CN104008954B - 基板热处理设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种基板热处理设备和方法。根据本发明的实施例，提供了一种基板热处理设备，该基板热处理包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。

Description

基板热处理设备和方法

技术领域

下面的描述涉及一种基板热处理设备和方法。

背景技术

为了制造显示装置、半导体或太阳能电池，通常将基板热处理设备用于对基板进行热处理。基板热处理设备被分为热处理一个基板的单基板型设备和热处理多个基板的批量型设备。单基板型基板热处理设备构造简单，但是产率很低。因此，批量型基板热处理设备被主要用于批量生产。

批量型基板热处理设备通常包括内壁（或内壳）和外壁（或外壳）。内壁可以形成容纳多个基板的空间，外壁可以围绕内壁。这里，在内壁和外壁之间形成空间。在基板的热处理期间产生或引入的气体可以在内壁和外壁之间的空间中凝结，因此污染了基板热处理设备。

为了防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结，可以在外壁处安装加热器。这样的方法可以用于防止气体凝结，但是可能不能被应用于大体积的热处理设备，并可能降低基板的温度均匀性。

发明内容

本发明的实施例的多个方面涉及一种基板热处理设备，该基板热处理设备可以通过调节内壁和外壁之间的空间中的压力和基板容纳空间中的压力来防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结。

本发明的实施例的多个方面还涉及一种基板热处理方法，该基板热处理方法可以通过调节内壁和外壁之间的空间中的压力和基板容纳空间中的压力来防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结。

然而，本发明的实施例的多个方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的本发明的详细描述，本发明的实施例的上述和其他的方面对于本发明所属领域的普通技术人员将变得更清楚。

根据本发明的实施例，提供了一种基板热处理设备，所述基板热处理设备包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。

内壳可以包括热绝缘体。

第一气体可以包括空气、氮气、氦气、氢气和氧气中的至少一种。

所述设备还可以包括：至少一个气管，被构造为形成第一气体流动所经过的通道，其中，所述至少一个气孔可以包括通过气管结合在一起的多个气孔。

所述至少一个加热器可以包括多个加热器，可以穿过内壳和外壳，并可以支撑基板。

内壳和外壳之间的空间中的压力可以高于基板容纳空间中的压力。

所述设备还可以包括：第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为高于第二压力。

所述设备还可以包括：至少一个第一气源，被构造为供应第一气体，其中，压力控制器可以被构造为通过调节每单位时间内从所述至少一个第一气源供应的第一气体的量来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。

所述设备还可以包括被构造为供应第一气体的第一气源，其中，第一气源包括被构造为储存第一气体的第一气室，第一气室包括：多个子室，每个子室被构造为储存多种类型的第一气体中相关的一种第一气体；多个子室阀，每个子室阀安装在所述多个子室中相关的一个子室中。

所述设备还可以包括：第二气源，被构造为将第二气体供应到基板容纳空间；阀控制器，被构造为选择与第二气体对应的第一气体，并被构造为基于选择的第一气体来选择性地打开或关闭所述多个子室阀。

阀控制器可以被构造为打开所述多个子室阀中与对应于第二气体的第一气体相关的一个子室阀，并关闭所述多个子室阀中的其他的子室阀。

根据本发明的实施例，提供了一种基板热处理设备，所述基板热处理设备包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并包括至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许外壳内的气体被排放到外壳的外部。

所述设备还可以包括：至少一个气管，形成气体排放所经过的通道，其中，所述至少一个气孔可以包括通过气管结合在一起的多个气孔。

内壳和外壳之间的空间中的压力可以低于基板容纳空间中的压力。

所述设备还可以包括：第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为低于第二压力。

所述设备还可以包括：真空泵，结合到所述至少一个气孔，其中，压力控制器被构造为通过调节真空泵的驱动力来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。

所述设备还可以包括：反应气源，被构造为将反应气体供应到基板容纳空间，其中，所述至少一个气孔被构造为排放反应气体和从基板产生的气体。

根据本发明的实施例，提供了一种基板热处理方法，所述方法包括：将一个或多个基板供给到由内壳围绕的空间中，并加热基板；将第一气体注入内壳和被构造为围绕内壳的外壳之间的空间中，或将外壳内的气体排放到外壳的外部。

