JPH09129553A - 気相エピタキシャル成長方法及びその装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長方法及びその装置Info
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- JPH09129553A JPH09129553A JP7281891A JP28189195A JPH09129553A JP H09129553 A JPH09129553 A JP H09129553A JP 7281891 A JP7281891 A JP 7281891A JP 28189195 A JP28189195 A JP 28189195A JP H09129553 A JPH09129553 A JP H09129553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多品種少量生産が可能で生産性の高い気相エ
ピタキシャル成長方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 ２つ以上のサセプタ２ａ，２ｂで半導体
基板１ａ，１ｂをそれぞれ垂直に保持するので、同時に
２倍以上の数の半導体基板に薄膜の気相成長を施すこと
ができる。また、半導体基板１ａ，１ｂが垂直に保持さ
れるので、異物が半導体基板１ａ，１ｂ表面に付着する
のが防止され、装置の敷地面積が減少し、かつ、原料ガ
スが効率的に使用される。このため気相エピタキシャル
半導体基板の多品種少量生産が可能であり、しかも生産
性が向上する。また、薄膜の気相成長時にサセプタ２
ａ，２ｂを回転させる場合には、半導体基板１ａ，１ｂ
上に均一な薄膜が形成される。
ピタキシャル成長方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 ２つ以上のサセプタ２ａ，２ｂで半導体
基板１ａ，１ｂをそれぞれ垂直に保持するので、同時に
２倍以上の数の半導体基板に薄膜の気相成長を施すこと
ができる。また、半導体基板１ａ，１ｂが垂直に保持さ
れるので、異物が半導体基板１ａ，１ｂ表面に付着する
のが防止され、装置の敷地面積が減少し、かつ、原料ガ
スが効率的に使用される。このため気相エピタキシャル
半導体基板の多品種少量生産が可能であり、しかも生産
性が向上する。また、薄膜の気相成長時にサセプタ２
ａ，２ｂを回転させる場合には、半導体基板１ａ，１ｂ
上に均一な薄膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相エピタキシャ
ル成長方法及びその装置に関する。
ル成長方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）は従来の気相エピタキシャル
成長方法を適用した気相成長装置の概念図を示す図であ
り、図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
成長方法を適用した気相成長装置の概念図を示す図であ
り、図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【０００３】図３（ａ）に示す半導体基板（以下「基
板」という。）１は加熱手段（図示せず）で加熱された
円盤状のサセプタ２で基板１の表面が下側になるように
支持される。基板１の上には加熱されたときに基板１を
均一な温度にする均熱板３が載置されている。原料ガス
供給口４から供給される原料ガス５は、原料ガス整流治
具６を通り基板１の表面に沿って水平に流れ、反応する
ことにより基板１の表面に結晶が成長する。過剰な原料
ガスは、排気口７より排気される。尚、８はサセプタ２
を支持するサセプタ支持棒、９はサセプタ支持棒８をそ
の中心軸の回りに回転させるモータである。
板」という。）１は加熱手段（図示せず）で加熱された
円盤状のサセプタ２で基板１の表面が下側になるように
支持される。基板１の上には加熱されたときに基板１を
均一な温度にする均熱板３が載置されている。原料ガス
供給口４から供給される原料ガス５は、原料ガス整流治
具６を通り基板１の表面に沿って水平に流れ、反応する
ことにより基板１の表面に結晶が成長する。過剰な原料
ガスは、排気口７より排気される。尚、８はサセプタ２
を支持するサセプタ支持棒、９はサセプタ支持棒８をそ
の中心軸の回りに回転させるモータである。
【０００４】気相成長装置内にあるサセプタ２は、図３
に示すように開口部１０が数箇所設けてある。その開口
