用奇或 非偶數之排氣槽道時亦然。 平衡單位更詳細顯示於圖1 5至1 7 B。一般言之, 平衡單位246包含一頂板250,一底板252,及一 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) 548724 經濟部智慧財產局S(工消費合作社印製 A7 B7 一--------- 五、發明说明(ih 中心片或銅箱2 5 4 °多個凹槽2 5 5構製於底板2 5 2 內,更特別顯示於圖1 6 A及1 6 B。每一管2 4 4構製 有一凹槽2 5 5。凹槽2 5 5各具有一入口 2 5 6置於一 端,各別管在此連接至平衡單位。凹槽2 5 5各向內向單 位2 4 6之中心延伸,槽道2 5 9之相端在此收歛於一中 心區258,具有一出口259。出口259經凸緣 2 6 2連接至內排氣管2 6 0。內排氣管2 6 0在此例中 經閥3 0 0連接至主排氣管2 3 6。 如顯示於圖1 7 A及1 7 B ,頂板2 5 0亦包含多個 凹槽2 6 5,此等向內向一中心凹下區2 6 8中之該單位 之中心收歛。頂板之凹槽2 6 5及中心區爲底板2 5 2中 之凹槽2 5 5之鏡影,唯無入口或出口。如此,當頂 2 5 0及底2 5 2板密封時,在其中形成多個槽道,具有 多個入口 2 5 6及一單個中心出口 2 5 8在平衡單位2 4 6之底表面中。 平衡單位2 4 6中之槽道與來自內注射頭1 2 2之排 氣流在流體上相通。如上述,此排氣流進管2 4 4中。管 244各連接至底板252中之一入口 256。氣體流進 入口256,並通過槽道,及流出中心出口258及口 2 5 9。來自所有多個入口 2 5 6之氣體輸送至一單個中 心出口 2 5 8,此平衡來自每一各別管之氣體流,且在流 體上相通,如此平衡來自注射器總成之每一排氣槽道 1 3 6之氣體流。在一較宜之實施例,排氣管2 4 4所有 均爲相同長度及形狀,及平衡單位2 4 6提供相同長度之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 548724 Α7 Β7 五、發明説明(也 ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 每一排氣徑路自內口 2 1 0至最後出口 2 5 9。除內及夕f 排氣徑路之上述平衡外,閥3 0 0之使用使注射器1 2 0 可操作於一第二模式。由關閉閥3 0 0 ,可經由魚口凸緣 3 0 1引進能淸掃反應副產物之一氣體族群於內排氣管中 。當連接內排氣至主排氣之閥關閉時,淸掃氣體流回通過 內排氣平衡器,並經多個內排氣徑路而進入處理室。平衡 單位用以均勻分佈淸掃氣體至延伸進入處理室中之每一排 氣徑路。淸掃氣體與沉積副產物反應之流出物均經二外排 氣徑路移出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 總而言之,本發明之模組式注射器及排氣總成包含一 單個長體,具有長通道及分佈槽道。在一實施例,長通道 ,分佈槽道,及凹下區經由線E D Μ處理製造。然後由硬 焊,螺栓,或其他裝置固定氣體入口端蓋及注射器於注射 器總成上,以形成注射器體本身。可安裝計量管,此等傳 送及分佈來自注射器體之頂部中之個別入口之各別化學物 ,以均勻分佈於每一長槽道內,此然後輸送至移送表面。 多個此等注射器由螺栓固定於一單個安裝板上,此使多個 注射器相互固定。由並排設置二注射器側邊形成排氣徑路 ,相隔一間隔距離。安裝板包含排氣槽,此等對齊張開之 排氣槽道,及額外之排氣管或導管由螺栓固定於安裝板之 頂部及然後於排氣總成,以引導排放之副產物於沉積區外 。具有注射器之安裝板然後安裝於C V D室上,從而,注 射器移送表面形成處理室之內表面。 本發明之模組式注射器較之先行技藝多塊式注射器有 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 548724 Α7 Β7 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 五、發明説明(土 利。模組式注射器之製造使線E D Μ步驟可平行發生於若 干機器工具中。此大爲減少製造時間。模組式方面另可更 換發生損壞之個別機件。模組式注射器亦可執行更改注射 器表面之詳細形狀,而無在單個單位中執行此更改之時間 及費用。硬焊注射器體之端蓋取決於遠較爲少之每一注射 器之特色,如此提高硬焊處理之成功,減少浪費及成本。 由於重量及體積之減少,固別注射器使總成建造前之製造 及處理較易。電拋光與反應氣體接觸之表面在較小,較輕 之全曝露之個別注射器上較易。而且,由於錯誤,損壞, 或其他問題所造成之浪費大爲降低。 個別注射器固定於一介面板(未顯示)上,此提供氣 體,水,及氮氣饋給(未顯示),並建立排氣徑路寬度。 個別注射器之端蓋互相鎖定,以防止氣體在注射器末端漏 出,並提供半密封。由於每一注射器有個別岐管,故每一 注射器可具有不同之化學物組成份,視製程需要而定。下 排氣板可包含一修改之出口形狀,以影響沉積氣體速度流 場形態。端注射器提供惰性氣體區,鄰近反應劑族群區之 二端,並提供半密封於總成1 2 0之每一末端。注射器槽 道,區域,移送表面,及輪廓可改變,以最佳化沉積率, 提高化學物使用效率,並改善氣流徑路。排氣槽道,槽, 口,及管路提高室內均勻排出氣流。 精於本藝之人士於閱讀本發明說明後,明瞭本發明之 其他特色及優點。已提供本發明之特定實施例及實例之以 上說明,供例解及說明之用,且雖已以一些前例圖解本發 ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 公釐) -23- 548724 A7 B7
五、發明説明(A 明,但不應解釋爲由此限制。並無排他或限制本發明於所 發表之精確形態,且基於以上述說,顯然可作許多修改, 實施例,及改變。本發明之範圍涵蓋此處所述之槪括方面 ,及後附申請專利範圍及其相等者。 ——-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,·!· 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 -24 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 548724 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 . 一種用以移送氣體至基體上之注射器總成,包含 至少二注射器,相鄰並分開設置,以形成至少一排氣 槽道於其間;及 一安裝板,用以固定該至少二注射器,其中,至少二 注射器各可個別安裝於安裝板上及自其上移下,及安裝板 設有至少一排氣槽與至少一排氣槽道成流體相通。 2 .如申請專利範圍第1項所述之注射器總成,其中 ,各注射器爲相同型式。 3 .如申請專利範圍第1項所述之注射器總成,其中 ,各注射器爲不同型式。 4 .如申請專利範圍第1項所述之注射器總成,其中 ,注射器另包含z 一單個長構件,具有端表面,及一長外氣體移送表面 ,該氣體移送表面沿構件之長度延伸,直接面對基體; 至少一長通道,構製於長構件中,並延伸於端表面之 間,用以接受氣體;及 至少一細長之分佈槽,構製於單個長構件中,並延伸 於長通道及氣體移送表面之間,用以沿氣體移送表面上移 送氣體。 5 .如申請專利範圍第4項所述之注射器總成,其中 ,氣體移送表面包含一中心凹下區。 6 .如申請專利範圍第1項所述之注射器總成,其中 ,該至少一排氣槽沿安裝板之大致長度上延伸,並對齊至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)548724 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 少一排氣槽道。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利範圍第1項所述之注射器總成,其中 ,另包含一排氣總成,連接於安裝板,用以移去注射器之 氣體。