JP2001257170A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な面内膜厚分布等を得ることができる成膜
方法を提供する。 【解決手段】ヒータ７０と、反応管本体２０とガス加熱
管４０とを備える。反応ガスは、管４５内を左右に分岐
し、下側の管４６および４７をそれぞれ流れた後、折り
返して上側の管４８、４９をそれぞれ流れ、その後、管
５０に流入する。反応ガスはこのようにして予備加熱さ
れた後に、横一列に配列されたガス導出口６０を介して
反応管本体２０内に供給され、反応ガスは、ガス加熱管
４０により予め加熱されて反応管本体２０内に導入さ
れ、しかも、半導体ウェーハ９０表面上で流れが層流と
なるように流されるので、半導体ウェーハ９０上に成膜
される膜の面内均一性等が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法に関し、
特に、枚葉式または少量枚数で、半導体ウェーハに成膜
等の処理を行う基板処理装置を用いる成膜方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の基板処理装置に用いられ
る反応管は次のような構造であった。図１５は、従来の
基板処理装置で使用する反応管を説明するための平面図
である。

【０００３】この基板処理装置２００は、ヒータ７０
と、ヒータ７０内に設けられた反応管８０とを備えてい
る。反応管８０は、反応管本体８１と反応ガス導入管８
５と反応管フランジ８３とを備えている。反応管本体８
１の上流側の中央部には反応ガス導入口８２が設けられ
ている。反応ガス導入管８５が反応ガス導入口８２を介
して反応管本体８１の内部に連通して設けられている。
反応管本体８１の下流側には反応管フランジ８３が設け
られており、反応管フランジ８３にはウェハー搬送口８
４が設けられている。反応管本体８１内に半導体ウェー
ハ９０を保持した状態で、ヒータ７０で加熱すると共に
反応ガス導入口８２から反応管本体８１内に反応ガスを
導入して反応管フランジ８３のウェーハ搬送口８４から
反応ガスを排出することにより、半導体基板９０の成膜
等の処理を行う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の構造の反応管８０においては、反応ガスが十
分に加熱されることなく反応管８０内に導入されるた
め、半導体ウェーハ９０のガス上流側の温度が下がり、
半導体ウェーハ９０上に生成される膜厚が不均等となる
問題があった。

【０００５】従って、本発明の目的は上記従来技術の問
題点を解決し、良好な生成膜厚分布を得ることができる
等、均一な成膜処理が行える成膜方法を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、加熱手
段と、前記加熱手段内に設けられる反応管本体であっ
て、所定の第１の方向において所定の距離離間するガス
導入部とガス排気部とを有する前記反応管本体と、前記
反応管本体内に設置される基板保持具であって、前記ガ
ス導入部と前記ガス排気部との間の前記第１の方向に直
角な第２の方向とを含む第１の平面にほぼ平行な状態で
被処理基板を保持可能な前記基板保持具と、を有する基
板処理装置を用いて、前記ガス導入部から前記第１の方
向に前記被処理基板の表面上で層流なガス流を流して前
記被処理基板上に成膜することを特徴とする成膜方法が
提供される。

【０００７】好ましくは、前記ガス導入部に複数のガス
導入口を設け、前記複数のガス導入口を、前記基板保持
具に前記被処理基板を保持した時に、前記被処理基板と
ほぼ同じ高さであって、前記被処理基板の表面と平行に
一列になるように配置する。

【０００８】さらに好ましくは、前記複数のガス導入口
は、前記第１の方向の所定の中心線に対して前記第２の
方向において実質的に左右対称に配置されている。

【０００９】また、本発明によれば、加熱手段と、前記
加熱手段内に設けられる反応管本体であって、所定の第
１の方向において所定の距離離間する第１のガス導入部
とガス排気部とを有する前記反応管本体と、前記反応管
本体内に設置される基板保持具であって、前記第１のガ
ス導入部と前記ガス排気部との間の前記反応管本体内
に、被処理基板を、前記被処理基板の主面を前記第１の
方向と前記第１の方向に直角な第２の方向とを含む第１
の平面にほぼ平行な状態で保持可能な前記基板保持具
と、前記加熱手段内に設けられるガス加熱管であって、
前記反応管本体に沿って配設され、第２のガス導入部と
ガス導出部とを有し前記ガス導出部が前記反応管本体の
前記第１のガス導入部に連通し、前記ガス加熱管内を流
れるガスがまず前記第１のガス導入部側から前記ガス排
気部側に向かって流れその後折り返して前記ガス排気部
側から前記第１のガス導入部側に向かって流れる構造を
有している前記ガス加熱管と、を備えることを特徴とす
る基板処理装置が提供される。

【００１０】このようにすれば、ガス加熱管により予め
加熱されたガスが反応管本体内に導入される。従って、
被処理基板の上流側がガスによって冷却されることが抑
制され、被処理基板の面内の温度分布の均一性が向上
し、その結果、被処理基板上に形成される膜の面内膜厚
均一性、特にガスの流れ方向の膜厚均一性が向上する。
さらに、ガス種によっては、ガス加熱手段内にてガスを
十分に分解することができ、その結果、膜質が向上す
る。また、ガス加熱管が反応管本体に沿って配設されて
いるので、基板処理装置を小型化できる。さらに、ガス
加熱管が折り返し構造構造となっているので、ガス加熱
管が反応管本体に沿って設けられる領域の長さを短くで
き、その分、ガス加熱管によって妨げられずに反応管本
体を介して反応管本体内を観察できる領域が増加する。

【００１１】好ましくは、前記反応管本体が前記第１の
方向の所定の中心線に対して前記第２の方向において実
質的に左右対称な構造を有し、前記基板保持具が前記中
心線に対して前記第２の方向において実質的に左右対称
な構造を有すると共に前記被処理基板を前記中心線に対
して前記第２の方向においてほぼ左右対称に保持可能で
あり、前記ガス加熱管が前記中心線に対して前記第２の
方向において実質的に左右対称な構造を有している。

【００１２】このような左右対称な構造とすることによ
り、左右の温度バランスを保つことが可能となると共
に、反応管本体内に導入されるガスの流速を左右均等に
することも可能となり、その結果、被処理基板上に形成
される膜厚の面内均一性、特にガスの流れ方向に対して
左右方向の膜厚均一性が向上する。

