JP2783041B2 - 気相シリコンエピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相シリコンエピタキシャル成長装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相シリコンエピタキシ
ャル成長装置に関し、特に反応容器を縦に組み立てた縦
型気相シリコンエピタキシャル成長装置に関するもので
ある。
ャル成長装置に関し、特に反応容器を縦に組み立てた縦
型気相シリコンエピタキシャル成長装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の一例を示す気相シリコンエ
ピタキシャル成長装置の断面図、図９は図８のノズル管
を示す部分側面図である。従来、この種の気相シリコン
エピタキシャル成長装置は、例えば、図８に示すよう
に、基板ホルダー４に単結晶基板５をある間隔で水平に
積み重ねるように保持する基板ホルダ４と、この基板ホ
ルダ４を収納する内管２及び外管１と、減圧下で単結晶
基板５を９００〜１２００℃程度に加熱する抵抗加熱炉
６と、その単結晶基板表面にジクロルシラン等のシラン
系ガス、ホスフィン等のドーピングガス、塩化水素ガス
等のエッチングガスアルゴンや窒素等のキャリアガスか
らなる混合ガスを供給するノズル管７と、このノズル管
７とは別に水素ガスのみを供給するノズル管（図示せ
ず）と、外管２及び内管を載置する架台を気密に貫通し
基板ホルダ４を回転する回転軸とを有していた。
ピタキシャル成長装置の断面図、図９は図８のノズル管
を示す部分側面図である。従来、この種の気相シリコン
エピタキシャル成長装置は、例えば、図８に示すよう
に、基板ホルダー４に単結晶基板５をある間隔で水平に
積み重ねるように保持する基板ホルダ４と、この基板ホ
ルダ４を収納する内管２及び外管１と、減圧下で単結晶
基板５を９００〜１２００℃程度に加熱する抵抗加熱炉
６と、その単結晶基板表面にジクロルシラン等のシラン
系ガス、ホスフィン等のドーピングガス、塩化水素ガス
等のエッチングガスアルゴンや窒素等のキャリアガスか
らなる混合ガスを供給するノズル管７と、このノズル管
７とは別に水素ガスのみを供給するノズル管（図示せ
ず）と、外管２及び内管を載置する架台を気密に貫通し
基板ホルダ４を回転する回転軸とを有していた。
【０００３】また、この気相シリコンエピタキシャル成
長装置は、反応容器は架台３により保持される２重構造
で外管１で真空を保持し、回転される単結晶基板５に複
数のノズル管７を用いて混合ガス、水素ガスを供給す
る。ノズル管７は、図９に示すように、長手方向に等間
隔でかつ直径の均しい複数のガス放出孔１０を有してい
る。そして、供給された混合ガス、水素ガスは、矢印に
示すように、内管２の円筒面に設けられた多数のガス排
出孔８を通って排出される。
長装置は、反応容器は架台３により保持される２重構造
で外管１で真空を保持し、回転される単結晶基板５に複
数のノズル管７を用いて混合ガス、水素ガスを供給す
る。ノズル管７は、図９に示すように、長手方向に等間
隔でかつ直径の均しい複数のガス放出孔１０を有してい
る。そして、供給された混合ガス、水素ガスは、矢印に
示すように、内管２の円筒面に設けられた多数のガス排
出孔８を通って排出される。
【０００４】図８は気相シリコンエピタキシャル成長装
置におけるガス供給系統を示す図である。また、この気
相シリコンエピタキシャル成長装置におけるガス供給系
は、図１０に示すように、ジクロルシラン等のシラン系
ガス、ホスフィン等のドーピングガス、塩化水素ガス等
のエッチングガス、アルゴンや窒素等のキャリアガスは
全ての単結晶基板５に対しそれぞれ同一のマスフローコ
ントローラ１２により流量制御され、また水素ガスも同
様に制御されていた。
置におけるガス供給系統を示す図である。また、この気
相シリコンエピタキシャル成長装置におけるガス供給系
は、図１０に示すように、ジクロルシラン等のシラン系
ガス、ホスフィン等のドーピングガス、塩化水素ガス等
のエッチングガス、アルゴンや窒素等のキャリアガスは
全ての単結晶基板５に対しそれぞれ同一のマスフローコ
