CN101101859A - 立式热处理装置及其使用方法 - Google Patents

立式热处理装置及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101101859A
CN101101859A CNA2007101281182A CN200710128118A CN101101859A CN 101101859 A CN101101859 A CN 101101859A CN A2007101281182 A CNA2007101281182 A CN A2007101281182A CN 200710128118 A CN200710128118 A CN 200710128118A CN 101101859 A CN101101859 A CN 101101859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
container handling
heater
described container
buffer unit
processed substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007101281182A
Other languages
English (en)
Inventor
远藤笃史
藤田义幸
宫崎伸治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101101859A publication Critical patent/CN101101859A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Abstract

本发明提供一种用于同时对多个被处理基板实施热处理的立式热处理装置，包括：立式的处理容器，用于收纳被处理基板，处理容器在下端部具有搬送口；保持具，用于在处理容器内以使被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持被处理基板；和加热器，配置于处理容器的周围，加热器隔着处理容器的侧壁供给热线，由此对处理容器内进行加热。在加热器与处理容器下端部一侧之间，以包围下端部一侧的方式配置有热缓冲部件。热缓冲部件使加热器与处理容器内的被处理基板之间的热线的传递率在下端部一侧降低。

Description

立式热处理装置及其使用方法
技术领域
本发明涉及用于在半导体晶片等被处理基板上实施热处理的半导体处理用的立式热处理装置和该装置的使用方法。此处所谓的半导体处理指，通过在半导体晶片或LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)等FPD(Flat Panel Display：平面显示器)用的玻璃基板等被处理基板上，以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，为了在该被处理基板上制造半导体设备和包括与半导体设备连接的配线、电极等构件而实施的各种处理。
背景技术
在构成半导体集成电路的半导体设备的制造中，在被处理基板例如半导体(例如硅)晶片上，实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改性、退火、除去自然氧化膜等各种处理。日本特开2000-26973号公报和US2006/0286817A1中公开了能够一次对多枚半导体晶片实施热处理的立式(所谓批量式的)热处理装置。在该装置中，首先，将半导体晶片从晶片盒中移载至立式的晶舟上，并分多级支承。在晶片盒中能够收容例如25枚晶片，在晶舟上能够载置30～150枚晶片。然后，将晶舟从处理容器的下方载入其内部，同时将处理容器气密地封闭。接着，在控制处理气体的流量、处理压力、处理温度等各种处理条件的状态下，进行规定的热处理。
发明内容
如后所述，本发明的目的在于提供本发明人等发明的立式热处理装置和该装置的使用方法，能够抑制因加热器的控制系统的过剩反应操作由于长期使用而在处理容器下部发生微裂纹的现象。
本发明的第一观点是一种立式热处理装置，用于同时对多个被处理基板实施热处理，其特征在于，包括：
立式的处理容器，用于收纳上述被处理基板，上述处理容器在下端部具有搬送口；
保持具，用于在上述处理容器内以使上述被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持上述被处理基板；
气密地开关上述搬送口的盖体；
升降机构，通过使上述盖体在支承上述保持具的状态下升降，经由上述搬送口向上述处理容器内装载/卸载上述保持具；
气体供给系统，向上述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对上述处理容器内进行排气；
加热器，配置于上述处理容器的周围，上述加热器隔着上述处理容器的侧壁供给热线，由此对上述处理容器内进行加热；和
热缓冲部件，在上述加热器与上述处理容器的下端部一侧之间包围上述下端部一侧，上述热缓冲部件使上述加热器与上述处理容器内的被处理基板之间的热线的传递率在上述下端部一侧降低。
本发明的第二观点是一种立式热处理装置，用于同时对多个被处理基板实施热处理，其特征在于，包括：
立式的处理容器，用于收纳上述被处理基板，上述处理容器在垂直方向的端部具有搬送口；
保持具，用于在上述处理容器内以使上述被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持上述被处理基板；
气密地开关上述搬送口的盖体；
升降机构，通过使上述盖体在支承上述保持具的状态下升降，经由上述搬送口向上述处理容器内装载/卸载上述保持具；
气体供给系统，向上述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对上述处理容器内进行排气；
多个加热器，与在上述处理容器内上下排列的多个区域对应，配置于上述处理容器的周围，上述多个加热器隔着上述处理容器的侧壁供给热线，由此对上述处理容器内的上述区域进行加热；
多个温度传感器，与上述多个区域对应配置；
控制部，根据上述多个温度传感器的检测数据，单独控制上述多个加热器的设定温度；和
热缓冲部件，在上述多个加热器内最接近上述搬送口的端部加热器与上述处理容器之间，包围上述处理容器，上述热缓冲部件使上述端部加热器与上述处理容器内的被处理基板之间的热线的第二传递率低于其它的加热器与上述处理容器内的被处理基板之间的热线的第一传递率。
本发明的第三观点是一种用于同时对多个被处理基板实施热处理的立式热处理装置的使用方法，其特征在于：
上述装置包括：
立式的处理容器，用于收纳上述被处理基板，上述处理容器在垂直方向的端部具有搬送口；
