CN102301461A - 批处理式基板处理装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种能够同时处理多个基板的批处理式基板处理装置，在腔室内部相对置地配置用于供给或排出基板处理时气氛气体形成用的气体供给管和气体排出管，并且能够向被装载到腔室中的基板均匀地供给基板处理气体。本发明涉及的能够同时对多个基板进行基板处理的批处理式基板处理装置(1)，其特征在于，包括：腔室(20)，对多个基板(10)提供基板处理空间；晶舟(30)，用于装载并支承多个基板(10)；多个加热器(70)，沿着基板(10)的层叠方向以规定间距配置；以及气体管基座(300)，配置在腔室(20)的内部的一侧，在气体管基座(300)上连接有气体供给管(100)及气体排出管(200)。

Description

批处理式基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种批处理式基板处理装置。更具体地说，涉及一种能够同时处理多个基板的批处理式基板处理装置，在腔室内部相对置地配置用于供给或排出基板处理时的气氛形成用气体的气体供给管和气体排出管，并且能够向被装载到腔室中的基板均匀地供给基板处理气体。

背景技术

最近，不仅对平板显示器的需求急增，而且越来越明显地倾向于大屏幕显示器，因此，用于制造平板显示器的大面积基板处理装置备受关注。

制造平板显示器时使用的大面积基板处理装置可分为蒸镀装置和热处理(或退火)装置。蒸镀装置是用于形成构成平板显示器的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置。热处理装置是为了使构成所述平板显示器的层发生结晶化、相变化而进行热处理的装置。

作为代表性的热处理装置有硅结晶化装置，该硅结晶化装置是在制造液晶显示器用薄膜晶体管时，将蒸镀在玻璃基板上的非晶体硅结晶化为多晶硅。最近，这样的硅结晶化装置多被利用于制造薄膜型太阳能电池时形成相当于光吸收层的多晶硅层的场合。

发明内容

技术课题

通常，基板处理装置分为可以对一个基板进行热处理的单处理式以及可同时对多个基板进行基板处理的批处理式。最近，能够同时对多个基板进行热处理的批处理式备受重视。

另外，最近出于平板显示器及太阳能电池的大面积化以及生产率的提高等目的，批处理式基板处理装置越来越大面积化，以能够收容多个大面积基板(例如，玻璃或石英基板)。

这样的，随着批处理式基板处理装置的大面积化，在基板处理装置内顺利均匀地供给进行基板处理所需的源气体或气氛气体非常重要。即，只有将源气体或气氛气体顺利均匀地供给批处理式基板处理装置内时，才能够在多个大面积基板的整个面上进行基板处理时保持膜特性的均匀性。

因此，目前需要开发能够在大面积基板的整个面上进行均匀的基板处理的批处理式基板处理装置。

课题解决方法

鉴于此，本发明的目的是为了解决如上所述的现有技术中的问题而提出，其目的在于提供一种批处理式基板处理装置，向腔室内均匀地供给进行基板处理时所需的气体，从而能够对装载到腔室内的所有基板进行均匀的基板处理。

发明效果

根据本发明，向腔室内均匀地供给进行基板处理时所需的气体，从而可以对装载到腔室内的所有基板进行均匀的基板处理。

此外，根据本发明，能够对多个基板进行整体上均匀的基板处理，从而提高平板显示器及太阳能电池的生产率。

附图说明

图1是表示批处理式基板处理装置的结构的立体图。

图2是表示批处理式热处理装置的基板、主加热单元及辅助加热单元的配置状态的立体图。

图3是表示批处理式热处理装置的晶舟的结构的立体图。

图4是沿图1的A-A线的剖视图。

图5是表示在腔室内配置气体供给管和气体排出管的状态的示意图。

图6是表示气体供给管及气体排出管与气体管基座连接的状态的立体图。

图7是表示在气体管基座的内部设有气体扩散板的状态的示意图。

图8是表示在腔室内配置气体供给管的状态的立体图。

图9是表示图8的气体供给管与气体管基座连接的状态的立体图。

图10是表示通过气体供给口供给的气体在本体内部扩散的状态的示意图。

图11是表示通过气体供给口供给的气体经由设置在本体内部的气体扩散板而扩散的状态的示意图。

图12是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的结构的主视图。

图13是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的结构的立体图。

图14是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的使用状态的示意图。

图15是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的使用状态的示意图。

图16是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的使用状态的示意图。

图17是表示批处理式基板处理装置的气体供给管的使用状态的示意图。

附图标记：

1：批处理式基板处理装置

10：基板

12：基板支架

20：腔室

22：第一开口

24：第二开口

30：晶舟

70：加热器(单位主加热器)

