JPS60200531A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPS60200531A JPS60200531A JP5603484A JP5603484A JPS60200531A JP S60200531 A JPS60200531 A JP S60200531A JP 5603484 A JP5603484 A JP 5603484A JP 5603484 A JP5603484 A JP 5603484A JP S60200531 A JPS60200531 A JP S60200531A
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- Japan
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- processing tube
- processing
- holes
- process tube
- tube
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、処理技術、特に、処理流体にプロセスチー−
プを供給して処理する技術に関し、たとえば、半導体装
置の製造において、ウェハに酸化膜等を形成する技術に
関する。
プを供給して処理する技術に関し、たとえば、半導体装
置の製造において、ウェハに酸化膜等を形成する技術に
関する。
半導体装置の製造において、ウェハに酸化膜を生成する
低圧ＣＶＤ装置として、ウェハなプロセスチューブ内に
収容し、プロセスチューブの一端からモノシラン（Ｓｉ
Ｈ，）を供給してシリコン酸化膜を生成するようにした
もの、が考えられる。
低圧ＣＶＤ装置として、ウェハなプロセスチューブ内に
収容し、プロセスチューブの一端からモノシラン（Ｓｉ
Ｈ，）を供給してシリコン酸化膜を生成するようにした
もの、が考えられる。
しかし、かかる低圧ＣＶＤ装置においては、プロセスチ
ューブの処理ガス供給口と排出口とで濃度、流れの分布
９反応の不均一が発生するため、成膜処理にばらつきが
発生するという問題点があること、が本発明者によって
明らかにされた。
ューブの処理ガス供給口と排出口とで濃度、流れの分布
９反応の不均一が発生するため、成膜処理にばらつきが
発生するという問題点があること、が本発明者によって
明らかにされた。
本発明の目的は、均一な処理を行うことができる処理技
術を提供することにある。
術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、プロセスチューブに複数の透孔を開設し、各
透孔に処理流体供給通路を接続することにより、処理流
体が各透孔からプロセスチューブ内に均一に供給される
ようにしたものである。
透孔に処理流体供給通路を接続することにより、処理流
体が各透孔からプロセスチューブ内に均一に供給される
ようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例である低圧ＣＶＤ装置を示す
縦断面図、第２図は第１図■−■線に沿う拡大断面図で
ある。
縦断面図、第２図は第１図■−■線に沿う拡大断面図で
ある。
本実施例において、この低圧ＣＶＤ装置はプロセスチュ
ーブ１を備えており、このチューブ１は石英ガラスによ
り一端が閉塞したほぼ円筒形状に形成されている。この
チューブ１の筒壁には複数個の透孔２がチューブ内外な
連通ずるように開設されており、透孔２はその開口面積
２位置２個数。
ーブ１を備えており、このチューブ１は石英ガラスによ
り一端が閉塞したほぼ円筒形状に形成されている。この
チューブ１の筒壁には複数個の透孔２がチューブ内外な
連通ずるように開設されており、透孔２はその開口面積
２位置２個数。
形状等を、プロセスチューブ１の容積、内圧等、処理ガ
スの種類、流速、濃度、流量等々の条件により適当に選
定するようになっている。
スの種類、流速、濃度、流量等々の条件により適当に選
定するようになっている。
プロセスチューブ１の端面開口３にはドア４が着脱自在
に被蓋されており、ドア４には排気口５がプロセスチュ
ーブ１内を排気し得るように開設されている。プロセス
チューブ１の内部は、被処理物としてのウェハ６を複数
枚立脚した状態で整列したボート状の治具７を収容保持
し得るように構成されており、治具７は石英ガラスによ
り形成されている。
に被蓋されており、ドア４には排気口５がプロセスチュ
ーブ１内を排気し得るように開設されている。プロセス
チューブ１の内部は、被処理物としてのウェハ６を複数
枚立脚した状態で整列したボート状の治具７を収容保持
し得るように構成されており、治具７は石英ガラスによ
り形成されている。
プロセスチューブ１の外部にはボックス８がプロセスチ
ューブ１の外方を取り囲むように設置されており、ボッ
クス８とプロセスチューブ１とによりほぼ環帯状空間の
通路９が形成される。ボックス８のプロセスチューブ１
の閉塞端に対向する側壁には、ＳｉＨ４，０２等の処理
ガス１０を供給される供給口１１が開設されており、ボ
ックス８のプロセスチューブ１の筒部に対向する側壁外
部には、ヒータ１２がボックス８およびプロセスチュー
ブ１の内部を加熱し得るように設備されている。
ューブ１の外方を取り囲むように設置されており、ボッ
クス８とプロセスチューブ１とによりほぼ環帯状空間の
通路９が形成される。ボックス８のプロセスチューブ１
の閉塞端に対向する側壁には、ＳｉＨ４，０２等の処理
ガス１０を供給される供給口１１が開設されており、ボ
ックス８のプロセスチューブ１の筒部に対向する側壁外
部には、ヒータ１２がボックス８およびプロセスチュー
ブ１の内部を加熱し得るように設備されている。
次に作用を説明する。
複数枚のウェハ６を治具７上に整列して保持せしめ、こ
の治具７をプロセスチューブ１内にドア４が開かれた開
口３から挿入しほぼ中央に位置決めする。
の治具７をプロセスチューブ１内にドア４が開かれた開
口３から挿入しほぼ中央に位置決めする。
ドア４が閉じられ、プロセスチューブ１内が排気口５か
ら排気され、ヒータ１２により加熱されると、ボックス
８の供給口１１から処理ガス１０が供給される。ボック