ントローラ１２により流量制御され、また水素ガスも同
様に制御されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の気相シ
リコンエピタキシャル成長装置では、単結晶基板５に混
合ガス、水素ガスを供給するための複数のノズル管７に
は混合ガス或いは水素ガスが放出される方向が単結晶基
板面とほぼ平行になるようにガス放出孔１０が形成され
ている。そのため反応容器をより高くしてより多数枚の
単結晶基板５を収納し、単結晶基板面にエピタキシャル
成長させようとすると、ノズル管７は必然的に長くな
り、混合ガス、水素ガスはノズル管７の上流側のガス放
出孔１０から主に放出される。従って下流側では圧力損
失が起こりガス放出孔１０から放出されるガス流量が上
流側よりも少なくなる。その結果、基板ホルダ４に収納
される複数枚の単結晶基板５の管ではノズル管７の上流
側に位置する単結晶基板５上のエピタキシャル膜厚の方
が下流側のそれよりも厚く、またエピタキシャル膜の抵
抗率は、上流側の単結晶基板５の方がドーピングガス流
量が大きくドーパント供給料が多いことから、上流側の
単結晶基板５の方が下流側のそれよりも小さくなるとい
う現象が起きる。従って単結晶基板５の成長枚数を増や
すと、単結晶基板５管の膜厚均一性、抵抗率均一性が著
しく悪化するという欠点がある。
リコンエピタキシャル成長装置では、単結晶基板５に混
合ガス、水素ガスを供給するための複数のノズル管７に
は混合ガス或いは水素ガスが放出される方向が単結晶基
板面とほぼ平行になるようにガス放出孔１０が形成され
ている。そのため反応容器をより高くしてより多数枚の
単結晶基板５を収納し、単結晶基板面にエピタキシャル
成長させようとすると、ノズル管７は必然的に長くな
り、混合ガス、水素ガスはノズル管７の上流側のガス放
出孔１０から主に放出される。従って下流側では圧力損
失が起こりガス放出孔１０から放出されるガス流量が上
流側よりも少なくなる。その結果、基板ホルダ４に収納
される複数枚の単結晶基板５の管ではノズル管７の上流
側に位置する単結晶基板５上のエピタキシャル膜厚の方
が下流側のそれよりも厚く、またエピタキシャル膜の抵
抗率は、上流側の単結晶基板５の方がドーピングガス流
量が大きくドーパント供給料が多いことから、上流側の
単結晶基板５の方が下流側のそれよりも小さくなるとい
う現象が起きる。従って単結晶基板５の成長枚数を増や
すと、単結晶基板５管の膜厚均一性、抵抗率均一性が著
しく悪化するという欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、エピタキシャル膜を成長
させるべき単結晶基板枚数を増やしても全ての基板の膜
厚及び膜の抵抗率の均一性を図ることのできる気相シリ
コンエピタキシャル成長装置を提供することである。
させるべき単結晶基板枚数を増やしても全ての基板の膜
厚及び膜の抵抗率の均一性を図ることのできる気相シリ
コンエピタキシャル成長装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の気相シリコンエ
ピタキシャル成長装置は、複数枚の半導体基板を所定の
間隔で積み重ねて収納する基板ホルダと、この基板ホル
ダを収納し、シラン系ガス、ドーピングガス、エッチン
グガスおよびキャリアガスからなる混合ガスと水素ガス
とを導入する容器である内管および外管と、この外管の
外側に配置されるとともに前記内管の内部を加熱する加
熱部と、前記混合ガスおよび前記水素ガスを供給すると
ともに前記内管の内部に配置される第１および第２のノ
ズル管と、これら混合ガスおよび水素ガスの流量をそれ
ぞれ独立して制御するマスフロコントローラとを備える
気相シリコンエピタキシャル成長装置において、前記第
１のノズル管と前記第２のノズル管が互に隣接して対を
なし、これら複数対のノズル管が前記基板ホルダの周囲
を囲み所定の間隔をおいて並べ配置され、前記混合ガス
および前記水素ガスの放出する放出孔が前記基板ホルダ
の下部側に収納された前記半導体基板に向くように形成
されているとともに前記混合ガスおよび前期水素ガスを