100：气体供给管

110：气体供给孔

200：气体排出管

210：气体排出孔

300：气体管基座

310：本体

312：分隔壁

320：连接孔

322：法兰

330：气体口

330a：气体供给口

330b：气体排出口

340：气体扩散板

342：扩散孔

400、400a：气体供给管

410：供给管

420a、420b、420c：第一、第二及第三喷射管

430a、430b、430c：第一、第二及第三喷射孔

440a、440b：第一及第二连接管

450：支承柱

460：盖子

具体实施方式

为了实现所述目的，本发明涉及的基板处理装置是一种批处理式基板处理装置，其能够同时对多个基板进行处理，其特征在于，包括：腔室，对所述多个基板提供基板处理空间；晶舟，用于装载并支承所述多个基板；多个加热器，沿着所述基板的层叠方向以规定间距配置；以及气体管基座，配置在所述腔室的内部的一侧，在所述气体管基座上连接有气体供给管及气体排出管。

一种批处理式基板处理装置，能够同时对多个基板进行处理，其特征在于，包括：腔室，对所述多个基板提供基板处理空间；晶舟，用于装载并支承所述多个基板；多个加热器，沿着所述基板的层叠方向以规定间距配置；以及气体管基座，配置在所述腔室的内部的两侧，在所述气体管基座上连接有气体供给管或气体排出管。

当在所述气体管基座上连接多个气体供给管及气体排出管时，所述气体供给管和所述气体排出管可以交替连接。

在所述气体供给管和所述气体排出管上可形成有多个气体供给孔和多个气体排出孔。

所述气体供给孔和所述气体排出孔可形成为，朝向所述腔室的内侧，并且与装载到所述晶舟上的所述基板相对应。

所述气体管基板可包括：本体，在内部形成有空间；气体口，与所述本体连接；以及连接孔，形成在所述本体上，并且与所述气体供给管或所述气体排出管中的至少一个连接。

所述气体口可以是与所述气体供给管相对应的气体供给口及与所述气体排气管相对应的气体排出口中的任一个。

所述气体管基座还可以包括设置在所述本体的内部的气体扩散板。

在所述气体扩散板上可形成有多个扩散孔。

所述气体供给管可以包括在表面上形成有多个喷射孔的多个气体喷射管，所述多个气体喷射管与所述基板平行地配置。

所述气体喷射管可以由第一气体喷射管、第二气体喷射管以及第三气体喷射管构成。

向所述气体供给管供给的基板处理气体可以最先从所述多个气体喷射管中的最上侧的气体喷射管喷射。

在所述多个气体喷射管中，所述任一气体喷射管的所述喷射孔的直径，可以沿基板处理气体在所述气体供给管内的行进方向逐渐增大。

在所述多个气体喷射管中，所述任一气体喷射管的所述喷射孔的直径相同，但所述任一气体喷射管的所述喷射孔的直径，可以比配置在所述任一气体喷射管的上侧的所述气体喷射管的所述喷射孔的直径更大。

下面，参照附图详细说明本发明的结构。

本发明涉及的批处理式基板处理装置可包括：腔室，在内部提供基板处理空间；晶舟，用于装载并支承基板；加热器，用于加热基板；以及气体供给管和气体排出管，供给及排出用于调节基板处理工艺气氛的气氛气体。由于这种批处理式基板处理装置的典型结构和利用它的基板处理工艺在该技术领域是众所周知的公知技术，故省略详细说明。

图1是表示批处理式基板处理装置1的结构的立体图。

首先，被装载到批处理式基板处理装置1中的基板10的材料并不特别受限制，可以装载玻璃、塑料、聚合物、硅晶片、不锈钢等多种材料的基板10。下面，利用在如LCD或OLED这样的平板显示器或薄膜硅太阳能电池的领域最常用的矩形形状的玻璃基板为例进行说明。

