JP3231312B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JP3231312B2 JP3231312B2 JP15469490A JP15469490A JP3231312B2 JP 3231312 B2 JP3231312 B2 JP 3231312B2 JP 15469490 A JP15469490 A JP 15469490A JP 15469490 A JP15469490 A JP 15469490A JP 3231312 B2 JP3231312 B2 JP 3231312B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は気相成長装置に関し、特にin situでＰ型あ
るいはＮ型の不純物をドーピングして薄膜を形成する気
相成長装置に関するものである。
るいはＮ型の不純物をドーピングして薄膜を形成する気
相成長装置に関するものである。
気相成長装置は種々の成膜に使われるが、以下シリコ
ンエピタキシャル成長について説明する。エピタキシャ
ル成長技術は、半導体製造プロセスにおいてはすでに重
要な技術分野となっており、特にバイポーラ系のデバイ
スではデバイス製造上必須のプロセスになっている。さ
らに近年、超高集積度、超高速デバイスの要求から少消
費電力で、しかも高速のBi−CMOS構造のSRAM、あるいは
超高集積化にともなうラッチアップ対策からエピ構造を
用いたDRAM等の開発が精力的に行なわれているが、これ
らのデバイスはいずれもエピタキシャル成長プロセスを
必要としている。又、デバイスチップ当りの製造プロセ
スコスト低減のため、シリコンウェーハの大口径化や製
造装置に関しては１バッチ当りの処理枚数の向上による
高スループット化が進められている。エピタキシャル成
長装置においても、従来のバレル型、パンケーキ型と呼
ばれる装置では、すでにスループットの点で現状の要求
を満たすことは困難となっており、最近になって種々の
新しい方式の装置が試作されるようになって来た。例え
ば、縦型反応管を用いたホットウォール方式で、大口径
６インチウェーハを大量に処理できる装置が提案されて
いる（特開昭63−0086424号）。
ンエピタキシャル成長について説明する。エピタキシャ
ル成長技術は、半導体製造プロセスにおいてはすでに重
要な技術分野となっており、特にバイポーラ系のデバイ
スではデバイス製造上必須のプロセスになっている。さ
らに近年、超高集積度、超高速デバイスの要求から少消
費電力で、しかも高速のBi−CMOS構造のSRAM、あるいは
超高集積化にともなうラッチアップ対策からエピ構造を
用いたDRAM等の開発が精力的に行なわれているが、これ
らのデバイスはいずれもエピタキシャル成長プロセスを
必要としている。又、デバイスチップ当りの製造プロセ
スコスト低減のため、シリコンウェーハの大口径化や製
造装置に関しては１バッチ当りの処理枚数の向上による
高スループット化が進められている。エピタキシャル成
長装置においても、従来のバレル型、パンケーキ型と呼
ばれる装置では、すでにスループットの点で現状の要求
を満たすことは困難となっており、最近になって種々の
新しい方式の装置が試作されるようになって来た。例え
ば、縦型反応管を用いたホットウォール方式で、大口径
６インチウェーハを大量に処理できる装置が提案されて
いる（特開昭63−0086424号）。
第４図はこの装置の概略を示したものである。第４図
に示す装置は、ウェーハホールダ４にウェーハ５を水平
に積み重ねるように保持し、減圧下で抵抗加熱炉９によ
り900℃〜1200℃程度に加熱してそのウェーハ５表面に
ジクロロシラン（SiH2Cl2）等のシラン系のガス、水素
（H2）及びドーピングガスを導入してエピタキシャル成
長させるものとなっていた。
に示す装置は、ウェーハホールダ４にウェーハ５を水平
に積み重ねるように保持し、減圧下で抵抗加熱炉９によ
り900℃〜1200℃程度に加熱してそのウェーハ５表面に
ジクロロシラン（SiH2Cl2）等のシラン系のガス、水素
（H2）及びドーピングガスを導入してエピタキシャル成
長させるものとなっていた。
反応容器は架台１に支持された内外管2,3の二重構造
で、外管２で真空を保持し、回転するウェーハ５にノズ
ル管６を用いて反応ガスを供給する。反応ガスは内管３
の円筒面内に設けられた多数のガス排出孔７を通して排
気口８より排出される。従来装置では、PH3、B2H6、AsH
3等のドーピングガスと成長に係わるSiH2Cl2等の反応ガ
スを同一ノズル管から放出するか、あるいはドーピング