保持具，用于在上述处理容器内以使上述被处理基板相互隔开间隔并在沿垂直方向重叠的状态保持上述被处理基板；
气密地开关上述搬送口的盖体；
升降机构，通过使上述盖体在支承上述保持具的状态下升降，经由上述搬送口向上述处理容器内装载/卸载上述保持具；
气体供给系统，向上述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对上述处理容器内进行排气；
多个加热器，与在上述处理容器内上下排列的多个区域对应，配置于上述处理容器的周围，上述多个加热器隔着上述处理容器的侧壁供给热线，由此对上述处理容器内的上述区域进行加热；
多个温度传感器，与上述多个区域对应配置；和
控制部，根据上述多个温度传感器的检测数据，单独控制上述多个加热器的设定温度，
上述方法包括以下工序：
在上述多个加热器内最接近上述搬送口的端部加热器与上述处理容器之间，用热缓冲部件包围上述处理容器的工序，上述热缓冲部件使上述端部加热器与上述处理容器内的被处理基板之间的热线的第二传递率低于其它的加热器与上述处理容器内的被处理基板之间的热线的第一传递率；和
根据上述多个温度传感器的检测数据单独控制上述多个加热器的设定温度，同时利用上述多个加热器对上述处理容器进行加热，在这种状态下，经由上述搬送口向上述处理容器装载或卸载上述保持具的工序，
使用上述热缓冲部件来缓解装载或卸载上述保持具时上述端部加热器设定温度的振动现象。
本发明的其他目的和优点将在以下说明中阐明、通过以下说明部分变得明显、或可通过对本发明的实施而获知。本发明的目的和优点可通过以下具体指出的手段及组合而实现和获得。
附图说明
结合在本说明书中且构成其一部分的附图，图解显示了本发明目前的优选实施例，与以上给出的总体说明和以下给出的优选实施例的详细说明一起，用于解释本发明的本质。
图1是表示本发明实施方式的立式热处理装置(立式成膜装置)的截面图。
图2是表示图1所示装置的热缓冲部件的立体图。
图3是表示比较例和实施例的装置中自晶片装载开始的时间与最下部区域的外部热电偶的检测温度的关系的曲线图。
图4A是表示比较例的装置中自晶片装载开始的时间与对最下部的区域加热器的供给电力的关系的曲线图。
图4B是表示实施例的装置中自晶片装载开始的时间与对最下部的区域加热器的供给电力的关系的曲线图。
图5是表示具有单管构造的处理容器的本发明其它实施方式的立式热处理装置(立式成膜装置)的截面图。
图6是表示用作本发明比较例的立式热处理装置的截面图。
图7是表示装载晶片时图6所示装置的最下部区域的外部热电偶的温度变化的曲线图。
图8是表示图1所示的装置的主控制部86的大致结构的框图。
具体实施方式
在本发明的开发过程中，本发明人等对于在上述日本特开2000-26973号公报和US2006/0286817A1中公开的立式热处理装置中发生的问题进行了研究。结果本发明人等获得了下述发现。
图6是用作本发明比较例的立式热处理装置的截面图。热处理装置2具有处理容器8，该处理容器8具有由有顶的石英制外管4和在其内侧设置的石英制的圆筒体状的内管6构成的双重管构造。在外管4的下端，接合有例如不锈钢制的圆筒体状的歧管10。在内管6内的处理空间中，收容有能够从其下方装载及卸载的晶舟12。多枚例如150枚左右的制品晶片W以规定间距支承在晶舟12上。歧管10下端的搬送口由盖部16封闭而处于密闭状态。在该状态下，进行规定的热处理，例如CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相积淀)处理。
以包围处理容器8的方式配置有用于从外侧对晶片W进行加热的圆筒体状的多个加热器14。多个加热器14与上下分割处理容器8内的处理区域的多个区域例如5个区域对应配置。在处理容器8内沿高度方向在上述每个区域内配置有进行温度测定的内部热电偶18。同样，在加热器14中也在每个区域配置外部热电偶20。参照内部和外部热电偶18、20的检测值，单独控制多个加热器的设定温度。
成膜气体等的各种处理气体通过歧管10中设置的气体喷嘴15(在图6中仅表示1根喷嘴，实际上根据气体种类配置有多根)从处理容器8的下部导入，然后在内管6内高温区域的处理空间进行反应并上升。然后，处理气体返回下方，在内管6与外管4之间的间隙下降并从设置于歧管10中的排气口17向外部排出。
在该热处理期间，半导体晶片保持在规定的处理温度，并且处理容器内也保持在规定的处理压力。导入处理容器内的处理气体沿着晶片的排列方向在其周边部上升，同时一部分流入晶片W之间并发生热分解反应，而在晶片表面堆积成膜。作为一个示例，例如在形成多晶硅膜的情况下，作为处理气体例如使用甲硅烷等硅烷系气体和氢气。
处理容器8内的温度，例如在空载时，将处理温度保持在低于650℃左右的500℃左右。开始处理之际，从歧管10下端的搬送口，将处于载置在晶舟12上的状态下的室温的晶片W载入处理容器8内。
此时，在处理容器8的歧管10的盖部16开放的状态下，晶舟12从搬送口一点点地上升。因此，为了防止温度下降，分别进行控制使供给到各区域加热器的功率增加。特别是供给到最下部区域的加热器的功率，因补充该部分的放热量而急剧增加。
图7是表示装载晶片时图6所示装置的最下部区域的外部热电偶20的温度变化的曲线图。在图7中，处理容器或者加热器的温度基本上设定为500℃。如图7所示，在最下部区域的加热器中，由于加热器的传热方式良好，小幅度地反复进行温度的上升和下降。即，在进行温度补偿时，发生设定温度的振动现象。因此，特别是在与最下部区域附近对应的外管4的下部，因上述温度的振动现象，构成外管4的石英材料频繁地重复进行热伸缩。结果，在该部分产生微裂纹22。
如果产生上述的微裂纹22，就会缩短处理容器8(外管4)本身的寿命。且无法利用清洗处理除去侵入该细微的微裂纹22内形成的多余的薄膜。并且，堆积在该微裂纹22内的薄膜有时会剥落并变成颗粒，从而使产品合格率降低。
为了解决上述问题，本发明人考虑调整控制温度的PID控制等的控制系统的控制常数的方法。但是，有经验地调整控制常数以使其最优化非常困难，因此这种方法并不现实。
下面，参照附图对根据上述发现而构成的本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，对于具有大致相同功能和构造的构件，标注相同的符号，并仅在必要的情况下进行重复性说明。
图1是表示本发明实施方式的立式热处理装置(立式成膜装置)的截面图。图2是表示图1所示装置的热缓冲部件的立体图。此处，作为热处理，以使用甲硅烷(SiH4)和氢通过CVD法形成多晶硅膜的处理为例进行说明。
成膜装置30具有筒体状的立式处理容器32。处理容器32具有下部开口的成型为有顶圆筒体状的透明石英制外管34。在外管34的下端接合有例如由不锈钢成型为短的圆筒体状的歧管36。在歧管36的下端，形成有向处理容器32装载/卸载晶舟48的搬送口38。在外管34的内侧，呈同心圆状配置有与其隔开微小间隔40配置的透明石英制的圆筒体状的内管42。由外管34和内管42构成双重管构造的处理容器32。