批处理式基板处理装置1包括：腔室20，呈长方体形状，对基板10提供基板处理空间；框架(未图示)，用于支承腔室20。腔室20的材料优选不锈钢，但并不限定于此。

在腔室20的一侧形成有第一开口22。在第一开口22处可利用如传输臂这样的基板装载装置(未图示)装载及卸载基板10。在第一开口22处可设有例如可上下方向开闭的门(未图示)。

在腔室20的上部可形成有第二开口24。通过第二开口24可对设在腔室20内部的例如晶舟、气体供给管及气体排出管等进行维修及更换。在第二开口24处可设有可开闭的盖子(未图示)。

在腔室20内部可按规定间隔设有管状的多个加热器70，该加热器70用于对多个基板10分别进行直接加热。此时，加热器70可通过沿着腔室20的外壁形成的多个孔26插入及固定。加热器70的结构后述。

图2是表示批处理式热处理装置1的基板10、主加热单元40以及辅助加热单元50的配置状态的立体图。

参照图2，主加热单元40包括与基板10的短边方向平行且以规定间隔配置的多个单位主加热器70。单位主加热器70通常为长度较长的棒状的加热器，是在石英管内部插入有发热体并且通过设置在两端的端子接收外部电源而发热的构成主加热单元40的单位体。在本实施例中，主加热单元40由14个单位主加热器70构成，但构成主加热单元40的单位主加热器70的数量是可以根据装载到腔室20中的基板10的尺寸来进行多种变更。

主加热单元40沿着基板10的层叠方向以规定间距配置多个。基板10配置在多个主加热单元40之间。在本实施例中，具有3个基板10配置在4个主加热单元40之间的结构，但主加热单元40的数量是可以根据装载到腔室20中的基板10的数量来进行多种变更。

基板10优选配置在主加热单元40之间的中央。并且，优选将基板10和主加热单元40之间隔开至当基板输送装置的传输臂将基板10装载到腔室20中时其动作不受妨碍的程度。

如上所述，在批处理式热处理装置10的基板10的上部以及下部上设置有能够覆盖基板10的整个面积的、由14个单位主加热器70构成的主加热单元40，因此，基板10的整个面积通过28个单位主加热器70均匀地受热，从而能够实现均匀的基板处理。

辅助加热单元50包括沿着基板10的短边方向平行配置的第一辅助加热单元50a和沿着基板10的长边方向配置的第二辅助加热单元50b。

第一辅助加热单元50a包括在主加热单元40的两侧与单位主加热器70平行配置的多个第一单位辅助加热器52a。在本实施例中，第一辅助加热单元50a由在4个主加热单元40的两侧配置的、共计8个第一单位辅助加热器52a构成。但构成第一辅助加热单元50a的第一单位辅助加热器52a的数量可以根据设在腔室20中的主加热单元40的数量来进行多种变更。

第二辅助加热单元50b包括在主加热单元40的两侧与单位主加热器70垂直配置的多个第二单位辅助加热器52b。在本实施例中，第二辅助加热单元50b由在4个主加热单元40两侧的上部和下部配置的共计10个第二单位辅助加热器52b构成。但构成第二辅助加热单元50b的第二单位辅助加热器52b的数量是可以根据设在腔室20中的主加热单元40的数量来进行多种变更。主加热单元40优选配置在第二辅助加热单元50b之间的中央。

第一单位辅助加热器52a和第二单位辅助加热器52b优选使用与如上所述的单位主加热器70相同的、长度较长的普通棒状加热器。

如上所述，在批处理式热处理装置1的主加热单元40的4个外周部上设有由8个第一单位辅助加热器52a构成的第一辅助加热单元50a、和由10个第二单位辅助加热器52b构成的第二辅助加热单元50b。因此，主加热单元40的4个外周部能够从18个单位辅助加热器52a、52b受热，从而防止主加热单元40的4个外周部与外部环境接触时不可避免地发生的腔室20内部的热损失。

图3是表示批处理式热处理装置1的晶舟30的结构的立体图。

参照图3，在腔室20的内部设有多个晶舟30，其用于支承装载到腔室中的基板10。晶舟30优选设成支承基板10的长边侧。在本实施例中，晶舟30分别在基板10的两长边侧各设置3个、共计6个。但是，为了稳定支承基板10可以设置其以上数量，也可以根据基板10的尺寸来进行多种变更。晶舟30的材料优选石英。

