JPH04139820A - 縦型減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型減圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH04139820A JPH04139820A JP26437390A JP26437390A JPH04139820A JP H04139820 A JPH04139820 A JP H04139820A JP 26437390 A JP26437390 A JP 26437390A JP 26437390 A JP26437390 A JP 26437390A JP H04139820 A JPH04139820 A JP H04139820A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 71
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程においてウェーハ上に成
膜をＣＶＤ成長させるために使用される縦型減圧ＣＶＤ
装置に関し、特に反応管内部のガス流れの改善に関する
ものである。
膜をＣＶＤ成長させるために使用される縦型減圧ＣＶＤ
装置に関し、特に反応管内部のガス流れの改善に関する
ものである。
従来、この種の減圧ＣＶＤ′４Ａ置は、抵抗線加熱路内
に挿入された先封し片端解放の石英外管内に、両端解放
された石英内管を挿入し、前記内管内にウェーハを挿入
し、加熱しながら前記内管内に反応ガスを導入し、反応
ガスの熱分解によってＣＶＤ成膜していた。成膜に使用
されたガスは、内管と外管の間から排気配管を通り、真
空ポンプによって系外へ排出されていた。
に挿入された先封し片端解放の石英外管内に、両端解放
された石英内管を挿入し、前記内管内にウェーハを挿入
し、加熱しながら前記内管内に反応ガスを導入し、反応
ガスの熱分解によってＣＶＤ成膜していた。成膜に使用
されたガスは、内管と外管の間から排気配管を通り、真
空ポンプによって系外へ排出されていた。
以下、図面を参照して詳細に説明する。第４図は従来の
縦型減圧ＣＶＤ装置の主要部の一例を示す断面図である
。この縦型減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すように、抵抗
線加熱体１内に設置した外管２と、この外管２内に挿入
された内管３と、この内管３内に設置された石英ボード
４と、この石英ボード４に支持されたウェーハ５に反応
ガスを供給するガス導入口６が設けられるとともに内管
３、外管２及び抵抗線加熱体１を支持する支持構造体と
、この支持構造体に取付けられた排気配管７及び真空ポ
ンプ８とで構成されていた。また、この縦型減圧ＣＶＤ
装置は、抵抗線加熱体１によってウェーハ５を加熱し、
反応ガスを熱分解させてウェーハ５上にＣＶＤ成膜する
ものである。さらに、成膜後の反応ガスは、内管３と外
管４の間を通って、排気配管７から真空ポンプ８によっ
て系外に排出されるものである。
縦型減圧ＣＶＤ装置の主要部の一例を示す断面図である
。この縦型減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すように、抵抗
線加熱体１内に設置した外管２と、この外管２内に挿入
された内管３と、この内管３内に設置された石英ボード
４と、この石英ボード４に支持されたウェーハ５に反応
ガスを供給するガス導入口６が設けられるとともに内管
３、外管２及び抵抗線加熱体１を支持する支持構造体と
、この支持構造体に取付けられた排気配管７及び真空ポ
ンプ８とで構成されていた。また、この縦型減圧ＣＶＤ
装置は、抵抗線加熱体１によってウェーハ５を加熱し、
反応ガスを熱分解させてウェーハ５上にＣＶＤ成膜する
ものである。さらに、成膜後の反応ガスは、内管３と外
管４の間を通って、排気配管７から真空ポンプ８によっ
て系外に排出されるものである。
第５図はウェーハ上のガスの流れを説明するための第４
図の装置の一部分を拡大して示した図である。まず、ガ
ス導入口６から供給された反応ガスは、同図に示す矢印
の方向で、石英ボード４に支持されたウェーハ５と内管
３との間を通りながらウェーハ５表面上に供給される。
図の装置の一部分を拡大して示した図である。まず、ガ
ス導入口６から供給された反応ガスは、同図に示す矢印
の方向で、石英ボード４に支持されたウェーハ５と内管
