JPS60254610A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS60254610A JPS60254610A JP10942784A JP10942784A JPS60254610A JP S60254610 A JPS60254610 A JP S60254610A JP 10942784 A JP10942784 A JP 10942784A JP 10942784 A JP10942784 A JP 10942784A JP S60254610 A JPS60254610 A JP S60254610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- porous carbon
- crystal layer
- reaction chamber
- manufacturing equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機金属熱分解気相成長（ｍｅｔａｌ ｏｒ
ｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法を適用して被膜を形成
する場合に用いる半導体製造装置の改良に関する。
ｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法を適用して被膜を形成
する場合に用いる半導体製造装置の改良に関する。
第４図はこの種の半導体製造装置の従来例を表す要部説
明図である。
明図である。
図に於いて、１は反応室、２は送気管、３は排気管、４
は回転軸、５はサセプタ、６は高周波加熱コイル、７は
基板をそれぞれ示している。
は回転軸、５はサセプタ、６は高周波加熱コイル、７は
基板をそれぞれ示している。
この装置に於けるサセプタ５は、緻密な炭素の塊から切
り出して作成されていて、高周波で加熱され、その熱を
基板７に伝えて加熱するようにしている。
り出して作成されていて、高周波で加熱され、その熱を
基板７に伝えて加熱するようにしている。
例えば、基板７上にＧａＡｓ結晶層を形成しようとする
場合、排気管３から反応室１内の排気を行いつつ、送気
管２からアルシン（ＡＳＨ３）＋水素（Ｈ２）及びトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ ：（ＣＨｓ）３Ｇａ）とを送
入し、高周波加熱コイル６に高周波を流してサセプタ５
を加熱し且つサセプタ５を回転させながら行う。
場合、排気管３から反応室１内の排気を行いつつ、送気
管２からアルシン（ＡＳＨ３）＋水素（Ｈ２）及びトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ ：（ＣＨｓ）３Ｇａ）とを送
入し、高周波加熱コイル６に高周波を流してサセプタ５
を加熱し且つサセプタ５を回転させながら行う。
サセプタ５の材料である炭素は高純度のものを用いてい
るが、このサセプタ５が結晶層形成材料である反応ガス
の純度を低下させる不純物源となる可能性が大きい、即
ち、繰り返し使用するうちに、種々の反応ガスを吸着し
、結晶層形成中にその反応ガスが放出されるものである
。
るが、このサセプタ５が結晶層形成材料である反応ガス
の純度を低下させる不純物源となる可能性が大きい、即
ち、繰り返し使用するうちに、種々の反応ガスを吸着し
、結晶層形成中にその反応ガスが放出されるものである
。
第５図はノン・ドープのＧａＡｓ結晶層とＳｅドープの
ＧａＡｓ結晶層の成長を繰り返した場合に於けるキャリ
ヤ濃度と成長回数との関係を表す線図である。
ＧａＡｓ結晶層の成長を繰り返した場合に於けるキャリ
ヤ濃度と成長回数との関係を表す線図である。
図では、縦軸にキャリヤ濃度Ｎを、横軸に成長回数Ｔ８
をとってあり、特性線Ａはノン・ドープのＧａＡｓ結晶
層に関するもの、特性線ＢはＳｅドープのＧａＡｓ結晶
層に関するものを表している。
をとってあり、特性線Ａはノン・ドープのＧａＡｓ結晶
層に関するもの、特性線ＢはＳｅドープのＧａＡｓ結晶
層に関するものを表している。
このデータを得た際の条件は次の通りである。
成長温度ニア００［’Ｃ）
ＴＭＧ流量： １０ （ｍＡり （０（’Ｃ） ）ＡＳ
Ｈ３（３（％〕）流量：１１００（＃／分〕Ｈｚ：２［
Ｉ！、／分〕 また、ＳｅはＨｚＳｅのかたちで加え、そのドープ量は
ｌ ００ （ｐｐｍ） 、５ （ｍＪ）とした。
Ｈ３（３（％〕）流量：１１００（＃／分〕Ｈｚ：２［
Ｉ！、／分〕 また、ＳｅはＨｚＳｅのかたちで加え、そのドープ量は
ｌ ００ （ｐｐｍ） 、５ （ｍＪ）とした。
図から判るように、成長回数が増すにつれてノン・ドー
プ結晶層のキャリヤ濃度は増加していることが看取され
る。
プ結晶層のキャリヤ濃度は増加していることが看取され
る。
この欠点を解消する為、サセプタ５にＳ ｉ Ｃ。
Ａｌ１２０３、Ｓ ｉ Ｑ ２などの耐熱性材料を被覆
することに依り、反応ガスが吸着されることを防止する
ことが行われている。
することに依り、反応ガスが吸着されることを防止する
ことが行われている。
然しなから、そのような手段を採っても、前記欠点を完
全に解消することはできない。
全に解消することはできない。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体製造装置では、多孔質の炭素で形成され
且つ内部が中空であるサセプタを備えてなることを特徴
とする構成を採っている。
且つ内部が中空であるサセプタを備えてなることを特徴
とする構成を採っている。
前記サセプタの構成、即ち、サセプタが多孔質であるこ
とから、不純物の放出を迅速且つ容易に行うことが可能
になる。
とから、不純物の放出を迅速且つ容易に行うことが可能