排気する排気孔が前記放出孔に対向する前記内管に設け
られていることを特徴としている。
ピタキシャル成長装置は、複数枚の半導体基板を所定の
間隔で積み重ねて収納する基板ホルダと、この基板ホル
ダを収納し、シラン系ガス、ドーピングガス、エッチン
グガスおよびキャリアガスからなる混合ガスと水素ガス
とを導入する容器である内管および外管と、この外管の
外側に配置されるとともに前記内管の内部を加熱する加
熱部と、前記混合ガスおよび前記水素ガスを供給すると
ともに前記内管の内部に配置される第１および第２のノ
ズル管と、これら混合ガスおよび水素ガスの流量をそれ
ぞれ独立して制御するマスフロコントローラとを備える
気相シリコンエピタキシャル成長装置において、前記第
１のノズル管と前記第２のノズル管が互に隣接して対を
なし、これら複数対のノズル管が前記基板ホルダの周囲
を囲み所定の間隔をおいて並べ配置され、前記混合ガス
および前記水素ガスの放出する放出孔が前記基板ホルダ
の下部側に収納された前記半導体基板に向くように形成
されているとともに前記混合ガスおよび前期水素ガスを
排気する排気孔が前記放出孔に対向する前記内管に設け
られていることを特徴としている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を示す気相シ
リコンエピタキシャル成長装置の断面図、図２は図１の
内管を含む部分を示す横断面図、図３は図１の気相シリ
コンエピタキシャル成長装置のガス供給系統を示す図、
図４（ａ）及び（ｂ）は図１のノズル管のガス放出孔を
示す図である。この気相シリコンエピタキシャル成長装
置は、図１及び図２に示すように、ガス供給用のノズル
管７ａ〜７ｔを基板ホルダ４の周囲に並べて複数本のノ
ズル管７ａ〜７ｔを配置し、それぞれのノズル管７ａ〜
７ｔのガス排出孔８を基板ホルダ４の下側にあって内管
２の中心に向ってガス流束となるガス放出孔１０を設
け、このガス放出孔と対向する内管２にガス排出孔８を
設けたことである。
リコンエピタキシャル成長装置の断面図、図２は図１の
内管を含む部分を示す横断面図、図３は図１の気相シリ
コンエピタキシャル成長装置のガス供給系統を示す図、
図４（ａ）及び（ｂ）は図１のノズル管のガス放出孔を
示す図である。この気相シリコンエピタキシャル成長装
置は、図１及び図２に示すように、ガス供給用のノズル
管７ａ〜７ｔを基板ホルダ４の周囲に並べて複数本のノ
ズル管７ａ〜７ｔを配置し、それぞれのノズル管７ａ〜
７ｔのガス排出孔８を基板ホルダ４の下側にあって内管
２の中心に向ってガス流束となるガス放出孔１０を設
け、このガス放出孔と対向する内管２にガス排出孔８を
設けたことである。
【００１０】また、これらノズル管７ａ〜７ｔのそれぞ
れには、図３に示すように、複数枚のシリコン単結晶基
板５のそれぞれに対して独立に流量制御されたシラン系
ガス、エッチングガス、ドーピングガス、キャリアガス
からなる混合ガスを供給するノズル管７ａ，７ｃ，７
ｅ，７ｇ，７ｉ，７ｋ，７ｍ，７ｏ，７ｑ及び７ｓと、
これらとは独立に流量制御された水素ガスは各々のノズ
ル管７ｂ，７ｄ，７ｆ，７ｈ，７ｊ，７ｌ，７ｎ，７ｐ
及び７ｔとに分けられる。
れには、図３に示すように、複数枚のシリコン単結晶基
板５のそれぞれに対して独立に流量制御されたシラン系
ガス、エッチングガス、ドーピングガス、キャリアガス
からなる混合ガスを供給するノズル管７ａ，７ｃ，７
ｅ，７ｇ，７ｉ，７ｋ，７ｍ，７ｏ，７ｑ及び７ｓと、
これらとは独立に流量制御された水素ガスは各々のノズ
ル管７ｂ，７ｄ，７ｆ，７ｈ，７ｊ，７ｌ，７ｎ，７ｐ
及び７ｔとに分けられる。
【００１１】さらにこれらのガス放出孔１０と同一の高
さで設けられたガス排出孔８が内管にそれぞれのガス放
出孔１０に対向して設けられている。すなわち、各々の
シリコン単結晶基板５に対する混合ガス供給用のノズル
管と水素ガス供給用のノズル管とでなるノズル管対は内
管２の壁面円周上に沿って適当な間隔で配置されること
である。例えばノズル管７ａとノズル管７ｂとをノズル
管対と考える。そして各ノズル管の形状は図４（ａ）及
び（ｂ）のように内管中心にガス流束が向かうようなガ
