JP2537563Y2 - 縦型減圧気相成長装置 - Google Patents
縦型減圧気相成長装置Info
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- JP2537563Y2 JP2537563Y2 JP1989030891U JP3089189U JP2537563Y2 JP 2537563 Y2 JP2537563 Y2 JP 2537563Y2 JP 1989030891 U JP1989030891 U JP 1989030891U JP 3089189 U JP3089189 U JP 3089189U JP 2537563 Y2 JP2537563 Y2 JP 2537563Y2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Power Engineering (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本考案は、半導体製造過程に於いて基板ウェハー上に
窒化膜（Si3N4）、低温酸化膜（LTO）、高温酸化膜（HT
O）、リンガラス（PSG）、ボロンリンガラス（BPSG）、
高融点金属（リフラクトリメタル）、メタルシリサイ
ド、Si-Geエピタキシャル成長、III-V族、II-IV族化合
物エピタキシャル成長、等を均一に成長させ半導体デバ
イスに使用できるようにした減圧気相成長法に使用する
縦型減圧気相成長装置に関するものである。
窒化膜（Si3N4）、低温酸化膜（LTO）、高温酸化膜（HT
O）、リンガラス（PSG）、ボロンリンガラス（BPSG）、
高融点金属（リフラクトリメタル）、メタルシリサイ
ド、Si-Geエピタキシャル成長、III-V族、II-IV族化合
物エピタキシャル成長、等を均一に成長させ半導体デバ
イスに使用できるようにした減圧気相成長法に使用する
縦型減圧気相成長装置に関するものである。
「従来技術及びその問題点」 一般に、半導体製造過程に於いて基板ウェハー上に前
記酸化膜や窒化膜を成長させるのに減圧気相成長装置が
使用されている。このような減圧気相成長装置として
は、第４図に示すように、水平方向に配置した細長い反
応管１の外側にヒータ２を配設し、反応管１内に、多数
の基板ウェハー３をウェハーボート４に多数立設し、反
応管接続フランジのガス導入口５からガスを矢印で示す
ように流動させて、排出口６からガスを排出させる横型
減圧気相成長装置と、第５図に示すように、垂直方向に
配置した反応管１′の外側にヒーター２′を配設し、反
応管１′内に多数の基板ウェハー３′をウェハーボート
４′に多数水平装着し、反応管上部若しくは下部の導入
口５′からガスを矢印で示すように流動させて排出口
６′からガスを排出させる縦型減圧気相成長装置が知ら
れている。これら従来の気相成長装置で特にシラン（Si
H4）ガスを使用し酸化膜や窒化膜の薄膜を成長させた場
合、ウェハーのエッジ部分が厚くなり、膜厚を均一にす
ることが困難であった。このような欠点を解消するた
め、ボートを多数の孔を穿設した円筒状に形成すること
が行なわれている。しかして、この円筒状のボート（商
品名でケージポートと呼ばれている。）は、二つ割に形
成されており、ウェハーを出し入れするのにこのボート
を二つに開き、ウェハーを１枚々ピンセットで挟んで行
なっているが、この方法だと作業能率が悪く、自動化も
不可であり、しかもボートを開く際にゴミが発生して、
ウェハーに付着する等の問題があった。
記酸化膜や窒化膜を成長させるのに減圧気相成長装置が
使用されている。このような減圧気相成長装置として
は、第４図に示すように、水平方向に配置した細長い反
応管１の外側にヒータ２を配設し、反応管１内に、多数
の基板ウェハー３をウェハーボート４に多数立設し、反
応管接続フランジのガス導入口５からガスを矢印で示す
ように流動させて、排出口６からガスを排出させる横型
減圧気相成長装置と、第５図に示すように、垂直方向に
配置した反応管１′の外側にヒーター２′を配設し、反
応管１′内に多数の基板ウェハー３′をウェハーボート
４′に多数水平装着し、反応管上部若しくは下部の導入
口５′からガスを矢印で示すように流動させて排出口
６′からガスを排出させる縦型減圧気相成長装置が知ら
れている。これら従来の気相成長装置で特にシラン（Si
H4）ガスを使用し酸化膜や窒化膜の薄膜を成長させた場
合、ウェハーのエッジ部分が厚くなり、膜厚を均一にす
ることが困難であった。このような欠点を解消するた
め、ボートを多数の孔を穿設した円筒状に形成すること
が行なわれている。しかして、この円筒状のボート（商
品名でケージポートと呼ばれている。）は、二つ割に形
成されており、ウェハーを出し入れするのにこのボート
を二つに開き、ウェハーを１枚々ピンセットで挟んで行
なっているが、この方法だと作業能率が悪く、自動化も
不可であり、しかもボートを開く際にゴミが発生して、
ウェハーに付着する等の問題があった。
この考案はこのような問題点を一挙に解消しようとす
るものであり、ウェハー上に均一な膜厚を形成し得るよ
うにし、しかも自動化をも可能とした縦型減圧気相成長
