JPH01198016A - 横形プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕　　　　゛ 本発明は半導体装置の製造に使用される横形プラズマＣ
ＶＤ装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のプラズマＣＶＤ装置は、石英製反応管の
フロント側から２種類の反応ガスを管内に流し込み、拡
散と自然対流によってこの反応ガスを混合しなからリヤ
側の排気口へと流し、その途中にプラズマを発生させ、
反応ガスを反応させて膜を形成する反応部金おく構造と
なっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の横形プラズマＣＶＤ装置では、石英製反
応管内の反応ガス供給部が、単純な２つのガス吹き出し
孔またはノズルからなる為、２８！類のガスの混合は吹
き出し孔の位置や向きに左右されやすい。また、ガスの
複類によっては反応部でのガスの分布や混合度合いが不
均一になり、形成される膜に膜厚むらが発生するという
欠点がある。

また、反応ガスを自然対流と拡散により均一化する為に
は、反応ガス供給部から反応部までの距離全長くする必
要があるため、限られた長さの反応管では、厚さの均一
な膜が形成できる反応ゾーンが狭くなるという欠点もあ
る。

本発明の目的は、厚さの均一な膜を形成することのでき
る横形プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の横形プラズマＣＶＤ装置は、石英製反応管内の
反応ガス供給部とプラズマを発生して膜を形成する反応
部との間に反応ガス流の分布を均一にする為のバッフル
板を取付けたものである。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図（ａ）
　、　（ｂ）は第１の実施例に用いられる混合用バッフ
ル板と拡散用バックル板の正面図である。

第１図において、石英製の反応管ｌのフロントキャップ
４側の反応ガス供給部１０には２つの反応ガス吹き出し
孔５が設けられておシ、膜形成の為の２種類の反応ガス
が吹き出すように構成されている。そして、この反応ガ
スは反応部１１において反応し、ボート２上のウェーハ
３表面に膜を形成したのち、排気ポンプにより排気され
る。そして特に、ガス供給部１０と反応部１１との間に
は反応ガス流の分布を均一にするための混合用バックル
板６と拡散用バッフル板７とが設けられている。

このように構成された第１の実施例においては、反応ガ
ス吹き出し孔５から供給された２種類の反応ガスは、リ
ヤ側の排気により直接反応部１１の方向に導かれようと
するが、混合用バックル板６により行く手を遮られる為
、この部分で自然攪拌が生じ混合が行なわれる。ここで
混合された反応ガスは、次に拡散用バックル板７に当る
。この拡散用バックル板７には第２図（ｂ）に示すよう
に、反応ガスの進行断面に対し均等に配分された多くの
孔８が設けられているため、この孔８を通すことにより
、矢印９で示すように均一に分布した反応ガスを反応部
１１に供給することができる。

また第３図（ａ）　、　（ｂ）及び第４図（ａ）　ｌ　
（ｂ）に示すように、反応部１１にあるウェーハサポー
ト用のボート２の形状に合せ、プラズマが発生する反応
部１１に理想的に反応ガスが分布するように、拡散用バ
ッフル板の形状を変ることもできる。すなわち、第３図
（１））はガス進行方向に対し平行にウェーハ３がサポ
ートされている場合であり、拡散用バックル板７人には
第３図（ａ）に示すようにスリット状の孔が形成されて
おり、この拡散用バッフル板によυ層流ガスが供給でき
る。また第４図（ｂ）は、ガス進行方向に対し直角にウ
ェーハ３がサポートされている場合であり、第４図（ａ
）に示すように１孔無し円板からなる拡散用バッフル板
７Ｂにより乱流ガスを供給し、反応ガスの回シ込みを良
くすることができる。

第５図は本発明の第２の実施例の断面図である。

本箱２の実施例においては、ガス供給部ｌＯにおけるガ
ス吹き出し孔５にノズル等を取付け、吹き　・出し部に
て２稲類の反応ガスの流れを交差させ、強制的に混合さ
せる構造としている。従ってバッフル板は拡散用バッフ
ル板７のみでよい。

このように第２の実施例では、バックル板が１つでよい
ため、構造を簡単に出来る利点がある。

ｔｅパ、フル板７をフロントキャップ４と連結すること
により、フロントキャップ４の開放時、−緒に反応管ｌ
の内部から外すことができる為、製品の出し入れには障
害にならないという利点もある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、石英製反応管内の反応ガ
ス供給部と反応部との間にバッフル板を取付けることに
より、反応部に均一に分布した反応ガスを供給すること
が出来る。従って、横形プラズマＣＶＤ装置における反
応部でのウェーハの面内及びウェーハ間の膜厚のばらつ
きを改善出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図（ａ）
　、　（ｂ）は第１の実施例に用いられるバッフル板の
正面図、第３図（ａ）　、　（ｂ）及び第４図（ａ）　
、　（ｂ）は第１の実施例に用いられるバッフル板の他
の形状を説明するための図、第デ図は本発明の第２の実
施例の断面図である。 ｌ・・・・・・反応管、２・・・・・・ボート、３・・
・・・・ウェーハ、４・・・・・・フロントキャップ、
５・・・・・・反応ガス吹き出し孔、６・・・・・・混
合用バックル板、７．７Ａ、７Ｂ・・・・・・拡散用バ
ッフル板、８・・・・・・孔、９・・・・・・ガスの流
れを示す矢印。 代理人　弁理士　　内　原　　　音

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　石英製反応管内の反応ガス供給部とプラズマを発生し
   て膜を形成する反応部との間に、反応ガス流の分布を均
   一にする為のバッフル板を取付けたことを特徴とする横
   形プラズマＣＶＤ装置。