ス放出孔１０を１個のみ有する構造になっている。ま
た、前述したようにガス放出孔１０の高さはそのノズル
管対に対して割り当てれらた基板ホルダ４の直上のシリ
コン単結晶基板５の搭載位置に対応している。すなわち
シリコン単結晶基板５の各々に対して全てのノズル管対
のうちの一つが割り当てられている。一方、上側の単結
晶基板５に対応するガス放出孔及びガス排出孔はコンダ
クタンスを小さくして形成してある。
さで設けられたガス排出孔８が内管にそれぞれのガス放
出孔１０に対向して設けられている。すなわち、各々の
シリコン単結晶基板５に対する混合ガス供給用のノズル
管と水素ガス供給用のノズル管とでなるノズル管対は内
管２の壁面円周上に沿って適当な間隔で配置されること
である。例えばノズル管７ａとノズル管７ｂとをノズル
管対と考える。そして各ノズル管の形状は図４（ａ）及
び（ｂ）のように内管中心にガス流束が向かうようなガ
ス放出孔１０を１個のみ有する構造になっている。ま
た、前述したようにガス放出孔１０の高さはそのノズル
管対に対して割り当てれらた基板ホルダ４の直上のシリ
コン単結晶基板５の搭載位置に対応している。すなわち
シリコン単結晶基板５の各々に対して全てのノズル管対
のうちの一つが割り当てられている。一方、上側の単結
晶基板５に対応するガス放出孔及びガス排出孔はコンダ
クタンスを小さくして形成してある。
【００１２】以上の構造によるガス流により濃度が均一
になり、全ての単結晶基板５上にほぼ同一流量の混合ガ
ス、水素ガスの供給が行われることが出来るため、単結
晶基板５間のエピタキシャル膜厚均一性、抵抗率均一性
は成長枚数が増えても、従来に比べ悪化しない。
になり、全ての単結晶基板５上にほぼ同一流量の混合ガ
ス、水素ガスの供給が行われることが出来るため、単結
晶基板５間のエピタキシャル膜厚均一性、抵抗率均一性
は成長枚数が増えても、従来に比べ悪化しない。
【００１３】次に、本実施例による気相シリコンエピタ
キシャル成長装置を使用してエピタキシャル膜の成長さ
せた例を説明する。まず、基板ホルダ４に直径１５０ｍ
ｍのシリコン単結晶基板５を８ｍｍ間隔で１０枚セット
し、１分間に５回転の回転数（５ｒｐｍ）で基板ホルダ
４を回転させる。次に、反応管内温度を抵抗加熱炉６に
より１０５０℃にする。そして図２に示したノズル管対
の各々の片側からはシラン系ガスとしてジクロルシラン
を１０ＳＣＣＭ、ドーピングガスとしてホスフィンを５
ＳＣＣＭ、エッチングガスとして塩化水素ガスを１０Ｓ
ＣＣＭ、キャリアガスとして窒素を１ＳＬＭで流し、そ
れとは別の側のノズル管からは水素ガスを１ＳＬＭで流
した。これらのガスは図３に示したように独立にマスフ
ローコントローラ１２により流量制御される。このこと
により成長時のガス圧力９Ｔｏｒｒの条件でシリコン単
結晶基板５上にエピタキシャル膜を膜厚３μｍ、抵抗率
１Ω・ｃｍで成長した。
キシャル成長装置を使用してエピタキシャル膜の成長さ
せた例を説明する。まず、基板ホルダ４に直径１５０ｍ
ｍのシリコン単結晶基板５を８ｍｍ間隔で１０枚セット
し、１分間に５回転の回転数（５ｒｐｍ）で基板ホルダ
４を回転させる。次に、反応管内温度を抵抗加熱炉６に
より１０５０℃にする。そして図２に示したノズル管対
の各々の片側からはシラン系ガスとしてジクロルシラン
を１０ＳＣＣＭ、ドーピングガスとしてホスフィンを５
ＳＣＣＭ、エッチングガスとして塩化水素ガスを１０Ｓ
ＣＣＭ、キャリアガスとして窒素を１ＳＬＭで流し、そ
れとは別の側のノズル管からは水素ガスを１ＳＬＭで流
した。これらのガスは図３に示したように独立にマスフ
ローコントローラ１２により流量制御される。このこと
により成長時のガス圧力９Ｔｏｒｒの条件でシリコン単
結晶基板５上にエピタキシャル膜を膜厚３μｍ、抵抗率
１Ω・ｃｍで成長した。
【００１４】図５及び図６は従来の装置と本発明の装置
によるエピタキシャル膜を比較するグラフである。上述
した実験を従来装置で行って比較してみたところ、従来
の装置では、図５及び図６に示すように、ノズル管の下
流側に行くほど膜厚が減少し、抵抗率が上昇する。従っ
て膜厚均一性は±２０％、抵抗率均一性は±２５％であ