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之注射器總成,其中 ,排氣總成包含: 一下排氣板,連接於安裝板,下排氣板設有至少一排 氣槽道與安裝板中之至少一排氣槽在流體上相通;及 一上排氣板,連接於下排氣板,上排氣板設有至少一 排氣口與下排氣板之至少一排氣槽道在流體上相通。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之注射器總成,其中 下排氣板中之該至少一排氣槽道沿下排氣板之大致長 度上延伸,並對齊安裝板中之至少一排氣槽。 1 〇 .如申請專利範圍第9項所述之注射器總成,其 中, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下排氣板中之該至少一排氣槽道沿下排氣板之高度上 張開。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項所述之注射器總成, 其中, 下排氣板中之至少一排氣槽道在下排氣板之頂表面處 較寬,及在下排氣板之底表面處較窄。 1 2 .如申請專利範圍第8項所述之注射器總成,其 中, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26 - 548724 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___D8__ 7T、申請專利耽圍 3 該至少一排氣口由在底端處之一長開口構成,沿上排 氣板之大致長度上延伸,該長開口向內收縮,並在上排氣 板之頂表面處終止成至少一口。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之注射器總成, 其中,長開口終止成多個口於上排氣板之頂表面處。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之注射器總成, 其中,長開口終止成二個口於上排氣板之頂表面處。 1 5 ·如申請專利範圍第7項所述之注射器總成,其 中,該至少二注射器包含 · 一或更多內注射器,相鄰且分開設置,以形成一第一 排氣槽道於其間; 一或更多端注射器,與一或更多內注射器相鄰設置且 在其外側,且分開設置,以形成一第二排氣槽道於其間; 該排氣總成另包含: 一內排氣岐管總成,在流體上與第一排氣槽道相通; 及 一外排氣岐管總成,在流體上與第二排氣槽道相通。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之注射器總成, 其中,氣密密封設置於一或更多端注射器及一或更多內注 射器之間。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項所述之注射器總成, 其中,內排氣岐管總成包含: 一板,設有多個通道於其中; 多個管,連接至多個通道之每一個;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 絲 548724 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 A、申請專利範圍 4 一平衡單位,具有多個入口各供一管使用,及一單個 出口。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之注射器總成, 其中,平衡單位另設有多個槽道連接多個入口及單個出口 〇 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之注射器總成, 其中,平衡單位包含 一底板,設有多個凹槽向內延伸至底板之一中心區, 及多個入口在多個凹槽之每一端處;及 · 一頂板,設有多個凹槽向內延伸至頂板之一中心區; 其中 底及頂板中之凹槽及中心區爲鏡影,並構成該多個槽 道連接多個人口及單個出口。 2 0 · —種注射器總成,包含: 至少二注射器,相鄰並分開設置,以形成至少一排氣 槽道於其間; 一安裝板,用以固定該至少二注射器,其中,至少二 注射器各可個別安裝於安裝板上或自其上移下,及安裝板 設有至少一排氣槽與至少一排氣槽道成流體相通;及 一排氣總成,連接於安裝板,用以移去注射器之氣體 ,其中,排氣總成包含一平衡單位,用以提供排氣之均勻 流動。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項所述之注射器總成, 其中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28 - -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言548724 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利乾圍 5 該至少二注射器包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一或更多內注射器,相鄰並分開設置,以形成一第一 排氣槽道於其間; 一或更多端注射器,與一或更多內注射器相鄰設置並 在其外側,並分開設置,以形成一第二排氣槽道於其間; 該排氣總成包含: 一內排氣岐管總成,與第一排氣槽道在流體上相通; 及 一外排氣岐管總成,與第二排氣槽道在流體上相通; 及 內排氣岐管總成包含一平衡單位,設有多個槽道在流 體上與來自內注射器之排氣相通。 22.—種移送氣體至基體之方法,包括: 相鄰且分開設置一或更多內注射器,以形成一第一排 氣槽道於其間; 設置一或更多端注射器,與一或更多內注射器相鄰且 在其外側並分開,以形成一第二排氣槽道於其間; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經由內注射器及端注射器移送各別氣體至基體; 經由一內排氣岐管總成移去第一排氣槽道中之排氣; 及 經由一外排氣岐管總成移去第二排氣槽道中之排氣。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法,其中, 移去內注射器及端注射器中之排氣之步驟包括沿底表面之 長度上排放槽道中之氣體至內及外排氣岐管總成之頂表面 ϋ張尺度適用中國國家標隼(CNS > A4規格(210X297公釐) 548724 A8 B8 C8 ___ D8_____ 六、申請專利範圍 6 處之埠口。 2 4 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法,其中, 移去內注射器中之排氣包括經由設置於內排氣岐管總成內 之一平衡單位中所設置之多個槽道,收歛來自多個入口之 排氣至一單個中心出口。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30 -
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US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
US7581511B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7647886B2 (en) * | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
US7258892B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
US7906393B2 (en) * | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
US8133554B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US7456429B2 (en) | 2006-03-29 | 2008-11-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for atomic layer deposition |
JP4883085B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-02-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜形成装置、及び、薄膜形成方法 |