になる。
また、サセプタの前記中空内部に連通する管体を固着し
、該管体を介して該中空内部−多孔質サセプター反応室
の経路で純ガスを送入したり、或いは、反応室−多孔質
サセプター中空内部−管体の経路で排気することに依り
、サセプタには不純物が蓄積されないようにすることも
できる。
、該管体を介して該中空内部−多孔質サセプター反応室
の経路で純ガスを送入したり、或いは、反応室−多孔質
サセプター中空内部−管体の経路で排気することに依り
、サセプタには不純物が蓄積されないようにすることも
できる。
第１図は本発明一実施例の要部説明図であり、第４図に
関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである。
関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである。
第１図に見られる実施例が第４図に関して説明した従来
例と相違する点は、サセプタ５′が多孔質の炭素で形成
され、しかも、内部５Ａは中空になっていること、また
、回転軸４に相当する部材が管体４′で構成されている
ことである。
例と相違する点は、サセプタ５′が多孔質の炭素で形成
され、しかも、内部５Ａは中空になっていること、また
、回転軸４に相当する部材が管体４′で構成されている
ことである。
このような構成になっているので、たとえ、サセプタ５
′に反応性ガスが吸着されたとしても、サセプタ５′が
多孔質であることから、その放出は迅速且つ容易に行う
ことができる。
′に反応性ガスが吸着されたとしても、サセプタ５′が
多孔質であることから、その放出は迅速且つ容易に行う
ことができる。
また、管体４′を介して中空内部５Ａに例えばＨ２のよ
うな純ガスを送入すると、該純ガスは多孔質のサセプタ
５′から反応室１内に抜ける状態になるので、サセプタ
５′に反応ガスが吸着されて不純物が蓄積されるような
ことは皆無となる。
うな純ガスを送入すると、該純ガスは多孔質のサセプタ
５′から反応室１内に抜ける状態になるので、サセプタ
５′に反応ガスが吸着されて不純物が蓄積されるような
ことは皆無となる。
第２図は第１図に関して説明した本発明一実施例を用い
てＧａＡｓ層を形成した場合の第５図と同様の線図であ
り、第５図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
てＧａＡｓ層を形成した場合の第５図と同様の線図であ
り、第５図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
このデータを得た条件も第５図のデータを得たときの条
件と同じである。
件と同じである。
図から判るように、ノン・ドープ結晶層のキャリヤ濃度
は増加することなく、寧ろ低減されていて、サセプタ５
′に対する従来のような不純物の蓄積効果は全く見られ
ない。
は増加することなく、寧ろ低減されていて、サセプタ５
′に対する従来のような不純物の蓄積効果は全く見られ
ない。
尚、管体４′に送入する純ガスにＨＣｌガスを添加する
ことに依り、サセプタ５′に蓄積される不純物を低減す
ることも可能である。
ことに依り、サセプタ５′に蓄積される不純物を低減す
ることも可能である。
第３図は本発明に於ける他の実施例の要部説明図であり
、第１図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示
しである□。
、第１図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示
しである□。
第３図に見られる実施例が第１図に関して説明した実施
例と相違する点は、管体４′を真空ポンプに接続し、サ
セプタ５′を介して反応ガスの一部を吸引していること
である。
例と相違する点は、管体４′を真空ポンプに接続し、サ
セプタ５′を介して反応ガスの一部を吸引していること
である。
このようにすると、サセプタ５′に不純物が蓄積されて
いたとしても、それが反応室１内に放出されることはな
く、従って、この実施例も第１図に見られる実施例と同
効である。
いたとしても、それが反応室１内に放出されることはな
く、従って、この実施例も第１図に見られる実施例と同
効である。
本発明の半導体製造装置では、多孔質の炭素で形成され
且つ内部が中空であるサセプタを備えてなることを特徴
とする構成を採っている。
且つ内部が中空であるサセプタを備えてなることを特徴
とする構成を採っている。
この構成に依ると、サセプタは多孔質であるから、反応
ガスを吸着し易い代わりに放出もし易いので、例えば、
予備加熱に依って、容易に不純物を放散させることがで
きる。
ガスを吸着し易い代わりに放出もし易いので、例えば、
予備加熱に依って、容易に不純物を放散させることがで
きる。
従って、本発明の半導体製造装置によれば、高純度の結
晶を成長させることができ、しかも、純度を低下させる
ことなく成長を繰り返すことができる回数を増大させる
ことができる。
晶を成長させることができ、しかも、純度を低下させる
ことなく成長を繰り返すことができる回数を増大させる
ことができる。
第１図は本発明一実施例の要部説明図、第２図は第１図
に見られる実施例を用いてノン・ドープの結晶層とＳｅ
ドープの結晶層とを繰り返し成長させた場合のキャリヤ
濃度と成長回数との関係を示す線図、第３図は本発明に
於ける他の実施例の要部説明図、第４図は従来例の要部
説明図、第５図は第４図に見られる従来例を用いてノン
・ドープの結晶層とＳｅドープの結晶層とを繰り返し成
長させた場合のキャリヤ濃度と成長回数との関係を示す
線図をそれぞれ表している。 図に於いて、■は反応室、２は送気管、３は排気管、４
は回転軸、４′は管体、５及び５′はサセプタ、５Ａは