部１０に基板１の表面を下側にして支持する。サセプタ
２の中心から各開口部１０までの距離はすべて等しくな
っており、サセプタ２が回転することにより開口部１０
に支持された各基板１のエピタキシャル成長後の特性が
均一になる。
に示すように開口部１０が数箇所設けてある。その開口
部１０に基板１の表面を下側にして支持する。サセプタ
２の中心から各開口部１０までの距離はすべて等しくな
っており、サセプタ２が回転することにより開口部１０
に支持された各基板１のエピタキシャル成長後の特性が
均一になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３
（ａ）、（ｂ）に示した従来の気相成長装置に用いられ
るサセプタ２には、複数（図３（ｂ）では４個）の開口
部１０が形成されている。この開口部１０はすべて大き
さが等しく、サセプタ２の中心から同一距離になるよう
な構成となっている。
（ａ）、（ｂ）に示した従来の気相成長装置に用いられ
るサセプタ２には、複数（図３（ｂ）では４個）の開口
部１０が形成されている。この開口部１０はすべて大き
さが等しく、サセプタ２の中心から同一距離になるよう
な構成となっている。
【０００６】この開口部１０に基板をその表面が下側に
なるように支持し、サセプタ２が回転しながらエピタキ
シャル成長すると基板１に成長したエピタキシャル層の
特性はどの開口部で成長しても均一となる。
なるように支持し、サセプタ２が回転しながらエピタキ
シャル成長すると基板１に成長したエピタキシャル層の
特性はどの開口部で成長しても均一となる。
【０００７】このようなサセプタ２を用いた気相成長装
置の生産性を向上させるためには、開口部１０を４個か
ら８個或いは１０個に増やすことが考えられる。開口部
１０を４個から８個或いは１０個に増加する場合、サセ
プタ２の直径は開口部１０が４個のものより数倍大きく
なる。
置の生産性を向上させるためには、開口部１０を４個か
ら８個或いは１０個に増やすことが考えられる。開口部
１０を４個から８個或いは１０個に増加する場合、サセ
プタ２の直径は開口部１０が４個のものより数倍大きく
なる。
【０００８】サセプタ２の直径を大きくすると、それに
伴い反応炉（装置自体）も大きくなり、原料ガスの使用
量も増加するので、多品種少量生産には向かない装置に
なってしまう。
伴い反応炉（装置自体）も大きくなり、原料ガスの使用
量も増加するので、多品種少量生産には向かない装置に
なってしまう。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、多品種少量生産が可能で生産性の高い気相エピタキ
シャル成長方法及びその装置を提供することにある。
し、多品種少量生産が可能で生産性の高い気相エピタキ
シャル成長方法及びその装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、サセプタで半導体基板を保持しつつ加熱手
段で加熱し、その半導体基板上に原料ガスを供給して薄
膜を気相成長させる気相エピタキシャル成長方法におい
て、２つ以上のサセプタで半導体基板をそれぞれ垂直に
保持し、原料ガスを半導体基板に沿って上から下に供給
するものである。
に本発明は、サセプタで半導体基板を保持しつつ加熱手
段で加熱し、その半導体基板上に原料ガスを供給して薄
膜を気相成長させる気相エピタキシャル成長方法におい
て、２つ以上のサセプタで半導体基板をそれぞれ垂直に
保持し、原料ガスを半導体基板に沿って上から下に供給
するものである。
【００１１】上記構成に加え本発明は、薄膜の気相成長
時にサセプタを水平な中心軸の回りに回転させてもよ
い。
時にサセプタを水平な中心軸の回りに回転させてもよ
い。
【００１２】上記構成に加え本発明は、２つのサセプタ
で半導体基板が互いに対向するように垂直に保持し、そ
の間に原料ガスを上から下に流すようにしてもよい。
で半導体基板が互いに対向するように垂直に保持し、そ
の間に原料ガスを上から下に流すようにしてもよい。
【００１３】上記構成に加え本発明は、半導体基板を垂
直に保持したｎ個（ｎ≧３）のサセプタを準備し、仮想
のｎ角柱の各面にサセプタを半導体基板がｎ角柱の内側
を向くように配置し、原料ガスを上から下に流すように
してもよい。
直に保持したｎ個（ｎ≧３）のサセプタを準備し、仮想
のｎ角柱の各面にサセプタを半導体基板がｎ角柱の内側
を向くように配置し、原料ガスを上から下に流すように
してもよい。
【００１４】また本発明は、半導体基板をそれぞれ垂直
に保持する２つ以上のサセプタと、半導体基板を加熱す
