JPS6396912A - 基板ホルダ− - Google Patents
基板ホルダ−Info
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- JPS6396912A JPS6396912A JP61243868A JP24386886A JPS6396912A JP S6396912 A JPS6396912 A JP S6396912A JP 61243868 A JP61243868 A JP 61243868A JP 24386886 A JP24386886 A JP 24386886A JP S6396912 A JPS6396912 A JP S6396912A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造におけるエピタキシャル気相成長装
置に使用される基板ホルダーに関する。
置に使用される基板ホルダーに関する。
（従来の技術）
従来、エピタキシャル気相成長装置に使用するサセプタ
ーとしては、有毒ガスの放出がなく、化学的、熱的に安
定な黒鉛基材に炭化珪素を被覆したものが用いられてい
る。そして、通常、半導体のエピタキシャル層を得るた
めには、石英ガラス製の反応管内にサセプターを置き、
この上に半導体基板を載せた後、まず、反応管内にＨ２
ガスを流し、反応管の外部に配設された高周波コイルに
よってサセプターを高温（約１１００〜１２００℃）に
加熱する。次に、サセプターをこの温度に保持しながら
、Ｈ２にＨＣｆＪを加えた混合ガスを流して基板の表面
を数ミクロン気相エツチングした後、Ｈ２及びＨＣｊｌ
を止め、Ｓ ｉ Ｃ４１４とＨ２の混合ガス等の反応ガ
スを流して基板に半導体（例えばＳｉ）をエピタキシャ
ル成長させている。
ーとしては、有毒ガスの放出がなく、化学的、熱的に安
定な黒鉛基材に炭化珪素を被覆したものが用いられてい
る。そして、通常、半導体のエピタキシャル層を得るた
めには、石英ガラス製の反応管内にサセプターを置き、
この上に半導体基板を載せた後、まず、反応管内にＨ２
ガスを流し、反応管の外部に配設された高周波コイルに
よってサセプターを高温（約１１００〜１２００℃）に
加熱する。次に、サセプターをこの温度に保持しながら
、Ｈ２にＨＣｆＪを加えた混合ガスを流して基板の表面
を数ミクロン気相エツチングした後、Ｈ２及びＨＣｊｌ
を止め、Ｓ ｉ Ｃ４１４とＨ２の混合ガス等の反応ガ
スを流して基板に半導体（例えばＳｉ）をエピタキシャ
ル成長させている。
（発明が解決しようとする問題点゛）
しかしながら、従来のサセプターには、サセプターの材
質が黒鉛基材であるので、次のような欠点がある。
質が黒鉛基材であるので、次のような欠点がある。
ａ）サセプターの上面に形成されており、基板を保持す
るためのザグリ穴の加工精度が悪く、ザグリ穴毎に基板
とザグリ穴底面の隙間が異なるので、ザグリ穴毎に基板
の加熱状態が異なる。
るためのザグリ穴の加工精度が悪く、ザグリ穴毎に基板
とザグリ穴底面の隙間が異なるので、ザグリ穴毎に基板
の加熱状態が異なる。
ｂ） 黒鉛基材の密度のムラが大きく、局所的に温度の
高い部分と低い部分が生じ、サセプターの部位によって
基板の加熱状態が異なる。
高い部分と低い部分が生じ、サセプターの部位によって
基板の加熱状態が異なる。
Ｃ） 黒鉛基材製のサセプターはピンホールが生じ易く
、ピンホールが生じたサセプターは、ピンホール内のガ
スが昇温中にサセプターから放出されるのでエピタキシ
ャル属特性が損われ、サセプターとして使用し得ない。
、ピンホールが生じたサセプターは、ピンホール内のガ
スが昇温中にサセプターから放出されるのでエピタキシ
ャル属特性が損われ、サセプターとして使用し得ない。
ｄ）サセプターの表面に蒸着生成したＳｉの除去にＨ２
とＨＣｊとの混合ガスによる気相エツチングを要するの
で、サセプターの蒸着生成物の除去時間をかなり必要と
する。
とＨＣｊとの混合ガスによる気相エツチングを要するの
で、サセプターの蒸着生成物の除去時間をかなり必要と
する。
本発明の目的は、従来のサセプターがもつ以上の欠点を
取り除き、ザグリ加工精度がよく、熱分布が均一となり
、サセプターへの蒸着生成物の付着を阻止し、しかも、
サセプターにピンホールが生じてもさらにそのサセプタ
ーを使用し得る基板ホルダーを提供することを目的とす
る。
取り除き、ザグリ加工精度がよく、熱分布が均一となり
、サセプターへの蒸着生成物の付着を阻止し、しかも、
サセプターにピンホールが生じてもさらにそのサセプタ
ーを使用し得る基板ホルダーを提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明の前記目的は、次の構成によって達成される。即
ち、本発明の構成は、下面が黒鉛駐材製サセプターの上
面と密着しており、上面に半導体基板の下部と相補的な
形状を有すると共に前記半導体基板を保持するためのザ
グリ穴を有しており、高温下で耐蝕性を有するセラミッ
ク製板状部材からなることを特徴とするエピタキシャル
気相成長装置用の基板ホルダーである。
ち、本発明の構成は、下面が黒鉛駐材製サセプターの上
面と密着しており、上面に半導体基板の下部と相補的な
形状を有すると共に前記半導体基板を保持するためのザ
グリ穴を有しており、高温下で耐蝕性を有するセラミッ
ク製板状部材からなることを特徴とするエピタキシャル
気相成長装置用の基板ホルダーである。
（作用）
本発明の基本ホルダーは、セラミックス製板状部材から
なるが故に、セラミックスの高硬度性によって基板を保
持するのためのザグリ穴の加工精度をよくし得るので、
ザグリ穴毎に基板とザグリ穴底面の隙間を同一とし得、
またセラミックスの密度の均一性によって局所的に温度
の高い部分と低い部分とが生ずるのを阻止し得るので、
基板の加熱状態を均一とし得、加えて、黒鉛基材製サセ
プターと基板と間に基板ホルダーが介在することによっ
て、炉内昇温中に黒鉛基材製サセプター内に存在するピ
ンホールからガスが放出された時当該ガスが基板に直接
触れるのを防止し得るが故に、従来使用し得なかったピ
ンホールが生じた黒鉛基材製サセプターを廃却すること
なく使用し得、更にエピタキシャル気相成長工程時の蒸
着生成物がサセプターに付着するのを防止し得る。
なるが故に、セラミックスの高硬度性によって基板を保
持するのためのザグリ穴の加工精度をよくし得るので、
ザグリ穴毎に基板とザグリ穴底面の隙間を同一とし得、
またセラミックスの密度の均一性によって局所的に温度
の高い部分と低い部分とが生ずるのを阻止し得るので、