中空内部、６は高周波加熱コイル、７は基板をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 Ｎ 第３図 １ 第４図
に見られる実施例を用いてノン・ドープの結晶層とＳｅ
ドープの結晶層とを繰り返し成長させた場合のキャリヤ
濃度と成長回数との関係を示す線図、第３図は本発明に
於ける他の実施例の要部説明図、第４図は従来例の要部
説明図、第５図は第４図に見られる従来例を用いてノン
・ドープの結晶層とＳｅドープの結晶層とを繰り返し成
長させた場合のキャリヤ濃度と成長回数との関係を示す
線図をそれぞれ表している。 図に於いて、■は反応室、２は送気管、３は排気管、４
は回転軸、４′は管体、５及び５′はサセプタ、５Ａは
中空内部、６は高周波加熱コイル、７は基板をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 Ｎ 第３図 １ 第４図
Claims (1)
- 多孔質の炭素で形成され且つ内部が中空であるサセプタ
を備えてなることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10942784A JPS60254610A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10942784A JPS60254610A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254610A true JPS60254610A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14509966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10942784A Pending JPS60254610A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254610A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238085A2 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Improved diamond-like carbon films and process for production thereof |
| EP1672094A1 (de) * | 2004-12-16 | 2006-06-21 | Siltronic AG | Beschichtete Halbleiterscheibe und Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
| US7285483B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-10-23 | Silitronic Ag | Coated semiconductor wafer, and process and apparatus for producing the semiconductor wafer |
| US7919143B2 (en) | 2003-12-09 | 2011-04-05 | Schunk Kohlensteofftechnik Gmbh | Carrier for receiving an object and method for the production of a carrier |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10942784A patent/JPS60254610A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238085A2 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Improved diamond-like carbon films and process for production thereof |
| US7285483B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-10-23 | Silitronic Ag | Coated semiconductor wafer, and process and apparatus for producing the semiconductor wafer |
| US7919143B2 (en) | 2003-12-09 | 2011-04-05 | Schunk Kohlensteofftechnik Gmbh | Carrier for receiving an object and method for the production of a carrier |
| EP1672094A1 (de) * | 2004-12-16 | 2006-06-21 | Siltronic AG | Beschichtete Halbleiterscheibe und Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
| CN100429750C (zh) * | 2004-12-16 | 2008-10-29 | 硅电子股份公司 | 经涂覆的半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法和装置 |
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