ガスと成長に係わる反応ガスを異なるノズル管から放出
しているが、後者の装置においてもドーピングガスの流
線および膜成長に係わる反応ガスの法線とウェーハ表面
とは平行な関係にあった。
で、外管２で真空を保持し、回転するウェーハ５にノズ
ル管６を用いて反応ガスを供給する。反応ガスは内管３
の円筒面内に設けられた多数のガス排出孔７を通して排
気口８より排出される。従来装置では、PH3、B2H6、AsH
3等のドーピングガスと成長に係わるSiH2Cl2等の反応ガ
スを同一ノズル管から放出するか、あるいはドーピング
ガスと成長に係わる反応ガスを異なるノズル管から放出
しているが、後者の装置においてもドーピングガスの流
線および膜成長に係わる反応ガスの法線とウェーハ表面
とは平行な関係にあった。
気相成長法でウェーハ面上に均一な膜成長を行うため
には、反応ガスの熱分解により生じた種々の反応種を全
被成長領域に対し均一に供給する必要がある。SiH2Cl2
−H2−PH3系のＮ型シリコンエピタキシャル成長を例に
挙げて説明すれば、SiH2Cl2の熱分解により生じた膜成
長に係わるSiCl2およびPH3の熱分解により生成したドー
ピングに係わるPHi（ｉ＝1,2,3）などの反応ガス種を全
ウェーハ被成長領域に均一供給する必要がある。前述し
た単一ノズル管を使用した従来装置では、第５図
（Ａ），（Ｂ）に示すように均一成長のため、ノズル管
６から噴出されるガスの流速とガス流線10の方向につい
て最適化を行っているが、SiH2Cl2およびPH3の熱分解温
度、あるいはそれらの熱分解種とSi基板との化学反応速
度に差があることから、膜厚と抵抗率を同時に均一とす
る成長条件を見いだすことは困難となっている。
には、反応ガスの熱分解により生じた種々の反応種を全
被成長領域に対し均一に供給する必要がある。SiH2Cl2
−H2−PH3系のＮ型シリコンエピタキシャル成長を例に
挙げて説明すれば、SiH2Cl2の熱分解により生じた膜成
長に係わるSiCl2およびPH3の熱分解により生成したドー
ピングに係わるPHi（ｉ＝1,2,3）などの反応ガス種を全
ウェーハ被成長領域に均一供給する必要がある。前述し
た単一ノズル管を使用した従来装置では、第５図
（Ａ），（Ｂ）に示すように均一成長のため、ノズル管
６から噴出されるガスの流速とガス流線10の方向につい
て最適化を行っているが、SiH2Cl2およびPH3の熱分解温
度、あるいはそれらの熱分解種とSi基板との化学反応速
度に差があることから、膜厚と抵抗率を同時に均一とす
る成長条件を見いだすことは困難となっている。
一方、複数ノズル管を用いた成長装置は第６図
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すように、SiH2Cl
2を供給して膜成長を行うためのノズル管6bと、PH3を供
給して抵抗率制御を行うためのノズル管6aとを別に設け
ることにより、膜成長と抵抗率について独立に最適条件
を得ようとしたものである。しかし、この装置の場合で
も、各ノズル管6a,6bのガス噴出孔6c,6dはウェーハ面に
対し同一高さ位置に開口してあるため、ガス噴出孔6c,6
dから噴出された反応ガス特にキャリアガス同士がウェ
ーハ面内で相互干渉するために、膜厚分布と抵抗率分布
とを完全に独立させて制御することはできない。即ち、
一方のノズル管から噴出されたガス流のウェーハ面内で
のフローパターンが、他方のノズル管からのガス流に大
きく影響されることになる。以上述べたように、従来装
置では、大口径ウェーハに対して良好な膜厚均一性と低
効率均一性を同時に満足する成長条件を見いだすことは
困難となっている。
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すように、SiH2Cl
2を供給して膜成長を行うためのノズル管6bと、PH3を供
給して抵抗率制御を行うためのノズル管6aとを別に設け
ることにより、膜成長と抵抗率について独立に最適条件
を得ようとしたものである。しかし、この装置の場合で
も、各ノズル管6a,6bのガス噴出孔6c,6dはウェーハ面に
対し同一高さ位置に開口してあるため、ガス噴出孔6c,6
dから噴出された反応ガス特にキャリアガス同士がウェ
ーハ面内で相互干渉するために、膜厚分布と抵抗率分布
とを完全に独立させて制御することはできない。即ち、
一方のノズル管から噴出されたガス流のウェーハ面内で
のフローパターンが、他方のノズル管からのガス流に大
きく影響されることになる。以上述べたように、従来装
置では、大口径ウェーハに対して良好な膜厚均一性と低