基板の加熱状態を均一とし得、加えて、黒鉛基材製サセ
プターと基板と間に基板ホルダーが介在することによっ
て、炉内昇温中に黒鉛基材製サセプター内に存在するピ
ンホールからガスが放出された時当該ガスが基板に直接
触れるのを防止し得るが故に、従来使用し得なかったピ
ンホールが生じた黒鉛基材製サセプターを廃却すること
なく使用し得、更にエピタキシャル気相成長工程時の蒸
着生成物がサセプターに付着するのを防止し得る。
本発明の板状部材は、好ましくは輪郭がサセプターの上
面と同一形状であるのがよい。
面と同一形状であるのがよい。
また、本発明の板状部材の材料は、好ましくは５１３Ｎ
４であるのがよい。
４であるのがよい。
さらに、本発明の基本ホルダーは分割されていてもよい
。
。
（具体例）
本発明の構成を図を参照しながら説明する。
第１図は本発明の基板ホルダーの使用状態を示す斜視図
であり、第２図は第１図の基板ホルダーの平面図、第３
図は第２図の■−■断面図である。
であり、第２図は第１図の基板ホルダーの平面図、第３
図は第２図の■−■断面図である。
第１図から第３図において、エピタキシャル気相成長装
置の反応管の中に匠かれるサセプター１の上に４１ｎＣ
ｈψのシリコンウェーハ２を保持する基板ホルダー３が
置かれている。この時、基板ホルダー３は、サセプター
１の中央突起−４に基板ホルダー３の中央孔５を嵌合す
ることによって位置決めされる。
置の反応管の中に匠かれるサセプター１の上に４１ｎＣ
ｈψのシリコンウェーハ２を保持する基板ホルダー３が
置かれている。この時、基板ホルダー３は、サセプター
１の中央突起−４に基板ホルダー３の中央孔５を嵌合す
ることによって位置決めされる。
基板ホルダー３の材質は８１３Ｎ４からなり、形状は、
輪郭が好ましくはサセプター１の上面と同じであり、円
形状をなしている。互いに対面する基本ホルダー３の下
面とサセプター１の上面は、サセプター１から基板ホル
ダー３への熱伝達を良好にするために、万遍なく密着し
ているのが好ましい。また、基板ホルダー３の上面には
、シリコンウェーハ２の下部と相補的な断面形状を有す
る深さ０．６ｓｍのザグリ穴６が６個設けられており、
基板ホルダーの板厚は好ましくは、２．５＃Ｉである。
輪郭が好ましくはサセプター１の上面と同じであり、円
形状をなしている。互いに対面する基本ホルダー３の下
面とサセプター１の上面は、サセプター１から基板ホル
ダー３への熱伝達を良好にするために、万遍なく密着し
ているのが好ましい。また、基板ホルダー３の上面には
、シリコンウェーハ２の下部と相補的な断面形状を有す
る深さ０．６ｓｍのザグリ穴６が６個設けられており、
基板ホルダーの板厚は好ましくは、２．５＃Ｉである。
第４図は、合体された時の直径が７０５Ｍψの分割式基
板ホルダー７であり、分割された夫々の基板ホルダー７
には、シリコンウェーハ２を保持するためのザグリ穴６
が６個設けられている。このように、基板ホルダーは、
四分割できるものであってもよく、分割数は四分割に限
定されるものではなく、何分側であってもよい。これら
の分割は基板ホルダー７の個々の重さを軽減し、サセプ
ター１への装着を容易にする。
板ホルダー７であり、分割された夫々の基板ホルダー７
には、シリコンウェーハ２を保持するためのザグリ穴６
が６個設けられている。このように、基板ホルダーは、
四分割できるものであってもよく、分割数は四分割に限
定されるものではなく、何分側であってもよい。これら
の分割は基板ホルダー７の個々の重さを軽減し、サセプ
ター１への装着を容易にする。
（本発明の効果）
本発明の基本ホルダーは、セラミックス製板状部材から
なるが故に、セラミックスの高硬度性によって基板を保
持するのためのザグリ穴の加工精度をよくし得るので、
ザグリ穴毎に基板とザグリ穴底面の隙間を同一とし得、
またセラミックスの密度の均一性によって局所的に温度
の高い部分と低い部分とが生ずるのを阻止し得るので、
基板の加熱状態を均一とし得、加えて、黒鉛基材製サセ
プターと基板と間に基板ホルダーが介在することによっ
て、炉内昇温中に黒鉛基材製サセプター内に存在するピ
ンホールからガスが放出された時当該ガスが基板に直接
触れるのを防止し得るが故に、従来使用し得なかったピ
ンホールが生じた黒鉛基材製サセプターを廃却すること
なく使用し得、更にエピタキシャル気相成長工程時の蒸
着生成物がサセプターに付着するのを防止し得る。
なるが故に、セラミックスの高硬度性によって基板を保
持するのためのザグリ穴の加工精度をよくし得るので、
ザグリ穴毎に基板とザグリ穴底面の隙間を同一とし得、
またセラミックスの密度の均一性によって局所的に温度
の高い部分と低い部分とが生ずるのを阻止し得るので、
基板の加熱状態を均一とし得、加えて、黒鉛基材製サセ
プターと基板と間に基板ホルダーが介在することによっ
て、炉内昇温中に黒鉛基材製サセプター内に存在するピ
ンホールからガスが放出された時当該ガスが基板に直接
触れるのを防止し得るが故に、従来使用し得なかったピ
ンホールが生じた黒鉛基材製サセプターを廃却すること
なく使用し得、更にエピタキシャル気相成長工程時の蒸
着生成物がサセプターに付着するのを防止し得る。
第１図は本発明の１具体例の斜視図、第２図は本発明の
平面図、第３図は第２図の■−■断面図、第４図は本発
明の他の具体例の斜視図。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・シリコンウ
ェーハ、３・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・
分割式基板ホルダー。
平面図、第３図は第２図の■−■断面図、第４図は本発
明の他の具体例の斜視図。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・シリコンウ
ェーハ、３・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・
分割式基板ホルダー。
Claims (6)
- （１）下面が黒鉛基材製サセプターの上面と密着してお
り、上面に半導体基板の下部と相補的な形状を有すると
共に前記半導体基板を保持するためのザグリ穴を有して
おり、高温下で耐触性を有するセラミックス製板状部材
からなることを特徴とするエピタキシャル気相成長装置
用の基板ホルダー。 - （２）前記板状部材の輪郭が前記サセプターの上面と同