注入第一气体的步骤可以包括：将内壳和外壳之间的空间中的压力调节为高于由内壳围绕的空间中的压力。

将外壳内的气体排放到外壳的外部的步骤可以包括：将内壳和外壳之间的空间中的压力调节为低于由内壳围绕的空间中的压力。

附图说明

通过下面参照附图对本发明的示例性实施例进行详细描述，本发明的上面的和其他的方面和特征将变得更清楚，在附图中：

图1是根据本发明的示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；

图2是根据本发明的示例性实施例的在图1中示出的基板热处理设备排除气管和加热器之后的分解透视图；

图3是根据本发明的示例性实施例的沿图1的III-III’线截取的剖视图；

图4是根据本发明的示例性实施例的在图1中示出的基板热处理设备的平面图；

图5是根据本发明的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的第一气源的放大平面图；

图6是根据本发明的示例性实施例的图3的VI部分的放大剖视图；

图7是根据本发明的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的压力控制器的框图；

图8是根据本发明的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的阀控制器的框图；

图9是根据本发明的另一示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；

图10是根据本发明的另一示例性实施例的在图9中示出的基板热处理设备的平面图；

图11是根据本发明的另一示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；

图12是根据本发明的示例性实施例的在图11中示出的基板热处理设备的平面图；

图13是根据本发明的另一示例性实施例的基板热处理设备的平面图；

图14是根据本发明的示例性实施例的在图13中示出的实施例的基板热处理设备中与图3中的VI部分相对应的那部分的放大剖视图；

图15是根据本发明的示例性实施例的包括在图13中示出的实施例的基板热处理设备中的压力控制器的框图。

具体实施方式

通过下面详细描述示例性实施例和附图，可以更容易地理解本发明的多个方面和特征和完成本发明的方法的多个方面和特征。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应被解释为限制于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将彻底地把本发明的构思传达给本领域技术人员。然而，本发明的范围将仅由权利要求来限定。因此，在一些实施例中，没有示出公知的结构和装置，从而不使本发明的描述因不必要的细节而变得模糊。相同的标号始终指示相同的元件。在附图中，为了清楚而可能夸大了层和区域的厚度。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层，则该元件或层可以直接在另一元件或层上或者直接连接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”或“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。

空间相对术语，诸如“在……下方”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等，在此可被用来方便地描述一个元件或特征与其他的元件或特征的如附图中所示的关系。将理解的是，除了附图中绘示的方位之外，空间相对术语还意在覆盖装置在使用或操作中的不同方位。

将在参照作为本发明的示意图的平面图和/或剖视图的同时描述在此描述的实施例。因此，可以根据制造技术和/或公差来修改示例性视图。因此，本发明的实施例不限于在视图中示出的那些实施例，而是包括以制造工艺为基础而形成的构造方面的变形。因此，在附图中举例说明的区域具有示意性的性质，且在附图中示出的区域的形状示意性地说明元件的区域的形状，且不限制本发明的多个方面。

如在此使用的，“基板”可以是但不限于半导体基板、显示基板、薄膜晶体管（TFF）基板，印刷电路板（PCB）或柔性基板。另外，术语“基板”不仅可以指示如该术语所暗示的厚“基板”，而且可以指示“膜”或“薄层”。

此外，如在此使用的，“基板热处理设备”不仅可以指示仅加热基板的设备，而且可以指示使用热来处理基板的设备。例如，“基板热处理设备”可以是但不限于老化试验设备、执行化学处理以及热处理的化学气相沉积（CVD）设备或执行物理处理以及热处理的物理气相沉积（PVD）设备。

下文中，将参照附图来描述本发明的实施例。图1至图8可以属于相同或不同的实施例。

图1是根据本发明的实施例的基板热处理设备的分解透视图。图2是根据本发明的示例性实施例的在图1中示出的实施例的基板热处理设备排除气管140和加热器180之后的分解透视图。图3是沿图1的III-III’线截取的剖视图。图4是在图1中示出的基板热处理设备的平面图。图5是包括在图1中示出的实施例的基板热处理设备中的第一气源400的放大平面图。图6是图3的VI部分的放大剖视图。图7是包括在图1中示出的实施例的基板热处理设备中的压力控制器600的框图。图8是包括在图1中示出的实施例的基板热处理设备中的阀控制器700的框图。

参照图1至图8，根据当前实施例的基板热处理设备可以包括主体100、前门200、后门300、第一气源400、第二气源500、压力控制器600和阀控制器700。

主体100可以包括内壁120、外壁110和至少一个加热器180。此外，主体100可以包括气管140、第二供气管150、排放管160和内部压力传感器190。

内壁120可以由热绝缘体形成。热绝缘体可以是覆盖应保持在恒定温度的那个位置的外部以减少传递到该位置的外部的热或减少引入到该位置的内部的热的材料。热绝缘体不仅可以为在大致500℃至1100℃的温度范围内使用的材料，而且可以为在大致100℃或低于100℃的温度使用的冷绝缘体、或者可以为在100℃至500℃的温度范围内的热绝缘材料、或者可以在1100℃或高于1100℃的温度使用的绝缘耐火材料。内壁120可以由低热传导率的材料形成。另外，内壁120可以由多孔渗水材料形成。内壁120还可以具有多层结构。内壁120可以由有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的组合形成。在示例性实施例中，内壁120可以由软木、石棉、玻璃棉、石英棉、碳酸镁、氧化镁、硅酸钙、有机陶瓷或这些材料的组合形成。此外，内壁120的一侧或两侧可以涂覆有防腐蚀材料，诸如含氟化合物。