为了保持气密性，在外管34的下端部与歧管36的上端部之间设置有例如O形环等构成的密封部件44。内管42的下端部由从歧管36的内周壁向内侧设置的支承突起46所支承。
在处理容器32内，收容有沿上下方向隔开间隔地支承多个半导体晶片W的透明石英制的晶舟48。在本实施方式中，在晶舟48中，能够以大致相等的间距分多级支承例如50～150枚左右的直径为300mm的晶片W。另外，晶片W的尺寸以及收容枚数并非限定于此，例如，对于直径为200mm的晶片也能够适用。
晶舟48通过石英制的保温筒50载置于旋转台52上。旋转台52支承在旋转轴56上，该旋转轴56贯通开关歧管36下端的搬送口的盖部54。
在旋转轴56的贯通部设置有例如磁性流体密封部件58，气密地密封转轴56，同时以可旋转的方式进行支承。在盖部54的周边部和歧管36的下端部，设置有例如O形环等构成的密封部件60，保持容器内的密封性。
旋转轴56安装于例如被舟升降机等升降机构62所支承的臂62A的前端。通过升降机构62，晶舟48和盖部54等能够一体升降，向处理容器32装载/卸载晶舟48。在歧管36的侧部，设置有从外管34与内管42的间隙40的底部排出处理容器32内的氛围气体的排气口64。排气口64与设置有压力调整阀66和真空泵68等的真空排气系统70连接。
在歧管36的侧部，设置有用于向内管42内供给各种气体的气体供给部72。具体而言，气体供给部72包括硅烷系气体供给系统74、还原气体供给系统76、不活泼气体供给系统78。各气体供给系统74、76、78分别具有贯通歧管36侧壁配置的气体喷嘴74A、76A、78A。
各气体喷嘴74A、76A、78A分别与各自配置有质量流量控制器等流量控制器74B、76B、78B的气体流路74C、76C、78C连接。这样能够分别控制硅烷系气体、还原气体和不活泼气体的流量同时进行供给。此处，例如使用甲硅烷作为硅烷系气体。使用H2气作为还原气体。例如使用N2气作为不活泼气体(也在吹扫时使用)。在本实施方式中，处理容器32的大小为内径450mm左右、高度1400mm左右。
在处理容器32的周围，以将其包围的方式配置有加热机构80。具体而言，加热机构80具有成型为筒体状的隔热材料壳体82、和在其内面上与处理容器32的侧面相对配置的加热器阵列84。加热器阵列84由多个区域加热器84A、84B、84C、84D、84E构成，这些多个区域加热器与上下分割处理容器32内的处理区域的多个区域、例如5个区域对应配置。
与处理容器32的区域对应，在区域加热器84A～84E的附近，分别配置有作为温度传感器的例如外部热电偶88A～88E。并且，在处理容器32内配置有用于检测晶片W温度的温度检测机构90。温度检测机构90具有石英管94，该石英管94封入与上述每一个区域对应的多个、即5个内部热电偶92A～92E。石英管94以在外管34与内管42之间的间隙40内立起的方式设置，由此能够检测出与各区域对应的晶片温度。
区域加热器84A～84E、外部热电偶88A～88E和内部热电偶92A～92E与例如由微机等构成的主控制部86连接。主控制部86为了单独控制区域加热器84A～84E的加热器的设定温度，分别调整对它们的供给电力。此处，内部热电偶92A～92E的检测数据用于调整区域加热器84A～84E的设定温度。另一方面，外部热电偶88A～88E的检测数据用于确认区域加热器84A～84E的操作。
在外管34的下部侧壁与加热机构80之间设置有热缓冲部件98。热缓冲部件98由具有均匀高度和厚度的圆形环或者圆筒状的管体构成，以与处理容器32呈同心圆状的方式设置。热缓冲部件98以覆盖上述5个区域之内最下部的区域与从下面第二个区域的中途的方式设置在外管34的周围。优选将热缓冲部件98所覆盖的区域设定为能够覆盖图6中产生微裂纹22的整个区域，但是，如果也考虑对于晶片W的温度控制性，则也可以仅覆盖最下部区域。
热缓冲部件98使最下部区域加热器84E与处理容器34内的晶片W之间的热线的第二传递率低于其它的区域加热器84A～84D与处理容器34内的晶片W之间的热线的第一传递率。此处，第二传递率设定为第一传递率的10～80％，优选为20～70％。另外，热缓冲部件98本身的热线的传递率设定为10～80％，优选为20～70％。
由于热缓冲部件98，从最下部的区域加热器84E向与该区域对应的晶片W传递的热被稍微缓和。热缓冲部件98的高度H1依赖于向处理容器32内装载晶片时晶舟的上升速度和处理容器32的高度等，在例如5～50cm左右的范围内，优选为20～40cm左右的范围内。如果高度H1增大超过50cm，则由于加热效率大幅度降低，不优选。另外，在高度H1小于5cm的情况下，无法发挥设置热缓冲部件98的效果。
此外，热缓冲部件98的厚度T1根据构成它的材料决定，但例如在2～6mm的范围内，优选为2～5mm的范围内。如果厚度T1小于2mm，则不能发挥设置热缓冲部件98的效果。另外，如果厚度T1大于6mm，则与热缓冲部件98对应的部分的晶片W加热时的升温速度变得非常缓慢。此外，作为热缓冲部件98的材料，可以使用不透明的不会产生污染的耐热材料，具体而言，可以使用不透明的石英和不透明的陶瓷材料等。另外，作为这种陶瓷材料，SiC、Al2O3、SiN等与之对应。
上述的主控制部86除了进行温度控制之外，还控制整个装置的操作。主控制部86按照预先存储在它所附带的存储部中的成膜处理的处理方案，例如形成的膜的膜厚和组成来进行后述的成膜处理。在该存储部中预先存储有作为控制数据的处理气体流量与膜的膜厚及组成的关系。因此，主控制部86能够根据这些存储的处理方案和控制数据来控制升降机构62、气体供给部72、排气系统70、加热机构80等。
图8是表示图1所示装置的主控制部86的大致结构的框图。主控制部86具有CPU210，它与存储部212、输入部214、输出部216等连接。存储部212中存储有处理程序和处理方案。输入部214包括用于与使用者对话的输入装置，例如键盘或指示设备以及存储介质的驱动器等。输出部216输出用于控制处理装置的各仪器的控制信号。图8还一并表示能够在计算机上装拆的存储介质218。
下述的成膜方法作为用于在处理器上执行的程序指令，通过写入可计算机读取的存储介质而能够适用于各种半导体处理装置。或者，这种程序指令通过通信介质进行传送从而能够适用于各种半导体处理装置。存储介质例如是磁盘(软盘、硬盘(一个例子是包含在存储部212内的硬盘)等)、光盘(CD、DVD等)、磁光盘(MO等)、半导体存储器等。对半导体处理装置的操作进行控制的计算机，通过读取存储在存储介质中的程序指令并在处理器上运行该指令，从而执行下述的方法。
下面，对使用图1所示的装置实施的成膜方法进行说明。