る加熱手段と、半導体基板に沿って原料ガスを上から下
に供給し半導体基板に薄膜を成長させるガス供給手段と
を備えたものである。
に保持する２つ以上のサセプタと、半導体基板を加熱す
る加熱手段と、半導体基板に沿って原料ガスを上から下
に供給し半導体基板に薄膜を成長させるガス供給手段と
を備えたものである。
【００１５】上記構成に加え本発明は、薄膜の気相成長
時にサセプタを水平な中心軸の回りに回転させる回転手
段を設けてもよい。
時にサセプタを水平な中心軸の回りに回転させる回転手
段を設けてもよい。
【００１６】上記構成によって、２つ以上のサセプタで
半導体基板をそれぞれ垂直に保持するので、同時に２倍
以上の数の半導体基板に薄膜の気相成長を施すことがで
きる。半導体基板が垂直に保持されるので、異物が半導
体基板表面に付着するのが防止され、装置の敷地面積が
減少し、かつ、原料ガスが効率的に使用される。しかも
原料ガスが上から下に供給されるので、半導体基板に異
物が付着しても強制的に除去される。
半導体基板をそれぞれ垂直に保持するので、同時に２倍
以上の数の半導体基板に薄膜の気相成長を施すことがで
きる。半導体基板が垂直に保持されるので、異物が半導
体基板表面に付着するのが防止され、装置の敷地面積が
減少し、かつ、原料ガスが効率的に使用される。しかも
原料ガスが上から下に供給されるので、半導体基板に異
物が付着しても強制的に除去される。
【００１７】このため多品種少量生産が可能で生産性の
高い気相エピタキシャル成長方法及びその装置が実現す
る。
高い気相エピタキシャル成長方法及びその装置が実現す
る。
【００１８】薄膜の気相成長時にサセプタを回転させる
場合には、半導体基板上に均一な薄膜が形成される。
場合には、半導体基板上に均一な薄膜が形成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２０】図１は本発明の気相エピタキシャル成長方
法を適用した装置の一実施の形態を示す概念図である。
法を適用した装置の一実施の形態を示す概念図である。
【００２１】同図において、垂直に保持され、かつ対向
する２つの同一形状の円盤状のサセプタ（図３（ｂ）参
照）２ａ，２ｂに円盤状の基板１ａ，１ｂがその表面が
内側になるように支持されている。
する２つの同一形状の円盤状のサセプタ（図３（ｂ）参
照）２ａ，２ｂに円盤状の基板１ａ，１ｂがその表面が
内側になるように支持されている。
【００２２】基板１の各裏面側（外側）には基板１ａ，
１ｂを均一な温度にするための円盤状の均熱板３ａ，３
ｂが設けられている。２つのサセプタ２ａ，２ｂの上側
には原料ガス５の流れを整える原料ガス整流治具１１が
設けられており、原料ガス供給口１２から供給された原
料ガス５が各基板１ａ，１ｂの表面に沿って平行に流
れ、反応することにより基板１の表面に結晶が気相成長
する。尚、過剰な原料ガスは２つのサセプタ２ａ，２ｂ
の下側にある排気口１３より排気される。
１ｂを均一な温度にするための円盤状の均熱板３ａ，３
ｂが設けられている。２つのサセプタ２ａ，２ｂの上側
には原料ガス５の流れを整える原料ガス整流治具１１が
設けられており、原料ガス供給口１２から供給された原
料ガス５が各基板１ａ，１ｂの表面に沿って平行に流
れ、反応することにより基板１の表面に結晶が気相成長
する。尚、過剰な原料ガスは２つのサセプタ２ａ，２ｂ
の下側にある排気口１３より排気される。
【００２３】尚、８ａ，８ｂはサセプタ２ａ，２ｂを支
持するサセプタ支持棒、９ａ，９ｂはサセプタ支持棒２
ａ，２ｂ及びサセプタ２ａ，２ｂを回転させるためのモ
ータである。
持するサセプタ支持棒、９ａ，９ｂはサセプタ支持棒２
ａ，２ｂ及びサセプタ２ａ，２ｂを回転させるためのモ
ータである。
【００２４】このように、２つのサセプタ２ａ，２ｂで
８つの半導体基板１ａ，１ｂをそれぞれ垂直に保持する
ので、同時に２倍の数の半導体基板１ａ，１ｂに薄膜の
気相成長を施すことができる。また、異物が半導体基板
１ａ，１ｂの表面に付着するのが防止され、装置の敷地
面積が減少し、かつ、原料ガスが効率的に使用される。
このため気相エピタキシャルによる半導体基板の生産性
が向上する。
８つの半導体基板１ａ，１ｂをそれぞれ垂直に保持する
ので、同時に２倍の数の半導体基板１ａ，１ｂに薄膜の
気相成長を施すことができる。また、異物が半導体基板
１ａ，１ｂの表面に付着するのが防止され、装置の敷地
面積が減少し、かつ、原料ガスが効率的に使用される。
このため気相エピタキシャルによる半導体基板の生産性
が向上する。
【００２５】また、薄膜の気相成長時にサセプタ２ａ，