另外，参照图3，优选基板10以安放在支架12上的状态被装载到晶舟30上。在基板处理过程中，当基板处理温度达到玻璃基板的软化(softening)温度时，由于基板自身的重量导致基板弯曲现象，这种弯曲现象特别是随着基板的大面积化而更严重。为了解决这些问题，将基板10安装在支架12上的状态下进行基板处理。

图4是表示沿图1的A-A线的截面立体图。

如图所示，在腔室20内部的一侧设有气体管基座300，在该气体管基座300上连接有多个气体供给管100和多个气体排出管200。在本图中，为了方便理解附图，除了气体供给管100和气体排出管200及气体管基座300之外，其它结构省略示出。这点在后述的附图中也相同。

气体供给管100向腔室20内部供给对基板10进行基板处理时用于形成基板处理气氛的气体。气体排出管200向腔室20外部排出基板处理时被使用的废气。

气体供给管100和气体排出管200的截面形状虽然不特别限定，但为了方便制造优选圆形。为了将扩散在腔室20内部的气体容易排出，优选气体排出管200的直径大于气体供给管100的直径。气体供给管100和气体排出管200的材料可包含石英。

另外，为了顺利实现腔室20内的气体扩散及从腔室20的气体排出过程，优选在气体管基座300上相互交替地配置气体供给管100和气体排出管200。

气体管基座300支承气体供给管100和气体排出管200的同时，将气体供给管100和气体排出管200分别与在腔室20的外部设置的气体供给部(未图示)和气体排出部(未图示)连接。

图5是表示在腔室20内配置气体供给管100和气体排出管200的状态的示意图。

如图所示，根据本发明的第一实施例，在腔室20内部的两侧设有气体管基座300，在各个气体管基座300上连接有气体供给管100和气体排出管200。

参照图5，气体管基座300在腔室20的两侧可分别设有2个、共计4个。但是，气体管基座300的数量可以综合考虑腔室20的尺寸、气体管基座300设置的便利性等进行多种变更。根据需要，也可以在腔室20的两侧分别设置1个、共计2个气体管基座300。

在气体管基座300上交替连接有气体供给管100和气体排出管200。这样交替排列的气体供给管100和气体排出管200的状态，优选也适用于连接在相互对置的气体管基座300上的气体供给管100和气体排出管200的排列状态。即，如图5所示，可将气体供给管100和气体排出管200的排列设定为，任一气体供给管100隔着基板(未图示)与气体排出管200相对置，而任一气体排出管200隔着基板(未图示)与气体供给管100相对置。

而且，参照图5，设在腔室20的一侧的气体管基座300上可连接有3个气体供给管100和2个气体排出管200，而设在腔室20的另一侧的气体管基座300上可连接有2个气体供给管100和3个气体排出管200。但是，分别与气体管基座300连接的气体供给管100和气体排出管200的数量可以综合考虑腔室20的尺寸、气体供给管100和气体排出管200的设置的便利性等而进行多种变更。只是，为了顺利实现气体扩散及排气过程，优选在腔室20内部设置的气体供给管100和气体排出管200的总数保持相同。

参照图4及图5，在气体供给管100上形成有用于气体流出的多个气体供给孔110，在气体排出管200上形成有用于气体流入的多个气体排出孔210。优选气体供给孔110和气体排出孔210分别沿着气体供给管100和气体排出管200的长度方向形成，且朝向腔室20的内侧方向、即朝向基板10形成。气体供给孔110和气体排出孔210的数量优选与装载到腔室20中的基板的数量保持相同，但考虑顺利供给和排出气体，可进行多种变更。

图6是表示气体供给管100及气体排出管200与气体管基座300连接的状态的立体图。

参照图6，气体管基座300可包括本体310、连接孔320及气体口330构成。

本体310以规定尺寸形成，并在其内部形成有空间，而可作为从外部供给的气体的扩散空间使用。根据附图，本体310由长方体形成，但并不限定于图示的形状。

分隔壁312可将本体310的内部分割成多个部分。此时，分隔壁312形成在后述的连接孔320和气体供给口330a及气体排出口330b之间，使通过气体供给口330a供给的气体能够流入到与其对应的气体供给管100，并使流入到气体排出管200的气体能够从与其对应的气体排出口330b排出。根据附图，本体310的内部由4个分隔壁312划分成5块，但分隔壁312的数量可根据气体供给管100及气体排出管200的数量进行增减。通过形成这样的分隔壁312，可间接获得提高本体310尤其是气体管基座300的耐久性的效果。