【００１３】また、好ましくは、前記反応管本体が、前
記第１の方向にほぼ直角な第１の側板と、前記第１の平
面にほぼ平行な天井板および底板と、前記第１の方向に
ほぼ平行であり前記第１の平面にほぼ垂直な第２および
第３の側板とを有し、前記第１のガス導入部が前記第１
の側板に設けられ、前記ガス加熱管が、前記天井板、前
記底板、前記第２の側板および前記第３の側板のうちの
いずれか一つ以上に沿って配設され、前記ガス加熱管
が、前記ガス加熱管内を流れるガスがまず前記第１のガ
ス導入部側から前記ガス排気部側に向かってほぼ直線的
に流れその後折り返して前記ガス排気部側から前記第１
のガス導入部側に向かってほぼ直線的に流れる構造を有
している。

【００１４】また、好ましくは、前記反応管本体が、前
記第１の方向にほぼ直角な第１の側板と、前記第１の平
面にほぼ平行な天井板および底板と、前記第１の方向に
ほぼ平行であり前記第１の平面にほぼ垂直な第２および
第３の側板とを有し、前記第１のガス導入部が前記第１
の側板に設けられ、前記ガス加熱管が、前記第２の側板
および前記第３の側板のうちのいずれか一方または両方
に沿って配設されている。

【００１５】このようにガス加熱管を反応管本体の側板
に沿って配設すれば、基板処理装置の装置高さが高くな
ることが抑制され、また、被処理基板の面内の温度分布
を均一にすることも容易となる。これに対して、ガス加
熱管を反応管本体の天井板や底板に沿って配設すれば、
その分基板処理装置の高さが高くなってしまう。少ない
専有床面積で多数の被処理基板を処理するためには反応
管本体を複数縦積みすることが有効な方法と考えられる
が、この場合に、ガス加熱管を反応管本体の天井板や底
板に沿って配設すれば、その分縦積みできる反応管本体
の個数が減少し、単位専有床面積当たりの被処理基板の
枚数が減少してしまう。

【００１６】また、ガス加熱管を反応管本体の天井板や
底板に沿って配設した場合には、これら天井板や底板は
被処理基板の主面に平行に設けられているから、ガス加
熱管を反応管本体の天井板や底板に沿って均一に配設し
ないかぎり被処理基板の面内の温度分布を均一とするこ
とは困難となる。また、このようにガス加熱管を反応管
本体の天井板や底板に沿って均一に配設する構造のもの
はその製造が困難であり、コストアップも招いてしま
う。

【００１７】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記第１の側板、前記第２の側板および前記第３の側板に
沿って設けられている。

【００１８】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記ガス加熱管内を流れるガスが、前記第１のガス導入部
側から前記ガス排気部側に向かって前記第２の側板およ
び前記第３の側板にそれぞれ沿って流れ、その後折り返
して前記ガス排気部側から前記第１のガス導入部側に向
かって再び前記第２の側板および前記第３の側板にそれ
ぞれ沿って流れ、その後、前記第１の側板に沿って流れ
る構造を有している。

【００１９】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記ガス加熱管内を流れるガスが、まず前記第１の側板に
沿って前記第１の側板の前記第２の方向における略中央
部から前記第２の側板および前記第３の側板にそれぞれ
向かって流れ、その後前記第１のガス導入部側から前記
ガス排気部側に向かって前記第２の側板および前記第３
の側板にそれぞれ沿って流れ、その後折り返して前記ガ
ス排気部側から前記第１のガス導入部側に向かって再び
前記第２の側板および前記第３の側板にそれぞれ沿って
流れ、その後、前記第１の側板に沿って流れる構造を有
している。

【００２０】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記第２の側板に沿って前記第１の方向に配設された第１
および第２の管と、前記第３の側板に沿って前記第１の
方向に配設された第３および第４の管と、前記第１の側
板に沿って前記第２の方向に配設された第５の管と、ガ
ス導入管とを備え、前記ガス導入管が前記第１の管の一
端部および前記第３の管の一端部に共に連通し、前記第
１の管の他端部が前記第２の管の一端部に連通し、前記
第３の管の他端部が前記第４の管の一端部に連通し、前
記第２の管の他端部が前記第５の管の一端部に連通し、
前記第４の管の他端部が前記第５の管の他端部に連通
し、前記第５の管が前記第１のガス導入部に連通する前
記ガス導出部を有している。

【００２１】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記第１の側板に沿って前記第２の方向に配設された第６
の管をさらに備え、前記ガス導入管が前記第６の管を介
して前記第１の管の前記一端部および前記第３の管の前
記一端部に共に連通している。

【００２２】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記第１のガス導入部側から前記ガス排気部側に向かって
延在し、前記被処理基板の前記ガス排気部側の端部より
も手前側で折り返して前記ガス排気部側から前記第１の
ガス導入部側に向かって延在する構造を有している。

【００２３】このようにすれば、ガス加熱管が設けられ
ていない領域の反応管本体を介して被処理基板の一部や
基板保持具の一部が観察できるので、被処理基板を基板
保持具に搭載する工程や被処理基板を基板保持具から取
り出す工程に対するティーチングが容易に行えるように
なる。

【００２４】また、好ましくは、前記ガス加熱管が、前
記第１のガス導入部側から前記ガス排気部側に向かって
延在し、前記被処理基板の中央部近傍または前記中央部
よりも手前側で折り返して前記ガス排気部側から前記第
１のガス導入部側に向かって延在する構造を有してい
る。

【００２５】このようにすれば、ガス加熱管が設けられ
ていない領域の反応管本体を介して被処理基板の半分以
上や基板保持具の被処理基板搭載部の半分以上が観察で
きるので、被処理基板を基板保持具に搭載する工程や被
処理基板を基板保持具から取り出す工程に対するティー
チングがさらに容易にかつ確実に行えるようになる。

【００２６】また、好ましくは、前記反応管本体が、前
記第１の方向にほぼ直角な第１の側板と、前記第１の平
面にほぼ平行な天井板および底板と、前記第１の方向に
ほぼ平行であり前記第１の平面にほぼ垂直な第２および
第３の側板とを有し、前記第１のガス導入部が前記第１
の側板に設けられ、前記ガス加熱管が、前記第２の側板
および前記第３の側板の両方に沿って配設されている。