内壁（或内壳）120可以形成容纳至少一个基板的基板容纳空间。在示例性实施例中，一个内壁120可以被弯曲，以形成立方体空间，至少一个基板可以被容纳在立方体空间中。在另一示例性实施例中，多个内壁120可以结合在一起，以形成完全闭合的空间或局部闭合（即，部分敞开）的空间。在这样的情况下，内壁120可以被设计为可彼此分开，从而可以在不必过度施力的情况下修理和替换内壁120内的组件。在图1的示例性实施例中，一个内壁120被弯曲，以形成局部闭合的空间。然而，本发明不限于此。

外壁（或外壳）110可以覆盖内壁120。覆盖内壁120的外壁110可以保护内壁120和容纳在内壁120中的至少一个基板。形成在外壁110内部的空间的形状可以与形成在内壁120内部的空间的形状相似。然而，形成在外壁110内部的空间的体积可以大于形成在内壁120内部的空间的体积。外壁110可以由单金属材料或合金形成。在示例性实施例中，外壁110可以由不锈钢（SUS）形成。另外，外壁110可以涂覆有防腐蚀材料，诸如含氟化合物。

外壁110可以包括基体110a和盖110b。基体110a可以覆盖基板热处理设备的除了基板热处理设备的顶表面和两个入口之外的所有部分。盖110b可以形成在基板热处理设备的顶表面上，并可以与基体110a分开。因为盖110b可以与基体110a分开，所以可以容易地修理和替换安装在基板热处理设备内部的组件。

可以在外壁110和内壁120之间形成空间。形成在外壁110和内壁120之间的空间可以是有意设计的空间以容纳其他结构。可选地，外壁110和内壁120之间的空间可以是因在制造基板热处理设备的过程中外壁110和内壁120之间的弱附着性而导致的意想不到的结果。在图3中，外壁110和内壁120之间的空间被示出为第一空间A，容纳至少一个基板的基板容纳空间被示出为第二空间B。

外壁110和内壁120中的每个可以包括至少一个加热器孔170。加热器孔170可以是加热器180穿过的孔。在示例性实施例中，外壁110的加热器孔170可以与内壁120的加热器孔170交叠（或对齐）。另外，外壁110的加热器孔的形状和尺寸可以与内壁120的加热器孔170的形状和尺寸相同。如上所述，因为可以在外壁110和内壁120之间形成空间，所以外壁110的加热器孔170可以与内壁120的加热器孔170分开一定距离（例如，设定的或预定的距离）。

在实施例中，可以形成多于一个的加热器孔170。加热器孔170可以形成在主体100的第一侧（或第一侧表面）和与第一侧相对的第二侧（或第二侧表面）中。加热器孔170还可以形成在与主体100的第一侧和第二侧中的每侧相邻的另一侧（或另一侧表面）中。在图1至图3的示例性实施例中，56个加热器孔170可以形成在主体100的第一侧中，56个加热器孔170可以形成在与主体100的第一侧相对的第二侧中，十个加热器孔170可以形成在与主体100的第一侧相邻的另一侧中，十个加热器孔170可以形成在与主体100的第二侧相邻的另一侧中。然而，本发明不限于此。另外，形成在主体100的第一侧中的加热器孔170可以与形成在主体100的第二侧中的加热器孔170对称。

形成在主体100的任意一侧中的加热器孔170可以彼此分开。加热器孔170可以彼此分开相等的距离。然而，本发明不限于此，加热器孔170也可以彼此分开不同的距离。加热器孔170可以按各种合适的图案排列。加热器孔170可以按如图1和图2所示的矩阵图案排列。然而，本发明不限于此，加热器孔170也可以按行排列。

外壁（或外壳）110可以包括至少一个气孔130。如图6所示，气孔130可以是第一气体810流动所经过的通道。第一气体810可以通过气孔130被引入到内壁（或内壳）120和外壁110之间的空间中。第一气体810可以包括空气、氮气、氦气、氢气和氧气中的至少一种，但是不限于此。在示例性实施例中，第一气体810可以为难以与其他材料产生化学反应的气体，例如，诸如氖气、氩气等的惰性气体。在另一示例性实施例中，第一气体810可以为与主体100内部的基板或在基板上形成的结构产生反应的气体。