効率均一性を同時に満足する成長条件を見いだすことは
困難となっている。
本発明の目的は、ガス同士のウェーハ面内での相互干
渉を阻止することにより、従来の問題点を解消した気相
成長装置を提供することにある。
渉を阻止することにより、従来の問題点を解消した気相
成長装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る気相成長装置
は、複数のウェーハを保持するウェーハホルダと、前記
ホルダに保持されたウェーハごとに反応ガスを供給する
ガス噴出口を備えたノズル管とを有する、前記ウェーハ
を回転させながら膜形成を行う気相成長装置であって、
主として膜成長に係わるシラン系の反応ガスを供給する
第１ノズル管と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピン
グガスを含む反応ガスを供給する第２ノズル管とを含
み、それぞれのウェハに対して、前記第１ノズル管のガ
ス噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガス噴出
孔からのガス流線とをウェハー面に対して平行になるよ
うに設定し、前記第１ノズル管のガス噴出孔と前記第２
ノズル管のガス噴出孔とを、ウェーハ面に対し互いに異
なる高さ位置にそれぞれ開口するとともに、前記第１ノ
ズル管及び前記第２ノズル管に対向してウェーハ面に平
行な平面上に複数のガス噴出孔を設けて前記第１ノズル
管のガス噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガ
ス噴出孔からのガス流線とが交わらないようにしたもの
である。
は、複数のウェーハを保持するウェーハホルダと、前記
ホルダに保持されたウェーハごとに反応ガスを供給する
ガス噴出口を備えたノズル管とを有する、前記ウェーハ
を回転させながら膜形成を行う気相成長装置であって、
主として膜成長に係わるシラン系の反応ガスを供給する
第１ノズル管と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピン
グガスを含む反応ガスを供給する第２ノズル管とを含
み、それぞれのウェハに対して、前記第１ノズル管のガ
ス噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガス噴出
孔からのガス流線とをウェハー面に対して平行になるよ
うに設定し、前記第１ノズル管のガス噴出孔と前記第２
ノズル管のガス噴出孔とを、ウェーハ面に対し互いに異
なる高さ位置にそれぞれ開口するとともに、前記第１ノ
ズル管及び前記第２ノズル管に対向してウェーハ面に平
行な平面上に複数のガス噴出孔を設けて前記第１ノズル
管のガス噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガ
ス噴出孔からのガス流線とが交わらないようにしたもの
である。
従来装置では、ノズル管からの各ガス流線がウェーハ
面と平行な同一平面上で重なっているのに対し、本発明
では、各ガス流は夫々異なる平面上を流れている。この
ため各ノズル管から噴出されたガス流の相互干渉が大幅
に低減され、良好な膜厚均一性と抵抗率均一性を同時に
得ることができる。
面と平行な同一平面上で重なっているのに対し、本発明
では、各ガス流は夫々異なる平面上を流れている。この
ため各ノズル管から噴出されたガス流の相互干渉が大幅
に低減され、良好な膜厚均一性と抵抗率均一性を同時に
得ることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の実施例１を
示す図である。図において、成長に使用した反応管は第
４図に示した従来装置と同様に、外管２と内管３とから
なる二重管構造の反応管であり、さらにウェーハ５を保
持するためのウェーハホールダ４と、反応管内を加熱す
るための抵抗加熱炉９を備えている点は従来装置と同じ
である。本発明において、反応ガスを供給するためのノ
ズル管６は、主として膜成長に係わるシラン系（PH3）
の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズル管6a
と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む
反応ガスを供給する第２ノズル管6bとから構成したもの
である。そして本発明で特徴的なガスフローパターンを
実現するため、第１ノズル管6aについては隣接ウェーハ
間隔Ｌのノズル管長手方向1/3Lの高さ位置にガス噴出孔
6cを開口し、第２ノズル管6bについては2/3Lの高さ位置