【００２７】このようにガス加熱管を、第２の側板およ
び第３の側板の両方に沿って配設することにより、天井
板または底板を介して被処理基板が全面にわたって観察
でき、基板保持具の被処理基板搭載部もほぼ全面にわた
って観察できるので、被処理基板を基板保持具に搭載す
る工程や被処理基板を基板保持具から取り出す工程に対
する上記第１の平面方向における前後左右のティーチン
グが容易にかつ確実に行えるようになる。このように上
記第１の平面方向における前後左右のティーチングは天
井板または底板を介して観察することによって行えるの
で、第２の側板または第３の側板を介してのティーチン
グは、上下方向について行えば良くなり、そのために
は、被処理基板全体にわたって観察できる必要はなく、
その一部が観察できれば可能となる。この際、被処理基
板の半分以上や基板保持具の被処理基板搭載部の半分以
上が観察できれば、被処理基板を基板保持具に搭載する
工程や被処理基板を基板保持具から取り出す工程に対す
るティーチングがさらに容易にかつ確実に行えるように
なる。

【００２８】また、好ましくは、前記反応管本体が、前
記第１の方向にほぼ直角な第１の側板と、前記第１の平
面にほぼ平行な天井板および底板と、前記第１の方向に
ほぼ平行であり前記第１の平面にほぼ垂直な第２および
第３の側板とを有し、前記第１のガス導入部が前記第１
の側板に設けられ、前記ガス加熱管の前記ガス導出部が
前記第１の側板に沿って設けられており、前記ガス導出
部が前記第２の方向にほぼ平行に設けられた複数のガス
導出口を有している。

【００２９】このように、被処理基板の主面と平行に複
数のガス導出口を設けることにより、ガスがシャワー状
に導入され、被処理基板の主面上でのガスの流れが層流
となって膜厚均一性が向上する。

【００３０】また、好ましくは、前記反応管本体が前記
第１の方向の所定の中心線に対して前記第２の方向にお
いて実質的に左右対称の構造を有し、前記基板保持具が
前記中心線に対して前記第２の方向において実質的に左
右対称な構造を有すると共に前記被処理基板を前記中心
線に対して前記第２の方向においてほぼ左右対称に保持
可能であり、前記ガス加熱管が前記中心線に対して前記
第２の方向において実質的に左右対称な構造を有してお
り、前記複数のガス導出口が前記中心線に対して前記第
２の方向において実質的に左右対称に配設されている。

【００３１】このような左右対称な構造とすることによ
り、左右の温度バランスを保つことが可能となると共
に、反応管本体内に導入されるガスの流速も左右均等に
することも可能となり、その結果、被処理基板上に形成
される膜の面内膜厚均一性、特にガスの流れ方向に対し
て左右方向の膜厚均一性が向上する。

【００３２】また、好ましくは、前記複数のガス導出口
が、前記第１の側板と前記第２の側板とにより形成され
る第１の角部近傍から前記第１の側板と前記第３の側板
とにより形成される第２の角部近傍まで配設されてい
る。

【００３３】このように、反応管本体の第１の側板の両
角部近傍までガス導出口を配設することにより、反応管
本体に導入されるガスの乱流域を減少させることがで
き、その結果、ガス流れを層流にすることができると共
に、ガスの置換効率を向上させることができる。

【００３４】また、好ましくは、前記反応管本体の前記
第１のガス導入部が、前記第１の側板に設けられた開口
部であって前記複数のガス導出口を露出する前記開口部
を有している。

【００３５】また、好ましくは、前記反応管本体が、前
記第１の方向にほぼ直角な第１の側板と、前記第１の平
面にほぼ平行な天井板および底板と、前記第１の方向に
ほぼ平行であり前記第１の平面にほぼ垂直な第２および
第３の側板とを有し、前記第１のガス導入部が前記第１
の側板に設けられ、前記第１のガス導入部が前記第１の
側板に前記第２の方向にほぼ平行に設けられた複数のガ
ス導入口を有している。

【００３６】このように、被処理基板の主面と平行に複
数のガス導入口を設けることにより、ガスがシャワー状
に導入され、被処理基板の主面上でのガスの流れが層流
となって膜厚均一性が向上する。

【００３７】また、好ましくは、前記反応管本体が前記
第１の方向の所定の中心線に対して前記第２の方向にお
いて実質的に左右対称の構造を有し、前記基板保持具が
前記中心線に対して前記第２の方向において実質的に左
右対称な構造を有すると共に前記被処理基板を前記中心
線に対して前記第２の方向においてほぼ左右対称に保持
可能であり、前記ガス加熱管が前記中心線に対して前記
第２の方向において実質的に左右対称な構造を有してお
り、前記複数のガス導入口が前記中心線に対して前記第
２の方向において実質的に左右対称に配設されている。

【００３８】このような左右対称な構造とすることによ
り、左右の温度バランスを保つことが可能となると共
に、反応管本体内に導入されるガスの流速も左右均等に
することも可能となり、その結果、被処理基板上に形成
される膜の面内膜厚均一性、特にガスの流れ方向に対し
て左右方向の膜厚均一性が向上する。

【００３９】また、好ましくは、前記複数のガス導入口
が、前記第１の側板と前記第２の側板とにより形成され
る第１の角部近傍から前記第１の側板と前記第３の側板
とにより形成される第２の角部近傍まで配設されてい
る。

【００４０】このように、反応管本体の第１の側板の両
角部近傍までガス導入口を配設することにより、反応管
本体に導入されるガスの乱流域を減少させることがで
き、その結果、ガス流れを層流にすることができると共
に、ガスの置換効率を向上させることができる。

【００４１】また、好ましくは、前記反応管本体が略直
方体であり、前記反応管本体が、前記第１の方向にほぼ
直角な第１の側板と、前記第１の平面にほぼ平行な天井
板および底板と、前記第１の方向にほぼ平行であり前記
第１の平面にほぼ垂直な第２および第３の側板と、前記
第１の側板とは反対側に前記第１の方向とほぼ直角に設
けられた第４の側板とを有し、前記第１のガス導入部が
前記第１の側板に設けられ、前記第４の側板に前記ガス
排気部が設けられている。

【００４２】また、好ましくは、前記ガス加熱管が前記
反応管本体に固着されている。

【００４３】また、好ましくは、前記基板処理装置がホ
ットウォール型の基板処理装置である。

【００４４】このようなホットウォール型の基板処理装
置においては、反応管本体の全体が所定の温度に保たれ
ているので、ガス加熱管を配設する箇所の自由度が増大
する。

【００４５】また、好ましくは、前記反応管本体が、１
枚または少数枚数の前記被処理基板が保持される構造の
反応管本体である。より好ましくは、反応管本体内には
１枚または２枚の被処理基板が保持される。