气孔130的尺寸可以朝着基板热处理设备的内部变得更大（例如，直径变得更大）。参照图3和图6，气孔130的内部的尺寸可以大于气孔130的外部的尺寸（例如，气孔130的内部的直径可以大于气孔130的外部的直径）。在图3和图6中，示出了具有阶梯差的气孔130。然而，本发明不限于此，气孔130可以以各种合适的形状形成。

在实施例中，可以形成多于一个的气孔130。气孔130可以形成在主体100的至少一侧中。在示例性实施例中，气孔130可以形成在主体100的所有侧中。在主体100的一侧中形成的气孔130可以彼此分开（例如）相等的距离。然而，本发明不限于此，气孔130也可以彼此分开不同的距离。在示例中，24个气孔130可以形成在主体100的顶部侧和底部侧中的每侧中，12个气孔130可以形成在主体100的一侧（例如，左侧）和主体100的相对侧（例如，右侧）中的每侧中。然而，本发明不限于此。另外，气孔130可以以各种合适的图案排列。气孔130可以按如图1和图2所示的矩阵图案排列。然而，本发明不限于此，气孔130也可以按行排列。

气孔130可以仅形成在外壁110中（或仅形成为穿过外壁110）。例如，气孔130可以不形成在内壁120中（或可以不形成为穿过内壁120）。在一个实施例中，加热器孔170和气孔130可以形成在外壁110中（或可以形成为穿过外壁110）。然而，只有加热器孔170可以形成在内壁120中（或可以形成为穿过内壁120）。

外壁110和内壁120可以形成基板供给到基板容纳空间中或从基板容纳空间移除基板所经过的至少一个入口。在实施例中，多于一个的入口可以形成并可以位于主体100的前侧和主体100的与前侧相对的后侧中。在图1和图2的示例性实施例中，外壁110和内壁120形成两个入口。在这样的情况下，基板可以通过形成在主体100的前部处的入口供给，并可以通过形成在主体100的后部处的入口移除。为了防止在通过入口将基板供给到基板容纳空间中或从基板容纳空间中移除基板时将异物引入到基板容纳空间中，可以在每个入口处安装空气幕。

加热器180可以设置在基板容纳空间内。加热器180可以加热至少一个基板。加热器180可以被成形为类似于沿一个方向延伸的杆。然而，加热器180的形状不限于杆形，且加热器180也可以是板形的。加热器180可以以直接接触基板的方式加热基板。可选地，加热器180可以以间接接触基板的方式，即，在加热器180和基板之间插入其他结构的方式加热基板。加热器180可以加热并支撑基板。

加热器180可以穿过内壁（或内壳）120和外壁（或外壳）110。例如，加热器180可以插入到加热器孔170中。在示例性实施例中，加热器180可以在主体100的一侧（例如，左侧）处穿过外壁110和内壁120，穿过基板容纳空间，然后在主体100的相对侧（例如，右侧）处穿过内壁120和外壁110。

在实施例中，可以提供多于一个的加热器180。加热器180可以并排地布置在基板容纳空间中。加热器180可以并排地布置为与主体100的顶部侧（即，盖110b）平行。另外，加热器180可以形成多个层，其中，至少一个基板可以放置在一个层上。

加热器180可以包括主加热器180a和辅助加热器180b。主加热器180a可以被设计为直接加热基板，辅助加热器180b可以被设计为防止在基板容纳空间中存在热损失。当主加热器180a接触基板时，辅助加热器180b可以不接触基板。另外，主加热器180a和辅助加热器180b可以被构造为（或被放置为）彼此交叉（或相交）。在图1的示例性实施例中，主加热器180a可以沿x方向延伸，辅助加热器180b可以沿y方向延伸。

参照图6，气管140可以形成第一气体810流动所经过的通道。例如，从第一气源400提供的第一气体810可以通过气管140运动到气孔130，然后通过气孔130流动到外壁110和内壁120之间的空间中。

气管140可以由柔性材料形成。然而，形成气管140的材料不限于柔性材料，气管140可以由禁止第一气体810外流的各种合适的材料形成。气管140可以与外壁110一体地形成。然而，本发明不限于此，气管140可以与外壁110分开。

气管140可以被放置（或布置）为覆盖气孔130。如果气孔130形成为多个，则气管140可以被放置为覆盖所有的气孔130。例如，气孔130可以通过气管140彼此连接。在图1的示例性实施例中，一个气管140覆盖形成在外壁110中的所有的气孔130。然而，本发明不限于此，也可以由多个气管140覆盖其他的气孔130，诸如那些可以形成在前门200和后门300中的气孔130。另外，气管140可以以各种合适的图案构造（或放置）。在图1的示例性实施例中，可以按波浪的图案来构造（或放置）气管140。