２ｂをモータ９ａ，９ｂで回転させるので、半導体基板
１ａ，１ｂ上に均一な薄膜が形成される（尚、モータ９
ａ，９ｂの回転方向は逆方向が好ましい。）。さらにサ
セプタ２ａ，２ｂは従来のものを流用することができる
ので、新たにサセプタ２ａ，２ｂを製作する必要がな
い。
２ｂをモータ９ａ，９ｂで回転させるので、半導体基板
１ａ，１ｂ上に均一な薄膜が形成される（尚、モータ９
ａ，９ｂの回転方向は逆方向が好ましい。）。さらにサ
セプタ２ａ，２ｂは従来のものを流用することができる
ので、新たにサセプタ２ａ，２ｂを製作する必要がな
い。
【００２６】図２は本発明の気相エピタキシャル成長方
法を適用した装置の他の実施の形態の平面図である。
法を適用した装置の他の実施の形態の平面図である。
【００２７】図１に示した実施の形態との相違点は、４
つのサセプタ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄで半導体基板１を
垂直かつ、２つのサセプタ２ａ，２ｃ（２ｂ，２ｄ）に
保持された半導体基板１ａ，１ｃ（１ｂ，１ｄ）が互い
に向かい合うようにし、原料ガスを上から下（紙面に垂
直な方向、表から裏）に流すようにした点である。
つのサセプタ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄで半導体基板１を
垂直かつ、２つのサセプタ２ａ，２ｃ（２ｂ，２ｄ）に
保持された半導体基板１ａ，１ｃ（１ｂ，１ｄ）が互い
に向かい合うようにし、原料ガスを上から下（紙面に垂
直な方向、表から裏）に流すようにした点である。
【００２８】同図において紙面に垂直に４つのサセプタ
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが配置され、かつ表から裏にわ
たって原料ガスが供給される。サセプタ２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄの上（紙面表側）には断面が正方形のガス整流
治具が設けられている。
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが配置され、かつ表から裏にわ
たって原料ガスが供給される。サセプタ２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄの上（紙面表側）には断面が正方形のガス整流
治具が設けられている。
【００２９】このような構成にすることにより、従来の
サセプタ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄで４倍の数の基板１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの気相成長を行うことができる。
尚、上述した実施の形態ではサセプタの数が２つ或いは
４つの場合で説明したが、これに限定されるものではな
く３つでも５つ以上であってもよい。すなわち、半導体
基板を垂直に保持したｎ個（ｎ≧３）のサセプタを準備
し、仮想のｎ角柱の各面にサセプタを半導体基板がｎ角
柱の内側を向くように配置し、原料ガスを上から下に流
すようにしてもよい。
サセプタ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄで４倍の数の基板１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの気相成長を行うことができる。
尚、上述した実施の形態ではサセプタの数が２つ或いは
４つの場合で説明したが、これに限定されるものではな
く３つでも５つ以上であってもよい。すなわち、半導体
基板を垂直に保持したｎ個（ｎ≧３）のサセプタを準備
し、仮想のｎ角柱の各面にサセプタを半導体基板がｎ角
柱の内側を向くように配置し、原料ガスを上から下に流
すようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３１】２つ以上のサセプタで半導体基板をそれぞ
れ垂直に保持し、原料ガスを半導体基板に沿って上から
下に供給するので、多品種少量生産が可能で生産性の高
い気相エピタキシャル成長方法及びその装置を実現する
ことができる。
れ垂直に保持し、原料ガスを半導体基板に沿って上から
下に供給するので、多品種少量生産が可能で生産性の高
い気相エピタキシャル成長方法及びその装置を実現する
ことができる。
【図１】本発明の気相エピタキシャル成長方法を適用し
た装置の一実施の形態を示す概念図である。
た装置の一実施の形態を示す概念図である。