【００４６】また、好ましくは、前記被処理基板が半導
体ウェーハである。

【００４７】また、本発明によれば、ホットウォール型
の基板処理装置であって、加熱手段と、前記加熱手段内
に設けられる反応管本体であって、所定の第１の方向に
おいて所定の距離離間する第１のガス導入部およびガス
排気部と、前記第１の方向にほぼ直角な第１の側板であ
って前記第１のガス導入部を有する前記第１の側板と、
前記第１の方向と前記第１の方向にほぼ直角な第２の方
向とを含む第１の平面にほぼ平行な天井板および底板
と、前記第１の方向にほぼ平行であり前記第１の平面に
ほぼ垂直な第２および第３の側板と、を有する前記反応
管本体と、前記反応管本体内に設置される基板保持具で
あって、前記第１のガス導入部と前記ガス排気部との間
の前記反応管本体内に、被処理基板を、前記被処理基板
の主面を前記第１の平面にほぼ平行な状態で保持可能な
前記基板保持具と、前記加熱手段内に設けられるガス加
熱管であって、前記第２の側板および前記第３の側板の
うちのいずれか一方または両方に沿って配設され、第２
のガス導入部とガス導出部とを有し、前記ガス導出部が
前記反応管本体の前記第１のガス導入部に連通する前記
ガス加熱管とを備えることを特徴とする基板処理装置が
提供される。

【００４８】このようにガス加熱管を設ければ、ガス加
熱管により予め加熱されたガスが反応管本体内に導入さ
れる。従って、被処理基板の上流側がガスによって冷却
されることが抑制され、被処理基板の面内の温度分布の
均一性が向上し、その結果、被処理基板上に形成される
膜の面内膜厚均一性、特にガスの流れ方向の膜厚均一性
が向上する。さらに、ガス種によっては、ガス加熱手段
内にてガスを十分に分解することができ、その結果、膜
質が向上する。また、ガス加熱管を反応管本体に沿って
配設しているので、基板処理装置を小型化できる。

【００４９】さらに、このようなホットウォール型の基
板処理装置においては、反応管本体の全体が所定の温度
に保たれているので、ガス加熱管を第２の側板および第
３の側板のうちのいずれか一方または両方に沿って配設
しても十分に予備加熱することが可能となる。そして、
ガス加熱管を第２の側板および第３の側板のうちのいず
れか一方または両方に沿って配設すれば、基板処理装置
の装置高さが高くなることが抑制され、また、被処理基
板の面内の温度分布も均一にすることが容易となる。ま
た、天井板または底板を介して被処理基板が全面にわた
って観察でき、基板保持具の被処理基板搭載部もほぼ全
面にわたって観察できるので、被処理基板を基板保持具
に搭載する工程や被処理基板を基板保持具から取り出す
工程に対する上記第１の平面方向における前後左右のテ
ィーチングが容易にかつ確実に行えるようになる。そし
て、第２の側板または第３の側板を介してのティーチン
グは上下方向についてのみ行えば良くなるので、被処理
基板の一部が観察できればよい。従って、ガス加熱管を
第２の側板および第３の側板のうちのいずれか一方また
は両方に沿って配設してもティーチングは容易に行え
る。

【００５０】また、好ましくは、前記ガス加熱管が前記
第１の側板にも沿って配設されている。

【００５１】また、好ましくは、前記加熱手段が前記天
井板および前記底板の少なくとも一方に面して設けられ
ている。ガス加熱管を反応管本体の第２の側板および第
３の側板のうちのいずれか一方または両方に沿って配設
しているので、このように加熱手段を反応管本体の天井
板や底板の少なくとも一方に面して設けると、ガス加熱
管によって遮られないので、被処理基板の面内温度分布
の均一性が向上する。

【００５２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００５３】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に使用する基板処理装置を説明するため
の部分切り欠き平面図であり、図２は、図１のＸ２−Ｘ
２線断面図であり、図３は、図１のＡ部の部分拡大図で
あり、図４は、図３のＸ４−Ｘ４線断面図であり、図５
は、図３のＸ５−Ｘ５線断面図であり、図６、図７は、
本発明の第１の実施の形態に使用する基板処理装置で使
用する反応管を説明するための斜視図である。

【００５４】基板処理装置１００は、枚葉式の基板処理
装置であり、ヒータ７０と、ヒータ７０内に設けられた
反応管１０と、断熱材７２とを備えている。ヒータ７０
および反応管１０はそれらの上下左右を断熱材７２で覆
われており、いわゆるホットウォール型の構造となって
いる。反応管１０は、反応管本体２０とガス加熱管４０
と反応管フランジ２６とを備えている。反応管本体２０
内には、ウェーハ載置プレート１２０が設けられてい
る。ウェーハ載置プレート１２０にはＳｉ半導体ウェー
ハ９０の直径よりも大きい直径を有する空間１２４が形
成され、この空間１２４には３本のウェーハ支持用爪１
２２が突出して設けられている。反応管本体２０とガス
加熱管４０は石英製である。

【００５５】反応管本体２０は、略直方体の形状を有し
ており、天井板２１と、底板２２と、側板２３、２４、
２５とを備えている。天井板２１と底板２２とは互いに
平行であり、側板２３と側板２４とは互いに平行であ
る。側板２５は、天井板２１、底板２２、側板２３、２
４と直角である。ウェーハ載置プレート１２０は天井板
２１および底板２２と平行に反応管本体内２０に設けら
れている。１枚のＳｉ半導体ウェーハ９０がウェーハ載
置プレート１２０のウェーハ支持用爪１２２によって支
持されて空間１２４内に設けられている。Ｓｉ半導体ウ
ェーハ９０の表面とウェーハ載置プレート１２０の上面
とは同一平面内にある。Ｓｉ半導体ウェーハ９０は天井
板２１および底板２２と平行に保持されている。

【００５６】側板２５には、半導体ウェーハ９０とほぼ
同じ高さの位置に半導体ウェーハ９０の表面と平行に横
長の矩形状の開口部２８が設けられている。この開口部
２８は、側板２５と側板２４との角部３１近傍から側板
２５と側板２３との角部３２近傍まで設けられている。
側板２５と反対側であって反応管本体２０の下流側には
反応管フランジ２６が設けられており、反応管フランジ
２６にはウェハー搬送口２７が設けられている。ウェー
ハ搬送口２７は矩形状をしており、その大きさは、反応
管本体２０のガスの流れ方向に直角な方向における断面
の開口とほぼ同じである。

