JPH01123413A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01123413A JPH01123413A JP28165987A JP28165987A JPH01123413A JP H01123413 A JPH01123413 A JP H01123413A JP 28165987 A JP28165987 A JP 28165987A JP 28165987 A JP28165987 A JP 28165987A JP H01123413 A JPH01123413 A JP H01123413A
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- substrates
- conical surface
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
膜厚分布を改善した気相成長装置に関し。
成長膜の膜厚分布を良し、また、減圧成長を可能とする
ことを目的とし。
ことを目的とし。
成長室内に、その中央より半径方向に水平に成長ガスを
吹き出すノズルと、該ノズルの周りに円錐面を有するサ
セプタと、該サセプタの内部に反応ガスとの接触を遮断
された抵抗加熱し−タと。
吹き出すノズルと、該ノズルの周りに円錐面を有するサ
セプタと、該サセプタの内部に反応ガスとの接触を遮断
された抵抗加熱し−タと。
該サセプタの円錐面に対向してこれを覆って設けられた
反応ガスの整流板とを有し、該サセプタの円錐面上に被
成長基板を載せ、該抵抗加熱ヒータにより該被成長基板
を加熱し、該ノズルより反応ガスを該被成長基板に斜め
に吹き付けて成長を行うようにした構成とする。
反応ガスの整流板とを有し、該サセプタの円錐面上に被
成長基板を載せ、該抵抗加熱ヒータにより該被成長基板
を加熱し、該ノズルより反応ガスを該被成長基板に斜め
に吹き付けて成長を行うようにした構成とする。
本発明は膜厚分布を改善した気相成長装置の構造に関す
る。
る。
エピタキシャル成長装置、化学気相成長（ＣＶＤ）装置
、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置等の気相成
長装置は半導体デバイス製造のウェハプロセスにおいて
＋ Ｓｉ、５ｘＯ７，Ｓｉ３Ｎ４等の成膜に広く用いら
れている。
、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置等の気相成
長装置は半導体デバイス製造のウェハプロセスにおいて
＋ Ｓｉ、５ｘＯ７，Ｓｉ３Ｎ４等の成膜に広く用いら
れている。
ここでは、その代表例としてエピタキシャル成長装置を
例にとり説明する。
例にとり説明する。
第３図は従来のＳ＋エビクキシャル成長装置の模式断面
図である。
図である。
図において、パンケーキ型のベルジャ１内に整流板２を
取りつけたガスノズル３より矢印の方向に反応ガスを吹
き出し、外部より誘導加熱されるサセプタ４上に被成長
基板５を載せ、基板上でＳｉを含む反応ガスを熱分解し
て、基板上に８１をエピタキシャル成長する。
取りつけたガスノズル３より矢印の方向に反応ガスを吹
き出し、外部より誘導加熱されるサセプタ４上に被成長
基板５を載せ、基板上でＳｉを含む反応ガスを熱分解し
て、基板上に８１をエピタキシャル成長する。
余分の反応ガスおよび生成ガスは排気口６より排出され
る。
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕。
上記の成長装置では成長された膜厚分布が悪いため、ガ
スノズルの形状、配置等を工夫する必要があった。
スノズルの形状、配置等を工夫する必要があった。
また、高周波誘導加熱方式であるため９反応ガスによっ
ては放電を伴うため、一般には減圧成長はできないとい
う欠点がある。
ては放電を伴うため、一般には減圧成長はできないとい
う欠点がある。
上記問題点の解決は、成長室内に、その中央より半径方
向に水平に成長ガスを吹き出すノズルと。
向に水平に成長ガスを吹き出すノズルと。
該ノズルの周りに円錐面を有するサセプタと、該サセプ
タの内部に反応ガスとの接触を遮断された抵抗加熱ヒー
タと、該サセプタの円錐面に対向してこれを覆って設け
られた反応ガスの整流板とを有し、該サセプタの円錐面
上に被成長基板を載せ。
タの内部に反応ガスとの接触を遮断された抵抗加熱ヒー
タと、該サセプタの円錐面に対向してこれを覆って設け
られた反応ガスの整流板とを有し、該サセプタの円錐面
上に被成長基板を載せ。
該抵抗加熱ヒータにより該被成長基板を加熱し。
該ノズルより反応ガスを該被成長基板に斜めに吹き付け
て成長を行うようにした気相成長装置により達成される
。
て成長を行うようにした気相成長装置により達成される
。
本発明は、加熱を抵抗加熱にすることにより減圧成長を
可能とし、また従来ガス流は基板面に平行であったが、
ガス流に対して基板面を適当な角度を持たせることによ
り膜厚分布を改善するようにしたものである。
可能とし、また従来ガス流は基板面に平行であったが、
ガス流に対して基板面を適当な角度を持たせることによ
り膜厚分布を改善するようにしたものである。
そのために、中央より水平に吹き出すガス流に対し円錐
面を持つサセプタを提案する。
面を持つサセプタを提案する。
第１図（１）、 （２）は本発明の一実施例によるＳｔ
エピタキシャル成長装置の模式的な断面図と平面図であ
る。
エピタキシャル成長装置の模式的な断面図と平面図であ
る。
図において、成長室１１内に整流板１２を取りつけたガ
スノズル１３より矢印の方向に反応ガスを吹き出し１円
錐面を有するサセプタ１４上に被成長基板１５を載せ、
基板上でＳｉを含む反応ガスを熱分解して、基板上にＳ
ｉをエピタキシャル成長する。
スノズル１３より矢印の方向に反応ガスを吹き出し１円
錐面を有するサセプタ１４上に被成長基板１５を載せ、
基板上でＳｉを含む反応ガスを熱分解して、基板上にＳ
ｉをエピタキシャル成長する。
余分の反応ガスおよび生成ガスは排気口１６より排出さ
れる。
れる。
円錐面を有するサセプタ１４内には抵抗加熱ヒータ１７
と、整流板１２により反応ガスを遮断して抵抗加熱ヒー
タ１８を設け、これらのヒータにより基板を上下より抵
抗加熱する。