３との間を通りながらウェーハ５表面上に供給される。
このときウェーハ５は、石英ボード３にある間隔にて積
層されるため、実際のウェーハ５表面上への反応ガスの
供給は、内管３における内壁の反応ガス流速が速いため
に（実験テークではｌ Ｏｍ ／ ｓ ｅ ｃ以上）、
反応ガス自身が、図に示されるように、渦流９状になっ
て供給されるものである。
層されるため、実際のウェーハ５表面上への反応ガスの
供給は、内管３における内壁の反応ガス流速が速いため
に（実験テークではｌ Ｏｍ ／ ｓ ｅ ｃ以上）、
反応ガス自身が、図に示されるように、渦流９状になっ
て供給されるものである。
上述した従来の縦型減圧ＣＶ Ｄ装置においては、ウェ
ーハか、石英ボードにある間隔にて積層されるため、実
際のウェーハ表面上への反応ガスの供給は、内管におけ
る内壁の反応ガス流速が速く反応ガス自身が渦流状にな
って（バ給されるため、ウェーハ表面の周辺部には充分
反応ガスか供給されるか、ウェーハ表面の中心部になる
ほと反応ガスの供給か不足し、結果として、成膜すべき
ＣＶＤ膜の厚さが周辺部はど厚く、中心部はど薄くなる
といつな現象か発生し、このためＬＳＩ製造製造中程中
けるウェーハ表面加工の精度を下げ、歩留まりを低下さ
せるといった欠点を有していた。
ーハか、石英ボードにある間隔にて積層されるため、実
際のウェーハ表面上への反応ガスの供給は、内管におけ
る内壁の反応ガス流速が速く反応ガス自身が渦流状にな
って（バ給されるため、ウェーハ表面の周辺部には充分
反応ガスか供給されるか、ウェーハ表面の中心部になる
ほと反応ガスの供給か不足し、結果として、成膜すべき
ＣＶＤ膜の厚さが周辺部はど厚く、中心部はど薄くなる
といつな現象か発生し、このためＬＳＩ製造製造中程中
けるウェーハ表面加工の精度を下げ、歩留まりを低下さ
せるといった欠点を有していた。
本発明の目的はかかる欠点を解消し、均一の成膜を成長
し得る縦型減圧ＣＶＤ装置を提供することである。
し得る縦型減圧ＣＶＤ装置を提供することである。
本発明の縦型減圧ＣＶＤ装置は、加熱路内に挿入される
内管と外管とでなる石英製二重管と、この石英製二重管
内に挿入されるとともにこの石英製二重管にほぼ垂直方
向に複数並べてウェーハを挿入し支持する石英製のボー
Ｉ・とを備え、前記石英製二重管内に反応ガスあるいは
不活性ガスを供給し、この反応ガスあるいは不活性ガス
を系外に排気しながら成膜を行なう縦型減圧ＣＶＤ装置
において、前記石英製二重管における内管の内壁と前記
ボードの間に挿入されるとともに前記ボードに支持され
る前記ウェーハに対応する位置に前記ガスを排出する複
数の第１の穴が並べて形成されるガス導入管を有し、こ
のガス導入管と対向する反対側の前記内管の内壁に前記
ガスを吸入する第２の穴が形成されていることを特徴と
している。
内管と外管とでなる石英製二重管と、この石英製二重管
内に挿入されるとともにこの石英製二重管にほぼ垂直方
向に複数並べてウェーハを挿入し支持する石英製のボー
Ｉ・とを備え、前記石英製二重管内に反応ガスあるいは
不活性ガスを供給し、この反応ガスあるいは不活性ガス
を系外に排気しながら成膜を行なう縦型減圧ＣＶＤ装置
において、前記石英製二重管における内管の内壁と前記
ボードの間に挿入されるとともに前記ボードに支持され
る前記ウェーハに対応する位置に前記ガスを排出する複
数の第１の穴が並べて形成されるガス導入管を有し、こ
のガス導入管と対向する反対側の前記内管の内壁に前記
ガスを吸入する第２の穴が形成されていることを特徴と
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示ず縦型減圧ＣＶＤ装置の
主要部における断面図、第２図はウェーハ上のガスの流
れを説明するための第１図の装置の一部分を拡大して示
した図である。この縦型減圧ＣＶＤ装置は、第１図に示
すように、ガス導入口６より石英ホード４に沿って伸ひ
るとともに石英ボード４に載置されたウェーハ５とウェ
ーハ５との間に対応する位置にガス排出口１ ］、 ａ
か開けられたガス導入管１０を設け、このガス排出口１
１ａに対向する内管３にガス排気口１１ｂを開けたこと
である。それ以外は従来例と同しである。
主要部における断面図、第２図はウェーハ上のガスの流
れを説明するための第１図の装置の一部分を拡大して示
した図である。この縦型減圧ＣＶＤ装置は、第１図に示
すように、ガス導入口６より石英ホード４に沿って伸ひ
るとともに石英ボード４に載置されたウェーハ５とウェ
ーハ５との間に対応する位置にガス排出口１ ］、 ａ
か開けられたガス導入管１０を設け、このガス排出口１
１ａに対向する内管３にガス排気口１１ｂを開けたこと
である。それ以外は従来例と同しである。
このガス導入管１０と、互いに対応するガス排出口１１
ａ及びガス排気口１１１〕をそれぞれガス導入管１０と
内管３に開けることにより、ガスの流れが変る。すなわ
ち、第２図に示すように、まず、ガス導入管１０から反
応ガスまたは不活性ガスが供給され、ガス導入管］０の
ガス排出口１１ａより、反対側に刻されたガス排気口１
１へ向かって流れ、抵抗線加熱体１によってウェーハ５
を加熱し、反応ガスを熱分解させてウェーハ５上にＣＶ
Ｄ成膜する。成膜後の反応ガスまたは不活性ガスは、ガ
ス排気口１１から排気配管７から真空ポンプ８によって
系外に排出されるものである。
ａ及びガス排気口１１１〕をそれぞれガス導入管１０と
内管３に開けることにより、ガスの流れが変る。すなわ
ち、第２図に示すように、まず、ガス導入管１０から反
応ガスまたは不活性ガスが供給され、ガス導入管］０の
ガス排出口１１ａより、反対側に刻されたガス排気口１
１へ向かって流れ、抵抗線加熱体１によってウェーハ５
を加熱し、反応ガスを熱分解させてウェーハ５上にＣＶ
Ｄ成膜する。成膜後の反応ガスまたは不活性ガスは、ガ
ス排気口１１から排気配管７から真空ポンプ８によって
系外に排出されるものである。
二のように、ガス導入管］−０からウェーハ５の表面上
を通ってガス排気口１１に到達するガス流１２によって
、ウェーハ５の表面には、均一に常に新しい反応ガスま
たは不活性ガスが供給されるから、ウェーハ面には−様
なガスが晒らされることになる。
を通ってガス排気口１１に到達するガス流１２によって
、ウェーハ５の表面には、均一に常に新しい反応ガスま
たは不活性ガスが供給されるから、ウェーハ面には−様
なガスが晒らされることになる。
第３図は本発明の他の実施例を示す縦型減圧ＣＶ Ｄ装
置の主要部における一部を拡大した図である。この縦型
減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すように反応ガスの一部を
ガス導入口６から導入しガス導入管］０に供給する以外
に残りの反応ガスをガス導入口６ａから導入し、石英ボ
ード４の下側に流すようにしたことである。他は前記の
実施例と同様である。なお、本実施例によれば、縦型減
圧ＣＶＤ装置にて均一成膜されたポリシリコン膜中に、
例えば燐を拡散させる場合に、ウェーハの中心部にまで
充分に燐ソースガスか供給てき、膜中の燐濃度を均一に
できるといった別の効果かある。
置の主要部における一部を拡大した図である。この縦型
減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すように反応ガスの一部を
ガス導入口６から導入しガス導入管］０に供給する以外
に残りの反応ガスをガス導入口６ａから導入し、石英ボ
ード４の下側に流すようにしたことである。他は前記の
実施例と同様である。なお、本実施例によれば、縦型減
圧ＣＶＤ装置にて均一成膜されたポリシリコン膜中に、
例えば燐を拡散させる場合に、ウェーハの中心部にまで
充分に燐ソースガスか供給てき、膜中の燐濃度を均一に
できるといった別の効果かある。
以上説明したように本発明は、石英製二重管内に挿入さ
れるホードに並べて支持されるウェーハに対して反応ガ
スあるいは不活性ガスか前記ウェーハ面に沿って流れる
ように、ウェーハに対応する複数のガス排出穴をもつガ
ス導入管を前記石英製二重管と前記ボードとの間に挿入
し、このガス導入管と対向する反対側の前記石英製二重
間の内壁にガス吸入穴を形成することによって、ウェー
ハ面に均一成膜を形成出来る縦型減圧ＣＶＤ装置が得ら
れるという効果がある。
れるホードに並べて支持されるウェーハに対して反応ガ
スあるいは不活性ガスか前記ウェーハ面に沿って流れる
ように、ウェーハに対応する複数のガス排出穴をもつガ
ス導入管を前記石英製二重管と前記ボードとの間に挿入
し、このガス導入管と対向する反対側の前記石英製二重
間の内壁にガス吸入穴を形成することによって、ウェー
ハ面に均一成膜を形成出来る縦型減圧ＣＶＤ装置が得ら
れるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦型減圧ＣＶＤ装置の
主要部における断面図、第２図はウェーハ上のガスの流
れを説明するための第１図の装置の一部分を拡大して示
した図、第３図は本発明の他の実施例を示す縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置の主要部における一部を拡大した図、第４図は
従来の縦型減圧ＣＶ ｌ）装置の主要部の一例を示す断
面図、第５図はウェーハ上のガスの流れを説明するため
の第４図の装置の一部分を拡大して示した図である。 ］・・・抵抗線加熱体、２・・・外管、３・・・内管、
４・・石英ボード、５・・・ウェーハ、６，６ａ・・・
ガス導入口、７・・・排気配管、８・・・真空ポンプ、
９・・・渦流、１０・・・ガス導入管、ｌｌａ、ｌ’ｌ
ｂ・・・ガス排気口、１２・・ガス流れ。
主要部における断面図、第２図はウェーハ上のガスの流
れを説明するための第１図の装置の一部分を拡大して示
した図、第３図は本発明の他の実施例を示す縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置の主要部における一部を拡大した図、第４図は
従来の縦型減圧ＣＶ ｌ）装置の主要部の一例を示す断
面図、第５図はウェーハ上のガスの流れを説明するため
の第４図の装置の一部分を拡大して示した図である。 ］・・・抵抗線加熱体、２・・・外管、３・・・内管、
４・・石英ボード、５・・・ウェーハ、６，６ａ・・・
ガス導入口、７・・・排気配管、８・・・真空ポンプ、
９・・・渦流、１０・・・ガス導入管、ｌｌａ、ｌ’ｌ
ｂ・・・ガス排気口、１２・・ガス流れ。
Claims (1)
- 加熱路内に挿入される内管と外管とでなる石英製二重管
と、この石英製二重管内に挿入されるとともにこの石英
製二重管にほぼ垂直方向に複数並べてウェーハを挿入し
支持する石英製のボードとを備え、前記石英製二重管内
に反応ガスあるいは不活性ガスを供給し、この反応ガス
あるいは不活性ガスを系外に排気しながら成膜を行なう
縦型減圧ＣＶＤ装置において、前記石英製二重管におけ
る内管の内壁と前記ボードの間に挿入されるとともに前
記ボードに支持される前記ウェーハに対応する位置に前
記ガスを排出する複数の第１の穴が並べて形成されるガ
ス導入管を有し、このガス導入管と対向する反対側の前
記内管の内壁に前記ガスを吸入する第２の穴が形成され
ていることを特徴とする縦型減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26437390A JPH04139820A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26437390A JPH04139820A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139820A true JPH04139820A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17402254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26437390A Pending JPH04139820A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04139820A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444262B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
| JP2010050439A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26437390A patent/JPH04139820A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444262B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
| JP2010050439A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
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