JPH0321013A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造における薄膜形成装置に関するも
のである。

２べ 従来の技術 半導体製造にかける薄膜形成装置のひとつとして減圧Ｃ
ＶＤ装置が知られている。従来は横型が主流であったが
、最近では自動化，膜厚均一性の点から縦型が注目され
るようになってきた。

第２図は従来の縦型減圧ＣＶＤによる薄膜形成装置であ
る。

図にかいて、１は石英反応管（外管）、２は石英反応管
（内管）、３は半導体基板、４は半導体基板を支える石
英ボート、５はヒーター線、６，７はガス導入管、８は
石英ボートを乗せる石英キャップ、９は排気口、１０は
開閉蓋、１１はフランジである。

以上のように構或された薄膜形成装置について以下その
動作を説明する。

１ず、半導体基板３が石英ボート４にチャージされたあ
と、ロボットアームが石英ボート４を石英キャップ８上
に搬送し、その後、開閉蓋１０が上昇し、石英ボート８
を反応室内に搬送する。

石英反応室はヒーター線５により均一に加熱さ３、７ れてかり、ガス導入管６，７から導入された反応ガスの
熱化学反応によシ半導体基板３上に薄膜が形成される。

排気ガスは石英反応管である外管と内管の間を通シ排気
口９より真空ポンプで排気される。

ガス導入管を６，７の２本使用する理由は、ガス導入管
７の１本だけの場合、反応ガスが反応室下部で大部分消
費されてし１うため、上部で反応ガス濃度が下がり戊長
速度が低下してし咬う。それを補うためガス導入管６が
設けられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来の構戊では、ガス導入管６を強
固にフランジ１１に固定させることが難しく、ガス導入
管６が長くなればなる程、石英ボート４が反応室内に搬
送中にガス導入管６と接触する可能性が高くなる。１た
ガス導入管の数を増やすことにも限界がある。１た一般
的に、石英反応管（内管）の内径が半導体基板の直径に
近づく程、半導体基板間の膜厚均一性は良くなることが
知られているが、６，７のようなガス導入管を使用する
限り石英反応管（内管）の内径をさらに小さくすること
はできない。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体基
板間の膜厚均一性を大幅に改善することのできる薄膜形
成装置を提供することを目的とする。

課題，曳を解決するための手段 この目的を達戒するために本発明の薄膜形成装置は、石
英製ボートの半導体基板支持部の石英部材を反応室へガ
スを導入する穴が複数個設けられた片開放の円筒状部材
とし、この円筒状石英材をガス導入管として使用する構
或としたものである。

作　　　用 との構或により、石英反応管（内管）と石英ボート間の
ガス導入管を排除できるので、石英反応管（内管）の内
径を小さくすることができ、１た半導体基板支持を兼ね
た円筒状石英材によるガス導入により、石英ボートの比
較的上部に１で反応ガスを導入することができるため、
半導体基板間の膜厚均一性を大幅に改善することができ
る。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図は本発明の一実施例における縦型減圧ＣＶＤ法に
よる薄膜形成装置の概略図を示すものである。

第１図（ａ）に釦いて、１は石英反応管（外管）２は石
英反応管（内管）、３は半導体基板、４は石英ボート、
５はヒーター線、６はボート下部咬でのガス導入管、７
は石英キャップ、８は排気口、９は開閉蓋、１０はフラ
ンジである。第１図（ｂ）は第１図（ａ）の石英ボート
のＡ　−　Ａ／方尚の断面図である。石英ボート４は４
本の半導体基板支持棒が上下の円形の天板に溶着された
構造になっている。

第１図（Ｃ）は第１図（ａ）のガス導入管の役割を兼ね
ている半導体基板支持管のＢ−Ｂ／方尚の断面面である
。

以上のように構或された本実施例の薄膜形成装置につい
て以下その動作を説明する。ガス導入方法すなわち第１
図（Ｃ）に示すように開閉蓋９から石６・・一， 英キャップ７の中を通りガス導入管６により反応室内に
導入される反応ガスを石英ボート４の２本の半導体基板
支持管内に導く方法が従来例と大きく異なること以外そ
の他については全く同様である。

本実施例によれば、石英反応管（内管）と石英ボート間
のガヌ導入管を排除できるので、石英反応管（内管）の
内径を小さくでき、反応室内のガス流速を速めることが
できることと、半導体基板支持を兼ねた円筒状石英材に
よるガス導入により、石英ボートの上部に１で反応ガス
を未反応のま１導入することができるため、半導体基板
間の膜厚均一性を大幅に改善することができる。

発明の効果 本発明は、石英ボートの半導体基板支持部の石英部材を
片開放の円筒状とし、側面に反応室へガスを導入する穴
を複数個設ける構或とし、この円筒状石英材をガス導入
管として使用し、薄膜形戒を行うことにより、半導体基
板間の膜厚均一性を大幅に改善することができる優れた
薄膜形成装置７，、 を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例にかける薄膜
形戒装置の概略構戒図及びＡ−Ａ／方向，Ｂ−Ｂ’方向
の断面図、第２図は従来装置の概略構或図である。 １，２・・・・・・石英反応管、３・・・・・・半導体
基板、４・・・・・・石英ボート、６・・・・・・ヒー
ターＬ　ａｔ　−ｒ・・・・・・ガス導入管、８・・・
・・・石英キャップ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガス導入系として、半導体基板支持用の石英製ボ
   ートの半導体基板支持部の石英部材または前記半導体基
   板支持部の石英部材に並行して設けられた石英部材をガ
   ス導入管として使用することを特徴とする薄膜形成装置
   。
2. （２）ガス導入用の石英部材は片開放の円筒状であり、
   反応室へガスを導入する穴が同筒側面に複数個設けられ
   ている石英製半導体基板支持部または前記半導体基板支
   持部の石英部材に並行して設けられた石英部材を有する
   石英製ボートを使用することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の薄膜形成装置。