るが、本発明の成長装置では各々、±３％、±５％と著
しく改善される。またシリコン単結晶基板面内、面間を
共に含んだシリコン単結晶基板５上のエピタキシャル膜
の膜厚均一性、抵抗率均一性でも±６％、１０％であり
従来の±２５％、±３５％に比べやはり改善された。こ
れは従来の成長装置ではノズル管の上流側で原料ガス等
が主に放出され、下流側では原料ガス等の圧力損失が起
こり、そのためにノズル管の下流側程、ガス流量が減少
するが本発明の成長装置ではシリコン単結晶基板毎に別
のノズル管対を配置しているため、石英ノズル管内のポ
リシリコン蒸着以外には上述の圧力損失の原因がなくな
り、そのため放出ガス流量が全ての単結晶基板５につい
てほぼ同一になるためと考えられる。
によるエピタキシャル膜を比較するグラフである。上述
した実験を従来装置で行って比較してみたところ、従来
の装置では、図５及び図６に示すように、ノズル管の下
流側に行くほど膜厚が減少し、抵抗率が上昇する。従っ
て膜厚均一性は±２０％、抵抗率均一性は±２５％であ
るが、本発明の成長装置では各々、±３％、±５％と著
しく改善される。またシリコン単結晶基板面内、面間を
共に含んだシリコン単結晶基板５上のエピタキシャル膜
の膜厚均一性、抵抗率均一性でも±６％、１０％であり
従来の±２５％、±３５％に比べやはり改善された。こ
れは従来の成長装置ではノズル管の上流側で原料ガス等
が主に放出され、下流側では原料ガス等の圧力損失が起
こり、そのためにノズル管の下流側程、ガス流量が減少
するが本発明の成長装置ではシリコン単結晶基板毎に別
のノズル管対を配置しているため、石英ノズル管内のポ
リシリコン蒸着以外には上述の圧力損失の原因がなくな
り、そのため放出ガス流量が全ての単結晶基板５につい
てほぼ同一になるためと考えられる。
【００１５】図７は本発明の第２の実施例におけるノズ
ル管の断面図である。この気相シリコンエピタキシャル
成長装置は、そのノズル管（全実施例のノズル管に対応
する）７ａ〜７ｔの内の混合ガスを放出するノズル管７
ａ，７ｃ，７ｅ，７ｇ，７ｉ，７ｋ，７ｍ，７ｏ，７ｑ
及び７ｓにおけるガス放出孔をガス流束が内管中心１１
に対して左右に１５°の方向に向かうように２個８ａ，
８ｂを開孔したことである。それ以外は第１の実施例と
同じである。
ル管の断面図である。この気相シリコンエピタキシャル
成長装置は、そのノズル管（全実施例のノズル管に対応
する）７ａ〜７ｔの内の混合ガスを放出するノズル管７
ａ，７ｃ，７ｅ，７ｇ，７ｉ，７ｋ，７ｍ，７ｏ，７ｑ
及び７ｓにおけるガス放出孔をガス流束が内管中心１１
に対して左右に１５°の方向に向かうように２個８ａ，
８ｂを開孔したことである。それ以外は第１の実施例と
同じである。
【００１６】このような構造にすることによりシリコン
単結晶基板上のエピタキシャル膜の基板面内均一性は第
１の実施例の場合と比較して、広範囲にガス流束が供給
されるために改善される。ちなみに前述と同様に実験し
たところ、その結果シリコン単結晶基板面内、面間を共
に含んだシリコン単結晶基板上のエピタキシャル膜の膜
厚均一性、抵抗率均一性は前述の各々第１の実施例では
±６％、±１０％であたものが本実施例によれば±４
％、±７％と改善される。
単結晶基板上のエピタキシャル膜の基板面内均一性は第
１の実施例の場合と比較して、広範囲にガス流束が供給
されるために改善される。ちなみに前述と同様に実験し
たところ、その結果シリコン単結晶基板面内、面間を共
に含んだシリコン単結晶基板上のエピタキシャル膜の膜
厚均一性、抵抗率均一性は前述の各々第１の実施例では
±６％、±１０％であたものが本実施例によれば±４
％、±７％と改善される。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基相シリコ
ンエピタキシャル成長装置によれば、シリコン単結晶基
板のそれぞれに対して、混合ガスを放出するガス放出孔
を有するノズル管と水素ガスを放出するガス放出孔を有
するノズル管とノズル管対をシリコン単結晶基板の円周
に沿って適当な間隔で配置し、前記ガス放出孔を下部側
に配置される単結晶基板に位置するように設け、かつガ
ス排出孔は各々の前記ガス放出孔と同じ高さに位置する
