KR101016065B1 - 배치식 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있으며 열처리시 분위기 조성을 위한 가스의 공급과 배출을 위한 가스 공급관과 가스 배기관이 챔버 내부에 대향하여 배치되는 배치식 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 배치식 열처리 장치는 복수개의 기판(10)에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버(20); 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트; 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터; 및 챔버(20)의 내부 일측에 설치되는 가스관 베이스(300)- 가스관 베이스(300)에는 가스 공급관(100) 및 가스 배기관(200)이 연결됨 -; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
배치식 열처리 장치, 챔버, 히터, 가스 공급, 가스 배기, 가스 확산판

Description

배치식 열처리 장치{Batch Type Heat Treatment Apparatus}
본 발명은 배치식 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있으며 열처리시 분위기 조성을 위한 가스의 공급과 배출을 위한 가스 공급관과 가스 배기관이 챔버 내부에 대향하여 배치되는 배치식 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 담당하는 장치이다.
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수개의 기 판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 최근에는 복수개의 기판을 동시에 열처리 할 수 있는 배치식이 각광을 받고 있다.
한편 최근 평판 디스플레이 및 태양전지의 대면적화 및 생산성 제고 측면에서 배치식 열처리 장치는 복수개의 대면적 기판(예를 들어, 유리 또는 석영 기판)을 수용할 수 있을 정도로 대면적화되고 있다.
이와 같이 배치식 열처리 장치가 대면적화됨에 따라 열처리 장치 내에 열처리시 필요한 소스 가스 또는 분위기 가스를 원활하고 균일하게 공급하는 것이 매우 중요하다. 즉, 소스가스 또는 분위기 가스가 배치식 열처리 장치 내에 원활하고 균일하게 공급될 때에만 복수개의 대면적 기판 전체에 걸쳐 열처리되는 막의 특성이 균일하게 유지될 수 있다.
따라서 기판의 전면적에 걸쳐서 균일한 열처리가 가능한 배치식 열처리 장치의 개발이 필요한 실정이다.
이에 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버 내에 열처리시 필요한 가스를 균일하게 공급함으로써 챔버 내에 로딩된 모든 기판에 대하여 균일하게 열처리가 이루어질 수 있도록 하는 배치식 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 열처리 장치는, 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있는 배치형 열처리 장치로서, 상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터; 및 상기 챔버의 내부 일측에 설치되는 가스관 베이스 - 상기 가스관 베이스에는 가스 공급관 및 가스 배기관이 연결됨 -; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있는 배치형 열처리 장치로서, 상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터; 및 상기 챔버의 내부 양측으로 설치되는 가스관 베이스 - 상기 가스관 베이스에는 가스 공급관 또는 가스 배기관이 연결됨 -; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 가스관 베이스에 복수개의 가스 공급관 및 가스 배기관이 연결되는 경 우 상기 가스 공급관과 상기 가스 배기관은 교대로 연결될 수 있다.
상기 가스 공급관과 상기 가스 배기관에는 복수개의 가스 공급홀과 가스 배기홀이 각각 형성될 수 있다.
상기 가스 공급홀과 상기 가스 배기홀은 상기 챔버의 내측을 향하며, 상기 보트에 로딩된 상기 기판에 대응하도록 형성될 수 있다.
상기 가스관 베이스는, 내부에 공간이 형성되는 본체; 상기 본체에 연결되는 가스 포트; 및 상기 본체에 형성되고 상기 가스 공급관 및/또는 상기 가스 배기관이 연결되는 연결홀을 포함할 수 있다.
상기 가스 포트는 상기 가스 공급관에 대응하는 가스 공급 포트 및 상기 가스 배기관에 대응하는 가스 배기 포트 중 어느 하나일 수 있다.
상기 가스관 베이스는 상기 본체의 내부에 설치되는 가스 확산판을 더 포함할 수 있다.