首先，在晶片处于卸载的状态下，成膜装置30处于空载状态时，处理容器32内保持在处理温度以下的温度，例如500℃左右。开始进行处理时，将载置有室温的多枚例如100枚晶片W状态的晶舟48从歧管36下端的搬送口38向处理容器32内装载。载入晶舟48后，通过用盖部54封闭歧管36下端的搬送口38使容器内密闭。
接着，对处理容器32内进行真空排气并保持在规定的处理压力，同时使晶片温度上升，然后待机直至稳定在成膜处理温度。然后，从气体供给部72分别供给规定流量的SiH4气体和H2气体，进行成膜处理。在本实施方式中，由于形成多晶硅膜，所以将处理温度设定为600℃左右。
在该处理中，利用设置于处理容器32内的内部热电偶92A～92E检测每个区域的晶片温度。并且，利用设置于各区域加热器84A～84E中的作为温度传感器的外部热电偶88A～88E检测各加热器温度。根据这些检测值，主控制部86控制向各区域加热器84A～84E的供给电力，由此在每个区域内单独控制晶片温度。
在向处理容器32内装载晶舟48时，其上升速度也依赖于处理容器32的高度和载置于晶舟48中的晶片枚数等，例如为10cm/min～50cm/min左右。如前所述，在装载晶片时，进行温度控制，使处理容器32内的各区域保持500℃左右。如上所述，晶舟48的上升速度非常缓慢，各晶片W被一点点地加热并上升。
接近歧管36的搬送口38的处理容器32的下端部侧，因经常加热室温的晶片W，所以温度被急剧夺走。因此，为了补偿该被夺走的热量，最下部的区域加热器48E的功率上升，由此放出大量的热。
在参照图6和图7进行说明的比较例的成膜装置的情况下，由透明石英构成的外管4和内管6有效地通过热线。因此，对于来自加热器的放热量的增减，内外的热电偶18、20敏感地反应，一边发生温度的振动现象一边进行温度补偿。
与此相反，在图1的成膜装置30中，在外管34外周的下端部与包围它的加热机构80的下端部之间配置有不透明的环状或者圆筒状的热缓冲部件98。在这种情况下，虽然传热效果稍微降低，但是对于内侧的热电偶92E，感知来自与此对应的区域加热器84E的放热量增减的敏感度被稍微缓和。这样，能够抑制发生特别是来自最下部的区域加热器84E的放热量反复发生小幅度上升与下降等振动现象。结果，能够防止在由石英构成的外管34的下部产生微裂纹。
换言之，在向处理容器32内装载晶片时，特别是来自最下部区域的区域加热器84E的放热量增加，进行温度补偿。此时，如上所述，由于热缓冲部件98的作用能够抑制发生放热量的振动现象。结果，构成外管34的石英材料不会频繁地反复进行热伸缩，能够防止产生微裂纹。
(实验)
对于装载晶片时最下部区域的温度变化，进行实验以比较具有图1所示构造的实施例的装置与具有图7所示构造的比较例的装置。在该实验中，处理容器内的温度设定为500℃，装载晶片时的上升速度设为10cm/min。
图3是表示比较例和实施例的装置中自晶片装载开始的时间与最下部区域的外部热电偶20、88E的检测温度的关系的曲线图。在图3中，曲线A表示比较例的装置的温度变化(与图7所示的曲线相同)，曲线B表示实施例装置的温度变化。图4A是比较例的装置中自晶片装载开始的时间与向最下部的区域加热器的供给电力的关系的曲线图。图4B是实施例的装置中自晶片装载开始的时间与向最下部的区域加热器的供给电力的关系的曲线图。
如图3中的曲线A所示，在比较例的装置的情况下，晶片装载开始后，直至温度达到稳定，外部热电偶的检测值一边小幅度地反复进行上升和下降，即一边发生加热器的设定温度的振动，一边进行温度补偿。此时，如图4A所示，加热器输入电力在短时间内大幅度振动。
与此相反，如图3中的曲线B所示，在实施例的装置的情况下，晶片装载开始后，直至温度达到稳定，几乎不会发生外部热电偶的检测值的振动，即，能够在加热器的设定温度的振动现象被抑制的状态下进行温度补偿。此时，如图4B所示，加热器的输入电力并不那么大幅度振动，与图4A所示的情况相比，供给电力处于比较稳定的状态。再者，如图3中的曲线B所示，在实施例的装置的情况下，由于设置热缓冲部件98而使热线的传递率下降，因此，加热器输入电力增加，热电偶的温度稍微增高。
上述实验之后，通过目视来确认比较例的装置以及实施例的装置的各处理容器。比较例的装置的处理容器的下端部产生大量的微裂纹而变成毛玻璃状。另一方面，在实施例的装置的处理容器的情况下，处于保持高透明性的状态。
如上所述，根据本实施方式，在立式处理容器32的石英制外管34的下部侧壁与包围该外侧的加热机构80之间配置不透明的热缓冲部件98，向外管下部的传热得到缓和。因此，能够抑制发生反复进行小幅度的温度上升与下降等振动现象，并且能够防止在处理容器32的下部产生微裂纹。
再者，在上述实施方式中，处理容器32具有不锈钢制造的歧管36。但是，既可以由透明石英形成歧管36，也可以不另外设置歧管36，而是由透明石英一体地形成整个处理容器32。另外，在上述实施方式中，处理容器32具有由外管34和内管42构成的双重管构造。但是，本发明对于单管构造的处理容器也同样能够适用。
图5是表示具有单管构造的处理容器的本发明其它实施方式的立式热处理装置(立式成膜装置)的截面图。在图5所示的装置中，处理容器32不具有内管42，仅由外管34构成。在处理容器32的顶部形成有排气口64。在外管34的下部与加热机构80的下部之间配置有环状的热缓冲部件98。热缓冲部件98的作用效果与前面的实施方式中所说明的相同。在这种情况下，也可以采用透明石英形成歧管36，与外管34一体成型。另外，在该单管构造的处理容器32中，也可以从顶部供给气体，从处理容器32的下部侧壁排气。
在上述实施方式中，使用甲硅烷作为硅烷系气体。作为硅烷系气体，也可以取而代之使用乙硅烷和二氯硅烷。而且为了掺杂作为杂质的磷或硼等，可以使用掺杂气体。在上述实施方式中，作为热处理，以形成多晶硅膜的处理为例进行例示。代替这种情况，本发明也能够适用于非晶硅膜、SiO2膜、SiN膜等其它成膜处理。另外，本发明能够适用于氧化、扩散、改性、退火等其它热处理。另外，被处理基板除半导体晶片以外，可以为例如玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板。
其他优点和改型对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，本发明的更广泛的实施方式不局限于在此显示和说明的具体细节和代表性的实施例。因此，可进行不同的改型，而不脱离由所附权利要求及其等效物所确定的总体发明构思的实质和范围。

Claims (20)

1.一种立式热处理装置，用于同时对多个被处理基板实施热处理，其特征在于，包括：
立式的处理容器，用于收纳所述被处理基板，所述处理容器在下端部具有搬送口；
保持具，用于在所述处理容器内以使所述被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持所述被处理基板；