US20080166880A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
US7789961B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
US20100015731A1 (en) * | 2007-02-20 | 2010-01-21 | Lam Research Corporation | Method of low-k dielectric film repair |
KR20100029126A (ko) * | 2007-06-15 | 2010-03-15 | 나노그램 코포레이션 | 무기물 포일의 반응성 유동 증착 및 합성 |
US8528498B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity |
US9105449B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Distributed power arrangements for localizing power delivery |
US8211231B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Delivery device for deposition |
US8398770B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-03-19 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US8333839B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-12-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor |
US20100212591A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-26 | Alta Devices, Inc. | Reactor lid assembly for vapor deposition |
US20100206229A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Vapor deposition reactor system |
GB0816186D0 (en) * | 2008-09-05 | 2008-10-15 | Aviza Technologies Ltd | Gas delivery device |
US8470718B2 (en) * | 2008-08-13 | 2013-06-25 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
US8758512B2 (en) * | 2009-06-08 | 2014-06-24 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
JP5648349B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20110076421A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface |
DE102010050258A1 (de) * | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
US20120225191A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition |
US20120225203A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition |
EP2688850B1 (en) | 2011-03-23 | 2018-02-21 | Pilkington Group Limited | Method of depositing zinc oxide coatings by chemical vapor deposition |
EP2688851B1 (en) | 2011-03-23 | 2019-01-23 | Pilkington Group Limited | Apparatus for depositing thin film coatings and method of deposition utilizing such apparatus |
US20130143415A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multi-Component Film Deposition |
US9267205B1 (en) | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
US20200173015A1 (en) * | 2013-07-25 | 2020-06-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus |
US20150360242A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Veeco Ald Inc. | Linear Deposition Apparatus with Modular Assembly |
US20150361548A1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Veeco Ald Inc. | Injection Assembly in Linear Deposition Apparatus with Bulging Ridges Extending along Bottom Openings |
US11220737B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
KR102337807B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR102420015B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
US10294562B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-05-21 | Aixtron Se | Exhaust manifold in a CVD reactor |
US10780447B2 (en) * | 2016-04-26 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead |
US10400332B2 (en) * | 2017-03-14 | 2019-09-03 | Eastman Kodak Company | Deposition system with interlocking deposition heads |
US10435788B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-10-08 | Eastman Kodak | Deposition system with repeating motion profile |
US10422038B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-09-24 | Eastman Kodak Company | Dual gas bearing substrate positioning system |