一形状であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の基板ホルダー。 - （３）前記板状部材がＳｉ＿３Ｎ＿４からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の基板
ホルダー。 - （４）前記板状部材がＳｉＯ＿２からなることを特徴と
する特許請求の範囲１項又は第２項に記載の基板ホルダ
ー。 - （５）前記板状部材がＳｉＣからなることを特徴とする
特許請求の範囲１項又は第２項に記載の基板ホルダー。 - （６）前記板状部材が分割されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の基
板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243868A JPS6396912A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 基板ホルダ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243868A JPS6396912A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 基板ホルダ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396912A true JPS6396912A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17110171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243868A Pending JPS6396912A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 基板ホルダ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6396912A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033250A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Ulvac Corp | 基板保持装置 |
| US5580388A (en) * | 1993-01-21 | 1996-12-03 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
| JP2002544109A (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-24 | シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 気相堆積のための切頭サセプター |
| JP2013138224A (ja) * | 2008-08-29 | 2013-07-11 | Veeco Instruments Inc | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| KR101300118B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2013-08-26 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비한 화학기상증착장치 |
| WO2015030167A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2015046536A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2016046463A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2016046464A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP61243868A patent/JPS6396912A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033250A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Ulvac Corp | 基板保持装置 |
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| JP2002544109A (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-24 | シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 気相堆積のための切頭サセプター |
| JP2013138224A (ja) * | 2008-08-29 | 2013-07-11 | Veeco Instruments Inc | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| KR101300118B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2013-08-26 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비한 화학기상증착장치 |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
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| WO2015030167A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2015046536A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
| JP2016046463A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP2016046464A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
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