气密地开关所述搬送口的盖体；
升降机构，通过使所述盖体在支承所述保持具的状态下升降，经由所述搬送口向所述处理容器内装载/卸载所述保持具；
气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对所述处理容器内进行排气；
加热器，配置于所述处理容器的周围，所述加热器隔着所述处理容器的侧壁供给热线，由此对所述处理容器内进行加热；和
热缓冲部件，在所述加热器与所述处理容器的下端部一侧之间包围所述下端部一侧，所述热缓冲部件使所述加热器与所述处理容器内的被处理基板之间的热线的传递率在所述下端部一侧降低。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
温度传感器，配置于所述热缓冲部件与所述处理容器内的被处理基板之间；和
控制部，根据所述温度传感器的检测数据，控制所述加热器的设定温度。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器为圆筒形，所述热缓冲部件以与所述处理容器呈同心圆状的方式配置。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件的高度设定在5～50cm的范围内。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件由不透明石英或者不透明陶瓷材料构成。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件由选自SiC、Al2O3、SiN中的陶瓷材料构成。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件具有均匀的高度和厚度。
8.如权利要求2所述的装置，其特征在于：
所述温度传感器配置于所述处理容器内。
9.如权利要求2所述的装置，其特征在于：
所述控制部根据所述温度传感器的检测数据，控制对所述加热器的供给电力。
10.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述处理容器具备环状的金属制歧管和连接于所述歧管上的透明石英构成的反应管，所述搬送口由所述歧管规定，所述下端部一侧由所述反应管规定。
11.一种立式热处理装置，用于同时对多个被处理基板实施热处理，其特征在于，包括：
立式的处理容器，用于收纳所述被处理基板，所述处理容器在垂直方向的端部具有搬送口；
保持具，用于在所述处理容器内以使所述被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持所述被处理基板；
气密地开关所述搬送口的盖体；
升降机构，通过使所述盖体在支承所述保持具的状态下升降，经由所述搬送口向所述处理容器内装载/卸载所述保持具；
气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对所述处理容器内进行排气；
多个加热器，与在所述处理容器内上下排列的多个区域对应，配置于所述处理容器的周围，所述多个加热器隔着所述处理容器的侧壁供给热线，由此对所述处理容器内的所述区域进行加热；
多个温度传感器，与所述多个区域对应配置；
控制部，根据所述多个温度传感器的检测数据，单独控制所述多个加热器的设定温度；和
热缓冲部件，在所述多个加热器内最接近所述搬送口的端部加热器与所述处理容器之间，包围所述处理容器，所述热缓冲部件使所述端部加热器与所述处理容器内的被处理基板之间的热线的第二传递率低于其它的加热器与所述处理容器内的被处理基板之间的热线的第一传递率。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件由不透明石英或者不透明陶瓷材料构成。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件由选自SiC、Al2O3、SiN中的陶瓷材料构成。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
在所述多个温度传感器内与所述端部加热器相对应的端部温度传感器配置于所述热缓冲部件与所述处理容器内的被处理基板之间。
15.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述控制部根据所述多个温度传感器的检测数据，单独控制对所述多个加热器的供给电力。
16.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述搬送口形成于所述处理容器的下端部。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于：
所述处理容器具备环状的金属制歧管和连接于所述歧管上的透明石英构成的反应管，所述搬送口由所述歧管规定，所述端部加热器配置于所述反应管的下端部一侧的周围。
18.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述热缓冲部件的热线传递率为10～80％。
19.如权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述第二传递率是所述第一传递率的10～80％。
20.一种用于同时对多个被处理基板实施热处理的立式热处理装置的使用方法，其特征在于：
所述装置包括：
立式的处理容器，用于收纳所述被处理基板，所述处理容器在垂直方向的端部具有搬送口；
保持具，用于在所述处理容器内以使所述被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持所述被处理基板；
气密地开关所述搬送口的盖体；
升降机构，通过使所述盖体在支承所述保持具的状态下升降，经由所述搬送口向所述处理容器内装载/卸载所述保持具；
气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；
排气系统，对所述处理容器内进行排气；
多个加热器，与在所述处理容器内上下排列的多个区域对应，配置于所述处理容器的周围，所述多个加热器隔着所述处理容器的侧壁供给热线，由此对所述处理容器内的所述区域进行加热；
多个温度传感器，与所述多个区域对应配置；和
控制部，根据所述多个温度传感器的检测数据，单独控制所述多个加热器的设定温度，
所述方法包括以下工序：
在所述多个加热器内最接近所述搬送口的端部加热器与所述处理容器之间，用热缓冲部件包围所述处理容器的工序，所述热缓冲部件使所述端部加热器与所述处理容器内的被处理基板之间的热线的第二传递率低于其它的加热器与所述处理容器内的被处理基板之间的热线的第一传递率；和