US10501848B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-12-10 | Eastman Kodak Company | Deposition system with modular deposition heads |
US20180265977A1 (en) | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Eastman Kodak Company | Deposition system with vacuum pre-loaded deposition head |
US11248292B2 (en) | 2017-03-14 | 2022-02-15 | Eastman Kodak Company | Deposition system with moveable-position web guides |
US10550476B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-02-04 | Eastman Kodak Company | Heated gas-bearing backer |
US10584413B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-03-10 | Eastman Kodak Company | Vertical system with vacuum pre-loaded deposition head |
US10895011B2 (en) | 2017-03-14 | 2021-01-19 | Eastman Kodak Company | Modular thin film deposition system |
JP6640781B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-02-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
TWI821314B (zh) * | 2018-06-18 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改良式泵吹洗及前驅物輸送之氣體分配組件 |
KR102576220B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법 |
US11332827B2 (en) * | 2019-03-27 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density |
US20230097346A1 (en) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Applied Materials, Inc. | Flow guide apparatuses for flow uniformity control in process chambers |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4252595A (en) * | 1976-01-29 | 1981-02-24 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Etching apparatus using a plasma |
US4590042A (en) * | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
US4731995A (en) * | 1986-11-05 | 1988-03-22 | Edelbrock Corporation | Exhaust manifold and an improved exhaust manifold, intake manifold and engine combination |
US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
JPH0399747A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-24 | Honda Motor Co Ltd | デュアルタイプエキゾーストマニホールドの鋳造方法 |
US5136975A (en) * | 1990-06-21 | 1992-08-11 | Watkins-Johnson Company | Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface |
US5599387A (en) * | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
US6200389B1 (en) * | 1994-07-18 | 2001-03-13 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Single body injector and deposition chamber |
US6022414A (en) * | 1994-07-18 | 2000-02-08 | Semiconductor Equipment Group, Llc | Single body injector and method for delivering gases to a surface |
JP3959745B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置 |
JP3498299B2 (ja) * | 1996-01-08 | 2004-02-16 | 株式会社ユーメックス | 排気マニホールドの構造 |
DE19643865C2 (de) * | 1996-10-30 | 1999-04-08 | Schott Glas | Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
US5849088A (en) * | 1998-01-16 | 1998-12-15 | Watkins-Johnson Company | Free floating shield |
US6352592B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-03-05 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Free floating shield and semiconductor processing system |
US6056824A (en) * | 1998-01-16 | 2000-05-02 | Silicon Valley Group Thermal Systems | Free floating shield and semiconductor processing system |
US6063235A (en) * | 1998-08-14 | 2000-05-16 | Plasmasil, Llc | Gas discharge apparatus for wafer etching systems |
US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
US20020134507A1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-09-26 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Gas delivery metering tube |
-
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