상기 가스 확산판에는 복수개의 확산홀이 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 챔버 내에 열처리시 필요한 가스를 균일하게 공급함으로써 챔버 내에 로딩된 모든 기판에 대하여 균일하게 열처리가 이루어지는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 복수개의 기판에 대하여 전체적으로 균일한 열처리가 가능함으로써 평판 디스플레이 및 태양전지의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명에 의한 배치식 열처리 장치는 내부에 열처리 공간이 제공되는 챔버, 로딩된 기판을 지지하는 보트, 기판을 가열하기 위한 히터 및 열처리 공정 분위기 조절을 위한 분위기 가스의 공급과 배기를 위한 가스 공급관 및 가스 배기관을 포함하여 구성될 수 있다. 이와 같은 배치식 열처리 장치의 일반적인 구성과 이를 이용한 열처리 공정은 이 분야에서는 널리 알려져 있는 공지 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 구성을 나타내는 사시도이다.
먼저, 배치식 열처리 장치(1)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(10)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 LCD나 OLED와 같은 평판 디스플레이나 박막형 실리콘 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다.
배치식 열처리 장치(1)는 기판(10)에 대한 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(20)와 챔버(20)를 지지하는 프레임(미도시)을 포함하여 구성된다.
챔버(20)의 일측에는 제1 개구(22)가 형성된다. 제1 개구(22)로는 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)이 로딩 및 언 로딩될 수 있다. 제1 개구(22)에는 상하 방향으로 개폐되는 도어가 설치될 수 있다.
챔버(20)의 상부에는 제2 개구(24)가 형성될 수 있다. 제2 개구(24)로는 챔버(20)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트, 가스 공급관 및 가스 배기관 등의 수리 및 교체가 이루어 질 수 있다. 제2 개구(24)에는 개폐 가능한 커버가 설치될 수 있다.
챔버(20)의 내부에는 복수개의 기판(10) 각각에 대하여 기판(10)을 직접 가열하기 위한 관 형태의 복수개의 히터(미도시)가 일정한 간격으로 설치될 수 있다. 이때 히터는 챔버(20)의 외벽을 따라 복수개로 형성되어 있는 홀(26)을 통해 삽입 및 고정될 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A선의 단면 사시도이다.
도시한 바와 같이, 챔버(20)의 내부 일측으로는 복수개의 가스 공급관(100)과 복수개의 가스 배기관(200)이 연결되어 있는 가스관 베이스(300)가 설치되어 있다.
가스 공급관(100)은 기판(10)에 대하여 열처리가 진행될 때 열처리 분위기 조성을 위한 가스를 챔버(20) 내부에 공급한다. 가스 배기관(200)은 열처리에 사용된 폐가스를 챔버(20) 외부로 배기한다.
가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 단면 형상은 특별히 제한되지는 않지만 제조의 편의상 원형으로 하는 것이 바람직하다. 챔버(20)의 내부에 확산되어 있는 가스의 배기를 용이하게 하기 위해 가스 배기관(200)의 직경은 가스 공급관(100)의 직경보다 크게 하는 것이 바람직하다. 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 재질은 석영을 포함할 수 있다.
한편 가스관 베이스(300) 상에서 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)은 서로 교대로 배치하는 것이 챔버(20) 내의 가스의 확산 및 챔버(20)로부터의 가스의 배기 과정이 원활하게 이루어지게 하는 측면에서 바람직하다.
가스관 베이스(300)는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)을 지지하면서 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)을 챔버(20)의 외부에 설치된 가스 공급부(미도시)와 가스 배기부(미도시)와 각각 연결해 주는 역할을 한다.
도 3은 챔버(20) 내에 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)이 배치된 상태를 나타내는 도면이다. 도 3에서는 도면 이해의 편의상 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200) 및 가스관 베이스(300) 이외의 구성에 대한 도시는 생략하였다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버(20)의 내부 양측으로는 가스관 베이스(300)가 설치되어 있고, 각각의 가스관 베이스(300)에는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)이 연결되어 있다.
도 3을 참조하면, 가스관 베이스(300)는 챔버(20)의 양측에 2개씩 4개가 설치될 수 있으나 가스관 베이스(300)의 개수는 챔버(20)의 크기, 가스관 베이스(300)의 설치 용이성 등을 종합적으로 고려하여 다양하게 변경될 수 있다. 필요에 따라서는 챔버(20)의 양측에 1개씩 모두 2개의 가스관 베이스(300)가 설치될 수도 있다.