在本体310的上部形成有多个连接孔320，在各自的连接孔320上连接有气体供给管100或气体排出管200中的至少一个。为了方便连接气体供给管100或气体排出管200，各连接孔320可形成为相互不同的直径。为了使连接在连接孔320上的气体供给管100或气体排出管200的连接牢固，在连接孔320处可追加连接法兰322。

气体口330可以由从外部接受气体的气体供给口330a和向外部排出废气的排气体口330b构成。

可以在本体310的下部至少连接一个以上的气体供给口330a。气体供给口330a使从外部供给的气体流入到气体管基座300的内部。

可以在气体管基座300的下部至少连接一个以上的气体排出口330b。气体排出口330b向腔室20的外部排出通过气体排出管200流入的废气。

另外，在本体310的内部可增设气体扩散板340。图7是表示在气体管基座300的内部设有气体扩散板340的状态的示意图。

参照图7，气体扩散板340形成为板状，并水平设置在本体310的内部。在气体扩散板340的整个区域上以规定间距形成有多个扩散孔342。扩散孔342的直径优选形成为比气体供给口330a的直径足够小。从外部供给的气体通过在扩散板340的整个区域上形成的扩散孔342扩散。

另外，如果考虑从腔室20排出气体的过程，则优选不在气体排出口330b和气体排出管200之间设置气体扩散板340。

另外，气体供给管100和气体排出管200的排列可以如图8及图9所示的进行变更。图8是表示在腔室20内配置气体供给管100的状态的立体图。图9表示图8的气体供给管100连接在气体管基座300的状态的截面立体图。

如图8及图9所示，根据本发明的另一实施例，在腔室20内部的两侧设有气体管基座300，而设在腔室20内部的一侧的气体管基座300上连接有气体供给管100，设在腔室20内部的另一侧的气体管基座300上连接有气体排出管200。作为参考，在图8及图9中，为了方便仅示出了在腔室20内部的一侧连接有气体供给管100的气体管基座300。

具有上述结构的本发明的第一实施例涉及的批处理式基板处理装置1可以进行如下的动作。

首先，在腔室20内设有的晶舟30上装载基板10之后，操作加热器70以执行对基板10的基板处理工艺。

此时，操作加热器70之前，为了使腔室20内部处于基板处理气氛，通过气体供给口330a供给例如氮气或氩气这样的气氛气体。被供给气体供给口330a的气体通过气体供给管100及气体供给孔110供给到腔室20内部。

图10是表示通过气体供给口330a供给的气体在本体310内部扩散的状态的示意图。

如图所示，在外部通过气体供给口330a供给的气体在本体310的内部均匀扩散的同时通过气体供给管100供给到腔室20内部。

图11是表示由气体供给口330a供给的气体通过在本体310内部设有的气体扩散板340进行扩散的状态的示意图。

如图所示，在外部通过气体供给口330a供给的气体在本体310的内部空间(气体扩散板340的下侧空间)均匀扩散的同时经由气体扩散板340的扩散孔342向本体310的内部空间(气体扩散板340的上侧空间)移动，并且再次在气体扩散板340的上侧空间内均匀扩散的同时通过气体供给管100供给到腔室20内部。

最后，用于形成基板处理气氛的废气，通过与气体供给管100交替排列或对置排列的气体排出管200向腔室20外部排出，以及通过气体排出孔210流入的废气经由气体排出口330b向腔室20的外部排出。

如上所述，在本发明中，基板处理用气体在气体管基座300的本体310内部充分扩散之后(根据情况，通过在本体310内部设置气体扩散板340而形成的双重空间内更充分扩散之后)，通过气体供给管100向腔室20内部供给，以使基板处理用气体在腔室20内均匀供给，从而具有能够实现对装载到腔室20内的所有基板10进行均匀的基板处理的优点。

此外，在本发明中，将气体供给管100和气体排出管200交替及/或对置地配置的状态下，供给及排出基板处理用气体，以使在基板处理过程中基板处理用气体的压力在整个腔室20内保持均匀，从而具有能够对装载到腔室20内的所有基板10进行均匀的基板处理的优点。

图12是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管400的结构的主视图。图13是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管400的结构的立体图。