【００５７】ガス加熱管４０は、下側ガス加熱管４２と
上側ガス加熱管４３とを備えている。下側ガス加熱管４
２は、略直線状の管４５、４６、４７を備えている。上
側ガス加熱管４３は、略直線状の管４８、４９、５０を
備えている。管４５および管５０は側板２５の外側に沿
って半導体ウェーハ９０の表面と平行に設けられてお
り、管４６および管４８は側板２３の外側に沿って半導
体ウェーハ９０の表面と平行に設けられており、管４７
および管４９は側板２４の外側に沿って半導体ウェーハ
９０の表面と平行に設けられている。

【００５８】管４５の中央部には、管４４の一端が連通
しており、管４４の他端はガス供給口４１となってい
る。管４５の一端は管４６の一端と連通し、管４６の他
端は管４８の一端と連通し、管４８の他端は管５０の一
端と連通している。管４５の他端は管４７の一端と連通
し、管４７の他端は管４９の一端と連通し、管４９の他
端は管５０の他端と連通している。

【００５９】管５０には、複数のガス導出口６０が半導
体ウェーハ９０とほぼ同じ高さの位置に半導体ウェーハ
９０の表面と平行に１列に設けられている。これら複数
のガス導出口６０は、側板２５と側板２４との角部３１
近傍から側板２５と側板２３との角部３２近傍まで設け
られている。側板２５に設けられた開口部２８は、管５
０に設けられた複数のガス導出口６０をすべて露出して
設けられており、複数のガス導出口６０は、側板２５に
設けられた開口部２８に連通している。

【００６０】反応管本体２０、ガス加熱管４０、反応管
フランジ２６、ウェーハ搬送プレート１２０、半導体ウ
ェーハ９０、管４４、開口部２８、複数のガス導出口６
０およびウェハー搬送口２７は全て左右対称な構造とな
っている。

【００６１】なお、ガス加熱管４０は、反応管本体２０
に溶接されている。

【００６２】反応管本体２０内に１枚の半導体ウェーハ
９０を保持した状態で、ヒータ７０で加熱しながらガス
供給口４１から反応ガスを供給して半導体ウェーハ９０
の成膜等の処理を行う。

【００６３】ガス供給口４１から供給された反応ガス
は、管４４を通って管４５の中央部に供給され、その
後、管４５内を左右に分岐して流れ、左右対称に設けら
れた下側の管４６および４７にそれぞれ流入し、管４
６、４７をそれぞれ流れた後、折り返して左右対称に設
けられた上側の管４８、４９にそれぞれ流入し、管４
８、４９をそれぞれ流れた後、管５０の両端にそれぞれ
流入し、その後、管５０に横一列に設けられたガス導出
口６０および側板２５に設けられた開口部２８を介し
て、反応管本体２０内に導入される。また、反応後のガ
スはフランジ２６のウェーハ搬送口２７を通った後排気
される。

【００６４】本実施の形態においては、反応ガスは、ヒ
ータ７０により加熱されているガス加熱管４０内を通っ
た後に反応管本体２０内に供給される。従って、反応ガ
スはガス加熱管４０により予め加熱されて反応管本体２
０内に導入される。その結果、半導体ウェーハ９０の上
流側が反応ガスによって冷却されることが抑制され、半
導体ウェーハ９０の面内の温度分布の均一性が向上し、
半導体ウェーハ９０の表面上に形成される膜厚の面内均
一性、特に反応ガスの流れ方向の膜厚均一性が向上す
る。さらに、ガス種によっては、ガス加熱管４０内にて
反応ガスを十分に分解することができ、その結果、膜質
が向上する。

【００６５】また、ガス加熱管４０は反応管本体２０の
側板２３、２４、２５に沿って配設されているので、基
板処理装置１００を小型化できる。

【００６６】反応管本体２０、ガス加熱管４０、反応管
フランジ２６、ウェーハ搬送プレート１２０、半導体ウ
ェーハ９０、管４４、開口部２８、複数のガス導出口６
０は全て左右対称な構造となっているので、左右の温度
バランスを保つことが可能となると共に、反応管本体２
０内に導入される反応ガスの流速を左右均等にすること
も可能となり、その結果、半導体ウェーハ９０の表面上
に形成される膜の膜厚の面内均一性、特にガスの流れ方
向に対して左右方向の膜厚均一性が向上する。

【００６７】また、管５０には、半導体ウェーハ９０の
表面と平行に１列に複数のガス導出口６０が設けられて
おり、側板２５にはこれら複数のガス導出口６０を露出
する開口部２８が設けられているので、反応ガスがシャ
ワー状に導入され、半導体ウェーハ９０の表面上での反
応ガスの流れが層流となって膜厚均一性が向上する。こ
れに対して、図１５に示す従来の構造の反応管８０で
は、ガス導入口８２が１箇所しかないので、半導体ウェ
ーハ９０上でのガスの流れが層流とならず、半導体ウェ
ーハ９０上に生成される膜厚が不均等となる。

【００６８】そして、これら複数のガス導出口６０は、
側板２５と側板２４との角部３１近傍から側板２５と側
板２３との角部３２近傍まで設けられているので、反応
管本体２０に導入される反応ガスの乱流域を減少させる
ことができ、その結果、ガス流れを層流にすることがで
きると共に、ガスの置換効率を向上させることができ
る。

【００６９】さらに、このようなホットウォール型の基
板処理装置においては、反応管本体２０の全体が所定の
温度に保たれているので、ガス加熱管４０を側板２３、
２４、２５に沿って配設しても十分に予備加熱すること
が可能となる。そして、ガス加熱管４０を側板２３、２
４、２５に沿って配設しており、天井板２１や底板２２
に面してガス加熱管４０を設けていないので、反応管本
体２０の天井板２１および底板２２に面して設けたヒー
タ７０は、ガス加熱管４０によって遮られず、その結
果、半導体ウェーハ９０の面内温度分布の均一性が向上
する。

【００７０】また、このようにガス加熱管４０を反応管
本体２０の側板２３、２４、２５に沿って配設すれば、
基板処理装置１００の装置高さが高くなることが抑制さ
れ、また、半導体ウェーハ９０の面内の温度分布を均一
にすることも容易となる。これに対して、ガス加熱管４
０を反応管本体２０の天井板２１や底板２２に沿って配
設すれば、その分基板処理装置１００の高さが高くなっ
てしまう。少ない専有床面積で多数の半導体ウェーハ９
０を処理するためには反応管本体２０を複数縦積みする
ことが有効な方法と考えられるが、この場合に、ガス加
熱管４０を反応管本体２０の天井板２１や底板２２に沿
って配設すれば、その分縦積みできる反応管本体２０の
個数が減少し、単位専有床面積当たりの半導体ウェーハ
９０の枚数が減少してしまう。