第二供气管150可以穿过外壁（或外壳）110和内壁（或内壳）120。在示例性实施例中，第二气体820可以为用于热处理基板的反应气体。在另一示例性实施例中，第二气体820可以为但不限于惰性气体。第二气体820可以与第一气体810不同。然而，本发明不限于此，第二气体820可以与第一气体810相同（或一样）。第二供气管150可以连接到第二气源500。例如，从第二气源500提供的第二气体820可以通过第二供气管150而被引入到基板容纳空间中。

参照图3，排放管160可以形成在与第二供气管150相对的位置处。排放管160可以形成在主体100的一个拐角处，所述一个拐角与主体100的形成有供气管150的另一拐角成对角关系。与第二供气管150类似，排放管160可以穿过外壁110和内壁120。排放管160可以将存在于基板容纳空间内的气体排放到基板容纳空间的外部。另外，排放管160可以控制基板容纳空间中的压力。

在不需要反应气体的过程中，例如，在仅加热基板的过程中，可以省略第二供气管150。

内部压力传感器190可以测量由外壁110围绕的空间内部的压力。例如，内部压力传感器190可以将由外壁110围绕的空间内部的气体的压力转换为电信号，并将电信号提供到稍后将描述的压力控制器600。在示例性实施例中，内部压力传感器190可以为集成电路（IC）压力传感器，然而，其不限于此。

内部压力传感器190可以包括第一内部压力传感器190a和第二内部压力传感器190b。第一内部压力传感器190a可以位于外壁110和内壁120之间的第一空间A中，以测量外壁110和内壁120之间的空间中的压力。第二内部压力传感器190b可以位于基板容纳空间中，以测量基板容纳空间中的压力。如图3所示，第一内部压力传感器190a和第二内部压力传感器190b可以彼此交叠。然而，本发明不限于此。

前门200和后门300可以安装在基板供给到基板容纳空间中和从基板容纳空间中移除基板所经过的两个入口处。前门200和后门300可以打开或关闭这两个入口。在示例性实施例中，前门200可以安装在主体100的前部处形成的入口处，后门300可以安装在主体100的后部处形成的入口处。基板可以在前门200打开的情况下通过前入口供给到主体100中，并可以在后门300打开的情况下通过后入口从主体100移除。在基板热处理过程期间，前门200和后门300可以关闭，以密封主体100。

与主体100类似，前门200和后门300中的每个可以包括内壁（或内壳）120和外壁（或外壳）110。前门200和后门300中的每个的内壁120和外壁110可以具有与主体100的内壁120和外壁110的结构相同的结构。另外，至少一个气孔130可以形成在前门200和后门300中的每个的外壁110中。在图1和图2的示例性实施例中，八个气孔130可以形成在前门200中，十个气孔130可以形成在后门300中。气孔130可以通过圆形或带形的气管140而彼此连接。

第一气源400可以储存第一气体810并将第一气体810供应到内壁120和外壁110之间的空间。在示例性实施例中，第一气源400可以被放置为与主体100的拐角相邻。然而，本发明不限于此，第一气源400还可以与主体100一体地形成。

第一气源400可以包括第一气室410和第一气压计420。第一气室410可以提供储存至少一种第一气体810的空间。第一气源400可以连接到安装在主体100、前门200和后门300上的气管140，并将第一气体810供应到每条气管140。

第一气室410可以储存多种第一气体810，第一气体810可以分别储存在多个子室中。在图5的示例性实施例中，第一气室410可以包括第一子室410a、第二子室410b和第三子室410c。第一子室410a、第二子室410b和第三子室410c中的每个可以储存不同种类的第一气体810。第一子室410a、第二子室410b和第三子室410c中所有的子室可以连接到气管140，对于第一子室410a、第二子室410b和第三子室410c中的每个子室来说，可以安装可以打开或关闭子室的子室阀410d。

第一气压计420可以测量从第一气源400供应的第一气体810的压力，并可以显示测量的压力。用户/工人或计算机可以通过检查显示在第一气压计420上的压力来识别第一气源400是否出故障。

如图4所示，第二气源500可以储存第二气体820并将第二气体820供应到基板容纳空间。在示例性实施例中，第二气源500可以被放置为与主体100的一侧相邻。然而，本发明不限于此，第二气源500也可以与主体100一体地形成。