と、整流板１２により反応ガスを遮断して抵抗加熱ヒー
タ１８を設け、これらのヒータにより基板を上下より抵
抗加熱する。
サセプタ１４はＳｉＣ被覆の高純度カーボンを用いて作
製する。
製する。
第２図（１）、 （２１はガス流と基板の傾斜角θを説
明する断面図と、基板の傾斜角θと膜厚分布の関係を示
す図である。
明する断面図と、基板の傾斜角θと膜厚分布の関係を示
す図である。
ノズルは内径２０ ｍｍφの円筒の周囲に２ｍφの孔を
１０列に配列し各列に２０個ずつ開けたものを用いて、
ノズルに導入する反応ガス（ＳｉＨ＜）と希釈ガスの総
流量を１１００５Ａとした場合の、ガス流（水平方向）
と基板のなす角（基板の傾斜角）θと膜厚分布の関係に
ついての実測結果を示す。
１０列に配列し各列に２０個ずつ開けたものを用いて、
ノズルに導入する反応ガス（ＳｉＨ＜）と希釈ガスの総
流量を１１００５Ａとした場合の、ガス流（水平方向）
と基板のなす角（基板の傾斜角）θと膜厚分布の関係に
ついての実測結果を示す。
使用した装置のサセプタの直径は８００ｍｍφ、サセプ
タの外周でのサセプタと整流板との隙間は５０ ｍｍで
ある。
タの外周でのサセプタと整流板との隙間は５０ ｍｍで
ある。
図のように、所要の流量に応じてθの最適値を求めるこ
とができる。
とができる。
膜厚分布は従来例で±８％であったのが、上記実施例で
は±４％に向上した。
は±４％に向上した。
実施例ではＳｉのエピタキシャル装置について説明した
が、その他の気相成長装置２例えば前記のＣＶＤ、 Ｍ
ＯＣＶＤ装置等についても本発明を適用すれば同等の効
果が得られる。
が、その他の気相成長装置２例えば前記のＣＶＤ、 Ｍ
ＯＣＶＤ装置等についても本発明を適用すれば同等の効
果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、成長膜の１厚分布
が良くなり、また、減圧成長も可能となった。
が良くなり、また、減圧成長も可能となった。
第１図（１１，（２）は本発明の一実施例によるＳｉエ
ピタキシャル成長装置の模式的な断面図と平面図。 第２図（１１，（２）、はガス流と基板の傾斜角θを説
明する断面図と、基板の傾斜角θと膜厚分布の関係を示
す図。 第３図は従来のＳｉエピタキシャル成長装置の模式断面
図である。 図において。 １１は成長室。 １２は整流板。 １３はガスノズル。 １４はサセプタ。 １５は被成長基板。 １６は排気口。 １７、１８は抵抗加熱ヒータ （１）酢面図 （２）平面図 実記例ｎ根或ｍ 第 １ 図 ｔｏ ２ｏ ３ｏ ４゜ θ′（°つ 樋４リキ１１０／１已彌−日月図 し１月享Ｉ）弓し、
づう≧ジｈラ ヒ令員糾宜１θｑｎシＡイ呆望第２１２
］
ピタキシャル成長装置の模式的な断面図と平面図。 第２図（１１，（２）、はガス流と基板の傾斜角θを説
明する断面図と、基板の傾斜角θと膜厚分布の関係を示
す図。 第３図は従来のＳｉエピタキシャル成長装置の模式断面
図である。 図において。 １１は成長室。 １２は整流板。 １３はガスノズル。 １４はサセプタ。 １５は被成長基板。 １６は排気口。 １７、１８は抵抗加熱ヒータ （１）酢面図 （２）平面図 実記例ｎ根或ｍ 第 １ 図 ｔｏ ２ｏ ３ｏ ４゜ θ′（°つ 樋４リキ１１０／１已彌−日月図 し１月享Ｉ）弓し、
づう≧ジｈラ ヒ令員糾宜１θｑｎシＡイ呆望第２１２
］
Claims (1)
- 成長室内に、その中央より半径方向に水平に成長ガス
を吹き出すノズルと、該ノズルの周りに円錐面を有する
サセプタと、該サセプタの内部に反応ガスとの接触を遮
断された抵抗加熱ヒータと、該サセプタの円錐面に対向
してこれを覆って設けられた反応ガスの整流板とを有し
、該サセプタの円錐面上に被成長基板を載せ、該抵抗加
熱ヒータにより該被成長基板を加熱し、該ノズルより反
応ガスを該被成長基板に斜めに吹き付けて成長を行うよ
うにしたことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28165987A JPH01123413A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28165987A JPH01123413A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123413A true JPH01123413A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17642188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28165987A Pending JPH01123413A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123413A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP28165987A patent/JPH01123413A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
| US6111225A (en) * | 1996-02-23 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Limited | Wafer processing apparatus with a processing vessel, upper and lower separately sealed heating vessels, and means for maintaining the vessels at predetermined pressures |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| US8246747B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-08-21 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
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