JPS607378B2 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Ｃｖｄ装置

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JPS607378B2
JPS607378B2 JP4144977A JP4144977A JPS607378B2 JP S607378 B2 JPS607378 B2 JP S607378B2 JP 4144977 A JP4144977 A JP 4144977A JP 4144977 A JP4144977 A JP 4144977A JP S607378 B2 JPS607378 B2 JP S607378B2
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JP
Japan
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gas
reaction tube
reaction
cvd apparatus
silicon wafer
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満 小川
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ＣＶＤ装置に関する。
従来のＣＶＤ装置は、シリコンゥェーハ等の被処理体を
ホットプレートであるサセプタに敦暦しこれを石英反応
管中に入れて、その石英反応管中にＳＩＣそ４等の反応
原料ガスと日２等のキャリアガスとの混合ガスを導入し
、石英反応管外から高周波加熱してシリコンゥェーハ等
の被処理体表面にシリコンェピタキシャル膜などのＣＶ
Ｄ膜を積層させているが一般的である。
しかしながら、この種のＣＶＤ装置においては横型ある
いは縦型の構造のものにかかわらず、石英反応管の高温
部に反応ガスが分解してＳｉ、日２Ｃその複合化合物が
折出する欠点がある。
そのため、この管壁の折出物がＣＶＤ膜生成中の被処理
体へ落下して突起欠陥を発生させたり、折出物による石
英反応管の不透明化で成長温度の変化が生じ、ＣＶＤ膜
厚の制御精度の低下等の問題が生ずる。それゆえ、本発
明の目的は、上述したような有害な折出物の発生を防止
した新規なＣＶＤ装置を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においては、シ
リコンゥェーハ等の被処理体上方からは等のキャリアガ
スの一部が流出し、ＳＩＣ夕４等の反応原料ガスとキャ
リアガスとの反応により生成した折出物が反応管壁面に
付着するのを防止することを特徴とするＣＶＤ装置とす
るものである。
以下、本発明の一実施例であるシリコンウェーハ上にシ
リコンェピタキシャル層を気相成長させるＣＶＤ装置に
つき図面を参照しながら詳述する。
図面は、シリコンウヱーハ上にシリコンェピタキシャル
層を気層成長させるＣＶＤ装置を示す要部断面図である
。
同図において、１は、被処理体であるシリコンウェーハ
、２は、シリコンウエーハ１を支持すると共に加熱する
ホットプレートでもある炭化ケイ素秦等で被覆されたグ
ラフアィトからなるサセプタである。３は、石英反応管
で数多くの通気孔を有する薄板、３ａによって２室に分
割されているものである。
４は、ＳＩＣ夕４等の反応原料ガスの導入口、５は、日
２ガスすなわちキャリアガスの導入口、６は、日２ガス
すなわちキャリアガスの一部を導入する導入口、７は排
気口である。
また、８はＲＦコイルで、反応ガスおよびシリコンウェ
ーハーを高温加熱するものである。本発明にかかるＣＶ
Ｄ装置は、従来のものに比して、キャリアガスである日
２ガスの一部をシリコンウェーハー上から流出させ、Ｓ
ＩＣ〆４等の反応原料ガスとキャリアガスであるＱガス
との混合反応ガスと区別して石英反応管中に導入し、シ
リコンウェーハー上にシリコンェピタキシャル層をＣＶ
Ｄ反応により推積させるものである。
すなわち、本発明にかかるＣＶＤ装置は、石英反応管３
の上部に日２ガスの流通部を設け、シリコンウェーハー
上部からその日２ガスを供給すると共に、ＳＩＣ〆４等
の反応原料ガスを高温加熱されている石英反応管壁付近
に近づけないようにしてあると共に、石英反応管壁付近
のＳＩＣそ４濃度よび温度を上記比ガスとＳＩＣそ４
ガスと混合してくるＱガスとの比率を変えることにより
容易に制御すると共に低減させているものである。その
ため、本発明は、石英反応管壁には高温状態によって、
反応原料ガスとキャリアガスとによる異常な複合化合物
が発生して折出させることなく、シリコンウェーハー上
にシリコンェピタキシャル層を推積することができるも
のである。
本発明は、上述した機型構造のＣＶＤ装置に限定されず
、縦型構造のもの、酸化シリコン、多結晶シリコン、ナ
イトラィド等のＣＶＤ膜を生成するためのＣＶＤ装置に
適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の一実施例であるシリコンウェーハにシ
リコンヱピタキシャル層を推積させる。 ＣＶＤ装置を示す要部断面図である。１…シリコンウェ
ーハ、２・・・サセプタ、３・・・石英反応管、３ａ…
多数の通気孔を有する薄板、４〜６…ガス導入口、７・
・・排気効、８…加熱コィノレ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 加熱コイル中に設けられたウエハ処理部を有する反
    応管に反応ガスを供給して気相化学成膜を行なうための
    ＣＶＤ装置において、前記反応管を多数の孔を有する隔
    壁により上室および下室に分割し、前記下室には反応ガ
    スとキヤリアガスの混合ガスを供給し、前記上室にはキ
    ヤリアガスのみを供給することにより、前記ウエハ処理
    部上部の反応管に不所望な反応生成物が付着することを
    防止するようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置。
JP4144977A 1977-04-13 1977-04-13 Ｃｖｄ装置 Expired JPS607378B2 (ja)

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JP4144977A JPS607378B2 (ja) 1977-04-13 1977-04-13 Ｃｖｄ装置

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JPS53126867A JPS53126867A (en) 1978-11-06
JPS607378B2 true JPS607378B2 (ja) 1985-02-23

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH029394U (ja) * 1988-06-30 1990-01-22

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JPS5556111A (en) * 1978-10-20 1980-04-24 Nippon Oil Co Ltd Preparation of copolymer
JPS5931239U (ja) * 1982-08-23 1984-02-27 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
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US7118781B1 (en) 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same

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