にガス噴出孔6dを設置したものである。
示す図である。図において、成長に使用した反応管は第
４図に示した従来装置と同様に、外管２と内管３とから
なる二重管構造の反応管であり、さらにウェーハ５を保
持するためのウェーハホールダ４と、反応管内を加熱す
るための抵抗加熱炉９を備えている点は従来装置と同じ
である。本発明において、反応ガスを供給するためのノ
ズル管６は、主として膜成長に係わるシラン系（PH3）
の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズル管6a
と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む
反応ガスを供給する第２ノズル管6bとから構成したもの
である。そして本発明で特徴的なガスフローパターンを
実現するため、第１ノズル管6aについては隣接ウェーハ
間隔Ｌのノズル管長手方向1/3Lの高さ位置にガス噴出孔
6cを開口し、第２ノズル管6bについては2/3Lの高さ位置
にガス噴出孔6dを設置したものである。
ウェーハホールダ４に直径150mmのＰ型シリコンウェ
ーハ５を50枚搭載し、反応管内温度を1080℃、真空度を
80torrとした。ウェーハホールダ４を毎分５回転の速度
で回転させ、第１ノズル管6aのガス噴出孔6cより、H2 2
01/min、PH3 50ml/min、第２ノズル管6bのガス噴出孔6d
より、H2を201/min、SiH2Cl2を200ml/minの流量で15分
間供給してＮ型のシリコンエピタキシャル膜を成長させ
た。
ーハ５を50枚搭載し、反応管内温度を1080℃、真空度を
80torrとした。ウェーハホールダ４を毎分５回転の速度
で回転させ、第１ノズル管6aのガス噴出孔6cより、H2 2
01/min、PH3 50ml/min、第２ノズル管6bのガス噴出孔6d
より、H2を201/min、SiH2Cl2を200ml/minの流量で15分
間供給してＮ型のシリコンエピタキシャル膜を成長させ
た。
第２図は成長したウェーハについて膜厚と抵抗率を測
定したものであるが、いずれも従来装置で成長した場合
（第5,6図）と比較して大幅に改善され、膜厚均一性±
３％、抵抗率均一性±５％の良好な値を得た。
定したものであるが、いずれも従来装置で成長した場合
（第5,6図）と比較して大幅に改善され、膜厚均一性±
３％、抵抗率均一性±５％の良好な値を得た。
本実施例では、ノズル管6a,6bを２本としたが、第１
ノズル管6a及び第２ノズル管6bをそれぞれ複数本とした
成長も試みており、この場合も良好な結果が得られてい
る。
ノズル管6a及び第２ノズル管6bをそれぞれ複数本とした
成長も試みており、この場合も良好な結果が得られてい
る。
（参考例） 第３図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、参考例を示す図で
ある。本参考例において、反応管については実施例１と
同様の装置を使用した。本参考例で特徴的なガスフロー
パターンを実現するため、第１ノズル管6aのガス噴出孔
6cの開口方向は、ウェーハ面に垂直なａ−ａ′線断面上
の水平方向に対し60゜に設定してあり、第２ノズル管6b
のガス噴出孔6dの開口方向は、ウェーハ面に垂直なｂ−
ｂ′線断面上の水平方向に対し30゜とした。本参考例で
は、実施例１と同条件で成長を行い、膜厚分布と抵抗率
分布を測定したところ、本参考例の場合も実施例１の場
合と同様、膜厚均一性±３％、抵抗率均一性±５％の良
好な結果を得た。
ある。本参考例において、反応管については実施例１と
同様の装置を使用した。本参考例で特徴的なガスフロー
パターンを実現するため、第１ノズル管6aのガス噴出孔
6cの開口方向は、ウェーハ面に垂直なａ−ａ′線断面上
の水平方向に対し60゜に設定してあり、第２ノズル管6b
のガス噴出孔6dの開口方向は、ウェーハ面に垂直なｂ−
ｂ′線断面上の水平方向に対し30゜とした。本参考例で
は、実施例１と同条件で成長を行い、膜厚分布と抵抗率
分布を測定したところ、本参考例の場合も実施例１の場
合と同様、膜厚均一性±３％、抵抗率均一性±５％の良
好な結果を得た。
以上説明したように本発明は、２系統からの反応ガス
のウェーハ面での相互干渉を阻止するため、大口径ウェ
ーハに対して膜厚および抵抗率ともに均一な膜を形成で
きるという効果がある。
のウェーハ面での相互干渉を阻止するため、大口径ウェ
ーハに対して膜厚および抵抗率ともに均一な膜を形成で
きるという効果がある。
第１図（Ａ）は本発明の実施例１を示す横断面図、