とともに前記ガス放出孔に対向する位置の内管壁面上に
開孔し、内管内のガス濃度を均一にし、積み重ねられた
複数枚の単結晶基板の各々に対して各種ガスを独立に流
量制御することによって、積み重ねられた全てのシリコ
ン単結晶基板に対しほぼ同一流量のガス供給を行なうこ
とができ、その結果シリコン単結晶基板管のエピタキシ
ャル膜厚均一性、抵抗率均一性が著しく改善されるとい
う効果がある。
ンエピタキシャル成長装置によれば、シリコン単結晶基
板のそれぞれに対して、混合ガスを放出するガス放出孔
を有するノズル管と水素ガスを放出するガス放出孔を有
するノズル管とノズル管対をシリコン単結晶基板の円周
に沿って適当な間隔で配置し、前記ガス放出孔を下部側
に配置される単結晶基板に位置するように設け、かつガ
ス排出孔は各々の前記ガス放出孔と同じ高さに位置する
とともに前記ガス放出孔に対向する位置の内管壁面上に
開孔し、内管内のガス濃度を均一にし、積み重ねられた
複数枚の単結晶基板の各々に対して各種ガスを独立に流
量制御することによって、積み重ねられた全てのシリコ
ン単結晶基板に対しほぼ同一流量のガス供給を行なうこ
とができ、その結果シリコン単結晶基板管のエピタキシ
ャル膜厚均一性、抵抗率均一性が著しく改善されるとい
う効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す気相シリコンエピ
タキシャル成長装置の断面図である。
タキシャル成長装置の断面図である。
【図２】図１の気相シリコンエピタキシャル成長装置に
おける内患を含める部分の横断面図である。
おける内患を含める部分の横断面図である。
【図３】図１の気相シリコンエピタキシャル成長装置の
ガス供給系統を示す図である。
ガス供給系統を示す図である。
【図４】図１のノズル管のガス放出孔を示す図である。
【図５】従来の装置と本発明の装置によるエピタキシャ
ル成長膜を比較するグラフである。
ル成長膜を比較するグラフである。
【図６】従来の装置と本発明の装置によるエピタキシャ
ル成長膜を比較するグラフである。
ル成長膜を比較するグラフである。
【図７】本発明の第２の実施例における気相シリコンエ
ピタキシャル成長装置のノズル管の断面を示す断面図で
ある。
ピタキシャル成長装置のノズル管の断面を示す断面図で
ある。
【図８】従来の一例における気相シリコンエピタキシャ
ル成長装置を示す断面図である。
ル成長装置を示す断面図である。
【図９】図８のノズル管を示す部分側面図である。
【図１０】図８の気相シリコンエピタキシャル成長装置
のガス供給系統を示す図である。
のガス供給系統を示す図である。
１ 外管 ２ 内管 ３ 架台 ４ 基板ホルダ ５ 単結晶基板 ６ 抵抗加熱炉 ７，７ａ〜７ｔ ノズル管 ８，８ａ，８ｂ ガス排出孔 ９ 排気孔 １０ ガス放出孔 １１ 内管中心 １２ マスフローコントローラ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−6428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263629（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−253229（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−271921（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−255618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−21822（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−220434（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 25/14 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 複数枚の半導体基板を所定の間隔で積み