第二气源500可以包括第二气室510和第二气压计520。第二气室510可以提供储存至少一种第二气体820的空间。第二气源500可以连接到安装在主体100上的第二供气管150，并将第二气体820供应到第二供气管150。虽然在附图中没有示出，但是第二气室510也可以包括多个子室，不同类型的第二气体820可以储存在子室中。

第二气压计520可以测量从第二气源500供应的第二气体820的压力，并可以显示测量的压力。用户/工人或计算机可以通过检查显示在第二气压计520上的压力来识别第二气源500是否出故障。

在不需要反应气体的过程中，例如，在仅加热基板的过程中，可以省略第二气源500。

参照图6，引入到内壁（或内壳）120和外壁（或外壳）110之间的空间中的第一气体810不仅可以流动到内壁120和外壁110之间的空间中，而且可以流动到基板容纳空间中。在图6的示例性实施例中，第一气体810可以通过形成在内壁120中的加热器孔170而被引入到基板容纳空间中。然而，本发明不限于此。例如，如果通过组合多个热绝缘体来组装内壁120，则第一气体810可以穿过相邻的热绝缘体之间的缝隙。另外，如果使用螺钉来组装热绝缘体，则第一气体810可以穿过螺钉孔。在图6中，因为通过加热器孔170引入到基板容纳空间中的第一气体810的量少于通过气孔130引入到内壁120和外壁110之间的空间中的第一气体810的量，所以由虚线来指示通过加热器孔170引入到基板容纳空间中的第一气体810。

在实施例中，第二气体820通过第二供气管150被直接引入到基板容纳空间中。

内壁120和外壁110之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力。在示例性实施例中，每单位时间内被引入到内壁120和外壁110之间的空间中的第一气体810的量大于每单位时间内被引入到基板容纳空间中的第二气体820的量。在另一示例性实施例中，大量气体通过排放管160被排放。因此，基板容纳空间中的压力可能低于内壁120和外壁110之间的空间中的压力。

如图7所示，压力控制器600可将由第一内部压力传感器190a测量的压力和由第二内部压力传感器190b测量的压力进行比较，并可以将内壁120和外壁110之间的空间中的压力调节为高于基板容纳空间中的压力。虽然在图1至图6中没有示出，但是压力控制器600可形成在主体100处，或可以与主体100分开一定距离（例如，设定的或预定的距离）。另外，压力控制器600可包括屏幕，并可在屏幕上显示其操作。

压力控制器600可包括压力比较部件610和压力补偿部件620。

压力比较部件610可从第一内部压力传感器190a接收以数据的形式表示的内壁120和外壁110之间的空间中的压力（下文中称为第一压力），并从第二内部压力传感器190b接收以数据的形式表示的基板容纳空间中的压力（下文中称为第二压力），并且可以计算第一压力和第二压力之间的差值。在示例性实施例中，压力比较部件610通过从第一压力减去第二压力来计算差值。

压力补偿部件620可从压力比较部件610接收第一压力与第二压力之间的差值，并可在差值的基础上补偿内壁120和外壁110之间的空间中的压力以及基板容纳空间中的压力。在示例性实施例中，压力补偿部件620从压力比较部件610接收通过从第一压力减去第二压力而得到的差值，并将差值与参考值（例如，预设值）进行比较。当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值大于参考值时，压力补偿部件620可能减少每单位时间内从第一气源400供应的第一气体810的量，或可以不执行压力补偿。当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值小于参考值时，压力补偿部件620可增加每单位时间内从第一气源400供应的第一气体810的量。在另一示例性实施例中，当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值大于参考值时，压力补偿部件620可减少每单位时间内通过排放管160排放的气体的量，或可以不执行任何压力补偿。当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值小于参考值时，压力补偿部件620可增加每单位时间内通过排放管160排放的气体的量。

如图8所示，阀控制器700可选择与第二气体820对应的第一气体810并可选择性地打开或关闭子室阀410d。尽管在图1至图6中没有示出，但是阀控制器700可形成在主体100处或可以与主体100分开一定距离（例如，设定的或预定的距离）。另外，阀控制器700可包括屏幕，并可在屏幕上显示其操作。

阀控制器700可包括气体选择部件710和阀切换部件720。

气体选择部件710可接收以数据的形式表示的关于来自第二气源500的第二气体820的信息。气体选择部件710可选择与所接收的关于第二气体820的信息对应的第一气体810。与所接收的关于第二气体820的信息对应的第一气体810可以为不与第二气体820产生反应的气体。然而，本发明不限于此，第一气体810也可与第二气体820相同（或一样）。气体选择部件710可以以数据的形式向阀切换部件720提供关于被选择的第一气体810的信息。