参照图12及图13，气体供给管400可以包括：单位供给管410；第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c；第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c以及第一及第二连接管440a、440b。

通过单元供给管410从外部供给基板处理气体。单位供给管410形成为规定长度，并垂直地设在腔室内部，并且单位供给管410的一端与外部的气体供给装置(未图示)连接。单位供给管410形成为一端被开放，以便接受供给的基板处理气体，而单位供给管410的另一端与后述的第一喷射管420a正交地连接。

第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c通过单位供给管410接受基板处理气体之后，向被装载的多个基板10供给气体。第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c从腔室内部的上侧向下侧依次配置。第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c与基板10的长边平行配置。在本实施例中，气体供给管400包括3个喷射管420a、420b、420c而构成，但喷射管的数量可以进行多种变更。

第一喷射管420a与单位供给管410的端部连接，第二及第三喷射管420b、420c通过第一及第二连接管440a、440b与第一喷射管420a串联。具体地说，第一喷射管420a的一端与单位供给管410的一端连接，第一喷射管420a的另一端通过第一连接管440a与第二喷射管420b的一端连接；第二喷射管420b的另一端通过第二连接管440b与第三喷射管420c的一端连接。此时，第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c与第一及第二连接管440a、440b相互正交地连接，如图所示，整体可具有“5”字形状。

另外，如果考虑在气体供给管400中的气体的流向，则优选第一及第二喷射管420a、420b的两端开放。另外，优选第三喷射管420c与第二连接管440b连接的一端开放，而与其相反侧的另一端封闭。此时，如图12所示，可以使用盖子460来封闭第三喷射管420c。当封闭第一连接管440a的一端时也可以使用盖子460。

在第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c的表面上可形成有多个朝向基板10的第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c。此时，第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c可以沿各喷射管420a、420b、420c的长度方向在一条直线上形成。

另外，第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c的直径可以形成为沿着气体的行进方向逐渐增大。具体地说，形成在第一喷射管420a与第一连接管440a的连接部位的第一喷射孔430a的直径可以比形成在单位供给管410与第一喷射管420a的连接部位的第一喷射孔430a的直径更大。第二及第三喷射孔430b、430c的直径也可以与此相同、沿着气体的行进方向逐渐增大。

另外，第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c的直径可以沿着气体的行进方向阶段性地增大。具体地说，在各喷射管420a、420b、420c内喷射孔430a、430b、430c的直径相同，但是，第二喷射管420b的第二喷射孔430b的直径可以形成为比第一喷射管420a的第一喷射孔430a更大，第三喷射管420c的第三喷射孔430c的直径可以形成为比第二喷射管420b的第二喷射孔430b更大。

将在气体供给管400内的喷射孔430a、430b、430c的直径沿着气体流动方向逐渐或者阶段性地增大，是为了防止自单位供给管410越远，通过单位供给管410供给的气体压力越低，通过喷射孔喷射的气体量越减少的问题。

另外，优选气体供给管400通过设置支承柱450来支承。支承柱450可以与单位供给管410平行且与第一连接管440a连接设置。具体地说，支承柱450的上端与第一喷射管420a和第二喷射管420b连接的第一连接管440a连接，而支承柱450的下端与气体管基座300连接。此外，为了确保气体供给管400的结构稳定性，可以使第三喷射管420c的一端与支承柱450的一侧连接。

下面，参照图14至图17说明具有如上所述结构的气体供给管400的使用例。

第一使用例

图14是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管400的使用状态的示意图。

参照图14，在腔室20的内部可以沿基板10的长边侧设置3个气体供给管400。这是将气体供给管400的整体尺寸做成较小之后为了能够对应基板10尺寸而配置多个气体供给管400的情况。在本使用例中，气体供给管400的数量示出了3个，但根据基板10及气体供给管400的尺寸可进行多种变更。

从腔室20的外部供给到气体供给管400的气体流入单位供给管410，被流入的气体流入与单位供给管410连接的第一喷射管420a，而被流入的气体通过第一喷射管420a的第一喷射孔430a供给至基板10。在第一喷射管420a未喷射的气体通过第一连接管440a流入到第二喷射管420b，并通过在第二喷射管420b上形成的第二喷射孔430b供给至基板10。在第二喷射管420b未喷射的气体通过第二连接管440b流入到第三喷射管420c，并通过在第三喷射管420c上形成的第三喷射孔430c供给至基板10。