根据所述多个温度传感器的检测数据单独控制所述多个加热器的设定温度，同时利用所述多个加热器对所述处理容器进行加热，在这种状态下，经由所述搬送口向所述处理容器装载或卸载所述保持具的工序，
使用所述热缓冲部件来缓解装载或卸载所述保持具时所述端部加热器设定温度的振动现象。
CNA2007101281182A 2006-07-07 2007-07-06 立式热处理装置及其使用方法 Pending CN101101859A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006188714A JP4994724B2 (ja) 2006-07-07 2006-07-07 成膜装置及び成膜方法
JP2006188714 2006-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101101859A true CN101101859A (zh) 2008-01-09

Family

ID=38919285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007101281182A Pending CN101101859A (zh) 2006-07-07 2007-07-06 立式热处理装置及其使用方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7575431B2 (zh)
JP (1) JP4994724B2 (zh)
KR (1) KR101142659B1 (zh)
CN (1) CN101101859A (zh)
TW (1) TWI441256B (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661874A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
CN102224277A (zh) * 2008-11-24 2011-10-19 Lpe公司 外延反应器的反应室
CN102301461A (zh) * 2009-01-30 2011-12-28 泰拉半导体株式会社 批处理式基板处理装置
CN102465279A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 东京毅力科创株式会社 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉
US8414242B2 (en) 2008-10-16 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
CN101667531B (zh) * 2008-09-05 2013-04-24 东京毅力科创株式会社 纵型热处理装置以及基板支承器具
CN103681416A (zh) * 2013-11-29 2014-03-26 上海华力微电子有限公司 一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法
CN103715067A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 北京七星华创电子股份有限公司 一种提高成膜均匀性的方法
CN103765568A (zh) * 2011-06-06 2014-04-30 雷姆热系统有限责任公司 用于热处理衬底的设备和其中检测测量数据的方法
CN103977981A (zh) * 2013-02-08 2014-08-13 台湾积体电路制造股份有限公司 改进内部晶圆温度分布的装置
CN105405799A (zh) * 2014-09-05 2016-03-16 斯克林集团公司 基板容纳容器、加载端口装置以及基板处理装置
CN109148331A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 东京毅力科创株式会社 盖体、热处理装置以及热处理装置用盖体的清洁方法
CN110299308A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 东京毅力科创株式会社 基板加热装置和使用了该基板加热装置的基板处理装置
CN110444489A (zh) * 2018-05-02 2019-11-12 东京毅力科创株式会社 热处理装置
CN111748788A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
CN113140487A (zh) * 2021-04-14 2021-07-20 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5217663B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法
US7869206B2 (en) * 2008-09-05 2011-01-11 Apple Inc. Handheld computing device
JP5088331B2 (ja) * 2009-01-26 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
US20100240224A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. Multi-zone semiconductor furnace
JP5647502B2 (ja) * 2010-02-23 2014-12-24 株式会社日立国際電気 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法。
JP2012204645A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 蓋体開閉装置
JP5642612B2 (ja) 2011-04-05 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
CN102263047B (zh) * 2011-08-19 2013-05-22 清华大学 一种晶圆片热缓冲栈及实现热缓冲的方法
JP2014194966A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JP2015072937A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社東芝 半導体製造装置、半導体製造方法及びプロセスチューブ
US10575373B2 (en) * 2014-03-20 2020-02-25 Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co., Ltd. Connection structure and input/output connection structure of semiconductor microwave generator for microwave oven, and microwave oven
US10475674B2 (en) * 2015-03-25 2019-11-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light irradiation type heat treatment apparatus and method for manufacturing heat treatment apparatus
CN205130610U (zh) * 2015-11-25 2016-04-06 美可达电子影像有限公司 一种圆形热转印炉
KR102466140B1 (ko) 2016-01-29 2022-11-11 삼성전자주식회사 가열 장치 및 이를 갖는 기판 처리 시스템
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP2018170468A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP7012585B2 (ja) 2018-04-12 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7236922B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び成膜方法
JPWO2021039270A1 (zh) * 2019-08-30 2021-03-04
CN117457569A (zh) * 2023-10-26 2024-01-26 海安明光光学玻璃科技有限公司 一种晶圆载片台

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1863185A (en) * 1930-03-24 1932-06-14 New Jersey Zinc Co Metallurgical furnace
JP3292540B2 (ja) * 1993-03-03 2002-06-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3348936B2 (ja) * 1993-10-21 2002-11-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5458688A (en) * 1993-03-09 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment boat
JP3125199B2 (ja) * 1993-03-18 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4434334B2 (ja) 1998-07-13 2010-03-17 株式会社日立国際電気 Ｃｖｄ装置および膜の形成方法
JP2001257167A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN100377317C (zh) * 2003-04-22 2008-03-26 东京毅力科创株式会社 硅氧化膜的去除方法及处理装置
JP4403824B2 (ja) * 2003-05-26 2010-01-27 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法
JP4287228B2 (ja) * 2003-09-26 2009-07-01 株式会社東芝 半導体製造装置

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661874A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
CN101661874B (zh) * 2008-08-29 2013-04-24 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
CN101667531B (zh) * 2008-09-05 2013-04-24 东京毅力科创株式会社 纵型热处理装置以及基板支承器具
US8414242B2 (en) 2008-10-16 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
CN102224277A (zh) * 2008-11-24 2011-10-19 Lpe公司 外延反应器的反应室
CN102224277B (zh) * 2008-11-24 2014-03-12 Lpe公司 外延反应器的反应室
CN102301461A (zh) * 2009-01-30 2011-12-28 泰拉半导体株式会社 批处理式基板处理装置
CN102465279B (zh) * 2010-11-12 2015-04-01 东京毅力科创株式会社 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置
CN102465279A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 东京毅力科创株式会社 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉
CN103765568A (zh) * 2011-06-06 2014-04-30 雷姆热系统有限责任公司 用于热处理衬底的设备和其中检测测量数据的方法
CN103765568B (zh) * 2011-06-06 2016-08-17 雷姆热系统有限责任公司 用于热处理衬底的设备和其中检测测量数据的方法
US9466514B2 (en) 2011-06-06 2016-10-11 Rehm Thermal Systems Gmbh System for the heat treatment of substrates, and method for detecting measurement data in said system
CN103977981A (zh) * 2013-02-08 2014-08-13 台湾积体电路制造股份有限公司 改进内部晶圆温度分布的装置
CN103681416A (zh) * 2013-11-29 2014-03-26 上海华力微电子有限公司 一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法
CN103715067A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 北京七星华创电子股份有限公司 一种提高成膜均匀性的方法
CN103715067B (zh) * 2013-12-31 2016-11-02 北京七星华创电子股份有限公司 一种提高成膜均匀性的方法
CN105405799A (zh) * 2014-09-05 2016-03-16 斯克林集团公司 基板容纳容器、加载端口装置以及基板处理装置
CN105405799B (zh) * 2014-09-05 2018-05-25 斯克林集团公司 基板容纳容器、加载端口装置以及基板处理装置
CN109148331A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 东京毅力科创株式会社 盖体、热处理装置以及热处理装置用盖体的清洁方法
CN109148331B (zh) * 2017-06-28 2023-01-10 东京毅力科创株式会社 盖体、热处理装置以及热处理装置用盖体的清洁方法
CN110299308A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 东京毅力科创株式会社 基板加热装置和使用了该基板加热装置的基板处理装置
CN110299308B (zh) * 2018-03-23 2023-08-18 东京毅力科创株式会社 基板加热装置和使用了该基板加热装置的基板处理装置
CN110444489A (zh) * 2018-05-02 2019-11-12 东京毅力科创株式会社 热处理装置
CN110444489B (zh) * 2018-05-02 2024-04-16 东京毅力科创株式会社 热处理装置
CN111748788A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
CN111748788B (zh) * 2019-03-28 2023-12-12 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
CN113140487A (zh) * 2021-04-14 2021-07-20 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI441256B (zh) 2014-06-11
KR101142659B1 (ko) 2012-05-15
US20080008566A1 (en) 2008-01-10
JP2008016742A (ja) 2008-01-24
JP4994724B2 (ja) 2012-08-08
KR20080005131A (ko) 2008-01-10
US7575431B2 (en) 2009-08-18
TW200822218A (en) 2008-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101101859A (zh) 立式热处理装置及其使用方法
US8529701B2 (en) Substrate processing apparatus
CN1891859B (zh) 氮氧化硅膜的形成方法
US10418293B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support
US8851886B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US8055125B2 (en) Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus
US20120052203A1 (en) Substrate processing apparatus and method of processing substrate
US20090139448A1 (en) Vapor phase growth apparatus ans vapor phase growth method
CN101800162A (zh) 立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒
JP2010287877A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
TWI761758B (zh) 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
CN102856148B (zh) 成膜装置
JP2012193985A (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
JP2012069831A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2012178390A (ja) 基板処理装置
JP2012195355A (ja) 基板処理装置及び基板の製造方法
JP2012054408A (ja) 基板処理装置及び被処理基板の製造方法
US20050095826A1 (en) Heat-processing method and apparatus for semiconductor process
JP2011003689A (ja) 基板処理装置
JP2012134332A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2011082326A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び基板処理装置。
JP2007324478A (ja) 基板処理装置
JP2011204945A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007234935A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2008071939A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20080109