装置を提供することを目的とする。
るものであり、ウェハー上に均一な膜厚を形成し得るよ
うにし、しかも自動化をも可能とした縦型減圧気相成長
装置を提供することを目的とする。
「問題点を解決するための手段」 上記目的に沿う本考案の構成は、基板ウェハーを内装
した反応管内に反応ガスを導入し、該反応管の外側を加
熱してウェハー上に薄膜を成長させる減圧気相成長装置
に於いて、前記反応管に複数の支柱を有する治具を内装
し、該支柱に多数の耐熱性リング状治具を上下方向に間
隔づけて固定し、該耐熱性リング状治具の上面に複数の
ウェハー支持用突起を形成し、該ウェハー支持用突起上
に前記基板ウェハーを載置し、その際基板ウェハー裏面
が前記ウェハー支持用突起に当接し、基板ウェハー表面
の成長面が前記リング状治具に間隔づけて面するように
したことを特徴とする。
した反応管内に反応ガスを導入し、該反応管の外側を加
熱してウェハー上に薄膜を成長させる減圧気相成長装置
に於いて、前記反応管に複数の支柱を有する治具を内装
し、該支柱に多数の耐熱性リング状治具を上下方向に間
隔づけて固定し、該耐熱性リング状治具の上面に複数の
ウェハー支持用突起を形成し、該ウェハー支持用突起上
に前記基板ウェハーを載置し、その際基板ウェハー裏面
が前記ウェハー支持用突起に当接し、基板ウェハー表面
の成長面が前記リング状治具に間隔づけて面するように
したことを特徴とする。
本考案の効果の原因は理論的に十分解明されているわ
けではないが、いずれにしろ、従来の方法ではガスがウ
ェハー上中央に均一に拡散せず、そのためウェハーのエ
ッジ部分が厚くなったウェハーが得られていたのに対
し、本考案のリング状治具を使用し、基板ウエハー成長
面（表面）をリング状治具に間隔づけて面するようにす
ることによって、エッジ部分の膜の成長が抑制され、そ
のためウェハー上に均一な薄膜が形成されるものと考え
られる。
けではないが、いずれにしろ、従来の方法ではガスがウ
ェハー上中央に均一に拡散せず、そのためウェハーのエ
ッジ部分が厚くなったウェハーが得られていたのに対
し、本考案のリング状治具を使用し、基板ウエハー成長
面（表面）をリング状治具に間隔づけて面するようにす
ることによって、エッジ部分の膜の成長が抑制され、そ
のためウェハー上に均一な薄膜が形成されるものと考え
られる。
「実施例」 以下に、この考案の望ましい実施例を図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図は、本考案の減圧気相成長装置の側面図を示す
ものであり、反応管に内装した支柱11の溝に、リング状
治具13を固定し、該リング状治具13の上面に間隔づけて
設けたウェハー支持用突起16上にウェハー14を載置し、
ウェハー14の成長面（上面）を隣接する上方のリング状
治具13に間隔づけて面するように構成されている。この
場合、ウェハーボートは回転可能になっている。
ものであり、反応管に内装した支柱11の溝に、リング状
治具13を固定し、該リング状治具13の上面に間隔づけて
設けたウェハー支持用突起16上にウェハー14を載置し、
ウェハー14の成長面（上面）を隣接する上方のリング状
治具13に間隔づけて面するように構成されている。この
場合、ウェハーボートは回転可能になっている。
第２図は、本考案に使用するリング状治具の斜視図を
示すものであり、リング状治具13は、中央が開口した略
円形に形成され、上面には、ウェハー支持用突起16が形
成されている。
示すものであり、リング状治具13は、中央が開口した略
円形に形成され、上面には、ウェハー支持用突起16が形
成されている。
このようにウェハー支持用突起16を形成させると、ウ
ェハーとリング状治具との間に隙間が形成され、この隙
間に薄い板状物を挿入し、ウェハーを真空吸着させて出
し入れすることができる。従って、ウェハーの出し入れ
を自動化によって行なうことができる。尚、上記リング
状治具の一端17は直線状に形成されているが、これは、
ウェハーの結晶軸を示すオリエンテーションフラットの
部分に合わせるためであり、このようにすることにより
オリエンテーションフラットの部分も均一な成長膜が形
成される。尚、真空吸着のための薄板は、リング状治具
の一端17の直線部若しくはその逆側から出し入れし、ウ
ェハーを出し入れする。
ェハーとリング状治具との間に隙間が形成され、この隙
間に薄い板状物を挿入し、ウェハーを真空吸着させて出
し入れすることができる。従って、ウェハーの出し入れ
を自動化によって行なうことができる。尚、上記リング
状治具の一端17は直線状に形成されているが、これは、
ウェハーの結晶軸を示すオリエンテーションフラットの
部分に合わせるためであり、このようにすることにより
オリエンテーションフラットの部分も均一な成長膜が形
成される。尚、真空吸着のための薄板は、リング状治具
の一端17の直線部若しくはその逆側から出し入れし、ウ
ェハーを出し入れする。
本考案に使用するリング状治具の材質は、耐熱性であ
れば特に限定されないが、例えば石英ガラス、炭化ケイ
ソ（SiC）、アルミナ（Al2O3）、セラミック等の耐熱性
材料が好適に使用される。
れば特に限定されないが、例えば石英ガラス、炭化ケイ
ソ（SiC）、アルミナ（Al2O3）、セラミック等の耐熱性
材料が好適に使用される。
リング状治具13は、中央部が開口したリング状に形成
されていればその形状は特に限定されない。
されていればその形状は特に限定されない。
第３図は、本考案に使用するリング状治具の他の例を
示す斜視図であり、リング状治具の外方に若干突出した
突出部18を三箇所形成し、この突出部18を支柱11に固定
するように構成した例を示す。
示す斜視図であり、リング状治具の外方に若干突出した
突出部18を三箇所形成し、この突出部18を支柱11に固定
するように構成した例を示す。
突出部18の内面は凹部19が形成されているが、このよ
うに凹部19を形成させることによって、支柱の影響を減
少させ、ウェハー上に均一な薄膜を形成させることがで
きる。
うに凹部19を形成させることによって、支柱の影響を減
少させ、ウェハー上に均一な薄膜を形成させることがで
きる。
支柱11は、上記実施例に於いては３本配設し、従っ
て、リング状治具13及びウェハー14は３箇所で支持され
ているが、これは特にこのようでなくとも差し仕えな
い。しかしながら、支柱の本数を多くしても特に利点は
ない。リング状治具は、支柱11の溝に熔接等により固定
されており、固定するとリング状治具を洗浄したりする
場合に支柱からはずれることがないので便利である。
て、リング状治具13及びウェハー14は３箇所で支持され
ているが、これは特にこのようでなくとも差し仕えな
い。しかしながら、支柱の本数を多くしても特に利点は
ない。リング状治具は、支柱11の溝に熔接等により固定
されており、固定するとリング状治具を洗浄したりする
場合に支柱からはずれることがないので便利である。
第１図に示すように支持したウェハーは、縦型減圧気
相装置内で、常法により酸化膜、窒化膜等の薄膜を形成
させればよい。
相装置内で、常法により酸化膜、窒化膜等の薄膜を形成
させればよい。
このようにして、酸化膜、窒化膜の薄膜を形成させる
と、エッジ部分の膜の成長が抑制される、ウェハー上に
均一な薄膜が形成される。
と、エッジ部分の膜の成長が抑制される、ウェハー上に
均一な薄膜が形成される。
「考案の効果」 以上述べた如く本考案の縦型減圧気相成長装置を使用
すると、ウェハー表面は間隔づけて隣接するリング状治
具に面して気相成長させることができるので、ウェハー
のエッジ部分の膜の成長が抑制されると共に、ウェハー
成長面中央は、ウェハー支持用突起によって、隣接する
ウェハーと外周部のリング状治具とよりは、広い間隔で
対向しているので、ウェハー外周部に比べて成長の抑制
度合が少なくなるから、極端に周辺部が厚くなる膜形成
の時に使用してもウェハー上に均一な薄膜を形成させる
ことができる。また、リング状治具の上面にウェハー支
持用突起が形成されているので、支持用突起上に置かれ
たウェハーを、薄い板状のウェハーチャックで持ち上げ
ることにより、ウェハーの出し入れを自動化することが
でき、生産性が向上する。
すると、ウェハー表面は間隔づけて隣接するリング状治
具に面して気相成長させることができるので、ウェハー
のエッジ部分の膜の成長が抑制されると共に、ウェハー
成長面中央は、ウェハー支持用突起によって、隣接する
ウェハーと外周部のリング状治具とよりは、広い間隔で
対向しているので、ウェハー外周部に比べて成長の抑制
度合が少なくなるから、極端に周辺部が厚くなる膜形成
の時に使用してもウェハー上に均一な薄膜を形成させる
ことができる。また、リング状治具の上面にウェハー支
持用突起が形成されているので、支持用突起上に置かれ
たウェハーを、薄い板状のウェハーチャックで持ち上げ
ることにより、ウェハーの出し入れを自動化することが
でき、生産性が向上する。
第１図は、本考案の実施例を示す側面図、 第２図は、本考案に使用するリング状治具の斜視図、 第３図は、本考案に使用するリング状治具の他の例を示
す斜視図、 第４図は、従来の縦型減圧気相成長装置を示す断面図、 第５図は、従来の横型減圧気相成長装置を示す断面図で
ある。 図中、 11……支柱、13……リング状治具、14……ウェハー。
す斜視図、 第４図は、従来の縦型減圧気相成長装置を示す断面図、 第５図は、従来の横型減圧気相成長装置を示す断面図で
ある。 図中、 11……支柱、13……リング状治具、14……ウェハー。
Claims (1)
- 【請求項１】基板ウェハーを内装した反応管内に反応ガ
スを導入し、該反応管の外側を加熱してウェハー上に薄
膜を成長させる減圧気相成長装置に於いて、前記反応管
に複数の支柱を有する治具を内装し、該支柱に多数の耐
熱性リング状治具を上下方向に間隔づけて固定し、該耐
熱性リング状治具の上面に複数のウェハー支持用突起を
形成し、該ウェハー支持用突起上に前記基板ウェハーを
載置し、その際基板ウェハー裏面が前記ウェハー支持用
突起に当接し、基板ウェハー表面の成長面が前記隣接す
るリング状治具に間隔づけて面するようにしたことを特
徴とする縦型減圧気相成長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989030891U JP2537563Y2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 縦型減圧気相成長装置 |
| KR1019890012753A KR920006572B1 (ko) | 1989-03-20 | 1989-09-04 | 웨이퍼 지지용치구 및 이 치구를 사용하는 감압기상 성장방법 |
| KR1019890017771A KR900015261A (ko) | 1989-03-20 | 1989-12-01 | 웨이퍼 지지용치구 및 이 치구를 사용하는 감압기상 성장방법 |
| US07/528,483 US5169684A (en) | 1989-03-20 | 1990-05-25 | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
| US07/700,945 US5169453A (en) | 1989-03-20 | 1991-05-14 | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989030891U JP2537563Y2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 縦型減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122431U JPH02122431U (ja) | 1990-10-08 |
| JP2537563Y2 true JP2537563Y2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=31256340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989030891U Expired - Lifetime JP2537563Y2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 縦型減圧気相成長装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537563Y2 (ja) |
| KR (2) | KR920006572B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481829B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체스퍼터링설비의웨이퍼홀더링실드 |
| JP3368852B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 積層パターンの形成方法 |
| EP1091391A1 (de) * | 1999-10-05 | 2001-04-11 | SICO Produktions- und Handelsges.m.b.H. | Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
| JP4526683B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2010-08-18 | 株式会社山形信越石英 | 石英ガラス製ウェーハ支持治具及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089282U (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-19 | 沖電気工業株式会社 | 気相成長用サセプタ− |
| JPH0715138Y2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-04-10 | 信越石英株式会社 | 縦型収納治具 |
| JPS62142839U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1989030891U patent/JP2537563Y2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-04 KR KR1019890012753A patent/KR920006572B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-01 KR KR1019890017771A patent/KR900015261A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900015261A (ko) | 1990-10-26 |
| KR920006572B1 (ko) | 1992-08-08 |
| KR910007098A (ko) | 1991-04-30 |
| JPH02122431U (ja) | 1990-10-08 |
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