此时，如上所述，第一、第二及第三喷射孔430a、430b、430c的直径可以在气体供给管400内沿着气体的行进方向逐渐或阶段性地增大。这样，可向腔室20内均匀地供给基板处理气体，从而对装载到腔室20内的所有基板10进行均匀的基板处理。

第二使用例

图15是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管的使用状态的示意图。

参照图15，在腔室20的内部可以沿着基板10的长边侧设置一个气体供给管400a。这是将气体供给管400的整体尺寸做成能够对应基板10尺寸的制作之后仅配置1个气体供给管400的情况。即，在本使用例中，气体供给管400a的第一、第二及第三喷射管420a、420b、420c的长度可以与基板10的长边长度实质上相同。气体供给管400a的其它结构与第一使用例的气体供给管400相同，故省略详细说明。

第三使用例

图16是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管400的使用状态的示意图。根据本使用例，可以将第一使用例中的气体供给管400连接到如上所述的气体管基座300上。气体管基座300的结构及气体供给管400和气体管基座300的连接方式与如上所述相同，故省略详细说明。

第四使用例

图17是表示批处理式基板处理装置1的气体供给管400的使用状态的示意图。根据本使用例，可以将第二使用例的气体供给管400a连接到如上所述的气体管基座300上。气体管基座300的结构及气体供给管400和气体管基座300的连接方式与如上所述相同，故省略详细说明。

本发明如上所述的例举优选实施例进行了说明，但所述实施例并不限定于此，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不超出本发明的思想的范围内，可以进行多种变更和变形。应理解为这些变更和变形都属于本发明的权利保护范围内。

Claims (14)

1.一种批处理式基板处理装置，能够同时对多个基板进行处理，其特征在于，包括：

腔室，对所述多个基板提供基板处理空间；

晶舟，用于装载并支承所述多个基板；

多个加热器，沿着所述基板的层叠方向以规定间距配置；以及

气体管基座，配置在所述腔室的内部的一侧，在所述气体管基座上连接有气体供给管及气体排出管。

2.一种批处理式基板处理装置，能够同时对多个基板进行基板处理，其特征在于，包括：

腔室，对所述多个基板提供基板处理空间；

晶舟，用于装载并支承所述多个基板；

多个加热器，沿着所述基板的层叠方向以规定间距配置；以及

气体管基座，配置在所述腔室的内部的两侧，在所述气体管基座上连接有气体供给管或气体排出管。

3.如权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

当在所述气体管基座上连接多个气体供给管及气体排出管时，所述气体供给管和所述气体排出管交替连接。

4.如权利要求1或2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

在所述气体供给管和所述气体排出管上分别形成有多个气体供给孔和多个气体排出孔。

5.如权利要求4所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

所述气体供给孔和所述气体排出孔被形成为，朝向所述腔室的内侧，并且与被装载到所述晶舟上的所述基板相对应。

6.如权利要求1或2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述气体管基板包括：

本体，在内部形成有空间；

气体口，与所述本体连接；以及

连接孔，形成在所述本体上，并且与所述气体供给管或所述气体排出管中的至少一个连接。

7.如权利要求6所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

所述气体口是与所述气体供给管相对应的气体供给口及与所述气体排气管相对应的气体排出口中的任一个。

8.如权利要求6所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

所述气体管基座还包括设置在所述本体的内部的气体扩散板。

9.如权利要求8所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

在所述气体扩散板上形成有多个扩散孔。

10.如权利要求1或2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

所述气体供给管包括在表面形成有多个喷射孔的多个气体喷射管，

所述多个气体喷射管与所述基板平行地配置。

11.如权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

所述气体喷射管由第一气体喷射管、第二气体喷射管以及第三气体喷射管构成。

12.如权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

提供给所述气体供给管的基板处理气体，最先从所述多个气体喷射管中的最上侧的气体喷射管喷射。

13.如权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

在所述多个气体喷射管中，任一所述气体喷射管的所述喷射孔的直径，沿基板处理气体在所述气体供给管内的行进方向逐渐增大。

14.如权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，

在所述多个气体喷射管中，任一所述气体喷射管的所述喷射孔的直径相同，而任一所述气体喷射管的所述喷射孔的直径，大于配置在任一所述气体喷射管的上侧的所述气体喷射管的所述喷射孔的直径。

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