阀切换部件720可在从气体选择部件710接收的关于被选择的第一气体810的信息的基础上选择性地打开或关闭子室阀410。在示例性实施例中，阀切换部件720打开安装在子室中的子室阀410（该子室储存与来自气体选择部件710的关于被选择的第一气体810的信息相对应的第一气体810），并关闭安装在其他子室中的子室阀410d。

如上所述，根据当前实施例，在基板热处理设备中，在内壁（或内壳）120与外壁（或外壳）110之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力。因此，存在于基板容纳空间中的气体可以不流动到内壁120和外壁110之间的空间中。例如，可以防止在内壁120和外壁110之间的空间中凝结并因此污染基板热处理设备的异物的产生。进一步地，基板热处理设备可被引入到内壁120和外壁110之间的空间中的气体冷却。

图9是根据本发明的另一实施例的基板热处理设备的分解透视图。图10是根据本发明的示例性实施例的在图9中示出的基板热处理设备的平面图。为简便起见，通过相同的标号来指示与图1至图8中的元件基本相同的元件，并将不提供它们的重复描述。

参照图9，形成于外壁110中的气孔130的数量和形状可与在图1至图8中示出的气孔130的数量和形状基本相同（或相同）。然而，可按与在图1至图8中示出的气管140不同的图案来构造（或放置）覆盖气孔130的气管141。在实施例中，主体101包括多个气管141，气管141被放置在不同的平面上。

参照图10，可提供2个第一气源401。在实施例中，一个第一气源401被放置为与主体101的第一拐角相邻，另一第一气源401被放置为与主体101的第一拐角相对的第二拐角相邻。每个第一气源401可包括第一气室411，第一气室411可以连接到气管141。

如上所述，根据当前实施例，基板热处理设备能够通过利用2个第一气源401来更容易地调节流过每个气管141的第一气体810。

图11是根据本发明的另一实施例的基板热处理设备的分解透视图。图12是根据本发明的示例性实施例的在图11中示出的基板热处理设备的平面图。为简便起见，通过相同的标号来指示与图1至图8中的元件基本相同的元件，并将不提供它们的重复描述。

参照图11，形成于外壁110中（或者形成为穿过外壁110）的气孔130的数量和形状可以与在图1至图8中示出的气孔130的数量和形状基本相同（或相同）。然而，可以按与在图1至图8中示出的气管140不同的图案来构造（或放置）覆盖气孔130的气管142。例如，包括在主体102中的气管142可以以线圈的形式缠绕主体102。

参照图12，可以提供4个第一气源402。在一个实施例中，4个第一气源402被分别放置为与主体102的拐角相邻。每个第一气源402可包括第一气室412，第一气室412可连接到气管142。

如上所述，根据当前实施例，基板热处理设备能够通过利用4个第一气源402来更容易地调节流过气管142的第一气体810。

图13是根据本发明的另一实施例的基板热处理设备的平面图。图14是在图13中示出的实施例的基板热处理设备中与图3中的VI部分相对应的那部分的放大剖视图。图15是包括在图13中示出的实施例的基板热处理设备中的压力控制器600的框图。图13至图15可属于相同或不同的实施例。为简便起见，通过相同的标号来指示与图1至图8中的元件基本相同的元件，并将不提供它们的重复描述。

参照图13，与图1至图8中的实施例的基板热处理设备不同，在当前实施例的基板热处理设备中，可以提供真空泵900以代替第一气源400。真空泵900连接到气管140和气孔130，以吸出外壁110内的气体，即，将气体抽出到外壁110之外。

真空泵900可包括真空室910和真空计920。真空室910可储存被吸出的气体，并可将储存的气体排放到另一位置，真空计920可被安装在真空室910和气管140之间的连接部分上，以测量气管140的真空度。

在图14中，将图6的下部分中的箭头的方向颠倒。在一个实施例中，不仅存在于内壁（或内壳）120和外壁（或外壳）110之间的空间中的气体，而且存在于基板容纳空间中的气体都通过气孔130被吸出。如果通过气孔130被吸出的气体被定义为第三气体830，那么第三气体830可包括大量的存在于内壁120和外壁110之间的空间中的气体和少量的存在于基板容纳空间中的气体。如果在基板的热处理期间没有从基板产生气体，则存在于基板容纳空间中的气体可以为第二气体820。

如上所述，由于存在于内壁120和外壁110之间的空间中的气体的排放量比存在于基板容纳空间中的气体的排放量更大，所以内壁120和外壁110之间的空间中的压力可比基板容纳空间中的压力低。

参照图15，压力控制器600可控制真空泵900。例如，压力控制器600可将由第一内部压力传感器190a测量的压力和由第二内部压力传感器190b测量的压力进行比较，并可以将内壁120和外壁110之间的空间中的压力调节为低于基板容纳空间中的压力。例如，压力控制器600可调节真空泵900的驱动力，以使内壁120和外壁110之间的空间中的压力与基板容纳空间中的压力之间的差等于或大于参考值（例如，预设值）。在示例性实施例中，当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值大于参考值（例如，预设值）时，压力补偿部件620通过增加真空泵900的驱动力来增加每单位时间内吸出的气体的量。当通过从第一压力减去第二压力而得到的差值小于参考值时，压力补偿部件620可以通过减小真空泵900的驱动力来减少每单位时间内吸出的气体的量，或者可以不执行压力补偿。

现在，将参照图1至图8来描述根据本发明的实施例的基板热处理方法。

根据当前实施例，基板热处理方法包括将一个或多个基板供给到被内壁（或内壳）120围绕的空间中并加热基板，以及将第一气体810注入到内壁120和围绕内壁120的外壁（或外壳）110之间的空间中。注入第一气体810的步骤可包括将内壁120和外壁110之间的空间中的压力调节为高于被内壁120围绕的空间中的压力。

基板热处理方法可进一步包括在将基板供给到被内壁120围绕的空间中并加热基板之后，将第二气体820注入到被内壁120围绕的空间中。如果注入了第二气体820，则注入第一气体810的步骤可包括选择与第二气体820对应的第一气体810并注入被选择的第一气体810。

现在，将参照图13至图15来描述根据本发明的另一实施例的基板热处理方法。

根据当前实施例，基板热处理方法包括将一个或多个基板供给到被内壁120围绕的空间中并加热基板，以及通过形成在围绕内壁120的外壁110中的气孔130将外壁110内的气体排放到外壁110的外部。将外壁110内的气体排放到外壁110外部的步骤可包括将内壁120和外壁110之间的空间中的压力调节为低于被内壁120围绕的空间中的压力。

本发明的实施例提供以下优点中的至少一种。

首先，由于内壁和外壁之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力，所以存在于基板容纳空间中的气体可以不流动到内壁和外壁之间的空间中。因此，可以防止在内壁和外壁之间的空间中凝结并因此污染基板热处理设备的异物的产生。

此外，被引入到内壁和外壁之间的空间中的气体可以冷却基板热处理设备。

然而，本发明的实施例不限于在此阐述的实施例。对于本发明所属的本领域普通技术人员来说，本发明的以上及其他实施例将通过参照权利要求而变得更加清楚。

虽然已经参照本发明的示例性实施例具体地显示和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如被权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以进行形式上和细节上的各种变化。因此，期望的是，当前实施例在所有方面被认为是示意性的而非限制性的，通过参照权利要求及其等同物而非前面的描述来指示本发明的范围。

Claims (9)

1.一种基板热处理设备，包括：

内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；

外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；

至少一个加热器，被构造为插入到形成在内壳和外壳中的加热器孔中，以支撑并加热基板，

其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中，

其中，所述空间由外壳的内表面和内壳的外表面限定，

其中，气孔设置在外壳处，

其中，第一气体完全地填充所述空间，并且

其中，形成在内壳中的加热器孔允许第一气体或位于基板容纳空间中的第二气体通过。

2.如权利要求1所述的设备，其中，内壳包括热绝缘体。

3.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

至少一个气管，被构造为形成第一气体流动所经过的通道，

其中，所述至少一个气孔包括通过气管结合在一起的多个气孔。

4.如权利要求1所述的设备，其中，内壳和外壳之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力。

5.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；

第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；

压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为高于第二压力。

6.如权利要求5所述的设备，所述设备还包括：

至少一个第一气源，被构造为供应第一气体，

其中，压力控制器被构造为通过调节每单位时间内从所述至少一个第一气源供应的第一气体的量来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。

7.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括被构造为提供第一气体的第一气源，其中，第一气源包括被构造为储存第一气体的第一气室，第一气室包括：

多个子室，每个子室被构造为储存多种类型的第一气体中相关的一种第一气体；

多个子室阀，每个子室阀安装在所述多个子室中相关的一个子室中。

8.如权利要求7所述的设备，所述设备还包括：

第二气源，被构造为将第二气体提供到基板容纳空间；

阀控制器，被构造为选择与第二气体对应的第一气体，并被构造为基于选择的第一气体来选择性地打开或关闭所述多个子室阀。

9.如权利要求8所述的设备，其中，阀控制器被构造为打开所述多个子室阀中与对应于第二气体的第一气体相关的一个子室阀，并关闭所述多个子室阀中的其他的子室阀。