【００７１】また、ガス加熱管４０を反応管本体２０の
天井板２１や底板２２に沿って配設した場合には、これ
ら天井板２１や底板２２は半導体ウェーハ９０の主面に
平行に設けられているから、ガス加熱管４０を反応管本
体２０の天井板２１や底板２２に沿って均一に配設しな
いかぎり半導体ウェーハ９０の面内の温度分布を均一と
することは困難となる。また、このようにガス加熱管４
０を反応管本体２０の天井板２１や底板２２に沿って均
一に配設する構造のものはその製造が困難であり、コス
トアップも招いてしまう。これに対して、ガス加熱管４
０を反応管本体２０の側板２３、２４、２５に沿って配
設すれば、簡単な構造で半導体ウェーハ９０の面内の温
度分布を容易に均一にすることができる。

【００７２】なお、本実施の形態においては、左右のガ
ス加熱管に分岐するガスの量は必ずしも均等になるとは
限らないことを考慮して、この左右の差異を緩和させる
ため、左右のガス加熱管は終点にて接合させている。ま
た、半導体ウェーハ９０付近の温度分布を乱さないた
め、ガス加熱管４０は半導体ウェーハ両サイドの離れた
場所に配置している。

【００７３】（第２の実施の形態）図１は、本発明の第
２の実施の形態で使用する基板処理装置を説明するため
の部分切り欠き平面図であり、図２は図１のＸ２−Ｘ２
線断面図であり、図８乃至図１０は、本発明の第２の実
施の形態を説明するための図であり、図８は、図１のＡ
部の部分拡大図であり、図９は、図８のＸ９−Ｘ９線断
面図であり、図１０は、図８のＸ１０−Ｘ１０線断面図
である。

【００７４】上述した第１の実施の形態では、ガス加熱
管４０の管５０に複数のガス導出口６０を設け、反応管
本体２０の側板２５にはこれら複数のガス導出口６０を
露出する開口部２８を設けたが、本実施の形態では、反
応管本体２０の側板２５に複数のガス導入口１２８を半
導体ウェーハ９０とほぼ同じ高さの位置に半導体ウェー
ハ９０の表面と平行に１列に設け、管５０にはこれら複
数のガス導入口１２８に連通する横長の開口部１６０を
設けた点が第１の実施の形態の場合と異なるが、他の点
は同様である。

【００７５】本実施の形態においても、反応ガスは、ヒ
ータ７０により加熱されているガス加熱管４０内を通っ
た後に反応管本体２０内に供給される。従って、反応ガ
スはガス加熱管４０により予め加熱されて反応管本体２
０内に導入される。その結果、半導体ウェーハ９０の上
流側が反応ガスによって冷却されることが抑制され、半
導体ウェーハ９０の面内の温度分布の均一性が向上し、
半導体ウェーハ９０の表面上に形成される膜の膜厚の面
内均一性、特に反応ガスの流れ方向の膜厚均一性が向上
する。さらに、ガス種によっては、ガス加熱管４０内に
て反応ガスを十分に分解することができ、その結果、膜
質が向上する。

【００７６】また、ガス加熱管４０は反応管本体２０の
側板２３、２４、２５に沿って配設されているので、基
板処理装置１００を小型化できる。

【００７７】なお、これら複数のガス導入口１２８は、
側板２４と側板２５との角部３１近傍から側板２３と側
板２５との角部３２近傍まで設けられている。また、反
応管本体２０、ガス加熱管４０、反応管フランジ２６、
ウェーハ載置プレート１２０、半導体ウェーハ９０、管
４４、開口部１６０、複数のガス導入口１２８およびウ
ェハー搬送口２７は全て左右対称な構造となっている。

【００７８】反応管本体２０、ガス加熱管４０、反応管
フランジ２６、ウェーハ載置プレート１２０、半導体ウ
ェーハ９０、管４４、開口部１６０、複数のガス導入口
１２８は全て左右対称な構造となっているので、左右の
温度バランスを保つことが可能となると共に、反応管本
体２０内に導入される反応ガスの流速を左右均等にする
ことも可能となり、その結果、半導体ウェーハ９０の表
面上に形成される膜厚の面内均一性、特にガスの流れ方
向に対して左右方向の膜厚均一性が向上する。

【００７９】また、側板２５には、半導体ウェーハ９０
の表面と平行に１列に複数のガス導入口１２８が設けら
れており、管５０にはこれら複数のガス導入口１２８と
連通する開口部１６０が設けられているので、反応ガス
がシャワー状に導入され、半導体ウェーハ９０の表面上
での反応ガスの流れが層流となって膜厚均一性が向上す
る。

【００８０】そして、これら複数のガス導入口１２８
は、側板２５と側板２４との角部３１近傍から側板２５
と側板２３との角部３２近傍まで設けられているので、
反応管本体２０に導入される反応ガスの乱流域を減少さ
せることができ、その結果、ガス流れを層流にすること
ができると共に、ガスの置換効率を向上させることがで
きる。

【００８１】（第３の実施の形態）図１１は、本発明の
第３の実施の形態で使用する基板処理装置を説明するた
めの平面図であり、半導体ウェーハをウェーハ載置プレ
ートに搭載した状態の図であり、図１２は、図１１のＸ
１２−Ｘ１２線断面図であり、半導体ウェーハをウェー
ハ載置プレートに搭載する前の状態を示す図であり、図
１３、１４は、本発明の第３の実施の形態で使用する基
板処理装置で使用する反応管を説明するための斜視図で
ある。

【００８２】上述した第１の実施の形態では、ガス加熱
管４０の先端４０１を半導体ウェーハ９０やウェーハ載
置プレート１２０を超えて反応管フランジ２６近くまで
延在させて、ガス加熱管４０を反応管本体２０の側板２
３および２４に沿って設けているが、本実施の形態にお
いては、ガス加熱管４０を半導体ウェーハ９０の中心よ
りも手前側で折り返すようにして、反応管本体２０の側
板２３および２４に沿って設けている点が第１の実施の
形態の場合と異なるが、他の点は同様である。