ス８内に供給された処理ガスは、ボックス８内に均一に
拡散するように流れて各透孔２からプロセスチューブ１
内に流れ込む。
ら排気され、ヒータ１２により加熱されると、ボックス
８の供給口１１から処理ガス１０が供給される。ボック
ス８内に供給された処理ガスは、ボックス８内に均一に
拡散するように流れて各透孔２からプロセスチューブ１
内に流れ込む。
プロセスチューブ１には透孔２が複数開設されているた
め、処理ガス１０はプロセスチューブ１内に均一に流れ
込み、その濃度、流れの分布２反応等が均一に行われる
ことになる。
め、処理ガス１０はプロセスチューブ１内に均一に流れ
込み、その濃度、流れの分布２反応等が均一に行われる
ことになる。
この均一な反応により、治具７上のウエノ・６群全体、
および各ウェハ６全面にわたってＣＶＤ膜が均一に生成
される。
および各ウェハ６全面にわたってＣＶＤ膜が均一に生成
される。
（１） プロセスチューブに複数の透孔を開設し、透孔
に処理流体を供給する通路を接続することにより、処理
流体を各透孔からプロセスチューブ内に均一に流入させ
ることができるため、プロセスチー−プ内における処理
を均一に行わせることができる。
に処理流体を供給する通路を接続することにより、処理
流体を各透孔からプロセスチューブ内に均一に流入させ
ることができるため、プロセスチー−プ内における処理
を均一に行わせることができる。
（２）通路をプロセスチー−ブを取り囲むボックスによ
って形成することにより、透孔に処理流体を供給する通
路が簡単に形成できる。
って形成することにより、透孔に処理流体を供給する通
路が簡単に形成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、処理流体な各透孔に供給する通路は、各透孔
に互いに独立または連通した管をそれぞれ接続して構成
してもよい。
に互いに独立または連通した管をそれぞれ接続して構成
してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハに成膜処理す
る低圧ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、酸化膜形成
装置、拡散装置、エピタキシャル装置等にも適用できる
。
をその背景となった利用分野であるウェハに成膜処理す
る低圧ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、酸化膜形成
装置、拡散装置、エピタキシャル装置等にも適用できる
。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図■−■線に沿う拡大断面図である。 １・・・プロセスチューブ、２・・・透孔、３・・・開
口、４・・・ドア、５・・・排気口、６・・・ウェハ（
被処理物）、７・・・治具、８・・・ボックス、９・・
・通路、１ｏ・・・処理ガス（処理流体）、１１・・・
供給口、１２・・・ヒータ。 第 １ 図 Ｔｉ」 第 ２ 図
１図■−■線に沿う拡大断面図である。 １・・・プロセスチューブ、２・・・透孔、３・・・開
口、４・・・ドア、５・・・排気口、６・・・ウェハ（
被処理物）、７・・・治具、８・・・ボックス、９・・
・通路、１ｏ・・・処理ガス（処理流体）、１１・・・
供給口、１２・・・ヒータ。 第 １ 図 Ｔｉ」 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被処理物を収容するプロセスチー−ブに複数の透孔
が開設され、各透孔に処理流体を供給する通路が接続さ
れている処理装置。 ２、通路が、プロセスチューブの外部に設けられたボッ
クスによりプロセスチューブの外方を取り囲むように形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の処理装置。 ３、通路が、各透孔にそれぞれ接続された台管により形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603484A JPS60200531A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603484A JPS60200531A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200531A true JPS60200531A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13015789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5603484A Pending JPS60200531A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147900A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長用炉芯管 |
| US6952889B2 (en) * | 2002-11-05 | 2005-10-11 | Wafermasters, Inc. | Forced convection assisted rapid thermal furnace |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5603484A patent/JPS60200531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147900A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長用炉芯管 |
| US6952889B2 (en) * | 2002-11-05 | 2005-10-11 | Wafermasters, Inc. | Forced convection assisted rapid thermal furnace |
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