가스관 베이스(300)에는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)이 교대로 연결된다. 이와 같이 교대로 배열되는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 상태는 서로 대향하고 있는 가스관 베이스(300)에 연결되어 있는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 배열 상태에도 적용하는 것이 바람직하다. 즉, 도 3에서와 같이 임의의 가스 공급관(100)은 기판(미도시)을 사이에 두고 가스 배기관(200)과 서로 대향하며, 임의의 가스 배기관(200)은 기판(미도시)을 사이에 두고 가스 공급관(200)과 서로 대향하도록 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 배열을 설정할 수 있다.
또한, 도 3을 참조하면, 챔버(20)의 일측에 설치된 가스관 베이스(300)에는 3개의 가스 공급관(100)과 2개의 가스 배기관(200)이 연결되고, 챔버(20)의 다른 일측에 설치된 가스관 베이스(300)에는 2개의 가스 공급관(100)과 3개의 가스 배기관(200)이 연결될 수 있으나, 가스관 베이스(300)마다 연결되는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 개수는 챔버(20)의 크기, 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 설치 용이성 등을 종합적으로 고려하여 다양하게 변경될 수 있다. 다만, 가스의 확산 및 배기 과정이 원활하게 이루어지도록 챔버(20) 내부에 설치되는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 총 개수는 동일하게 유지하는 것이 바람직하다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 공급관(100)에는 가스가 유출되는 복수개의 가스 공급홀(110)이 형성되어 있고, 가스 배기관(200)에는 가스가 유입되는 복수개의 가스 배기홀(210)이 형성되어 있다. 가스 공급홀(110)과 가스 배기홀(210)은 각각 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 길이 방향을 따라 형성되고, 아울러 챔버(20)의 내측 방향 즉 기판(10)을 향하여 형성되는 것이 바람직하다. 가스 공급홀(110)과 가스 배기홀(210)의 개수는 챔버(20)에 로딩되는 기판의 개수와 동일 하게 유지하는 것이 좋으나 가스의 원활한 공급과 배기를 고려하여 다양하게 변경될 수 있다.
도 4는 가스 공급관(100) 및 가스 배기관(200)과 가스관 베이스(300)의 연결 상태를 나타내는 사시도이다.
가스관 베이스(300)는 본체(310), 연결홀(320) 및 가스 포트(330)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 가스관 베이스(300)는 가스 확산판(340)을 추가로 포함하여 구성될 수도 있다.
본체(310)는 소정의 크기로 형성되고 내부에는 공간이 형성되어 외부에서 공급되는 가스의 확산 공간으로 사용될 수 있다. 도면에 의하면 본체(310)는 직육면체로 형성되고 있으나 반드시 도시한 형태로 한정되지 않는다.
격벽(312)은 본체(310)의 내부를 복수개로 구분할 수 있다. 이때, 격벽(312)은 후술하는 연결홀(320)과 가스 공급 포트(330a) 및 가스 배기 포트(330b)의 사이에 형성되어 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급되는 가스가 이에 대응하는 가스 공급관(100)으로 유입될 수 있도록 하고, 가스 배기관(200)으로 유입된 가스는 이에 대응하는 가스 배기 포트(330b)로 배기될 수 있도록 한다.
도면에 의하면 본체(310)의 내부는 4개의 격벽(312)에 의해 5개로 구분되어 있으나, 격벽(312)의 개수는 가스 공급관(100) 및 가스 배기관(200)의 개수에 따라 증감될 수 있다.
또한, 격벽(312)의 형성에 의해 본체(310) 더 나아가 가스관 베이스(300)의 내구성이 강화되는 효과를 부수적으로 얻을 수 있다.
연결홀(320)은 본체(310)의 상부에 복수개로 형성되고 각각의 연결홀(320)에는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)이 연결된다. 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 연결을 용이하게 하기 위해 각 연결홀(320)의 직경은 서로 다르게 형성될 수 있다. 연결홀(320)에 연결되는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 연결을 확고히 하기 위해 연결홀(320)에는 플랜지(322)가 추가로 연결될 수 있다.
가스 포트(330)는 외부에서 가스를 공급받는 가스 공급 포트(330a)와 폐가스를 외부로 배기하는 가스 배기 포트(330b)로 구성될 수 있다.