【００８３】半導体ウェーハ９０は、ツイーザ１３０上
に搭載されて反応管本体２０内に搬入されウェーハ載置
プレート１２０のウェーハ支持用爪１２２上に載置され
て空間１２４内に設けられる。また、ウェーハ載置プレ
ート１２０に搭載されている半導体ウェーハ９０はツィ
ーザ１３０上に搭載されて、反応管１０から搬出され
る。これらの際に、半導体ウェーハ９０を搬送するツィ
ーザ１３０の位置や動作範囲を決定するためにティーチ
ングが行われる。ティーチングの際には、断熱材７２お
よびヒータ７０を取り外す。そして、反応管１０の上方
から天井板２１を介して前後左右のクリアランスのチェ
ックを行う。反応管１０の側方から側板２３および／ま
たは２４を介して高さ方向のチェックを行う。高さ方向
のチェック項目としては、半導体ウェーハ９０を搭載し
たツィーザ１３０がウェーハ載置プレート１２０上を通
過する際に、ウェーハ載置プレート１２０と半導体ウェ
ーハ９０が干渉しないようにウェーハ搬送プレート１２
０の高さを確保する高さのチェックと、ツィーザ１３０
に搭載された半導体ウェーハ９０をウェーハ搬送プレー
ト１２０に降ろして載せる際の上下ストロークがある。

【００８４】本実施の形態では、反応管本体２０を側板
２３または２４の方から見た場合に半導体ウェーハ９０
が半分以上観察でき、また、ウェーハ載置プレート１２
０もその一端１２１から半導体ウェーハ９０が設けられ
る空間１２４の中央部を超える領域まで観察できる。従
って、ティーチングを行う際に半導体ウェーハ９０やウ
ェーハ搬送プレート１２０を十分に観察できるのでティ
ーチングが行い易くなっている。

【００８５】なお、上記のようなティーチングを行うに
は、反応管本体２０を側板２３または２４の方から見た
際に、ウェーハ載置プレート１２０の一端１２１から半
導体ウェーハ９０の一端９１までが少なくとも観察でき
ることが好ましく、また、反応管１０を側板２３または
２４の方から見た場合に半導体ウェーハ９０が少なくと
も半分は観察でき、ウェーハ載置プレート１２０もその
一端１２１から半導体ウェーハ９０が設けられる空間１
２４の少なくとも中央部までは観察できることがより好
ましい。従って、ガス加熱管４０を半導体ウェーハ９０
の一端９１の手前側で折り返すようにして反応管本体２
０の側板２３および２４に沿って設けることが好まし
く、さらには、ガス加熱管４０を半導体ウェーハ９０の
中央部近傍または中央部の手前側で折り返すようにして
反応管本体２０の側板２３および２４に沿って設けるこ
とがより好ましい。

【００８６】なお、本実施の形態においては、ガス加熱
管４０の長さが第１の実施の形態と比べて短くなってい
るが、管４５の中央部４５１から管４６および４８を通
り角部５２に到るまでの長さを２４０ｍｍ以上とし、管
４５の中央部４５１から管４７および４９を通り角部５
１に到るまでの長さを２４０ｍｍ以上としているので、
角部５２（３２）および５１（３１）近傍に設けられた
ガス導出口６０から導出される反応ガスの温度が反応管
本体２０内の温度と同じとなるまで十分に高くなってい
る。従って、本実施の形態においても、反応ガスはガス
加熱管４０により予め十分加熱されて反応管本体２０内
に導入される。その結果、半導体ウェーハ９０の上流側
が反応ガスによって冷却されることが抑制され、半導体
ウェーハ９０の面内の温度分布の均一性が向上し、半導
体ウェーハ９０の表面上に形成される膜の膜厚の面内均
一性、特に反応ガスの流れ方向の膜厚均一性が向上す
る。さらに、ガス種によっては、ガス加熱管４０内にて
反応ガスを十分に分解することができ、その結果、膜質
が向上する。

【００８７】さらに、ガス加熱管４０が折り返し構造と
なっているので、ガス加熱管４０内を流れる反応ガス経
路の長さを十分確保しつつ、ガス加熱管４０が反応管本
体２０の側板２３、２４に沿って設けられる領域の長さ
を短くできる。従って、反応ガスをガス加熱管４０によ
って十分に予備加熱できると共に、ガス加熱管４０によ
って妨げられることなく反応管本体２０の側板２３、２
４を介して反応管本体２０内を観察できる領域を増加さ
せることができる。

【００８８】また、ガス加熱管４０を、側板２３および
２４に沿って配設し天井板２１および底板２２に沿って
は設けていないので、天井板２１または底板２２を介し
て半導体ウェーハ９０が全体にわたって観察でき、ウェ
ーハ載置プレート１２０の空間１２４やウェーハ支持用
爪１２２も全面にわたって観察できるので、半導体ウェ
ーハ９０をウェーハ載置プレート１２０に搭載する工程
や半導体ウェーハ９０をウェーハ載置プレート１２０か
ら取り出す工程に対する水平方向における前後左右のテ
ィーチングが容易にかつ確実に行える。このように水平
方向における前後左右のティーチングは天井板２１また
は底板２２を介して観察することによって行えるので、
側板２３または２４を介してのティーチングは、上下方
向について行えば良くなり、そのためには、半導体ウェ
ーハ９０全体にわたって観察できる必要はなく、その一
部が観察できれば可能となる。この際、本実施の形態の
ように半導体ウェーハ９０の半分程度または半分以上や
ウェーハ載置プレート１２０の空間１２４の半分程度ま
たは半分以上が観察できれば、半導体ウェーハ９０をウ
ェーハ載置プレート１２０に搭載する工程や半導体ウェ
ーハ９０をウェーハ載置プレート１２０から取り出す工
程に対するティーチングがさらに容易にかつ確実に行え
るようになる。

【００８９】ガス加熱管４０は反応管本体２０の側板２
３、２４、２５に沿って配設され、ガス加熱管４０は反
応管本体２０に溶接されている。管５０には、複数のガ
ス導出口６０が、側板２４と側板２５との角部３１（５
１）近傍から側板２３と側板２５との角部３２（５２）
近傍まで半導体ウェーハ９０の表面と平行に１列に設け
られている。側板２５にはこれら複数のガス導出口６０
と連通する開口部２８が設けられている。反応管本体２
０、ガス加熱管４０、反応管フランジ２６、ウェーハ載
置プレート１２０、半導体ウェーハ９０、管４４、開口
部２８、複数のガス導出口６０およびウェハー搬送口２
７は全て左右対称な構造となっている。