（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ′線断面図、（Ｃ）は第
１図（Ａ）のｂ−ｂ′線断面図、第２図は実施例１の膜
厚および抵抗率分布を示す図、第３図（Ａ）は参考例を
示す横断面図、（Ｂ）は第３図（Ａ）のａ−ａ′線断面
図、（Ｃ）は第３図（Ａ）のｂ−ｂ′線断面図、第４図
は本発明および従来の装置で使用した反応管を示す縦断
面図、第５図（Ａ），（Ｂ）は、単一ノズル管を使用し
た従来装置のガスフローパターンと膜の均一性を示す
図、第６図（Ａ），（Ｂ）は複数ノズル管を使用した従
来装置のガスフローパターンと膜の均一性を示す図、第
６図（Ｃ）は第６図（Ｂ）のａ−ａ′線断面図、第６図
（Ｄ）は第６図（Ｂ）のｂ−ｂ′線断面図である。 １……架台、２……外管 ３……内管、４……ウェーハホールダ ５……ウェーハ 6,6a,6b……ノズル管 ７……ガス排出孔、８……排気口 ９……抵抗加熱炉
（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ′線断面図、（Ｃ）は第
１図（Ａ）のｂ−ｂ′線断面図、第２図は実施例１の膜
厚および抵抗率分布を示す図、第３図（Ａ）は参考例を
示す横断面図、（Ｂ）は第３図（Ａ）のａ−ａ′線断面
図、（Ｃ）は第３図（Ａ）のｂ−ｂ′線断面図、第４図
は本発明および従来の装置で使用した反応管を示す縦断
面図、第５図（Ａ），（Ｂ）は、単一ノズル管を使用し
た従来装置のガスフローパターンと膜の均一性を示す
図、第６図（Ａ），（Ｂ）は複数ノズル管を使用した従
来装置のガスフローパターンと膜の均一性を示す図、第
６図（Ｃ）は第６図（Ｂ）のａ−ａ′線断面図、第６図
（Ｄ）は第６図（Ｂ）のｂ−ｂ′線断面図である。 １……架台、２……外管 ３……内管、４……ウェーハホールダ ５……ウェーハ 6,6a,6b……ノズル管 ７……ガス排出孔、８……排気口 ９……抵抗加熱炉
Claims (1)
- 【請求項１】複数のウェーハを保持するウェーハホルダ
と、 前記ウェハーホルダに保持されたウェハーごとに反応ガ
スを供給するガス噴出孔を備えたノズル管と を有する、前記ウェーハを回転させながら膜形成を行う
気相成長装置であって、 主として膜成長に係わるシラン系の反応ガスを供給する
第１ノズル管と、 主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む反応
ガスを供給する第２ノズル管と を含み、 それぞれのウェーハに対して、前記第１ノズル管のガス
噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガス噴出孔
からのガス流線とをウェーハ面に対して平行になるよう
に設定し、前記第１ノズル管のガス噴出孔と前記第２ノ
ズル管のガス噴出孔とを、ウェーハ面に対し互いに異な
る高さ位置にそれぞれ開口するとともに、前記第１ノズ
ル管および前記第２ノズル管に対向してウェーハ面に平
行な平面上に複数のガス排出孔を設けて前記第１ノズル
管のガス噴出孔からのガス流線と前記第２ノズル管のガ
ス噴出孔からのガス流線とが交わらないようにしたこと
を特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469490A JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469490A JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445522A JPH0445522A (ja) | 1992-02-14 |
| JP3231312B2 true JP3231312B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=15589903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15469490A Expired - Fee Related JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231312B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15469490A patent/JP3231312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445522A (ja) | 1992-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |