JPS63316424A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS63316424A JPS63316424A JP15219287A JP15219287A JPS63316424A JP S63316424 A JPS63316424 A JP S63316424A JP 15219287 A JP15219287 A JP 15219287A JP 15219287 A JP15219287 A JP 15219287A JP S63316424 A JPS63316424 A JP S63316424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction gas
- reaction
- jig
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
の気相成長装置に関する。
の気相成長装置に関する。
従来、この種の気相成長装置は第３図に示すように発熱
体３２をもつ反応容器３１内に設置された、回転軸３７
を持つ垂直なサセプター３３上にウェハ３４をのせ、該
反応容器３１内に反応ガス供給口３５より反応ガスを流
し込み、気相成長を行う構造のもの、又は第４図に示す
ように反応容器４１内に設置された回転軸４７を持つ水
平なサセプター４４上にウェハ４３をのせ、該反応管内
に反応ガス供給口４６より反応ガスを供給しノズル４２
より噴出させることにより気相成長を行う構造のもので
あった。第３図中、３６は排気口である。また、第４図
中、４８は誘導コイル、４５は排気口である。
体３２をもつ反応容器３１内に設置された、回転軸３７
を持つ垂直なサセプター３３上にウェハ３４をのせ、該
反応容器３１内に反応ガス供給口３５より反応ガスを流
し込み、気相成長を行う構造のもの、又は第４図に示す
ように反応容器４１内に設置された回転軸４７を持つ水
平なサセプター４４上にウェハ４３をのせ、該反応管内
に反応ガス供給口４６より反応ガスを供給しノズル４２
より噴出させることにより気相成長を行う構造のもので
あった。第３図中、３６は排気口である。また、第４図
中、４８は誘導コイル、４５は排気口である。
上述した従来の気相成長装置は平面のサセプター上にウ
ェハを１枚ずつ並べる方式であるため、１回あたりの処
理枚数は４インチウェハで多くても５０枚以下であり、
ウェハが大口径化すればする程、該処理枚数は低下して
いくという欠点がある。
ェハを１枚ずつ並べる方式であるため、１回あたりの処
理枚数は４インチウェハで多くても５０枚以下であり、
ウェハが大口径化すればする程、該処理枚数は低下して
いくという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消する半導体装置の製造
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上述した従来の半導体基板の気相成長装置はサセプター
上に半導体基板を１枚ずつ並べて気相成長を行うのに対
して９本発明は複数の半導体基板を並べることにより大
量の大口径半導体基板を−度に気相成長できるという相
違点を有する。
上に半導体基板を１枚ずつ並べて気相成長を行うのに対
して９本発明は複数の半導体基板を並べることにより大
量の大口径半導体基板を−度に気相成長できるという相
違点を有する。
本発明は反応管内に反応ガスを供給して半導体基板上に
薄膜を形成する半導体装置の製造装置において、反応ガ
ス供給口及び排気口を備えた反応管と、複数の半導体基
板を上下に積層して設置させる治具と、該治具を回転さ
せる回転軸とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置である。
薄膜を形成する半導体装置の製造装置において、反応ガ
ス供給口及び排気口を備えた反応管と、複数の半導体基
板を上下に積層して設置させる治具と、該治具を回転さ
せる回転軸とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図、第２図において、本発明は石英製反応管１１を
内外２重管構造とし、内外両管１１ａ、 ｌｌｂ間に反
応ガスのガス通路１０を形成し、内管１１ａの一側に複
数の反応ガス供給口１６．１６・・・を上下に一定ピッ
チ毎に設け、内管１１ａの反対側の他側に複数の排気口
１５．１５・・・を上下に一定ピッチ毎に設ける。
内外２重管構造とし、内外両管１１ａ、 ｌｌｂ間に反
応ガスのガス通路１０を形成し、内管１１ａの一側に複
数の反応ガス供給口１６．１６・・・を上下に一定ピッ
チ毎に設け、内管１１ａの反対側の他側に複数の排気口
１５．１５・・・を上下に一定ピッチ毎に設ける。
１８は反応管１１の支持台である。さらに複数の半導体
基板１３．１３・・・を上下に積層して保持する石英製
治具１４を、回転軸１７で支えて反応管１１内に設置し
たものである。また、反応管１１の外周には発熱体１２
を巻回しである。
基板１３．１３・・・を上下に積層して保持する石英製
治具１４を、回転軸１７で支えて反応管１１内に設置し
たものである。また、反応管１１の外周には発熱体１２
を巻回しである。
実施例において、石英製治具１４には例えば半導体Ｊ＆
板として口径８インチのシリコンウェハ１３が１００枚
上下に隙間をとって設置されており、回転軸【７によっ
てゆっくり回転している。
板として口径８インチのシリコンウェハ１３が１００枚
上下に隙間をとって設置されており、回転軸【７によっ
てゆっくり回転している。
反応ガスは反応ガス供給口１６より反応管１１に送り込
まれ、一部シリコンウェハ１３上で反応した後。
まれ、一部シリコンウェハ１３上で反応した後。
排気口１５より反応管ｌｌ外へ排出される。
第２図に示すように反応ガス供給口１６及び排気口１５
は多孔構造をしており、開口部はテーパー状に外に広が
りをもっている。このような構造にすることにより反応
ガスをシリコンウェハに均等に当てることができる。こ
のようにして大口径のシリコンウェハを一度に大量に気
相成長することができる。
は多孔構造をしており、開口部はテーパー状に外に広が
りをもっている。このような構造にすることにより反応
ガスをシリコンウェハに均等に当てることができる。こ
のようにして大口径のシリコンウェハを一度に大量に気
相成長することができる。
なお、この実施例では反応管の材質として石英を、半導
体基板としてシリコンウェハを用いた場合を示したが１
本発明はこれらの材質に限ったものではない。
体基板としてシリコンウェハを用いた場合を示したが１
本発明はこれらの材質に限ったものではない。
（実施例２）
第１図において、排気口１５に真空システムをつな°い
た場合を第２の実施例として述べる。
た場合を第２の実施例として述べる。
真空システムを排気口１５につなぎ反応管ｌｌ内を減圧
することによりガス速度が速くなり、多孔構造のガス供
給口１６及び排気口１５でのガスの流れがスムーズにな
ると共に、不純物等が急速に反応管１１外へ吸い出され
るために、気相成長にて形成された薄膜の膜質を向上さ
せることができるという利点がある。
することによりガス速度が速くなり、多孔構造のガス供
給口１６及び排気口１５でのガスの流れがスムーズにな
ると共に、不純物等が急速に反応管１１外へ吸い出され
るために、気相成長にて形成された薄膜の膜質を向上さ
せることができるという利点がある。
以上説明したように本発明は反応ガス供給口と排気口を
備えた反応管内に複数の半導体基板を設置するため、大
量の大口径半導体基板を一度に複数枚気相成長できる効
果がある。
備えた反応管内に複数の半導体基板を設置するため、大
量の大口径半導体基板を一度に複数枚気相成長できる効
果がある。
第１図は本発明の実施例を示す縦断面図、第２図は第１
図のＡ−ＡＭ断面図、第３図、第４図は従来の気相成長
装置を示す縦断面図である。
図のＡ−ＡＭ断面図、第３図、第４図は従来の気相成長
装置を示す縦断面図である。
Claims (1)
- （１）反応管内に反応ガスを供給して半導体基板上に薄
膜を形成する半導体装置の製造装置において、反応ガス
供給口及び排気口を備えた反応管と、複数の半導体基板
を上下に積層して設置させる治具と、該治具を回転させ
る回転軸とを有することを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15219287A JPS63316424A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15219287A JPS63316424A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316424A true JPS63316424A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15535072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15219287A Pending JPS63316424A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004004858A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substratscheiben, Gaszufuhreinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15219287A patent/JPS63316424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004004858A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substratscheiben, Gaszufuhreinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63316424A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2537563Y2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPH01134911A (ja) | 縦形気相成長装置 | |
| JPS62263629A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JPH0658880B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH06818Y2 (ja) | Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 | |
| JPS6252200A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS60152675A (ja) | 縦型拡散炉型気相成長装置 | |
| JP2963145B2 (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH01157519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02212393A (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPS61136676A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS63300512A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH11102903A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JPH0622980Y2 (ja) | Ｃｖｄ装置における基板支持装置 | |
| JPH09129553A (ja) | 気相エピタキシャル成長方法及びその装置 | |
| JPH04357825A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPS60170233A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6058608A (ja) | 熱処理炉 | |
| JP2000243701A (ja) | 縦型気相成長装置 | |
| JPS63136529A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5972721A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02156523A (ja) | 縦型ウェハーボート | |
| JP2775837B2 (ja) | 化学気相成長装置 |