【００９０】なお、上記第１および第３の実施の形態に
おいては、ガス加熱管４０の管５０に複数のガス導出口
６０を設け、反応管本体２０の側板２５にはこれら複数
のガス導出口６０に連通するとともに複数のガス導出口
６０を露出する開口部２８を設け、上記第２の実施の形
態においては、反応管本体２０の側板２５に複数のガス
導入口１２８を設け、ガス加熱管４０の管５０にはこれ
ら複数のガス導入口１２８に連通する開口部１６０を設
けたが、ガス加熱管４０の管５０に半導体ウェーハ９０
とほぼ同じ高さの位置に半導体ウェーハ９０の表面と平
行に１列に複数のガス導出口を設け、反応管本体２０の
側板２５にもこれら複数のガス導出口にそれぞれ対応す
ると共にそれぞれ連通する複数のガス導入口を設けても
よい。この場合にも、反応管本体２０、ガス加熱管４
０、反応管フランジ２６、ウェーハ載置プレート１２
０、半導体ウェーハ９０、管４４、複数のガス導出口、
複数のガス導入口およびウェーハ搬出口２７は全て左右
対称な構造とする。

【００９１】また、上記第１乃至第３の実施の形態は、
反応管本体２０内に一枚の半導体ウェーハ９０が保持さ
れる枚葉式の基板処理装置であるが、本発明は、反応管
本体２０内に少数枚、好ましくは２枚の半導体ウェーハ
９０が保持される基板処理装置にも好ましく適用でき
る。

【００９２】以上のように、ガス加熱手段を設けること
により、予め加熱されたガスが反応管本体内に導入され
る。従って、被処理基板の上流側がガスによって冷却さ
れることが抑制され、被処理基板の面内の温度分布の均
一性が向上し、その結果、被処理基板上に形成される膜
の膜厚の面内均一性、特にガスの流れ方向の膜厚均一性
が向上する。さらに、ガス種によっては、ガス加熱手段
内にてガスを十分に分解することができ、その結果、膜
質が向上する。

【００９３】また、ガス加熱管を反応管本体に沿って配
設することにより、基板処理装置を小型化できる。

【００９４】さらに、ガス加熱管を折り返し構造とする
ことにより、ガス加熱管が反応管本体に沿って設けられ
る領域の長さを短くでき、その分、ガス加熱管によって
妨げられずに反応管本体を介して反応管本体内を観察で
きる領域が増加し、ティーチング等が容易に行えるよう
になる。

【００９５】さらに、ホットウォール型の基板処理装置
において、ガス加熱管を第２の側板および第３の側板の
うちのいずれか一方または両方に沿って配設することに
より、ガス加熱管によって十分に予備加熱することがで
きると共に、基板処理装置の装置高さが高くなることが
抑制され、また、被処理基板の面内の温度分布も均一に
することが容易となる。また、天井板または底板を介し
て被処理基板が全面にわたって観察でき、基板保持具の
被処理基板搭載部もほぼ全面にわたって観察できるの
で、被処理基板を基板保持具に搭載する工程や被処理基
板を基板保持具から取り出す工程に対する水平方向にお
ける前後左右のティーチングが容易にかつ確実に行える
ようになる。そして、第２の側板または第３の側板を介
してのティーチングは上下方向についてのみ行えば良く
なるので、ガス加熱管を第２の側板および第３の側板の
うちのいずれか一方または両方に沿って配設してもティ
ーチングは容易に行える。

【発明の効果】本発明によれば、良好な生成膜厚分布を
得ることができる等、均一な成膜処理が行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１および第２の実施の形態で使用す
る基板処理装置を説明するための部分切り欠き平面図で
ある。

【図２】図１のＸ２−Ｘ２線断面図である。

【図３】図１のＡ部の部分拡大図である。

【図４】図３のＸ４−Ｘ４線断面図である。

【図５】図３のＸ５−Ｘ５線断面図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態で使用する基板処理
装置で使用する反応管を説明するための斜視図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態で使用する基板処理
装置で使用する反応管を説明するための斜視図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態で使用する基板処理
装置で使用する反応管を説明するための図であり、図１
のＡ部の部分拡大図である。

【図９】図８のＸ９−Ｘ９線断面図である。

【図１０】図８のＸ１０−Ｘ１０線断面図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態で使用する基板処
理装置を説明するための平面図であり、半導体ウェーハ
をウェーハ載置プレートに搭載した状態の図である。

【図１２】図１１のＸ１２−Ｘ１２線断面図であり、半
導体ウェーハをウェーハ載置プレートに搭載する前の状
態を示す図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態で使用する基板処
理装置で使用する反応管を説明するための斜視図であ
る。

【図１４】本発明の第３の実施の形態で使用する基板処
理装置で使用する反応管を説明するための斜視図であ
る。

【図１５】従来の基板処理装置で使用する反応管を説明
するための平面図である。

【符号の説明】

１０…反応管 ２０…反応管本体 ２１…天井板 ２２…底板 ２３、２４、２５…側板 ２６…反応管フランジ ２７…ウェーハ搬送口 ２８、１６０…開口部 ３１、３２、５１、５２…角部 ４０…ガス加熱管 ４１…ガス供給口 ４２…下側ガス加熱管 ４３…上側ガス加熱管 ４４乃至５０…管 ６０…ガス導出口 ７０…ヒータ ７２…断熱材 ９０…Ｓｉ半導体ウェーハ １００…半導体製造装置 １２０…ウェーハ載置プレート １２２…ウェーハ支持用爪 １２８…ガス導入口 １３０…ツイーザ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】加熱手段と、 前記加熱手段内に設けられる反応管本体であって、所定
   の第１の方向において所定の距離離間するガス導入部と
   ガス排気部とを有する前記反応管本体と、 前記反応管本体内に設置される基板保持具であって、前
   記ガス導入部と前記ガス排気部との間の前記第１の方向
   に直角な第２の方向とを含む第１の平面にほぼ平行な状
   態で被処理基板を保持可能な前記基板保持具と、を有す
   る基板処理装置を用いて、 前記ガス導入部から前記第１の方向に前記被処理基板の
   表面上で層流なガス流を流して前記被処理基板上に成膜
   することを特徴とする成膜方法。
2. 【請求項２】前記ガス導入部に複数のガス導入口を設
   け、 前記複数のガス導入口を、前記基板保持具に前記被処理
   基板を保持した時に、前記被処理基板とほぼ同じ高さで
   あって、前記被処理基板の表面と平行に一列になるよう
   に配置したことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
3. 【請求項３】前記複数のガス導入口は、前記第１の方向
   の所定の中心線に対して前記第２の方向において実質的
   に左右対称に配置されていることを特徴とする請求項２
   記載の成膜方法。