가스 공급 포트(330a)는 본체(310)의 하부에 적어도 하나 이상으로 연결될 수 있다. 가스 공급 포트(330a)는 외부에서 공급되는 가스를 가스관 베이스(300) 내부로 유입시킨다.
가스 배기 포트(330b)는 가스관 베이스(300)의 하부에 적어도 하나 이상으로 연결될 수 있다. 가스 배기 포트(330b)는 가스 배기관(200)을 통해 유입된 폐가스를 챔버(20) 외부로 배기한다.
한편 본체(310)의 내부에는 가스 확산판(340)이 추가로 설치될 수 있다. 도 5는 가스관 베이스(300)의 내부에 가스 확산판(340)이 설치된 상태를 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 가스 확산판(340)은 판 형태로 형성되어 본체(310)의 내부에 수평으로 설치된다.
가스 확산판(340)에는 전체에 걸쳐 일정한 간격으로 복수개의 확산홀(342)이 형성되어 있다. 확산홀(342)의 직경은 가스 공급 포트(330a)의 직경에 비해 충분 히 작게 형성하는 것이 바람직하다. 외부에서 공급된 가스는 가스 확산판(340)의 전체 영역에 걸쳐 형성된 확산홀(342)을 통과하며 확산된다.
한편 챔버(20)로부터 가스를 배기하는 과정을 고려할 때 가스 배기 포트(330b)와 가스 배기관(200)의 사이에는 가스 확산판(340)을 설치하지 않는 것이 바람직하다.
가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)의 배열은 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이 변경하여 설정할 수도 있다. 도 6은 가스 공급관(100)의 배치 상태의 다른 예를 나타내는 사시도이다. 도 7은 도 6의 가스관 베이스(300)에 가스 공급관(100)이 연결된 상태를 상세하게 나타내는 단면 사시도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 챔버(20)의 내부 양측으로는 가스관 베이스(300)가 설치되어 있고, 챔버(20)의 내부 일측에 설치되어 있는 가스관 베이스(300)에는 가스 공급관(100)이 연결되어 있고, 챔버(20)의 내부 다른 일측에 설치되어 있는 가스관 베이스(300)에는 가스 배기관(200)이 연결되어 있다. 참고로 도 6 및 도 7에서는 편의상 챔버(20) 내부 일측의 가스 공급관(100)이 연결되어 있는 가스관 베이스(300)만을 도시하였다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치는 이하의 설명에서와 같이 동작할 수 있다.
먼저 챔버(20)에 기판(10)이 로딩된 후에는 히터를 동작시켜 기판(10)에 대한 열처리 공정을 수행하도록 한다.
기판(10)에 대한 열처리를 진행하기 전에 챔버(20) 내부를 열처리 분위기로 조성하기 위하여 가스 공급 포트(330a)를 통해 예를 들어 질소 또는 아르곤과 같은 분위기 가스를 공급한다. 가스 공급 포트(330a)로 공급된 가스는 가스 공급관(100) 및 가스 공급홀(110)을 통해 유출되어 챔버(20) 내부로 균일하게 확산된다.
도 8은 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스가 본체(310) 내부에서 확산되는 상태를 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 외부에서 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스는 본체(310)의 내부에 균일하게 확산되면서 가스 공급관(100)을 통해 기판(10)으로 균일하게 공급된다.
도 9는 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스가 본체(310) 내부에 설치된 가스 확산판(340)을 통해 확산되는 상태를 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 외부에서 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스는 본체(310)의 내부 공간[가스 확산판(340)의 하측 공간]에 균일하게 확산되면서 가스 확산판(340)의 확산홀(342)을 통과하여 본체(310)의 내부 공간[가스 확산판(340)의 상측 공간]으로 이동하며, 다시 가스 확산판(340)의 상측 공간 내에서 균일하게 확산되면서 가스 공급관(100)을 통해 기판(10)으로 균일하게 공급된다.
끝으로 열처리 분위기의 조성에 사용된 폐가스는 가스 공급관(100)과 교대로 배열되거나 대향하여 배열되어 있는 가스 배기관(200) 및 가스 배기홀(210)로 유입되어 가스 배기 포트(330b)를 통해 챔버(20) 외부로 배기된다.