【図２】本発明の気相エピタキシャル成長方法を適用し
た装置の他の実施の形態の平面図である。
た装置の他の実施の形態の平面図である。
【図３】（ａ）は従来の気相エピタキシャル成長方法を
適用した気相成長装置の概念図を示す図であり、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
適用した気相成長装置の概念図を示す図であり、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
１ａ，１ｂ 半導体基板 ２ａ，２ｂ サセプタ ３ａ，３ｂ 均熱板 ９ａ，９ｂ モータ １１ 原料ガス整流治具
Claims (6)
- 【請求項１】 サセプタで半導体基板を保持しつつ加熱
手段で加熱し、その半導体基板上に原料ガスを供給して
薄膜を気相成長させる気相エピタキシャル成長方法にお
いて、２つ以上のサセプタで半導体基板をそれぞれ垂直
に保持し、原料ガスを半導体基板に沿って上から下に供
給することを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】 薄膜の気相成長時に上記サセプタを水平
な中心軸の回りに回転させる請求項１記載の気相エピタ
キシャル成長方法。 - 【請求項３】 ２つのサセプタで半導体基板が互いに対
向するように垂直に保持し、その間に原料ガスを上から
下に流すようにした請求項１又は２記載の気相エピタキ
シャル成長方法。 - 【請求項４】 半導体基板を垂直に保持したｎ個（ｎ≧
３）のサセプタを準備し、仮想のｎ角柱の各面にサセプ
タを半導体基板がｎ角柱の内側を向くように配置し、原
料ガスを上から下に流すようにした請求項１又は２記載
の気相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項５】 半導体基板をそれぞれ垂直に保持する２
つ以上のサセプタと、上記半導体基板を加熱する加熱手
段と、上記半導体基板に沿って原料ガスを上から下に供
給し半導体基板に薄膜を成長させるガス供給手段とを備
えたことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項６】 薄膜の気相成長時に上記サセプタを水平
な中心軸の回りに回転させる回転手段を設けた請求項５
記載の気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281891A JPH09129553A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281891A JPH09129553A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129553A true JPH09129553A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17645409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7281891A Pending JPH09129553A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129553A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6863735B1 (en) * | 1998-07-27 | 2005-03-08 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Epitaxial growth furnace |
| JP2021116465A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP7281891A patent/JPH09129553A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6863735B1 (en) * | 1998-07-27 | 2005-03-08 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Epitaxial growth furnace |
| JP2021116465A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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