重ねて収納する基板ホルダと、この基板ホルダを収納
し、シラン系ガス、ドーピングガス、エッチングガスお
よびキャリアガスからなる混合ガスと水素ガスとを導入
する容器である内管および外管と、この外管の外側に配
置されるとともに前記内管の内部を加熱する加熱部と、
前記混合ガスおよび前記水素ガスを供給するとともに前
記内管の内部に配置される第１および第２のノズル管
と、これら混合ガスおよび水素ガスの流量をそれぞれ独
立して制御するマスフロコントローラとを備える気相シ
リコンエピタキシャル成長装置において、前記第１のノ
ズル管と前記第２のノズル管が互に隣接して対をなし、
これら複数対のノズル管が前記基板ホルダの周囲を囲み
所定の間隔をおいて並べ配置され、前記混合ガスおよび
前記水素ガスの放出する放出孔が前記基板ホルダの下部
側に収納された前記半導体基板に向くように形成されて
いるとともに前記混合ガスおよび前記水素ガスを排気す
る排気孔が前記放出孔に対向する前記内管に設けられて
いることを特徴とする気相シリコンエピタキシャル成長
装置。 - 【請求項２】 前記混合ガスを放出する前記第１のノズ
ル管の放出孔は、このノズル管の中心と前記内管の中心
とを結ぶ線上を等角度の位置に開けられる２つの開口で
あることを特徴とする請求項１記載の気相シリコンエピ
タキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4263392A JP2783041B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4263392A JP2783041B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251359A JPH05251359A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2783041B2 true JP2783041B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=12641421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4263392A Expired - Fee Related JP2783041B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783041B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2004296659A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| KR101016065B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | 배치식 열처리 장치 |
| JP2014099427A (ja) * | 2011-03-08 | 2014-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 |
| KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
| KR101371435B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2014-03-12 | 주식회사 유진테크 | 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
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-
1992
- 1992-02-28 JP JP4263392A patent/JP2783041B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05251359A (ja) | 1993-09-28 |
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