상기와 같이, 본 발명에서는 열처리용 가스가 가스관 베이스(300)의 본 체(310) 내부의 공간에서 충분히 확산한 후[경우에 따라서는 본체(310) 내부에 가스 확산판(340)의 설치에 따라 도출되는 이중 공간 내에서 더욱 충분히 확산한 후] 가스 공급관(100)을 통하여 챔버(20) 내부에 공급되게 함으로써 열처리용 가스가 챔버(20) 내에 균일하게 공급되게 함으로써 챔버(20) 내에 로딩된 모든 기판(10)에 대하여 열처리가 균일하게 이루어질 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에서는 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)을 교대 및/또는 대향되게 배열한 상태에서 열처리용 가스를 공급 및 배기하여 열처리 과정 중에 열처리용 가스 압력이 챔버(20) 전체에 걸쳐 균일하게 유지되게 함으로써 챔버(20) 내에 로딩된 모든 기판(10)에 대하여 열처리가 균일하게 이루어질 수 있는 이점이 있다.
상술한 바와 같은 가스 공급 방식을 채용하는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치는 대면적 기판의 열처리시 기판의 전면적에 대하여 균일한 열처리를 진행하고자 할 때 특히 유리한 점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 도 1의 A-A선의 선 단면도.
도 3은 챔버(20) 내에 가스 공급관(100)과 가스 배기관(200)이 배치된 상태를 나타내는 도면.
도 4는 가스 공급관(100) 및 가스 배기관(200)과 가스관 베이스(300)의 연결 상태를 나타내는 사시도.
도 5는 가스관 베이스(300)의 내부에 가스 확산판(340)이 설치된 상태를 나타내는 도면.
도 6은 가스 공급관(100)의 배치 상태의 다른 예를 나타내는 사시도.
도 7은 도 6의 가스관 베이스(300)에 가스 공급관(100)이 연결된 상태를 상세하게 나타내는 단면 사시도.
도 8은 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스가 본체(310) 내부에서 확산되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 가스 공급 포트(330a)를 통해 공급된 가스가 본체(310) 내부에 설치된 가스 확산판(340)을 통해 확산되는 상태를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 열처리 장치
10: 기판
20: 챔버
22: 제1 개구
24: 제2 개구
100: 가스 공급관
110: 가스 공급홀
200: 가스 배기관
210: 가스 배기홀
300: 가스관 베이스
310: 본체
312: 격벽
320: 연결홀
322: 플랜지
330: 가스 포트
330a: 가스 공급 포트
330b: 가스 배기 포트
340: 가스 확산판
342: 확산홀

Claims (9)

  1. 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있는 배치형 열처리 장치로서,
    상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버;
    상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트;
    상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터; 및
    상기 챔버의 내부 일측에 설치되는 가스관 베이스 - 상기 가스관 베이스에는 가스 공급관 및 가스 배기관이 연결됨 -;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  2. 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있는 배치형 열처리 장치로서,
    상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버;
    상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트;
    상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터; 및
    상기 챔버의 내부 양측으로 설치되는 가스관 베이스 - 상기 가스관 베이스에는 가스 공급관 또는 가스 배기관이 연결됨 -;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스관 베이스에 복수개의 가스 공급관 및 가스 배기관이 연결되는 경우 상기 가스 공급관과 상기 가스 배기관은 교대로 연결되는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 공급관과 상기 가스 배기관에는 복수개의 가스 공급홀과 가스 배기홀이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스 공급홀과 상기 가스 배기홀은 상기 챔버의 내측을 향하며, 상기 보트에 로딩된 상기 기판에 대응하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스관 베이스는,
    내부에 공간이 형성되는 본체;
    상기 본체에 연결되는 가스 포트; 및
    상기 본체에 형성되고 상기 가스 공급관 및/또는 상기 가스 배기관이 연결되는 연결홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 포트는 상기 가스 공급관에 대응하는 가스 공급 포트 및 상기 가스 배기관에 대응하는 가스 배기 포트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 가스관 베이스는 상기 본체의 내부에 설치되는 가스 확산판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가스 확산판에는 복수개의 확산홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 열처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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